JP3817729B2 - 圧電アクチュエータ及び液体吐出ヘッド - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は圧電体とこれを挟んで配置される一対の電極を備えた圧電アクチュエータに係り、特に、下部電極としてルテニウム酸ストロンチウムを備えた圧電アクチュエータに関する。
【0002】
【従来の技術】
圧電アクチュエータは、電気機械変換機能を呈する圧電体膜を2つの電極で挟んだ圧電体素子を備え、圧電体膜は結晶化した圧電性セラミックスにより構成されている。この圧電性セラミックスとしては、ペロブスカイト型結晶構造を有し、化学式ABO3で示すことのできる複合酸化物が知られている。例えばAには鉛(Pb)、Bにジルコニウム(Zr)とチタン(Ti)の混合を適用したチタン酸ジルコン酸鉛(PZT)が知られている。
【0003】
従来、PZT系圧電体素子の電極材料として用いられてきたのはPtである。Ptは最密充填構造である面心立方格子(FCC)構造をとるため自己配向性が強く、SiO2のようなアモルファス上に成膜すると(111)に強く配向し、その上の圧電体膜も配向性が良くなる。しかし、配向性が強いため柱状結晶が成長し、粒界に沿ってPbなどが下地に拡散し易くなるといった問題があった。またPtとSiO2の密着性にも問題があった。
【0004】
更に、PtとSiO2との密着性の改善のために、Tiを用いたり、Pbなどの拡散バリア層としてTiNなどを用いても、複雑な電極構造になる上、Tiの酸化、TiのPt中への拡散、それに伴うPZTの結晶性の低下が起こり、圧電特性などの電気特性が悪化する。
【0005】
Pt電極にはこのような問題があるため、強誘電体メモリなどの分野では、RuOxやIrO2などの導電性酸化物の電極材料が研究されている。中でもルテニウム酸ストロンチウムは、PZTと同じペロブスカイト型結晶構造を有しているので、界面での接合性に優れ、PZTのエピタキシャル成長を実現し易く、Pbの拡散バリア層としての特性にも優れている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、ルテニウム酸ストロンチウムを圧電体素子の下部電極として用いる場合は、それより下の層を構成する物質は、振動板としての物理的性質や、ルテニウム酸ストロンチウムを適切に配向制御し基板や下部電極との密着性を確保する化学的性質を満たしていなければならない。
【0007】
本発明は、下部電極として(100)配向のルテニウム酸ストロンチウムを用いた場合に最適な層構成を備えた圧電アクチュエータを提供することを目的とする。そして、この圧電アクチュエータを備えた液体吐出ヘッドを提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明による圧電アクチュエータは、Si基板上に形成された、SiO2若しくはZrO2、又はSiO2とZrO2との積層構造からなる振動板と、前記振動板上に形成された、(100)配向又は(110)配向のSrOからなるバッファ層と、前記バッファ層上に形成された、ペロブスカイト構造を有する(100)配向のルテニウム酸ストロンチウムを備えた下部電極と、前記下部電極上に形成された、(100)配向のPZTからなる圧電体層と、前記圧電体層上に形成された上部電極と、を備えている。
【0009】
上記圧電アクチュエータにおいて、前記下部電極を構成するルテニウム酸ストロンチウムのうち少なくとも前記圧電体層側の層は、SrRuO3で表される組成を有することが望ましい。これにより、下部電極としての導電性と、圧電体膜の配向制御を十分に確保することができる。
【0010】
上記圧電アクチュエータにおいて、前記バッファ層は、前記振動板及び前記下部電極に全体を覆われていることが望ましい。これにより、潮解性を有するSrOが外気に触れることを防止することができる。
【0011】
本発明の液体吐出ヘッドは、上記の圧電アクチュエータを備え、前記圧電アクチュエータに備えられた前記振動板の振動により容積変化可能に構成された圧力室を前記Si基板に備えたものである。
【0012】
本発明の液体吐出装置は、上記の液体吐出ヘッドを印字手段として備えたものである。
【0013】
【発明の実施の形態】
(インクジェットプリンタの全体構成)
図1は、本発明の一実施形態に係る圧電アクチュエータを備えた液体吐出装置の一例であるインクジェットプリンタの構成図である。インクジェットプリンタは、主にインクジェット式記録ヘッド1、本体2、トレイ3、ヘッド駆動機構7を備えて構成されている。
【0014】
インクジェット式記録ヘッド1は、本発明の液体吐出ヘッドの一例である。インクジェットプリンタは、イエロー、マゼンダ、シアン、ブラックの計4色のインクカートリッジを備えており、フルカラー印刷が可能なように構成されている。また、このインクジェットプリンタは、内部に専用のコントローラボード等を備えており、インクジェット式記録ヘッド1のインク吐出タイミング及びヘッド駆動機構7の走査を制御する。
【0015】
また、本体2は背面にトレイ3を備えるとともに、その内部にオートシートフィーダ(自動連続給紙機構)6を備え、記録用紙5を自動的に送り出し、正面の排出口4から記録用紙5を排紙する。
【0016】
(インクジェット式記録ヘッドの全体構成)
図2に、上記インクジェット式記録ヘッドの分解斜視図を示す。インクジェット式記録ヘッド1は、圧力室基板(Si基板)20と、その一方の面に固定された振動板30と、他方の面に固定されたノズル板10とを備えて構成されている。このヘッド1は、オンデマンド形のピエゾジェット式ヘッドを構成している。
【0017】
圧力室基板20は、圧力室(キャビティ)21、側壁(隔壁)22、リザーバ23および供給口24を備えている。圧力室21は、インクなどの液体を吐出するために貯蔵する空間となっている。側壁22は複数の圧力室21間を仕切るよう形成されている。リザーバ23は、インクを共通して各圧力室21に充たすための流路となっている。供給口24は、リザーバ23から各圧力室21にインクを導入可能に形成されている。
【0018】
ノズル板10は、圧力室基板20に設けられた圧力室21の各々に対応する位置にそのノズル11が配置されるよう、圧力室基板20に貼り合わせられている。ノズル板10を貼り合わせた圧力室基板20は、筐体25に納められている。
【0019】
振動板30には圧電アクチュエータ(後述)が設けられている。振動板30には、インクタンク口(図示せず)が設けられて、図示しないインクタンクに貯蔵されているインクをリザーバ23に供給可能になっている。
【0020】
(層構造)
図3は、本発明の製造方法によって製造されるインクジェット式記録ヘッドおよび各圧電アクチュエータの層構造を説明する断面図である。図に示すように、圧電アクチュエータは、Si基板20上に、絶縁膜31(振動板30)、バッファ層32、下部電極42、圧電体薄膜43および上部電極44を積層して構成されている。
【0021】
絶縁膜31は、導電性のない材料、特に非晶質の酸化珪素(SiO2)若しくは酸化ジルコニウム(ZrO2)、又は酸化珪素と酸化ジルコニウムの積層体により構成される。絶縁膜31は、圧電体層の変形により変形し、圧力室21の内部の圧力を瞬間的に高める為の振動板30として機能する。
【0022】
バッファ層32は、(100)配向又は(110)配向の酸化ストロンチウム(SrO)により構成される。このバッファ層32は、絶縁膜31上に下部電極42をエピタキシャル成長させるのに適している。またここには図示されていないが、バッファ層32は下部電極の形成領域より狭い領域に形成され、絶縁膜31と下部電極42とによってその全体が覆われていることが望ましい。そうすることにより、潮解性を有する酸化ストロンチウムを外気に触れないようにすることができる。また、バッファ層32はこれに限らず、酸化マグネシウム(MgO)、酸化カルシウム(CaO)、酸化バリウム(BaO)などでもよい。
【0023】
下部電極42は、圧電体薄膜層43に電圧を印加するための一方の電極であり、圧力室基板20上に形成される複数の圧電体薄膜素子に共通な電極として機能するように絶縁膜31と同じ領域に形成される。ただし、圧電体薄膜層43と同様の大きさに、すなわち上部電極と同じ形状に形成することも可能である。下部電極42は、導電性金属酸化物、特に(100)配向のルテニウム酸ストロンチウム(SRO)により構成される。また、2層のSRO間にイリジウム又は白金の層を挟み込んだ構造としても良い。
【0024】
SROはペロブスカイト構造をとり、Srn+1RunO3n+1(nは1以上の整数)で表される。n=1のときSr2RuO4となり、n=2のときSr3Ru2O7となり、n=∞のときSrRuO3となる。本実施形態における下部電極としてSROを用いるときは、導電性及び圧電体薄膜の結晶性を高めるためSrRuO3が最も好ましい。また、前述のように2層のSRO間にイリジウム又は白金の層を挟み込んだ構造とする場合には、特に圧電体薄膜層側のSROを、SrRuO3とすることが好ましい。
【0025】
圧電体薄膜層43は、ペロブスカイト型結晶構造を持つ圧電性セラミックスであり、下部電極42上に所定の形状で形成されて構成されている。圧電体薄膜層43の組成は、特にジルコニウム酸チタン酸鉛(Pb(Zr、Ti)O3:PZT)又はこれにマグネシウムやニオブなどの添加物を加えたものが好ましい。また、これに限らず、チタン酸鉛ランタン((Pb,La)TiO3)、ジルコニウム酸鉛ランタン((Pb,La)ZrO3)などでもよい。PZTは、菱面体晶系でかつ(100)配向であることが好ましい。
【0026】
上部電極44は、圧電体薄膜層43に電圧を印加するための他方の電極となり、導電性を有する材料、例えば白金(Pt)、イリジウム(Ir)、アルミニウム(Al)等で構成されている。アルミニウムを用いる場合、電蝕対策のため更にイリジウム等を積層する。
【0027】
(インクジェット式記録ヘッドの動作)
上記インクジェット式記録ヘッド1の動作を説明する。所定の吐出信号が供給されず圧電体薄膜素子40の下部電極42と上部電極44との間に電圧が印加されていない場合、圧電体薄膜層43には変形を生じない。吐出信号が供給されていない圧電体薄膜素子40が設けられている圧力室21には、圧力変化が生じず、そのノズル11からインク滴は吐出されない。
【0028】
一方、所定の吐出信号が供給され圧電体薄膜素子40の下部電極42と上部電極44との間に一定電圧が印加された場合、圧電体薄膜層43に変形を生じる。吐出信号が供給された圧電体薄膜素子40が設けられている圧力室21ではその振動板30が大きくたわむ。このため圧力室21内の圧力が瞬間的に高まり、ノズル11からインク滴が吐出される。細長いヘッド中で印刷させたい位置の圧電体素子に吐出信号を個別に供給することで、任意の文字や図形を印刷させることができる。
【0029】
(製造方法)
図4を参照しながら本実施の形態の圧電アクチュエータの製造工程について、インクジェット式記録ヘッドの製造工程と併せて説明する。
【0030】
基板及び絶縁膜の形成(S1)
まず、図4(S1)に示すように、圧力室基板20に振動板としての絶縁膜31を成膜する。圧力室基板20として、例えば、直径100mm、厚さ200μmの(110)配向シリコン単結晶基板を用いる。絶縁膜31は、1100℃の炉の中で、乾燥酸素を流して22時間程度熱酸化させ、2μm以下、好ましくは約1μmの膜厚の熱酸化膜を形成する。この方法ではSi基板20の両面にSiO2からなる絶縁膜31が形成される、そのうち一方の絶縁膜31が振動板30となる。
【0031】
なお、この他に、CVD法等の成膜法を適宜選択して成膜してもよい。また上述のように、絶縁膜31(振動板30)として、二酸化珪素に限られず、酸化ジルコニウム膜等を成膜してもよい。
【0032】
バッファ層の形成(S2)
次に、図4(S2)に示すように、絶縁膜31上に酸化ストロンチウム(SrO)からなるバッファ層32を形成する。これは、例えば、イオンビーム照射を伴ったレーザアブレーション法を用いて、次のように行うことができる。
【0033】
まず、基板20を基板ホルダーに装填して、真空装置内に設置する。
なお、真空装置内には、基板20に対向して、前述したようなバッファ層32の構成元素を含む第1ターゲット(バッファ層用ターゲット)が所定距離、離間して配置されている。なお、第1ターゲットとしては、目的とするバッファ層32の組成と同一の組成または近似組成のものが好適に使用される。
【0034】
次いで、例えばレーザー光を第1ターゲットに照射すると、第1ターゲットから酸素原子および金属原子を含む原子が叩き出され、プルームが発生する。換言すれば、このプルームが絶縁膜31に向かって照射される。そして、このプルームは、絶縁膜31(基板20)上に接触するようになる。
【0035】
また、これとほぼ同時に、絶縁膜31の表面に対して、イオンビームを所定角度傾斜させて照射する。
【0036】
これにより、絶縁膜31上に、表面に垂直な方向および表面に平行な方向ともに配向(面内配向)したバッファ層32が形成される。
【0037】
なお、前記原子を第1ターゲットから叩き出す方法としては、レーザー光を第1ターゲット表面へ照射する方法の他、例えば、アルゴンガス(不活性ガス)プラズマ、電子線等を第1ターゲット表面へ照射(入射)する方法を用いることもできる。
【0038】
これらの中でも、前記原子を第1ターゲットから叩き出す方法としては、特に、レーザー光を第1ターゲット表面へ照射する方法が好ましい。かかる方法によれば、レーザー光の入射窓を備えた簡易な構成の真空装置を用いて、容易かつ確実に、原子を第1ターゲットから叩き出すことができる。
【0039】
また、このレーザー光は、好ましくは波長が150〜300nm程度、パルス長が1〜100ns程度のパルス光とされる。具体的には、レーザー光としては、例えば、ArFエキシマレーザー、KrFエキシマレーザー、XeClエキシマレーザーのようなエキシマレーザー、YAGレーザー、YVO4レーザー、CO2レーザー等が挙げられる。これらの中でも、レーザー光としては、特に、ArFエキシマレーザーまたはKrFエキシマレーザーが好適である。ArFエキシマレーザーおよびKrFエキシマレーザーは、いずれも、取り扱いが容易であり、また、より効率よく原子を第1ターゲットから叩き出すことができる。
【0040】
一方、絶縁膜31の表面に照射するイオンビームとしては、特に限定されないが、例えば、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン、クリプトンのような不活性ガスのうちの少なくとも1種のイオン、または、これらのイオンと酸素イオンとの混合イオン等が挙げられる。
【0041】
このイオンビームのイオン源としては、例えば、Kauffmanイオン源等を用いるのが好ましい。このイオン源を用いることにより、イオンビームを比較的容易に生成することができる。
【0042】
また、イオンビームの絶縁膜31の表面に対する照射角度(前記所定角度)は、特に限定されないが、42〜47°程度とするのが好ましい。このような照射角度に設定して、イオンビームを絶縁膜31の表面に照射することにより、立方晶(100)配向で、かつ、面内配向したバッファ層32を形成することができる。
【0043】
このようなバッファ層32の形成における各条件は、バッファ層32が面内配向し得るものであればよく、例えば、次のようにすることができる。
【0044】
レーザー光の周波数は、30Hz以下とするのが好ましく、15Hz以下とするのがより好ましい。
【0045】
レーザー光のエネルギー密度は、0.5J/cm2以上とするのが好ましく、2J/cm2以上とするのがより好ましい。
【0046】
イオンビームの加速電圧は、100〜300eV程度とするのが好ましく、150〜250eV程度とするのがより好ましい。
【0047】
また、イオンビームの照射量は、1〜30mA程度とするのが好ましく、5〜15mA程度とするのがより好ましい。
【0048】
基板20の温度は、0〜100℃程度とするのが好ましく、30〜70℃程度とするのがより好ましい。
【0049】
基板20と第1ターゲットとの距離は、60mm以下とするのが好ましく、45mm以下とするのがより好ましい。
【0050】
また、真空装置内の圧力は、1×10−1Torr以下とするのが好ましく、1×10−3Torr以下とするのがより好ましい。
【0051】
真空装置内の雰囲気は、不活性ガスと酸素との混合比を、体積比で300:1〜10:1程度とするのが好ましく、150:1〜50:1程度とするのがより好ましい。
【0052】
バッファ層32の形成における各条件を、それぞれ、前記範囲とすると、より効率よく、バッファ層32を面内配向成長させることができる。
【0053】
また、このとき、レーザー光およびイオンビームの照射時間を適宜設定することにより、バッファ層32の平均厚さを前述したような範囲に調整することができる。このレーザー光およびイオンビームの照射時間は、前記各条件によっても異なるが、通常、200秒以下とするのが好ましく、100秒以下とするのがより好ましい。
【0054】
このようなバッファ層32の形成方法によれば、イオンビームの照射角度を調整するという簡単な方法で、揃える配向方位を任意の方向に調整が可能である。また、このようにバッファ層32の配向方位を、精度よく揃えることができるので、バッファ層32の平均厚さをより小さくすることができるという利点もある。
【0055】
SrOは、界面の密着性を確保するため、また潮解性を有しているため膜厚が薄いことが好ましく、例えば10nmまたはそれ以下の厚みとする。また、SrOの代わりにMgO、CaO、BaOをバッファ層32に用いても同様の効果が得られる。さらに、バッファ層32は、レーザアブレーション法に限らず、スパッタ法などの公知のPVD(物理的蒸着法)によって形成してもよい。
【0056】
以上のようにして、面内配向(二軸配向)した(100)SrO膜が形成される。
【0057】
バッファ層のエッチング(S3)
図4(S3)に示すように、バッファ層32の周囲を異方性エッチング等により選択的にエッチングする。これによりバッファ層32は、後に下部電極が形成された場合に絶縁膜31と下部電極42に全体を覆われた構造となる。また、以下に示す下部電極の厚みや成膜方法によっては、このエッチング工程を省略することもできる。
【0058】
下部電極の形成(S4)
図4(S4)に示すように、バッファ層32の上に、下部電極42を成膜する。下部電極42として、上述のSRO、又はSRO/Pt/SRO若しくはSRO/Ir/SROの積層構造を、厚さ約500nmに成膜する。これは、例えば、レーザアブレーション法を用いて、次のように行うことができる。
【0059】
なお、下部電極42の形成に先立って、前記第1ターゲットに代わり、バッファ層32(基板20)に対向して、前述したような下部電極42の構成元素を含む第2ターゲット(下部電極用ターゲット)が所定距離、離間して配置される。なお、第2ターゲットとしては、目的とする下部電極42の組成と同一の組成または近似組成のものが好適に使用される。
【0060】
バッファ層32上に、酸素原子および各種金属原子を含む原子のプルームを照射する。そして、このプルームがバッファ層32の表面(上面)に接触することにより、ペロブスカイト構造を有する金属酸化物(前述した通りである)を含む下部電極42が、エピタキシャル成長により膜状に形成される。
【0061】
このプルームは、前記第2ターゲット表面に、前記バッファ層の形成(S2)と同様に、レーザー光を照射することにより、第2ターゲットから酸素原子および各種金属原子を含む原子を叩きだして、発生させるのが好ましい。
【0062】
このようなレーザー光は、前記バッファ層の形成(S2)と同様に、ArFエキシマレーザーまたはKrFエキシマレーザーが好適である。
【0063】
なお、必要に応じて、前記バッファ層の形成(S2)と同様に、バッファ層32の表面にイオンビームを照射しつつ、下部電極42を形成するようにしてもよい。これにより、より効率よく下部電極42を形成することができる。
【0064】
また、下部電極42の形成における各条件は、各種金属原子が、所定の比率(すなわち、ペロブスカイト構造を有する金属酸化物における組成比)で、バッファ層32上に到達し、かつ、下部電極42がエピタキシャル成長し得るものであればよく、例えば、次のようにすることができる。
【0065】
レーザー光の周波数は、30Hz以下程度とするのが好ましく、15Hz以下程度とするのがより好ましい。
【0066】
レーザー光のエネルギー密度は、0.5J/cm2以上とするのが好ましく、2J/cm2以上とするのがより好ましい。
【0067】
バッファ層32が形成された基板11の温度は、300〜800℃程度とするのが好ましく、400〜700℃程度とするのがより好ましい。
【0068】
なお、イオンビームの照射を併用する場合には、この温度は、0〜100℃程度とするのが好ましく、30〜70℃程度とするのが好ましい。
【0069】
バッファ層12が形成された基板11と第2ターゲットとの距離は、60mm以下とするのが好ましく、45mm以下とするのがより好ましい。
【0070】
また、真空装置内の圧力は、例えば、酸素ガス供給下で1×10−3Torr以上とするのが好ましく、原子状酸素ラジカル供給下で1×10−5Torr以上とするのが好ましい。
【0071】
なお、イオンビームの照射を併用する場合には、真空装置内の圧力は、1×10−1Torr以下とするのが好ましく、1×10−3Torr以下とするのがより好ましい。また、この場合、真空装置内の雰囲気は、不活性ガスと酸素との混合比を、体積比で300:1〜10:1程度とするのが好ましく、150:1〜50:1程度とするのがより好ましい。
【0072】
下部電極42の形成における各条件を、それぞれ、前記範囲とすると、さらに効率よく下部電極42を形成することができる。
【0073】
また、このとき、レーザー光の照射時間を適宜設定することにより、下部電極42の平均厚さを前述したような範囲に調整することができる。このレーザー光の照射時間は、前記各条件によっても異なるが、通常、3〜90分程度とするのが好ましく、15〜45分程度とするのがより好ましい。
【0074】
またレーザアブレーション法に限らず、MOCVD法、スパッタ法などの公知の薄膜作製法をとってもよい。
【0075】
以上のようにして、下部電極42が得られる。
【0076】
圧電体薄膜の形成(S5)
続いて図4(S5)に示すように、下部電極42上に、圧電体薄膜43を成膜する。本実施形態ではPb(Zr0.56Ti0.44)O3の組成からなるPZT膜を例えばゾル・ゲル法で成膜する。すなわち、金属アルコキシド等の金属有機化合物を溶液系で加水分解、重縮合させて非晶質膜である圧電体前駆体膜を成膜し、更に焼成によって結晶化させる。
【0077】
PZTはSRO下部電極の結晶構造の影響をうけて結晶成長する。本実施形態では(100)配向のSRO上にPZTを成膜するため、(100)配向のPZT薄膜が形成される。圧電体薄膜層の厚みは例えば1μm以上2μm以下とする。
【0078】
上部電極の形成(S6)
次に図4(S6)に示すように、圧電体薄膜43上に上部電極44を形成する。具体的には、上部電極44として白金(Pt)等を100nmの膜厚に直流スパッタ法で成膜する。
【0079】
(圧電アクチュエータの形成)
図5(S7)に示すように、圧電体薄膜43及び上部電極44を所定形状に加工して圧電アクチュエータを形成する。具体的には、上部電極44上にレジストをスピンコートした後、圧力室が形成されるべき位置に合わせて露光・現像してパターニングする。残ったレジストをマスクとして上部電極44、圧電体薄膜43をイオンミリング等でエッチングする。以上の工程により、圧電体薄膜素子40を備えた圧電アクチュエータが形成される。
【0080】
(インクジェット式記録ヘッドの形成)
図5(S8)に示すように、圧力室基板20に圧力室21を形成する。本実施形態では圧力室基板20として(110)配向のSi基板を用いているので、圧力室21の形成方法としては異方性エッチングを用いる。エッチングされずに残った部分は側壁22となる。
【0081】
最後に、図5(S9)に示すように、樹脂等を用いてノズル板10を圧力室基板20に接合する。ノズル板10を圧力室基板20に接合する際には、ノズル11が圧力室21の各々の空間に対応して配置されるよう位置合せする。以上の工程により、インクジェット式記録ヘッドが形成される。
【0082】
なお、本発明の液体吐出ヘッドは、インクジェット記録装置に用いられるインクを吐出するヘッド以外にも、液晶ディスプレイ等のためのカラーフィルタの製造に用いられる色材を含む液体を吐出するヘッド、有機ELディスプレイやFED(面発光ディスプレイ)等の電極形成に用いられる電極材料を含む液体を吐出するヘッド、バイオチップ製造に用いられる生体有機物を含む液体を吐出するヘッド等、種々の液体を噴射するヘッドに適用することが可能である。
【発明の効果】
本発明によれば、下部電極として(100)配向のルテニウム酸ストロンチウムを用いた場合に最適な層構成を備えた圧電アクチュエータを提供することができ、圧電体薄膜の面内方位と圧電素子の伸縮方向を調整することで、効率よく振動板を撓ませることができる。そして、この圧電アクチュエータを備えた液体吐出ヘッドを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係る圧電アクチュエータを備えたインクジェットプリンタの構成図である。
【図2】インクジェット式記録ヘッドの分解斜視図である。
【図3】本発明の製造方法によって製造されるインクジェット式記録ヘッドおよび圧電アクチュエータの層構造を説明する断面図である。
【図4】本実施形態の圧電アクチュエータの製造工程断面図である。
【図5】本実施形態のインクジェット式記録ヘッドの製造工程断面図である。
【符号の説明】
20…圧力室基板(Si基板)、 30…振動板、31…絶縁膜、 32…バッファ層、42…下部電極、 43…圧電体薄膜、 44…上部電極、 21…圧力室、 10…ノズル板、 11…ノズル
Claims (5)
- Si基板上に形成された、SiO2又はSiO2とZrO2との積層構造からなる振動板と、
前記振動板上に形成された、(100)配向又は(110)配向のSrOからなるバッファ層と、
前記バッファ層上に形成された、ペロブスカイト構造を有する(100)配向のルテニウム酸ストロンチウムを備えた下部電極と、
前記下部電極上に形成された、菱面体晶系でかつ(100)配向のPZTからなる圧電体層と、
前記圧電体層上に形成された上部電極と、
を備えた、圧電アクチュエータ。 - 請求項1において、
前記下部電極は、単層のルテニウム酸ストロンチウムもしくは第1および第2のルテニウム酸ストロンチウム間にイリジウムもしくは白金の層を挟み込んだ構造より成り、
前記単層のルテニウム酸ストロンチウムおよび前記第1および第2のルテニウム酸ストロンチウムのうち少なくとも前記圧電体層側の層は、SrRuO3で表される組成を有する圧電アクチュエータ。 - 請求項1又は請求項2において、
前記バッファ層は、前記振動板及び前記下部電極に全体を覆われた、圧電アクチュエータ。 - 請求項1乃至請求項3の何れか一項に記載の圧電アクチュエータを備え、
前記圧電アクチュエータに備えられた前記振動板の振動により容積変化可能に構成された圧力室を前記Si基板に備えた、液体吐出ヘッド。 - 請求項4に記載の液体吐出ヘッドを印字手段として備えた液体吐出装置。
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