JP2005175099A - 誘電体薄膜素子、圧電アクチュエータおよび液体吐出ヘッドならびにその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】液体吐出ヘッドの圧電アクチュエータに用いる結晶性の誘電体薄膜素子10、20を構成する圧電体薄膜13、23は、加熱による結晶化の工程で格子のミスフィット等による応力が発生する。そこで、基板11、21との間に、前記応力を吸収する双晶構造を有する中間層12、22を介在させることで、圧電体薄膜13、23の膜剥がれや圧電特性の劣化を抑制する。図1の(a)における中間層12は双晶構造の薄膜からなる中間第1層12aと下電極である中間第2層12bを有する多層構成であり、図1の(b)における基板21は下電極を兼ねているため、中間層22は双晶構造の薄膜のみを有する単層構成である。
【選択図】図1
Description
PSN−PT{(1−y)[Pb(ScX Nb1-X )O3 ]、−y[PbTiO3 ]}、PZN−PT{(1−y)[Pb(ZnX Nb1-X )O3 ]−y[PbTiO3 ]}である。
例2 Pt//PZT(001)/PT(001)//Pt(100)//STO(100)//Si(100)
例3 Au//PZT(001)/PT(001)//LSTO(100)//Si(100)/SiO2/Si(100)
例4 Pt//PZT(001)/PT(001)//Pt(100)//Al2O3(100)//Si(100)
例5 Pt//PZT(111)/PT(111)//Pt(111)//YSZ(100)/Zr//Si(100)
例6 Ag/PZT(001)/BT(001)//Pt(100)//LaAlO3(100)//Si(100)
例7 Au//PZT(001)/PT(001)//Pt(100)//YSZ(111)/SiO2//Si(111)
例8 Au//PZT(001)/PT(001)//LSTO(100)//YSZ(111)/SiO2//Si(111)
例9 Au//PZT(111)/PT(111)//Pt(111)//YSZ(100)/SiO2//Si(100)
例10 Au//PZT(001)//SRO(001)//Si(100)
例11 Pt//PZT(111)/PT(111)//Pt(111)//MgO(111)//Si(100)
例12 Au//PZT(001)/BT//SRO(001)//Si(100)
例13 Au//PZT(001)/PT(001)//Pt(100)//MgO(100)
例14 Au//PZT(001)/PT(001)//Pt(100)//STO(100)
例15 Pt//PZT(001)/PT(001)//LSTO(100)
例16 Au//PZT(001)/PT(001)//Pt(100)//Al2O3(100)
実施例1の比較例として、中間第1層に双晶構造を持たないことを除いて他は図1の(a)に示す実施例1と同様の構造をもつ誘電体薄膜素子を作製した。中間第1層であるPT(001)の基板加熱温度は成膜中に605℃とし、±0.1℃以内の範囲で固定して成膜を行った。このようにして作製した誘電体薄膜素子の結晶性をXRDにより測定したところ、PZTは(001)に優先配向していることを確認した。
実施例2の比較例として、中間層に双晶構造を持たないことを除いて他は実施例2と同様の構造をもつ誘電体薄膜素子を作製した。中間層であるPT(001)の基板加熱温度は比較例1と同様、成膜中に605℃とし、±0.1℃以内の範囲で固定して成膜を行った。このようにして作製した誘電体薄膜素子の単結晶性をXRDにより測定した結果、実施例2と同様にPZTは(001)に優先配向していることを確認した。
実施例3の比較例として、中間第1層に双晶構造を持たないことを除いて他は実施例3と同様の構造をもつ液体吐出ヘッドを作製した。中間第1層であるPT(001)の基板加熱温度は成膜中に605℃とし、±0.1℃以内の範囲で固定して成膜を行った。
11、21、31 基板
12、22、32 中間層
12a、32a 中間第1層
12b、32b 中間第2層
13、23、33 圧電体薄膜
40 本体部
41 吐出口
42 圧力室
43 液体供給室
Claims (11)
- 基板上に積層された中間層と、前記中間層上に成膜された単結晶または単一配向性の誘電体薄膜とを備えた誘電体薄膜素子であって、前記中間層が、前記誘電体薄膜に発生する応力を緩和するための双晶構造の薄膜を有する単層または多層構成の積層体であることを特徴とする誘電体薄膜素子。
- 振動板と、前記振動板上に積層された中間層と、前記中間層上に成膜された単結晶または単一配向性の圧電体薄膜とを備えており、前記中間層が、前記圧電体薄膜に発生する応力を緩和するための双晶構造の薄膜を有する単層または多層構成の積層体であることを特徴とする圧電アクチュエータ。
- 圧電体薄膜が鉛系圧電体薄膜であり、中間層がPbTiO3 またはSrRuO3 の薄膜を有することを特徴とする請求項2記載の圧電アクチュエータ。
- 圧電駆動力によって圧力室内の液体を加圧しノズルから吐出する液体吐出ヘッドであって、前記圧力室を有する流路基板と、前記流路基板と一体である振動板と、前記振動板上に積層された中間層と、前記中間層上に成膜された単結晶または単一配向性の圧電体薄膜と、前記圧電体薄膜に圧電駆動電流を供給するための電極手段とを有し、前記中間層が、前記圧電体薄膜に発生する応力を緩和するための双晶構造の薄膜を有する単層または多層構成の積層体であることを特徴とする液体吐出ヘッド。
- 中間層が正方晶の薄膜を有し、その(001)が成長主面であることを特徴とする請求項4記載の液体吐出ヘッド。
- 中間層が斜方晶の薄膜を有し、その(001)が成長主面であることを特徴とする請求項4記載の液体吐出ヘッド。
- 中間層がPbTiO3 またはSrRuO3 の薄膜を有することを特徴とする請求項4記載の液体吐出ヘッド。
- 中間層の双晶面が(101)もしくは(011)であることを特徴とする請求項4ないし7いずれか1項記載の液体吐出ヘッド。
- 双晶構造の薄膜の膜厚が1〜200nmであることを特徴とする請求項4ないし8いずれか1項記載の液体吐出ヘッド。
- 圧電駆動力によって圧力室内の液体を加圧しノズルから吐出する液体吐出ヘッドの製造方法であって、
圧力室を構成する流路基板に振動板を形成する工程と、
振動板上に中間層を成膜する工程と、
中間層を可変温度で加熱処理することで双晶構造を有する薄膜を形成する工程と、
双晶構造を有する薄膜上に単結晶または単一配向性の圧電体薄膜を形成する工程と、
圧電体薄膜に圧電駆動電流を供給するための電極手段を形成する工程と、を有することを特徴とする液体吐出ヘッドの製造方法。 - 圧電駆動力によって圧力室内の液体を加圧しノズルから吐出する液体吐出ヘッドの製造方法であって、
圧力室を構成する流路基板に振動板を形成する工程と、
中間転写体上に中間層を成膜し、可変温度で加熱処理することで双晶構造を有する薄膜を形成する工程と、
双晶構造を有する薄膜上に単結晶または単一配向性の圧電体薄膜を形成する工程と、
流路基板上の振動板に中間転写体上の圧電体薄膜および中間層を転写する工程と、
圧電体薄膜に圧電駆動電流を供給するための電極手段を形成する工程と、を有することを特徴とする液体吐出ヘッドの製造方法。
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