TWI448538B - 螢光材料與紫外光發光裝置 - Google Patents
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- TWI448538B TWI448538B TW101139017A TW101139017A TWI448538B TW I448538 B TWI448538 B TW I448538B TW 101139017 A TW101139017 A TW 101139017A TW 101139017 A TW101139017 A TW 101139017A TW I448538 B TWI448538 B TW I448538B
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
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- H01J1/62—Luminescent screens; Selection of materials for luminescent coatings on vessels
- H01J1/63—Luminescent screens; Selection of materials for luminescent coatings on vessels characterised by the luminescent material
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- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
- C09K11/7777—Phosphates
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- H01J65/00—Lamps without any electrode inside the vessel; Lamps with at least one main electrode outside the vessel
- H01J65/04—Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels
- H01J65/042—Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels by an external electromagnetic field
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Description
本發明係關於一種螢光材料，更特別關於此種材料於紫外光發光裝置之應用。
無機螢光材料(Phosphors)，其激發與發光等項特性多是由「主體材料(Host materials)」、「活化劑/發光中心(Activators)」及其他「摻雜物」(Dopants)等組成因素所決定，亦即由不同的主體材料或摻雜物所組成的螢光材料，將可能具有相異的發光特性，而「組成」自然地也成為調控螢光材料光電特性的最重要因素。其中，無機螢光材料的主體材料多數由硫化物(Sulfides)、氧化物(Oxides)、硫氧化物(Oxysulfides)與其他複合氧化物(Complex oxides；Silicates、Aluminates、Phosphates etc.)所組成，近年來則有逐漸朝往氮化物(Nitrides)與氮氧化物(Oxynitrides)發展的趨勢；至於活化劑/發光中心則主要為過渡元素(Transition metal elements)或稀土族元素(Rare-earth elements)的離子為主。
未來光源需符合低汞/無汞的環保訴求，是故高效率的氙準分子燈(Xe2 ＊
excimer lamp)有可能成為未來重要應用的光源。在實際應用時為符合放射波長的特性需求，氙準分子燈常需搭配螢光材料進行光轉換。氙準分子燈主要的放射波長為172nm的真空紫外線(Vacuum ultra violet、VUV)，經適當螢光材料光轉換後，可放射UV-B(280~320nm)
或UV-C(200~280nm)。UV-B可應用於光醫療(Phototherapy)，比如治療乾癬(Psoriasis)、白斑病(Vitiligo)、異位性皮膚炎(Atopic dermatitis)等皮膚病。UV-C可應用於殺菌(Disinfection)或純化(Purification；TOC reduction)等各項領域。目前能搭配氙準分子燈的紫外線放射螢光粉相當少見，因此亟需開發新穎的螢光粉以符上述需求。
本發明一實施例提供一種螢光材料，具有化學式如下：M3-2x
M’x
(M”1-y-z
Pry
Gdz
)(PO4
)2
，其中M係Li、Na、K、或上述之組合；M’係Ca、Sr、Ba、Mg、Zn、或上述之組合；M”係Sc、Y、La、Lu、Al、Ga、In、或上述之組合；0x1；0<y0.15；以及0<z0.7。
本發明一實施例提供一種紫外線發光裝置，包括：激發光源；以及上述之螢光材料，其中激發光源之放射波長介於140nm至240nm。
一般而言，磷酸鹽類主體材料多數具有寬能隙特性，可以搭配不同活化劑而展現出各種相異的激發與放射特徵，可謂是多功能性的主體材料系統。本發明之實施例選擇較罕見的MM’M”(PO4
)2
或M3
M”(PO4
)2
為主體材料系統，並搭配Pr3+
及/或Gd3+
為活化劑。M為一價金屬元素如Li、Na、K、或上述之組合。M’為二價金屬元素如Ca、Sr、
Ba、Mg、Zn、或上述之組合。M”為三價金屬如Sc、Y、La、Lu、Al、Ga、In、或上述之組合。其中Pr3+
與Gd3+
離子具有放射UV-B或UV-C的適當能階，結合MM’M”(PO4
)2
或M3
M”(PO4
)2
磷酸鹽類主體材料可以作為紫外光放射螢光材料，並可進一步結合Xe2 ＊
準分子燈而製作無汞的UV-B或UV-C紫外光光源。
本發明一實施例提供之螢光材料，其化學式如式1：M3-2x
M’x
(M”1-y-z
Pry
Gdz
)(PO4
)2
(式1)
在式1中，M係Li、Na、K、或上述之組合，M’係Ca、Sr、Ba、Mg、Zn、或上述之組合，而M”係Sc、Y、La、Lu、Al、Ga、In、或上述之組合。0x1，0<y0.15，以及0<z0.7。
當式1中的x為0時，螢光材料之化學式為M3
(M”1-y-z
Pry
Gdz
)(PO4
)2
如Li3
(Y1-y-z
Pry
Gdz
)(PO4
)2
、Na3
(Y1-y-z
Pry
Gdz
)(PO4
)2
、K3
(Y1-y-z
Pry
Gdz
)(PO4
)2
、K3
(Ga1-y-z
Pry
Gdz
)(PO4
)2
、K3
(In1-y-z
Pry
Gdz
)(PO4
)2
、K3
(La1-y-z
Pry
Gdz
)(PO4
)2
、K3
(Lu1-y-z
Pry
Gdz
)(PO4
)2
、或K3
(Sc1-y-z
Pry
Gdz
)(PO4
)2
。當式1中的x為1時，螢光材料之化學式為MM’(M”1-y-z
Pry
Gdz
)(PO4
)2
如KCa(Y1-y-z
Pry
Gdz
)(PO4
)2
、KSr(Y1-y-z
Pry
Gdz
)(PO4
)2
、KBa(Y1-y-z
Pry
Gdz
)(PO4
)2
、KMg(Y1-y-z
Pry
Gdz
)(PO4
)2
、或KZn(Y1-y-z
Pry
Gdz
)(PO4
)2
。經140nm至240nm之波長的光激發後，上述螢光材料放射紫外光，且紫外光之主放射波峰介於240nm至400nm之間。上述螢光材料
M3-2x
M’x
(M”1-y-z
Pry
Gdz
)(PO4
)2
可應用於紫外光發光裝置。
在本發明一實施例中，紫外光發光裝置10具有填有氙氣11之燈管12，燈管12外壁之外電極13、燈管12中的內電極15、及塗佈於燈管12內壁上的螢光材料14(M3-2x
M’x
(M”1-y-z
Pry
Gdz
)(PO4
)2
)，如第1圖所示。內電極15與外電極13分別連接至高壓電源17之正負極，即可激發氙氣以放射波長介於140nm至240nm的光線。
此外，本發明亦提供上述磷酸鹽螢光材料之製造方法，包含以下步驟：首先，混合以下成份得到混合物：(1)具有M之含氧化合物；(2)具有M’之含氧化合物；(3)具有M”之含氧化合物；(4)磷酸氫二銨((NH4
)2
HPO4
)或磷酸二氫銨((NH4
)H2
PO4
)；以及(5)具有Pr之含氧化合物與具有Gd之含氧化合物。接著對混合物進行燒結，且燒結溫度介於900℃至1300℃之間。當混合物升溫至燒結溫度後，維持在燒結溫度下8至32小時，以燒結混合物。根據本發明之實施例，具有M之含氧化合物可為Li、Na、K、或上述之組合的金屬氧化物、金屬碳酸化合物、或金屬硝酸化合物。具有M’之含氧化合物可為Ca、Sr、Ba、Mg、Zn、或上述之組合的金屬氧化物、金屬碳酸化合物、或金屬硝酸化合物。具有M”之含氧化合物可為Sc、Y、La、Lu、Al、Ga、In、或上述之組合之金屬氧化物、金屬碳酸化合物或金屬硝酸化合物。具有Pr之含氧化合物與具有Gd之含氧化合物可為金屬氧化物或金屬硝酸化合物。
為了讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更
明顯易懂，下文特舉數實施例配合所附圖示，作詳細說明如下：
依化學劑量比例取碳酸鉀、氧化釔、氧化鐠、及磷酸氫二銨，均勻混合後放入坩鍋，置入高溫爐於空氣下900℃~1100℃燒結，以製備不同Y/Pr莫耳比例的K3
(Y1-y
Pry
)(PO4
)2
，其中y分別為0.02、0.04、0.06、0.08、0.1、0.12、及0.14。第2圖為不同Y/Pr莫耳比例之K3
(Y1-y
Pry
)(PO4
)2
放射光譜，係放射波長介於230nm至300nm的UV光。如第2圖所示，8mol%的Pr3+
添加可得最佳發光強度。第3圖為K3
(Y0.92
Pr0.08
)(PO4
)2
之激發光譜，其激發波段介於140到240nm。
依化學劑量比例取碳酸鉀、氧化釔、氧化釓、及磷酸氫二銨，均勻混合後放入坩鍋，置入高溫爐於空氣下900℃~1100℃燒結，以製備不同Y/Gd莫耳比例的K3
(Y1-z
Gdz
)(PO4
)2
，其中z分別為0.3、0.4、0.5、0.6、及0.7。第4圖為不同Y/Gd莫耳比例之K3
(Y1-z
Gdz
)(PO4
)2
放射光譜，係放射波長介於300nm至330nm的UV光。如第4圖所示，50mol%的Gd3+
添加可得最佳發光強度。
依化學劑量比例取碳酸鉀、氧化釔、氧化鐠、氧化釓、及磷酸氫二銨，均勻混合後放入坩鍋，置入高溫爐於空氣下900℃~1100℃燒結，以製備不同Y/Gd莫耳比例的K3
(Y0.92-z
Pr0.08
Gdz
)(PO4
)2
，其中固定Pr3+
濃度為8 mol%，
改變不同的Gd3+
濃度，第5圖為不同Y/Gd莫耳比例的K3
(Y0.92-z
Pr0.08
Gdz
)(PO4
)2
放射光譜，係放光波長介於300nm至330nm的UV光，其中以8 mol%的Pr3+
加上50mol%的Gd為最佳摻雜濃度，放光強度最佳。第6及7圖分別為K3
(Y0.42
Pr0.08
Gd0.5
)(PO4
)2
與K3
(Y0.5
Gd0.5
)(PO4
)2
的激發光譜比較圖與放射光譜比較圖。如第7圖所示，Pr3+
與Gd3+
共掺之螢光材料的放射強度遠大於Gd3+
單掺之螢光材料的放射強度。此外，Pr3+
與Gd3+
共掺之螢光材料的激發光譜也比Gd3+
單掺之螢光材料的激發光譜寬。
依化學劑量比例及相同合成方式，研製具有其他一價陽離子(Li+
或Na+
)的紫外線放射螢光粉。第8圖為Li3
(Y0.42
Pr0.08
Gd0.5
)(PO4
)2
、Na3
(Y0.42
Pr0.08
Gd0.5
)(PO4
)2
、與K3
(Y0.42
Pr0.08
Gd0.5
)(PO4
)2
的放射光譜比較圖。
依化學劑量比例及相同合成方式，研製具有其他三價陽離子(Ga3+
、In3+
、La3+
、Lu3+
或Sc3+
)的紫外線放射螢光粉。第9圖為K3
(Y0.42
Pr0.08
Gd0.5
)(PO4
)2
、K3
(Ga0.42
Pr0.08
Gd0.5
)(PO4
)2
、與K3
(In0.42
Pr0.08
Gd0.5
)(PO4
)2
的放射光譜比較圖。第10圖為K3
(Y0.42
Pr0.08
Gd0.5
)(PO4
)2
、K3
(La0.42
Pr0.08
Gd0.5
)(PO4
)2
、K3
(Lu0.42
Pr0.08
Gd0.5
)(PO4
)2
、與K3
(Sc0.42
Pr0.08
Gd0.5
)(PO4
)2
的放射光譜比較圖。
依化學劑量比例取碳酸鉀、碳酸鈣、氧化釔、氧化鐠、及磷酸氫二銨，均勻混合後放入坩鍋，置入高溫爐於空氣
下950℃~1250℃燒結，以製備不同Y/Pr莫耳比例的KCa(Y1-y
Pry
)(PO4
)2
，其中y分別為0.01、0.02、0.05、0.1、及0.15。第11圖為不同Y/Pr莫耳比例之KCa(Y1-y
Pry
)(PO4
)2
放射光譜，係放射波長介於230nm至330nm的UV光。如第11圖所示，10mol%的Pr3+
添加可得最佳發光強度。
依化學劑量比例取碳酸鉀、碳酸鈣、氧化釔、氧化釓、及磷酸氫二銨，均勻混合後放入坩鍋，置入高溫爐於空氣下950℃~1250℃燒結，以製備不同Y/Gd莫耳比例的KCa(Y1-z
Gdz
)(PO4
)2
，其中z分別為0.1、0.2、0.3、0.4、及0.5。第12圖為不同Y/Gd莫耳比例之KCa(Y1-z
Gdz
)(PO4
)2
放射光譜，係放射波長介於300nm至330nm的UV光。如第12圖所示，30mol%的Gd3+
添加可得最佳發光強度。
依化學劑量比例取碳酸鉀、碳酸鈣、氧化釔、氧化鐠、氧化釓、及磷酸氫二銨，均勻混合後放入坩鍋，置入高溫爐於空氣下950℃~1250℃燒結，以製備不同Y/Pr莫耳比例的KCa(Y0.7-y
Pry
Gd0.3
)(PO4
)2
，其中固定Gd3+
濃度為30 mol%，改變不同的Pr3+
濃度，第13圖為不同Y/Pr莫耳比例的KCa(Y0.7-y
Pry
Gd0.3
)(PO4
)2
放射光譜，係放光波長介於305nm至315nm的UV光，其中以0.1mol%的Pr3+
加上30mol%的Gd為最佳摻雜濃度，放光強度最佳。
依化學劑量比例及相同合成方式，研製具有其他二價陽離子(Sr2+
、Ba2+
、Mg2+
、或Zn2+
)的紫外線放射螢光粉。第14圖為KCa(Y0.699
Pr0.001
Gd0.3
)(PO4
)2
、KSr(Y0.699
Pr0.001
Gd0.3
)(PO4
)2
、
KBa(Y0.699
Pr0.001
Gd0.3
)(PO4
)2
、KMg(Y0.699
Pr0.001
Gd0.3
)(PO4
)2
、及KZn(Y0.699
Pr0.001
Gd0.3
)(PO4
)2
的放射光譜比較圖。
雖然本發明已以數個較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作任意之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10‧‧‧紫外光發光裝置
11‧‧‧氙氣
12‧‧‧燈管
13‧‧‧外電極
14‧‧‧螢光材料
15‧‧‧內電極
17‧‧‧高壓電源
第1圖係本發明一實施例中，紫外光發光裝置的示意圖；第2圖係本發明一實施例中，K3
(Y1-y
Pry
)(PO4
)2
在不同Pr3+
活化劑掺雜比例(y分別為0.02、0.04、0.06、0.08、0.1、0.12、及0.14)下的放射光譜圖；第3圖係本發明一實施例中，K3
(Y0.92
Pr0.08
)(PO4
)2
之激發光譜；第4圖係本發明一實施例中，K3
(Y1-z
Gdz
)(PO4
)2
在不同Gd3+
活化劑掺雜比例(z分別為0.3、0.4、0.5、0.6、及0.7)下的放射光譜圖；第5圖係本發明一實施例中，K3
(Y0.92-z
Pr0.08
Gdz
)(PO4
)2
在不同Gd3+
活化劑掺雜比例(z分別為0.3、0.4、0.5、0.6、及0.7)下的放射光譜圖；第6圖係本發明一實施例中，K3
(Y0.42
Pr0.08
Gd0.5
)(PO4
)2
與K3
(Y0.5
Gd0.5
)(PO4
)2
之激發光譜比較圖；第7圖係本發明一實施例中，K3
(Y0.42
Pr0.08
Gd0.5
)(PO4
)2
與K3
(Y0.5
Gd0.5
)(PO4
)2
之放射光譜比較圖；第8圖係本發明一實施例中，Li3
(Y0.42
Pr0.08
Gd0.5
)(PO4
)2
、Na3
(Y0.42
Pr0.08
Gd0.5
)(PO4
)2
、與K3
(Y0.42
Pr0.08
Gd0.5
)(PO4
)2
的放射光譜比較圖；第9圖係本發明一實施例中，K3
(Y0.42
Pr0.08
Gd0.5
)(PO4
)2
、K3
(Ga0.42
Pr0.08
Gd0.5
)(PO4
)2
、與K3
(In0.42
Pr0.08
Gd0.5
)(PO4
)2
的放射光譜比較圖；第10圖係本發明一實施例中，
K3
(Y0.42
Pr0.08
Gd0.5
)(PO4
)2
、K3
(La0.42
Pr0.08
Gd0.5
)(PO4
)2
、K3
(Lu0.42
Pr0.08
Gd0.5
)(PO4
)2
、與K3
(Sc0.42
Pr0.08
Gd0.5
)(PO4
)2
的放射光譜比較圖；第11圖係本發明一實施例中，KCa(Y1-y
Pry
)(PO4
)2
在不同Pr3+
活化劑掺雜比例(y分別為0.01、0.02、0.05、0.1、及0.15)下的放射光譜圖；第12圖係本發明一實施例中，KCa(Y1-z
Gdz
)(PO4
)2
在不同Gd3+
活化劑掺雜比例(z分別為0.1、0.2、0.3、0.4、及0.5)下的放射光譜圖；第13圖係本發明一實施例中，KCa(Y0.7-y
Pry
Gd0.3
)(PO4
)2
在不同Pr3+
活化劑掺雜比例(y分別為0、0.001、0.003、0.005、0.007、及0.01)下的放射光譜圖；以及第14圖係本發明一實施例中，KCa(Y0.699
Pr0.001
Gd0.3
)(PO4
)2
、KSr(Y0.699
Pr0.001
Gd0.3
)(PO4
)2
、KBa(Y0.699
Pr0.001
Gd0.3
)(PO4
)2
、KMg(Y0.699
Pr0.001
Gd0.3
)(PO4
)2
、及KZn(Y0.699
Pr0.001
Gd0.3
)(PO4
)2
的放射光譜比較圖。
10‧‧‧紫外光發光裝置
11‧‧‧氙氣
12‧‧‧燈管
13‧‧‧外電極
14‧‧‧螢光材料
15‧‧‧內電極
17‧‧‧高壓電源
Claims (8)
- 一種螢光材料，具有化學式如下：M3-2x M’x (M”1-y-z Pry Gdz )(PO4 )2 ，其中M係Li、Na、K、或上述之組合；M’係Ca、Sr、Ba、Mg、Zn、或上述之組合；M”係Sc、Y、La、Ga、In、或上述之組合；0x1；0<y0.15；以及0<z0.7，其中x=1時，M”係Y。
- 如申請專利範圍第1項所述之螢光材料，經140nm至240nm之波長的光激發後放射一紫外光，且該紫外光的主放射波峰介於240nm至400nm之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之螢光材料，具有化學式如下：M3 (M”1-y-z Pry Gdz )(PO4 )2 。
- 如申請專利範圍第3項所述之螢光材料，具有化學式如下：Li3 (Y1-y-z Pry Gdz )(PO4 )2 、Na3 (Y1-y-z Pry Gdz )(PO4 )2 、或K3 (Y1-y-z Pry Gdz )(PO4 )2 。
- 如申請專利範圍第3項所述之螢光材料，具有化學式如下：K3 (Y1-y-z Pry Gdz )(PO4 )2 、K3 (Ga1-y-z Pry Gdz )(PO4 )2 、K3 (In1-y-z Pry Gdz )(PO4 )2 、K3 (La1-y-z Pry Gdz )(PO4 )2 、或K3 (Sc1-y-z Pry Gdz )(PO4 )2 。
- 如申請專利範圍第1項所述之螢光材料，具有化學式如下：KCa(Y1-y-z Pry Gdz )(PO4 )2 、KSr(Y1-y-z Pry Gdz )(PO4 )2 、KBa(Y1-y-z Pry Gdz )(PO4 )2 、KMg(Y1-y-z Pry Gdz )(PO4 )2 、或KZn(Y1-y-z Pry Gdz )(PO4 )2 。
- 一種紫外線發光裝置，包括：一激發光源；以及申請專利範圍第1項所述之螢光材料，其中該激發光源之放射波長介於140nm至240nm。
- 如申請專利範圍第7項所述之紫外線發光裝置，其中該激發光源包括氙準分子燈。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW101139017A TWI448538B (zh) | 2012-10-23 | 2012-10-23 | 螢光材料與紫外光發光裝置 |
| CN201210525888.1A CN103773371B (zh) | 2012-10-23 | 2012-12-07 | 荧光材料与紫外光发光装置 |
| US13/761,745 US8636921B1 (en) | 2012-10-23 | 2013-02-07 | Phosphate phosphor and UV light-emitting device utilizing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW101139017A TWI448538B (zh) | 2012-10-23 | 2012-10-23 | 螢光材料與紫外光發光裝置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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