JP2005302797A - 発光装置 - Google Patents
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Abstract
発光素子と蛍光体とを有する発光装置の発光輝度を向上させる。
【解決手段】
本発明は、発光素子と、該発光素子からの光の少なくとも一部を吸収し異なる波長を有する光を発する蛍光物質とを有する発光装置であって、蛍光物質が、Mg、Ca、Sr、Ba、Znからなる群より選択される少なくとも一種の元素と、Ceとを含むアルカリ土類金属酸化物蛍光体であることを特徴とする。より具体的には、上記蛍光物質は、下記の一般式で表されるアルカリ土類金属酸化物蛍光体である。
(Ca1−x−yMxCey)O1+1/2y
ただし、MはMg、Sr、BaとZnからなる群より選択される少なくとも1種の元素を示し、x、yは以下の数値を満足する。
0≦x≦0.8
0.0001≦y≦0.8
【選択図】なし
Description
(Ca1−x−yMxCey)O1+1/2y
ただし、MはMg、Sr、BaとZnからなる群より選択される少なくとも1種の元素を示し、x、yは以下の数値を満足する。
0≦x≦0.8
0.0001≦y≦0.8
これによって、耐光性や、耐環境性に優れた蛍光物質を備えた発光装置とすることができる。また、窒化物半導体発光素子から放出された発光スペクトルを効率よく吸収することができる。さらに、白色系の領域を発光可能であると共に組成によってその領域を調整することができる。また、青色領域を吸収して緑色〜橙色を高輝度に発光可能である。そのため、演色性に優れた発光装置とすることができる。
(Ca1−x−yM1 xCey)O1+1/2y・αM2 2O・βM3O2・γM4 2O5
ただし、M1はMg、Sr、BaおよびZnからなる群、M2はLi、Na、KおよびRbからなる群、M3はTi、Zr、Hr、Si、Ge、SnおよびPbからなる群、またM4はV、Nb、Taからなる群よりそれぞれ選択される少なくとも一種の元素を表し、x、y、α、β、γは以下の数値を満足する。
0≦x≦0.8
0.0001≦y≦0.8
0≦α≦0.5
0≦β≦1.0
0≦γ≦0.5
0≦α+β+γ≦1.0
これにより、蛍光体の発光輝度を向上させることができる。
LxMyOzN{(2/3x+(4/3)y−(2/3)z}:R
ただし、LはBe、Mg、Ca、Sr、Ba、Znからなる群より選択される少なくとも1種の元素を有し、MはC、Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Hfからなる群より選択される少なくとも1種の元素を有する。また、Nは窒素で、Oは酸素、Rは希土類元素である。x、y、zは以下の数値を満足する。
x=2、4.5≦y≦6、0.01<z<1.5
またはx=1、6.5≦y≦7.5、0.01<z<1.5
またはx=1、1.5≦y≦2.5、1.5≦z≦2.5
これによって、色調をより精密に調整可能であると共に、比較的簡単な構成で演色性の高い白色光を得ることができる。
本発明において発光素子は、蛍光物質を効率よく励起可能な発光波長を発光できる発光層を有する半導体発光素子が好ましい。このような半導体発光素子の材料として、BN、SiC、ZnSeやGaN、InGaN、InAlGaN、AlGaN、BAlGaN、BInAlGaNなど種々の半導体を挙げることができる。同様に、これらの元素に不純物元素としてSiやZnなどを含有させ発光中心とすることもできる。蛍光物質を効率良く励起できる紫外領域から可視光の短波長を効率よく発光可能な発光層の材料として特に、窒化物半導体(例えば、AlやGaを含む窒化物半導体、InやGaを含む窒化物半導体としてInXAlYGa1−X−YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)がより好適に挙げられる。
本発明では、発光素子の半導体素子構造中、発光素子の少なくとも一部を被覆する封止部材、発光素子を支持体やリード電極に固着させるダイボンド材、フリップチップ実装時において発光素子と支持基板やリード電極との間に配されるアンダーフィル、および発光素子が固定保持されるパッケージ等の各構成部材中および/またはその周辺に無機蛍光物質や有機蛍光物質のような種々の蛍光物質を配置させることができる。また、蛍光物質は、封止部材の発光観測面側表面を被覆するように封止部材の外部に設けられる他、封止部材の発光観測面側表面および発光素子から離間させた位置に、蛍光体を含む層あるいはフィルターとして設けることもできる。また、蛍光物質と結着剤とからなる波長変換部材は、発光素子の周辺に設けられたリフレクタ(発光素子が載置されるリードフレームやパッケージの凹部内壁面)の光反射面から離間させて配置させることもできる。このように配置することにより、波長変換部材から出光する光は、結着剤以外(例えば空気)を媒質とすることにより取り出され、発光装置の光取り出し効率を向上させることができる。
本発明の発光装置に用いられる蛍光物質は、半導体発光素子からの発光スペクトルによって効率よく発光可能なものである。蛍光物質は少なくとも青色領域に励起領域を有することが好ましい。また、蛍光物質は半導体発光素子からの主発光波長が400nmよりも長波長の発光スペクトルの少なくとも一部を吸収し、緑色〜橙色領域の発光ピークを有する。このような蛍光体として、Ceで付活されたアルカリ土類金属酸化物蛍光体が挙げられる。特に、本形態におけるCeで付活されたアルカリ土類金属酸化物蛍光体は、Mg、Ca、Sr、Ba、Znからなる群より選択される少なくとも一種の元素と、Ceとを含むアルカリ土類金属酸化物蛍光体である。
0≦x≦0.8、
0.0001≦y≦0.8、
0≦α≦0.5、0≦β≦1.0、0≦γ≦0.5、0≦α+β+γ≦1.0
ここで、yは付活剤とするCe元素の組成比を示すものであり、0.0001≦y≦0.5が好ましく、yが0.0001未満では発光輝度が低下し、yが0.5を越えても濃度消光によって発光輝度が低下する傾向にある。より好ましくは、0.001≦y≦0.4、さらに好ましくは、0.005≦y≦0.2である。
本形態における蛍光物質は、アルミニウム・ガーネット系蛍光体を含有させることもできる。本明細書におけるアルミニウム・ガーネット系蛍光体とは、Alを含み、かつY、Lu、Sc、La、Gd、Tb、Eu及びSmから選択された少なくとも一つの元素と、Ga及びInから選択された一つの元素とを含み、希土類元素から選択された少なくとも一つの元素で付活された蛍光体であり、発光素子から発光された可視光や紫外線で励起されて発光する蛍光体である。本形態におけるアルミニウム・ガーネット系蛍光体として、希土類アルミン酸塩系蛍光体を利用することができる。例えば、YAlO3:Ce、Y3Al5O12:Ce、Y4Al2O9:Ce、(Y0.8Gd0.2)3Al5O12:Ce、Y3(Al0.8Ga0.2)5O12:Ce、Tb2.95Ce0.05Al5O12、Y2.90Ce0.05Tb0.05Al5O12、Y2.94Ce0.05Pr0.01Al5O12、Y2.90Ce0.05Pr0.05Al5O12等が挙げられる。
ルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体とは、一般式(Lu1−a−bRaMb)3(Al1−cGac)5O12(但し、RはCeを必須とする少なくとも1種以上の希土類元素である。MはSc、Y、La、Gdから選択される少なくとも1種の元素であり、0.0001≦a≦0.5、0≦b≦0.5、0.0001≦a+b<1、0≦c≦0.8である。)で表される蛍光体である。例えば、組成式が(Lu0.99Ce0.01)3Al5O12、(Lu0.90Ce0.10)3Al5O12、(Lu0.99Ce0.01)3(Al0.5Ga0.5)5O12で表される蛍光体である。
本形態における蛍光物質は、Nを含み、かつBe、Mg、Ca、Sr、Ba、及びZnから選択された少なくとも一つの元素と、C、Si、Ge、Sn、Ti、Zr、及びHfから選択された少なくとも一つの元素とを含み、希土類元素から選択された少なくとも一つの元素で付活された窒化物系蛍光体を含有させることもできる。また、本形態における窒化物系蛍光体は、発光素子から発光された可視光、紫外線、あるいは他の蛍光体からの発光を吸収することによって励起され発光する蛍光体をいう。例えば、Sr2Si5N8:Eu,Pr、Ba2Si5N8:Eu,Pr、Mg2Si5N8:Eu,Pr、Zn2Si5N8:Eu,Pr、SrSi7N10:Eu,Pr、BaSi7N10:Eu,Ce、MgSi7N10:Eu,Ce、ZnSi7N10:Eu,Ce、Sr2Ge5N8:Eu,Ce、Ba2Ge5N8:Eu,Pr、Mg2Ge5N8:Eu,Pr、Zn2Ge5N8:Eu,Pr、SrGe7N10:Eu,Ce、BaGe7N10:Eu,Pr、MgGe7N10:Eu,Pr、ZnGe7N10:Eu,Ce、Sr1.8Ca0.2Si5N8:Eu,Pr、Ba1.8Ca0.2Si5N8:Eu,Ce、Mg1.8Ca0.2Si5N8:Eu,Pr、Zn1.8Ca0.2Si5N8:Eu,Ce、Sr0.8Ca0.2Si7N10:Eu,La、Ba0.8Ca0.2Si7N10:Eu,La、Mg0.8Ca0.2Si7N10:Eu,Nd、Zn0.8Ca0.2Si7N10:Eu,Nd、Sr0.8Ca0.2Ge7N10:Eu,Tb、Ba0.8Ca0.2Ge7N10:Eu,Tb、Mg0.8Ca0.2Ge7N10:Eu,Pr、Zn0.8Ca0.2Ge7N10:Eu,Pr、Sr0.8Ca0.2Si6GeN10:Eu,Pr、Ba0.8Ca0.2Si6GeN10:Eu,Pr、Mg0.8Ca0.2Si6GeN10:Eu,Y、Zn0.8Ca0.2Si6GeN10:Eu,Y、Sr2Si5N8:Pr、Ba2Si5N8:Pr、Sr2Si5N8:Tb、BaGe7N10:Ceなどが挙げられるが、これらに限定されないことは言うでもない。
Lは、Sr、Ca、SrとCaのいずれかである。SrとCaは、所望により配合比を変えることができる。蛍光体の組成にSiを用いることにより安価で結晶性の良好な蛍光体を提供することができる。
蛍光体には、基本構成元素中に、若しくは、基本構成元素とともに、Mg、Ga,In,Li、Na,K、Re、Mo、Fe,Sr、Ca、Ba、Zn、B、Al、Cu、Mn、Cr、O及びNiからなる群より選ばれる少なくとも1種以上を含有する。これらの元素は、粒径を大きくしたり、発光輝度を高めたりする等の作用を有している。また、B、Al、Mg、Cr及びNiは、残光を抑えることができるという作用を有している。
上述の蛍光物質の他、本形態における蛍光物質には、さらに下記の一般式で表される酸窒化物蛍光体を含有させることができる。
LxMyOzN{(2/3x+(4/3)y−(2/3)z}:R
ただし、LはBe、Mg、Ca、Sr、Ba、Znからなる群より選択される少なくとも1種の元素を有し、MはC、Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Hfからなる群より選択される少なくとも1種の元素を有する。また、Nは窒素で、Oは酸素、Rは希土類元素である。x、y、zは以下の数値を満足する。
x=2、4.5≦y≦6、0.01<z<1.5
またはx=1、6.5≦y≦7.5、0.01<z<1.5
またはx=1、1.5≦y≦2.5、1.5≦z≦2.5
以下、酸窒化物蛍光体の製造方法を説明するが、本製造方法に限定されないことは言うまでもない。まず、所定の配合比となるように、Lの窒化物、Mの窒化物および酸化物、希土類元素の酸化物を原料として混合する。各原料の配合比率を変更することにより、目的とする蛍光体の組成を変更することができる。
本形態における蛍光物質は、発光素子が発光した光の一部を吸収し、その吸収した光の波長と異なる波長を有する光を発光する蛍光体として、ユウロピウムで付活されたアルカリ土類金属珪酸塩を含むこともできる。アルカリ土類金属珪酸塩は、青色領域の光を励起光とし、暖色系の混色光を発光する発光装置とすることができる。該アルカリ土類金属珪酸塩は、以下のような一般式で表されるアルカリ土類金属オルト珪酸塩が好ましい。
(2−x−y)SrO・x(Ba,Ca)O・(1−a−b−c−d)SiO2・aP2O5bAl2O3cB2O3dGeO2:yEu2+(式中、0<x<1.6、0.005<y<0.5、0<a、b、c、d<0.5である。)
(2−x−y)BaO・x(Sr,Ca)O・(1−a−b−c−d)SiO2・aP2O5bAl2O3cB2O3dGeO2:yEu2+(式中、0.01<x<1.6、0.005<y<0.5、0<a、b、c、d<0.5である。)
ここで、好ましくは、a、b、cおよびdの値のうち、少なくとも一つが0.01より大きい。
本形態におけるアルカリ土類金属珪酸塩として、具体的にはSr1.4Ba0.6SiO4:Eu2+、Sr1.6Ba0.4SiO4:Eu2+、Sr1.9Ba0.08Ca 0.02SiO4:Eu2+、Sr1.9Ba0.02Ca 0.08SiO4:Eu2+、Sr0.4Ba1.6SiO4:Eu2+、Sr1.6Ba0.4(Si0.08B0.02)O4:Eu2+、Sr0.6Ba1.4SiO4:Eu2+が挙げられる。なお、これらの組成式に限定されないことは言うまでもない。
アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体とは、例えば、一般式が((M1-x-yEuxM′y)2B5O9M″で表される蛍光物質である。ただし、MはMg、Ca、Ba、Srから選択される少なくとも1種を有し、M′は赤色発光付活剤でありMn、Fe、Cr、Snから選択される少なくとも1種を有し、0.0001≦x≦0.5、0.0001≦y≦0.5である。M″はF、Cl、Br、Iのハロゲン元素から選択される少なくとも1種を有する。xは第一附活剤Eu元素の組成比を示すもので0.0001≦x≦0.5が好ましく、xが0.0001未満では発光輝度が低下し、xが0.5を越えても濃度消光によって発光輝度が低下する傾向にある。より好ましくは、0.005≦x≦0.4、さらに好ましくは、0.01≦x≦0.2である。また、yはMn、Fe、Cr、Snのうち、少なくとも1種の元素の組成比を示すもので、0.0001≦y≦0.5が好ましく、より好ましくは0.005≦y≦0.4であり、さらに好ましくは0.01≦y≦0.3である。yが0.5を越えると濃度消光によって発光輝度が低下する傾向にある。このようなアルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体の具体例として、例えば、(Ca,Ba,Sr)2B5O9Cl:Eu(Mn)が挙げられる。
本実施の形態において、蛍光体として紫外光により励起されて発光する蛍光体も用いることができ、具体例として、以下の蛍光体が挙げられる。
(1)Eu、MnまたはEuとMnで付活されたアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体;例えば、M5(PO4)3(Cl、Br):Eu(但し、MはSr、Ca、Ba、Mgから選択される少なくとも一種)、Ca10(PO4)6ClBr:Mn,Euなどの蛍光体。
(2)Eu、MnまたはEuとMnで付活されたアルカリ土類アルミン酸塩蛍光体;例えば、BaMg2Al16O27:Eu、BaMg2Al16O27:Eu,Mn、Sr4Al14O25:Eu、SrAl2O4:Eu、CaAl2O4:Eu、BaMgAl10O17:Eu、BaMgAl10O17:Eu,Mnなどの蛍光体。
(3)Euで付活された希土類酸硫化物蛍光体;例えば、La2O2S:Eu、Y2O2S:Eu、Gd2O2S:Euなどの蛍光体。
(4)(Zn、Cd)S:Cu、Zn2GeO4:Mn、3.5MgO・0.5MgF2・GeO2:Mn、Mg6As2O11:Mn、(Mg、Ca、Sr、Ba)Ga2S4:Eu、Ca10(PO4)6FCl:Sb,Mn、や(5)Euで付活された有機錯体蛍光体。
更に、本発明において、波長変換部材あるいは封止部材中に蛍光物質に加えて拡散剤を含有させても良い。具体的な拡散剤としては、チタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化珪素およびそれらの混合物が好適に用いられる。これによって良好な指向特性を有する発光装置が得られる。
更に、本発明において、波長変換部材あるいは封止部材中に蛍光物質に加えてフィラーを含有させても良い。具体的な材料は拡散剤と同様であるが、拡散剤と中心粒径が異なり、本明細書においてフィラーとは中心粒径が5μm以上100μm以下のものをいう。このような粒径のフィラーを透光性樹脂中に含有させると、光散乱作用により発光装置の色度バラツキが改善される他、透光性樹脂の耐熱衝撃性を高めることができる。これにより高温下での使用においても、発光素子と外部電極とを電気的に接続しているワイヤーの断線や発光素子底面とパッケージの凹部底面と剥離等を防止することができる信頼性の高い発光装置が得られる。更には樹脂の流動性を長時間一定に調整することが可能となり所望とする場所内に封止部材を形成することができ歩留まり良く量産することが可能となる。
101、102・・・リード電極
103・・・パッケージ
104・・・レンズ
105、105a、105b、105c・・・封止部材
106・・・発光素子
107・・・サブマウント
108・・・金属基体
109・・・凸部
110・・・導電性ワイヤ
Claims (8)
- 発光素子と、該発光素子からの光の少なくとも一部を吸収し異なる波長を有する光を発する蛍光物質とを有する発光装置であって、
前記蛍光物質は、Mg、Ca、Sr、Ba、Znからなる群より選択される少なくとも一種の元素と、Ceとを含む蛍光体であることを特徴とする発光装置。 - 前記蛍光体は、下記の一般式で表される請求項1に記載の発光装置。
(Ca1−x−yMxCey)O1+1/2y
ただし、MはMg、Sr、BaとZnからなる群より選択される少なくとも1種の元素を示し、x、yは以下の数値を満足する。
0≦x≦0.8
0.0001≦y≦0.8 - 前記蛍光体は、さらにK、Na、Li、Rb、Ti、Zr、Hf、Si、Ge、Sn、Pb、V、Nb、Taからなる群より選択される少なくとも一種の元素を含む請求項1または2に記載の発光装置。
- 前記蛍光体は、下記の一般式で表される請求項3に記載の発光装置。
(Ca1−x−yM1 xCey)O1+1/2y・αM2 2O・βM3O2・γM4 2O5
ただし、M1はMg、Sr、BaおよびZnからなる群、M2はLi、Na、KおよびRbからなる群、M3はTi、Zr、Hr、Si、Ge、SnおよびPbからなる群、またM4はV、Nb、Taからなる群よりそれぞれ選択される少なくとも一種の元素を表し、x、y、α、β、γは以下の数値を満足する。
0≦x≦0.8
0.0001≦y≦0.8
0≦α≦0.5
0≦β≦1.0
0≦γ≦0.5
0≦α+β+γ≦1.0 - 前記蛍光体に加えて、アルカリ土類ケイ酸塩蛍光体、アルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体、アルカリ土類ホウ酸ハロゲン蛍光体、アルカリ土類アルミン酸塩、希土類アルミン酸塩系蛍光体、希土類酸硫化物蛍光体、および有機錯体蛍光体から選択される少なくとも一種の蛍光体を有する請求項1乃至4に記載の発光装置。
- 前記蛍光体に加えて、さらに下記の一般式で表される酸窒化物蛍光体を有する請求項1乃至5に記載の発光装置。
LxMyOzN{(2/3x+(4/3)y−(2/3)z}:R
ただし、LはBe、Mg、Ca、Sr、Ba、Znからなる群より選択される少なくとも1種の元素を有し、MはC、Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Hfからなる群より選択される少なくとも1種の元素を有する。また、Nは窒素で、Oは酸素、Rは希土類元素である。x、y、zは以下の数値を満足する。
x=2、4.5≦y≦6、0.01<z<1.5
またはx=1、6.5≦y≦7.5、0.01<z<1.5
またはx=1、1.5≦y≦2.5、1.5≦z≦2.5 - 前記発光素子は、少なくともInとGaを含む発光層を有する窒化物半導体発光素子である請求項1乃至6に記載の発光装置。
- 前記発光素子は、少なくともGaとAlを含む発光層を有する窒化物半導体発光素子である請求項1乃至7に記載の発光装置。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007077281A (ja) * | 2005-09-14 | 2007-03-29 | Ulvac Japan Ltd | 電子線励起発光素子用蛍光体、その作製方法、及び電子線励起発光素子 |
JP2007227928A (ja) * | 2006-02-22 | 2007-09-06 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 白色発光装置 |
JP2011089004A (ja) * | 2009-10-22 | 2011-05-06 | Nippon Chem Ind Co Ltd | 蛍光体材料及びその製造方法 |
US8791485B2 (en) | 2010-03-10 | 2014-07-29 | Panasonic Corporation | LED encapsulation resin body, LED device, and method for manufacturing LED device |
JP2017011098A (ja) * | 2015-06-22 | 2017-01-12 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2020155428A (ja) * | 2019-03-18 | 2020-09-24 | アルディーテック株式会社 | 半導体チップ集積装置の製造方法、半導体チップ集積装置、半導体チップインクおよび半導体チップインク吐出装置 |
JP2021059641A (ja) * | 2019-10-03 | 2021-04-15 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 赤色蛍光体およびそれを使用した発光装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002033520A (ja) * | 2000-07-14 | 2002-01-31 | Toshiba Electronic Engineering Corp | 半導体発光装置 |
JP2003046141A (ja) * | 2001-07-31 | 2003-02-14 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置とその製造方法 |
JP2003064358A (ja) * | 2001-08-28 | 2003-03-05 | Mitsubishi Chemicals Corp | 蛍光体及びそれを用いた発光素子、並びに画像表示装置、照明装置 |
JP2003101081A (ja) * | 1996-11-05 | 2003-04-04 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光ダイオード |
-
2004
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003101081A (ja) * | 1996-11-05 | 2003-04-04 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光ダイオード |
JP2002033520A (ja) * | 2000-07-14 | 2002-01-31 | Toshiba Electronic Engineering Corp | 半導体発光装置 |
JP2003046141A (ja) * | 2001-07-31 | 2003-02-14 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置とその製造方法 |
JP2003064358A (ja) * | 2001-08-28 | 2003-03-05 | Mitsubishi Chemicals Corp | 蛍光体及びそれを用いた発光素子、並びに画像表示装置、照明装置 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007077281A (ja) * | 2005-09-14 | 2007-03-29 | Ulvac Japan Ltd | 電子線励起発光素子用蛍光体、その作製方法、及び電子線励起発光素子 |
JP2007227928A (ja) * | 2006-02-22 | 2007-09-06 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 白色発光装置 |
US8349212B2 (en) | 2006-02-22 | 2013-01-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | White light emitting device |
JP2011089004A (ja) * | 2009-10-22 | 2011-05-06 | Nippon Chem Ind Co Ltd | 蛍光体材料及びその製造方法 |
US8791485B2 (en) | 2010-03-10 | 2014-07-29 | Panasonic Corporation | LED encapsulation resin body, LED device, and method for manufacturing LED device |
JP2017011098A (ja) * | 2015-06-22 | 2017-01-12 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2020155428A (ja) * | 2019-03-18 | 2020-09-24 | アルディーテック株式会社 | 半導体チップ集積装置の製造方法、半導体チップ集積装置、半導体チップインクおよび半導体チップインク吐出装置 |
JP2021059641A (ja) * | 2019-10-03 | 2021-04-15 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 赤色蛍光体およびそれを使用した発光装置 |
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