JP2006523913A - 光蓄積媒体の反射層または半反射層のための合金 - Google Patents

光蓄積媒体の反射層または半反射層のための合金 Download PDF

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Abstract

光ディスク（212）の高反射性の被覆層（220）または半反射性の被覆層（216）のために銀系合金の薄膜が提供される。有用な銀合金を製造するために銀に添加し得る元素としては、亜鉛、アルミニウム、銅、マンガン、ゲルマニウム、イットリウム、ビスマス、スカンジウム、およびコバルトがある。これらの合金は、周囲環境において中程度ないし高度の反射率と適度な耐腐食性を有する。

Description

本発明は、光蓄積媒体において用いられる反射層または半反射層であって銀系合金を含む層に関する。
従来の予め記録される光ディスク（例えばコンパクトオーディオディスク）の構成においては、一般に四つの層が存在する。第一の層は通常、光学グレードのポリカーボネート樹脂からなる。この層は、この樹脂をディスクに射出成形または圧縮成形することによって開始する周知の方法によって製造される。ディスクの表面には極めて小さな精密に配置されるピットとランドが成形または刻印される。これらのピットとランドは予め決められたサイズを有し、後述するように、結局はディスク上に情報を蓄積するための媒体となる。
刻印の後、光反射層が情報ピットとランドの上に形成される。反射層は通常アルミニウムまたはアルミニウム合金からなり、典型的には約４０〜約１００ナノメートル（nm）の厚さを有する。反射層は通常、スパッター法や熱蒸発のような多くの周知の蒸着法のうちの一つによって堆積される。Kirk-Othmer, Encyclopedia of Chemical Technology, 3rd ed. Vol.10, pp.247-283 は、これらの方法やグロー放電、イオンプレーティング、および化学蒸着のようなその他の堆積技術についての詳細な説明を提示している。その記載を参考として本明細書に取り込む。
次に、溶液型樹脂またはＵＶ（紫外線）硬化タイプの樹脂が反射層の上に付与され、次いで通常はラベルが付与される。この第三の層は反射層を取り扱いと周囲環境から保護する。そしてディスク上に蓄積された特定の情報をラベルによって見分けることができ、これはしばしば絵図を含む。
ポリカーボネート樹脂と反射層の間に存在する情報ピットは、通常は連続的な螺旋の形態をとる。螺旋は典型的には内周で始まり、外周で終わる。任意の二つの螺旋の間の距離は「トラックピッチ」と呼ばれ、通常はコンパクトオーディオディスクについて約１.６ミクロンである。トラックの方向での一つのピットまたはランドの長さは約０.９〜約３.３ミクロンである。これらの細目の全てはコンパクトオーディオディスクについて一般に知られていて、この分野の標準としてオランダのフィリップスＮＶと日本のソニーによって最初に提案された一連の仕様の中にある。
ディスクは、情報ピットの上に焦点を合わせるのに十分な小さな分解能を有するレーザービームを光学グレードのポリカーボネート基板を通して反射層の上に当てることによって読み出される。ピットはレーザー光の波長の約１/４の深さを有し、レーザー光は一般に約７８０〜８２０ナノメートルの範囲の波長を有する。次いで、レーザーが螺旋のトラックに沿って進み、その通路においてピットとランドの交互の連続の上に焦点が合うとき、レーザー光の弱め合い（暗い）干渉または強め合い（明るい）干渉が生じる。
暗から明へのまたは明から暗への光の強度のオンとオフの変化によって、１と０のデジタルデータの流れの基本が形成される。ある一定の時間間隔において光の強度の変化がないとき、デジタル信号は「０」であり、暗から明へのまたは明から暗への光の強度の変化があるとき、デジタル信号は「１」である。その結果生じる１と０の連続的な流れが、次に、電子的に解読され、そして音楽やコンピュータープログラミングデータのようなユーザーにとって意味のある形式で表示される。
従って、強度の変化の存在を読み出すために、レーザー光をディスクから検出器上へ反射する高度に反射性のコーティングがディスク上に存在することが重要である。一般に、反射層は通常、アルミニウム、銅、銀、または金からなり、これらの全てが６５０nm〜８２０nmの波長について８０％以上の高い光反射率を有する。アルミニウムとアルミニウム合金が通常用いられる。というのは、これらはコストが比較的低く、適度な耐腐食性を有し、またポリカーボネートのディスク上に容易に付加することができるからである。
しばしばそして通常、装飾的な理由から、金系のまたは銅系の合金が、使用者に「金色の」ディスクを提供するために用いられる。金は当然に華美な色を提供し、また高度に反射性の層に要求される機能の全てを満足するけれども、それはアルミニウムよりもずっと高価である。従って、亜鉛またはスズを含有する銅系合金が、金色の層を形成するためにしばしば用いられる。しかし、あいにくとこの変更は満足できるものではない。というのは、一般に銅合金の耐腐食性はアルミニウムよりも劣っていると考えられ、そのため、アルミニウムの反射層を有するディスクよりも寿命期間が短いディスクが得られる。
読者の便宜のため、光学的に読み出し可能な蓄積システムの製造と操作についてのさらなる詳細は、米国特許４,９９８,２３９号（Strandjord他）および４,７０９,３６３号（Dirks他）において見いだすことができ、それらの開示をここに参考文献として取り込む。
普及してきているコンパクトディスクの群における別のタイプのディスクは、記録可能なコンパクトディスクすなわち「ＣＤ−Ｒ」である。このディスクは前述のＣＤに類似しているが、しかし幾つかの変更がある。記録可能なコンパクトディスクには始めにピットの連続的な螺旋の代わりに連続的な螺旋溝があり、そしてポリカーボネート基板と反射層の間に有機染料の層を有している。このディスクは、レーザーが螺旋のトラックに沿って移動するとき、レーザービームの焦点を溝内に周期的に合わせることによって記録が行なわれる。レーザーは染料を高温に加熱し、次いで溝内にピットが形成され、これと同時に染料が周期的に変形し分解することによって１と０の入力データの流れが形成される。
読者の便宜のため、これらの記録可能なディスクの操作と構成についてのさらなる詳細は、米国特許５,３２５,３５１号（Uchiyama他）、５,３９１,４６２号、５,４１５,９１４号、５,４１９,９３９号（Arioka他）、および５,６２０,７６７号（Harigaya他）において見いだすことができ、それらの開示を本明細書に参考文献として取り込む。
ＣＤ−Ｒディスクの重要な要素は有機染料であり、これは溶剤と、シアニン、フタロシアニン、またはアゾ系からの１種または２種以上の有機化合物から作られる。このディスクは通常、染料をディスク上にスピンコーティングし、そして染料が十分に乾燥した後に染料の上に反射層をスパッターすることによって製造される。しかし、この染料は反射層を腐食する可能性のあるハロゲンイオンまたはその他の化学物質を含有していることがあるので、アルミニウムのような多くの通常用いられる反射層材料はＣＤ−Ｒディスクに合理的な寿命期間を付与するには適当でないだろう。従って、記録可能なＣＤを製造するのにしばしば金を用いなければならない。しかし、金はＣＤ−Ｒディスクの機能上の要求を全て満たすけれども、それは非常に費用のかかる解決法である。
最近、他のタイプの記録可能な光ディスクが開発された。これらの光ディスクは、記録媒体として相（phase）変化材料または磁気光学材料を用いる。光レーザーが用いられて、記録媒体上に焦点を合わせたビームを変調することによって記録層の相または磁気状態（微細組織）を変化させ、このとき媒体が回転されて記録層の微細組織の変化が生じる。再生を行なう間、記録媒体を通して反射された光ビームからの光の強度の変化が検出器によって検出される。光の強度のこれらの変調は、記録工程の間に生じた記録媒体の微細組織の変化によるものである。ある種の相変化材料および／または磁気光学材料を、第一の状態から第二の状態へ容易にそして繰り返し変換し、そして再び元に戻すことができ、実質的に劣化させることなくこれを行なうことができる。これらの材料は、コンパクトディスク書き換え可能ディスク、すなわちＣＤ−ＲＷとして一般に知られているもののための記録媒体として用いることができる。
情報を記録しそして読むために、相変化ディスクは、第一の暗い相から第二の明るい相への、そして再び元へ戻る変化をする記録層の能力を利用する。これらの材料への記録を行なうと、記録レーザービームを変調するときに導入されるデジタル入力データに従って一連の交互の暗いスポットと明るいスポットが生じる。記録媒体上のこれらの明るいスポットと暗いスポットは、デジタルデータに関する０と１に相当する。記録された情報を再生するために、ディスクのトラックに沿って焦点を合わせた低いレーザー出力を使用して、デジタル化されたデータが読み取られる。レーザー出力は、それが記録媒体の状態をさらに変化させないほどに十分に低いが、しかしそれは、記録媒体の反射率の変化が検出器によって容易に識別されるほどに十分に高い。記録媒体は、記録媒体上に中間出力のレーザーを当てることによって、再記録のために消去を受けることができる。これによって記録媒体層はその最初の状態すなわち消去された状態に戻る。光学的に記録可能な媒体の記録機構についてのさらに詳細な説明は、ソニー、ＴＤＫ、およびＮＥＣ（全て東京、日本）にそれぞれ譲渡された米国特許５,７４１,６０３号、５,４９８,５０７号、および５,７１９,００６号において見いだすことができ、それらの開示の全体をここに参考文献として取り込む。
普及してきている光ディスクの群におけるさらに別のタイプのディスクは、デジタルビデオディスクまたは「ＤＶＤ」と呼ばれる予め記録される光ディスクである。このディスクは二つの半分の部分を有している。各々の半分の部分は射出成形または圧縮成形されたポリカーボネート樹脂からなり、これにはピット情報が付与され、次いで反射層でスパッターコーティングされる。この工程は上述した通りである。次いで、これら二つの部分はＵＶ硬化樹脂またはホットメルト接着剤を用いて接合または接着されて、ディスク全体が完成する。次いで、このディスクは、コンパクトディスクすなわちＣＤとは異なり、両側で再生することができ、情報は通常一つの側からだけ得られる。ＤＶＤのサイズはＣＤとほぼ同じであるが、情報密度はそれよりもかなり高い。トラックピッチは約０.７ミクロンであり、ピットとランドの長さはおよそ０.３〜１.４ミクロンである。
ＤＶＤの群のディスクの一つの変形はＤＶＤ二層（デュアル層）ディスクである。このディスクも二つの情報層を有しているが、しかし、両方の層は一つの側から再生される。この構造において、反射率の高い層は上述したものと通常同じである。しかし、第二の層は半反射性であり、６５０nmの波長においておよそ１８〜３０％の反射率を有する。光を反射するのに加えて、この第二の層はまた、かなりの量の光を透過しなければならず、それによってレーザービームは下にある高反射性の層に達することができ、次いで半反射層を通して信号検出器へ反射して戻る。
光ディスクの蓄積容量を増大させる継続した試みにおいては多層ディスクを構成することができ、これは「SPIE Conference Proceeding Vol.2890, 2−9ページ, 1996年11月」という刊行物に示されていて、そこでは三層または四層の光ディスクが開示されている。全てのデータ層は６５０nmの波長においてレーザー光を使用してディスクの一方の側から再生される。両側に三層ある読み取り専用ディスクは合計で六層を有し、約２６ギガバイトの情報の蓄積容量を有し得る。
さらに最近になって、４００nmの波長を有する青い光を放出するレーザーダイオードが市販されるようになった。この新しいレーザーは、かなり密度の高いデジタルビデオディスクデータの蓄積を可能にするだろう。６５０nmの赤色レーザーを用いる現行のＤＶＤは一方の側につき４.７ＧＢ蓄積することができるが、新しい青色レーザーは一方の側につき１２ＧＢ蓄積することができ、これは標準の解像度のビデオと音を約６時間蓄積するのに十分な蓄積スペースである。多層ディスクを用いれば、長編映画を高品位デジタルビデオフォーマットで蓄積するのに十分な容量がある。
ＤＶＤ−９における半反射層と高反射層の両者として用いるための高反射材料と半反射材料の開発における最近の進歩は、ディスクの同じ側に再生情報層を全て伴って三層の光ディスク、そして四層の光ディスクさえも製作することを可能にした。例えば、米国特許６,００７,８８９号と６,２８０,８１１号を参照されたい。これにより、多層ディスクを低コストで構成しそして製造することができる。０.６０の開口数（ＮＡ）を有する対物レンズおよび約６５０nmの波長を有する再生用レーザーと組み合わせて、１４ギガバイトの情報を蓄積する容量を有する多層光蓄積デバイス（ＤＶＤ−１４）あるいは１８ギガバイトの情報蓄積容量を有するデバイス（ＤＶＤ−１８）を製造することができる。
次世代の光ディスクのための様々なフォーマットが提案されている。これらのうちの一つは、いわゆる「ブルレイ（Blu-ray）」ディスクと称される。ブルレイディスクシステムは、約４０５nm（青色光）の波長において作動する再生用レーザーと０.８５の開口数を有する対物レンズによって特徴づけられる。一つの情報層を伴って用いるとき、このデバイスの蓄積容量は、予め記録されるフォーマットについて約２５ギガバイトと見積もられる。このようなデバイスは０.３２μmの範囲のトラックピッチ値と０.０５μmのオーダーのチャネルビット長さを有する。
０.８５のＮＡを有する対物レンズの焦点深さは典型的に１ミクロン未満なので、光路長の変化の許容値は現在用いられているシステムと比較してかなり小さくなる。そのため、約１００ミクロンの被覆層の厚さ（この距離はディスクの表面から情報層までとして測定される）が提案された。この被覆層の厚さの変化は、このシステムの成功のために非常に重要である。例えば、被覆層の２または３ミクロンの厚さの変化は再生信号に非常に高い球面収差を導入し、許容できない低いレベルにまで信号を劣化させる可能性がある。
ブルレイフォーマットに伴う別の主要な問題は、ＤＶＤのために用いられる現行世代の製造装置はブルレイフォーマットを有するディスクを製造するために用いることができないことである。というのは、その提案されたフォーマットは現在用いられているＤＶＤフォーマットとかなり異なっているからである。ブルレイディスクを製造するために新しい装置に投資する必要は、ブルレイディスクを製造するためのコストを実質的に増大させ、ブルレイディスクシステムを次世代のＤＶＤのための標準として採用することに対するもう一つの障害をもたらす。
一部で、ブルレイディスクに関連する上述の問題のために、次世代のＤＶＤのための別のフォーマットが提案された。この提案されたフォーマットは、しばしば「アドバンスト光ディスク」（ＡＯＤ）と称される。
ＡＯＤフォーマットは現在用いられているＤＶＤの特徴の幾つかを維持していて、例えば、ＡＯＤは対称構造を作るために接着された二つの０.６mmの厚さのハーフディスクからなる。この提案されたＡＯＤシステムは、４０５nmの波長を有する再生用レーザーと約０.６５のＮＡを有する対物レンズを用いる。一つの情報層を有する予め記録されるタイプのＡＯＤディスクの蓄積容量は、約１５ギガバイトである。ＡＯＤディスクを製造することはブルレイディスクを製造することよりも複雑ではなく、またそれよりも挑戦的なことではないが、ＡＯＤには一つの欠点が伴う。ＡＯＤディスクの再生信号の質は、ディスクの平坦さに強く依存する。ＡＯＤディスクの大量生産で導入されるディスクの平坦さの変化に対処するために、プレーヤーにおけるティルトサーボ機構が最も要求されるだろう。この機構の必要性は、ＡＯＤディスクを読み取るために設計されるプレーヤーのコストを増大させるだろう。
現在、ＣＤ−ＲＷ技術をＤＶＤの分野に適合させて、書き換え可能なＤＶＤ（ＤＶＤ−ＲＷ）を製造することが関心の対象となっている。ＤＶＤフォーマットに必要な高い情報密度のために、ＤＶＤ−ＲＷの製造において幾つかの困難が生じている。例えば、ＤＶＤ−ＲＷフォーマットに必要な読み取り、書き込み、および消去に適応するために、反射層の反射率を標準のＤＶＤ反射層の反射率よりも増大させなければならない。また、情報を書き込みそして消去するのに必要な高いレーザー出力と情報移動プロセスの間に生じる微細組織の変化の両者によって発生する熱を適切に放散するために、反射層の熱伝導率も増大しなければならない。反射層の可能性のある選択は現在のところ、純金、純銀、およびアルミニウム合金である。金は、ＤＶＤ−ＲＷディスクにおいて動作するのに十分な反射率、熱伝導率、および耐腐食性を有しているように思える。また、金は均一な厚さのコーティングにスパッターするのが比較的容易である。しかしここでもまた、金は他の金属よりもかなり高価であり、ＤＶＤ−ＲＷフォーマットの製造をひどく高価にする。純銀は金よりも高い反射率と熱伝導率を有するが、しかしその耐腐食性は金よりも低い。アルミニウム合金の反射率と熱伝導率は金および銀の両者よりもかなり低く、従ってＤＶＤ−ＲＷまたはＤＶＤ＋ＲＷにおける反射層として必ずしも良い選択ではない。
読者の便宜のため、ＤＶＤディスクの製造と構成についてのさらなる詳細は、米国特許５,６４０,３８２号（Florczak他）において見いだすことができ、その開示をここに参考文献として取り込む。
従って、求められているものは、光蓄積媒体における反射層または半反射層として用いられるときに金のような利点を有していて、しかし金ほどには高価でない幾つかの新しい合金である。これらの新しい合金はまた、純銀よりも良好な耐腐食性を有していなければならない。本発明はこの要求を扱う。
一つの態様は、薄膜の反射層において用いるための金属合金を提供し、これらの合金は高い反射率と金に類似するスパッター特性を有し、そして耐腐食性で概して金よりも高価でない。これらの合金の多くは、ＤＶＤ二層（デュアル層）デバイスのような光蓄積デバイスにおける半反射層（被覆）として用いることもできる。
一つの態様において、ＤＶＤ−ＲＷまたはＤＶＤ＋ＲＷディスクおよびその他の現行のおよび将来の世代の光ディスクであって、廉価で高性能な製品のための反射率、耐腐食性、および適用の容易さのような要件が全て重要となるディスクにおける反射層に要求される機能を満足するのに十分な化学的特性、熱的特性、および光学的特性を有する銀系合金が提供される。
本発明を公表しまたその原理を他者に伝えるために、以下の説明と実施例において特定の用語が用いられている。その特許権の範囲がここで用いられている用語だけに限定されることは意図されていない。その範囲には、その説明に対するあらゆる代替と修正であって、当分野における平均的な技術者が通常思いつくものも含まれる。
本明細書において用いられている用語である「原子％」または「ａ/ｏ％」は、特定の合金中に存在するものとして同定される原子の総数に対する特定の元素または特定の元素の群の原子の比率を意味する。例えば、１５原子％の元素「Ａ」と８５原子％の元素「Ｂ」からなる合金は、その特定の合金についての式であるＡ0.15Ｂ0.85 によって表示することもできる。
ここで用いられている用語である「存在する銀の量の」は、合金中に含まれている特定の添加物の量を記述するのに用いられる。この形で用いられる場合、この用語は、添加物の存在を比率で説明するために、この添加物を考慮しないときに存在する銀の量は存在する添加物の量だけ減じる、ということを意味する。例えば、存在する添加物の量を考慮しないときにＡｇと元素「Ｘ」の間の関係がＡｇ0.85Ｘ0.15（それぞれ８５ａ/ｏ％および１５ａ/ｏ％）である場合、そして添加物「Ｂ」が「存在する銀の量の」５原子％の量で存在する場合、Ａｇ、Ｘ、およびＢの間の関係は銀の原子％から５原子％を減じることによって求められ、あるいはＡｇ、Ｘ、およびＢの間の関係はＡｇ0.80Ｘ0.15Ｂ0.05（それぞれ８０ａ/ｏ％の銀、１５ａ/ｏ％の「Ｘ」、および５ａ/ｏ％の「Ｂ」）である。
本明細書において用いられている用語である「隣接する」は、空間の関係を意味し、そして「近い」または「遠くない」という意味である。従って、本明細書において「隣接する」という用語を用いる場合、そのように認識される要素が互いに接触していることを要せず、そしてそれらが他の構造によって分離していても良い。例えば、図５を参照すれば、層（424）は層（422）と「隣接する」し、または「近い」が、それと全く同じ意味において、層（414）は層（422）と「隣接する」し、または「近い」。
一つの態様は、光データ蓄積媒体として用いられる多層の金属／基板の構成からなる。一態様は図１に光データ蓄積システム（10）として示されている。光蓄積媒体（12）は、透明な基板（14）と、第一のデータピットパターン（19）の上にある高反射性の薄膜層またはコーティング（20）を有する。図１に示すように、光レーザー（30）が媒体（12）に向けて光ビームを放出する。薄膜層（20）によって反射される光ビームからの光は検出器（32）によって検出され、検出器は薄膜層上の特定の箇所におけるピットまたはランドの有無に基づく光の強度の変化を検知する。このディスクは、後述する合金のうちの一つが情報ピットとランドの上に堆積されていて、これが高反射性の薄膜（20）として用いられる、という点で独特である。一つの別の態様（図示せず）においては、ディスクは、二つの光蓄積媒体（12）を背中合わせに接合する、すなわち各々の透明な基板（14）が外側に面しているようにすることによって、変更することができる。
別の態様は図２に光データ蓄積システム（110）として示されている。光蓄積媒体（112）は、透明な基板（114）と、第一のパターン（119）の上に設けられた染料の層（122）の上にある高反射性の薄膜層（120）を有する。図２に示すように、光レーザー（130）が媒体（112）に向けて光ビームを放出する。前述したように、染料層の部分をレーザーで変形することによってディスク上にデータが設けられる。次いで、ディスクは光ビームからの光によって操作され、この光は薄膜層（120）によって反射され、そして検出器（132）によって検出される。検出器は染料層における変形の有無に基づく光の強度の変化を検知する。このディスクは、後述する合金のうちの一つが染料層（122）の上に堆積されていて、これが高反射性の薄膜またはコーティング（120）として用いられる、という点で独特である。一つの別の態様（図示せず）においては、ディスクは、二つの光蓄積媒体（112）を背中合わせに接合する、すなわち各々の透明な基板（114）が外側に面しているようにすることによって、変更することができる。
別の態様は図３に光データ蓄積システム（210）として示されている。光蓄積媒体（212）は、透明な基板（214）、第一のデータピットパターン（215）の上にある部分的に反射性の薄膜層またはコーティング（216）、透明な間隔層（218）、および第二のデータピットパターン（219）の上にある高反射性の薄膜層またはコーティング（220）を有する。図３に示すように、光レーザー（230）が媒体（212）に向けて光ビームを放出する。薄膜層（216）または（220）のいずれかによって反射される光ビームからの光は検出器（232）によって検出され、検出器は薄膜層上の特定の箇所におけるピットの有無に基づく光の強度の変化を検知する。このディスクは、後述する合金のうちの一つが情報ピットとランドの上に堆積されていて、これが高反射性の薄膜（220）または半反射性の層（216）として用いられる、という点で独特である。別の態様（図示せず）においては、ディスクは、二つの光蓄積媒体（212）を背中合わせに接合する、すなわち各々の透明な基板（214）が外側に面しているようにすることによって、変更することができる。接合方法は例えば、紫外線硬化性接着剤、ホットメルト接着剤、またはその他のタイプの接着剤による。
別の態様は図４に光データ蓄積システム（310）として示されている。光蓄積媒体（312）は、透明な基板（314）、第一のデータピットパターン（315）の上にある部分的に反射性の薄膜層またはコーティング（316）または「ゼロ（zero）」層、透明な間隔層（318）、第二のデータピットパターン（319）の上にある別の部分的に反射性の薄膜層またはコーティング（320）または「ワン（one）」層、第二の透明な間隔層（322）、および第三のピットパターン（323）の上にある高反射性の薄膜層またはコーティング（324）または「ツー（two）」層を有する。図４に示すように、光レーザー（330）が媒体（312）に向けて光ビームを放出する。薄膜層（316）（320）または（324）によって反射される光ビームからの光は検出器（332）によって検出され、検出器は薄膜層上の特定の箇所におけるピットの有無に基づく光の強度の変化を検知する。このディスクは、後述する合金のうちのいずれかまたは全てを情報ピットとランドの上に堆積することができ、これが高反射性の薄膜またはコーティング（324）または半反射性の層またはコーティング（316）および（320）として用いられる、という点で独特である。層Ｌ２の上の情報を再生するために、レーザーダイオード（330）からの光ビームは透明なポリカーボネート基板の中を進み、第一の半反射性の層Ｌ０および第二の半反射性の層Ｌ１を通過し、次いで層Ｌ２から検出器（332）へ反射して戻る。別の態様（図示せず）においては、ディスクは、二つの光蓄積媒体（312）を背中合わせに接合する、すなわち各々の透明な基板（314）が外側に面しているようにすることによって、変更することができる。接合方法は例えば、紫外線硬化性接着剤、ホットメルト接着剤、またはその他のタイプの接着剤による。
さらに別の態様は図５に光データ蓄積システム（410）として示されている。光蓄積媒体（412）は、透明な基板または透明な層（414）、第一のデータピットパターン（415）の上にある誘電体層（416）、第一の状態から第二の状態へそして再び前の状態へのレーザー誘起移行を繰り返し受けることが可能な領域または部分を含む微細組織を有する材料（例えば相変化材料または磁気光学材料）からなる記録層（418）（すなわち光学的に再記録可能なまたは書き換え可能な層）、別の誘電体材料（420）、高反射性の薄膜層（422）、および透明な基板または層（424）を有する。本明細書で用いられる意味として、誘電体材料とは、電気絶縁物の材料、またはその中で出力の最少の消失を伴って電界が維持され得る材料である。光蓄積媒体（410）の異なる層（414）（416）（418）（420）および（422）は互いに隣接するように配置されるのが好ましい。
記録層（418）のために一般的に用いられる相変化材料としては、ゲルマニウム-アンチモン-テルル（Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ）、銀-インジウム-アンチモン-テルル（Ａｇ-Ｉｎ-Ｓｂ-Ｔｅ）、クロム-ゲルマニウム-アンチモン-テルル（Ｃｒ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ）、およびこれらと類似のものがある。誘電体層（416）または（420）のために一般的に用いられる材料としては、硫化亜鉛-酸化シリコン化合物（ＺｎＳ・ＳｉＯ2）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、およびこれらと類似のものがある。記録層（418）のために一般的に用いられる磁気光学材料としては、テルビウム-鉄-コバルト（Ｔｂ-Ｆｅ-Ｃｏ）またはガドリニウム-テルビウム-鉄（Ｇｄ-Ｔｂ-Ｆｅ）がある。図５に示すように、光レーザー（430）が媒体（412）に向けて光ビームを放出する。相変化記録可能な光学媒体のための記録モードにおいて、光ビームからの光は入力デジタルデータに従って変調されるかまたは点滅して、適当な対物レンズを用いて記録層（418）に焦点が合わされ、このとき媒体は適当な速度で回転されて、それによって記録層において微細組織の変化または相の変化が生じる。再生モードにおいて、媒体（412）を通って薄膜層（422）によって反射される光ビームからの光は検出器（432）によって検出され、検出器は記録層における特定の箇所の結晶状態または非晶質状態に基づく光の強度の変化を検知する。このディスクは、後述する合金のうちの一つが媒体の上に堆積され、これが高反射性の薄膜（422）として用いられる、という点で独特である。別の態様（図示せず）においては、ディスクは、二つの光蓄積媒体（412）を背中合わせに接合する、すなわち各々の透明な基板またはコーティング（414）が外側に面しているようにすることによって、変更することができる。接合方法は例えば、紫外線硬化性接着剤、ホットメルト接着剤、またはその他のタイプの接着剤による。
図５に示すように、透明な基板（414）が連続した螺旋の溝とランドを有する射出成形したポリカーボネートからなる約１.２mmの厚さのものである場合、（424）は７８０〜８２０ナノメートルの再生用レーザー（430）を使用するときの保護層として作用する厚さ３〜１５ミクロンの紫外線硬化性アクリル樹脂であり、書き換え可能な層（418）は代表的な組成がＡｇ-Ｉｎ-Ｓｂ-Ｔｅの相変化材料であり、これはコンパクトディスク書き換え可能ディスク、すなわちＣＤ−ＲＷとして一般に知られているものの構造である。情報を記録しそして読み取るために、相変化ディスクは、低い反射率を有する非晶質相（暗い）から高い反射率を有する結晶質相（明るい）へ変化する記録層の能力を利用する。記録する前は、相変化層は結晶質状態にある。記録を行なっている間、記録層上に当てられた高出力のレーザービームは相変化材料を高温に加熱し、そしてレーザーの照射を止めると、加熱された箇所（スポット）は急速に冷却して非晶質状態が生成する。このようにして、レーザービームの照射（オン）と停止（オフ）を切り換える入力データに従って、非晶質状態からなる一連のダークスポットが生成する。これらのオンとオフがデジタルデータの流れの「０」と「１」に相当する。
読み取りを行なうときは、低いレーザー出力が用いられて、ディスクのトラックに沿ってダークスポット（暗いスポット）またはブライトスポット（明るいスポット）に焦点合わせがされて読み取られ、それによって、記録された情報が再生される。消去を行なうためには、中間のレーザー出力が用いられて、ディスクを回転させながら溝またはトラックに焦点合わせがされて、それによって、焦点合わせされた箇所（スポット）は中間温度に達する。レーザースポットが別の位置に移動された後、スポットは室温まで冷却して高反射率の結晶質組織が生成する。これによって、記録層はその最初の状態すなわち消去された状態に戻る。非晶質状態から結晶質状態へのスポットのこの変化は極めて可逆性であり、従って、多くの記録サイクルと消去サイクルを容易に実施することができ、異なるデータを繰り返し記録しそして読み取ることができる。
透明な基板（414）が連続した螺旋の溝とランドを有する射出成形したポリカーボネートからなる約０.５〜０.６mmの厚さのものであり、（416）と（420）が典型的にはＺｎＳ・ＳｉＯ2からなる誘電体層であり、（418）がＡｇ-Ｉｎ-Ｓｂ-ＴｅまたはＧｅ-Ｓｂ-Ｔｅのような相変化材料からなり、（422）が本明細書で開示される銀系合金からなり、（424）が図５に示すような同じ構造のものと接合する紫外線硬化性樹脂であり、そして６３０〜６５０ナノメートルの波長の読み取り・書き込みレーザー（430）を用いるとき、これは書き換え可能なデジタル多能ディスクすなわち一般にＤＶＤ＋ＲＷと呼ばれているものである。幾つかの好ましい相可変材料としては以下の一連のものがある：Ａｓ-Ｔｅ-Ｇｅ、Ａｓ-Ｉｎ-Ｓｂ-Ｔｅ、Ｔｅ-Ｇｅ-Ｓｎ、Ｔｅ-Ｇｅ-Ｓｎ-Ｏ、Ｔｅ-Ｓｅ、Ｓｎ-Ｔｅ-Ｓｅ、Ｔｅ-Ｇｅ-Ｓｎ-Ａｕ、Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ、Ｓｂ-Ｔｅ-Ｓｅ、Ｉｎ-Ｓｅ-Ｔｌ、Ｉｎ-Ｓｂ、Ｉｎ-Ｓｂ-Ｓｅ、Ｉｎ-Ｓｅ-Ｔｌ-Ｃｏ、Ｃｒ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ、およびＳｉ-Ｔｅ-Ｓｎ。ここで、Ａｓはヒ素、Ｔｅはテルル、Ｇｅはゲルマニウム、Ｓｎはスズ、Ｏは酸素、Ｓｅはセレン、Ａｕは金、Ｓｂはアンチモン、Ｉｎはインジウム、Ｔｌはタリウム、Ｃｏはコバルト、そしてＣｒはクロムである。このディスク構成において、高反射性層（422）は、６５０ナノメートルの波長において高反射性であるだけでなく、ＺｎＳ・ＳｉＯ2に対して耐腐食性が高いものでなければならない。慣用のアルミニウム合金は十分に高い反射率を有していないし、十分に高い熱伝導率も有していない。純銀またはその他の慣用の銀合金は、高い耐腐食性と高い反射率と高い熱伝導率のいずれをも有していない。従って、別の態様は、この用途の要求を満足させ得る一連の銀合金を提供するものである。
別の態様は、図６において書き換え可能なタイプの光情報蓄積システム（510）として示されている。透明な被覆層（514）は約０.１mmの厚さを有する。誘電体層（516）と（520）はＺｎＳ・ＳｉＯ2からなるのが好ましく、書き換え可能な層または位相変化層（518）のための保護層として作用する。書き換え可能な層（518）はＡｇ-Ｉｎ-Ｓｂ-Ｔｅまたはその類似のものから形成されるのが好ましい。高反射性層（522）は本明細書で開示されているような銀合金から形成されるのが好ましい。透明な基板（524）は約１.１mmの厚さを有するのが好ましく、連続した螺旋トラックの溝とランドを有し、通常はポリカーボネートからなる。レーザー（530）は関連する光学素子と約４００nmの波長を有するのが好ましく、レーザービームが記録層（518）の上に焦点合わせされる。反射するレーザービームは検出器（532）によって受け取られ、検出器は記録された情報を読み出すための関連するデータ処理能力を有するのが好ましい。このシステム（510）は、高品位テレビ信号を記録するために設計された「デジタルビデオ記録システム」またはＤＶＲとしばしば呼ばれる。この光情報蓄積システム（510）の作動原理はＣＤ−ＲＷディスクのものとほぼ同じであるが、ただし記録密度はそれよりもかなり高く、また直径５インチのディスクの蓄積容量は約２０ギガバイトである。また、このディスクスタックの性能は、高い耐腐食性と非常に高い熱伝導率を有していて４００nmの波長において高反射性の層（522）に依存する。アルミニウム、金、または銅のような慣用の反射層は全て、この要求を満たすのが困難である。従って、別の態様は、これらの要求を満足させ得る銀合金の反射層を提供するものである。
本発明を実施するために用いることのできる他の光記録媒体は、例えば読み取り可能な光蓄積デバイスであって、幾つかの態様においてはそのデバイスの両側から書き換えも可能なものを含む。
一つの態様は、図７に示される光データ蓄積システム（610）である。光蓄積システム（610）はしばしばＤＶＤ−１４と呼ばれ、この構造の両側にアクセス可能なデータを蓄積する能力を有するデバイスの例である。
光蓄積システム（610）は０.６mmの厚さの透明なポリカーボネート基板（ＰＣ）を有し、このＰＣ層に隣接して、あるいはＰＣ層の一部として、一連のピットとランドを有する第一のデータピットパターン(614)が存在する。層(614)に隣接して、そして層(614)の輪郭に適合して、半反射性の層または被覆（618）がある。層または被覆（618）に隣接して透明な材料からなる間隔層(622)があり、間隔層(622)に隣接するかまたはその一部として、一連のピットとランドを有する第二のデータピットパターン(626)が存在する。第二のデータピットパターン(626)に隣接して、そしてこのパターンの輪郭に適合して、反射性の層または被覆(630)がある。半反射性の層または被覆（618）と高反射性の層(630)の両者は構造物(610)の同じ側から読み取ることができる。
層または被覆(634)に隣接して、第二の反射性の層または被覆(638)がある。層または被覆(638)は、一連のピットとランドを有する第三のデータピットパターン(642)に隣接していて、そしてこのパターンに適合している。第三のデータピットパターン(642)と高反射性の層または被覆(638)は、デバイスのデータピットパターン（618）および(626)が読み取られる側とは反対側から読み取り可能である。データピットパターン(642)に隣接して、またはこのパターンを含んで、第二の０.６mmの厚さのポリカーボネート層がある。
光レーザー（660）が第二のポリカーボネート層ＰＣに向けて光ビームを放出し、ビームは高反射性の層または被覆(638)によって反射され、そして高反射性の被覆または層の上の特定の場所におけるピットの有無に基づく光の強度の変調が検出器（662）によって検出される。
図７に示すように、デバイス（610）のレーザー（660）とは反対側から、レーザー（650）からの第二の光ビームが第一のポリカーボネート基板層ＰＣに向けて、データピットパターン(614)に向けて照射される。図７に示すように、第二のレーザー（650）は、半反射性の層または被覆（618）と高反射性の層(630)に向けて光ビームを放出する。レーザー（650）によって放出される光ビームの少なくとも一部は、半反射性の層（618）を通過して、反射性の層（626）に達する。層または被覆（626）によって反射された光ビームからの光は検出器（652）によって検出され、検出器は高反射性の層の上の特定の場所におけるピットまたはランドの有無に基づく光の強度の変調を検出する。
図７に示す光蓄積デバイスは複数のレーザー源(650)(660)と複数の検出器（652）(662)を有するが、例えば(618)(626)(642)の組のデバイスを含む情報ピットとランドの全ての組からの信号を集めるために同じ光ビーム源と検出器を用いることができるように配置された単一のレーザー源と検出器を用いて、同じことを達成することができる。
さらに別の態様は、図８に示されるような光蓄積システム(710)である。光蓄積媒体(710)はＤＶＤ−１８の例であり、そしてこれは光蓄積媒体の両側から読み取り可能な複数の情報層を有する光蓄積システムの例である。
光蓄積システム（710）は０.６mmの厚さの透明な基板(712)を有し、この基板に隣接して、あるいは基板の一部として、第一のデータピットパターン(714)が存在する。データピットパターン(714)は一連のピットとランドを有していて、そして半反射性の層または被覆（716）に隣接している。このデバイスはさらに、約５０ミクロンの厚さの透明な間隔層(718)を有し、また高反射性の膜または被覆（722）に隣接して第二のデータピットパターン(720)を有する。半反射性の層または被覆（716）と高反射性の層または被覆(722)の両者は(710)の同じ側から読み取ることができる。
光レーザー（770）が透明な層(712)に向けて光ビームを放出する。図８に示すように、レーザー源（770）によって放出される光ビームの少なくとも一部は、半反射性の層（716）を通過して、高反射性の層（722）に達する。半反射性の層または被覆（716）と高反射性の層（722）によって反射された光ビームからの光は検出器（772）によって検出され、検出器は高反射性の層または半反射性の層の上の特定の場所におけるピットまたはランドの有無に基づく光の強度の変調を検出する。
図８に示す光蓄積デバイスはさらに間隔層(724)を有し、この層は、第一の二つの情報層(714)(720)を含むデバイスの部分と第三および第四の情報層(728)(734)を含むデバイスの部分を接続する。基板の層(724)は高反射性の層または被覆（728）および高反射性の層または被覆（722）に隣接していて、そしてこれらを分離している。
高反射性の層または被覆（724）はデータピットパターン層(728)に隣接していて、このパターンすなわちピットとランドの輪郭に適合する。層(728)は間隔層(726)に隣接していて、間隔層(726)は半反射性の層（732）に隣接していて、層（732）はデータピットパターン層(734)に隣接していて、そしてこのパターンに適合する。データピットパターン層(734)は０.６mmの厚さの基板層(736)に接触しているか、あるいはこれに隣接している。
図８に示す態様において、層(736)に向けて光ビームを放出する任意の第二の光レーザー（780）が設けられる。レーザー（780）によって放出される光の一部は、半反射性の層または被覆（732）を通過して、高反射性の層または被覆（724）によって反射される。半反射性の層または被覆（732）と高反射性の層または被覆（724）によって反射された光は検出器（782）によって検出され、検出器は高反射性の層の上の特定の場所におけるピットまたはランドの有無に基づく光の強度の変調を検出する。
図８に示す光蓄積デバイスは複数のレーザー源(770)(780)と複数の検出器（782）(772)を有するが、デバイスを構成する情報ピットとランドの全ての組からの信号を集めるために同じ光ビーム源と検出器を用いることができるように配置された単一のレーザー源と検出器を用いて、同じことを達成することができる。
さらに別の態様は、しばしば「ブルレイ」と称される提案された次世代の光蓄積デバイスを含む。ブルレイデバイスは４０５nmの波長において作動するレーザーと０.８５の開口数を有する対物レンズを含む。
図９に示すように、予め記録されるタイプの「ブルレイ」ディスクの光蓄積システム(810)は、デバイスの同じ側から読み取り可能な情報ピットとランド(818)(830)の二つの組を有する。デバイス(810)は、厚さが約０.１mmの透明な被覆層(814)と厚さが約１.１mmの基板層(838)を有し、この基板層に隣接して高反射性の層または被覆（834）がある。高反射性の層または被覆（834）は、基板(838)の上に射出成形された第二のデータピットパターン(830)に隣接していて、これに適合する。一組のピットとランドを有するデータピットパターン(830)は基板(838)に隣接しているか、あるいはこの基板の一部である。層(826)は半反射性の層（822）に隣接している。半反射性の層または被覆（822）は、一組のピットとランドを有する第一のデータピットパターン(818)に隣接していて、これに適合する。データピット(818)は透明な被覆層(814)に隣接しているか、あるいはこの層の一部である。
図９に示すように、光ビーム源のレーザー(850)と検出器（852）が設けられる。光レーザー(850)は対物レンズ（図示せず）を通して層(814)に向けて光ビームを放出する。レーザー（850）によって放出される光の一部はレンズ（図示せず）と半反射性の層または被覆（822）を通過し、高反射性の層または被覆（834）によって反射され、そして検出器（852）によって検出され、検出器は高反射性の層または被覆（834）の上の特定の場所におけるピットまたはランドの有無に基づく光の強度の変調を検出する。
光レーザー（850）によって放出される光ビームの部分は半反射性の層または被覆（822）によって一部が反射されて検出器（852）によって検出され、検出器は半反射性の層または被覆（822）の上の特定の場所におけるピットまたはランドの有無に基づく光の強度の変調を検出する。
一つの態様において、図１０に示すように、書き換え可能なブルレイタイプの光蓄積デバイス(910)はさらに、二つの読み取り層と書き換え可能な層(926)(954)を有する。光蓄積デバイス(910)は、厚さが約１.１mmの基板層(972)と、これに隣接する高反射性の層または被覆（968）を有する。層または被覆（968）に隣接してＺｎＳ-ＳｉＯ2からなる第一の誘電体層(964)があり、層(964)に隣接してＧｅ-Ｎまたはその他の材料からなる第一の境界層(960)がある。層(960)に隣接してＧｅ-Ｓｂ-Ｔｅまたは類似の材料からなり厚さが約１０〜１５nmの相変化タイプの記録層(954)があり、層(954)に隣接する層(950)はＧｅ-Ｎまたはその他の材料からなる第二の層である。層(950)に隣接する層(946)はＺｎＳ-ＳｉＯ2からなる第二の誘電体層である。
光蓄積デバイス(910)はさらに、厚さが約２０〜４０ミクロンの誘電体層(946)と厚さが約１０nmの半反射性の層または被覆（938）の間に挟まれた中間層(942)を有する。ＺｎＳ-ＳｉＯ2からなる第三の誘電体層(934)が層または被覆（938）に隣接している。層(934)に隣接してＧｅ-Ｎまたはその他の材料からなる第三の境界層(930)があり、
Ｇｅ-Ｓｎ-Ｓｂ-Ｔｅまたはその他の相変化材料からなり厚さが約６〜１０nmの記録層(926)が、層(930)とＧｅ-Ｎまたは類似の材料からなる第四の境界層(922)の間に挟まれている。層(922)に隣接してＺｎＳ-ＳｉＯ2からなる誘電体材料層（918）の第四の層がある。層（918）に隣接しているのは、厚さが約８０〜１００ミクロンの透明な被覆層(914)である。
図１０に示すように、レーザー（970）によって放出される光ビームは層(914)(918)(922)(926)(930)(934)を通過し、層（938）によって反射され、そして検出器（972）によって検出される。レーザー（970）によって放出される光ビームの一部は層(914)(918)(922)(926)(930)(934)(938)(942)(946)(950)(954)(960)(964)を通過し、層（968）によって反射され、そして検出器（972）によって検出される。開示される全ての銀合金組成物を半反射性の層（938）または高反射性の層（968）のために用いることができる。記録モードにおいて、レーザー（970）からのレーザービームは相変化層(926)または(954)の上に焦点が合わされ、その反射特性が慣用のＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷまたは次世代の光ディスクに類似するものに変化し、約４００nmの再生用レーザー波長が用いられる。このことは米国特許６,５４４,６１６号、６,６５２,９４８号、６,６４９,２４１号およびその他の先行技術に開示されている。
図１１に示されるようなディスク構造を構成することができ、これにおいては層(1014)と(1060)の両者を約０.６nmのほぼ同じ厚さと類似した相変化材料の記録用スタックにすることができ、このディスク構造は書き換え可能な光ディスクである「アドバンスト光ディスク」すなわちＡＯＤにすることができ、この場合、記録および再生用のレーザーの波長は約４００nmである。
さらに、図７、８、９、１０に示す光ディスク構造は全て、予め記録されるタイプの二層（dual layer）ディスク構造を有することが理解され、この場合、再生用レーザービームは図７および図８におけるように約６３５〜６５０nmの波長を有し、あるいは二層ＨＤ−ＤＶＤディスク構造を有し、この場合、再生用レーザーは約４００nmの波長を有し、あるいは全てがディスクの一方の側で記録または再生される二つまたはそれよりも多くの情報層を有するその他のあらゆる光ディスク構造を有し、この場合、半反射性の層または本発明で開示される銀合金からなる層を用いるのが有効である。
一つの態様において、図１１に示すものは、二つの一回書き込み層（write once layer）(1048)、(1024)をさらに有する「ブルレイ」構造の光蓄積デバイス(1010)である。光蓄積デバイス(1010)は二層構造の一回書き込み記録用媒体であり、厚さが１.１mmの基板層(1060)と、この層に隣接する高反射性の層(1056)を有し、この高反射性の層は約３０〜６０nmの厚さを有し、通常は本発明の銀合金またはアルミニウム合金からなる。層(1056)に隣接して保護層(1052)があり、層(1052)に隣接して記録可能な層(1048)があり、この層は厚さが１５〜２５nmでＴｅ-Ｏ-Ｐｄ系の材料またはその他のものからなる。層(1048)に隣接して保護膜層(1044)がある。
層(1044)に隣接して分離層すなわち間隔層(1040)があり、これに隣接して本発明の銀合金からなる１０nmの厚さの半反射性の層または被覆(1034)がある。層または被覆(1034)に隣接して保護膜層(1030)があり、これに隣接してＴｅ-Ｏ-Ｐｄ系の材料またはその他のものからなる第二の１０nmの厚さの記録層(1024)がある。層(1024)に隣接して保護膜(1020)があり、これに隣接して０.０７５mmの厚さの被覆層(1014)がある。
図１１に示すように、レーザー（1070）によって放出される光ビームは図１１において０.８５のＮＡを有するレンズ系（図示せず）を通過して層(1014)(1020)(1024)(1030)を通過し、半反射性の層（1034）によって反射され、そして検出器（1072）によって検出される。レーザー（1070）によって放出される光ビームの一部は層(1014)(1020)(1024)(1030)(1034)(1040)(1044)(1048)(1052)を通過し、高反射性の層（1056）によって反射され、そして検出器（1072）によって検出される。検出器（1072）は半反射性の層または被覆（1034）および高反射性の層（1056）の上の特定の場所における層(1024)または(1048)の非晶質状態または結晶状態に基づく光の強度の変調を検出し、レーザー（1070）からのレーザー光を一回書き込み層(1024)または(1048)に焦点合わせすることによって、蓄積された情報を読み取る。間隔層(1040)は、読み取りビームの焦点が記録可能な層(1024)に合うときに、次の記録可能な層(1048)の上での読み取りビームの焦点が十分にぼけて、(1024)からの光情報の変調だけが検出器（1072）へ反映するのに十分なほどの厚さを有していなければならない。逆に、読み取りビームの焦点が記録可能な層(1048)に合うときには、もう一つの記録層(1024)の上での読み取りビームの焦点が十分にぼけて、(1048)からの変調だけが検出器（1072）へ反映して読み取られる。
また、図１０と図１１に示すように、相変化記録層または他のタイプの記録層を有する一回書き込みタイプまたは書き換え可能なタイプの二層ディスクは、少なくとも二つの記録層を記録することができて、ディスクの一方の側または同じ側から読み取ることができるように構成することができて、この場合、本発明の銀合金で作成した半反射性の層を用い、有用にすることができる、ということが理解される。
図１２に示すように、別の態様は、予め記録されるタイプの光蓄積デバイス(1110)であり、これは提案される次世代の光蓄積デバイスであって、しばしば「アドバンスト光ディスク（ＡＯＤ）」と称される。ＡＯＤは光蓄積デバイスの両面について情報を記録しそして引き出すために４０５nmの波長のレーザービームと０.６５のＮＡを有するレンズ系を用いるシステムであり、この場合、典型的には射出成形されるポリカーボネートで作成される透明な基板(1120)および(1140)は約０.６nmの厚さを有する。
デバイス(1110)は透明な基板層(1140)に隣接する高反射性の層または被覆(1136)を有し、層(1136)は一組のピットとランドを有する第一のデータピットパターン(1138)に隣接していて、この輪郭に適合している。高反射性の層(1136)に隣接して間隔層(1132)があり、これは本発明の半反射性の層または被覆（1124）に隣接していて、層（1124）は一連のピットとランドを有する第二のデータピットパターン(1128)に隣接していて、この輪郭に適合している。層（1124）は第二の基板または層(1120)に隣接している。
図１２に示すように、レーザー（1150）によって放出される光ビームの一部は層(1120)(1124)(1128)（1132）を通過し、高反射性の層（1136）によって反射され、そして検出器（1152）によって検出される。レーザー（1150）によって放出される光ビームの一部は層(1120)を通過し、半反射性の層または被覆（1124）によって反射され、そして検出器（1152）によって検出される。検出器（1152）は、半反射性の層または被覆（1124）または高反射性の層または被覆（1136）に焦点が合うことによって、これらの層の上の特定の場所におけるピットまたはランドの有無に基づく光の強度の変調を検出する。
別の態様において、図１３に示すように、有機染料記録可能な二層タイプの光蓄積デバイス(1210)は、両方ともデバイスの同じ側から読み取りと記録が可能な二つの層を有する。デバイス(1210)は透明な基板層(1214)とこれに隣接する第一の記録可能な染料層(1218)を有する。染料層(1218)に隣接して本発明の半反射性の層または被覆（1222）がある。層または被覆（1222）は、しばしば「ゼロ（zero）層」またはＬ０と呼ばれ、これに隣接して間隔層（1226）がある。間隔層（1226）に隣接して第二の染料記録層(1230)がある。層(1230)に隣接して高反射性の層または被覆（1234）がある。反射性の層または被覆（1234）は、しばしば「ワン（one）層」またはＬ１と呼ばれ、これに隣接してポリカーボネートの基板または層（1238）がある。
書き込みモードにおいて、図１３に示すように、光ビーム源(1250)はレーザービームを放出し、ビームは層(1214)を通過し、染料層(1218)に焦点が合う。レーザー(1250)を高い強度で操作しているとき、層(1218)に焦点が合った光ビームは層(1218)における染料を分解し、それによって一連のピットとランドと同等のものを有するデータピットパターンが生成する。レーザー（1250）によって放出される光ビームの一部は層(1214)(1218)(1222)（1226）を通過し、染料層(1230)に焦点が合う。レーザー(1250)を高い強度で操作しているとき、層(1230)に焦点が合った光ビームは層(1230)における染料を分解し、それによって一連のピットとランドを有するデータピットパターンが生成する。
読み取りモードにおいて、レーザー（1250）によって放出される光ビームの一部は透明なポリカーボネート層(1214)と染料層(1218)を通過し、半反射性の層または被覆（1222）によって反射され、そして検出器（1252）によって検出される。光ビームの一部はまた、層(1214)(1218)(1222)（1226）(1230)を通過し、高反射性の層（1234）によって反射され、そして検出器（1252）によって検出される。検出器（1252）は、レーザー光（1250）が半反射性の層または被覆（1222）と高反射性の層または被覆（1234）のいずれに焦点が合うかに応じて、高反射性の層（1234）または半反射性の層（1222）の上の特定の場所におけるピットまたはランドの有無に基づく光の強度の変調を検出する。有機染料をベースとする光記録媒体の一般的な操作については、読者は米国特許６６４１８８９号、６５５１６８２号、その他を参照することができる。
さらに、図１３に示す光ディスク構造は二層ＤＶＤ−ＲまたはＤＶＤ＋Ｒディスクであってもよく、それにおいては再生用レーザービームは約６３５〜６５０nmの波長を有し、あるいは光ディスク構造は二層ＨＤ−ＤＶＤ−Ｒディスクであってもよく、それにおいては再生用レーザーは約４００nmの波長を有し、あるいは二つ以上の情報層がディスクの一方の側で記録または再生することのできる他のいかなる光ディスク構造であってもよく、これらの場合、半反射性の層または本発明で開示される銀合金からなる層を用いるのが有効である。
ここで用いられている「反射率」という用語は、透明な基板（14）（114）（214）（314）（414）または（514）に入射して、層（20）（120）（216）（220）（316）（320）（324）（422）または（522）の領域上の箇所に焦点が合うときに、原則として光読み出し装置における光検出器によって検出される光の出力の割合を意味する。この読み出し装置は、レーザー、適切に設計された光路、および光検出器、あるいはこれらと同等の機能を有するものを含むとみなされる。
本発明は、特定の銀系合金は、金系合金につきものの費用あるいはシリコン系材料のプロセスの複雑さを伴わずに、光蓄積媒体における高反射性の層または半反射性の層として用いるのに十分な反射率と耐腐食性を提供する、という知見に基づく。一態様において、銀は比較的少量の亜鉛と合金にされる。この態様において、亜鉛と銀の量の間の関係は、約０.０１ａ/ｏ％（原子％）〜約１５ａ/ｏ％の亜鉛、および約８５ａ/ｏ％〜約９９.９９ａ/ｏ％の銀の範囲である。しかし好ましくは各々の金属について、この合金は約０.１ａ/ｏ％〜約１０.０ａ/ｏ％の亜鉛、および約９０.０ａ/ｏ％〜約９９.９ａ/ｏ％の銀を含有する。
別の態様において、銀は比較的少量のアルミニウムと合金にされる。この態様において、アルミニウムと銀の量の間の関係は、約０.０１ａ/ｏ％（原子％）〜約５ａ/ｏ％のアルミニウム、および約９５ａ/ｏ％〜約９９.９９ａ/ｏ％の銀の範囲である。しかし好ましくは各々の金属について、この合金は約０.１ａ/ｏ％〜約３.０ａ/ｏ％のアルミニウム、および約９７ａ/ｏ％〜約９９.９ａ/ｏ％の銀を含有する。
別の態様において、上記の銀をベースとする二元合金系はさらにカドミウム（Ｃｄ）、リチウム（Ｌｉ）、またはマンガン（Ｍｎ）と合金化される。これらの金属の１種または２種以上が合金中の銀の一部と置換した場合、得られる薄膜の耐腐食性は向上するようであるが、しかし反射率は低下するようである。二元合金中の銀のある量と有利に置換するカドミウム、リチウム、またはマンガンの量は、カドミウムについては存在する銀の量の約０.０１ａ/ｏ％〜約２０ａ/ｏ％の範囲であり、リチウムについては存在する銀の量の約０.０１ａ/ｏ％〜約１０ａ/ｏ％または約１５ａ/ｏ％までの範囲であり、マンガンについては存在する銀の量の約０.０１ａ/ｏ％〜約７.５ａ/ｏ％の範囲である。
さらに別の態様において、上記の銀をベースとする亜鉛およびアルミニウムの二元合金系はさらに貴金属、例えば、金（Ａｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、銅（Ｃｕ）、ルテニウム（Ｒｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、およびこれらの混合と合金化され、上記の二元合金へのこれら貴金属の添加量の好ましい範囲は、存在する銀の量の約０.０１ａ/ｏ％〜約５.０ａ/ｏ％である。これら貴金属に加えて、上記の合金はさらに、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、インジウム（Ｉｎ）、クロム（Ｃｒ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、スズ（Ｓｎ）、アンチモン（Ｓｂ）、ガリウム（Ｇａ）、シリコン（Ｓｉ）、ホウ素（Ｂ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、モリブデン（Ｍｏ）のような金属、およびこれらの混合と合金化され得る。上記の銀合金系において存在する銀の量に関して、これらの金属の好ましい添加量の範囲は、存在する銀の量の約０.０１ａ/ｏ％〜約５.０ａ/ｏ％である。
さらに別の態様において、銀は比較的少量の亜鉛およびアルミニウムの両者と合金化される。この実施態様において、亜鉛、アルミニウム、および銀の量の間の関係は、約０.１ａ/ｏ％〜約１５ａ/ｏ％の亜鉛、約０.１ａ/ｏ％〜約５ａ/ｏ％のアルミニウム、および約８０ａ/ｏ％〜約９９.８ａ/ｏ％の銀の範囲である。しかし好ましくは各々の金属に関して、この合金は、約０.１ａ/ｏ％〜約５.０ａ/ｏ％の亜鉛、約０.１ａ/ｏ％〜約３.０ａ/ｏ％のアルミニウム、および約９２.０ａ/ｏ％〜約９９.８ａ/ｏ％の銀を含む。
さらに別の態様において、上記の銀をベースとする亜鉛-アルミニウム三元合金系はさらに第四の金属と合金化される。第四の金属としてはマンガンまたはニッケルがある。これらの金属の１種または混合が合金中の銀の一部と置換した場合、得られる薄膜の耐腐食性は向上するようであるが、しかし反射率は低下するようである。上記の三元合金中の銀のある量と有利に置換するマンガンまたはニッケルの量は、マンガンについては存在する銀の量の約０.０１ａ/ｏ％〜約７.５ａ/ｏ％の範囲であり、好ましくは存在する銀の量の約０.０１ａ/ｏ％〜約５.０ａ/ｏ％の範囲である。ニッケルの量は、存在する銀の量の約０.０１ａ/ｏ％〜約５.０ａ/ｏ％の範囲であり、好ましくは存在する銀の量の約０.０１ａ/ｏ％〜約３.０ａ/ｏ％の範囲である。
さらに別の態様において、上記の銀をベースとする亜鉛-アルミニウム三元合金系はさらに貴金属、例えば、金、ロジウム、銅、ルテニウム、オスミウム、イリジウム、白金、パラジウム、およびこれらの混合と合金化され、上記の三元合金へのこれら貴金属の添加量の好ましい範囲は、存在する銀の量の約０.０１ａ/ｏ％〜約５.０ａ/ｏ％である。これら貴金属に加えて、上記の合金はまた、チタン、ニッケル、インジウム、クロム、ゲルマニウム、スズ、アンチモン、ガリウム、シリコン、ホウ素、ジルコニウム、モリブデンのような金属、およびこれらの混合と合金化され得る。上記の銀合金系において存在する銀の量に関して、これらの金属の好ましい添加量の範囲は、存在する銀の量の約０.０１ａ/ｏ％〜約５.０ａ/ｏ％である。
別の態様において、光蓄積媒体は、少なくとも一つの主表面において特徴のあるパターンを有する第一の基板と前記の特徴のあるパターンに隣接する第一の反射性の層とを含む。反射性の層は銀と亜鉛の合金からなり、銀と亜鉛の量の間の関係はＡｇxＺｎyによって定義され、ここで０.８５＜ｘ＜０.９９９９および０.０００１＜ｙ＜０.１５である。
別の態様において、光蓄積媒体は、少なくとも一つの主表面において特徴のあるパターンを有する第一の基板と前記の特徴のあるパターンに隣接する第一の反射性の層とを含む。反射性の層は銀とアルミニウムの合金からなり、銀とアルミニウムの量の間の関係はＡｇxＡｌzによって定義され、ここで０.９５＜ｘ＜０.９９９９および０.０００１＜ｚ＜０.０５である。
別の態様において、光蓄積媒体は、少なくとも一つの主表面において特徴のあるパターンを有する第一の基板と前記の特徴のあるパターンに隣接する第一の反射性の層とを含む。反射性の層は銀と亜鉛とアルミニウムの合金からなり、銀と亜鉛とアルミニウムの量の間の関係はＡｇxＺｎyＡｌzによって定義され、ここで０.８０＜ｘ＜０.９９８、０.００１＜ｙ＜０.１５および０.００１＜ｚ＜０.０５である。
別の態様において、光蓄積媒体は、少なくとも一つの主表面において特徴のあるパターンを有する第一の基板と前記の特徴のあるパターンに隣接する第一の反射性の層とを含む。反射性の層は銀とマンガンの合金からなり、銀とマンガンの量の間の関係はＡｇxＭｎtによって定義され、ここで０.９２５＜ｘ＜０.９９９９および０.０００１＜ｔ＜０.０７５である。
別の態様において、光蓄積媒体は、少なくとも一つの主表面において特徴のあるパターンを有する第一の基板と前記の特徴のあるパターンに隣接する第一の反射性の層とを含む。反射性の層は銀とゲルマニウムの合金からなり、銀とゲルマニウムの量の間の関係はＡｇxＧｅqによって定義され、ここで０.９７＜ｘ＜０.９９９９および０.０００１＜ｑ＜０.０３である。
別の態様において、光蓄積媒体は、少なくとも一つの主表面において特徴のあるパターンを有する第一の基板と前記の特徴のあるパターンに隣接する第一の反射性の層とを含む。反射性の層は銀と銅とマンガンの合金からなり、銀と銅とマンガンの量の間の関係はＡｇxＣｕpＭｎtによって定義され、ここで０.８２５＜ｘ＜０.９９９８、０.０００１＜ｐ＜０.１０および０.０００１＜ｔ＜０.０７５である。
別の態様において、銀は比較的少量のマンガンと合金化される。この実施態様において、マンガンと銀の量の間の関係は、約０.０１ａ/ｏ％〜約７.５ａ/ｏ％のマンガンおよび約９２.５ａ/ｏ％〜約９９.９９ａ/ｏ％の銀の範囲である。しかし好ましくは各々の金属に関して、この合金は、約０.１ａ/ｏ％〜約５ａ/ｏ％のマンガンおよび約９５ａ/ｏ％〜約９９.９ａ/ｏ％の銀を含む。
さらに別の態様において、上記の銀をベースとする二元マンガン合金系はさらに第三の金属と合金化される。第三の金属としてはカドミウム、ニッケル、リチウム、およびこれらの混合がある。これらの金属の１種または混合が合金中の銀の一部と置換した場合、得られる薄膜の耐腐食性は向上するようであるが、しかし反射率は低下するようである。上記の二元合金系中に存在する銀の量に関して、カドミウムの量は存在する銀の量の約０.０１ａ/ｏ％〜約２０ａ/ｏ％の範囲であり、ニッケルの量は存在する銀の量の約０.０１ａ/ｏ％〜約５.０ａ/ｏ％の範囲であり、リチウムの量は存在する銀の量の約０.０１ａ/ｏ％〜約１０.０ａ/ｏ％の範囲である。
さらに別の態様において、上記の銀をベースとするマンガン合金系はさらに貴金属、例えば、金、ロジウム、銅、ルテニウム、オスミウム、イリジウム、白金、パラジウム、およびこれらの混合と合金化され、上記の二元合金へのこれら貴金属の添加量の好ましい範囲は、存在する銀の量の約０.０１ａ/ｏ％〜約５.０ａ/ｏ％である。これら貴金属に加えて、上記の合金はまた、チタン、インジウム、クロム、ゲルマニウム、スズ、アンチモン、ガリウム、シリコン、ホウ素、ジルコニウム、モリブデンのような金属、およびこれらの混合と合金化され得る。上記の銀合金系において存在する銀の量に関して、後者の金属の好ましい添加量の範囲は、存在する銀の量の約０.０１ａ/ｏ％〜約５.０ａ/ｏ％である。
さらに別の態様において、銀は比較的少量のゲルマニウムと合金化される。この態様において、ゲルマニウムと銀の量の間の関係は、約０.０１ａ/ｏ％〜約３.０ａ/ｏ％のゲルマニウムおよび約９７.０ａ/ｏ％〜約９９.９９ａ/ｏ％の銀の範囲である。しかし好ましくは各々の金属に関して、この合金は、約０.１ａ/ｏ％〜約１.５ａ/ｏ％のゲルマニウムおよび約９８.５ａ/ｏ％〜約９９.９ａ/ｏ％の銀を含む。
さらに別の態様において、上記の銀をベースとするゲルマニウム合金系はさらに第三の金属と合金化される。第三の金属としてはマンガンまたはアルミニウムがある。これらの金属の１種または混合が合金中の銀の一部と置換した場合、得られる薄膜の耐腐食性は向上するようであるが、しかし反射率は低下するようである。上記の二元合金系中に存在する銀の量に関して、マンガンの量は存在する銀の量の約０.０１ａ/ｏ％〜約７.５ａ/ｏ％の範囲であり、アルミニウムの量は存在する銀の量の約０.０１ａ/ｏ％〜約５.０ａ/ｏ％の範囲である。
さらに別の態様において、上記の銀をベースとするゲルマニウム合金系はさらに貴金属、例えば、金、ロジウム、銅、ルテニウム、オスミウム、イリジウム、白金、パラジウム、およびこれらの混合と合金化され、上記の二元合金へのこれら貴金属の添加量の好ましい範囲は、存在する銀の量の約０.０１ａ/ｏ％〜約５.０ａ/ｏ％である。これら貴金属に加えて、上記の合金はまた、亜鉛、カドミウム、リチウム、ニッケル、チタン、ジルコニウム、インジウム、クロム、スズ、アンチモン、ガリウム、シリコン、ホウ素、モリブデンのような金属、およびこれらの混合と合金化され得る。上記の銀合金系において存在する銀の量に関して、これらの金属の好ましい添加量の範囲は、存在する銀の量の約０.０１ａ/ｏ％〜約５.０ａ/ｏ％である。
さらに別の態様において、銀は比較的少量の銅およびマンガンの両者と合金化される。この態様において、銅、マンガン、および銀の量の間の関係は、約０.０１ａ/ｏ％〜約１０ａ/ｏ％の銅、約０.０１ａ/ｏ％〜約７.５ａ/ｏ％のマンガン、および約８２.５ａ/ｏ％〜約９９.９８ａ/ｏ％の銀の範囲である。しかし好ましくは各々の金属に関して、この合金は、約０.１ａ/ｏ％〜約５.０ａ/ｏ％の銅、約０.１ａ/ｏ％〜約３.０ａ/ｏ％のマンガン、および約９２.０ａ/ｏ％〜約９９.８ａ/ｏ％の銀を含む。
本発明のさらに別の実施態様において、上記の銀をベースとする銅-マンガン合金系はさらに第四の金属と合金化される。第四の金属としてはアルミニウム、チタン、ジルコニウム、ニッケル、インジウム、クロム、ゲルマニウム、スズ、アンチモン、ガリウム、シリコン、ホウ素、モリブデン、およびこれらの混合がある。上記の銀合金系中に存在する銀の量に関して、第四の金属の好ましい添加量の範囲は、存在する銀の量の約０.０１ａ/ｏ％〜約５.０ａ/ｏ％である。
ＤＶＤ−９二層ディスクの半反射層のための８〜１２ナノメートルの厚さの薄膜としてのこれらの銀合金の光学特性を下の表１に示す。松下電器に譲渡された米国特許５,４６４,６１９号とソニーに譲渡された米国特許５,７２６,９７０号に記載されているように、図３と表１に示されている二層光学ディスク構造において、図３における層「０」すなわち（216）の反射率Ｒ0、図３におけるディスクの外側から測定した層「１」すなわち（220）の反射率Ｒ1’、および層「０」の透過率Ｔ0の間の関係は、Ｒ0＝Ｒ1Ｔ0 2 であり、ここでＲ1は層「１」自体の反射率である。バランスのとれた信号と反射率に対して層「０」の厚さが最適化されて、そして層「１」が５０〜６０ナノメートルにおいて慣用のアルミニウム合金であるとき、種々の銀合金のバランスのとれた反射率を表１に示す。ここでＲは、６５０ナノメートルの波長について６０ナノメートル以上の厚さにおいて達成され得る薄膜の反射率であり、この薄膜が層「１」として用いられた場合、またはＤＶＤ−９の高反射層あるいはその他の光情報蓄積媒体の高反射用途として用いられる場合の値である。表における全ての組成は原子％による。
Figure 2006523913
 表１：種々の銀合金の層０および典型的なアルミニウム合金の層１についての ＤＶＤ−９二層ディスクの層０と層１の反射率のバランス
さらに別の態様において、スパッターターゲットと光情報蓄積媒体の上の薄膜は、合金元素として比較的少量のアルミニウムを添加した銀合金である。この態様において、銀とアルミニウムの量の間の関係は、約０.０１ａ/ｏ％〜約５.０ａ/ｏ％のアルミニウム、および約９５.０ａ/ｏ％〜約９９.９９ａ/ｏ％の銀の範囲である。しかし、約０.１ａ/ｏ％〜約３.０ａ/ｏ％のアルミニウム、および約９７.０ａ/ｏ％〜約９９.９ａ/ｏ％の銀の範囲が好ましい。この銀とアルミニウムの二元合金はさらに、亜鉛、カドミウム、リチウム、マンガン、ニッケル、チタン、およびジルコニウム、またはこれらの金属の混合と合金化され得る。上記の銀とアルミニウムの二元合金中に存在する銀の量に関して、上記の金属の好ましい添加量の範囲は、銀の含有量の約０.０１ａ/ｏ％〜約５.０ａ/ｏ％である。
読者の便宜のために、下記のものが銀合金の幾つかの組み合わせであり、ここで合金元素は周期律表の記号によって特定されていて、これらは銀と合金にされるのが好ましい：Ａｇ＋Ｚｎ、またはＡｇ＋Ｃｄ、またはＡｇ＋Ｌｉ、またはＡｇ＋Ａｌ、またはＡｇ＋Ｎｉ、またはＡｇ＋Ｍｎ、またはＡｇ＋Ｔｉ、またはＡｇ＋Ｚｒ、またはＡｇ＋Ｐｄ＋Ｚｎ、またはＡｇ＋Ｐｔ＋Ｚｎ、またはＡｇ＋Ｐｄ＋Ｍｎ、またはＡｇ＋Ｐｔ＋Ｍｎ、またはＡｇ＋Ｚｎ＋Ｌｉ、またはＡｇ＋Ｐｔ＋Ｌｉ、またはＡｇ＋Ｌｉ＋Ｍｎ、またはＡｇ＋Ｌｉ＋Ａｌ、またはＡｇ＋Ｔｉ＋Ｚｎ、またはＡｇ＋Ｚｒ＋Ｎｉ、またはＡｇ＋Ａｌ＋Ｔｉ、またはＡｇ＋Ｐｄ＋Ｔｉ、またはＡｇ＋Ｐｔ＋Ｔｉ、またはＡｇ＋Ｎｉ＋Ａｌ、またはＡｇ＋Ｍｎ＋Ｔｉ、またはＡｇ＋Ｚｎ＋Ｚｒ、またはＡｇ＋Ｌｉ＋Ｚｒ、またはＡｇ＋Ｍｎ＋Ｚｎ、またはＡｇ＋Ｍｎ＋Ｃｕ、またはＡｇ＋Ｐｄ＋Ｐｔ＋Ｚｎ、またはＡｇ＋Ｐｄ＋Ｚｎ＋Ｍｎ、またはＡｇ＋Ｚｎ＋Ｍｎ＋Ｌｉ、またはＡｇ＋Ｃｄ＋Ｍｎ＋Ｌｉ、またはＡｇ＋Ｐｔ＋Ｚｎ＋Ｌｉ、またはＡｇ＋Ａｌ＋Ｎｉ＋Ｚｎ、またはＡｇ＋Ａｌ＋Ｎｉ＋Ｔｉ、またはＡｇ＋Ｚｒ＋Ｔｉ＋Ｃｄ、またはＡｇ＋Ｚｒ＋Ｎｉ＋Ｌｉ、またはＡｇ＋Ｚｒ＋Ｎｉ＋Ａｌ、またはＡｇ＋Ｐｔ＋Ａｌ＋Ｎｉ、またはＡｇ＋Ｐｄ＋Ｚｎ＋Ａｌ、またはＡｇ＋Ｚｒ＋Ｚｎ＋Ｔｉ、またはＡｇ＋Ｔｉ＋Ｎｉ＋Ａｌ。
別の態様において、銀はさらに、インジウム、クロム、ニッケル、ゲルマニウム、スズ、アンチモン、ゲルマニウム、シリコン、ホウ素、ジルコニウム、およびモリブデン、またはこれらの元素の混合と合金化され得る。これらの合金系の中に存在する銀の量に関して、上記の元素の添加量の範囲は、銀の含有量の約０.０１ａ/ｏ％〜約５.０ａ/ｏ％である。しかしより好ましくは、銀に添加される合金元素の量の範囲は、約０.１ａ/ｏ％〜約３.０ａ/ｏ％である。このことはさらに、図３に示す光情報蓄積媒体について表２に示される。表２における光学特性の記号は全て、表１におけるものと同じ意味を有する。
Figure 2006523913
 表２：種々の銀合金の層０および典型的なアルミニウム合金の層１についての ＤＶＤ−９二層ディスクの層０と層１の反射率のバランス
表１または表２に挙げた組成物は、ＤＶＤ−９、ＤＶＤ−１４、またはＤＶＤ−１８のような予め記録される二層光ディスク構造における、または図４に示すような三層光ディスク構造における高反射性の層として、またはＳＡＣＤにおける高反射性の層として、またはＤＶＤ−ＲやＤＶＤ＋Ｒのような記録可能な光ディスクにおける、またはＤＶＤ−ＲＡＭやＤＶＤ＋ＲＷやＤＶＤ−ＲＷあるいは約４００nmの波長の再生用レーザーを用いる書き換え可能な光ディスクにおける高反射性の層として、あるいは図５に示すもののような書き換え可能な光ディスクにおける高反射性の層すなわち層１として用いることもできる。
読者の便宜のために、下記のものが銀合金の幾つかの組み合わせであり、ここで合金元素は周期律表の記号によって特定されていて、これらは銀と合金にされるのが好ましい：Ａｇ＋Ｉｎ、またはＡｇ＋Ｃｒ、またはＡｇ＋Ｇｅ、またはＡｇ＋Ｓｎ、またはＡｇ＋Ｓｂ、またはＡｇ＋Ｇａ、またはＡｇ＋Ｓｉ、またはＡｇ＋Ｂ、またはＡｇ＋Ｍｏ、またはＡｇ＋Ｉｎ＋Ｃｒ、またはＡｇ＋Ｃｒ＋Ｇｅ、またはＡｇ＋Ｃｒ＋Ｓｎ、またはＡｇ＋Ｃｒ＋Ｓｂ、またはＡｇ＋Ｃｒ＋Ｓｉ、またはＡｇ＋Ｓｉ＋Ｉｎ、またはＡｇ＋Ｓｉ＋Ｓｂ、またはＡｇ＋Ｓｉ＋Ｂ、またはＡｇ＋Ｓｉ＋Ｍｏ、またはＡｇ＋Ｍｏ＋Ｉｎ、またはＡｇ＋Ｍｏ＋Ｓｎ、またはＡｇ＋Ｍｏ＋Ｂ、またはＡｇ＋Ｍｏ＋Ｓｂ、またはＡｇ＋Ｇｅ＋Ｂ、またはＡｇ＋Ｉｎ＋Ｃｒ＋Ｇｅ、またはＡｇ＋Ｃｒ＋Ｓｎ＋Ｓｂ、またはＡｇ＋Ｇａ＋Ｓｉ＋Ｍｏ、またはＡｇ＋Ｃｒ＋Ｓｉ＋Ｍｏ、またはＡｇ＋Ｂ＋Ｍｏ＋Ｃｒ、またはＡｇ＋Ｉｎ＋Ｓｂ＋Ｂ、またはＡｇ＋Ｃｒ＋Ｓｉ＋Ｂ、またはＡｇ＋Ｇａ＋Ｇｅ＋Ｃｒ、またはＡｇ＋Ｓｉ＋Ｇｅ＋Ｍｏ、またはＡｇ＋Ｓｂ＋Ｓｉ＋Ｂ、またはＡｇ＋Ｃｒ＋Ｓｉ＋Ｉｎ、またはＡｇ＋Ｓｉ＋Ｃｒ＋Ｓｎ。
本出願で示される三元の銀合金の幾つかのものの光学特性をさらに表３に示す。ここではＤＶＤ−９二層ディスク構造における約８〜１２nmの厚さの層０の薄膜の反射率と透過率が示されている。各々の記号の意味は表１におけるものと同じである。
Figure 2006523913
 表３：種々の三元銀合金の層０および典型的なアルミニウム合金の層１につい てのＤＶＤ−９二層ディスクの層０と層１の反射率のバランス
さらに別の態様において、スパッターターゲットと光情報蓄積媒体の上の薄膜は、合金元素として比較的少量の銅を添加し、それとともにアルミニウム、ニッケル、マンガン、チタン、ジルコニウム、インジウム、クロム、ゲルマニウム、スズ、アンチモン、ガリウム、シリコン、ホウ素、モリブデン、およびこれらの混合からなる群から選択されるその他の合金元素を含む銀合金である。この態様において、銀と銅の量の間の関係は、約０.０１ａ/ｏ％〜約５.０ａ/ｏ％の銅、および約９５.０ａ/ｏ％〜約９９.９９ａ/ｏ％の銀の範囲である。しかし、約０.１ａ/ｏ％〜約３.０ａ/ｏ％の銅、および約９７.０ａ/ｏ％〜約９９.９ａ/ｏ％の銀の範囲が好ましい。この合金系中に存在する銀の量に関して、上記の元素の添加量の範囲は、銀の含有量の約０.０１ａ/ｏ％〜約５.０ａ/ｏ％である。しかしより好ましくは、銀に添加される合金元素の量の範囲は、約０.１ａ/ｏ％〜約３.０ａ/ｏ％である。表１、２、３に示されたデータからわかるように、銀への個々の合金の添加量が５.０ａ/ｏ％よりも多いとき、ＤＶＤ−９二層ディスク構造における層０と層１の間のバランスのとれた反射率はＤＶＤの仕様である１８％よりも低くなるようであり、従って使用できる組成ではない。
さらに別の態様において、スパッターターゲットと光情報蓄積媒体の上の薄膜は、コバルト、ビスマス、マグネシウム、イットリウム、スカンジウム、およびこれらの混合からなる群から選択される合金元素を添加した銀合金である。この態様において、銀とその他の合金元素の量の間の関係は、約０.０１ａ/ｏ％〜約５.０ａ/ｏ％のその他の合金元素、および約９９.９９ａ/ｏ％〜約９５.０ａ/ｏ％の銀の範囲である。さらに別の態様において、他の合金元素の量の範囲は約０.１ａ/ｏ％〜約３.０ａ/ｏ％で、銀の濃度は約９９.９ａ/ｏ％〜約９７.０ａ/ｏ％である。
さらに別の態様は、第二の合金元素として銅を含む銀合金であり、合金中の銅の量は約０.０１ａ/ｏ％〜約１０.０ａ/ｏ％であり、さらに希土類であるサマリウム、ネオジム、テルビウム、タリウム、ツリウム、イッテルビウムおよびその他の元素を単独でまたは混合で、存在する銀の量の約０.０１ａ/ｏ％〜約５.０ａ/ｏ％の量で添加することができる。
さらに別の態様において、銀-銅合金はさらにマグネシウムと合金化することができ、合金中の銅の量は約０.０１ａ/ｏ％〜約１０.０ａ/ｏ％であり、マグネシウムの量は存在する銀の量の約０.０１ａ/ｏ％〜約５.０ａ/ｏ％である。しかし好ましくは、マグネシウムの量は存在する銀の量の約０.１ａ/ｏ％〜約３.０ａ/ｏ％である。
さらに別の態様において、銀-銅合金はさらにコバルトと合金化することができ、合金中の銅の量は存在する銀の量の約０.０１ａ/ｏ％〜約１０.０ａ/ｏ％であり、コバルトの量は存在する銀の量の約０.０１ａ/ｏ％〜約５.０ａ/ｏ％である。しかし好ましくは、銀-銅-コバルト合金中のコバルトの量は存在する銀の量の約０.１ａ/ｏ％〜約３.０ａ/ｏ％である。
さらに別の態様において、銀-銅合金はさらにイットリウム、ビスマス、スカンジウム、およびこれらの混合からなる群から選択される追加の元素と合金化することができる。この態様において、追加の元素の量は存在する銀の量の約０.０１ａ/ｏ％〜約５.０ａ/ｏ％である。しかし好ましくは、追加の元素の量は存在する銀の量の約０.１ａ/ｏ％〜約３.０ａ/ｏ％である。
別の態様において、銀は比較的少量の亜鉛およびマグネシウムと合金化することができる。この態様において、亜鉛、銀およびマグネシウムの量の間の関係は、約０.０１ａ/ｏ％〜約１５ａ/ｏ％の亜鉛、および約８５ａ/ｏ％〜約９９.９９ａ/ｏ％の銀であり、そしてマグネシウムの量は存在する銀の量の約０.０１ａ/ｏ％〜約５.０ａ/ｏ％である。しかし好ましくは、銀-亜鉛-マグネシウム合金は、存在する銀の量の約０.０１ａ/ｏ％〜約１０.０ａ/ｏ％の亜鉛、および存在する銀の量の約０.０１ａ/ｏ％〜約５.０ａ/ｏ％のマグネシウムを含む。
別の態様において、銀は比較的少量の亜鉛およびコバルトと合金化することができる。この態様において、亜鉛、銀およびコバルトの量の間の関係は、約０.０１ａ/ｏ％〜約１５ａ/ｏ％の亜鉛、および約８０ａ/ｏ％〜約９９.９９ａ/ｏ％の銀であり、そしてコバルトの量は存在する銀の量の約０.０１ａ/ｏ％〜約５.０ａ/ｏ％である。一つの態様において、銀-亜鉛-コバルト合金は、存在する銀の量の約０.０１ａ/ｏ％〜約１０.０ａ/ｏ％の亜鉛、および存在する銀の量の約０.０１ａ/ｏ％〜約５.０ａ/ｏ％のコバルトを含む。
さらに別の態様において、銀-亜鉛合金はさらにイットリウム、ビスマス、スカンジウム、およびこれらの混合からなる群から選択される追加の元素と合金化することができる。この態様において、追加の元素の量は存在する銀の量の約０.０１ａ/ｏ％〜約５.０ａ/ｏ％である。しかし好ましくは、追加の元素の量は存在する銀の量の約０.１ａ/ｏ％〜約３.０ａ/ｏ％である。
薄膜材料のための組成を以上に示したが、スパッターターゲットの製造方法とターゲット材料を薄膜として蒸着させる方法の両者が薄膜の最終の特性を決定づけるのに重要な役割を演じることを理解することが重要である。その目的のため、スパッターターゲットの好ましい製造方法を以下に説明する。一般に、他の望ましくない不純物の導入を最少にするために、合金の真空溶解と鋳造または保護雰囲気下での溶解と鋳造を行なうことが好ましい。
次いで、鋳造ままのインゴットは、偏析と鋳造後の不均一な微細組織を破壊するために冷間加工工程に供される。一つの好ましい方法は、５０％以上の加工率での冷間鍛造または冷間一軸圧縮と、それに続く、変形した材料を＜１,１,０＞方位の好ましい集合組織を有する微細な等軸結晶粒組織に再結晶させるための焼鈍である。この集合組織はスパッター装置の中での一方向スパッターを促進し、それによってスパッターターゲットからより多くの原子がディスク基板の上に蒸着して、ターゲット材料がより有効に使用される。
あるいは、５０％以上の加工率での冷間多方向圧延プロセスを用いることができ、これに続いて、焼鈍を行なうことによってターゲット内でのランダムな方位の微細組織の形成を促進し、最後に所定のスパッター装置のための最終の形状とサイズに切削加工する。このランダムな結晶方位を有するターゲットは、スパッターを行なう間のターゲットからの原子のよりランダムな放出をもたらし、そしてディスク基板におけるより均一な厚さ分布をもたらす。
ディスクの光学上の要件とその他のシステム上の要件の違いに応じて、ターゲットの製造プロセスにおいて冷間鍛造と冷間多方向圧延プロセスのいずれかを用いることができ、それによって所定の用途のための薄膜の光学上の要件およびその他の性能の要件を最適化することができる。
本発明の合金は公知の方法、例えばスパッター法、加熱蒸発、あるいは物理蒸着、あるいは電解めっき法または無電解めっき法によって堆積させることができる。適用される方法に応じて合金薄膜の反射率を変えることができる。不純物を導入させるかあるいは薄膜層の表面形態を変化させるいかなる方法も、おそらく、層の反射率を低下させるであろう。しかし一次の近似として、光ディスク上の薄膜層の反射率は主として、スパッターターゲットの出発材料、蒸発源材料、または電解めっきおよび無電解めっきの化学種の純度と組成によって決定される。
本発明の合金は、短い波長の読取りレーザー、例えば波長が６５０ナノメートルよりも短い読取りレーザーを用いる将来の世代の光ディスクのために用いることができる、ということを理解すべきである。
また、反射膜の厚さが約５〜２０ナノメートルに減少した場合、合金がＤＶＤの二層の適用に用いるために十分な光透過率を有する場合には、半反射膜層を本発明のその合金から形成することができる、ということを理解すべきである。
実施例１
約１.２原子％のクロムと約１.０原子％の亜鉛を含有する銀の合金組成物は、約６０〜１００ナノメートルの膜厚を有するとき、８００ナノメートルの波長において約９４〜９５％の反射率を有し、また６５０ナノメートルの波長において約９３〜９４％の反射率を有し、そして４００ナノメートルの波長において約８６〜８８％の反射率を有する。
実施例２
１.５ａ/ｏ％のマンガンと０.８ａ/ｏ％の銅を含有する銀系合金は、６５０ナノメートルの波長において約９４〜９５％の反射率を有する。薄膜の厚さを８〜１２ナノメートルの範囲にした場合、反射率は１８〜３０％の範囲に低下し、これはＤＶＤ−９の半反射層として適用可能な範囲である。低い濃度の脱酸剤（例えばリチウム）を添加すれば、薄膜の出発材料の製造プロセスをさらに簡単にすることができる。銀は固体状態で幾分かの酸素を溶解する傾向があり、酸素は合金の反射率を低下させる傾向があるが、添加されるリチウムは酸素と反応して、反射率への酸素の影響の度合いを低下させるだろう。リチウムの望ましい範囲は約０.０１〜５.０原子％であり、好ましい範囲は約０.１〜１.０ａ/ｏ％である。
実施例３
約０.５ａ/ｏ％のニッケルと約０.５ａ/ｏ％の亜鉛を含有する銀系合金は、６０〜７０ナノメートルの膜厚を有するとき、約６５０ナノメートルの波長において約９５％の反射率を有し、これは光情報蓄積媒体におけるあらゆる高反射率の用途に適している。
実施例４
約１.０ａ/ｏ％のマンガン、０.３ａ/ｏ％のチタン、および残部の銀の組成を有する別の銀系合金のスパッターターゲットを用いて、下記の手順でＤＶＤ−９二層ディスクの半反射層を製造する：適当なスタンパーから射出成形されて情報ピットが形成された、厚さ約０.６mmで直径１２cmの透明なポリカーボネートのハーフディスクの上面に、マグネトロンスパッター機における上記の組成のスパッターターゲットを用いて、銀系合金からなる半反射薄膜すなわち「ゼロ」層が約１０〜１１ナノメートルの厚さで堆積すなわち被覆される。別の適当なスタンパーから射出成形されて情報ピットが形成された、厚さ約０.６mmの別の透明なポリカーボネートのハーフディスクの上面に、別のスパッター機における適当なアルミニウムのスパッターターゲットを用いて、アルミニウム系合金からなる高反射性薄膜すなわち「ワン」層が約５５ナノメートルの厚さで堆積される。次いで、これら二つのハーフディスクは適当な液体の有機樹脂で別個にスピンコーティングされ、「ゼロ」層と「ワン」層が互いに対面するようにして接合され、そして樹脂が紫外線によって硬化される。「ゼロ」層と「ワン」層の間の距離はディスク内部で約５５＋/−５ミクロンに保たれる。二つの情報層の反射率がディスクの同じ側から測定され、６５０ナノメートルの波長のレーザー光に対して同様の約２１％であることが観察される。ジッターとＰＩエラーのような電子信号が測定され、公表されているＤＶＤ仕様の範囲内であることが観察される。次いで、このディスクについて、８０℃で８５％の相対湿度において４日間の加速老化試験が行なわれる。次いで、反射率と電子信号が再度測定され、老化試験の前の同じ測定と比較して顕著な変化は観察されなかった。
実施例５
原子％で約０.２％のリチウム、１.０％のマンガン、０.３％のゲルマニウム、および残部の銀の組成を有する銀合金のスパッターターゲットを用いて、ＤＶＤ-９の二層ディスクの半反射層を製造する。このディスクを製造するのに用いた手順は実施例４におけるものと同様である。完成したディスクにおける二つの情報層の反射率がディスクの同じ側から測定され、６５０ナノメートルの波長のレーザー光に対して同様の約２２.５％であることが観察される。ジッターとＰＩエラーのような電子信号も測定され、公表されているＤＶＤ仕様の範囲内であることが観察される。次いで、これらのディスクについて、７０℃で５０％の相対湿度において９６時間の加速老化試験が行なわれる。次いで、反射率と電子信号が再度測定され、老化試験の前の同じ測定と比較して顕著な変化は観察されない。
ディスク上に約３０〜約２００ナノメートルの範囲の厚さで堆積されたこの実施例における銀合金の薄膜は、例えば、ＤＶＤ−９における「ワン」層、あるいは図４に示すような三層光ディスクにおける「ツー」層のような高反射性の層として、あるいは６５０ナノメートルの波長を用いる図５に示された概略構造を有するＤＶＤ−ＲＷやＤＶＤ−ＲＡＭのような書き換え可能な光ディスクや約４００ナノメートルの波長で再生される他の将来の光情報蓄積媒体における他の高反射性の層として用いることができる、ということが理解される。
実施例６
原子％で約１.３％のマンガン、０.７％のアルミニウム、および残部の銀の組成を有する銀系合金のスパッターターゲットを用いて、下記の手順で、図２に示す別のタイプの記録可能なディスクであるＤＶＤ−Ｒディスクの反射層を製造する：適当なスタンパーから射出成形されてＤＶＤ−Ｒのために適当な溝が予め形成された、厚さ約０.６mmで直径１２cmの透明なポリカーボネートのハーフディスクの上面に、シアニン系の記録用染料がスピンコーティングされ、乾燥され、次いでマグネトロンスパッター機における上記の組成のスパッターターゲットを用いて、記録用染料の上に銀系合金からなる反射層が約６０ナノメートルの厚さで堆積すなわち被覆される。次いで、このハーフディスクはもう一つの厚さ約０.６mmのハーフディスクに紫外線硬化性樹脂を用いて接合される。ＤＶＤ−Ｒレコーダーにおいてディスク上に情報が記録され、そして電気信号の質が測定される。次いで、このディスクについて、８０℃で８５％の相対湿度において９６時間の加速老化試験が行なわれる。次いで、反射率と電子信号が再度測定され、老化試験の前の同じ測定と比較して顕著な変化は観察されない。
実施例７
実施例６に示した組成を有するスパッターターゲットの製造方法を以下に説明する。銀、マンガン、およびアルミニウムからなる適当な装填物が、適当な真空誘導炉のるつぼの中に投入される。真空炉は約１ミリトルの真空圧まで真空引きされ、次いで誘導加熱を用いて装填物を加熱する。装填物が加熱されて脱ガスを終了させる一方で、炉をアルゴンガスで約０.２〜０.４大気圧になるまで裏込めすることができる。装填物の融点よりも約１０％高い温度において融液の鋳造を行なうことができる。融液を保持する黒鉛るつぼには、るつぼの底に黒鉛ストッパーを設けることができる。各々のスパッターターゲットの個々の鋳型の中への溶融金属の注ぎ込みは、黒鉛ストッパーを開閉し、この操作と同時に各々の鋳型を溶融るつぼの直下の位置に移動させ、それによって適当な量の融液を各々のターゲットの鋳型の中に重力によって鋳込むことによって行なうことができる。次いで、鋳造物を低温に冷却するために追加のアルゴン流を真空炉の中に導入することができる。次いで、５０％以上の厚さ低減率で冷間または熱間の多方向圧延工程を行なって、全ての不均一な鋳造微細組織を破壊することができる。次いで、仕上げ焼鈍を、保護雰囲気中で５５０〜６００℃で１５〜３０分間行なう。ターゲット片を切削して適切な形状とサイズにし、洗剤中で洗浄し、そして適当に乾燥した後、光ディスクを被覆するために、得られたターゲットをマグネトロンスパッター装置に設置する。実施例９で述べる４００ナノメートルの再生用レーザー波長を用いる超高密度光ディスクの半反射層を作製するためのおおよそのスパッターパラメータは、１キロワットのスパッター出力、１秒間のスパッター時間、１〜３ミリトルのアルゴン分圧、１０ナノメートル/秒の堆積速度、約４〜６cmのターゲットとディスク間の距離、である。半反射層とほぼ同じスパッターパラメータを用いて高反射性の層を作製することができるが、ただし、同じスパッターターゲットとスパッター装置を使用して高反射性の層を堆積させるためにはスパッター出力を４〜５キロワットに増大させる必要がある。従って、この方法で、片面につき約１２〜１５ギガバイトのユーザー蓄積容量を有する超高密度読み取り専用光ディスクを製造することができる。図３に示す構造の二層ディスクは約２４〜３０ギガバイトの情報を蓄積することができ、これは高品位デジタルテレビフォーマットにおける標準規格の動画のために十分な容量である。
実施例８
原子％で１.２％Ｐｄ、１.４％Ｚｎ、および残部の銀の組成を有する銀合金のスパッターターゲットを用いて、図３に示す二層光情報蓄積媒体を製造した。適当なポリカーボネート基板の上にこの銀合金からなる厚さ約１０ナノメートルの薄膜をマグネトロンスパッター機によって堆積させた。４００ナノメートルの再生用レーザー波長を用いる二層超高密度読み取り専用光ディスクの反射層と半反射層の両者のために同じ銀合金の薄膜を用いる可能性を検討する。透明な基板（214）、半反射層（216）、間隔層（218）、および高反射性の層の屈折率ｎはそれぞれ、１.６０５、０.０３５、１.５２、０.０３５である。半反射層と高反射性の層についての消光係数ｋは２.０である。４００nmの波長を用いるディスクにおいて、厚さが２４nmであるとき、半反射層は０.２４２の反射率Ｒ0と０.６００の透過率Ｔ0を有することが計算によって示される。厚さが５５nmであるとき、高反射層は０.６８５の反射率Ｒ1を有するだろう。ディスクの外側から半反射層を通して測定された高反射層の反射率は Ｒ0＝Ｒ1Ｔ0 2 すなわち０.２４７であろう。言い換えれば、ディスクの外側にある検出器に対して、半反射層と高反射層の両者からの反射率はほぼ同じであろう。これは、二層光情報蓄積媒体の重要な要件の一つ、すなわちこれら二つの情報層からの反射率はほぼ等しく、これら二つの層の光学特性の間の関係は Ｒ0＝Ｒ1Ｔ0 2 でなければならない、という要件を満たす。
実施例９
実施例８におけるものと同じ銀合金は、４００nmの再生用レーザー波長を用いる図４に示す三層光情報蓄積媒体における高反射層および二つの半反射層としても用いることができる。計算によれば、図４における第一の半反射層（316）の厚さが１６nm、第二の半反射層（320）の厚さが２４nm、そして高反射層（324）の厚さが５０nmであるとき、検出器（332）で測定されるこれら三つの層からの反射率はそれぞれ、０.１３２、０.１３７、０.１３１であろう。従って、三つの層の全てからのほぼ同じ反射率が得られる。従って、同じ銀合金を用いる三つの情報層からの反射率のバランスが達成され、ある製造条件において４００nmの再生用レーザー波長を用いる超高密度三層光情報蓄積媒体の三つの層の全てを製造するために、一つのスパッター機と一つの銀合金スパッターターゲットを用いることができる。この三層媒体の高反射層のためにアルミニウム合金を用いることもできることは明らかである。
実施例１０
原子％で２.６％Ａｕ、１.１％Ｐｄ、０.３％Ｐｔ、０.４％Ｃｕ、および残部の銀の組成を有する銀合金のスパッターターゲットを用いて、図５に示す書き換え可能な相変化ディスク構造における高反射層を製造した。適当なスタンパーから射出成形されて連続した螺旋トラックの溝とランドを有する厚さが０.６mmのポリカーボネート基板の上に、適当な厚さを有するＺｎＯ・ＳｉＯ2、Ａｇ-Ｉｎ-Ｓｂ-Ｔｅ、およびＺｎＯ・ＳｉＯ2からなる連続した層が被覆される。次いで、マグネトロンスパッター装置において上記の組成のスパッターターゲットを用いて、ＺｎＯ・ＳｉＯ2膜の上に厚さが約１５０nmの銀合金膜を堆積させる。次いで、このハーフディスクを、上記と同じ構造を有する別の０.６mmの厚さのハーフディスクに適当な接着剤を使用して接合して、完全なディスクを形成する。適当なＤＶＤ＋ＲＷドライブにおいて記録と消去のサイクルを繰り返し行なう。このディスクはこの記録媒体に課される性能の要件を満たす。このディスクについてさらに、８０℃で８５％の相対湿度において１０日間の加速環境試験が行なわれる。次いで、ディスクの性能が再度確認され、環境試験の前のディスクの性能と比較して顕著な変化は観察されない。
実施例１１
原子％で１.０％Ｃｕ、９９.０％Ａｇの組成を有する銀合金のスパッターターゲットを用いて、図６に示す書き換え可能な相変化ディスク構造における高反射層を製造した。ただし、誘電体層（520）と高反射層（522）の間にはＳｉＣの境界層（図示せず）が存在する。実施例１０と比較して、この実施例におけるディスクにおける層は逆の順序で堆積される。透明な基板（524）はポリカーボネートからなり、適当なスタンパーから射出成形され、次いで、マグネトロンスパッター装置において上記のスパッターターゲットを用いて透明な基板の上に銀合金の反射層が堆積された。次いで、誘電体層（520）（好ましくはＺｎＯ・ＳｉＯ2）、記録層（518）（好ましくはＡｇ-Ｉｎ-Ｓｂ-Ｔｅ）、もう一つの誘電体層（516）（好ましくはＺｎＯ・ＳｉＯ2）、および境界層（好ましくはＳｉＣ）が順に真空被覆された。最後に、ディスクは、紫外線硬化性樹脂からなる１０〜１５ミクロンの厚さの被覆層（514）によって被覆された。ディスクの性能は、４００nmの波長のレーザービーム記録と再生システムを有するＤＶＲタイプのプレーヤーを用いて確認された。繰り返しの記録と消去のサイクルが十分に行なわれた。次いで、このディスクについてさらに、約８０℃で８５％の相対湿度において４日間の加速環境試験が行なわれた。ディスクの性能が再度確認された。ディスクの性能の顕著な劣化は観察されなかった。
実施例１２
原子％で１.０％Ｃｕ、９９.０％Ａｇの組成を有する銀合金のスパッターターゲットを用いて、図６に示す書き換え可能な相変化ディスク構造すなわち「ＤＶＲ」における高反射層を製造した。このＤＶＲ構造において、ただし、誘電体層（520）と高反射層（522）の間にはＳｉＣの境界層（図示せず）が存在する。この実施例における層は実施例１０で用いられる層の付加の順序とは逆の順序で堆積される。透明な基板（524）はポリカーボネートからなり、適当なスタンパーから射出成形され、次いで、マグネトロンスパッター装置において上記のスパッターターゲットを用いて透明な基板の上に銀合金の反射層が堆積された。次いで、誘電体層（520）（好ましくはＺｎＯ・ＳｉＯ2）、記録層（518）（好ましくはＡｇ-Ｉｎ-Ｓｂ-Ｔｅ）、もう一つの誘電体層（516）（好ましくはＺｎＯ・ＳｉＯ2）、および境界層（好ましくはＳｉＣ）が順に真空被覆された。最後に、ディスクは、紫外線硬化性樹脂からなる約１００ミクロンの厚さの層（514）によって被覆された。
ディスクの性能は、４０５nmの波長のレーザービームを用いるＤＶＲタイプの記録・再生システムを用いて確認された。繰り返しの記録と消去のサイクルが十分に行なわれた。このディスクは８０℃で８５％の相対湿度において４日間の加速環境試験に供された。ディスクの性能が再度確認された。ディスクの性能の顕著な劣化は観察されなかった。
実施例１３
原子％で約２.２％の銅、０.５％の亜鉛、および残部の銀の組成を有する銀合金のスパッターターゲットを用いて、以下の手順を用いて、図１３に示すようなＤＶＤ−Ｒの二層ディスクまたはＤＶＤ＋Ｒの二層ディスクのような別のタイプの記録可能なディスクの半反射層すなわちＬ０を製造する。射出成形されたＤＶＤ−Ｒ二層またはＤＶＤ＋Ｒ二層に適する溝が適当なスタンパーによって予め形成された約０.６mmの厚さと１２cmの直径を有する透明なポリカーボネートのハーフディスクの上面にアゾ系の記録用染料がスピンコーティングされ、次いで乾燥される。次いで、厚さが約１０nmの銀系合金からなる半反射層が、マグネトロンスパッター装置において上記の組成を有するスパッターターゲットを用いて記録用染料の上に堆積または被覆される。次いで、このハーフディスクは、別の０.６mmの厚さのハーフディスクに紫外線硬化性樹脂を用いて接合される。この別のハーフディスクは、１.７ａ/ｏ％のＣｕ、１.０ａ/ｏ％のＺｎ、および９７.３ａ/ｏ％のＡｇからなる組成の別のスパッターターゲットから透明なポリカーボネートの基板の上にスパッターされた１５０nmの厚さの銀合金を含み、次いで、別のアゾ系の記録用染料で被覆され、そして高温の循環空気によって乾燥される。ＤＶＤ−Ｒ二層またはＤＶＤ＋Ｒ二層レコーダーにおいてディスクの両方の層の上に情報が記録され、そして電気信号の質が測定される。次いで、このディスクは、８０℃で８５％の相対湿度において２日間の加速老化試験に供される。次いで、ディスクの反射率と電子信号が再度測定され、老化試験の前の同じ測定と比較して顕著な変化は観察されない。
図面、最良の形態の説明、および実施例に鑑みて、追加の態様は以下の態様を含む。
一つの態様において、光蓄積媒体は、少なくとも一つの主表面において特徴のあるパターンを有する第一の層と、この第一の層に隣接する第一の被覆とを有し、その第一の被覆は第一の金属合金を含み、その第一の金属合金は銀と少なくとも１種の他の元素を含み、その少なくとも１種の他の元素は銅、亜鉛、シリコン、カドミウム、スズ、リチウム、ニッケル、コバルト、インジウム、クロム、アンチモン、ガリウム、ホウ素、モリブデン、ジルコニウム、ベリリウム、ゲルマニウム、アルミニウム、マンガン、チタン、イットリウム、スカンジウム、コバルト、ビスマス、およびマグネシウムからなる群から選択され、ここで前記他の元素は存在する銀の量の約０.０１ａ/ｏ％〜約１５.０ａ/ｏ％の範囲で存在することができる。別の態様において、前記他の元素は存在する銀の量の約０.０１ａ/ｏ％〜約１０.０ａ/ｏ％の範囲で存在することができる。さらに別の態様において、前記他の元素は存在する銀の量の約０.０１ａ/ｏ％〜約５.０ａ/ｏ％の範囲で存在することができる。さらに別の態様において、前記他の元素は存在する銀の量の約０.０１ａ/ｏ％〜約３.０ａ/ｏ％の範囲で存在することができる。
別の態様において、光蓄積媒体の第一の被覆は、媒体の第一の金属層と直接接触していてもよい。
別の態様において、光蓄積媒体は、少なくとも一つの主表面において特徴のあるパターンを有する第二の層とこの第二の層に隣接する第二の被覆をさらに有していてもよい。第二の層は誘電体材料を含んでいてもよい。さらに、媒体は少なくとも一つの主表面において特徴のあるパターンを有する第三の層を有していてもよく、その第三の層は記録可能な材料を任意に含んでいて、また媒体は少なくとも一つの主表面において特徴のあるパターンを有する第四の層を有していてもよく、その第四の層は誘電体材料を含んでいてもよい。
別の態様において、光蓄積媒体は、少なくとも一つの主表面において特徴のあるパターンを有する基板とその特徴のあるパターンに隣接する記録層を有する。次いで、半反射性層が記録層に隣接して存在する。光蓄積媒体はまた、少なくとも一つの主表面において特徴のあるパターンを有する第二の基板とその特徴のあるパターンに隣接する第二の記録層を有し、この記録層に隣接する第二の反射性層を有していてもよい。次に、間隔層が第一の基板と第二の基板の間に位置する。一つの態様において、反射性被覆と半反射性被覆のうちの少なくとも一つは、例えば、銀と銅からなり、銀の量と銅の量の間の関係はＡｇxＣｕtによって定義され、ここで０.９０＜ｘ＜０.９９９および０.００１＜ｔ＜０.１０である。
さらに別の態様は、少なくとも一つの主表面において特徴のあるパターンを有する第一の層とその第一の特徴のあるパターンに隣接する半反射性層とを有する光蓄積媒体である。その半反射性の層または被覆は、半反射性層で用いるのに適していて４０５nmの範囲のレーザーを用いるのに適合する本発明の金属合金のいずれを含んでいてもよい。蓄積媒体はさらに、少なくとも一つの主表面において特徴のあるパターンを有する第二の層とその第二の特徴のあるパターンに隣接する高反射性の層または被覆とを有する。一つの態様において、第一の特徴のあるパターンは螺旋溝を含む。
さらに別の態様は、それぞれ特徴のあるパターンを有する第一の層と第二の層に加えて、誘電体材料を含む第三の層と誘電体材料を含む第五の層との間に位置する光記録可能な材料を含む第四の層を有する光蓄積媒体である。光記録層４と誘電体層３および５は、第一の層と第二の層の間に位置する。一つの態様において、第一の層と第二の層のいずれか一方または両者における特徴のあるパターンは、データピットを伴うかまたは伴わない螺旋溝を含む。
一つの態様において、層４における記録可能な材料は相変化可能な材料である。
さらに別の態様において、層４における記録可能な材料は磁性光記録可能な材料である。
さらに別の態様において、層４における記録可能な材料は光学活性な染料である。
別の態様において、光記録可能な材料は相変化可能な材料である。光記録可能な材料は、Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ、Ａｓ-Ｉｎ-Ｓｂ-Ｔｅ、Ｃｒ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ、Ａｓ-Ｔｅ-Ｇｅ、Ｔｅ-Ｇｅ-Ｓｎ、Ｔｅ-Ｇｅ-Ｓｎ-Ｏ、Ｔｅ-Ｓｅ、Ｓｎ-Ｔｅ-Ｓｅ、Ｔｅ-Ｇｅ-Ｓｎ-Ａｕ、Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ、Ｓｂ-Ｔｅ-Ｓｅ、Ｉｎ-Ｓｅ-Ｔｌ、Ｉｎ-Ｓｂ、Ｉｎ-Ｓｂ-Ｓｅ、Ｉｎ-Ｓｅ-Ｔｌ-Ｃｏ、Ｂｉ-Ｇｅ、Ｂｉ-Ｇｅ-Ｓｂ、Ｂｉ-Ｇｅ-ＴｅおよびＳｉ-Ｔｅ-Ｓｎからなる群から選択される相変化可能な材料であってもよい。光記録可能な材料は、例えばＴｂ-Ｆｅ-ＣｏおよびＧｄ-Ｔｂ-Ｆｅからなる群から選択される磁気光材料であってもよい。
別の態様は、光記録媒体の層における第一の金属合金であって、この金属合金は、例えば、銅、亜鉛および銀を含み、銅は存在する銀の量の約０.０１ａ/ｏ％〜約１０.０ａ/ｏ％の範囲で存在し、亜鉛は約０.０１ａ/ｏ％〜約１０.０ａ/ｏ％の範囲で存在する。別の態様において、銀-銅合金はさらにコバルトまたはマグネシウムを含み、このときコバルトまたはマグネシウムは、存在する銀の量の約０.０１ａ/ｏ％〜約５.０ａ/ｏ％の範囲で存在する。
別の態様は、光記録媒体の層における金属合金であって、この合金は、銅、チタンおよび銀を含み、このとき銅は合金中に存在する銀の量の約０.０１ａ/ｏ％〜約１０.０ａ/ｏ％の範囲で存在し、チタンは約０.０１ａ/ｏ％〜約５.０ａ/ｏ％の範囲で存在する。
別の態様は、光記録媒体の層における銀を含む金属合金であって、金、ロジウム、ルテニウム、オスミウム、イリジウム、白金、パラジウム、およびこれらの混合からなる群から選択された少なくとも１種の他の金属を含み、このとき少なくとも１種のこれらの金属は、存在する銀の量の約０.０１ａ/ｏ％〜約５.０ａ/ｏ％の範囲で存在する。
別の態様において、光記録媒体の層における金属合金は、銀、銅およびシリコンを含み、このとき銅は存在する銀の量の約０.０１ａ/ｏ％〜約１０.０ａ/ｏ％の範囲で存在し、シリコンは約０.０１ａ/ｏ％〜約５.０ａ/ｏ％の範囲で存在する。
別の態様において、光記録媒体の層における金属合金は、銀、銅およびマグネシウムまたはコバルトを含み、このとき銅は存在する銀の量の約０.０１ａ/ｏ％〜約１０.０ａ/ｏ％の範囲で存在し、マグネシウムまたはコバルトは約０.０１ａ/ｏ％〜約５.０ａ/ｏ％の範囲で存在する。
さらに別の態様は、光情報記録媒体であって、この媒体は、少なくとも一つの主表面において特徴のあるパターンを有する第一の基板と、この特徴パターンに隣接する第一の記録層と、この第一の記録層に隣接する第一の反射性層とを有する。反射性層は第一の金属合金を含み、この第一の金属合金は銀を含み、また銅、亜鉛、チタン、カドミウム、リチウム、ニッケル、コバルト、インジウム、アルミニウム、ゲルマニウム、クロム、スズ、ベリリウム、マグネシウム、マンガン、アンチモン、ガリウム、シリコン、ホウ素、ジルコニウム、モリブデン、およびこれらの混合からなる群から選択された少なくとも１種の他の元素を含み、このとき前記他の元素は存在する銀の量の０.０１ａ/ｏ％〜１０.０ａ/ｏ％の範囲で存在する。別の態様において、上記の金属合金の他の元素は合金中に存在する銀の量の約０.１ａ/ｏ％〜５.０ａ/ｏ％の範囲で存在する。
一つの態様において、光情報記録媒体の第一の記録層は、第一の金属層と直接接触していてもよい。
別の態様は、光記録媒体における金属合金であって、この金属合金は銀、銅および亜鉛を含み、このとき銅は存在する銀の量の約０.０１ａ/ｏ％〜約１０.０ａ/ｏ％の範囲で存在し、亜鉛は約０.０１ａ/ｏ％〜約１０.０ａ/ｏ％の範囲で存在する。
別の態様は、光記録媒体の層における銀を含む金属合金であって、またこの金属合金は金、ロジウム、ルテニウム、オスミウム、イリジウム、白金、パラジウム、およびこれらの混合から選択された少なくとも１種の他の元素を含み、このとき前記他の元素は存在する銀の量の約０.０１ａ/ｏ％〜５.０ａ/ｏ％の範囲で存在する。
さらに別の態様は、光蓄積媒体であって、この媒体は、少なくとも一つの主表面において特徴のあるパターンを有する第一の基板と、この特徴パターンに隣接する半反射性層とを有し、この半反射性層は金属合金を含み、この金属合金は銀と銅を含み、このとき銀の量と銅の量の間の関係はＡｇxＣｕyによって定義され、ここで０.９０＜ｘ＜０.９９９および０.００１＜ｙ＜０.１０であり、またこの媒体は、少なくとも一つの主表面において特徴のあるパターンを有する第二の基板と、この第二の基板の特徴パターンに隣接する高反射性層と、前記第一の基板と第二の基板の間に位置する少なくとも一つの間隔層とを有する。
上記の媒体はさらに、少なくとも一つの主表面において特徴のあるパターンを有する第二の基板と、この第二の基板に隣接する第二の反射性層とを有していてもよい。金属合金はまた、シリコン、カドミウム、スズ、リチウム、ニッケル、コバルト、インジウム、クロム、アンチモン、ガリウム、ホウ素、モリブデン、ジルコニウム、ベリリウム、チタン、マグネシウムからなる群から選択された少なくとも１種の追加の元素を含んでいてもよく、このときその元素は存在する銀の量の約０.０１ａ/ｏ％〜１０.０ａ/ｏ％の範囲で存在する。
さらに別の態様において、反射性層と半反射性層の両者を伴う光蓄積媒体における第一の金属合金はＡｇxＣｕyを含み、ここで０.９０＜ｘ＜０.９９９および０.００１＜ｙ＜０.１０であり、またこの合金はマンガンを含んでいて、マンガンは存在する銀の量の約０.０１ａ/ｏ％〜約７.５ａ/ｏ％の範囲で存在する。
さらに別の態様において、反射性層と半反射性層の両者を伴う光蓄積媒体における金属合金はＡｇxＣｕyを含み、ここで０.９０＜ｘ＜０.９９９および０.００１＜ｙ＜０.１０であり、またこの合金はマンガンを含んでいて、マンガンは存在する銀の量の約０.０１ａ/ｏ％〜約５.０ａ/ｏ％の範囲で存在する。
さらに別の態様において、反射性層と半反射性層の両者を伴う光蓄積媒体における金属合金はＡｇxＣｕyを含み、ここで０.９０＜ｘ＜０.９９９および０.００１＜ｙ＜０.１０であり、またこの合金はチタンを含んでいて、チタンは存在する銀の量の約０.０１ａ/ｏ％〜約５.０ａ/ｏ％の範囲で存在する。
さらに別の態様において、反射性層と半反射性層の両者を伴う光蓄積媒体における金属合金はＡｇxＣｕyを含み、ここで０.９０＜ｘ＜０.９９９および０.００１＜ｙ＜０.１０であり、またこの合金はさらにシリコンを含んでいて、シリコンは存在する銀の量の約０.０１ａ/ｏ％〜約５.０ａ/ｏ％の範囲で存在する。
別の態様において、光蓄積媒体の半反射性層はＡｇxＣｕyの金属合金を含み、ここで０.９５＜ｘ＜０.９９９および０.００１＜ｙ＜０.０５０である。
別の態様において、光蓄積媒体は少なくとも一つの半反射性層を有し、この半反射性層はＡｇxＣｕyを含む金属合金であり、ここで０.９５＜ｘ＜０.９９９および０.００１＜ｙ＜０.０５０である。
別の態様において、光蓄積媒体の半反射性層は、この媒体の第一の金属合金と直接接触している。
別の態様において、光情報記録媒体はさらに、少なくとも一つの主表面において特徴のあるパターンを有する第二の基板と、第一の基板と第二の基板の間に位置する間隔層とを有していてもよい。
一つの態様は、少なくとも一つの主表面において特徴のあるパターンを有する第一の基板と、この特徴パターンに隣接する第一の反射性層とを有する光蓄積媒体である。反射性層は銀と亜鉛の合金を含み、銀と亜鉛の量の間の関係はＡｇxＺｎyによって定義され、ここで０.８５＜ｘ＜０.９９９９および０.０００１＜ｙ＜０.１５である。
別の態様は、少なくとも一つの主表面において特徴のあるパターンを有する第一の基板と、この特徴パターンに隣接する第一の反射性層とを有する光蓄積媒体である。反射性層は銀とアルミニウムの合金を含み、銀とアルミニウムの量の間の関係はＡｇxＡｌzによって定義され、ここで０.９５＜ｘ＜０.９９９９および０.０００１＜ｚ＜０.０５である。
さらに別の態様は、少なくとも一つの主表面において特徴のあるパターンを有する第一の基板と、この特徴パターンに隣接する第一の反射性層とを有する光蓄積媒体である。反射性層は銀と亜鉛とアルミニウムの合金を含み、銀と亜鉛とアルミニウムの量の間の関係はＡｇxＺｎyＡｌzによって定義され、ここで０.８０＜ｘ＜０.９９８、０.００１＜ｙ＜０.１５および０.００１＜ｚ＜０.０５である。
さらに別の態様は、少なくとも一つの主表面において特徴のあるパターンを有する第一の基板と、この特徴パターンに隣接する第一の反射性層とを有する光蓄積媒体である。反射性層は銀とマンガンの合金を含み、銀とマンガンの量の間の関係はＡｇxＭｎtによって定義され、ここで０.９２５＜ｘ＜０.９９９９および０.０００１＜ｔ＜０.０７５である。
別の態様は、少なくとも一つの主表面において特徴のあるパターンを有する第一の基板と、この特徴パターンに隣接する第一の反射性層とを有する光蓄積媒体である。反射性層は銀とゲルマニウムの合金を含み、銀とゲルマニウムの量の間の関係はＡｇxＧｅqによって定義され、ここで０.９７＜ｘ＜０.９９９９および０.０００１＜ｑ＜０.０３である。
別の態様は、少なくとも一つの主表面において特徴のあるパターンを有する第一の基板と、この特徴パターンに隣接する第一の反射性層とを有する光蓄積媒体である。反射性層は銀と銅とマンガンの合金を含み、銀と銅とマンガンの量の間の関係はＡｇxＣｕpＭｎtによって定義され、ここで０.８２５＜ｘ＜０.９９９８、０.０００１＜ｐ＜０.１０および０.０００１＜ｔ＜０.０７５である。
別の態様は、少なくとも一つの主表面において特徴のあるパターンを有する第一の基板と、この特徴パターンに隣接する第一の反射性層とを有する光蓄積媒体である。反射性層は銀とイットリウムの合金を含み、銀とイットリウムの量の間の関係はＡｇxＹwによって定義され、ここで０.９５＜ｘ＜０.９９９９および０.０００１＜ｗ＜０.０５である。別の態様において、この銀-イットリウム合金におけるイットリウムの量は０.０００１＜ｗ＜０.０３によって定義される。
別の態様は、少なくとも一つの主表面において特徴のあるパターンを有する第一の基板と、この特徴パターンに隣接する第一の反射性層とを有する光蓄積媒体である。反射性層は銀とスカンジウムの合金を含み、銀とスカンジウムの量の間の関係はＡｇxＳｃwによって定義され、ここで０.９５＜ｘ＜０.９９９９および０.０００１＜ｗ＜０.０５である。別の態様において、この銀-スカンジウム合金におけるスカンジウムの量は０.０００１＜ｗ＜０.０３によって定義される。
別の態様は、少なくとも一つの主表面において特徴のあるパターンを有する第一の基板と、この特徴パターンに隣接する第一の反射性層とを有する光蓄積媒体である。反射性層は銀とビスマスの合金を含み、銀とビスマスの量の間の関係はＡｇxＢｉwによって定義され、ここで０.９５＜ｘ＜０.９９９９および０.０００１＜ｗ＜０.０５である。別の態様において、この銀-ビスマス合金におけるビスマスの量は０.０００１＜ｗ＜０.０３によって定義される。
別の態様は、少なくとも一つの主表面において特徴のあるパターンを有する第一の基板と、この特徴パターンに隣接する第一の反射性層とを有する光蓄積媒体である。反射性層は銀と銅を含んでいてそしてさらに少なくとも１種の元素Ａと合金化した金属合金を含み、元素Ａはイットリウム、スカンジウムおよびビスマスからなる元素の群から選択され、銀と銅と元素Ａの量の間の関係はＡｇxＣｕzＡwによって定義され、ここで０.８５＜ｘ＜０.９９９８、０.０００１＜ｚ＜０.１０および０.０００１＜ｗ＜０.０５である。別の態様において、この銀-銅-元素Ａの合金における元素Ａの量は０.０００１＜ｗ＜０.０３によって定義される。
別の態様は、少なくとも一つの主表面において特徴のあるパターンを有する第一の基板と、この特徴パターンに隣接する第一の反射性層とを有する光蓄積媒体である。反射性層は銀と銅とコバルトの合金を含み、銀と銅とコバルトの量の間の関係はＡｇxＣｕzＣｏwによって定義され、ここで０.８５＜ｘ＜０.９９９８、０.０００１＜ｚ＜０.１０および０.０００１＜ｗ＜０.０５である。別の態様において、この銀-銅-コバルト合金におけるコバルトの量は０.０００１＜ｗ＜０.０３によって定義される。
別の態様は、少なくとも一つの主表面において特徴のあるパターンを有する第一の基板と、この特徴パターンに隣接する第一の反射性層とを有する光蓄積媒体である。反射性層は銀と銅とマグネシウムの合金を含み、銀と銅とマグネシウムの量の間の関係はＡｇxＣｕzＭｇwによって定義され、ここで０.８５＜ｘ＜０.９９９８、０.０００１＜ｚ＜０.１０および０.０００１＜ｗ＜０.０５である。別の態様において、この銀-銅-マグネシウム合金におけるマグネシウムの量は０.０００１＜ｗ＜０.０３によって定義される。
別の態様は、少なくとも一つの主表面において特徴のあるパターンを有する第一の基板と、この特徴パターンに隣接する第一の反射性層とを有する光蓄積媒体である。反射性層は銀と亜鉛とマグネシウムの合金を含み、銀と亜鉛とマグネシウムの量の間の関係はＡｇxＺｎyＭｇwによって定義され、ここで０.８０＜ｘ＜０.９９９８、０.０００１＜ｙ＜０.１５および０.０００１＜ｗ＜０.０５である。別の態様において、この銀-亜鉛-マグネシウム合金におけるマグネシウムの量は０.０００１＜ｗ＜０.０３によって定義される。
別の態様は、少なくとも一つの主表面において特徴のあるパターンを有する第一の基板と、この特徴パターンに隣接する第一の反射性層とを有する光蓄積媒体である。反射性層は銀と亜鉛とコバルトの合金を含み、銀と亜鉛とコバルトの量の間の関係はＡｇxＺｎyＣｏwによって定義され、ここで０.８０＜ｘ＜０.９９９８、０.０００１＜ｙ＜０.１５および０.０００１＜ｗ＜０.０５である。別の態様において、この銀-亜鉛-コバルト合金におけるコバルトの量は０.０００１＜ｗ＜０.０３によって定義される。
光データ蓄積デバイスにおいて用いるための本明細書で独特なものとして開示されそして説明された合金に加えて、光データ蓄積デバイスにおける高反射性の層、表面または被覆として用いることのできる特定の金属合金および半反射性の層、表面または被覆として用いることのできる特定の金属合金は、Ｎｅｅを発明者とする米国特許６,００７,８８９号、６,２８０,８１１号、６,４５１,４０２号および６,５４４,６１６号において、さらにはＮｅｅを発明者とする米国特許出願公開公報２００３-０１３８５９１号および２００３-０２１５５９８号において見いだすことができ、これらの開示は本明細書に引用して取込まれる。
本発明を例示しそして詳細に記述したが、これは例示のものであって特許の権利を限定するものではない、と考えられる。好ましい実施態様だけが提示されたのであって、本発明の精神に含まれる全ての変更と修正が、それらを特許請求の範囲またはその法的均等物が記述している場合は、含まれているのである、ということを読者は理解すべきである。
一実施態様による光蓄積システムを示す。 別の実施態様による光蓄積システムを示し、有機染料が記録層として用いられている。 別の実施態様による光蓄積システムを示し、二つの層の情報ピットを有し、両者の層の再生が一つの側から行なわれる。 別の実施態様による光蓄積システムを示し、三つの層の情報ピットを有し、三つの全ての層の再生が一つの側から行なわれる。 別の実施態様による光蓄積システムを示し、システムは書き換え可能な情報層を有する。 別の実施態様による光蓄積システムを示し、システムは書き換え可能な情報層を有する。 別の実施態様による光蓄積システム（例えばＤＶＤ−１４）を示す。 別の実施態様による光蓄積システム（例えばＤＶＤ−１８）を示す。 別の実施態様による光蓄積システムを示し、一つの側から読み取り可能な高密度デジタル情報を蓄積するのに適した層を有するブルレイタイプの光蓄積システムである。 別の実施態様による光蓄積システムを示し、一つの側からの読み取りと再記録が可能な二つの書き換え可能な高密度デジタル情報蓄積層を有するブルレイタイプの光蓄積システムである。 別の実施態様による光蓄積システムを示し、一つの側から読み取り可能な二つの高密度デジタル情報蓄積層を有するアドバンスト光ディスク（ＡＯＤ）タイプの光蓄積システムである。 別の実施態様による光蓄積システムを示し、一つの側からの読み取りと再記録が可能な二つの書き換え可能な高密度デジタル情報蓄積層を有するアドバンスト光ディスク（ＡＯＤ）タイプの光蓄積システムである。 さらに別の実施態様による光蓄積システムを示し、一つの側からの読み取りと記録が可能な二つの読み取りと記録が可能な層を有する。

Claims (88)

  1. 下記の要素を含む光蓄積媒体であって、
    少なくとも一つの主表面において特徴のあるパターンを有する第一の層、および
    前記特徴のあるパターンに隣接する第一の反射性層、
    ここで、前記第一の反射性層は合金を含み、前記合金は銀とイットリウムを含み、この合金における銀とイットリウムの量の間の関係はＡｇxＹwによって定義され、ここで０.９５００＜ｘ＜０.９９９９および０.０００１＜ｗ＜０.０５である、光蓄積媒体。
  2. ０.００１＜ｗ＜０.０３である、請求項１に記載の光蓄積媒体。
  3. 前記第一の反射性層は高反射性の層である、請求項１に記載の光蓄積媒体。
  4. 少なくとも一つの主表面において第二の特徴のあるパターンを有する第二の層と第二の反射性層をさらに有し、前記第一の反射性層は半反射性の層であり、前記第二の反射性層は高反射性の層である、請求項１に記載の光蓄積媒体。
  5. 前記第二の反射性層は前記合金を含む、請求項４に記載の光蓄積媒体。
  6. 第一の特徴のあるパターンは螺旋溝を含む、請求項４に記載の光蓄積媒体。
  7. 前記第一の反射性層に隣接する第三の層であって誘電体材料を含む層と、光学的に再記録可能な材料を含む第四の層と、誘電体材料を含む第五の層とをさらに有する、請求項４に記載の光蓄積媒体。
  8. 前記光学的に再記録可能な材料は相変化可能な材料である、請求項７に記載の光蓄積媒体。
  9. 前記光学的に再記録可能な材料はＧｅ-Ｓｂ-Ｔｅ、Ａｓ-Ｉｎ-Ｓｂ-Ｔｅ、Ｃｒ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ、Ａｓ-Ｔｅ-Ｇｅ、Ｔｅ-Ｇｅ-Ｓｎ、Ｔｅ-Ｇｅ-Ｓｎ-Ｏ、Ｔｅ-Ｓｅ、Ｓｎ-Ｔｅ-Ｓｅ、Ｔｅ-Ｇｅ-Ｓｎ-Ａｕ、Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ、Ｓｂ-Ｔｅ-Ｓｅ、Ｉｎ-Ｓｅ-Ｔｌ、Ｉｎ-Ｓｂ、Ｉｎ-Ｓｂ-Ｓｅ、Ｉｎ-Ｓｅ-Ｔｌ-Ｃｏ、Ｂｉ-Ｇｅ、Ｂｉ-Ｇｅ-Ｓｂ、Ｂｉ-Ｇｅ-ＴｅおよびＳｉ-Ｔｅ-Ｓｎからなる群から選択される相変化可能な材料をさらに含む、請求項８に記載の光蓄積媒体。
  10. 前記光学的に再記録可能な材料は磁気光材料である、請求項７に記載の光蓄積媒体。
  11. 前記光学的に再記録可能な材料はＴｂ-Ｆｅ-ＣｏおよびＧｄ-Ｔｂ-Ｆｅからなる群から選択される磁気光材料をさらに含む、請求項１０に記載の光蓄積媒体。
  12. 下記の要素を含む光蓄積媒体であって、
    少なくとも一つの主表面において特徴のあるパターンを有する第一の層、および
    前記特徴のあるパターンに隣接する第一の反射性層、
    ここで、前記第一の反射性層は合金を含み、前記合金は銀とスカンジウムを含み、この合金における銀とスカンジウムの量の間の関係はＡｇxＳｃwによって定義され、ここで０.９５００＜ｘ＜０.９９９９および０.０００１＜ｗ＜０.０５である、光蓄積媒体。
  13. ０.００１＜ｗ＜０.０３である、請求項１２に記載の光蓄積媒体。
  14. 前記第一の反射性層は高反射性の層である、請求項１２に記載の光蓄積媒体。
  15. 少なくとも一つの主表面において第二の特徴のあるパターンを有する第二の層と第二の反射性層をさらに有し、前記第一の反射性層は半反射性の層であり、前記第二の反射性層は高反射性の層である、請求項１２に記載の光蓄積媒体。
  16. 前記第二の反射性層は前記合金を含む、請求項１５に記載の光蓄積媒体。
  17. 第一の特徴のあるパターンは螺旋溝を含む、請求項１５に記載の光蓄積媒体。
  18. 前記第一の反射性層に隣接する第三の層であって誘電体材料を含む層と、光学的に再記録可能な材料を含む第四の層と、誘電体材料を含む第五の層とをさらに有する、請求項１５に記載の光蓄積媒体。
  19. 前記光学的に再記録可能な材料は相変化可能な材料である、請求項１８に記載の光蓄積媒体。
  20. 前記光学的に再記録可能な材料はＧｅ-Ｓｂ-Ｔｅ、Ａｓ-Ｉｎ-Ｓｂ-Ｔｅ、Ｃｒ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ、Ａｓ-Ｔｅ-Ｇｅ、Ｔｅ-Ｇｅ-Ｓｎ、Ｔｅ-Ｇｅ-Ｓｎ-Ｏ、Ｔｅ-Ｓｅ、Ｓｎ-Ｔｅ-Ｓｅ、Ｔｅ-Ｇｅ-Ｓｎ-Ａｕ、Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ、Ｓｂ-Ｔｅ-Ｓｅ、Ｉｎ-Ｓｅ-Ｔｌ、Ｉｎ-Ｓｂ、Ｉｎ-Ｓｂ-Ｓｅ、Ｉｎ-Ｓｅ-Ｔｌ-Ｃｏ、Ｂｉ-Ｇｅ、Ｂｉ-Ｇｅ-Ｓｂ、Ｂｉ-Ｇｅ-ＴｅおよびＳｉ-Ｔｅ-Ｓｎからなる群から選択される相変化可能な材料をさらに含む、請求項１９に記載の光蓄積媒体。
  21. 前記光学的に再記録可能な材料は磁気光材料である、請求項１９に記載の光蓄積媒体。
  22. 前記光学的に再記録可能な材料はＴｂ-Ｆｅ-ＣｏおよびＧｄ-Ｔｂ-Ｆｅからなる群から選択される磁気光材料をさらに含む、請求項２１に記載の光蓄積媒体。
  23. 下記の要素を含む光蓄積媒体であって、
    少なくとも一つの主表面において特徴のあるパターンを有する第一の層、および
    前記特徴のあるパターンに隣接する第一の反射性層、
    ここで、前記第一の反射性層は合金を含み、前記合金は銀とビスマスを含み、この合金における銀とビスマスの量の間の関係はＡｇxＢｉwによって定義され、ここで０.９５００＜ｘ＜０.９９９９および０.０００１＜ｗ＜０.０５である、光蓄積媒体。
  24. ０.００１＜ｗ＜０.０３である、請求項２３に記載の光蓄積媒体。
  25. 前記第一の反射性層は高反射性の層である、請求項２３に記載の光蓄積媒体。
  26. 少なくとも一つの主表面において第二の特徴のあるパターンを有する第二の層と第二の反射性層をさらに有し、前記第一の反射性層は半反射性の層であり、前記第二の反射性層は高反射性の層である、請求項２３に記載の光蓄積媒体。
  27. 前記第二の反射性層は前記合金を含む、請求項２６に記載の光蓄積媒体。
  28. 第一の特徴のあるパターンは螺旋溝を含む、請求項２６に記載の光蓄積媒体。
  29. 前記第一の反射性層に隣接する第三の層であって誘電体材料を含む層と、光学的に再記録可能な材料を含む第四の層と、誘電体材料を含む第五の層とをさらに有する、請求項２６に記載の光蓄積媒体。
  30. 前記光学的に再記録可能な材料は相変化可能な材料である、請求項２９に記載の光蓄積媒体。
  31. 前記光学的に再記録可能な材料はＧｅ-Ｓｂ-Ｔｅ、Ａｓ-Ｉｎ-Ｓｂ-Ｔｅ、Ｃｒ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ、Ａｓ-Ｔｅ-Ｇｅ、Ｔｅ-Ｇｅ-Ｓｎ、Ｔｅ-Ｇｅ-Ｓｎ-Ｏ、Ｔｅ-Ｓｅ、Ｓｎ-Ｔｅ-Ｓｅ、Ｔｅ-Ｇｅ-Ｓｎ-Ａｕ、Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ、Ｓｂ-Ｔｅ-Ｓｅ、Ｉｎ-Ｓｅ-Ｔｌ、Ｉｎ-Ｓｂ、Ｉｎ-Ｓｂ-Ｓｅ、Ｉｎ-Ｓｅ-Ｔｌ-Ｃｏ、Ｂｉ-Ｇｅ、Ｂｉ-Ｇｅ-Ｓｂ、Ｂｉ-Ｇｅ-ＴｅおよびＳｉ-Ｔｅ-Ｓｎからなる群から選択される相変化可能な材料をさらに含む、請求項３０に記載の光蓄積媒体。
  32. 前記光学的に再記録可能な材料は磁気光材料である、請求項２９に記載の光蓄積媒体。
  33. 前記光学的に再記録可能な材料はＴｂ-Ｆｅ-ＣｏおよびＧｄ-Ｔｂ-Ｆｅからなる群から選択される磁気光材料をさらに含む、請求項３２に記載の光蓄積媒体。
  34. 下記の要素を含む光蓄積媒体であって、
    少なくとも一つの主表面において特徴のあるパターンを有する第一の層、および
    前記特徴のあるパターンに隣接する第一の反射性層、
    ここで、前記第一の反射性層は合金を含み、前記合金は銀と銅と元素Ａを含み、元素Ａはイットリウム、スカンジウムおよびビスマスからなる元素の群から選択され、この合金における銀と銅と元素Ａの量の間の関係はＡｇxＣｕzＡwによって定義され、ここで０.８５＜ｘ＜０.９９９８、０.０００１＜ｚ＜０.１０および０.０００１＜ｗ＜０.０５である、光蓄積媒体。
  35. ０.００１＜ｗ＜０.０３である、請求項３４に記載の光蓄積媒体。
  36. 前記第一の反射性層は高反射性の層である、請求項３４に記載の光蓄積媒体。
  37. 少なくとも一つの主表面において第二の特徴のあるパターンを有する第二の層と第二の反射性層をさらに有し、前記第一の反射性層は半反射性の層であり、前記第二の反射性層は高反射性の層である、請求項３４に記載の光蓄積媒体。
  38. 前記第二の反射性層は前記合金を含む、請求項３７に記載の光蓄積媒体。
  39. 第一の特徴のあるパターンは螺旋溝を含む、請求項３７に記載の光蓄積媒体。
  40. 前記第一の反射性層に隣接する第三の層であって誘電体材料を含む層と、光学的に再記録可能な材料を含む第四の層と、誘電体材料を含む第五の層とをさらに有する、請求項３７に記載の光蓄積媒体。
  41. 前記光学的に再記録可能な材料は相変化可能な材料である、請求項４０に記載の光蓄積媒体。
  42. 前記光学的に再記録可能な材料はＧｅ-Ｓｂ-Ｔｅ、Ａｓ-Ｉｎ-Ｓｂ-Ｔｅ、Ｃｒ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ、Ａｓ-Ｔｅ-Ｇｅ、Ｔｅ-Ｇｅ-Ｓｎ、Ｔｅ-Ｇｅ-Ｓｎ-Ｏ、Ｔｅ-Ｓｅ、Ｓｎ-Ｔｅ-Ｓｅ、Ｔｅ-Ｇｅ-Ｓｎ-Ａｕ、Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ、Ｓｂ-Ｔｅ-Ｓｅ、Ｉｎ-Ｓｅ-Ｔｌ、Ｉｎ-Ｓｂ、Ｉｎ-Ｓｂ-Ｓｅ、Ｉｎ-Ｓｅ-Ｔｌ-Ｃｏ、Ｂｉ-Ｇｅ、Ｂｉ-Ｇｅ-Ｓｂ、Ｂｉ-Ｇｅ-ＴｅおよびＳｉ-Ｔｅ-Ｓｎからなる群から選択される相変化可能な材料をさらに含む、請求項４１に記載の光蓄積媒体。
  43. 前記光学的に再記録可能な材料は磁気光材料である、請求項４０に記載の光蓄積媒体。
  44. 前記光学的に再記録可能な材料はＴｂ-Ｆｅ-ＣｏおよびＧｄ-Ｔｂ-Ｆｅからなる群から選択される磁気光材料をさらに含む、請求項４３に記載の光蓄積媒体。
  45. 下記の要素を含む光蓄積媒体であって、
    少なくとも一つの主表面において特徴のあるパターンを有する第一の層、および
    前記特徴のあるパターンに隣接する第一の反射性層、
    ここで、前記第一の反射性層は合金を含み、前記合金は銀と銅とマグネシウムを含み、この合金における銀と銅とマグネシウムの量の間の関係はＡｇxＣｕzＭｇwによって定義され、ここで０.８５＜ｘ＜０.９９９８、０.０００１＜ｚ＜０.１０および０.０００１＜ｗ＜０.０５である、光蓄積媒体。
  46. ０.００１＜ｗ＜０.０３である、請求項４５に記載の光蓄積媒体。
  47. 前記第一の反射性層は高反射性の層である、請求項４５に記載の光蓄積媒体。
  48. 少なくとも一つの主表面において第二の特徴のあるパターンを有する第二の層と第二の反射性層をさらに有し、前記第一の反射性層は半反射性の層であり、前記第二の反射性層は高反射性の層である、請求項４５に記載の光蓄積媒体。
  49. 前記第二の反射性層は前記合金を含む、請求項４８に記載の光蓄積媒体。
  50. 第一の特徴のあるパターンは螺旋溝を含む、請求項４８に記載の光蓄積媒体。
  51. 前記第一の反射性層に隣接する第三の層であって誘電体材料を含む層と、光学的に再記録可能な材料を含む第四の層と、誘電体材料を含む第五の層とをさらに有する、請求項４８に記載の光蓄積媒体。
  52. 前記光学的に再記録可能な材料は相変化可能な材料である、請求項５１に記載の光蓄積媒体。
  53. 前記光学的に再記録可能な材料はＧｅ-Ｓｂ-Ｔｅ、Ａｓ-Ｉｎ-Ｓｂ-Ｔｅ、Ｃｒ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ、Ａｓ-Ｔｅ-Ｇｅ、Ｔｅ-Ｇｅ-Ｓｎ、Ｔｅ-Ｇｅ-Ｓｎ-Ｏ、Ｔｅ-Ｓｅ、Ｓｎ-Ｔｅ-Ｓｅ、Ｔｅ-Ｇｅ-Ｓｎ-Ａｕ、Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ、Ｓｂ-Ｔｅ-Ｓｅ、Ｉｎ-Ｓｅ-Ｔｌ、Ｉｎ-Ｓｂ、Ｉｎ-Ｓｂ-Ｓｅ、Ｉｎ-Ｓｅ-Ｔｌ-Ｃｏ、Ｂｉ-Ｇｅ、Ｂｉ-Ｇｅ-Ｓｂ、Ｂｉ-Ｇｅ-ＴｅおよびＳｉ-Ｔｅ-Ｓｎからなる群から選択される相変化可能な材料をさらに含む、請求項５２に記載の光蓄積媒体。
  54. 前記光学的に再記録可能な材料は磁気光材料である、請求項５１に記載の光蓄積媒体。
  55. 前記光学的に再記録可能な材料はＴｂ-Ｆｅ-ＣｏおよびＧｄ-Ｔｂ-Ｆｅからなる群から選択される磁気光材料をさらに含む、請求項５４に記載の光蓄積媒体。
  56. 下記の要素を含む光蓄積媒体であって、
    少なくとも一つの主表面において特徴のあるパターンを有する第一の層、および
    前記特徴のあるパターンに隣接する第一の反射性層、
    ここで、前記第一の反射性層は合金を含み、前記合金は銀と銅とコバルトを含み、この合金における銀と銅とコバルトの量の間の関係はＡｇxＣｕzＣｏwによって定義され、ここで０.８５＜ｘ＜０.９９９８、０.０００１＜ｚ＜０.１０および０.０００１＜ｗ＜０.０５である、光蓄積媒体。
  57. ０.００１＜ｗ＜０.０３である、請求項５６に記載の光蓄積媒体。
  58. 前記第一の反射性層は高反射性の層である、請求項５６に記載の光蓄積媒体。
  59. 少なくとも一つの主表面において第二の特徴のあるパターンを有する第二の層と第二の反射性層をさらに有し、前記第一の反射性層は半反射性の層であり、前記第二の反射性層は高反射性の層である、請求項５６に記載の光蓄積媒体。
  60. 前記第二の反射性層は前記合金を含む、請求項５９に記載の光蓄積媒体。
  61. 第一の特徴のあるパターンは螺旋溝を含む、請求項５９に記載の光蓄積媒体。
  62. 前記第一の反射性層に隣接する第三の層であって誘電体材料を含む層と、光学的に再記録可能な材料を含む第四の層と、誘電体材料を含む第五の層とをさらに有する、請求項５９に記載の光蓄積媒体。
  63. 前記光学的に再記録可能な材料は相変化可能な材料である、請求項５９に記載の光蓄積媒体。
  64. 前記光学的に再記録可能な材料はＧｅ-Ｓｂ-Ｔｅ、Ａｓ-Ｉｎ-Ｓｂ-Ｔｅ、Ｃｒ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ、Ａｓ-Ｔｅ-Ｇｅ、Ｔｅ-Ｇｅ-Ｓｎ、Ｔｅ-Ｇｅ-Ｓｎ-Ｏ、Ｔｅ-Ｓｅ、Ｓｎ-Ｔｅ-Ｓｅ、Ｔｅ-Ｇｅ-Ｓｎ-Ａｕ、Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ、Ｓｂ-Ｔｅ-Ｓｅ、Ｉｎ-Ｓｅ-Ｔｌ、Ｉｎ-Ｓｂ、Ｉｎ-Ｓｂ-Ｓｅ、Ｉｎ-Ｓｅ-Ｔｌ-Ｃｏ、Ｂｉ-Ｇｅ、Ｂｉ-Ｇｅ-Ｓｂ、Ｂｉ-Ｇｅ-ＴｅおよびＳｉ-Ｔｅ-Ｓｎからなる群から選択される相変化可能な材料をさらに含む、請求項６３に記載の光蓄積媒体。
  65. 前記光学的に再記録可能な材料は磁気光材料である、請求項５９に記載の光蓄積媒体。
  66. 前記光学的に再記録可能な材料はＴｂ-Ｆｅ-ＣｏおよびＧｄ-Ｔｂ-Ｆｅからなる群から選択される磁気光材料をさらに含む、請求項６５に記載の光蓄積媒体。
  67. 下記の要素を含む光蓄積媒体であって、
    少なくとも一つの主表面において特徴のあるパターンを有する第一の層、および
    前記特徴のあるパターンに隣接する第一の反射性層、
    ここで、前記第一の反射性層は合金を含み、前記合金は銀と亜鉛とマグネシウムを含み、この合金における銀と亜鉛とマグネシウムの量の間の関係はＡｇxＺｎyＭｇwによって定義され、ここで０.８０００＜ｘ＜０.９９９８、０.０００１＜ｙ＜０.１５および０.０００１＜ｗ＜０.０５である、光蓄積媒体。
  68. ０.００１＜ｗ＜０.０３である、請求項６７に記載の光蓄積媒体。
  69. 前記第一の反射性層は高反射性の層である、請求項６７に記載の光蓄積媒体。
  70. 少なくとも一つの主表面において第二の特徴のあるパターンを有する第二の層と第二の反射性層をさらに有し、前記第一の反射性層は半反射性の層であり、前記第二の反射性層は高反射性の層である、請求項６７に記載の光蓄積媒体。
  71. 前記第二の反射性層は前記合金を含む、請求項７０に記載の光蓄積媒体。
  72. 第一の特徴のあるパターンは螺旋溝を含む、請求項７０に記載の光蓄積媒体。
  73. 前記第一の反射性層に隣接する第三の層であって誘電体材料を含む層と、光学的に再記録可能な材料を含む第四の層と、誘電体材料を含む第五の層とをさらに有する、請求項７０に記載の光蓄積媒体。
  74. 前記光学的に再記録可能な材料は相変化可能な材料である、請求項７３に記載の光蓄積媒体。
  75. 前記光学的に再記録可能な材料はＧｅ-Ｓｂ-Ｔｅ、Ａｓ-Ｉｎ-Ｓｂ-Ｔｅ、Ｃｒ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ、Ａｓ-Ｔｅ-Ｇｅ、Ｔｅ-Ｇｅ-Ｓｎ、Ｔｅ-Ｇｅ-Ｓｎ-Ｏ、Ｔｅ-Ｓｅ、Ｓｎ-Ｔｅ-Ｓｅ、Ｔｅ-Ｇｅ-Ｓｎ-Ａｕ、Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ、Ｓｂ-Ｔｅ-Ｓｅ、Ｉｎ-Ｓｅ-Ｔｌ、Ｉｎ-Ｓｂ、Ｉｎ-Ｓｂ-Ｓｅ、Ｉｎ-Ｓｅ-Ｔｌ-Ｃｏ、Ｂｉ-Ｇｅ、Ｂｉ-Ｇｅ-Ｓｂ、Ｂｉ-Ｇｅ-ＴｅおよびＳｉ-Ｔｅ-Ｓｎからなる群から選択される相変化可能な材料をさらに含む、請求項７４に記載の光蓄積媒体。
  76. 前記光学的に再記録可能な材料は磁気光材料である、請求項７３に記載の光蓄積媒体。
  77. 前記光学的に再記録可能な材料はＴｂ-Ｆｅ-ＣｏおよびＧｄ-Ｔｂ-Ｆｅからなる群から選択される磁気光材料をさらに含む、請求項７６に記載の光蓄積媒体。
  78. 下記の要素を含む光蓄積媒体であって、
    少なくとも一つの主表面において特徴のあるパターンを有する第一の層、および
    前記特徴のあるパターンに隣接する第一の反射性層、
    ここで、前記第一の反射性層は合金を含み、前記合金は銀と亜鉛とコバルトを含み、この合金における銀と亜鉛とコバルトの量の間の関係はＡｇxＺｎyＣｏwによって定義され、ここで０.８０００＜ｘ＜０.９９９８、０.０００１＜ｙ＜０.１５および０.０００１＜ｗ＜０.０５である、光蓄積媒体。
  79. ０.００１＜ｗ＜０.０３である、請求項７８に記載の光蓄積媒体。
  80. 前記第一の反射性層は高反射性の層である、請求項７８に記載の光蓄積媒体。
  81. 少なくとも一つの主表面において第二の特徴のあるパターンを有する第二の層と第二の反射性層をさらに有し、前記第一の反射性層は半反射性の層であり、前記第二の反射性層は高反射性の層である、請求項７８に記載の光蓄積媒体。
  82. 前記第二の反射性層は前記合金を含む、請求項８１に記載の光蓄積媒体。
  83. 第一の特徴のあるパターンは螺旋溝を含む、請求項８１に記載の光蓄積媒体。
  84. 前記第一の反射性層に隣接する第三の層であって誘電体材料を含む層と、光学的に再記録可能な材料を含む第四の層と、誘電体材料を含む第五の層とをさらに有する、請求項８１に記載の光蓄積媒体。
  85. 前記光学的に再記録可能な材料は相変化可能な材料である、請求項８４に記載の光蓄積媒体。
  86. 前記光学的に再記録可能な材料はＧｅ-Ｓｂ-Ｔｅ、Ａｓ-Ｉｎ-Ｓｂ-Ｔｅ、Ｃｒ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ、Ａｓ-Ｔｅ-Ｇｅ、Ｔｅ-Ｇｅ-Ｓｎ、Ｔｅ-Ｇｅ-Ｓｎ-Ｏ、Ｔｅ-Ｓｅ、Ｓｎ-Ｔｅ-Ｓｅ、Ｔｅ-Ｇｅ-Ｓｎ-Ａｕ、Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ、Ｓｂ-Ｔｅ-Ｓｅ、Ｉｎ-Ｓｅ-Ｔｌ、Ｉｎ-Ｓｂ、Ｉｎ-Ｓｂ-Ｓｅ、Ｉｎ-Ｓｅ-Ｔｌ-Ｃｏ、Ｂｉ-Ｇｅ、Ｂｉ-Ｇｅ-Ｓｂ、Ｂｉ-Ｇｅ-ＴｅおよびＳｉ-Ｔｅ-Ｓｎからなる群から選択される相変化可能な材料をさらに含む、請求項８５に記載の光蓄積媒体。
  87. 前記光学的に再記録可能な材料は磁気光材料である、請求項８４に記載の光蓄積媒体。
  88. 前記光学的に再記録可能な材料はＴｂ-Ｆｅ-ＣｏおよびＧｄ-Ｔｂ-Ｆｅからなる群から選択される磁気光材料をさらに含む、請求項８７に記載の光蓄積媒体。
JP2006510120A 2003-04-18 2004-04-16 光蓄積媒体の反射層または半反射層のための合金 Pending JP2006523913A (ja)

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