JP2003289161A - 圧電素子、インクジェット式ヘッドおよび吐出装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】例えば圧電特性に優れる圧電素子、インクジェ
ット式ヘッドおよび吐出装置を提供すること。 【解決手段】インクジェット式記録ヘッドＨの主要部
は、複数のインク室２１０を形成するインク室基板２０
０の一方の面にノズル板１００が、他方の面に振動板３
００がそれぞれ接合され、振動板３００には、各インク
室２１０に対応する位置に圧電素子４００が下地層７０
０を介して接合されている。各圧電素子４００は、それ
ぞれ、圧電体層４３０を上部電極４１０と下部電極４２
０とで挟持して構成されている。本発明では、圧電体層
４３０が、キュリー温度直下で反強誘電性状態となり、
−２０〜１００℃の温度範囲で強誘電体であり、かつ、
前記温度範囲で構造相転移を示さないペロブスカイト型
構造の金属酸化物を含むもの、または、このものと他の
ペロブスカイト型構造の金属酸化物とを含むものである
ことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、圧電素子、インク
ジェット式ヘッドおよび吐出装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、インクジェット式記録ヘッドの
ようなインクジェット式ヘッドに用いられる圧電素子
は、強誘電体材料により構成された強誘電体層を一対の
電極（上部電極および下部電極）で挟持した構成とされ
ている。この強誘電体材料としては、チタン酸ジルコン
酸鉛（ＰＺＴ）、ＢａＴｉＯ_３、Ｂｉ層状化合物が広く
用いられている。

【０００３】さらに、現在、圧電素子の特性および信頼
性の向上を図る観点から、ＰＺＴ、ＢａＴｉＯ_３、Ｂｉ
層状化合物に代わる化合物として、種々の化合物につい
て研究がなされているが、いずれも、十分な性能を満足
するものでなく、実用化に向けての進展がみられないと
いうのが現状である。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、例え
ば圧電特性に優れる圧電素子、かかる圧電素子を有する
インクジェット式ヘッド、および、インクジェット式ヘ
ッドを備える吐出装置を提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（１０）の本発明により達成される。

【０００６】（１） 第１の電極と、該第１の電極に対
向する第２の電極と、これらの電極の間に介挿され、キ
ュリー温度直下で反強誘電性状態となり、−２０〜１０
０℃の温度範囲で強誘電体であり、かつ、前記温度範囲
で構造相転移を示さないペロブスカイト型構造の金属酸
化物を含む圧電体層とを有することを特徴とする圧電素
子。

【０００７】（２） 第１の電極と、該第１の電極に対
向する第２の電極と、これらの電極の間に介挿され、キ
ュリー温度直下で反強誘電性状態となり、−２０〜１０
０℃の温度範囲で強誘電体であり、かつ、前記温度範囲
で構造相転移を示さないペロブスカイト型構造の金属酸
化物と、他のペロブスカイト型構造の金属酸化物とを含
む圧電体層とを有することを特徴とする圧電素子。

【０００８】（３） 前記キュリー温度直下で反強誘電
性状態となり、−２０〜１００℃の温度範囲で強誘電体
であり、かつ、前記温度範囲で構造相転移を示さないペ
ロブスカイト型構造の金属酸化物の含有量をＸ［ｍｏ
ｌ］とし、前記他のペロブスカイト型構造の金属酸化物
の含有量をＹ［ｍｏｌ］としたとき、Ｙ／（Ｘ＋Ｙ）≦
０．９なる関係を満足する上記（２）に記載の圧電素
子。

【０００９】（４） 前記他のペロブスカイト型構造の
金属酸化物は、組成式ＡＢＯ_３（ただし、Ａは、Ｐｂ、
Ｂａ、Ｓｒのうちの少なくとも１種の元素、Ｂは、４Ａ
族元素のうちの少なくとも１種の元素）で表されるもの
である上記（２）または（３）に記載の圧電素子。

【００１０】（５） 前記キュリー温度直下で反強誘電
性状態となるペロブスカイト型構造の金属酸化物は、
（Ｂｉ_０．５Ｋ_０．５）ＴｉＯ_３である上記（１）ない
し（４）のいずれかに記載の圧電素子。

【００１１】（６） 前記圧電体層は、正方晶（００
１）配向したものである上記（１）ないし（５）のいず
れかに記載の圧電素子。

【００１２】（７） 前記圧電体層は、前記第１の電極
上にエピタキシャル成長により形成されたものである上
記（１）ないし（６）のいずれかに記載の圧電素子。

【００１３】（８） 前記第１の電極は、ペロブスカイ
ト型構造の金属酸化物を含むものである上記（１）ない
し（７）のいずれかに記載の圧電素子。

【００１４】（９） 上記（１）ないし（８）のいずれ
かに記載の圧電素子と、前記圧電素子の振動により振動
する振動板とを有することを特徴とするインクジェット
式ヘッド。

【００１５】（１０） 上記（９）に記載のインクジェ
ット式ヘッドを備えることを特徴とする吐出装置。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の圧電素子、インク
ジェット式ヘッドおよび吐出装置の好適な実施形態につ
いて説明する。

【００１７】まず、本発明の圧電素子について説明す
る。図１は、本発明の圧電素子の実施形態を示す縦断面
図である。

【００１８】図１に示す圧電素子（圧電アクチュエー
タ）４００は、下部電極（第１の電極）４２０、圧電体
層４３０および上部電極（第２の電極）４１０が、この
順で積層されて構成されている。換言すれば、圧電素子
４００は、上部電極４１０と下部電極４２０との間に、
圧電体層（強誘電体層）４３０が介挿されてなるもので
ある。

【００１９】圧電素子４００は、下部電極４２０と上部
電極４１０との間に電圧を印加することにより、圧電体
層４３０は、その厚さ方向に伸張するとともに、その面
方向に圧縮される。すなわち、電極間への変圧の印加に
より、圧電体層４３０が厚さ方向に（図１中上下方向
に）変形する。これにより、キャビティの体積を変化さ
せ、キャビティ内に充填されたインクをノズル孔よりイ
ンク液滴として突出させてプリンティングを行う。より
少ない電圧の印加でより大きなキャビティ体積の変化を
得ることが、インクジェットプリンティングの特性向上
につながる。

【００２０】インクジェットプリンティングでの好まし
い特性とは、より小さなキャビティ体積を実現すること
である。これにより、ノズル孔密度をあげる（高める）
ことができ、高密度な画素をプリンティングすることが
できる。また圧電素子、キャビティおよびインク液滴を
含めた力学系の応答速度が高まるため（固有振動数が上
がるため）、高速プリンティングが可能になる。また低
い電圧でプリンティングが可能であれば、インクジェッ
トプリンタ（吐出装置）システムの消費電力の低減にダ
イレクトに寄与できる。

【００２１】したがって、圧電素子４００は、電圧の印
加により圧電体層４３０がより大きく変形するもの、す
なわち、圧電定数の大きいもの（圧電特性に優れるも
の）であるのが好ましい。

【００２２】これには、圧電体層４３０をペロブスカイ
ト型構造の金属酸化物を用いて構成するのが有効であ
り、加えて、圧電特性に寄与しないばかりでなく、圧電
特性を低下させる方向に働く非１８０度分極ドメイン
（９０度分域ドメイン）が、圧電体層４３０中に形成さ
れるのを防止することが有効である。

【００２３】かかる観点から、本発明者は、鋭意研究を
重ねた結果、ペロブスカイト型構造の金属酸化物とし
て、キュリー温度直下で反強誘電性状態となるものを用
いることにより、圧電体層４３０中に非１８０度分域ド
メインが形成されるのを好適に防止できることを見出し
た。

【００２４】加えて、圧電体層４３０が、キュリー温度
直下で反強誘電性状態となるペロブスカイト型構造の金
属酸化物と、他のペロブスカイト型構造の金属酸化物と
を含む場合においても、キュリー温度直下で反強誘電性
状態となるペロブスカイト型構造の金属酸化物の存在に
より、他のペロブスカイト型構造の金属酸化物に起因し
て生じ得る非１８０度分域ドメインの形成をも防止でき
ることを見出した。

【００２５】このようなことから、本発明では、圧電体
層４３０を、キュリー温度直下で反強誘電性状態となる
ペロブスカイト型構造の金属酸化物を含むもの、また
は、キュリー温度直下で反強誘電性状態となるペロブス
カイト型構造の金属酸化物と、他のペロブスカイト型構
造の金属酸化物とを含むものとした。

【００２６】また、かかるペロブスカイト型構造の金属
酸化物は、−２０〜１００℃程度（特に、５〜５０℃程
度）の温度範囲、すなわち、実使用温度範囲で強誘電体
である必要がある。

【００２７】さらに、かかるペロブスカイト型構造の金
属酸化物は、前記実使用温度範囲で構造相転移を示さな
いものであれば、構造相転移にともなう圧電体層４３０
の破壊、劣化等を防止することができ、圧電素子４００
の実使用温度範囲での各種特性を安定化させることがで
きる。

【００２８】加えて、圧電素子４００が、かかるペロブ
スカイト型構造の金属酸化物と、他のペロブスカイト型
構造の金属酸化物とを含む場合において、他のペロブス
カイト型構造の金属酸化物の中には、比較的実使用温度
範囲またはその近傍の温度で構造相転移を示すもの（例
えばＢａＴｉＯ_３は、０℃付近と１２０℃付近とで構造
相転移を示す）もあるが、圧電体層４３０が、実使用温
度範囲で構造相転移を示さないペロブスカイト型の金属
酸化物を含むことにより、前記他のペロブスカイト型構
造の金属酸化物の構造相転移温度を実使用温度範囲から
離す（遠ざける）ことができるようになる。その結果、
圧電体層４３０が、前記他のペロブスカイト型構造の金
属酸化物を含む場合であっても、構造相転移にともなう
破壊、劣化等を防止することができるので、圧電素子４
００の実使用温度範囲での各種特性を安定化させること
ができる。

【００２９】このようなことから、本発明では、圧電体
層４３０を、キュリー温度直下で反強誘電性状態とな
り、実使用温度範囲で強誘電体であり、かつ、実使用温
度範囲で構造相転移を示さないペロブスカイト型構造の
金属酸化物を含むもの、または、かかるペロブスカイト
型構造の金属酸化物と、他のペロブスカイト型構造の金
属酸化物とを含むものとした。

【００３０】特に、圧電体層４３０は、前記のものを主
材料とするのが好ましい。これにより、非１８０度分域
ドメインの発生がより確実に抑制され、結果として、圧
電特性が大きくなる。すなわち、圧電素子４００の特性
が向上する。

【００３１】なお、以下の説明では、キュリー温度直下
で反強誘電性状態となり、実使用温度範囲で強誘電体で
あり、かつ、実使用温度範囲で構造相転移を示さないペ
ロブスカイト型構造の金属酸化物を、「第１のペロブス
カイト型酸化物」と言い、他のペロブスカイト型構造の
金属酸化物を、「第２のペロブスカイト型酸化物」と言
う。

【００３２】前述のように、圧電体層４３０は、第２の
ペロブスカイト型酸化物を含む場合でも、第１のペロブ
スカイト型酸化物の存在により、第２のペロブスカイト
型酸化物に起因して生じ得る非１８０度分域ドメインの
形成が好適に防止される。このため、第２のペロブスカ
イト型酸化物として、第１のペロブスカイト型酸化物よ
り、圧電特性が大きいものを用いることにより、圧電体
層４３０として大きい圧電特性を有するものを得ること
ができる。

【００３３】このような第２のペロブスカイト型酸化物
としては、各種のペロブスカイト型構造の金属酸化物が
使用可能であるが、組成式ＡＢＯ_３（ただし、Ａは、Ｐ
ｂ、Ｂａ、Ｓｒのうちの少なくとも１種の元素、Ｂは、
４Ａ族元素のうちの少なくとも１種の元素）で表される
ものが好ましい。この具体例としては、例えば、ＢａＴ
ｉＯ_３、ＫＮｂＯ_３、ＫＴａＯ_３、Ｋ（Ｔａ_ｘＮｂ
_１−ｘ）Ｏ_３、ＰｂＴｉＯ _３、ＰｂＺｒＯ_３、Ｐｂ（Ｚ
ｒ_ｘＴｉ_１−ｘ）Ｏ_３、または、これらを含む固溶体等
が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み
合わせて用いることができる。これらのペロブスカイト
型構造の金属酸化物は、特に、圧電特性が大きいもので
ある。

【００３４】また、圧電体層４３０が、第１のペロブス
カイト型酸化物と第２のペロブスカイト型酸化物とを含
む場合、第１のペロブスカイト型酸化物の含有量をＸ
［ｍｏｌ］とし、第２のペロブスカイト型酸化物の含有
量をＹ［ｍｏｌ］としたとき、Ｙ／（Ｘ＋Ｙ）≦０．９
なる関係を満足するのが好ましく、Ｙ／（Ｘ＋Ｙ）≦
０．５なる関係を満足するのがより好ましく、０．０５
≦Ｙ／（Ｘ＋Ｙ）≦０．５なる関係を満足するのがさら
に好ましい。Ｙ／（Ｘ＋Ｙ）≦０．９なる関係であれ
ば、圧電体層４３０は、第１のペロブスカイト型酸化物
と第２のペロブスカイト型酸化物とを、前記範囲のモル
比で含有することにより、圧電体層４３０中に非１８０
度分域ドメインが形成されるのを防止することができ
る。Ｙ／（Ｘ＋Ｙ）≦０．５なる関係であれば、第２の
ペロブスカイト型酸化物の構造相転移温度を実使用温度
範囲から離す（遠ざける）ことができる。および、０．
０５≦Ｙ／（Ｘ＋Ｙ）≦０．５なる関係であれば、第２
のペロブスカイト型酸化物の優位な特性（単一ドメイン
のときに室温で大きな圧電特性を有する）を好適に発揮
させることができ、結果として、特に大きい圧電特性を
有する圧電体層４３０を得ることができる。

【００３５】さて、第１のペロブスカイト型酸化物とし
ては、例えば、（Ｂｉ_０．５Ｋ_{０． ５}）ＴｉＯ_３、（Ｂ
ｉ_０．５Ｎａ_０．５）ＴｉＯ_３等を用いることができる
が、これらの中でも、特に、（Ｂｉ_０．５Ｋ_０．５）Ｔ
ｉＯ_３が好ましい。第１のペロブスカイト型酸化物とし
て、（Ｂｉ_０．５Ｋ_０．５）ＴｉＯ_３を用いることによ
り、前述したような効果がより顕著となる。

【００３６】圧電体層４３０は、例えば、正方晶（００
１）配向、擬立方晶（１１０）配向、擬立方晶（１１
１）配向等したもののいずれであってもよいが、これら
の中でも、正方晶（００１）配向または擬立方晶（１１
１）配向したものであるのが好ましく、正方晶（００
１）配向したものが最適である。これにより、圧電素子
４００は、電界歪み特性等の各種特性が特に優れたもの
となる。

【００３７】また、圧電体層４３０の平均厚さは、特に
限定されないが、３００ｎｍ〜１０μｍ程度とするのが
好ましく、５００ｎｍ〜２μｍ程度とするのがより好ま
しい。圧電体層４３０の平均厚さを、前記範囲とするこ
とにより、圧電素子４００（延いては、後述するインク
ジェット式記録ヘッドＨ）の大型化を防止しつつ、各種
特性を好適に発揮し得る圧電素子４００を得ることがで
きる。

【００３８】このような圧電体層４３０は、圧電体層４
３０に電圧を印加するための一方の電極である下部電極
（第１の電極）４２０上にエピタキシャル成長により形
成されたものであるのが好ましい。これにより、圧電体
層４３０と下部電極４２０との接合性を良好なものとす
ることがでるので、圧電素子４００の経時的劣化を防止
または抑制することができる。また、下部電極４２０の
配向方位を適宜設定することにより、圧電体層４３０の
配向方位の制御が容易となる。

【００３９】下部電極４２０としては、ペロブスカイト
型構造の金属酸化物を含むものが好ましく、ペロブスカ
イト型構造の金属酸化物を主材料とするものがより好ま
しい。前述したように、圧電体層４３０がペロブスカイ
ト型構造の金属酸化物を含むもの（特に、ペロブスカイ
ト型構造の金属酸化物を主材料とするもの）であるの
で、下部電極４２０を、ペロブスカイト型構造の金属酸
化物を用いて構成することにより、圧電体層４３０と下
部電極４２０との接合性をより優れたものとすることが
でき、その結果、圧電素子４００の経時的劣化をより確
実に防止または抑制することができる。

【００４０】また、ペロブスカイト型構造の金属酸化物
としては、例えば、ルテニウム酸ストロンチウム（ＳＲ
Ｏ）、ＮｂドープしたＳｒＴｉＯ_３、または、これらを
含む固溶体等が挙げられ、これらの１種または２種以上
を組み合わせて用いることができる。これらのペロブス
カイト型構造の金属酸化物は、導電性および化学的安定
性に優れているので、下部電極４２０も、導電性および
化学的安定性に優れたものとすることができる。その結
果、圧電素子４００は、電界歪み特性等の各種特性がよ
り向上する。

【００４１】これらの中でも、下部電極４２０に用いる
ペロブスカイト型構造の金属酸化物としては、ルテニウ
ム酸ストロンチウム（ＳＲＯ）が最適である。ＳＲＯ
は、特に導電性および化学的安定性に優れているので、
ＳＲＯを用いて下部電極４２０を構成することにより、
圧電素子４００は、前記効果がより向上する。

【００４２】ここで、ＳＲＯは、一般式Ｓｒ_ｎ＋１Ｒｕ
_ｎＯ_３ｎ＋１（ｎは１以上の整数）で表される。ｎ＝１
のときＳｒ_２ＲｕＯ_４となり、ｎ＝２のときＳｒ_３Ｒｕ
_２Ｏ _７となり、ｎ＝∞のときＳｒＲｕＯ_３となる。ＳＲ
Ｏを用いて下部電極４２０を構成する場合は、ＳｒＲｕ
Ｏ_３が最適である。これにより、下部電極４２０の導電
性および化学的安定性を極めて優れたものとすることが
できるとともに、下部電極４２０上に形成する圧電体層
４３０の結晶性を高めることもできる。

【００４３】なお、下部電極４２０は、その厚さ方向の
途中に、イリジウムまたは白金等で構成される部分（中
間層）を有する構成、すなわち、ＳＲＯ／Ｐｔ／ＳＲ
Ｏ、ＳＲＯ／Ｉｒ／ＳＲＯの積層構造とすることもでき
る。この場合、下部電極４２０の圧電体層４３０側の部
分を、ＳｒＲｕＯ_３を含む材料で（特に、ＳｒＲｕＯ_３
を主材料として）構成するようにすればよい。

【００４４】このような下部電極４２０は、例えば、擬
立方晶（１１１）配向、擬立方晶（１１０）配向、擬立
方晶（１００）配向等したもののいずれであってもよい
が、これらの中でも、特に、擬立方晶（１００）配向、
または擬立方晶（１１１）配向したものであるのが好ま
しい。このような下部電極４２０上には、前述したよう
な配向方位の圧電体層４３０を、容易かつ確実にエピタ
キシャル成長により形成することができる。

【００４５】また、下部電極４２０は、前記ペロブスカ
イト型構造の金属酸化物の他、例えば、ＩｒＯ_３、Ｒｕ
Ｏ_３のような金属酸化物、あるいは、白金（Ｐｔ）、イ
リジウム（Ｉｒ）、アルミニウム（Ａｌ）またはこれら
を含む合金等の各種導電性材料のうちの１種または２種
以上を組み合わせて用いることができる。なお、下部電
極４２０をアルミニウムで構成する場合、イリジウム等
で構成される層を積層するようにするのが好ましい。こ
れにより、下部電極４２０の電蝕による劣化を防止また
は抑制することができる。

【００４６】このような下部電極４２０の平均厚さは、
特に限定されないが、５〜１０００ｎｍ程度とするのが
好ましく、１００〜７００ｎｍ程度とするのがより好ま
しい。

【００４７】一方、圧電体層４３０上には、圧電体層４
３０に電圧を印加するための他方の電極となる上部電極
４１０が形成されている。

【００４８】なお、上部電極４１０の構成材料、構成等
は、前記の下部電極４２０と同様とすることができる。

【００４９】また、上部電極４１０の平均厚さは、特に
限定されないが、５〜１０００ｎｍ程度とするのが好ま
しく、１０〜５００ｎｍ程度とするのがより好ましい。

【００５０】次に、本発明のインクジェット式ヘッドに
ついて説明する。図２は、本発明のインクジェット式ヘ
ッドをインクジェット式記録ヘッドに適用した場合の実
施形態を示す分解斜視図（一部切り欠いて示す）であ
り、図３は、図２に示すインクジェット式記録ヘッドの
主要部の構成を示す断面図である。なお、図２は、通常
使用される状態とは、上下逆に示されている。

【００５１】図２に示すインクジェット式記録ヘッドＨ
（以下、単に「ヘッドＨ」と言う。）は、主に、ノズル
板１００と、インク室基板２００と、振動板３００と、
圧電素子（振動源）４００とを備え、これらが基体５０
０に収納されている。

【００５２】なお、このヘッドＨは、オンデマンド形の
ピエゾジェット式ヘッドを構成する。

【００５３】ノズル板１００は、例えばステンレス製の
圧延プレート等で構成されている。このノズル板１００
には、インク滴を吐出するための多数のノズル孔（小
孔）１１０が形成されている。これらのノズル孔１１０
のピッチは、印刷精度に応じて適宜設定される。

【００５４】ノズル板１００には、インク室基板２００
が固着（固定）されている。このインク室基板２００に
は、ノズル板１００、側壁（隔壁）２２０および後述す
る振動板３００により、複数のインク室（キャビティ、
圧力室）２１０と、インクカートリッジ３１から供給さ
れるインクを一時的に貯留するリザーバ室２３０と、リ
ザーバ室２３０から各インク室２１０に、それぞれイン
クを供給する供給口２４０とが区画形成されている。

【００５５】これらのインク室２１０は、それぞれ短冊
状（直方体状）に形成され、各ノズル孔１１０に対応し
て配設されている。各インク室２１０は、後述する振動
板３００の振動により容積が変化し、この容積変化によ
り、インクを吐出するよう構成されている。

【００５６】また、インク室２１０の容積は、特に限定
されないが、１×１０^−７〜２×１０^−５ｍＬ程度であ
るのが好ましく、５×１０^−７〜１×１０^−５ｍＬ程度
であるのがより好ましい。

【００５７】インク室基板２００の平均厚さは、特に限
定されないが、１０μｍ〜１ｍｍ程度であるのが好まし
く、１００〜６００μｍ程度であるのがより好ましい。
インク室基板２００の平均厚さを、前記範囲内とするこ
とにより、ヘッドＨは、十分な強度を確保しつつ、その
小型化（特に、薄型化）を図ることができる。

【００５８】一方、インク室基板２００のノズル板１０
０と反対側には、振動板３００がインク室基板２００の
側壁２２０に接触して設けられている。

【００５９】この振動板３００の所定位置には、その厚
さ方向に貫通して連通孔３１０が形成されている。この
連通孔３１０を介して、後述するインクカートリッジ３
１からリザーバ室２３０に、インクが供給可能とされて
いる。

【００６０】振動板３００は、圧電素子４００の振動に
より振動し、インク室２１０の内部圧力を瞬間的に高め
る機能を有するものである。

【００６１】この振動板３００の構成材料としては、特
に限定されないが、例えば、ＳｉＯ _２、Ｓｉ_２Ｏ_３、Ａ
ｌ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｙ_２Ｏ_３のような各種
酸化物、ＴｉＮ、ＢＮ、ＡｌＮのような各種窒化物等が
挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合
わせて用いることができる。このような材料を用いるこ
とにより、振動板３００は、振動板として要求される強
度（物理的性質）を得ることができる。

【００６２】振動板３００の平均厚さは、特に限定され
ないが、２００ｎｍ〜５０μｍ程度であるのが好まし
く、５００ｎｍ〜２μｍ程度であるのがより好ましい。
振動板３００の平均厚さを、前記範囲とすることによ
り、得られるヘッドＨの大型化を防止しつつ、振動板３
００は、振動板に要求される十分な強度を確保すること
ができる。

【００６３】振動板３００のインク室基板と反対側に
は、複数の圧電素子４００が薄膜よりなる下地層７００
を介して設けられている。

【００６４】各圧電素子４００は、それぞれ各インク室
２１０のほぼ中央部に対応して配設されている。各圧電
素子４００は、後述する圧電素子駆動回路に電気的に接
続され、圧電素子駆動回路からの信号に基づいて作動す
るよう構成されている。

【００６５】なお、各圧電素子４００の平面視での寸法
は、特に限定されないが、例えば、１〜３ｍｍ×１０〜
５０μｍ程度とすることができる。

【００６６】下地層７００は、圧電素子４００（下部電
極４２０）と振動板３００との接合性（密着性）を向上
させる機能を有するものである。下地層７００を設ける
ことにより、圧電素子４００の振動板３００からの剥離
等によるヘッドＨの経時的劣化が好適に防止されるとと
もに、圧電素子４００の振動をより確実に振動板３００
に伝達することができる。

【００６７】なお、この下地層７００は、振動板３００
上の少なくとも圧電素子４００を形成する領域に設ける
ようにすればよい。

【００６８】下地層７００の構成材料としては、例え
ば、ＮａＣｌ構造の金属酸化物、蛍石型構造の金属酸化
物、フルオライト構造の金属酸化物等が挙げられ、これ
らのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いるこ
とができる。これらの中でも、下地層７００の構成材料
としては、ＮａＣｌ構造の金属酸化物を含むものが好ま
しく、ＮａＣｌ構造の金属酸化物を主材料とするものが
より好ましい。

【００６９】前述したように、下部電極４２０の構成材
料としては、ペロブスカイト型構造の金属酸化物を含む
もの（特に、ペロブスカイト型構造の金属酸化物を主材
料とするもの）が好適に使用されるが、ＮａＣｌ構造の
金属酸化物は、このペロブスカイト型構造の金属酸化物
との格子不整合が小さく、さらに、振動板３００の構成
材料（前記酸化物、前記窒化物等）との格子不整合も小
さい。

【００７０】このようなことから、ＮａＣｌ構造の金属
酸化物を用いて下地層７００を構成することにより、振
動板３００と下部電極４２０との接合性（密着性）がよ
り向上する。

【００７１】また、ＮａＣｌ構造の金属酸化物として
は、例えば、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、Ｍｎ
Ｏ、ＦｅＯ、ＣｏＯ、ＮｉＯ、または、これらを含む固
溶体等が挙げられるが、これらの中でも、特に、Ｍｇ
Ｏ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、または、これらを含む固
溶体の少なくとも１種を用いるのが好ましい。このよう
なＮａＣｌ構造の金属酸化物は、ペロブスカイト型構造
の金属酸化物および振動板３００の構成材料の双方との
格子不整合が特に小さい。

【００７２】このような下地層７００は、例えば、立方
晶（１００）配向、立方晶（１１０）配向、立方晶（１
１１）配向等したもののいずれであってもよいが、これ
らの中でも、特に、立方晶（１００）配向または立方晶
（１１１）配向したものであるのが好ましい。下地層７
００を立方晶（１００）配向または立方晶（１１１）配
向したものとすることにより、下地層７００の平均厚さ
を比較的小さくすることができる。このため、例えばＭ
ｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯのような潮解性を示すＮ
ａＣｌ構造の金属酸化物で下地層７００を構成する場合
であっても、製造時および使用時に空気中の水分で劣化
するという不都合を好適に防止することができる。

【００７３】かかる観点からは、下地層７００は、でき
るだけ薄く形成するのが好ましく、具体的には、その平
均厚さが１０ｎｍ以下であるのが好ましく、５ｎｍ以下
であるのがより好ましい。これにより、前記効果がより
向上する。

【００７４】また、このように下地層７００の平均厚さ
を小さくすることにより、ヘッドＨの大型化を防止する
こともできる。

【００７５】なお、この下地層７００は、例えば下部電
極４２０をペロブスカイト型構造の金属酸化物以外の導
電性材料で構成する場合等、必要に応じて、省略するこ
ともできる。

【００７６】以上説明したようなヘッドＨの主要部分
は、例えば各種樹脂材料、各種金属材料等で構成された
基体５００に固定、支持されている。

【００７７】このようなヘッドＨは、後述する圧電素子
駆動回路から所定の吐出信号が入力されていない状態、
すなわち、圧電素子４００の下部電極４２０と上部電極
４１０との間に電圧が印加されていない状態では、圧電
体層４３０に変形が生じない。このため、振動板３００
にも変形が生じず、インク室２１０には容積変化が生じ
ない。したがって、ノズル孔１１０からインク滴は吐出
されない。

【００７８】一方、圧電素子駆動回路から所定の吐出信
号が入力された状態、すなわち、圧電素子４００の下部
電極４２０と上部電極４１０との間に一定電圧（例え
ば、１０〜５０Ｖ程度）が印加された状態では、圧電体
層４３０に変形が生じる。これにより、振動板３００が
大きくたわみ（図３中下方にたわみ）、インク室２１０
の容積の減少（変化）が生じる。このとき、インク室２
１０内の圧力が瞬間的に高まり、ノズル孔１１０からイ
ンク滴が吐出される。

【００７９】１回のインクの吐出が終了すると、圧電素
子駆動回路は、下部電極４２０と上部電極４１０との間
への電圧の印加を停止する。これにより、圧電素子４０
０は、ほぼ元の形状に戻り、インク室２１０の容積が増
大する。なお、このとき、インクには、後述するインク
カートリッジ３１からノズル孔１１０へ向かう圧力（正
方向への圧力）が作用している。このため、空気がノズ
ル孔１１０からインク室２１０へ入り込むことが防止さ
れ、インクの吐出量に見合った量のインクがインクカー
トリッジ３１（リザーバ室２３０）からインク室２１０
へ供給される。

【００８０】このようにして、ヘッドＨにおいて、印刷
させたい位置の圧電素子４００に、圧電素子駆動回路か
ら吐出信号を順次入力することにより、任意の（所望
の）文字や図形等を印刷することができる。

【００８１】以上のように、本発明のインクジェット式
記録ヘッドＨは、電界歪み特性等の各種特性に優れる圧
電素子４００を備える。このため、より少ない電圧で圧
電素子４００を作動させることができるので、圧電素子
駆動回路を簡略化することができるとともに、消費電力
を低減することができる。

【００８２】また、圧電素子４００を小型化することも
できる。この場合、圧電素子４００の幅（短軸方向の長
さ）を短くすると、インク室２１０の幅も小さくするこ
とができ、その結果、ノズル孔１１０のピッチも小さく
することができるので、より高精度の印刷が可能とな
る。また、圧電素子４００の長さ（長軸方向の長さ）を
短くすると、ヘッドＨのさらなる小型化を図ることがで
きる。

【００８３】次に、インクジェット式記録ヘッドＨ（ヘ
ッドＨ）の製造方法について、図４および図５を参照し
つつ説明する。

【００８４】前述したヘッドＨは、例えば、次のように
して製造することができる。図４および図５は、それぞ
れ、図３に示すインクジェット式記録ヘッドの主要部の
製造工程を説明するための図（縦断面図）である。

【００８５】まず、インク室基板２００となる基板２０
を用意する。この基板２０には、必要に応じて、例えば
洗浄操作、すなわち、基板２０の表面に付着した付着物
を除去（例えば、脱脂等）する操作を行うようにしても
よい。

【００８６】この付着物の除去は、例えば、基板２０と
除去液とを接触させることにより行うことができる。

【００８７】基板２０と除去液との接触方法としては、
特に限定されないが、例えば、基板２０を除去液中に浸
漬する方法（浸漬法）、基板２０の表面に除去液を噴霧
（シャワー）する方法、基板２０の表面に除去液を塗付
する方法（塗布法）等が挙げられる。

【００８８】これらの中でも、前記接触方法としては、
浸漬法を用いるのが好ましい。かかる浸漬法によれば、
容易かつ確実に、基板２０の表面から付着物（例えば、
有機物等）を除去することができる。また、浸漬法によ
れば、同時に複数（大量）の基板２を処理することがで
きるという利点もある。

【００８９】また、この場合、除去液に超音波振動を与
えつつ行うようにしてもよいし、基板２０および除去液
の少なくとも一方を揺動させつつ行うようにしてもよ
い。

【００９０】除去液としては、例えば、メチルアルコー
ル、エチルアルコール、プロピルアルコール、ブチルア
ルコールのようなアルコール類、アセトン、メチルエチ
ルケトン、メチルイソブチルケトンのようなケトン類、
酢酸エチル、酢酸メチルのようなエステル類、ジエチル
エーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサンのようなエーテル類、アセトニトリル、
プロピオニトリルのようなニトリル類、塩化メチレン、
クロロホルム、１，２−ジクロロエタン、１，１，２，
２−テトラクロロエタンのようなハロゲン化炭化水素
類、ｎ−ヘキサン、石油エーテル、トルエン、ベンゼ
ン、キシレンのような炭化水素類等の各種有機溶媒が挙
げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わ
せて用いることができる。

【００９１】［１］ 層３０の形成（図４のＳ１） 次に、基板２０上に、振動板３００となる層３０を形成
する。

【００９２】この層３０の形成方法は、層３０の構成材
料等により適宜選択され、特に限定されないが、例え
ば、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、レーザーＣＶＤ等の化
学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着、スパッタリング、イオ
ンプレーティング等の物理蒸着法（ＰＶＤ）、スパッタ
リーフロー、熱酸化法等のうちの１種または２種以上を
組み合わせて用いることができる。

【００９３】また、層３０を別途用意し、基板２０と層
３０とを、例えば圧着状態で熱処理する方法等を用いて
接合するようにしてもよい。

【００９４】［２］ 下地層（バッファ層）７００の形
成（図４のＳ２） 次に、層３０上に、下地層７００を形成する。

【００９５】下地層７００の形成方法（製膜方法）とし
ては、レーザーアブレーション法が好適に用いられる。
かかる方法によれば、レーザー光の入射窓を備えた簡易
な構成の真空装置を用いて、容易かつ確実に、下地層７
００を形成することができる。

【００９６】具体的には、まず、基板２０と層３０との
積層体（サンプル）１０を、例えば、室温での背圧が１
３３×１０^−９〜１３３×１０^−６Ｐａ（１×１０^−９
〜１×１０^−６Ｔｏｒｒ）程度に減圧された真空装置内
に設置する。

【００９７】なお、真空装置内には、積層体１０に対向
して、下地層７００の構成元素を含むターゲットが所定
距離、離間して配置されている。このターゲットとして
は、目的とする下地層７００の組成と同一の組成または
近似組成のものが好適に使用される。また、ターゲット
の形状は、特に限定されないが、例えば円形状（円盤
状）とされ、その直径は、例えば１５〜３０ｍｍ程度と
される。

【００９８】次いで、例えば赤外線ランプ（加熱手段）
等を用いて、積層体１０を加熱して昇温する。

【００９９】この昇温速度は、特に限定されないが、１
〜２０℃／分程度とするのが好ましく、５〜１５℃／分
程度とするのがより好ましい。

【０１００】また、サンプルの温度（到達温度）も、特
に限定されず、３００〜８００℃程度とするのが好まし
く、４００〜７００℃程度とするのが好ましい。

【０１０１】なお、昇温速度、サンプルの温度、真空装
置内の圧力等の各条件は、積層体１０（層３０）の表面
に、熱酸化膜が形成されないものであれば、前記範囲に
限定されるものではない。

【０１０２】次いで、レーザー光をターゲットに照射す
ると、ターゲットを構成する原子が叩き出され、プルー
ムが発生する。換言すれば、プルームが積層体１０（層
３０）に向かって照射される。そして、このプルーム
は、積層体１０（層３０）に接触して、下地層７００が
形成される。

【０１０３】このレーザー光は、好ましくは波長が１５
０〜３００ｎｍ程度、パルス長が１〜１００ｎｓ程度の
パルス光とされる。具体的には、レーザー光としては、
例えば、ＡｒＦエキシマレーザー、ＫｒＦエキシマレー
ザー、ＸｅＣｌエキシマレーザーのようなエキシマレー
ザー、ＹＡＧレーザー、ＹＶＯ_４レーザー、ＣＯ_２レー
ザー等が挙げられる。これらの中でも、レーザー光とし
ては、特に、ＡｒＦエキシマレーザーまたはＫｒＦエキ
シマレーザーが好適である。ＡｒＦエキシマレーザーお
よびＫｒＦエキシマレーザーは、いずれも、取り扱いが
容易であり、また、より効率よく原子をターゲットから
叩き出すことができる。

【０１０４】下地層７００の形成（成膜）における各条
件は、下地層７００がエピタキシャル成長し得るもので
あればよく、例えば、次のようにすることができる。

【０１０５】レーザー光の周波数は、３０Ｈｚ以下とす
るのが好ましく、１５Ｈｚ以下とするのがより好まし
い。

【０１０６】レーザー光のエネルギー密度は、０．５Ｊ
／ｃｍ^２以上とするのが好ましく、２Ｊ／ｃｍ^２以上と
するのがより好ましい。

【０１０７】サンプルとターゲットとの距離は、６０ｍ
ｍ以下とするのが好ましく、４５ｍｍ以下とするのがよ
り好ましい。

【０１０８】また、真空装置内の圧力は、例えば、酸素
ガス供給下で１３３×１０^−３Ｐａ（１×１０^−３Ｔｏ
ｒｒ）以上とするのが好ましく、原子状酸素ラジカル供
給下で１３３×１０^−５Ｐａ（１×１０^−５Ｔｏｒｒ）
以上とするのが好ましい。

【０１０９】下地層７００の形成における各条件を、そ
れぞれ、前記範囲とすると、より効率よく、下地層７０
０をエピタキシャル成長により形成することができる。

【０１１０】また、このとき、レーザー光の照射時間を
適宜設定することにより、下地層７００の平均厚さを前
述したような範囲に調整することができる。この場合、
レーザー光の照射時間は、前記各条件によっても異なる
が、通常、２時間以下とするのが好ましく、１時間以下
とするのがより好ましい。

【０１１１】なお、下地層７００の形成方法としては、
これに限定されず、例えば、ＭＢＥ（Molecular Beam E
pitaxy）法、真空蒸着法、スパッタリング法、ＭＯＣＶ
Ｄ法、ゾル・ゲル法、ＭＯＤ法等の各種薄膜作製法を用
いることもできる。

【０１１２】なお、下地層（バッファ層）７００は、そ
の構成材料の種類、後述する工程［３］〜［５］におけ
る各層の成膜条件等によっては、下地層７００の厚さ方
向の少なくとも一部が消失する場合がある。

【０１１３】［３］ 下側導電性酸化物層４２０’の形
成（図４のＳ３） 次に、下地層７００上に、下側導電性酸化物層（導電性
材料層）４２０’を形成する。なお、この下側導電性酸
化物層４２０’は、後述する工程［６］により分割さ
れ、下部電極４２０となる。

【０１１４】下側導電性酸化物層４２０’の形成は、前
記工程［２］と同様にして行うことができる。すなわ
ち、下側導電性酸化物層４２０’の形成方法（製膜方
法）としては、レーザーアブレーション法が好適である
が、これに限定されず、例えば、ＭＢＥ法、真空蒸着
法、スパッタリング法、ＭＯＣＶＤ法、ゾル・ゲル法、
ＭＯＤ法等の各種薄膜作製法を用いることもできる。

【０１１５】［４］ 強誘電体材料層４３０’の形成
（図４のＳ４） 次に、下側導電性酸化物層４２０’上に、強誘電体材料
層４３０’を形成する。なお、この強誘電体材料層４３
０’は、後述する工程［６］により分割され、圧電体層
４３０となる。

【０１１６】強誘電体材料層４３０’の形成は、前記工
程［２］と同様にして行うことができる。すなわち、強
誘電体材料層４３０’の形成方法（製膜方法）として
は、レーザーアブレーション法が好適であるが、これに
限定されず、例えば、ＭＢＥ法、真空蒸着法、スパッタ
リング法、ＭＯＣＶＤ法、ゾル・ゲル法、ＭＯＤ法等の
各種薄膜作製法を用いることもできる。

【０１１７】なお、レーザーアブレーション法により強
誘電体材料層４３０’を形成する場合、強誘電体材料層
４３０’における第１のペロブスカイト型酸化物と第２
のペロブスカイト型酸化物とのモル比（組成比）は、例
えば第１のペロブスカイト型酸化物からなるターゲット
と第２のペロブスカイト型酸化物からなるターゲットと
を用いて、これらのレーザー照射位置における面積比を
変化させること等により所望のものとすることができ
る。

【０１１８】［５］ 上側導電性酸化物層４１０’の形
成（図５のＳ５） 次に、強誘電体材料層４３０’上に、上側導電性酸化物
層（導電性材料層）４１０’を形成する。なお、この上
側導電性酸化物層４１０’は、後述する工程［６］によ
り分割され、上部電極４１０となる、上側導電性酸化物
層４１０’の形成は、前記工程［２］と同様にして行う
ことができる。すなわち、上側導電性酸化物層４１０’
の形成方法（製膜方法）としては、レーザーアブレーシ
ョン法が好適であるが、これに限定されず、例えば、Ｍ
ＢＥ法、真空蒸着法、スパッタリング法、ＭＯＣＶＤ
法、ゾル・ゲル法、ＭＯＤ法等の各種薄膜作製法を用い
ることもできる。

【０１１９】なお、前記工程［２］〜［５］では、必要
に応じて、各層を形成する（成膜する）際に、各層を形
成する面（成膜面）に対して、例えば、アルゴン、ネオ
ン、キセノン、クリプトンのような不活性ガスのうちの
少なくとも１種のイオン、または、これらのイオンを含
む混合イオン（例えば酸素イオンとの混合イオン等）等
をイオンビームとして照射するようにしてもよい。特
に、この方法は、前記工程［２］における下地層７００
の形成時に有用である。下地層７００は、その上に形成
される下側導電性酸化物層４２０’、強誘電体材料層４
３０’の配向性の良さを決定付けるからである。例えば
下地層７００として、ＹＳＺなど蛍石型構造を用いると
きには（１１１）面方向からのアルゴン照射が最適であ
る。また下地層７００として、ＭｇＯなどＮａＣｌ型構
造を用いるときには（１１０）面方向からのアルゴン照
射が最適である。

【０１２０】［６］ 圧電素子（振動源）４００を形成
する工程（図５のＳ６） 次に、下側導電性酸化物層（導電性材料層）４２０’、
強誘電体材料層４３０’および上側導電性酸化物層（導
電性材料層）４１０’を所定形状に加工（分割）して、
複数の圧電素子（圧電アクチュエータ）４００を形成す
る。

【０１２１】具体的には、まず、上側導電性酸化物層４
１０’上に、インク室２１０を形成すべき位置に合わせ
て、例えばスピンコートによりレジスト材料を塗布した
後、露光・現像してパターニングしてレジスト層を得
る。次いで、このレジスト層をマスクとして、例えばイ
オンミリング等でエッチングする。これにより、上側導
電性酸化物層４１０’、強誘電体材料層４３０’および
下側導電性酸化物層４２０’の不要な部分が除去され、
複数の圧電素子４００が得られる。

【０１２２】［７］ インク室基板２００の形成（図５
のＳ７） 次に、基板２０の圧電素子４００に対応した位置に、そ
れぞれインク室２１０となる凹部２１０’を、また、所
定位置にリザーバ室２３０および供給口２４０となる凹
部を形成する。

【０１２３】具体的には、インク室２１０、リザーバ室
２３０および供給口２４０を形成すべき位置に合せて、
基板２０の圧電素子４００と反対側の面に、前記工程
［６］と同様にしてレジスト層を形成する。次いで、こ
のレジスト層をマスクとして、エッチングを行う。これ
により、基板２０の不要な部分を除去し、インク室基板
２００を得る。

【０１２４】このとき、エッチングされずに残った部分
が、側壁２２０となり、また、露出した層３０は、振動
板として機能し得る状態となる。

【０１２５】このエッチングには、例えば、平行平板型
反応性イオンエッチング、誘導結合型方式、エレクトロ
ンサイクロトロン共鳴方式、ヘリコン波励起方式、マグ
ネトロン方式、プラズマエッチング方式、イオンビーム
エッチング方式等のドライエッチング、５重量％〜４０
重量％程度の水酸化カリウム、テトラメチルアンモニウ
ムハイドロオキサイド等の高濃度アルカリ水溶液による
ウエットエッチングが挙げられ、これらの１種または２
種以上を組み合わせて用いることができる。

【０１２６】基板２０としてＳｉ単結晶基板を用いる場
合には、ウェットエッチングが好適である。かかるウェ
ットエッチングによれば、基板２０は、凹部２１０’、
リザーバ室２３０および供給口２４０となる凹部を、容
易かつ精度よく形成することができる。

【０１２７】特に、この場合、Ｓｉ単結晶基板として、
（１１０）配向のものを用いることにより、基板２０
は、面方向に対してほぼ垂直な方向に効率よく進行する
（異方性エッチングされる）ので、より精度よく凹部２
１０’、リザーバ室２３０および供給口２４０となる凹
部を形成すること、すわわち、より寸法精度の高いイン
ク室基板２００を得ることができる。

【０１２８】［８］ ノズル板１００を接合する工程
（図５のＳ８） 次に、ノズル板１００を、各ノズル孔１１０が各凹部２
１０’に対応するように位置合わせして接合する。これ
により、複数のインク室２１０、リザーバ室２３０およ
び複数の供給口２４０が、それぞれ区画形成される。

【０１２９】この接合には、例えば、接着剤による各種
接着方法、各種融着方法等を用いることができる。

【０１３０】次に、ヘッドＨの主要部を基体５００に取
り付けて、インクジェット式記録ヘッドＨ（ヘッドＨ）
を完成する。

【０１３１】これは、例えばインク室基板２００を基体
５００に対して、接着剤による接着方法等により行うこ
とができる。

【０１３２】なお、本実施形態のヘッドＨでは、振動板
３００が層３０で構成されていたが、これに限定され
ず、例えば、振動板３００は、層３０と任意の目的で設
けられる他の層とで構成されていてもよい。

【０１３３】また、本実施形態では、下部電極４２０お
よび上部電極４１０は、各圧電素子４００毎に設けられ
た個別電極であったが、下部電極４２０および上部電極
４１０のいずれか一方を、各圧電素子４００の共通電極
として設けるようにしてもよい。

【０１３４】次に、本発明の吐出装置について説明す
る。図６は、本発明の吐出装置をインクジェットプリン
タに適用した場合の実施形態を示す概略図である。な
お、以下の説明では、図６中、上側を「上部」、下側を
「下部」と言う。

【０１３５】図６に示すインクジェットプリンタ１は、
装置本体２を備えており、上部後方に記録用紙（記録媒
体）Ｐを設置するトレイ２１と、下部前方に記録用紙Ｐ
を排出する排紙口２２と、上部面に操作パネル７とが設
けられている。

【０１３６】操作パネル７は、例えば、有機ＥＬディス
プレイ、液晶ディスプレイ、ＬＥＤランプ等で構成さ
れ、エラーメッセージ等を表示する表示部（図示せず）
と、各種スイッチ等で構成される操作部（図示せず）と
を備えている。

【０１３７】また、装置本体２の内部には、主に、往復
動するヘッドユニット３を備える印刷装置（印刷手段）
４と、記録用紙Ｐを１枚ずつ印刷装置４に送り込む給紙
装置（給紙手段）５と、印刷装置４および給紙装置５を
制御する制御部（制御手段）６と、各部に電力を供給す
る電源部（図示せず）とを有している。

【０１３８】制御部６の制御により、給紙装置５は、記
録用紙Ｐを一枚ずつ間欠送りする。この記録用紙Ｐは、
ヘッドユニット３の下部近傍を通過する。このとき、ヘ
ッドユニット３が記録用紙Ｐの送り方向とほぼ直交する
方向に往復移動して、記録用紙Ｐへの印刷が行なわれ
る。すなわち、ヘッドユニット３の往復動と記録用紙Ｐ
の間欠送りとが、印刷における主走査および副走査とな
って、インクジェット方式の印刷が行なわれる。

【０１３９】印刷装置４は、ヘッドユニット３と、ヘッ
ドユニット３の駆動源となるキャリッジモータ４１と、
キャリッジモータ４１の回転を受けて、ヘッドユニット
３を往復動させる往復動機構４２とを備えている。

【０１４０】ヘッドユニット３は、その下部に、多数の
ノズル孔１１０を備える本発明のヘッドＨと、ヘッドＨ
にインクを供給するインクカートリッジ３１と、ヘッド
Ｈおよびインクカートリッジ３１を搭載したキャリッジ
３２とを有している。

【０１４１】なお、インクカートリッジ３１として、イ
エロー、シアン、マゼンタ、ブラック（黒）の４色のイ
ンクを充填したものを用いることにより、フルカラー印
刷が可能となる。この場合、ヘッドユニット３１には、
各色にそれぞれ対応したヘッドＨが設けられることにな
る。

【０１４２】往復動機構４２は、その両端をフレーム
（図示せず）に支持されたキャリッジガイド軸４２１
と、キャリッジガイド軸４２１と平行に延在するタイミ
ングベルト４２２とを有している。

【０１４３】キャリッジ３２は、キャリッジガイド軸４
２１に往復動自在に支持されるとともに、タイミングベ
ルト４２２の一部に固定されている。

【０１４４】キャリッジモータ４１の動作により、プー
リを介してタイミングベルト４２２を正逆走行させる
と、キャリッジガイド軸４２１に案内されて、ヘッドユ
ニット３が往復動する。そして、この往復動の際に、ヘ
ッドＨから適宜インクが吐出され、記録用紙Ｐへの印刷
が行われる。

【０１４５】給紙装置５は、その駆動源となる給紙モー
タ５１と、給紙モータ５１の作動により回転する給紙ロ
ーラ５２とを有している。

【０１４６】給紙ローラ５２は、記録用紙Ｐの送り経路
（記録用紙Ｐ）を挟んで上下に対向する従動ローラ５２
ａと駆動ローラ５２ｂとで構成され、駆動ローラ５２ｂ
は給紙モータ５１に連結されている。これにより、給紙
ローラ５２は、トレイ２１に設置した多数枚の記録用紙
Ｐを、印刷装置４に向かって１枚ずつ送り込めるように
なっている。なお、トレイ２１に代えて、記録用紙Ｐを
収容する給紙カセットを着脱自在に装着し得るような構
成であってもよい。

【０１４７】制御部６は、例えばパーソナルコンピュー
タやディジタルカメラ等のホストコンピュータから入力
された印刷データに基づいて、印刷装置４や給紙装置５
等を制御することにより印刷を行うものである。

【０１４８】制御部６は、いずれも図示しないが、主
に、各部を制御する制御プログラム等を記憶するメモ
リ、圧電素子（振動源）４００を駆動して、インクの吐
出タイミングを制御する圧電素子駆動回路、印刷装置４
（キャリッジモータ４１）を駆動する駆動回路、給紙装
置５（給紙モータ５１）を駆動する駆動回路、ホストコ
ンピュータからの印刷データを入手する通信回路、およ
び、印刷データを処理するデータ処理回路と、これらに
電気的に接続され、各部での各種制御を行うＣＰＵとを
備えている。

【０１４９】また、ＣＰＵには、例えば、ヘッドＨの周
囲の環境条件（例えば、温度、湿度等）、インクの吐出
状況、記録用紙（記録媒体）Ｐ上の印刷状況、記録用紙
Ｐの供給状態、記録用紙Ｐの印刷部位付近の雰囲気のイ
ンク溶媒濃度等を検出可能な各種センサが、それぞれ電
気的に接続されている。

【０１５０】このようなインクジェットプリンタ１で
は、まず、ＣＰＵが、通信回路を介して、印刷データを
入手してメモリに格納する。次いで、データ処理回路
は、この印刷データを処理する。次いで、ＣＰＵは、こ
の処理データおよび各種センサの検出データに基づい
て、各駆動回路にそれぞれ駆動信号を出力する。この駆
動信号により圧電素子４００、印刷装置４および給紙装
置５は、それぞれ作動する。これにより、記録用紙Ｐに
印刷が行われる。

【０１５１】以上、本発明の圧電素子、インクジェット
式ヘッドおよび吐出装置について、図示の実施形態に基
づいて説明したが、本発明は、これらに限定されるもの
ではない。

【０１５２】例えば、本発明の圧電素子、インクジェッ
ト式ヘッドおよび吐出装置を構成する各部は、同様の機
能を発揮する任意のものと置換、または、その他の構成
を追加することもできる。

【０１５３】また、前記実施形態では、インクジェット
式ヘッドをインクジェット式記録ヘッドに適用し、吐出
装置をインクジェットプリンタに適用した場合について
説明したが、これに限定されるものではなく、本発明の
インクジェット式ヘッドおよび吐出装置は、例えば、各
種工業用液体吐出装置に適用することもできる。この場
合、工業用液体吐出装置では、前述したようなインク
（イエロー、シアン、マゼンタ、ブラック等のカラー染
料インク）の他、例えば、インクジェット式ヘッドのノ
ズル（液体吐出口）からの吐出に適当な粘度を有する溶
液や液状物質等が使用可能である。

【０１５４】

【実施例】次に、本発明の具体的実施例について説明す
る。

【０１５５】（実施例１）次のようにして、図２に示す
インクジェット式記録ヘッドを製造した。

【０１５６】まず、基板として、Ｓｉ（１１０）単結晶
基板を用意した。なお、この基板は、その平均厚さが５
００μｍのものを用意した。

【０１５７】また、この基板を、エチルアルコールとア
セトンとの混合溶媒（除去液）に浸漬させ、かかる混合
溶媒に超音波振動を与えつつ脱脂洗浄を行った。なお、
エチルアルコールとアセトンとの配合比は、体積比で
１：１とした。

【０１５８】−１− 次に、この基板上に、ＳｉＯ_２か
らなる層を形成した。これは、熱酸化法により行い、平
均厚さが１μｍのＳｉＯ_２層を形成した。

【０１５９】−２− 次に、このＳｉＯ_２層上に、Ｓｒ
Ｏからなる下地層（バッファ層）を形成した。

【０１６０】まず、基板とＳｉＯ_２層との積層体を基板
ホルダーに装填し、室温での背圧１３３×１０^−８Ｐａ
（１×１０^−８Ｔｏｒｒ）の真空装置内に基板ホルダー
ごと設置した。

【０１６１】次いで、積層体を、赤外線ランプを用い
て、２０℃／分で７００℃まで加熱昇温した。

【０１６２】次いで、積層体（サンプル）に対向して配
置されたＳｒＯ_２ターゲット表面に、ＡｒＦエキシマレ
ーザー（波長：１９３ｎｍ）のパルス光（パルス長：１
０ｎｓ）を入射し、ＳｒＯ_２ターゲット表面にＳｒ、Ｏ
を含む原子のプルームを発生させた。また、このとき、
ＳｉＯ_２層上には、面方向に対して約４５°をなす方向
から、アルゴンイオンビームを照射しつつ、前記プルー
ムをサンプル（ＳｉＯ _２層）に照射し、平均厚さが５ｎ
ｍの下地層を形成した。なお、この下地層の形成は、以
下に示す条件で行った。

【０１６３】・ＡｒＦエキシマレーザー エネルギー密度 ：１．５Ｊ／ｃｍ^２ 周波数 ：１０Ｈｚ ・レーザー照射時間 ：３分 ・サンプル温度 ：７００℃ ・ターゲット直径 ：２０ｍｍ ・サンプルとターゲットとの距離：５０ｍｍ ・真空装置内の酸素分圧 ：酸素ガス供給下で３
９９×１０^−３Ｐａ（３×１０^−３Ｔｏｒｒ）

【０１６４】得られた下地層の表面（上面）を、Ｘ線回
折装置を用いて、Ｘ線回折により観察した結果、下地層
は、擬立方晶（１００）配向でエピタキシャル成長をし
ていることが明らかとなった。

【０１６５】−３− 次に、下地層上に、（Ｂａ_０．８
Ｓｒ_０．２）ＲｕＯ_３（ペロブスカイト型構造の金属酸
化物）からなる下側導電性酸化物層を形成した。

【０１６６】まず、ＳｒＯ_２ターゲットに代えて、（Ｂ
ａ_０．８Ｓｒ_０．２）ＲｕＯ_３ターゲットを、下地層が
形成された積層体（サンプル）に対向して設置した。

【０１６７】次いで、（Ｂａ_０．８Ｓｒ_０．２）ＲｕＯ
_３ターゲット表面に、ＡｒＦエキシマレーザー（波長：
１９３ｎｍ）のパルス光（パルス長：１０ｎｓ）を入射
し、（Ｂａ_０．８Ｓｒ_０．２）ＲｕＯ_３ターゲット表面
にＢａ、Ｓｒ、Ｒｕ、Ｏを含む原子のプルームを発生さ
せた。なお、この下側導電性酸化物層の形成は、以下に
示す条件で行った。

【０１６８】・ＡｒＦエキシマレーザー エネルギー密度 ：１．５Ｊ／ｃｍ^２ 周波数 ：１０Ｈｚ ・レーザー照射時間 ：３０分 ・サンプル温度 ：７００℃ ・ターゲット直径 ：２０ｍｍ ・サンプルとターゲットとの距離：５０ｍｍ ・真空装置内の酸素分圧 ：酸素ガス供給下で３
９９×１０^−３Ｐａ（３×１０^−３Ｔｏｒｒ）

【０１６９】得られた下側導電性酸化物層の表面（上
面）を、前記と同様の装置を用いて、Ｘ線回折により観
察した結果、下側導電性酸化物層は、擬立方晶（１０
０）配向でエピタキシャル成長をしていることが明らか
となった。

【０１７０】−４− 次に、下側導電性酸化物層上に、
（Ｂｉ_０．５Ｋ_０．５）ＴｉＯ_３とＢａＴｉＯ_３とから
なる強誘電体材料層を形成した。

【０１７１】なお、（Ｂｉ_０．５Ｋ_０．５）ＴｉＯ_３の
温度変化に伴う結晶構造の変化を調べた結果、この（Ｂ
ｉ_０．５Ｋ_０．５）ＴｉＯ_３は、４００℃（キュリー温
度）〜２７０℃の温度範囲において反強誘電性状態とな
り、−２０〜２７０℃の温度範囲において構造相転移を
生じなかった。

【０１７２】まず、（Ｂａ_０．８Ｓｒ_０．２）ＲｕＯ_３
ターゲットに代えて、（Ｂｉ_０．５Ｋ_０．５）ＴｉＯ_３
ターゲットとＢａＴｉＯ_３ターゲットとを、下地層およ
び下側導電性酸化物層とが形成された積層体（サンプ
ル）に対向して設置した。

【０１７３】次いで、（Ｂｉ_０．５Ｋ_０．５）ＴｉＯ_３
ターゲットおよびＢａＴｉＯ_３ターゲットの表面に、そ
れぞれ、ＡｒＦエキシマレーザー（波長：１９３ｎｍ）
のパルス光（パルス長：１０ｎｓ）を入射し、（Ｂｉ
_０．５Ｋ_０．５）ＴｉＯ_３ターゲット表面にＢｉ、Ｋ、
Ｔｉ、Ｏを含む原子のプルームを、また、ＢａＴｉＯ_３
ターゲット表面にＢａ、Ｔｉ、Ｏを含む原子のプルーム
を発生させた。そして、これらのプルームをサンプル
（下側導電性酸化物層）に照射し、平均厚さが１μｍの
強誘電体材料層を形成した。なお、この強誘電体材料層
の形成は、以下に示す条件で行った。

【０１７４】・ＡｒＦエキシマレーザー エネルギー密度 ：１．５Ｊ／ｃｍ^２ 周波数 ：１０Ｈｚ ・レーザー照射時間 ：４０分 ・サンプル温度 ：７００℃ ・ターゲット直径 ：２０ｍｍ ・サンプルとターゲットとの距離：５０ｍｍ ・真空装置内の酸素分圧 ：酸素ガス供給下で３
９９×１０^−３Ｐａ（３×１０^−３Ｔｏｒｒ）

【０１７５】このとき、レーザー照射位置における（Ｂ
ｉ_０．５Ｋ_０．５）ＴｉＯ_３ターゲットとＢａＴｉＯ_３
ターゲットとの面積比を調整して、強誘電体材料層にお
ける（Ｂｉ_０．５Ｋ_０．５）ＴｉＯ_３およびＢａＴｉＯ
_３のモル比率が、それぞれ１０％、９０％となるように
調整した。

【０１７６】得られた強誘電体材料層の表面（上面）
を、前記と同様の装置を用いて、Ｘ線回折により観察し
た結果、強誘電体材料層は、正方晶（００１）配向でエ
ピタキシャル成長をしていることが明らかとなった。

【０１７７】また、得られた強誘電体材料層を、非線形
型誘電率顕微鏡を用いて観察した結果、９０度分域ドメ
インの存在は確認されなかった。

【０１７８】−５− 次に、強誘電体材料層上に、（Ｂ
ａ_０．８Ｓｒ_０．２）ＲｕＯ_３（ペロブスカイト型構造
の金属酸化物）からなる上側導電性酸化物層を形成し
た。

【０１７９】まず、（Ｂｉ_０．５Ｋ_０．５）ＴｉＯ_３タ
ーゲットおよびＢａＴｉＯ_３ターゲットに代えて、（Ｂ
ａ_０．８Ｓｒ_０．２）ＲｕＯ_３ターゲットを、下地層、
下側導電性酸化物層および強誘電体材料層が形成された
積層体（サンプル）に対向して設置した。

【０１８０】次いで、（Ｂａ_０．８Ｓｒ_０．２）ＲｕＯ
_３ターゲット表面に、ＡｒＦエキシマレーザー（波長：
１９３ｎｍ）のパルス光（パルス長：１０ｎｓ）を入射
し、（Ｂａ_０．８Ｓｒ_０．２）ＲｕＯ_３ターゲット表面
にＢａ、Ｓｒ、Ｒｕ、Ｏを含む原子のプルームを発生さ
せた。そして、このプルームをサンプル（強誘電体材料
層）に照射し、平均厚さが５０ｎｍの上側導電性酸化物
層を形成した。なお、この上側導電性酸化物層の形成
は、以下に示す条件で行った。

【０１８１】・ＡｒＦエキシマレーザー エネルギー密度 ：１．５Ｊ／ｃｍ^２ 周波数 ：１０Ｈｚ ・レーザー照射時間 ：３０分 ・サンプル温度 ：７００℃ ・ターゲット直径 ：２０ｍｍ ・サンプルとターゲットとの距離：５０ｍｍ ・真空装置内の酸素分圧 ：酸素ガス供給下で３
９９×１０^−３Ｐａ（３×１０^−３Ｔｏｒｒ）

【０１８２】得られた上側導電性酸化物層の表面（上
面）を、前記と同様の装置を用いて、Ｘ線回折により観
察した結果、上側導電性酸化物層は、擬立方晶（１０
０）配向でエピタキシャル成長をしていることが明らか
となった。

【０１８３】−６− 次に、下側導電性酸化物層、強誘
電体材料層および上側導電性酸化物層を分割して、複数
の圧電素子を形成した。なお、圧電素子の平面視での寸
法は、縦２ｍｍ×横６０μｍとした。

【０１８４】まず、上側導電性酸化物層上に、インク室
を形成すべき位置に合わせて、レジスト層をパターン形
成した。

【０１８５】次いで、このレジスト層をマスクとしてイ
オンミリングによりエッチングし、下側導電性酸化物
層、強誘電体材料層および上側導電性酸化物層の不要な
部分を除去して、複数の圧電素子を形成した。次いで、
レジスト層を除去した。

【０１８６】−７− 次に、インク室基板を形成した。
なお、インク室の容量は、１×１０ ^−６ｍＬとした。

【０１８７】まず、基板の圧電素子と反対側の面に、イ
ンク室、リザーバ室および供給口を形成すべき位置に合
せて、レジスト層をパターン形成した。

【０１８８】次いで、４０重量％の水酸化カリウム水溶
液を用いたウエットエッチングにより、基板の不要な部
分を除去し、インク室、リザーバ室および供給口となる
凹部を形成した。次いで、レジスト層を除去した。

【０１８９】−８− 次に、ステンレス製のノズル板
を、各ノズル孔がインク室となる各凹部に対応するよう
に位置合わせして接合した。これにより、複数のインク
室、リザーバ室および複数の供給口を、それぞれ区画形
成した。

【０１９０】−９− 最後に、各圧電素子に配線を施す
とともに、基体に固定して、インクジェット式記録ヘッ
ドを完成させた。

【０１９１】（実施例２〜実施例１２）圧電体層（強誘
電体材料層）の構成を表１に示すように変更した以外
は、前記実施例１と同様にしてインクジェット式記録ヘ
ッドを製造した。

【０１９２】各実施例において得られた強誘電体材料層
の表面（上面）を、前記実施例１と同様の装置を用い
て、Ｘ線回折により観察した結果、いずれも、強誘電体
材料層は、正方晶（００１）配向でエピタキシャル成長
をしていることが明らかとなった。

【０１９３】また、各実施例において得られた強誘電体
材料層を、前記実施例１と同様の顕微鏡を用いて観察し
た結果、いずれも、９０度分域ドメインの存在は確認さ
れなかった。

【０１９４】（比較例）圧電体層（強誘電体材料層）を
ＢａＴｉＯ_３で構成した以外は、前記実施例１と同様に
してインクジェット式記録ヘッドを製造した。

【０１９５】比較例において得られた強誘電体材料層の
表面（上面）を、前記実施例１と同様の装置を用いて、
Ｘ線回折により観察した結果、強誘電体材料層は、擬立
方晶（１００）配向でエピタキシャル成長をしているこ
とが明らかとなった。

【０１９６】しかし、比較例において得られた強誘電体
材料層を、前記実施例１と同様の顕微鏡を用いて観察し
た結果、多数の９０度分域ドメインの存在が確認され
た。

【０１９７】（評価）実施例１〜１２および比較例で製
造したインクジェット式記録ヘッドにおいて、それぞ
れ、上部電極と下部電極との間に電圧を印加し振動板の
変位量を測定した。このときの圧電波形を図７に示す。

【０１９８】この振動板の変位量は、レーザードップラ
ー計を用いて行った。なお、測定環境の温度を、１０℃
と２０℃とに設定して、それぞれ行った。この結果を表
１に示す。

【０１９９】

【表１】

【０２００】表１に示すように、各実施例で製造したイ
ンクジェット式記録ヘッドは、いずれも、環境温度にか
かわらず、振動板の変位量が２００ｎｍ以上と優れた特
性を有するものであることが確認された。

【０２０１】これに対し、比較例で製造したインクジェ
ット式記録ヘッドは、振動板の変位量が、各実施例のい
ずれのものよりも劣っていた。特に、環境温度が１０℃
の場合、振動板の変位量が２００ｎｍを下回り、インク
の安定した吐出が困難なものであった。

【０２０２】また、各実施例で製造したインクジェット
式記録ヘッドを用いて、それぞれ、図６に示すようなイ
ンクジェットプリンタを製造した。

【０２０３】これらのインクジェットプリンタを用い
て、印刷を行った結果、高品質の印刷を行うことができ
た。

【０２０４】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、高
い圧電特性を有する圧電体層を得ることができる。

【０２０５】また、本発明によれば、高い信頼性も得ら
れる。また、圧電体層の材料の種類、組成比等を適宜設
定することにより、前記効果がより向上するとともに、
実使用温度範囲において安定した性能を発揮する。

【０２０６】このようなことから、本発明の圧電素子を
用いて各種インクジェット式ヘッドおよび各種吐出装置
を製造することにより、高性能のものを提供することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の圧電素子の実施形態を示す縦断面図
である。

【図２】 本発明のインクジェット式ヘッドをインクジ
ェット式記録ヘッドに適用した場合の実施形態を示す分
解斜視図（一部切り欠いて示す）である。

【図３】 図２に示すインクジェット式記録ヘッドの主
要部の構成を示す断面図である。

【図４】 図３に示すインクジェット式記録ヘッドの主
要部の製造工程を説明するための図（縦断面図）であ
る。

【図５】 図３に示すインクジェット式記録ヘッドの主
要部の製造工程を説明するための図（縦断面図）であ
る。

【図６】 本発明の吐出装置をインクジェットプリンタ
に適用した場合の実施形態を示す概略図である。

【図７】 評価試験における圧電素子への印加電圧の圧
電波形を示す図である。

【符号の説明】

１‥‥インクジェットプリンタ ２‥‥装置本体 ２１
‥‥トレイ ２２‥‥排紙口 ３‥‥ヘッドユニット
３１‥‥インクカートリッジ ３２‥‥キャリッジ ４
‥‥印刷装置 ４１‥‥キャリッジモータ ４２‥‥往
復動機構 ４２１‥‥キャリッジガイド軸 ４２２‥‥
タイミングベルト ５‥‥給紙装置 ５１‥‥給紙モー
タ５１ ５２‥‥給紙ローラ ５２ａ‥‥従動ローラ
５２ｂ‥‥駆動ローラ ６‥‥制御部 ７‥‥操作パネ
ル １０‥‥積層体 ２０‥‥基板 ３０‥‥層 １０
０‥‥ノズル板 １１０‥‥ノズル孔 ２００‥‥イン
ク室基板 ２１０‥‥インク室 ２１０’ ‥‥凹部
２２０‥‥側壁 ２３０‥‥リザーバ室 ２４０‥‥供
給口 ３００‥‥振動板 ３１０‥‥連通孔 ４００‥
‥圧電素子 ４１０‥‥上部電極 ４１０’ ‥‥上側
導電性酸化物層 ４２０‥‥下部電極 ４２０’ ‥‥
下側導電性酸化物層 ４３０‥‥圧電体層 ４３０’‥‥強誘電体材料層 ５００‥‥基体 ７００
‥‥下地層 Ｈ‥‥インクジェット式記録ヘッド Ｐ‥
‥記録用紙

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 41/187 Ｈ０１Ｌ 41/18 １０１Ｃ １０１Ｄ 41/08 Ｕ (72)発明者 岩下 節也 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内 Ｆターム(参考） 2C057 AF51 AF65 AG12 AG44 AG47 AP03 AP13 AP14 AP23 AP31 AP53 AQ02 BA04 BA14

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１の電極と、 該第１の電極に対向する第２の電極と、 これらの電極の間に介挿され、キュリー温度直下で反強
   誘電性状態となり、−２０〜１００℃の温度範囲で強誘
   電体であり、かつ、前記温度範囲で構造相転移を示さな
   いペロブスカイト型構造の金属酸化物を含む圧電体層と
   を有することを特徴とする圧電素子。
2. 【請求項２】 第１の電極と、 該第１の電極に対向する第２の電極と、 これらの電極の間に介挿され、キュリー温度直下で反強
   誘電性状態となり、−２０〜１００℃の温度範囲で強誘
   電体であり、かつ、前記温度範囲で構造相転移を示さな
   いペロブスカイト型構造の金属酸化物と、他のペロブス
   カイト型構造の金属酸化物とを含む圧電体層とを有する
   ことを特徴とする圧電素子。
3. 【請求項３】 前記キュリー温度直下で反強誘電性状態
   となり、−２０〜１００℃の温度範囲で強誘電体であ
   り、かつ、前記温度範囲で構造相転移を示さないペロブ
   スカイト型構造の金属酸化物の含有量をＸ［ｍｏｌ］と
   し、前記他のペロブスカイト型構造の金属酸化物の含有
   量をＹ［ｍｏｌ］としたとき、Ｙ／（Ｘ＋Ｙ）≦０．９
   なる関係を満足する請求項２に記載の圧電素子。
4. 【請求項４】 前記他のペロブスカイト型構造の金属酸
   化物は、組成式ＡＢＯ_３（ただし、Ａは、Ｐｂ、Ｂａ、
   Ｓｒのうちの少なくとも１種の元素、Ｂは、４Ａ族元素
   のうちの少なくとも１種の元素）で表されるものである
   請求項２または３に記載の圧電素子。
5. 【請求項５】 前記キュリー温度直下で反強誘電性状態
   となるペロブスカイト型構造の金属酸化物は、（Ｂｉ
   _０．５Ｋ_０．５）ＴｉＯ_３である請求項１ないし４のい
   ずれかに記載の圧電素子。
6. 【請求項６】 前記圧電体層は、正方晶（００１）配向
   したものである請求項１ないし５のいずれかに記載の圧
   電素子。
7. 【請求項７】 前記圧電体層は、前記第１の電極上にエ
   ピタキシャル成長により形成されたものである請求項１
   ないし６のいずれかに記載の圧電素子。
8. 【請求項８】 前記第１の電極は、ペロブスカイト型構
   造の金属酸化物を含むものである請求項１ないし７のい
   ずれかに記載の圧電素子。
9. 【請求項９】 請求項１ないし８のいずれかに記載の圧
   電素子と、 前記圧電素子の振動により振動する振動板とを有するこ
   とを特徴とするインクジェット式ヘッド。
10. 【請求項１０】 請求項９に記載のインクジェット式ヘ
    ッドを備えることを特徴とする吐出装置。