JP2005340748A - 発光装置 - Google Patents
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- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 545
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 149
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 144
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 139
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 131
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 78
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 75
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 62
- 238000009877 rendering Methods 0.000 claims description 55
- 239000012190 activator Substances 0.000 claims description 46
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 45
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 45
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims description 40
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 37
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 37
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims description 36
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 36
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 31
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 239000002223 garnet Substances 0.000 claims description 20
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 17
- 150000004645 aluminates Chemical class 0.000 claims description 16
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 16
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 12
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052586 apatite Inorganic materials 0.000 claims description 11
- VSIIXMUUUJUKCM-UHFFFAOYSA-D pentacalcium;fluoride;triphosphate Chemical compound [F-].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O VSIIXMUUUJUKCM-UHFFFAOYSA-D 0.000 claims description 11
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910021480 group 4 element Inorganic materials 0.000 claims description 10
- PBQYMUKTTMSAIA-UHFFFAOYSA-N OB(O)O.OB(O)O.P.P Chemical compound OB(O)O.OB(O)O.P.P PBQYMUKTTMSAIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims description 4
- 235000005811 Viola adunca Nutrition 0.000 claims description 3
- 240000009038 Viola odorata Species 0.000 claims description 3
- 235000013487 Viola odorata Nutrition 0.000 claims description 3
- 235000002254 Viola papilionacea Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 28
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 227
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 83
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 59
- -1 rare earth aluminate Chemical class 0.000 description 50
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 46
- 229910016066 BaSi Inorganic materials 0.000 description 42
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 37
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 36
- 238000000695 excitation spectrum Methods 0.000 description 32
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 31
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 30
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 28
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 27
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 27
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 27
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 27
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 25
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 24
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 23
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 23
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 23
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 22
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 21
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 20
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 20
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 20
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 20
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 20
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 20
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 19
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 19
- 229910004122 SrSi Inorganic materials 0.000 description 18
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 17
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910004706 CaSi2 Inorganic materials 0.000 description 16
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 16
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 16
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 16
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 230000004044 response Effects 0.000 description 15
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 13
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 12
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 11
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 10
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002585 base Substances 0.000 description 9
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 9
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 8
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical group [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 7
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 7
- 239000000047 product Substances 0.000 description 7
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 6
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910001940 europium oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- AEBZCFFCDTZXHP-UHFFFAOYSA-N europium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Eu+3].[Eu+3] AEBZCFFCDTZXHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PSBUJOCDKOWAGJ-UHFFFAOYSA-N azanylidyneeuropium Chemical compound [Eu]#N PSBUJOCDKOWAGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 4
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910019018 Mg 2 Si Inorganic materials 0.000 description 3
- PHXNQAYVSHPINV-UHFFFAOYSA-N P.OB(O)O Chemical compound P.OB(O)O PHXNQAYVSHPINV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 3
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 3
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000006690 co-activation Effects 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N Borate Chemical compound [O-]B([O-])[O-] BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M Lithium hydroxide Chemical compound [Li+].[OH-] WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 2
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052915 alkaline earth metal silicate Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- AIYUHDOJVYHVIT-UHFFFAOYSA-M caesium chloride Chemical compound [Cl-].[Cs+] AIYUHDOJVYHVIT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002601 lanthanoid compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000004611 light stabiliser Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 239000013014 purified material Substances 0.000 description 2
- FGDZQCVHDSGLHJ-UHFFFAOYSA-M rubidium chloride Chemical compound [Cl-].[Rb+] FGDZQCVHDSGLHJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N silanol Chemical compound [SiH3]O SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 150000004763 sulfides Chemical class 0.000 description 2
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 2
- 101710134784 Agnoprotein Proteins 0.000 description 1
- 229910017980 Ag—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004709 CaSi Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021617 Indium monochloride Inorganic materials 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- 101100496858 Mus musculus Colec12 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910017493 Nd 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003668 SrAl Inorganic materials 0.000 description 1
- OLBVUFHMDRJKTK-UHFFFAOYSA-N [N].[O] Chemical compound [N].[O] OLBVUFHMDRJKTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WAAQUBJIWXTCPY-UHFFFAOYSA-N [O-2].[Al+3].P.[Y+3] Chemical compound [O-2].[Al+3].P.[Y+3] WAAQUBJIWXTCPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHAQRCJYQAKQEE-UHFFFAOYSA-M [O-2].[OH-].O.[Al+3].P Chemical compound [O-2].[OH-].O.[Al+3].P UHAQRCJYQAKQEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N azanylidyneindigane Chemical compound [In]#N NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M chlorogallium Chemical compound [Ga]Cl XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011180 diphosphates Nutrition 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M indium(1+);chloride Chemical compound [In]Cl APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N nobelium Chemical compound [No] ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- ORFSSYGWXNGVFB-UHFFFAOYSA-N sodium 4-amino-6-[[4-[4-[(8-amino-1-hydroxy-5,7-disulfonaphthalen-2-yl)diazenyl]-3-methoxyphenyl]-2-methoxyphenyl]diazenyl]-5-hydroxynaphthalene-1,3-disulfonic acid Chemical group COC1=C(C=CC(=C1)C2=CC(=C(C=C2)N=NC3=C(C4=C(C=C3)C(=CC(=C4N)S(=O)(=O)O)S(=O)(=O)O)O)OC)N=NC5=C(C6=C(C=C5)C(=CC(=C6N)S(=O)(=O)O)S(=O)(=O)O)O.[Na+] ORFSSYGWXNGVFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229920003048 styrene butadiene rubber Polymers 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229920002725 thermoplastic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- PBYZMCDFOULPGH-UHFFFAOYSA-N tungstate Chemical compound [O-][W]([O-])(=O)=O PBYZMCDFOULPGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006097 ultraviolet radiation absorber Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012856 weighed raw material Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】 近紫外領域から可視領域に主発光ピーク波長を持つ光を放出する発光素子(10)と蛍光体(11)とを含む発光装置。発光装置は、直接遷移型の発光中心を持つか、発光素子(10)によって直接励起される2種以上の蛍光体(11)を含む。
【選択図】図1
Description
また、前記第2の蛍光体は、少なくともCeで付活されたガーネット構造を有する希土類アルミン酸塩蛍光体、少なくともEuで付活されたアルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類酸窒化珪素蛍光体、アルカリ土類珪酸塩蛍光体からなる群から選択される1種以上であることが好ましい。
さらに、前記第3の蛍光体は、少なくともEuで付活されたアルカリ土類窒化珪素蛍光体からなる群から選択される1種以上であることが好ましい。
本発明に係る実施の形態1の発光装置は、紫外〜青色域の光を発光する励起光源と、励起光源からの光により、実質的に直接励起される蛍光体を少なくとも2種以上、好ましくは3種以上用いて発光させ、これらの蛍光体の光が混合して各種の発光色を実現する発光装置である。ここで、特に本実施の形態に係る発光装置では、全ての蛍光体がそれぞれ直接遷移型の発光中心を持つことを特徴とし、これにより、発光素子の電流値の変動に対する発光色の変動(色ずれ)、及び駆動機構の相違(特に、DC駆動とパルス駆動の相違)による発光色の変動を極めて小さく抑えている。具体的な発光装置の一例として、図1を用いて説明する。図1は、本発明に係る発光装置を示す図である。尚、本件明細書において、色名と色度座標との関係は、JIS Z8110を参酌している。
実施の形態1の発光装置は、図1に示すように、紫外領域の発光素子10と、発光素子10を載置するためのカップを有するカソード側のリードフレーム13aと、リードフレーム13aから離れて設けられたアノード側のリードフレーム13bと、リードフレーム13aのカップ内に設けられた蛍光体11を含むコーティング部材12と、全体を覆う透明のモールド部材15を有してなり、蛍光体11として直接遷移型の複数の蛍光体が用いられている。
まず、発光素子10をダイボンダーによって、リードフレーム13aのカップにフェイスアップでダイボンド(接着)する。
ダイボンド後、リードフレーム13をワイヤーボンダーに移送し、発光素子の負電極3をリードフレーム13aのカップの上端部分に金線(導電性ワイヤ)でワイヤーボンドし、正電極3をもう一方のリードフレーム13bにワイヤーボンドする。
(蛍光体)
蛍光体11は、発光素子10からの光又は他の蛍光体からの光を吸収して可視光領域に発光ピーク波長を持つ光を放出する、4f−5dなどの直接遷移型の発光中心を持つ、3種以上の直接遷移型の蛍光体からなる。蛍光体11は、励起、吸収から安定発光までの応答速度時間及び1/10残光時間が好ましくは700μsec以下、より好ましくは500μsec以下、さらに好ましくは200μsec以下、よりいっそう好ましくは50μsec以下である。尚、直接遷移型であれば、1msec未満でもよい場合もある。蛍光体11は、発光中心にEu若しくはCeまたはYbを含むことが好ましい。
本発明において、第1の蛍光体は、少なくともEuで付活されたアルカリ土類金属ハロゲンアパタイト蛍光体、少なくともEuで付活されたアルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン塩蛍光体、少なくともEuで付活されたアルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、少なくともEuもしくはCeで付活されたアルカリ土類金属酸窒化ケイ素塩蛍光体もしくはアルカリ土類金属窒化ケイ素塩蛍光体などを使用することができるが、これに限られない。
(1)(M11−a−bEuaL1b)10(PO4)6Q2で表される蛍光体。
ここで、M1は、Mg、Ca、Ba、Sr、Znから選択される少なくとも一種であり、L1は、Mn、Fe、Cr、Snから選択される少なくとも一種であり、Qはハロゲン元素であるF、Cl、Br、Iから選択される少なくとも一種である。
また、0.0001≦a≦0.5、0.0001≦b≦0.5である。
(2)(M11−aEua)10(PO4)6Q2:で表される蛍光体。
ここで、M1は、Mg、Ca、Ba、Sr、Znから選択される少なくとも一種であり、Qはハロゲン元素であるF、Cl、Br、Iから選択される少なくとも一種である。
また、0.0001≦a≦0.5である
(3)(M11−a−bEuaMnb)10(PO4)6Q2:で表される蛍光体。
ここで、M1は、Mg、Ca、Ba、Sr、Znから選択される少なくとも一種であり、Qはハロゲン元素であるF、Cl、Br、Iから選択される少なくとも一種である。
また、0.0001≦a≦0.5、0.0001≦b≦0.5である。
(4)(M21−a−cEuaBac)10(PO4)6Q2:で表される蛍光体。
ここで、M2は、Mg、Ca、Sr、Znから選択される少なくとも一種であり、Qはハロゲン元素であるF、Cl、Br、Iから選択される少なくとも一種である。
また、0.0001≦a≦0.5、0.10≦c≦0.98である。
(5)(M11−aEua)2B5O9Qで表される蛍光体。
ここで、M1は、Mg、Ca、Ba、Sr、Znから選択される少なくとも一種であり、Qはハロゲン元素であるF、Cl、Br、Iから選択される少なくとも一種である。
また、0.0001≦a≦0.5である。
(6)(M11−a−bEuaMnb)2B5O9Qで表される蛍光体。
ここで、M1は、Mg、Ca、Ba、Sr、Znから選択される少なくとも一種であり、Qはハロゲン元素であるF、Cl、Br、Iから選択される少なくとも一種である。
また、0.0001≦a≦0.5、0.0001≦b≦0.5である。
(7)M31−aEuaMgAl10O17で表される蛍光体。
ここで、M3は、Ca、Ba、Sr、Znから選択される少なくとも一種であり、0.0001≦a≦0.5である。
(8)M31−aEuaMg1−bMnbAl10O17で表される蛍光体。
ここで、M3は、Ca、Ba、Sr、Znから選択される少なくとも一種である。
また、0.0001≦a≦0.5、0.0001≦b≦0.5である。
また、本発明において、第2の蛍光体は、少なくともセリウムで付活されたガーネット構造を有する希土類アルミン酸塩系蛍光体、少なくともEuで付活されたアルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、少なくともEuで付活されたアルカリ土類金属珪酸塩蛍光体、少なくともEuもしくはCeで付活されたアルカリ土類金属酸窒化珪素蛍光体、少なくともEuもしくはCeで付活されたアルカリ土類金属硫化ガリウム蛍光体、ZnS:Cu、ZnS:Mn、α−サイアロン系蛍光体、Ca3Sc2Si3O12:Ceなどを使用することができるが、これに限られない。
(9)M11−aEuaAl2O4で表される蛍光体。
ここで、M1は、Mg、Ca、Ba、Sr、Znから選択される少なくとも一種であり、0.0001≦a≦0.5である。
(10)M11−a−bEuaMnbAl2O4で表される蛍光体。
ここで、M1は、Mg、Ca、Ba、Sr、Znから選択される少なくとも一種であり、0.0001≦a≦0.5、0.0001≦b≦0.5である。
(11)(M11−aEua)4Al14O25で表される蛍光体。
ここで、M1は、Mg、Ca、Ba、Sr、Znから選択される少なくとも一種であり、0.0001≦a≦0.5である。
(12)(M11−a−bEuaMnb)Al14O25で表される蛍光体。
ここで、M1は、Mg、Ca、Ba、Sr、Znから選択される少なくとも一種であり、0.0001≦a≦0.5、0.0001≦b≦0.5である。
(13)(M11−aEua)2SiO4で表される蛍光体。
ここで、M1は、Mg、Ca、Ba、Sr、Znから選択される少なくとも一種であり、0.0001≦a≦0.5である。
(14)(M11−a−bEuaMnb)2SiO4で表される蛍光体。
ここで、M1は、Mg、Ca、Ba、Sr、Znから選択される少なくとも一種であり、0.0001≦a≦0.5、0.0001≦b≦0.5である。
本発明において、第3の蛍光体としては、少なくともEuで付活された単斜晶、もしくは斜方晶のアルカリ土類金属窒化珪素蛍光体、例えば、Ca2Si5N8:Eu、Sr2Si5N8:Eu、Ba2Si5N8:Eu、(Ca,Sr)2Si5N8:Euなどを用いることが好ましいが、次の(15)〜(18)の蛍光体を用いることもできる。
(15)(M11−aEua)Sで表されるアルカリ土類金属硫化物蛍光体。
ここで、M1は、Mg、Ca、Ba、Sr、Znから選択される少なくとも一種であり、0.0001≦a≦0.5である。
(16)(M11−a−bEuaMnb)Sで表されるアルカリ土類金属硫化物蛍光体。
ここで、M1は、Mg、Ca、Ba、Sr、Znから選択される少なくとも一種であり、0.0001≦a≦0.5、0.0001≦b≦0.5である。
(17)例えば、LiEuW2O8などのアルカリ金属タングステン酸塩蛍光体。
(18)少なくともEuで付活されたアルカリ金属ホウ酸塩蛍光体。
<青色発光素子との組合せ例>
−発光素子:
青色(420−490nm、例えば、波長450nm)の光を発光する発光素子
−第1の蛍光体:
(M11−aEua)4Al14O25(M1は、Mg、Ca、Ba、SrおよびZnからなる群から選ばれる少なくとも1種を表し、aは0.0001≦a≦0.5を満たす数を表す。)、(M11−aEua)Si2O2N2(M1は、Mg、Ca、Ba、SrおよびZnからなる群から選ばれる少なくとも1種を表し、aは0.0001≦a≦0.5を満たす数を表す。)、M31−aEuaMg1−bMnbAl10O17(M3は、Ca、Ba、SrおよびZnからなる群から選ばれる少なくとも1種を表し、aは0.0001≦a≦0.5を満たす数を表し、bは0.0001≦b≦0.5を満たす数を表す。)およびM11−aEuaAl2O4(M1は、Mg、Ca、Ba、SrおよびZnからなる群から選ばれる少なくとも1種を表し、aは0.0001≦a≦0.5を満たす数を表す。)からなる群から選ばれる少なくとも1種。
−第2の蛍光体:
(Re1−xSmx)3(Al1−yGay)5O12:Ce(Reは、Y、GdおよびLaからなる群から選ばれる少なくとも1種を表し、xは0≦x<1を満たす数を表し、yは0≦y≦1を満たす数を表す。)および/または(M11−aEua)Si2O2N2(M1は、Mg、Ca、Ba、SrおよびZnからなる群から選ばれる少なくとも1種を表し、aは0.0001≦a≦0.5を満たす数を表す。)。
−第3の蛍光体:
M2Si5N8:Eu(Mは、Sr、Ca、Ba、MgおよびZnからなる群から選ばれる少なくとも1種を表す。)。
−発光素子:
近紫外〜可視光のうち比較的短波長の光(300−420nm、例えば、波長400nm)の光を発光する発光素子。
−第1の蛍光体(1):
(M11−aEua)10(PO4)6Q2(M1は、Mg、Ca、Ba、SrおよびZnからなる群から選ばれる少なくとも1種を表し、Qは、F、Cl、BrおよびIからなる群から選ばれる少なくとも1種を表し、aは0.0001≦a≦0.5を満たす数を表す。)、(M11−aEua)2B5O9Q(M1は、Mg、Ca、Ba、SrおよびZnからなる群から選ばれる少なくとも1種を表し、Qは、F、Cl、BrおよびIからなる群から選ばれる少なくとも1種を表し、aは0.0001≦a≦0.5を満たす数を表す。)およびM31−aEuaMgAl10O17(M3は、Ca、Ba、SrおよびZnからなる群から選ばれる少なくとも1種を表し、aは0.0001≦a≦0.5を満たす数を表す。)からなる群から選ばれる少なくとも1種。
−第1の蛍光体(2):
(M11−aEua)4Al14O25(M1は、Mg、Ca、Ba、SrおよびZnからなる群から選ばれる少なくとも1種を表し、aは0.0001≦a≦0.5を満たす数を表す。)、(M11−aEua)Si2O2N2(M1は、Mg、Ca、Ba、SrおよびZnからなる群から選ばれる少なくとも1種を表し、aは0.0001≦a≦0.5を満たす数を表す。)、M31−aEuaMg1−bMnbAl10O17(M3は、Ca、Ba、SrおよびZnからなる群から選ばれる少なくとも1種を表し、aは0.0001≦a≦0.5を満たす数を表し、bは0.0001≦b≦0.5を満たす数を表す。)およびM11−aEuaAl2O4(M1は、Mg、Ca、Ba、SrおよびZnからなる群から選ばれる少なくとも1種を表し、aは0.0001≦a≦0.5を満たす数を表す。)からなる群から選ばれる少なくとも1種。
−第2の蛍光体:
(Re1−xSmx)3(Al1−yGay)5O12:Ce(Reは、Y、GdおよびLaからなる群から選ばれる少なくとも1種を表し、xは0≦x<1を満たす数を表し、yは0≦y≦1を満たす数を表す。)および/または(M11−aEua)Si2O2N2(M1は、Mg、Ca、Ba、SrおよびZnからなる群から選ばれる少なくとも1種を表し、aは0.0001≦a≦0.5を満たす数を表す。)。
−第3の蛍光体:
M2Si5N8:Eu(Mは、Sr、Ca、Ba、MgおよびZnからなる群から選ばれる少なくとも1種を表す。)。
コーティング部材12(光透光性材料)は、リードフレーム13のカップ内に設けられるものであり発光素子10の発光を変換する蛍光体11と混合して用いられる。コーティング部材12の具体的材料としては、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、シリコーン樹脂などの温度特性、耐候性に優れた透明樹脂、金属アルコキシドなどからゾルゲル法により生成される透光性無機部材、ガラス、無機バインダーなどが用いられる。また、蛍光体11と共に拡散剤、チタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウムなどを含有させても良い。また、光安定化剤や着色剤を含有させても良い。また、無機バインダーを用いることもできる。
励起光源は、紫外から可視光に主発光ピーク波長を有するものを使用することが好ましい。励起光源の波長としては、250nm〜500nmの領域が好ましい。特に、290nm〜470nmの範囲が好ましい。より好ましくは、視感度特性の低い340nm〜420nmの範囲である。また、該範囲に主発光ピーク波長を有する励起光源であれば、半導体発光素子やランプ、電子ビーム、プラズマ、ELなどをエネルギー源とするものでも使用でき、特に限定されない。半導体発光素子を用いることが好ましい。
窒化物半導体を使用したpn接合を有する紫外領域の光を効率よく発光可能な発光素子例として、以下のような構造が挙げられる。
その構造例では、まず、バッファ層上に、サファイア基板のオリフラ面と略垂直にSiO2をストライプ状に形成する。次に、ストライプ上にHVPE法を用いてGaNをELOG(Epitaxial Lateral Over Grows GaN)成長させる。続いて、MOCVD法により、n型窒化ガリウムで形成した第1のコンタクト層、n型窒化アルミニウム・ガリウムで形成させた第1のクラッド層、窒化インジウム・アルミニウム・ガリウムの井戸層と窒化アルミニウム・ガリウムの障壁層を複数積層させた多重量子井戸構造の活性層、p型窒化アルミニウム・ガリウムで形成した第2のクラッド層、p型窒化ガリウムで形成した第2のコンタクト層を順に積層させることによりダブルへテロ構造を構成する。この構造では、活性層をリッジストライプ形状としガイド層で挟むと共に共振器端面を設け本発明に利用可能な半導体レーザー素子とすることもできる。
発光素子10は、上述の紫外発光の発光素子と異なる青色系に発光する発光素子を使用することもできる。青色系に発光する発光素子10は、III族窒化物系化合物発光素子であることが好ましい。発光素子10は、例えばサファイア基板1上にGaNバッファ層を介して、Siがアンドープのn型GaN層、Siがドープされたn型GaNからなるn型コンタクト層、アンドープGaN層、多重量子井戸構造の発光層(GaN障壁層/InGaN井戸層の量子井戸構造)、Mgがドープされたp型GaNからなるp型GaNからなるpクラッド層、Mgがドープされたp型GaNからなるp型コンタクト層が順次積層された積層構造を有し、以下のように電極が形成されている。但し、この構成と異なる発光素子も使用できる。pオーミック電極は、p型コンタクト層上のほぼ全面に形成され、そのpオーミック電極上の一部にpパッド電極が形成される。また、n電極は、エッチングによりp型コンタクト層からアンドープGaN層を除去してn型コンタクト層の一部を露出させ、その露出された部分に形成される。
リードフレーム13は、マウントリード13aとインナーリード13bとから構成される。
導電性ワイヤ14は、発光素子10の電極3とリードフレーム13とを電気的に接続するものである。導電性ワイヤ14は、電極3とオーミック性、機械的接続性、電気導電性及び熱伝導性が良いものが好ましい。導電性ワイヤ14の具体的材料としては、金、銅、白金、アルミニウムなどの金属及びそれらの合金などが好ましい。
モールド部材15は、発光素子10、蛍光体11、コーティング部材12、リードフレーム13及び導電性ワイヤ14などを外部から保護するために設けられている。モールド部材15は、外部からの保護目的の他に、視野角を広げたり、発光素子10からの指向性を緩和したり、発光を収束、拡散させたりする目的も併せ持っている。モールド部材は、これらの目的を達成するために適した形状にすることができる。例えば、モールド部材15は、凸レンズ形状、凹レンズ形状の他、複数積層する構造であっても良い。モールド部材15の具体的材料としては、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、シリコーン樹脂、金属アルコキシドなどからゾルゲル法により生成される透光性無機部材、ガラスなどの透光性、耐候性、温度特性に優れた材料を使用することができる。モールド部材15には、拡散剤、着色剤、紫外線吸収剤や蛍光体を含有させることもできる。拡散剤としては、チタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウム等が好ましい。コーティング部材12との材質の反発性を少なくするため、屈折率を考慮するため、同材質を用いることが好ましい。
本発明に係る実施の形態2の発光装置は、実施の形態1の発光装置において、特に、発光素子として青色発光素子を用い、第2の蛍光体としてイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体がより(YAG系蛍光体)を用いて構成したものである。尚、その他の点は、実施の形態1と同様である。
(Re1-xSmx)3(Al1-yGay)5O12:Ce蛍光体は、ガーネット構造のため、熱、光及び水分に強く、特に、高輝度で長時間使用する場合に好適である。また、励起スペクトルのピークを470nm付近に設定することができる。発光ピークは530nm付近にあり、720nmまで裾を引くブロードな発光スペクトルが得られる。
特に、YAG系蛍光体は、Al、Ga、In、Y、La及びGdやSmの含有量が異なる2種類以上の(Re1-xSmx)3(Al1-yGay)5O12:Ce蛍光体を混合させることにより、RGBの波長成分を増やすことができる。また、現在のところ半導体発光素子の発光波長には、バラツキが生ずるものがあるが、2種類以上の蛍光体を混合することにより、所望の白色系の混色光等を得ることができる。つまり、発光素子の発光波長に合わせて色度点の異なる蛍光体を組み合わせることにより、それらの蛍光体間と発光素子とで結ばれる色度図上の任意の点の光を発光させることができる。
本実施の形態では、励起光源に250nm〜500nmに主発光ピークを持つ励起光源を用い、その励起光源によって直接励起される蛍光体として酸窒化物蛍光体または窒化物蛍光体を含む2種以上を用いる。以下、特に説明する点を除いては、実施の形態1と同様である。
例えば、酸窒化物または窒化物蛍光体と青色系(420−490nm)に発光する蛍光体を組み合わせれば、酸窒化物蛍光体または窒化物蛍光体は、励起光源によって直接励起されるだけでなく、他の蛍光体からの青色系光(420−490nm)によっても励起される。即ち、青色系に発光する蛍光体(例えば、アルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体など)を励起光源として、その青色光によっても酸窒化物系蛍光体及び窒化物系蛍光体が励起され、発光することで広い色調範囲に発光する発光装置を提供することができる。ここで青色系に発光する蛍光体としては、実施の形態1において第1の蛍光体として挙げたものを用いることができる。
(b)(M11−aEua)4Al14O25(M1は、Mg、Ca、Ba、SrおよびZnからなる群から選ばれる少なくとも1種を表し、aは0.0001≦a≦0.5を満たす数を表す。)、
M31−aEuaMg1−bMnbAl10O17(M3は、Ca、Ba、SrおよびZnからなる群から選ばれる少なくとも1種を表し、aは0.0001≦a≦0.5を満たす数を表し、bは0.0001≦b≦0.5を満たす数を表す。)、
M11−aEuaAl2O4(M1は、Mg、Ca、Ba、SrおよびZnからなる群から選ばれる少なくとも1種を表し、aは0.0001≦a≦0.5を満たす数を表す。)、
(Re1−xSmx)3(Al1−yGay)5O12:Ce(Reは、Y、GdおよびLaからなる群から選ばれる少なくとも1種を表し、xは0≦x<1を満たす数を表し、yは0≦y≦1を満たす数を表す。)、及び
MGa2S4:Eu(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。Xは、F、Cl、Br、Iから選ばれる少なくとも1種以上である。)からなる群から選択された1種以上の蛍光体と、
を組合せ、青色発光素子(ピーク波長420−490nm)を励起光源することも好ましい。
このような組合せで発光装置を構成すれば、温度特性と励起効率に優れた発光装置を提供することができる。また、発光素子の駆動電流密度を変更した場合であっても発光色の変動の少ない発光装置とすることができる。さらに、ライフ特性も向上する。
(M11−aEua)2B5O9Q(M1は、Mg、Ca、Ba、SrおよびZnからなる群から選ばれる少なくとも1種を表し、Qは、F、Cl、BrおよびIからなる群から選ばれる少なくとも1種を表し、aは0.0001≦a≦0.5を満たす数を表す。)
M31−aEuaMgAl10O17(M3は、Ca、Ba、SrおよびZnからなる群から選ばれる少なくとも1種を表し、aは0.0001≦a≦0.5を満たす数を表す。)、
(M11−aEua)4Al14O25(M1は、Mg、Ca、Ba、SrおよびZnからなる群から選ばれる少なくとも1種を表し、aは0.0001≦a≦0.5を満たす数を表す。)、
M31−aEuaMg1−bMnbAl10O17(M3は、Ca、Ba、SrおよびZnからなる群から選ばれる少なくとも1種を表し、aは0.0001≦a≦0.5を満たす数を表し、bは0.0001≦b≦0.5を満たす数を表す。)
M11−aEuaAl2O4(M1は、Mg、Ca、Ba、SrおよびZnからなる群から選ばれる少なくとも1種を表し、aは0.0001≦a≦0.5を満たす数を表す。)、
(Re1−xSmx)3(Al1−yGay)5O12:Ce(Reは、Y、GdおよびLaからなる群から選ばれる少なくとも1種を表し、xは0≦x<1を満たす数を表し、yは0≦y≦1を満たす数を表す。)
MGa2S4:Eu(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。Xは、F、Cl、Br、Iから選ばれる少なくとも1種以上である。)から成る群から選択された1種以上の蛍光体と、
を組合せ、近紫外〜可視光の短波長域(300−420nm)を励起光源とすることも好ましい。
このような組合せで発光装置を構成しても、温度特性と励起効率に優れた発光装置を提供することができる。また、発光素子の駆動電流密度を変更した場合であっても発光色の変動の少ない発光装置とすることができる。さらに、発光素子の出力バラツキがあった場合も色度ズレが生じず、高い歩留まりで発光装置を製造することができる。
(b)(M11−aEua)10(PO4)6Q2(M1は、Mg、Ca、Ba、SrおよびZnからなる群から選ばれる少なくとも1種を表し、Qは、F、Cl、BrおよびIからなる群から選ばれる少なくとも1種を表し、aは0.0001≦a≦0.5を満たす数を表す。)、
(M11−aEua)2B5O9Q(M1は、Mg、Ca、Ba、SrおよびZnからなる群から選ばれる少なくとも1種を表し、Qは、F、Cl、BrおよびIからなる群から選ばれる少なくとも1種を表し、aは0.0001≦a≦0.5を満たす数を表す。)、
M31−aEuaMgAl10O17(M3は、Ca、Ba、SrおよびZnからなる群から選ばれる少なくとも1種を表し、aは0.0001≦a≦0.5を満たす数を表す。)、
(M11−aEua)4Al14O25(M1は、Mg、Ca、Ba、SrおよびZnからなる群から選ばれる少なくとも1種を表し、aは0.0001≦a≦0.5を満たす数を表す。)、
M31−aEuaMg1−bMnbAl10O17(M3は、Ca、Ba、SrおよびZnからなる群から選ばれる少なくとも1種を表し、aは0.0001≦a≦0.5を満たす数を表し、bは0.0001≦b≦0.5を満たす数を表す。)、 及びM11−aEuaAl2O4(M1は、Mg、Ca、Ba、SrおよびZnからなる群から選ばれる少なくとも1種を表し、aは0.0001≦a≦0.5を満たす数を表す。)からなる群から選ばれる少なくとも1種以上と、
を組合せ、近紫外〜可視光の短波長域(300―420nm)にピーク波長を持つ発光素子を励起光源とすることが好ましい。
これによって、高輝度で、高演色性の白色発光装置を得ることができる。
[表1]
[表2]
(蛍光体)
蛍光体11として、直接励起される蛍光体として酸窒化物蛍光体または窒化物蛍光体を含む2種以上を用いる。直接励起されるとは、主に励起光源からの光によって励起されるものであり、例えば、紫外線領域に主発光ピークを持つ励起光源を用いたときに、発光効率が可視光領域での最大値の60%以上であるものをいう。逆に、直接励起されない場合とは、励起光源からの光によっては、ほとんど励起されず、励起光源からの光により励起された、異なる蛍光体からの1次光が励起光源となり、この1次光により励起される場合をいう。
酸窒化物蛍光体としては、アルカリ土類金属酸窒化物蛍光体が好ましく、アルカリ土類金属酸窒化珪素蛍光体を用いることがより好ましい。アルカリ土類金属酸窒化物蛍光体としては、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Znからなる群から選ばれる少なくとも1種以上である第II族元素と、C、Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Hfからなる群から選ばれる少なくとも1種以上である第IV族元素と、賦活剤Rである希土類元素と、を含み結晶構造を有する。この元素の組合せは任意であるが、以下の組成のものを使用することが好ましい。この酸窒化物系蛍光体は、LXMYOZN((2/3)X+(4/3)Y−(2/3)Z):R、又は、LXMYQTOZN((2/3)X+(4/3)Y+T−(2/3)Z):Rの一般式で表される。ここでLは、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Znからなる群から選ばれる少なくとも1種以上である第II族元素である。Mは、C、Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Hfからなる群から選ばれる少なくとも1種以上である第IV族元素である。Qは、B、Al、Ga、Inからなる群から選ばれる少なくとも1種以上である第III族元素である。Oは、酸素元素である。Nは、窒素元素である。Rは、希土類元素である。0.5<X<1.5、1.5<Y<2.5、0<T<0.5、1.5<Z<2.5である。前記X、前記Y、前記Zは、該範囲で高い輝度を示す。そのうち特に、一般式中、前記X、前記Y、前記Zが、X=1、Y=2、Z=2で表される酸窒化物系蛍光体は高い輝度を示すため特に好ましい。
具体的にはCaSi2O2N2:Eu、SrSi2O2N2:Eu、BaSi2O2N2:Eu、ZnSi2O2N2:Eu、CaGe2O2N2:Eu、SrGe2O2N2:Eu、BaGe2O2N2:Eu、ZnGe2O2N2:Eu、Ca0.5Sr0.5Si2O2N2:Eu、Ca0.5Ba0.5Si2O2N2:Eu、Ca0.5Zn0.5Si2O2N2:Eu、Ca0.5Be0.5Si2O2N2:Eu、Sr0.5Ba0.5Si2O2N2:Eu、Ca0.8Mg0.2Si2O2N2:Eu、Sr0.8Mg0.2Si2O2N2:Eu、Ca0.5Mg0.5Si2O2N2:Eu、Sr0.5Mg0.5Si2O2N2:Eu、CaSi2B0.1O2N2:Eu、SrSi2B0.1O2N2:Eu、BaSi2B0.1O2N2:Eu、ZnSi2B0.1O2N2:Eu、CaGe2B0.01O2N2:Eu、SrGe2Ga0.01O2N2:Eu、BaGe2In0.01O2N2:Eu、ZnGe2Al0.05O2N2:Eu、Ca0.5Sr0.5Si2B0.3O2N2:Eu、CaSi2.5O1.5N3:Eu、SrSi2.5O1.5N3:Eu、BaSi2.5O1.5N3:Eu、Ca0.5Ba0.5Si2.5O1.5N3:Eu、Ca0.5Sr0.5Si2.5O1.5N3:Eu、Ca1.5Si2.5O2.5N2.7:Eu、Sr1.5Si2.5O2.5N2.7:Eu、Ba1.5Si2.5O2.5N2.7:Eu、Ca1.0Ba0.5Si2.5O1.5N3:Eu、Ca1.0Sr0.5Si2.5O1.5N3:Eu、Ca0.5Si1.5O1.5N1.7:Eu、Sr0.5Si1.5O1.5N1.7:Eu、Ba0.5Si1.5O1.5N1.7:Eu、Ca0.3Ba0.2Si2.5O1.5N3:Eu、Ca0.2Sr0.3Si2.5O1.5N3:Eu等で表される酸窒化物系蛍光体を使用することできる。
特に、第2の付活剤がYbであるときは、第II族元素と第1の付活剤およびYbとの混合量に対して、モル比で0.001以上であるのがより好ましく、かつ、モル比で0.05以下であるのがより好ましい。第2の付活剤がTmであるときは、第II族元素と第1の付活剤およびTmとの混合量に対して、モル比で0.001以上であるのがより好ましく、かつ、モル比で0.05以下であるのがより好ましい。第2の付活剤がDyであるときは、第II族元素と第1の付活剤およびDyとの混合量に対して、モル比で0.001以上であるのがより好ましく、かつ、モル比で0.06以下であるのがより好ましい。
[SrSi2O2N2:Eu]
次に、酸窒化物蛍光体の具体例として、SrSi2O2N2:Euについて説明する。表3及び表4は、種々のEu配合比で作成したSrSi2O2N2:Euの発光特性を示す。
[表3]
[表4]
まず、原料は、Sr3N2、Si3N4、SiO2、Eu2O3を使用した。該原料を、それぞれ0.1〜3.0μmに粉砕した。粉砕後、表に示す所定の数量となるように秤量を行った。Srの一部は、Euで置換されるため、Sr(1−X)EuXSi2O2N2(0<X<1)である。上記数量を秤量した後、所定の数量のSr3N2、Si3N4、SiO2、Eu2O3を、窒素雰囲気中、グローブボックス内で、均一になるまで混合した。
上記化合物を混合し、アンモニア雰囲気中で、窒化ホウ素坩堝に投入し、約1500℃で約5時間、焼成を行った。これにより、目的とする酸窒化物系蛍光体を得た。得られた酸窒化物系蛍光体の原料配合比からの理論組成は、Sr(1−X)EuXSi2O2N2(0<X<1)である。
これら上記酸窒化物系蛍光体のX線回折像を測定したところ、いずれもシャープな回折ピークを示し、得られた蛍光体が、規則性を有する結晶性の化合物であることが明らかとなった。この結晶構造は、斜方晶であった。
次に、酸窒化物蛍光体の別の具体例として、CaSi2O2N2:Euについて説明する。表5及び表6は、種々のEu配合比で作成したCaSi2O2N2:Euの発光特性を示す。
[表5]
[表6]
原料は、Ca3N2、Si3N4、SiO2、Eu2O3を使用した。これらの原料を蛍光体1と同様な製造方法を用いて蛍光体27乃至40の酸窒化物系蛍光体の製造を行った。該原料を、所定のモル比となるように製造を行った。得られた酸窒化物系蛍光体の理論組成は、Ca(1−X)EuXSi2O2N2(0<X<1)である。Caの一部は、Euで置換されている。表におけるEuの配合比は、Euのモル比を示す。
次に、酸窒化物蛍光体の別の具体例として、BaSi2O2N2:Euについて説明する。表7及び表8は、種々のEu配合比で作成したBaSi2O2N2:Euの発光特性を示す。
[表7]
[表8]
原料は、Ba3N2、Si3N4、SiO2、Eu2O3を使用した。これらの原料を蛍光体1と同様な製造方法を用いて蛍光体41乃至48の酸窒化物系蛍光体の製造を行った。該原料を、所定のモル比となるように製造を行った。得られた酸窒化物系蛍光体の理論組成は、Ba(1−X)EuXSi2O2N2(0<X<1)である。Baの一部は、Euで置換されている。表におけるEuの配合比は、Euのモル比を示す。
表9は、BaSi2O2N2:EuにBを添加した例(蛍光体42の1〜10)を示す。400nm近傍、460nmのいずれの励起光源を用いてを照射したときも、蛍光体42の1を基準にして、他の蛍光体の発光輝度、エネルギー効率、量子効率は、その相対値で示す。
[表9]
原料は、Ba3N2、Si3N4、SiO2、Eu2O3およびH3BO3を使用した。これらの原料を蛍光体1と同様な製造方法を用いて蛍光体42の1〜10の酸窒化物系蛍光体の製造を行った。原料は、所定のモル比となるように製造した。得られた酸窒化物系蛍光体の理論組成は、Ba0.98Eu0.02Si2-xBxO2+xN2-xである。蛍光体42の1〜10より、Bの含有量が多すぎると、EX=400nmのときの発光輝度や、EX=460nmのときのピーク強度が低下することがわかる。
次に、Euと他の希土類元素で共賦活した例としてBaSi2O2N2:Eu,Lnについて説明する。表10〜20は、種々の希土類元素とEuを賦活剤として加えたBaSi2O2N2の発光特性を示す。各蛍光体Ln1〜Ln6は、BaSi2O2N2:Eu,Lnに関する例である。ここでLnは、Yb、Tm、Dy、Nd、Gd、Tb、Y、Sm、Er、CeおよびLuからなる群から選ばれるいずれか1種を表す。400nm近傍の励起光源を用いて蛍光体Ln1〜Ln6を照射したとき、蛍光体Ln1を基準にして、他の蛍光体の発光輝度、エネルギー効率、量子効率は、その相対値で示す。460nm近傍の励起光源を用いて蛍光体Ln1〜Ln6を照射したときも、蛍光体Ln1を基準にして、他の蛍光体のピーク強度を相対値で示す。
(1)LXMYOZN((2/3)X+(4/3)Y−(2/3)Z):Rの製造方法
[SrSi2O2N2:Eu]
次に、酸窒化物系蛍光体の製造方法の詳細について、SrSi2O2N2:Euを例に説明する。尚、本件発明は、この製造方法に限定されるものではない。図11は、酸窒化物系蛍光体の製造方法を示す工程図である。
同様に、CaSi2O2N2:Euは次のようにして製造できる。まず所定配合比となるように、Caの窒化物、Siの窒化物、Siの酸化物、Euの酸化物を混合する。あらかじめCaの窒化物、Siの窒化物、Siの酸化物、Euの酸化物を準備する。これら原料は、精製したものを用いる方が良いが、市販のものを用いても良い。尚、ここではCaとSiの窒化物を製造するところから説明する。
[化2]
3Ca + N2 → Ca3N2
Caを、窒素雰囲気中、600〜900℃、約5時間、窒化して、Caの窒化物を得ることができる。Caの窒化物は、高純度のものが好ましいが、市販のものも使用することができる。
[化3]
3Si + 2N2 → Si3N4
ケイ素Siも、窒素雰囲気中、800〜1200℃、約5時間、窒化して、窒化ケイ素を得る。本発明で使用する窒化ケイ素は、高純度のものが好ましいが、市販のものも使用することができる。
同様に、Siの窒化物を粉砕する。
次に、Caの窒化物、Siの窒化物、Siの酸化物、Euの酸化物の混合物をアンモニア雰囲気中、約1500℃で、焼成する。当該混合物を坩堝に投入し、焼成を行う。混合及び焼成により、CaSi2O2N2:Euで表される酸窒化物蛍光体を得ることができる。
[化4]
(1/3)Ca3N2+(1/3)Si3N4+SiO2+aEu2O3
→CaSi2O2N2:Eu
ただし、この組成は、配合比率より推定される代表組成であり、その比率の近傍では、実用に耐える十分な特性を有する。また、各原料の配合比率を変更することにより、目的とする蛍光体の組成を変更することができる。
次に、LXMYQTOZN((2/3)X+(4/3)Y+T−(2/3)Z):Rで表される酸窒化物蛍光体の製造方法について、SrXSiYBTOZN((2/3)X+(4/3)Y+T−(2/3)Z−α):Euを例に説明する。
すなわち、まずEuとBの混合物を粉砕する。粉砕後のEuとBの混合物の平均粒径は、約0.1μmから15μmであることが好ましい。次に、前述のSrSi2O2N2:Euの製造工程とほぼ同様に、Srの窒化物、Siの窒化物、Siの酸化物、Bを含有するEuの酸化物、を混合する。該混合後、焼成を行い、目的の酸窒化物系蛍光体を得ることができる。
窒化物蛍光体は、アルカリ土類金属窒化物蛍光体であることが好ましく、アルカリ土類金属窒化珪素蛍光体であることがより好ましい。アルカリ土類金属窒化珪素蛍光体としては、M2Si5N8:Eu、MSi7N10:Eu、M1.8Si5O0.2N8:Eu、M0.9Si7O0.1N10:Eu(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。)などが挙げられる。この窒化物蛍光体では、発光輝度を向上させるために、Bが含まれていることが好ましい。また、このB(ホウ素)の含有量は、1ppm以上10000ppm以下であることが好ましく、この範囲のホウ素を含有させることでより効果的に発光輝度を向上させることができる。
窒化物系蛍光体の具体例として、(Ca0.97Eu0.03)2Si5N8について説明する。表21は、種々のB含有量で作成した(Ca0.97Eu0.03)2Si5N8の発光特性を示す。表21では、蛍光体49の窒化物系蛍光体を基準に、発光輝度、量子効率を相対値で示している。蛍光体49乃至52において、Eu濃度は0.03である。Eu濃度は、Caのモル濃度に対してのモル比である。
[表21]
まず、原料のCaを1〜15μmに粉砕し、窒素雰囲気中で窒化した。その後、Caの窒化物を0.1〜10μmに粉砕した。原料のCaを20g秤量し、窒化を行った。
同様に、原料のSiを1〜15μmに粉砕し、窒素雰囲気中で窒化した。その後、Siの窒化物を0.1〜10μmに粉砕した。原料のSiを20g秤量し、窒化を行った。
次に、Euの化合物Eu2O3に、Bの化合物H3BO3を湿式混合した。Euの化合物Eu2O3を20g、H3BO3を所定量秤量した。H3BO3を溶液とした後、Eu2O3に混合し、乾燥した。乾燥後、700℃〜800℃で約5時間、酸化雰囲気中で焼成を行った。これによりBが添加された酸化ユウロピウムが製造された。この焼成後、EuとBとの混合物を0.1〜10μmに粉砕した。
Caの窒化物、Siの窒化物、EuとBの混合物を、窒素雰囲気中で混合した。蛍光体49乃至52において、原料である窒化カルシウムCa3N2:窒化ケイ素Si3N4:酸化ユウロピウムEu2O3の各元素の混合比率(モル比)は、Ca:Si:Eu=1.94:5:0.06となるように調整する。この混合比率になるように、Ca3N2(分子量148.26)、Si3N4(分子量140.31)を、EuとBの混合物を秤量し、混合を行った。Bの添加量は、最終組成の分子量に対して10ppm、200ppm、500ppm、1000ppmである。
上記化合物を混合し、焼成を行った。焼成条件は、アンモニア雰囲気中、上記化合物を坩堝に投入し、室温から徐々に昇温して、約1600℃で約5時間、焼成を行い、ゆっくりと室温まで冷却した。一般に、添加していたBは、焼成を行っても組成中に残留しているが、焼成によりBの一部が飛散して、最終生成物中に、当初の添加量よりも少ない量が残存している場合がある。
窒化物系蛍光体の具体例として、(Sr0.97Eu0.03)2Si5N8について説明する。表22は、種々のB含有量で作成した(Sr0.97Eu0.03)2Si5N8の発光特性を示す。表22では、蛍光体53の窒化物系蛍光体を基準に、発光輝度、量子効率を相対値で示している。蛍光体53乃至58において、Eu濃度は0.03である。Eu濃度は、Srのモル濃度に対してのモル比である。
[表22]
表23は、蛍光体52乃至58とは異なる温度で焼成した(Sr0.97Eu0.03)2Si5N8の発光特性を示す。蛍光体52乃至58では、1350℃で焼成を行ったが、蛍光体59乃至63では約1600℃で焼成を行った。表23では、蛍光体59の窒化物系蛍光体を基準に、発光輝度、量子効率を相対値で示している。蛍光体59乃至63において、Eu濃度は0.03である。Eu濃度は、Srのモル濃度に対してのモル比である。
[表23]
次に、Bを含有する窒化物系蛍光体Ca2Si5N8:Euの製造方法を説明するが、本製造方法に限定されない。。
原料のCaを、窒素雰囲気中で窒化する(P12)。この反応式を、化5に示す。
[化5]
3Ca + N2 → Ca3N2
Caを、窒素雰囲気中、600〜900℃、約5時間、窒化して、Caの窒化物を得ることができる。次に、Caの窒化物を粉砕する(P13)。
原料のSiを、窒素雰囲気中で窒化する(P15)。この反応式を、化6に示す。
[化6]
3Si + 2N2 → Si3N4
ケイ素Siも、窒素雰囲気中、800〜1200℃、約5時間、窒化して、窒化ケイ素を得る。同様に、Siの窒化物を粉砕する(P16)。
[化7]
ただし、各原料の配合比率を変更することにより、目的とする蛍光体の組成を変更することができる。
以上の製造方法を使用することにより、目的とする窒化物系蛍光体を得ることが可能である。
蛍光体11として、酸窒化物系蛍光体や窒化物系蛍光体と組み合わせて、次のような蛍光体を用いることができる。すなわち、Eu等のランタノイド系、Mn等の遷移金属系の元素により主に付活されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類ケイ酸塩、希土類酸硫化物、アルカリ土類硫化物、アルカリ土類チオガレード、アルカリ土類窒化ケイ素、ゲルマン酸塩、又は、Ce等のランタノイド系元素で主に付活される希土類アルミン酸塩、希土類ケイ酸塩、又は、Eu等のランタノイド系元素で主に賦活される有機及び有機錯体等から選ばれる少なくともいずれか1以上であることが好ましい。具体例として、下記の蛍光体を使用することができるが、これに限定されない。
本実施の形態では、250nmから420nmまでに主発光ピークを持つ発光素子を用い、発光素子の発光によって実質的に直接励起される直接励起蛍光体(第1の蛍光体)を少なくとも2種以上と、該2種以上の直接励起蛍光体からの光の一部により励起される間接励起蛍光体(第2の蛍光体)とを用いる。2種以上の直接励起蛍光体は、結晶性を有する酸窒化物系蛍光体若しくは窒化物系蛍光体を1種以上含むようにする。間接励起蛍光体には、YAG系蛍光体を用いることが好ましい。その他の点は、実施の形態3と同様である。
(M11−aEua)2B5O9Q(M1は、Mg、Ca、Ba、SrおよびZnからなる群から選ばれる少なくとも1種を表し、Qは、F、Cl、BrおよびIからなる群から選ばれる少なくとも1種を表し、aは0.0001≦a≦0.5を満たす数を表す。)、
M31−aEuaMgAl10O17(M3は、Ca、Ba、SrおよびZnからなる群から選ばれる少なくとも1種を表し、aは0.0001≦a≦0.5を満たす数を表す。)、
(M11−aEua)4Al14O25(M1は、Mg、Ca、Ba、SrおよびZnからなる群から選ばれる少なくとも1種を表し、aは0.0001≦a≦0.5を満たす数を表す。)、
M31−aEuaMg1−bMnbAl10O17(M3は、Ca、Ba、SrおよびZnからなる群から選ばれる少なくとも1種を表し、aは0.0001≦a≦0.5を満たす数を表し、bは0.0001≦b≦0.5を満たす数を表す。)、 及びM11−aEuaAl2O4(M1は、Mg、Ca、Ba、SrおよびZnからなる群から選ばれる少なくとも1種を表し、aは0.0001≦a≦0.5を満たす数を表す。)からなる群から選ばれる少なくとも1種以上を用い、
間接蛍光体として、(c)(Re1-xSmx)3(Al1-yGay)5O12:Ce(0≦x<1、0≦y≦1、但し、Reは、Y、Gd、Laからなる群から選択される少なくとも一種の元素である。)を用いることが好ましい。
この組合せの蛍光体を、250〜420nmにピーク波長を持つ発光素子と組み合わせることにより、高輝度で、演色性の高い白色発光素子を構成することができる。
以上説明したように、実施の形態1や2は、いずれも複数の蛍光体をそれぞれ直接遷移型とすることにより、発光素子の電流値の変動に対する発光色の変動(色ずれ)、及び駆動機構の相違(特に、DC駆動とパルス駆動の相違)による発光色の変動を極めて小さく抑えている。
以下に発光素子の電流値の変動及び駆動機構の相違以外の要因による発光色の変動を考慮したときのより好ましい形態について説明する。
すなわち、実施の形態1〜4のように2種類以上の蛍光体を用いて発光装置を構成した場合、発光素子の発光波長の変動により、2つの蛍光体における励起効率の波長依存性が異なる場合には、光の混合比が変化し、発光色が変動する。
しかしながら、発光素子の発光波長が変化した場合でも、複数の蛍光体の励起効率が同じように変化するようにして、発光素子の発光波長の変動範囲において、光の混合比が常に一定に保たれるように組成を設定すると、発光素子の発光波長の変動による色ずれを防止することができる。
まず、半導体発光素子は、図15に示すように、投入電流を増加することにより、ピーク波長が短波長側にシフトする。これは、投入電流を増加すると、電流密度が大きくなって、バンドギャップが大きくなることなどによる。発光素子への電流密度が小さい場合の発光スペクトルのピーク波長と、投入電流を増加させた時の発光スペクトルのピーク波長との変動は、例えば、20mAから100mAの投入電流の変化に対して、約10nm程度である(図15)。
そこで、発光素子として、電流を投入した直後(例えば、20mA程度の低い電流値のとき)の発光ピーク波長が460nmである素子を選択すると、その発光素子において投入電流を増加して100mAの電流を投入した場合、発光ピーク波長は約450nmとなるが、波長460nmの光で励起した場合と、波長450nmの光で励起した場合とでは、窒化物蛍光体の励起効率とYAG系蛍光体の励起効率の比率には変化がない。
これにより、発光素子における投入電流量により発光ピーク波長が変化した場合であっても、YAG系蛍光体の発光強度と窒化物蛍光体の発光強度の比を一定にでき、色ずれの発生を無くすことができる。
尚、発光素子の電流投入量を、例えば、20mAから100mAに増加させた場合、発光素子の発光強度は高くなって、YAG系蛍光体の発光強度と窒化物蛍光体の発光強度はそれぞれ高くなるが、YAG系蛍光体と窒化物蛍光体の間の発光強度比は一定に保たれる。したがって、発光装置全体としての発光強度は高くなるが、色ずれが生じることはない。
例えば、後述の実施例15及び16は、直接遷移型の発光中心を持つ蛍光体を選択し、かつ励起効率の励起波長依存性を考慮して発光装置を構成したものである。実施例15及び16は、励起効率の励起波長依存性を考慮していない比較例5の発光装置と比較して、電流密度の変動に対する色ずれ及び演色性の変化が小さく、光源として優れている。
以上2つの蛍光体について説明したが、3種類又はそれ以上の場合でも理屈は同じである。
以上のようにすると、調光可能な照明光源として用いた場合でも色ずれのない照明とでき、また、パルス駆動の場合と連続発光の場合とで発光色が変化をより小さくできる。
実施の形態1〜5では、さらに各蛍光体の発光強度の温度依存性を考慮して組成及び組成比を設定することにより、温度変動に対する色ずれを防止できる。すなわち、本形態では、好ましくは各蛍光体の周囲温度の変化にともなう発光強度の変化が互いにほぼ等しくなるように各組成及び組成比を設定する。使用環境温度の変化や発光素子の発熱等により蛍光体の周囲温度の変化による色ずれを防止するためである。すなわち、発光強度の温度依存性が異なると、周囲温度の変化によって蛍光体間の発光強度比が変動して色ずれが生じるからである。
また、一般に、蛍光体は周囲温度の上昇と共に励起効率が低下するため、蛍光体から出光する光の出力も低下するが、その低下率はいうまでもなく小さい方が好ましい。
実施例1では、La3Al5O12:CeやCa2Si5N8:Euなど比較的、温度上昇に対する輝度の低下の少ない蛍光体を用いている。一方、比較例6は直接遷移型の発光中心を持つ蛍光体ではあるが、温度上昇に対する輝度の低下の比較的大きい、SrGa2S4:EuやCaS:Euを用いている。この違いにより、実施例1の発光装置は、比較例6の発光装置に比べて、色ずれ及び演色性の変化が少なく、光源として優れている。
実施の形態7の発光装置は、表面実装型の発光装置であり、その構成要素は実施の形態1と同様である(図18)。発光素子101は、紫外光励起の窒化物半導体発光素子を用いることができる。また、発光素子101は、青色光励起の窒化物半導体発光素子も用いることもできる。ここでは、紫外光励起の発光素子101を例にとって、説明する。発光素子101は、発光層として発光ピーク波長が約370nmのInGaN半導体を有する窒化物半導体発光素子を用いる。より具体的なLEDの素子構造としてサファイア基板上に、アンドープの窒化物半導体であるn型GaN層、Siドープのn型電極が形成されn型コンタクト層となるGaN層、アンドープの窒化物半導体であるn型GaN層、窒化物半導体であるn型AlGaN層、次に発光層を構成するInGaN層の単一量子井戸構造としてある。発光層上にはMgがドープされたp型クラッド層としてAlGaN層、Mgがドープされたp型コンタクト層であるGaN層を順次積層させた構成としてある。(なお、サファイア基板上には低温でGaN層を形成させバッファ層とさせてある。また、p型半導体は、成膜後400℃以上でアニールさせてある。)。エッチングによりサファイア基板上の窒化物半導体に同一面側で、pn各コンタクト層表面を露出させる。露出されたn型コンタクト層の上にn電極を帯状に形成し、切除されずに残ったp型コンタクト層のほぼ全面に、金属薄膜から成る透光性p電極が形成され、さらに透光性p電極の上にはn電極と平行に台座電極がスパッタリング法を用いて形成されている。
以上のように構成されたパッケージ105の凹部内に、Ag−Sn合金にて上述のLEDチップ101がダイボンドされる。このように構成することにより、発光装置の構成部材を全て無機物とすることができ、LEDチップ101から放出される発光が紫外領域或いは可視光の短波長領域であったとしても飛躍的に信頼性の高い発光装置が得られる。
ガラス窓部107には、例えば、Bが添加されたCa2Si5N8:Eu、(Y0.8Gd0.2)3Al5O12:Ce等の窒化物蛍光体とYAG系蛍光体を含む色変換層109が形成されている。この色変換層109は、あらかじめニトロセルロース90wt%とγ−アルミナ10wt%からなるスラリーに窒化物蛍光体からなる蛍光体108を含有させ、透光性窓部107の背面(凹部に対向する面)に塗布し、220℃にて30分間加熱硬化させることにより形成される。
前記塗布液を前記窓部107の背面に塗布する。その後、温風あるいは熱風を吹き込み乾燥させる。最後に400℃〜700℃の温度でベーキングを行い、前記ビヒクルを飛散させる。これにより所望の場所に蛍光体層が結着剤にて付着される。
実施の形態8の発光装置は、キャップタイプの発光装置であり、その構成要素は実施の形態1と同様である(図19)。発光素子10は、例えば、365nmの紫外光領域に主発光ピークを有する発光素子を使用する。発光装置は、モールド部材15の表面に、蛍光体(図示しない)を分散させた光透過性樹脂からなるキャップ16を被せることにより構成される。
キャップ16は、蛍光体を光透過性樹脂に均一に分散させている。この蛍光体を含有する光透過性樹脂を、発光装置1のモールド部材15の形状に嵌合する形状に成形している。または、所定の型枠内に蛍光体を含有する光透過性樹脂を入れた後、発光装置1を該型枠内に押し込み、成型する製造方法も可能である。キャップ16の光透過性樹脂の具体的材料としては、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、シリコーン樹脂などの温度特性、耐候性に優れた透明樹脂、シリカゾル、ガラス、無機バインダーなどが用いられる。上記の他、メラミン樹脂、フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂を使用することができる。また、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン等の熱可塑性樹脂、スチレン−ブタジエンブロック共重合体、セグメント化ポリウレタン等の熱可塑性ゴム等も使用することができる。また、蛍光体と共に拡散剤、チタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウムなどを含有させても良い。また、光安定化剤や着色剤を含有させても良い。キャップ16に使用される蛍光体は、Ca10(PO4)6Cl2:Eu、BaSi2O2N2:Eu、(Y0.8Gd0.2)3Al5O12:Ce、(Sr,Ca)2Si5N8:Euなどにできる。マウントリード13aのカップ内に用いられる蛍光体11は、Ca10(PO4)6Cl2:Euなどの蛍光体を用いる。しかし、キャップ16に蛍光体を用いるため、Ca10(PO4)6Cl2:Euなどをキャップ16に含有し、マウントリード13aのカップ内は、コーティング部材12のみでもよい。
また、以下の実施例において、パルス駆動とは、周期200Hz、パルス幅50μsec、デューティー比1%のパルスにより駆動したものであり、各測定は、パルス駆動及びDC駆動とも周囲温度は25℃において行った。
まず、以下の実施例及び比較例で使用する蛍光体の応答特性を表24に挙げておく。
尚、図20に実施例1〜3の発光装置の発光スペクトルを示し、図21に実施例11〜13の発光装置の発光スペクトルを示す。図20において、実施例1〜3は、それぞれ61〜63の符号で示している。図21において、実施例11〜13はそれぞれ64〜66の符号で示している。
実施例17〜28として、次の表31に示す蛍光体と発光素子を用いた発光装置を作製し、それらの発光装置を表32に示す駆動条件、駆動電流密度で発光させたときの発光色に関係する特性を評価した。
その結果を表32に示す。
尚、実施例17〜28との比較のために、比較例7〜11の発光装置(使用した蛍光体及び発光素子は表31に示している。)を作製して評価した結果を表32において実施例とともに示している。
<実施例29>
実施例29は、本発明に係る発光装置である。図22は、実施例29の発光装置が持つ発光スペクトルを示す図である。
実施例29の発光装置は、主発光ピークが365nm近傍の光を放出する半導体発光素子10を使用する。蛍光体11は、Ca10(PO4)6Cl2:Eu、BaSi2O2N2:Eu、(Y0.8Gd0.2)3Al5O12:Ce、(Sr,Ca)2Si5N8:Euを使用する。これらの蛍光体のうち(Y0.8Gd0.2)3Al5O12:Ceを除く、Ca10(PO4)6Cl2:Eu、BaSi2O2N2:Eu、(Sr,Ca)2Si5N8:Euは、半導体発光素子10から放出される紫外光により直接励起される蛍光体である。それに対し(Y0.8Gd0.2)3Al5O12:Ceは、365nm近傍の紫外光では、最大励起波長の5%未満程度しか発光効率が得られず、入射光の大部分が反射する。
実施例30は、本発明に係る発光装置である。図23は、実施例30の発光装置が持つ発光スペクトルを示す図である。
実施例30の発光装置は、主発光ピークが400nm近傍の光を放出する半導体発光素子10を使用する。蛍光体11は、Ca10(PO4)6Cl2:Eu、Sr4Al14O25:Eu、Lu3Al5O12:Ce、(Sr,Ca)2Si5N8:Euを使用する。これらの蛍光体のうちLu3Al5O12:Ceを除く、Ca10(PO4)6Cl2:Eu、Sr4Al14O25:Eu、(Sr,Ca)2Si5N8:Euは、半導体発光素子10から放出される紫外光により直接励起される蛍光体である。
半導体発光素子10から放出された紫外光は、Ca10(PO4)6Cl2:Eu、Sr4Al14O25:Eu、(Sr,Ca)2Si5N8:Euの蛍光体11に照射され励起される。Ca10(PO4)6Cl2:Euは青色に発光し、Sr4Al14O25:Euは青緑色に発光し、(Sr,Ca)2Si5N8:Euは赤色に発光する。また、Ca10(PO4)6Cl2:Euから放出される青色光により、Lu3Al5O12:Ceが黄緑色に発光する。ただし、(Sr,Ca)2Si5N8:Euは、半導体発光素子10の放出する紫外光のみならず、Ca10(PO4)6Cl2:Euから放出される青色光の一部によっても励起される。これにより、4種類の蛍光体11から放出される可視光が混合され、白色光が放出される。また、実施例30の発光装置は、高い演色性を示す。特に、赤色の成分を示す特殊演色評価数(R9)が高く、演色性に富む発光色を有する発光装置を提供することができる。
実施例31は、本発明に係る発光装置である。図24は、実施例31の発光装置が持つ発光スペクトルを示す図である。
実施例31の発光装置は、主発光ピークが400nm近傍の光を放出する半導体発光素子10を使用する。蛍光体11は、Ca10(PO4)6Cl2:Eu、BaSi2O2N2:Eu、(Y0.8Gd0.2)3Al5O12:Ce、(Sr,Ca)2Si5N8:Euを使用する。これらの蛍光体のうち(Y0.8Gd0.2)3Al5O12:Ceを除く、Ca10(PO4)6Cl2:Eu、BaSi2O2N2:Eu、(Sr,Ca)2Si5N8:Euは、半導体発光素子10から放出される紫外光から可視光の短波長領域までの光により直接励起される蛍光体である。それに対し(Y0.8Gd0.2)3Al5O12:Ceは、400nm近傍の光では、ほとんど発光せず、入射光の大部分が反射する。
実施例32は、本発明に係る発光装置である。図25は、実施例32の発光装置が持つ発光スペクトルを示す図である。
実施例32の発光装置は、主発光ピークが400nm近傍の光を放出する半導体発光素子10を使用する。蛍光体11は、Ca10(PO4)6Cl2:Eu、BaSi2O2N2:Eu、(Sr,Ca)Si2O2N2:Eu、(Sr,Ca)2Si5N8:Euを使用する。これらの蛍光体すべては、半導体発光素子10から放出される紫外光により直接励起される蛍光体である。
実施例33は、本発明に係る発光装置である。図26は、実施例33の発光装置が持つ発光スペクトルを示す図である。
実施例33の発光装置は、主発光ピークが460nm近傍の光を放出する半導体発光素子10を使用する。蛍光体11は、BaSi2O2N2:Eu、(Y0.8Gd0.2)3Al5O12:Ce、(Sr,Ca)2Si5N8:Euを使用する。これらの蛍光体すべては、半導体発光素子10から放出される青色光により直接励起される蛍光体である。
実施例34は、本発明に係る発光装置である。
実施例34の発光装置は、主発光ピークが400nm近傍の光を放出する半導体発光素子10を使用する。蛍光体11は、(Sr,Ca)Si2O2N2:Eu、(Sr,Ca)2Si5N8:Euを使用する。これらの蛍光体は、半導体発光素子10から放出される紫外光から可視光の短波長領域の光により直接励起される蛍光体である。
実施例35は、本発明に係る発光装置である。
実施例35の発光装置は、主発光ピークが365nm近傍の光を放出する半導体発光素子10を使用する。蛍光体11は、BaSi2O2N2:Eu、Ca2Si5N8:Euを使用する。これらの蛍光体は、半導体発光素子10から放出される紫外光により直接励起される蛍光体である。
半導体発光素子10から放出された紫外光から可視光の短波長領域までの光は、BaSi2O2N2:Eu、Ca2Si5N8:Euの蛍光体11に照射され励起される。BaSi2O2N2:Euは緑色に発光し、Ca2Si5N8:Euは黄赤色に発光する。2種類の蛍光体11から放出された可視光が混合され、所望の光が放出される。実施例35の発光装置は、色度(x、y)=(0.405、0.404)を示す。実施例35の発光装置は、装飾用ディスプレイなどに使用することができる。
比較例12に係る発光装置である。図27は、比較例12の発光装置が持つ発光スペクトルを示す図である。
比較例12の発光装置は、主発光ピークが365nm近傍の光を放出する半導体発光素子10を使用する。蛍光体11は、Ca10(PO4)6Cl2:Eu、(Y0.8Gd0.2)3Al5O12:Ceを使用する。Ca10(PO4)6Cl2:Euは、半導体発光素子10から放出される紫外光により直接励起される蛍光体である。それに対し(Y0.8Gd0.2)3Al5O12:Ceは、365nm近傍の紫外光では、10%未満程度しか励起されず、入射光の大部分が反射する。
2 半導体層
3 電極
4 バンプ
10 発光素子
11 蛍光体
12 コーティング部材
13 リードフレーム
13a マウントリード
13b インナーリード
14 導電性ワイヤ
15 モールド部材
101 発光素子
102 リード電極
103 絶縁封止材
104 導電性ワイヤ
105 パッケージ
106 リッド
107 窓部
108 蛍光体
109 コーティング部材
201 基板
202 下地層
203 n型層
203a 露出面
204 活性層
205 p側キャリア閉込め層
206 第1p型層
207 電流拡散層
208 p側コンタクト層
209 発光部
210 p側電極
210a 電極枝
210b p側パット電極
211a n側電極
211b n側パット電極
Claims (23)
- 250nmから500nmまでに主発光ピークを持つ励起光源からの光により、実質的に直接励起される蛍光体を少なくとも2種以上用いて発光させ、該2種以上の蛍光体の光が混合して各種の発光色を実現する発光装置であって、
前記蛍光体は、それぞれ直接遷移型の発光中心を持つ2種以上の蛍光体からなる、発光装置。 - 近紫外領域から青色領域に主発光ピークを持つ光を放出する発光素子と蛍光体とを含む発光装置であって、
前記蛍光体は、それぞれ直接遷移型の発光中心を持つ2種以上の蛍光体からなることを特徴とする発光装置。 - 前記発光素子は近紫外領域から可視光の短波長領域に主発光ピークを持つ光を放出し、
前記蛍光体はそれぞれ可視光領域に発光ピーク波長を持つ光を放出する3種以上の蛍光体からなる請求項2記載の発光装置。 - 前記蛍光体は、少なくともEuで付活されたアルカリ土類金属ハロゲンアパタイト蛍光体、少なくともEuで付活されたアルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン塩蛍光体、少なくともEuで付活されたアルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、少なくともCeで付活されたガーネット構造を有する希土類アルミン酸塩蛍光体、少なくともEuもしくはCeで付活されたアルカリ土類酸窒化珪素蛍光体、少なくともEuで付活されたアルカリ土類珪酸塩蛍光体、少なくともEuで付活されたアルカリ土類窒化珪素蛍光体からなる群から選択される2種以上又は3種以上である請求項1〜3のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記蛍光体は、青紫色領域から青色領域に1以上の発光ピーク波長を持つ光を放出する第1の蛍光体と、
青緑色領域から黄緑色領域に1以上の発光ピーク波長を持つ光を放出する第2の蛍光体と、
黄色領域から赤色領域に1以上の発光ピーク波長を持つ光を放出する第3の蛍光体と、
を有してなる請求項3記載の発光装置。 - 前記第1の蛍光体は、それぞれ少なくともEuで付活されたアルカリ土類金属ハロゲンアパタイト蛍光体、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン塩蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体からなる群から選択される1種以上である請求項5記載の発光装置。
- 前記第2の蛍光体は、
(a)少なくともCeで付活されたガーネット構造を有する希土類アルミン酸塩蛍光体と、(b)少なくともEuで付活されたアルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、少なくともEuもしくはCeで付活されたアルカリ土類酸窒化珪素蛍光体、アルカリ土類珪酸塩蛍光体からなる群から選択される1種以上と、を含む請求項5又は6記載の発光装置。 - 前記第3の蛍光体は、少なくともEuで付活されたアルカリ土類窒化珪素蛍光体からなる群から選択される1種以上である請求項5〜7のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記発光素子は青色領域に主発光ピーク波長を持っており、前記蛍光体はYAG系蛍光体を含む請求項1又は2記載の発光装置。
- 紫外〜可視域に主発光ピークを持つ励起光源からの光により、実質的に直接励起される蛍光体を少なくとも2種以上用いて発光させ、該2種以上の蛍光体の光が混合して各種の発光色を実現する発光装置であって、
該2種以上の蛍光体は、酸窒化物系蛍光体若しくは窒化物系蛍光体を1種以上含むことを特徴とする発光装置。 - 前記励起光源が、250nmから420nmまでに主発光ピークを持つことを特徴とする請求項10に記載の発光装置。
- 前記励起光源が、420nmから500nmまでに主発光ピークを持ち、前記2種以上の蛍光体は、酸窒化物系蛍光体を1種以上含むことを特徴とする請求項10に記載の発光装置。
- 前記2種以上の蛍光体は、励起光源からの光による発光効率が、全波長域での最大発光効率の60%以上であることを特徴とする請求項10〜12のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記2種以上の蛍光体は、光を励起源とするとき、250nmから550nmで最大の発光効率を示すことを特徴とする請求項10に記載の発光装置。
- 前記酸窒化物系蛍光体は、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Znからなる群から選ばれる少なくとも1種以上である第II族元素と、C、Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Hfからなる群から選ばれる少なくとも1種以上である第IV族元素と、賦活剤Rである希土類元素と、を含む酸窒化物系蛍光体であることを特徴とする請求項10〜12のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記窒化物系蛍光体は、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Znからなる群から選ばれる少なくとも1種以上である第II族元素と、C、Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Hfからなる群から選ばれる少なくとも1種以上である第IV族元素と、賦活剤Rである希土類元素と、を含む窒化物系蛍光体であることを特徴とする請求項10〜12のいずれか1項に記載の発光装置。
- さらに、前記2種以上の蛍光体からの光の一部により励起される第2の蛍光体を有し、前記2種以上の蛍光体の光と、該第2の蛍光体の光とが混合して各種の発光色を実現する請求項10〜12のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記第2の蛍光体は、賦活剤Rとして希土類元素を含むアルミン酸塩蛍光体であることを特徴とする請求項10〜12のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記励起光源は、発光素子であることを特徴とする請求項10〜12のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記発光装置は、可視光領域に2以上の発光ピークを有しており、その2以上の発光ピークの少なくとも2つの発光ピーク波長が補色の関係にある請求項1〜19のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記発光素子に投入される電流密度の変動に対して、発光色が実質的に一定である請求項1〜20のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記発光装置は、白色系に発光することを特徴とする請求項1〜21のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記発光装置は、平均演色評価数が80以上であることを特徴とする請求項1〜22のいずれか1項に記載の発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004271802A JP5151002B2 (ja) | 2003-09-18 | 2004-09-17 | 発光装置 |
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003326535 | 2003-09-18 | ||
JP2003326535 | 2003-09-18 | ||
JP2003328367 | 2003-09-19 | ||
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JP2004133626 | 2004-04-28 | ||
JP2004133626 | 2004-04-28 | ||
JP2004271802A JP5151002B2 (ja) | 2003-09-18 | 2004-09-17 | 発光装置 |
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ID=34381775
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- 2004-09-17 JP JP2004271802A patent/JP5151002B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-09-17 EP EP04773281.3A patent/EP1670070B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-09-17 WO PCT/JP2004/013649 patent/WO2005029596A1/ja active Application Filing
- 2004-09-17 CN CNB200480034092XA patent/CN100428508C/zh not_active Expired - Fee Related
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CN1883057A (zh) | 2006-12-20 |
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EP1670070A1 (en) | 2006-06-14 |
KR101065522B1 (ko) | 2011-09-19 |
KR20060079238A (ko) | 2006-07-05 |
JP5151002B2 (ja) | 2013-02-27 |
CN100428508C (zh) | 2008-10-22 |
EP1670070B1 (en) | 2017-05-31 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A521 | Request for written amendment filed |
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RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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