JP2013538461A - パッケージ済み発光ダイオードの作製方法 - Google Patents
パッケージ済み発光ダイオードの作製方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013538461A JP2013538461A JP2013528493A JP2013528493A JP2013538461A JP 2013538461 A JP2013538461 A JP 2013538461A JP 2013528493 A JP2013528493 A JP 2013528493A JP 2013528493 A JP2013528493 A JP 2013528493A JP 2013538461 A JP2013538461 A JP 2013538461A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- emitting diode
- cover
- light emitting
- substrate
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 15
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 claims description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 3
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 210000000744 eyelid Anatomy 0.000 description 1
- 230000001815 facial effect Effects 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
- F21K9/60—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction
- F21K9/64—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction using wavelength conversion means distinct or spaced from the light-generating element, e.g. a remote phosphor layer
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
- F21K9/90—Methods of manufacture
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V29/00—Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
- F21V29/15—Thermal insulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
- F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
- F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
【解決手段】基板と、カバーと、を用意し、基板は、第1面と、第2面と、を有し、カバーは、第3面と、第4面と、を有し、第1面と第3面のうちの一つには、溝に囲まれる凸縁が設けられており、カバーは蛍光層を含むステップAと、第2面に少なくとも一つの発光ダイオード回路を設け、発光ダイオード回路は少なくとも一つの発光ダイオードチップを含むステップBと、真空中で、基板にカバーを固定し、これにより、溝がカバーと基板とに閉鎖されて密封空間を形成し、発光ダイオード回路が密封空間内に位置するステップCと、を含む。
【選択図】図1
Description
一方、発光ダイオードチップは使用時に温度が上昇する。特に、発光ダイオードの照明パワーの増加が強く要請されている現在、発光ダイオードチップは更に多くの熱を発生し、シリコーン、エポキシ樹脂及び蛍光パウダーが、ますます、変質しやすくなってる。このように、パッケージされた発光ダイオードの安定性及び寿命に悪影響が及んでいる。
また、カバー及び蛍光物質の熱による変質を減少させることができる。
さらに、カバーをガラスで作製することにより、水分が蛍光物質に侵入できず、蛍光物質の変質を減少させることができる。
以上によって、発光ダイオードの寿命を増加させる効果を有する。
本発明の一実施例のパッケージ済み発光ダイオードの作製方法により、図1に示したパッケージ済み発光ダイオードを作製することが可能である。
カバー2は蛍光層を有する。詳細には、カバー2に蛍光物質が混入されている。具体的には、カバー2は、ガラス、アクリル、又は透光性を有するその他の素材で作製される。製造時に、カバーの原料に蛍光物質を混入することにより、成形されたカバー2は蛍光層となる。カバー2の第3面21又は第4面22に、凹凸の断面形状を有する皺が形成されていることが好ましい。前記皺によって光線を反射し、又は屈折することにより、集光効果が更に良くなる。
また、カバー2における蛍光物質がカバー2の他の素材に覆われているため、蛍光物質が外部に露出せず、蛍光物質と水分の接触による変質を回避できる。
図7を参照する。図7は本発明の別の実施例を示す断面図である。カバー2は、更に、保護層25を含む。そのため、蛍光層24が保護層23と保護層25に挟まれて、蛍光層24の安定性を更に増加させることができる。
2 カバー
3 凸縁
4 発光ダイオード回路
5 光硬化樹脂
11 第1面
12 第2面
21 第3面
22 第4面
23 保護層
24 蛍光層
25 保護層
41 発光ダイオードチップ
42 リード
Claims (7)
- 基板と、カバーと、を用意し、前記基板は、第1面と、第2面と、を有し、前記カバーは、第3面と、第4面と、を有し、前記第1面と前記第3面のうちの一つには、溝に囲まれる凸縁が設けられており、前記カバーは蛍光層を含むステップAと、
前記第2面に少なくとも一つの発光ダイオード回路を設け、前記発光ダイオード回路は少なくとも一つの発光ダイオードチップを含むステップBと、
真空中で、前記基板に前記カバーを固定し、これにより、前記溝が前記カバーと前記基板とに閉鎖されて密封空間を形成し、前記発光ダイオード回路が前記密封空間内に位置するステップCと、
を含むことを特徴とするパッケージ済み発光ダイオードの作製方法。 - 前記カバー自体が前記蛍光層であり、前記カバーの内部に蛍光物質が分布されていることを特徴とする、請求項1に記載のパッケージ済み発光ダイオードの作製方法。
- 前記カバーはガラス板であることを特徴とする、請求項2に記載のパッケージ済み発光ダイオードの作製方法。
- 前記カバーは、更に、保護層を含み、前記保護層が前記第4面に位置することを特徴とする、請求項1に記載のパッケージ済み発光ダイオードの作製方法。
- 前記ステップCにおいて、前記カバーと前記基板は、光硬化樹脂によって結合することを特徴とする、請求項1に記載のパッケージ済み発光ダイオードの作製方法。
- 前記第3面には、凹凸の断面形状を有する皺が形成されていることを特徴とする、請求項1に記載のパッケージ済み発光ダイオードの作製方法。
- 前記第4面には、凹凸の断面形状を有する皺が形成されていることを特徴とする、請求項1に記載のパッケージ済み発光ダイオードの作製方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/CN2010/077171 WO2012037720A1 (zh) | 2010-09-21 | 2010-09-21 | 用于制造封装发光二极管的方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013538461A true JP2013538461A (ja) | 2013-10-10 |
Family
ID=45873380
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013528493A Pending JP2013538461A (ja) | 2010-09-21 | 2010-09-21 | パッケージ済み発光ダイオードの作製方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9204558B2 (ja) |
JP (1) | JP2013538461A (ja) |
KR (1) | KR20140003394A (ja) |
DE (1) | DE112010005894T5 (ja) |
WO (1) | WO2012037720A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190127302A (ko) * | 2018-05-04 | 2019-11-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 조명 장치 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007250817A (ja) * | 2006-03-16 | 2007-09-27 | Stanley Electric Co Ltd | Led |
JP2007317787A (ja) * | 2006-05-24 | 2007-12-06 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
JP2008538652A (ja) * | 2005-04-20 | 2008-10-30 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | セラミック発光コンバーターを含む照明システム |
JP2009130294A (ja) * | 2007-11-27 | 2009-06-11 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 実装方法 |
JP2010087324A (ja) * | 2008-10-01 | 2010-04-15 | Minebea Co Ltd | 発光装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1323441C (zh) * | 2001-10-12 | 2007-06-27 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置及其制造方法 |
US6924514B2 (en) * | 2002-02-19 | 2005-08-02 | Nichia Corporation | Light-emitting device and process for producing thereof |
KR100566140B1 (ko) * | 2003-05-14 | 2006-03-30 | (주)나노팩 | 발광다이오드와 그 패키지 구조체 및 제조방법 |
US7723740B2 (en) * | 2003-09-18 | 2010-05-25 | Nichia Corporation | Light emitting device |
CN100341164C (zh) * | 2004-09-22 | 2007-10-03 | 邹庆福 | 阵列式发光二极管的模组化结构及其封装方法 |
JP2006156448A (ja) * | 2004-11-25 | 2006-06-15 | Kyocera Corp | 電子部品素子収納用パッケージ、電子装置及び電子装置の製造方法 |
JP4945106B2 (ja) * | 2005-09-08 | 2012-06-06 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置 |
US7528422B2 (en) * | 2006-01-20 | 2009-05-05 | Hymite A/S | Package for a light emitting element with integrated electrostatic discharge protection |
CN201514954U (zh) | 2009-08-03 | 2010-06-23 | 金芃 | 粗化表面的半导体发光二极管封装 |
CN101643315B (zh) | 2009-08-10 | 2012-02-08 | 武汉理工大学 | 白光led用低熔点荧光玻璃及其制备方法 |
-
2010
- 2010-09-21 KR KR1020137006583A patent/KR20140003394A/ko not_active Application Discontinuation
- 2010-09-21 US US13/824,894 patent/US9204558B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-09-21 DE DE112010005894T patent/DE112010005894T5/de not_active Withdrawn
- 2010-09-21 WO PCT/CN2010/077171 patent/WO2012037720A1/zh active Application Filing
- 2010-09-21 JP JP2013528493A patent/JP2013538461A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008538652A (ja) * | 2005-04-20 | 2008-10-30 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | セラミック発光コンバーターを含む照明システム |
JP2007250817A (ja) * | 2006-03-16 | 2007-09-27 | Stanley Electric Co Ltd | Led |
JP2007317787A (ja) * | 2006-05-24 | 2007-12-06 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
JP2009130294A (ja) * | 2007-11-27 | 2009-06-11 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 実装方法 |
JP2010087324A (ja) * | 2008-10-01 | 2010-04-15 | Minebea Co Ltd | 発光装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190127302A (ko) * | 2018-05-04 | 2019-11-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 조명 장치 |
KR102593592B1 (ko) | 2018-05-04 | 2023-10-25 | 엘지이노텍 주식회사 | 조명 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9204558B2 (en) | 2015-12-01 |
WO2012037720A1 (zh) | 2012-03-29 |
KR20140003394A (ko) | 2014-01-09 |
US20130192064A1 (en) | 2013-08-01 |
DE112010005894T5 (de) | 2013-07-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4989614B2 (ja) | 高出力ledパッケージの製造方法 | |
JP4802304B2 (ja) | 半導体発光モジュール、およびその製造方法 | |
WO2013168802A1 (ja) | Ledモジュール | |
TWI713437B (zh) | 發光組件及其製造方法 | |
JP2012510153A (ja) | 発光素子パッケージ | |
JP2010003743A (ja) | 発光装置 | |
KR101649287B1 (ko) | 발광 다이오드 그리고 발광 다이오드를 제조하기 위한 방법 | |
JP2005223216A (ja) | 発光光源、照明装置及び表示装置 | |
US8455275B2 (en) | Method for making light emitting diode package | |
JP2006237141A (ja) | サブマウント型led | |
KR101108984B1 (ko) | 멀티칩 엘이디 패키지 및 그의 제조방법 | |
US20140312366A1 (en) | Light emitting diode package and method for fabricating the same | |
JP2012124498A (ja) | Ledモジュール装置及びその製造方法 | |
US20120037937A1 (en) | Led package structure and method of making the same | |
JP2010118560A (ja) | 発光素子搭載用パッケージの製造方法 | |
JP2007335734A (ja) | 半導体装置 | |
US20140015405A1 (en) | Light emitting diode module | |
JP2013538461A (ja) | パッケージ済み発光ダイオードの作製方法 | |
JP4593974B2 (ja) | 発光装置および照明装置 | |
KR100961770B1 (ko) | 발광다이오드 소자의 패키징 방법 | |
JP5111522B2 (ja) | 発光装置 | |
TW201403870A (zh) | 發光二極體元件及其封裝方法 | |
JP4601404B2 (ja) | 発光装置および照明装置 | |
JP2020092155A (ja) | 光半導体装置 | |
JP2006156603A5 (ja) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130903 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140212 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140225 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140522 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140529 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140529 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20150324 |