TWI420710B - White light and its use of white light-emitting diode lighting device - Google Patents

White light and its use of white light-emitting diode lighting device Download PDF

Info

Publication number
TWI420710B
TWI420710B TW099130660A TW99130660A TWI420710B TW I420710 B TWI420710 B TW I420710B TW 099130660 A TW099130660 A TW 099130660A TW 99130660 A TW99130660 A TW 99130660A TW I420710 B TWI420710 B TW I420710B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
phosphor
emitting
white light
red
Prior art date
Application number
TW099130660A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201138156A (en
Inventor
Masahiko Yamakawa
Yasuhiro Shirakawa
Hajime Takeuchi
Original Assignee
Toshiba Kk
Toshiba Materials Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Kk, Toshiba Materials Co Ltd filed Critical Toshiba Kk
Publication of TW201138156A publication Critical patent/TW201138156A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI420710B publication Critical patent/TWI420710B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/7737—Phosphates
    • C09K11/7738—Phosphates with alkaline earth metals
    • C09K11/7739—Phosphates with alkaline earth metals with halogens
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/66—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing germanium, tin or lead
    • C09K11/664—Halogenides
    • C09K11/665—Halogenides with alkali or alkaline earth metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/7734—Aluminates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/77342—Silicates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7783—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals one of which being europium
    • C09K11/7784—Chalcogenides
    • C09K11/7787—Oxides
    • C09K11/7789—Oxysulfides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Description

白色發光燈及使用其之白色發光二極體照明裝置
本發明係關於具備半導體發光元件之白色發光燈及使用其之白色發光二極體照明裝置，特別是關於，改善演色性及發光效率之白色發光燈及使用其之白色發光二極體照明裝置。
發光二極體(Light Emitting Diode：LED)係將電能轉換為紫外線或可見光予以放射出之半導體發光元件，壽命長、高可靠性，在作為光源使用的情形時，具有可以減輕更換作業的優點。以透明樹脂等密封發光二極體晶片的發光二極體燈，被廣泛地利用於攜帶型通訊機器、PC周邊機器、OA機器、家庭用電氣機器等的顯示部所使用的液晶顯示裝置的背光光源、及訊號裝置、各種開關類、車載用燈、一般照明等的照明裝置。
關於從發光二極體燈所放射的光的色調，藉由組合發光二極體晶片及具有種種的發光色的螢光體，可以實現從藍色至紅色之因應使用用途的可見光範圍的光。特別是白色發光型的發光二極體燈(白色發光二極體燈)，在液晶顯示裝置的背光光源或車載用燈等之用途急速地普及，被期待將來作為螢光燈的代替品而大大地擴張。例如，一般的螢光燈係使用水銀，將來不使用水銀的白色發光二極體燈，被認為將取代螢光燈。
現在，普及或試行的白色發光二極體燈，以組合藍色發光的發光二極體及綠色螢光體(YAG等)之發光二極體燈、及組合發光波長為360~440nm的紫外線發光的發光二極體及藍色、綠色、紅色的各螢光體的混合物(BGR螢光體)的發光二極體燈為所周知。現狀中，前者比起後者，因亮度特性優異而普及。但是前者的白色發光二極體燈，光的分布偏向藍色成分與綠色成分，紅色成分的光不足，即使作為光源光，具有目的的發光色度，但使用此光源看見物體時的反射光，與在太陽光下所見到的自然色大為不同，具有演色性低的缺點。
對此，使用後者的紫外線發光二極體的白色發光二極體燈，亮度雖比前者劣，但發光或投影光的色不均少，被期待將來成為白色燈的主流。關於使用紫外線發光二極體的白色發光二極體燈，依據各螢光體的特性或彼等的組合等，正朝改善亮度或演色性等之燈特性邁進(參照專利文獻1、2)。例如為了提升白色發光二極體燈的亮度，正檢討使用發光峰值波長為540~570nm的綠色螢光體來代替發光峰值波長為500~530nm的綠色螢光體。
代替綠色螢光體使用包含綠色螢光體的混合螢光體(BYR螢光體)的白色發光二極體燈，比起使用BGR螢光體的白色發光二極體燈，亮度提升，被期待作為照明裝置用的光源。但是，於使用包含以往的綠色螢光體的BYR螢光體的白色發光二極體燈中，不一定可以獲得充分的特性改善效果，被要求進一步提高白色發光二極體燈的亮度或演 色性等。另一方面，關於綠色螢光體，在與藍色發光二極體之組合所被使用的螢光體有多種被提出。
作為與藍色發光二極體組合使用的綠色螢光體，以鈰活化釔鋁酸鹽螢光體(YAG)、鈰活化鋱鋁酸鹽螢光體(TAG)、銪活化鹼土類矽酸鹽螢光體(BOSS)等為所周知(參照專利文獻3)。關於以往的綠色螢光體，以從藍色發光二極體所放射出的藍色光(發光波長：430~500nm)所激發時之發光特性雖被檢討，但關於從紫外線發光二極體所放射出之發光波長為360~440nm之光所激發時的發光特性，並未被充分檢討，被要求其之檢討及發光特性的改善。
另外，為了提高白色光的演色性，組合藍色發光二極體與UV發光二極體與綠色發光螢光體與紅色發光螢光體之白色發光二極體發光裝置也被提出(參照專利文獻4)。但是在此白色發光二極體發光裝置中，雖達成某種程度的演色性的改善，藍色光之一部份容易被螢光體吸收，存在來自發光部的亮度容易降低的缺點。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2002-171000號公報
[專利文獻2]日本專利特開2003-160785號公報
[專利文獻3]專利第3749243號公報
[專利文獻4]美國專利公開US2006/0249739A1
本發明之目的，在於提供：於將含有藍色螢光體、綠色螢光體及紅色螢光體的BGR螢光體與發光二極體等之半導體發光元件組合使用時，進而附加於比紅色螢光體的主發光峰值還長波長範圍具有主發光峰值的深紅色螢光體，藉由使紅色螢光體與深紅色螢光體共存，使兼顧高亮度及高演色性之白色發光燈及使用其之白色發光二極體照明裝置。
關於本發明之型態的白色發光燈，係將射出紫外線或藍色發光的半導體發光元件配置於基板上，且含有：藉由來自此半導體發光元件的射出光被激發，個別射出藍色發光、綠色發光及紅色發光之藍色螢光體、綠色螢光體及紅色螢光體的發光部，以覆蓋上述半導體發光元件的發光面之方式被形成，藉由從上述藍色螢光體、綠色螢光體及紅色螢光體所射出的各發光的混色來射出白色光的白色發光燈，其特徵為：進而附加有於比上述紅色螢光體的主發光峰值更長波長範圍具有主發光峰值的深紅色螢光體。
具體而言，係具備：射出峰值波長為370nm以上470nm以下範圍的光之半導體發光元件；及藉由從前述半導體發光元件射出的光被激發來發出白色光的發光部，且含有：吸收前述光，並發出峰值波長為440nm以上470nm 以下範圍的光之藍色螢光體、及吸收前述光，並發出峰值波長為530nm以上600nm以下範圍的光之綠色螢光體、及吸收前述光，並發出峰值波長為610nm以上630nm以下範圍的光之紅色螢光體、及吸收前述光，並發出峰值波長為640nm以上660nm以下範圍的光之深紅色螢光體的發光部。
另外，上述紅色螢光體的主發光峰值與深紅色螢光體的主發光峰值，個別選擇在光譜線圖中分離所表示的螢光體，在改善發光強度及演色性上很重要。於具有和：發出峰值波長610nm以上630nm以下範圍的光之紅色螢光體的發光範圍、及發出峰值波長為640nm以上660nm以下範圍的光之深紅色螢光體的發光範圍重疊的寬廣的發光範圍的螢光體中，本發明的效果不易獲得。
進而於上述白色發光燈中，前述藍色螢光體、前述綠色螢光體、前述紅色螢光體及深紅色螢光體，以具有10μm以上80μm以下範圍的平均粒徑為佳。
另外，於上述白色發光燈中，前述發光部係以覆蓋前述半導體發光元件的發光面之方式被設置，且以具有含有前述藍色螢光體、前述綠色螢光體、前述紅色螢光體及前述深紅色螢光體的透明樹脂層為佳。
進而於前述白色發光燈中，前述發光部以具備：以覆蓋前述半導體發光元件的發光面之方式被設置，且不含有前述藍色螢光體、前述綠色螢光體、前述紅色螢光體及前述深紅色螢光體的第1透明樹脂層、及以覆蓋前述第1透明 樹脂層之方式被設置，且含有前述藍色螢光體、前述綠色螢光體、前述紅色螢光體及前述深紅色發光螢光體之第2透明樹脂層為佳。
進而於前述白色發光燈中，前述半導體發光元件以射出於370nm以上470nm以下的範圍具有峰值波長之光的發光二極體或雷射二極體為佳。
關於本發明之白色發光二極體照明裝置，其特徵為具備：關於上述本發明之白色發光燈。
如依據本發明之白色發光燈，進而附加於比紅色螢光體的主發光峰值還長波長範圍具有主發光峰值的深紅色螢光體，藉由使紅色螢光體與深紅色螢光體共存，可以使亮度特性(發光效率)及演色性都獲得提升。此種兼顧高演色性與高亮度的白色發光燈，可以有效地利用於照明用途等。
以下，參照圖面說明實施本發明用之型態。第1圖係表示將本發明的白色發光燈適用於白色發光二極體燈之實施型態的構造剖面圖。同圖所示之白色發光二極體燈1，作為激發源(光源)為具有發光二極體晶片2。激發源並不限定為發光二極體晶片2。作為白色發光燈的激發源，係使用發光的峰值波長為370nm以上470nm以下範圍之發光二極體或雷射二極體等之半導體發光元件。
作為激發源之發光二極體晶片2，係使用InGaN系、GaN系、AlGaN系等之各種發光二極體。發光二極體晶片2的發光峰值波長，以370nm以上430nm以下範圍為佳。藉由將此種發光二極體晶片2共同使用於組合BGR螢光體與深紅(DR)螢光體之BGR-DR螢光體，可以實現高亮度且色再現性優異的白色發光二極體燈1。此處，將作為激發源之發光二極體表示為發光二極體晶片2，將最終獲得白色發光用之發光燈表示為白色發光二極體燈1。
發光二極體晶片2係被構裝於配線基板3上。於配線基板3上設置有圓筒狀的框體4，框體4的內壁面被當成反射層。框體4至少表面以金屬等之導電材料所形成，構成對於發光二極體晶片2之電氣配線的一部份。發光二極體晶片2的上部電極2a，係透過接合導線5與框體4電性連接。發光二極體晶片2的下部電極2b係與配線基板3的金屬配線層6電性及機械性地連接。於框體4內填充有透明樹脂7，發光二極體晶片2被埋入此透明樹脂層7內。
埋入有發光二極體晶片2之透明樹脂層7，含有獲得白色光之螢光體8。被分散於透明樹脂7之螢光體8，係藉由從發光二極體晶片2所射出的光被激發而發出白色光。即分散有螢光體8之透明樹脂層7，係作用為發出白色光的發光部9。發光部9係以覆蓋發光二極體晶片2的發光面之方式被配置。透明樹脂層7例如係使用矽樹脂或環氧樹脂等。另外，基板3或框體4等的構成為任意。
發光部9係如第2圖所示般，可以具備：不含有螢光體8的第1透明樹脂層7A、及含有螢光體8之第2透明樹脂層7B來構成。第1透明樹脂層7A係以覆蓋發光二極體晶片2的發光面之方式被配置，第2透明樹脂層7B係以覆蓋第1透明樹脂層7A之方式被配置。具有此種構造的發光部9，有助於白色發光二極體燈1的發光效率的提升。第1透明樹脂層7A例如被配置於從發光二極體晶片2的發光面起500～2000μm的範圍。
獲得白色光用之螢光體8，係含有：吸收從發光二極體晶片2所射出的光(例如紫外光或紫色光)，發出峰值波長為440nm以上470nm以下範圍的光之藍色(B)螢光體、發出峰值波長為535nm以上570nm以下範圍的光之綠色(G)螢光體、發出峰值波長為590nm以上630nm以下範圍的光之紅色(R)螢光體、及發出峰值波長為640nm以上660nm以下範圍的光之深紅色(DR)螢光體。螢光體8為BGR螢光體與深紅(DR)螢光體的混合螢光體(BGR-DR螢光體)。另外，BGR-DR螢光體8可以含有相同顏色的螢光體2種以上，另外也可以補助性地含有具有藍、黃、紅、深紅以外的發光色之螢光體。BGR-DR螢光體8以事先以結合劑來結合B、G、R、DR之各螢光體的狀態分散於透明樹脂層7中為佳。
施加於白色發光二極體燈1之電能，以發光二極體晶片2被轉換為紫外光或紫色光。從發光二極體晶片2所射出的光，以被分散於透明樹脂層7中的BGR-DR螢光體8被轉換為更長波長的光。藉由從包含於BGR-DR螢光體8中的藍色螢光體、綠色螢光體、紅色螢光體及深紅色螢光體的發光被混色放出，總計白色光從白色發光二極體燈1被發光。構成BGR-DR螢光體8之各螢光體的峰值波長在上述範圍內時，可以獲得亮度或演色性等優異的白色光。
構成BGR-DR螢光體8之各螢光體中，藍色螢光體係使用含有以一般式：(Sr1-x-y-z ,Bax ,Cay ,Euz )5 (PO4 )3 Cl...(1)
(式中，x、y及z為滿足0≦x<0.5、0≦y<0.1、0.005≦z<0.1之數)所表示組成的銪活化鹼土類氯磷酸鹽螢光體。以式(1)表示組成之銪活化鹼土類氯磷酸鹽螢光體，特別是峰值波長為370~430nm範圍的紫外光或紫色光的吸收效率優異。
另外，構成BGR-DR螢光體8的各螢光體中，綠色螢光體係使用具有以一般式：(Ba1-x-y-z ,Srx ,Cay ,Euz )(Mg1-u Mnu )Al10 O17 ...(2)
(式中，x、y及z為滿足0≦x<0.2、0≦y<0.1、0.005<z<0.5、0.1<u<0.5之數)所表示組成的銪錳活化鋁酸鹽螢光體，及含有以一般式：(Sr1-x-y-z-u ,Bax ,Mgy ,Euz ,Mnu )2 SiO4 ...(3)
(式中，x、y、z及u為滿足0.1≦x≦0.35、0.025≦y≦0.105、0.025≦z≦0.25、0.0005≦u≦0.02之數)所表示組成的銪錳活化矽酸鹽螢光體之至少一種。
進而，構成BGR-DR螢光體8之各螢光體中，紅色螢光 體係使用具有以一般式：(La1-x-y ,Eux ,My )2 O2 S...(4)
(式中，M係由Sb、Sm、Ga及Sn所選擇之至少一種的元素，x及y為滿足0.01<x<0.15、0≦y<0.03之數)所表示組成的銪活化硫化鑭酸螢光體。
另外，構成BGR-DR螢光體8之各螢光體中，深紅色螢光體係使用具有以一般式：αMgO．βMgF2 ．(Ge1-x ,Mnx )O2 ...(5)
(式中，α及β為滿足3.0≦α≦4.0、0.4≦β≦0.6、0.001≦x≦0.5之數)所表示組成的錳活化氟鍺酸鎂螢光體。
於具有上述式(5)組成之錳活化氟鍺酸鎂螢光體中，係數α及β在位於上述範圍內的情形時，可以獲得發光亮度及演色性的改善效果。Mn的含有量，作為式(5)中的x值，設為0.001~0.5之範圍。x值未滿0.001時，無法充分獲得紅色發光成分的補強效果。另一方面，x值如超過0.5，535~570nm的綠色發光成分的降低顯著高於600~700nm的紅色發光成分的增加效果，使得整體的發光效率降低。因此，x值以0.002~0.2之範圍為佳。
第3圖係比較上述銪活化鹼土類氯磷酸鹽螢光體((Sr0.95 ,Ba0.043 ,Eu0.007 )5 (PO4 )3 Cl)之發光光譜(B)、及銪錳活化矽酸鹽螢光體(Sr1.48 ,Ba0.32 ,Mg0.095 ,Eu0.1 ,Mn0.005 )SiO4 的發光光譜(G)、及銪活化硫化鑭酸螢光體(La0.885 ,Eu0.115 )2 O2 S之發光光譜(R)、及錳活化氟鍺酸鎂螢光體(3.5MgO‧0.5MgF2 ‧(Ge0.99 ,Mn0.01 )O2 之發光光譜(DR)所表示之曲線。
從第3圖可以明白，錳活化氟鍺酸鎂螢光體(DR)係於比以往的紅色螢光體(R)的主發光峰值更長波長範圍具有主發光峰值，630～670nm的發光強度增加，瞭解到紅的程度被增強。藉此，得以補強紅色發光成分。
紅色螢光體和藍色螢光體或綠色螢光體相比，得知對於波長370~430nm範圍的紫外線或紫色光的發光效率差。對此種問題點，藉由錳活化氟鍺酸鎂螢光體(DR)來補強深紅色發光成分，使藍、黃、紅的各發光成分混色所獲得的白色光的亮度或演色性可以提高。即藉由使以往的紅色發光螢光體和錳活化氟鍺酸鎂螢光體(DR)並存，補強紅色螢光體的發光不足，使亮度平衡提升，可以提高白色光的亮度。進而藉由使亮度平衡提升，可以提高白色光的演色性。
於具有以式(3)所表示組成的綠色螢光體中，藉由於銪活化矽酸鹽螢光體的發光光譜加上錳的發光，認為紅色發光成分被補強。在獲得此種效果之外，錳的含有量，作為式(3)中的u之值，設為0.0005～0.02之範圍。u值如未滿0.0005時，無法充分獲得紅色發光成分的補強效果。另一方面，u值如超過0.02時，535～570nm的綠色發光成分的降低顯著高於600～700nm的紅色發光成分的增加效果。u值以0.005～0.02之範圍為佳。
銪主要是獲得綠色發光用之活化劑。銪之含有量，為了獲得綠色發光，作為式(3)中之x的值，設為0.025～0.25之範圍。銪的含有量如偏離上述範圍，綠色發光成分的強度等降低。銪的含有量作為z的值，以設為0.05～0.2之範圍為佳。
藉由銪及錳活化鹼土類矽酸鹽螢光體之紅色發光成分的補強效果，特別是在以峰值波長為370～430nm範圍的紫外光或紫色光所激發的情形，會顯著顯現之現象。另外，以峰值波長為440～470nm的藍色光(從藍色發光二極體所射出的光)來激發銪及錳活化鹼土類矽酸鹽螢光體之情形，若干發光光譜的紅色成分被增強。以式(3)表示組成之銪及錳活化鹼土類矽酸鹽螢光體，特別是作為激發源，可有效作為使用峰值波長為370～430nm範圍之發光二極體晶片2的白色發光二極體燈1的綠色螢光體。
且說，於以往的銪活化鹼土類氯磷酸鹽螢光體((Sr,Ba,Eu)2 SiO4 螢光體)只添加錳時，於螢光體製作時，螢光體的體色黑化，無法獲得良好的發光特性。因此，於此實施型態的綠色螢光體中，於銪及錳活化鹼土類矽酸鹽螢光體(Sr,Ba,Eu,Mn)2 SiO4 螢光體)進而添加鎂。
藉由於(Sr,Ba,Eu,Mn)2 SiO4 螢光體添加鎂，可以維持作為綠色螢光體之發光特性。於獲得上述之黑色防止效果之外，鎂之含有量作為式(3)中的y之值，設為0.025～0.105之範圍。y之值如未滿0.025，無法充分獲得綠色螢光體的黑化防止效果。另一方面，y之值如超過0.105，535～570nm之綠色發光成分降低。y之值以設為0.075～0.105之範圍為佳。
鋇的含有量，在將銪及錳活化鹼土類矽酸鹽螢光體當成綠色螢光體後，作為式(3)中的x之值，設為0.1～0.35的範圍。鋇的含有量如偏離上述範圍，鹼土類矽酸鹽的結晶構造等變化，成為帶有綠的程度的螢光體。x之值以設為0.1～0.3之範圍為佳。
構成BGR-DR螢光體8之各螢光體中，作為藍色螢光體及紅色螢光體，如係可以有效率地吸收從發光二極體晶片2所射出的光(特別是紫外光或紫色光)，可以使用各種的螢光體。特別是基於和由銪及錳活化鹼土類矽酸鹽螢光體所形成的綠色螢光體的組合之觀點，藍色螢光體以從銪活化鹼土類氯磷酸鹽螢光體及銪活化鋁酸鹽螢光體選擇至少1種為佳，紅色螢光體以銪活化硫化鑭酸螢光體為佳。
作為藍色螢光體之銪活化鹼土類氯磷酸鹽螢光體，以具有以
一般式：(Sr1-x-y-z ,Bax ,Cay ,Euz )5 (PO4 )3 Cl...(1)
(式中，x、y及z為滿足0≦x<0.5、0≦y<0.1、0.005≦z<0.1之數)所表示組成為佳。滿足式(1)之組成的銪活化鹼土類氯磷酸鹽螢光體，從發光二極體晶片2所射出的光的吸收效率高，且與以式(2)、(3)所表示的綠色螢光體的組合性優異。
銪活化鋁酸鹽螢光體以具有以
一般式：(Ba1-x-y-z ,Srx ,Cay ,Euz )(Mg1-u Mnu )Al10 O17 ...(2)
(式中，x、y及z為滿足0≦x<0.2、0≦y<0.1、0.005<z<0.5、0.1<u<0.5之數)所表示組成為佳。滿足式(2)之組成的銪活化鋁酸鹽螢光體，從發光二極體晶片2所射出的光的吸收效率高，為很優異的螢光體。
另外，作為其他的綠色螢光體，可以使用以
一般式：(Sr1-x-y-z-u ,Bax ,Mgy ,Euz ,Mnu )2 SiO4 ...(3)
(式中，x、y、z及u為滿足0.1≦x≦0.35、0.025≦y≦0.105、0.025≦z≦0.25、0.0005≦u≦0.02之數)所表示組成的銪錳活化矽酸鹽螢光體。
作為紅色螢光體之銪活化硫化鑭酸螢光體，以具有以
一般式：(La1-x-y-z ,Eux ,My )2 O2 S...(4)
(式中，M係由Sb、Sm、Ga及Sn所選擇之至少一種的元素，x及y為滿足0.01<x<0.15、0≦y<0.03之數)所表示組成的。滿足式(4)的組成之銪活化硫化鑭酸螢光體，從發光二極體晶片2所射出的光的吸收效率高，且與以式(2)、(3)所表示的綠色螢光體的組合性優異。
作為深紅色螢光體之錳活化氟鍺酸鎂螢光體，以具有以
一般式：αMgO‧βMgF2 ‧(Ge1-x ,Mnx )O2 ...(5)
(式中，α及β為滿足3.0≦α≦4.0、0.4≦β≦0.6、0.001≦x≦0.5之數)所表示組成為佳。滿足式(5)的組成之錳活化氟鍺酸鎂螢光體，於比紅色螢光體(R)的主發光峰值還長波長範圍具有主發光峰值，630～670nm的發光強度增加，瞭解紅的程度被增強。藉此補強紅色發光成分，可以有效地改善演色性。
第4圖係表示使用包含上述之藍(B)、綠(G)、紅(R)及深紅(DR)之各螢光體的BGR-DR螢光體8之白色發光二極體燈1之發光光譜的一例。第4圖為以BGR-DR螢光體將來自電流值20mA、峰值400nm的發光二極體晶片的紫外光轉換(x,y)色度值為(x=0.300~0.350、y=0.300~0.350)之白色光時的發光光譜。如依據上述各螢光體的組合，可以獲得藍色發光成分的峰值為450nm、綠色發光成分的峰值為560nm、紅色發光成分的峰值為623nm、深紅色發光成分的峰值為650nm，亮度370mcd以上，平均演色指數(Ra)為98以上的特性值。
另一方面，第5圖係表示只含有藍(B)、綠(G)、紅(R)螢光體，而不含有深紅(DR)色螢光體之白色發光二極體燈1的發光光譜的一例。在不含有深紅(DR)色螢光體的情形，確認發光強度(發光效率)降低，平均演色指數(Ra)也只到達92之程度。
藍、黃、紅及深紅之各螢光體，例如作為彼等的混合物而使分散於透明樹脂層7中。各螢光體的混合比率則因應目的之白色光的色度而被任意地設定。因應需要，也可以添加藍、黃、紅及深紅以外的螢光體。在以發光部9可以獲得良好的白色發光上，各螢光體的混合比率，以將藍色螢光體設為20~35質量%、綠色螢光體設為1~10質量%、紅色螢光體設為0.4~70質量%、深紅色螢光體設為3~25質量%(藍色螢光體、綠色螢光體、紅色螢光體、深紅色螢光體的合計為100質量%)為佳。
進而藍、黃、紅及深紅的各螢光體，以個別具有10μm以上80μm以下範圍的平均粒徑為佳。此處所稱的平均粒徑係表示粒度分布的中位值(50%值)。藉由將藍、黃、紅及深紅之各螢光體的平均粒徑設為10~80μm之範圍，可以提高由發光二極體晶片2所射出的紫外光或紫色光的吸收效率。因此，可以進一步提高白色發光二極體燈1的亮度。將螢光體的平均粒徑設為20~70μm之範圍更佳。
藍、黃、紅及深紅之各螢光體於提高透明樹脂層7中的分散狀態之均一性方面，可以事先以無機接合劑或有機結合劑等之結合劑予以一體化，在此狀態下使分散於透明樹脂層7中。作為無機結合劑，使用微粉化的鹼土類硼酸鹽等，作為有機結合劑，使用丙烯基樹脂或矽樹脂等之透明樹脂。藉由使用結合劑進行一體化處理，各螢光體隨機地結合而大粒徑化。藉此，依據在透明樹脂層7中之各螢光體的沉降速度差等之分散狀態的不均一性被消除，可以提高白色光的再現性或發光的均一性。
此實施型態之白色發光二極體燈1在亮度特性、演色性、色再現性等之燈特性優異。因此，白色發光二極體燈1可以有效地作為車載用燈、訊號裝置、各種開關類、一般照明等之照明裝置的光源。依據本發明之實施型態的照明裝置，作為光源為具備1個或複數個白色發光二極體燈1。白色發光二極體燈1可以因應使用的照明裝置的構造，以各種的排列來配置於構裝基板上使用。使用此實施型態之白色發光二極體燈1的照明裝置，作為以往的螢光燈之代替品，可以提供高品質的照明。
[實施例]
接著，敘述本發明之具體的實施例及其評價結果。
(實施例1-22)
作為藍色螢光體(B)，準備平均粒徑為12μm之銪活化鹼土類氯磷酸鹽((Sr0.95 ,Ba0.043 ,Eu0.007 )5 (PO4 )3 Cl)螢光體(以下，表1中略記為「B1」)、作為綠色螢光體(G)，準備平均粒徑為15μm之銪錳活化檢土類矽酸鹽((Sr1.48 ,Ba0.32 ,Mg0.095 ,Eu0.1 ,Mn0.005 )2 SiO4 )螢光體(以下，表1中略記為「G1」)、作為綠色螢光體，準備平均粒徑為15μm之銪活化鋁酸鹽螢光體((Ba0.95 ，Eu0.05 )(Mg0.7 Mn0.3 )Al10 O17 )(以下，表1中略記為「G2」)、作為紅色螢光體(R)，準備平均粒徑為12μm之銪活化硫化鑭酸((La0.885 ,Eu0.115 )2 O2 S)螢光體(以下，表1中略記為「R1」)、及作為深紅色螢光體(DR)，準備平均粒徑12μm，且個別具有表1所示組成之錳活化氟鍺酸鎂螢光體。螢光體的粒徑係以雷射繞射法所測定的值。
將各螢光體個別以30質量%的比例混合於矽樹脂來製作漿劑。將此等各漿劑以表1所示的重量比例(質量%)來混合藍色螢光體漿劑、綠色螢光體漿劑、紅色螢光體漿劑及深紅色螢光體漿劑以調製各混合螢光體，使得白色發光二極體燈的發光色度進入(x=0.29~0.34、y=0.29~0.34)之範圍，且電燈色的色溫度成為2800K。
接著，於第2圖所示構造之白色發光二極體燈1的發光二極體晶片(發光峰值波長：399nm、尺寸：300×300μm)2上，滴下不含螢光體的矽樹脂後，滴下含上述各螢光體之混合漿劑，藉由以140℃進行熱處理，使矽樹脂營化，製作關於各實施例之白色發光二極體燈1。將獲得的白色發光二極體燈作為後述的特性評價。
(比較例1)
除了不使含有深紅色螢光體之錳活化氟鍺酸鎂螢光體之點，及如表1所示般調整BGR螢光體的混合比以外，和實施例4同樣地進行處理，製作具有和第2圖所示構造相同構造的比較例1之白色發光二極體燈1，提供後述的特性評價。
(比較例2)
關於深紅色螢光體，使用錳對鍺之含有比例設定為過少之錳活化氟鍺酸鎂螢光體以外，與實施例4同樣地進行處理，製作具有和第2圖所示構造相同構造的比較例2之白色發光二極體燈1，提供後述的特性評價。
(比較例3)
關於深紅色螢光體，使用錳對鍺之含有比例設定為過多之錳活化氟鍺酸鎂螢光體以外，與實施例4同樣地進行處理，製作具有和第2圖所示構造相同構造的比較例2之白色發光二極體燈1，提供後述的特性評價。
對如上述般調製的各實施例1～22及比較例1～3之各白色發光二極體燈通以20mA的電流予以點亮，測定各白色發光二極體燈的亮度(發光效率)及平均演色指數Ra。另外，上述平均演色指數Ra，係依據日本工業規格(JIS Z8726-1990：光源的演色性評價方法)來測定。另外，各白色發光二極體燈的發光特性(亮度、發光效率)係使用Instrument System公司製CAS140 COMPACT ARRAY SPECTROMETER及大塚電子公司製MCPD裝置來測定。將此等測定結果表示於表1。
由上述表1所示結果可以明白，依據進一步附加於比紅色螢光體的主發光峰值還長波長範圍具有主發光峰值的特定組成之深紅色螢光體，使紅色螢光體與深紅色螢光體共存的實施例1～22之各白色發光二極體燈，和比較例1～3相比，確認到發光效率及演色性都優異。各實施例所獲得的平均演色評價指數Ra為95Ra以上(實施例中，為96～98Ra)，和各比較例者比較，瞭解到演色性被大幅改善。另外，在各實施例中，發光效率也在62Lm/W以上，瞭解到發光效率也被改善。
另一方面，於不含有錳活化氟鍺酸鎂螢光體，只以以往的BGR螢光體所構成的比較例1之白色發光二極體燈中，和實施例相比，相對地發光效率及演色性都比較低。另外，如依據使用將錳對於鍺之含有比率設定為過少的深紅色螢光體的比較例2之白色發光二極體燈，演色性的改善效果稍微可以確認到，但則無發光效率的改善效果。進而，如依據使用將錳對於鍺之含有比率設定為過多的深紅色螢光體的比較例3之白色發光二極體燈，演色性的改善效果稍微可以確認到，但再度確認到發光效率大幅地降低。
[產業上之利用可能性]
如依據本發明之白色發光二極體燈，進一步附加於比紅色螢光體的主發光峰值還長波長範圍具有主發光峰值的深紅色螢光體，使紅色螢光體與深紅色螢光體共存，可以使亮度特性(發光效率)及演色性都提升。此種使高演色性及高亮度共存的白色發光二極體燈，可以有效地使用於照明用途等。
1．．．白色發光二極體燈
2．．．發光二極體晶片
2a．．．上部電極
2b．．．下部電極
3．．．配線基板
4．．．框體
5．．．接合導線
6．．．金屬配線層
7．．．透明樹脂層
7A．．．第1透明樹脂層
7B．．．第2透明樹脂層
8．．．BGR-DR螢光體
9．．．發光部
第1圖係表示關於本發明之一實施型態的白色發光燈的構造剖面圖。
第2圖係表示第1圖所示之白色發光燈的變形例之剖面圖。
第3圖係表示適用於本發明之4種的B、G、R、DR螢光體的發光光譜之一例的曲線。
第4圖係表示關於本發明之實施型態的白色發光二極體燈的發光光譜之一例的曲線。
第5圖係表示不包含DR螢光體，只以以往的BGR螢光體來形成發光部之白色發光二極體的發光光譜之一例的曲線。
1．．．白色發光二極體燈
2．．．發光二極體晶片
2a．．．上部電極
2b．．．下部電極
3．．．配線基板
4．．．框體
5．．．接合導線
6．．．金屬配線層
7．．．透明樹脂層
8．．．BGR-DR螢光體
9．．．發光部

Claims (11)

  1. 一種白色發光燈，係將射出紫外線或藍色發光的半導體發光元件配置於基板上，且含有：藉由來自此半導體發光元件的射出光被激發，個別射出藍色發光、綠色發光及紅色發光之藍色螢光體、綠色螢光體及紅色螢光體的發光部，以覆蓋上述半導體發光元件的發光面之方式被形成，藉由從上述藍色螢光體、綠色螢光體及紅色螢光體所射出的各發光的混色來射出白色光的白色發光燈，其特徵為：進而附加有：於比上述紅色螢光體的主發光峰值更長波長範圍具有主發光峰值的錳活化氟鍺酸鎂深紅色螢光體，上述白色光之平均演色評值指數為96以上。
  2. 如申請專利範圍第1項之白色發光燈，其中，前述螢光體之混合比率係藍色螢光體為20~35質量%、綠色螢光體為1~10質量%、紅色螢光體為0.4~70質量%，然後深紅色螢光體為3~25質量%；前述4種之螢光體之合計為100質量%者。
  3. 如申請專利範圍第1項所記載之白色發光燈，其中，前述藍色螢光體係由具有以一般式：(Sr1-x-y-z ,Bax ,Cay ,Euz )5 (PO4 )3 Cl...(1)(式中，x、y及z為滿足0≦x≦0.5、0≦y<0.1、0.005≦z<0.1之數)所表示組成的銪活化鹼土類氯磷酸鹽螢光體所形成。
  4. 如申請專利範圍第1項所記載之白色發光燈，其 中，前述綠色螢光體係由具有以一般式：(Ba1-x-y ,Srx ,Cay ,Euz )(Mg1-u Mnu )Al10 O17 ...(2)(式中，x、y及z為滿足0≦x<0.2、0≦y<0.1、0.005<z<0.5、0.1<u<0.5之數)所表示組成的銪錳活化鋁酸鹽螢光體，及具有以一般式：(Sr1-x-y-z-u ,Bax ,Mgy ,Euz ,Mnu )2 SiO4 ...(3)(式中，x、y、z及u為滿足0.1≦x≦0.35、0.025≦y≦0.105、0.025≦z≦0.25、0.0005≦u≦0.02之數)所表示組成的銪錳活化矽酸鹽螢光體之至少一種所形成。
  5. 如申請專利範圍第1項所記載之白色發光燈，其中，前述紅色發光螢光體係由具有以一般式：(La1-x-y ,Eux ,My )2 O2 S...(4)(式中，M係由Sb、Sm、Ga及Sn所選擇之至少一種的元素，x及y為滿足0.01<x<0.15、0≦y<0.03之數)所表示組成的銪活化硫化鑭酸螢光體所形成。
  6. 如申請專利範圍第1項所記載之白色發光燈，其中，前述深紅色發光螢光體係由具有以一般式：αMgO．βMgF2 ．(Ge1-x ,Mnx )O2 ...(5)(式中，α及β為滿足3.0≦α≦4.0、0.4≦β≦0.6、0.001≦x≦0.5之數)所表示組成的錳活化氟鍺酸鎂螢光體。
  7. 如申請專利範圍第1、2、3、4、5或6項所記載之白色發光燈，其中，前述藍色螢光體、前述綠色螢光體、前述紅色螢光體及深紅色發光螢光體，係具有10μm以上 80μm以下範圍的平均粒徑。
  8. 如申請專利範圍第1、2、3、4、5或6項所記載之白色發光燈，其中，前述發光部係具有以覆蓋前述半導體發光元件的發光面之方式被設置，且含有前述藍色螢光體、前述綠色螢光體、前述紅色螢光體及前述深紅色發光螢光體的透明樹脂層。
  9. 如申請專利範圍第1、2、3、4、5或6項所記載之白色發光燈，其中，前述發光部係具備：以覆蓋前述半導體發光元件的發光面之方式被設置，且不含有前述藍色螢光體、前述綠色螢光體、前述紅色螢光體及前述深紅色螢光體的第1透明樹脂層、及以覆蓋前述第1透明樹脂層之方式被設置，且含有前述藍色螢光體、前述綠色螢光體、前述紅色螢光體及前述深紅色發光螢光體之第2透明樹脂層。
  10. 如申請專利範圍第1、2、3、4、5或6項所記載之白色發光燈，其中，前述半導體發光元件，係射出於370nm以上470nm以下的範圍具有峰值波長之光的發光二極體或雷射二極體。
  11. 一種白色二極體照明裝置，其特徵為具備：如申請專利範圍第1、2、3、4、5或6項所記載之白色發光燈。
TW099130660A 2009-09-17 2010-09-10 White light and its use of white light-emitting diode lighting device TWI420710B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009215889 2009-09-17

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201138156A TW201138156A (en) 2011-11-01
TWI420710B true TWI420710B (zh) 2013-12-21

Family

ID=43758522

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW099130660A TWI420710B (zh) 2009-09-17 2010-09-10 White light and its use of white light-emitting diode lighting device

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8884512B2 (zh)
EP (1) EP2479811B1 (zh)
JP (1) JP5777520B2 (zh)
KR (1) KR101331304B1 (zh)
TW (1) TWI420710B (zh)
WO (1) WO2011033910A1 (zh)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2949165B1 (fr) * 2009-08-11 2011-10-07 Oberthur Technologies Carte a microcircuit comprenant une diode electroluminescente
CN102945918A (zh) * 2012-12-05 2013-02-27 南通脉锐光电科技有限公司 一种暖白光led发光装置
CN103078048B (zh) * 2013-01-08 2016-05-11 江苏脉锐光电科技有限公司 白光发光装置
CN102936495B (zh) * 2012-11-01 2016-05-11 重庆文理学院 一种白光led用硅酸盐橙红色荧光粉的合成方法
CN105733568B (zh) * 2012-11-01 2018-05-29 重庆文理学院 一种稳定性好的硅酸盐荧光粉的制备方法
US10020428B2 (en) * 2013-10-02 2018-07-10 Glbtech Co., Ltd. White light emitting device having high color rendering
KR101417874B1 (ko) * 2013-10-02 2014-07-09 지엘비텍 주식회사 고연색성 백색 발광 소자
JP2015082596A (ja) * 2013-10-23 2015-04-27 株式会社東芝 発光装置
JP6156440B2 (ja) * 2014-05-30 2017-07-05 日亜化学工業株式会社 赤色発光蛍光体及びこれを用いた発光装置
JP6503929B2 (ja) * 2014-06-30 2019-04-24 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置
KR102475623B1 (ko) * 2015-01-23 2022-12-09 서울반도체 주식회사 발광 장치
WO2016056836A1 (ko) * 2014-10-07 2016-04-14 서울반도체 주식회사 발광 장치
CN105154073A (zh) * 2015-07-20 2015-12-16 中国科学院长春应用化学研究所 一种适用于紫外/近紫外光激发的白光led用蓝/绿色荧光粉及其制备方法
US10236425B2 (en) * 2016-03-08 2019-03-19 Glbtech Co., Ltd. White light emitting device having high color rendering
JP6477779B2 (ja) * 2016-05-26 2019-03-06 日亜化学工業株式会社 発光装置
EP3249703B1 (en) * 2016-05-26 2021-08-04 Nichia Corporation Light emitting device
JP6805897B2 (ja) * 2017-03-07 2020-12-23 豊田合成株式会社 発光装置
JP2019016632A (ja) * 2017-07-04 2019-01-31 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR102486988B1 (ko) 2017-09-22 2023-01-10 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
KR101990475B1 (ko) 2018-03-21 2019-06-19 (주)올릭스 발광 스펙트럼을 제어한 초고연색 백색 발광 소자 및 이를 포함하는 조명 장치
JP7174238B2 (ja) * 2018-11-29 2022-11-17 日亜化学工業株式会社 ハロリン酸塩蛍光体及び発光装置
US10720551B1 (en) * 2019-01-03 2020-07-21 Ford Global Technologies, Llc Vehicle lamps
KR102368731B1 (ko) 2021-11-22 2022-02-28 주식회사 에스에스라이트 Uv led와 백색 led를 구비한 led 조명 장치

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005340748A (ja) * 2003-09-18 2005-12-08 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2008174621A (ja) * 2007-01-17 2008-07-31 Mitsubishi Chemicals Corp 蛍光体、蛍光体含有組成物、発光装置、画像表示装置、及び照明装置
JP2008202044A (ja) * 2007-02-16 2008-09-04 Samsung Electronics Co Ltd 深赤色蛍光体およびその製造方法
JP2009030063A (ja) * 2008-09-08 2009-02-12 Toshiba Corp 発光機能を有する装置
JP2009081288A (ja) * 2007-09-26 2009-04-16 Toshiba Corp 照明用白色発光ランプの製造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0686997A3 (en) * 1994-06-06 1996-06-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd Discharge lamp and lighting device for general lighting
JP3268961B2 (ja) 1994-06-06 2002-03-25 松下電器産業株式会社 一般照明用蛍光ランプ及び一般照明用照明器具
JP4077170B2 (ja) 2000-09-21 2008-04-16 シャープ株式会社 半導体発光装置
JP3749243B2 (ja) 2001-09-03 2006-02-22 松下電器産業株式会社 半導体発光デバイス，発光装置及び半導体発光デバイスの製造方法
JP2003160785A (ja) 2001-11-27 2003-06-06 Toshiba Corp 赤色発光蛍光体とそれを用いた発光装置
WO2005004202A2 (en) * 2003-06-24 2005-01-13 Gelcore Llc Full spectrum phosphor blends for white light generation with led chips
US7088038B2 (en) * 2003-07-02 2006-08-08 Gelcore Llc Green phosphor for general illumination applications
US7026755B2 (en) * 2003-08-07 2006-04-11 General Electric Company Deep red phosphor for general illumination applications
US20070241657A1 (en) * 2004-08-02 2007-10-18 Lumination, Llc White light apparatus with enhanced color contrast
US8896004B2 (en) * 2005-04-26 2014-11-25 Kabushiki Kaisha Toshiba White LED, backlight using the same, and liquid crystal display device
TWI260799B (en) 2005-05-06 2006-08-21 Harvatek Corp Multi-wavelength white light light-emitting diode

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005340748A (ja) * 2003-09-18 2005-12-08 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2008174621A (ja) * 2007-01-17 2008-07-31 Mitsubishi Chemicals Corp 蛍光体、蛍光体含有組成物、発光装置、画像表示装置、及び照明装置
JP2008202044A (ja) * 2007-02-16 2008-09-04 Samsung Electronics Co Ltd 深赤色蛍光体およびその製造方法
JP2009081288A (ja) * 2007-09-26 2009-04-16 Toshiba Corp 照明用白色発光ランプの製造方法
JP2009030063A (ja) * 2008-09-08 2009-02-12 Toshiba Corp 発光機能を有する装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120043115A (ko) 2012-05-03
JP5777520B2 (ja) 2015-09-09
EP2479811A1 (en) 2012-07-25
TW201138156A (en) 2011-11-01
JPWO2011033910A1 (ja) 2013-02-14
EP2479811B1 (en) 2017-07-12
US8884512B2 (en) 2014-11-11
US20120187824A1 (en) 2012-07-26
WO2011033910A1 (ja) 2011-03-24
EP2479811A4 (en) 2013-02-20
KR101331304B1 (ko) 2013-11-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI420710B (zh) White light and its use of white light-emitting diode lighting device
JP5747023B2 (ja) 白色発光ランプおよびそれを用いた白色ｌｅｄ照明装置
JP5121736B2 (ja) 白色発光ランプとそれを用いた照明装置
JP3993854B2 (ja) 半導体発光素子とこれを用いた発光装置
TWI615995B (zh) 發光裝置
JP3985486B2 (ja) 半導体発光素子とこれを用いた発光装置
JP4559496B2 (ja) 発光装置
JP4945436B2 (ja) 白色発光ランプとそれを用いたバックライト、表示装置および照明装置
TWI322514B (zh)
JP5390390B2 (ja) 蛍光体およびそれを用いたｌｅｄランプ
JP4965840B2 (ja) 白色発光型ｌｅｄランプの製造方法およびそれを用いたバックライトの製造方法並びに液晶表示装置の製造方法
JP2009073914A (ja) 緑色発光蛍光体とそれを用いた発光モジュール
JP2011096685A (ja) 蛍光体を用いた発光モジュール及びこれを用いた車両用灯具