JP2019102741A - Pzt素子、pzt素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
FOM = (e31,f)2/ε ……(1)
特開2000−091533号公報
特開2013−211539号公報
また、耐熱性が高いPZT素子を提供することにある。
本発明は、表面の面方位が(001)面の前記下部電極層を形成し、前記PZT薄膜層は前記下部電極層の(001)面の表面に形成するPZT素子製造方法である。
本発明は、前記下部電極層は密着層の表面に形成する上記いずれかのPZT素子製造方法であって、PdまたはCuのいずれか一種又は二種の金属を添加金属として銀に添加した銀合金薄膜であり、銀と前記添加金属の100at%のうち、銀の含有率が90at%以上にされた前記銀合金薄膜層を前記密着層に用いるPZT素子製造方法である。
本発明は、表面の面方位が(002)面の前記密着層を形成し、前記下部電極層は、前記密着層の前記(002)面の表面に形成するPZT素子製造方法である。
本発明は、前記密着層は、面方位が(002)面にされたシリコン基板の表面に形成するPZT素子製造方法である。
本発明は、シリコン基板と、前記シリコン基板の表面に形成された密着層と、前記密着層の表面に形成された下部電極層と、前記下部電極層の表面に形成されたPZT薄膜層とを有するPZT素子であって、前記下部電極層はSrRuO3薄膜層であり、前記PZT薄膜層は、PZT薄膜用ターゲットのスパッタリングにより、前記下部電極層の表面に500℃以下の温度でのエピタキシャル成長によって形成されたPZT素子である。
本発明は、前記シリコン基板には、前記PZT薄膜層が形成される前に、トランジスタが形成されたPZT素子である。
本発明は、前記密着層はPdまたはCuのいずれか一種又は二種の金属が添加金属として含有され、銀の含有率が90at%以上にされた銀合金薄膜層であるPZT素子である。
本発明は、前記シリコン基板の表面の面方位と前記密着層の表面の面方位とは(002)面にされ、前記下部電極層の表面の面方位は(001)面にされたPZT素子である。
600℃の高温でアニールをしても銀合金薄膜の面方位は変化しない。
また、PZT素子5をパッケージの中に配置し、上部電極層14と下部電極層12とに配線を接続してパッケージの外部の回路と電気的に接続させることもできる。
図3、4は、X線回折測定装置のファイスキャン法による角度とX線強度の関係を示すグラフであり、図3はシリコン基板10の表面の自然酸化膜を除去せずに銀合金薄膜を成長させたときの銀合金薄膜表面の測定結果のグラフであり、図4は、フッ酸によって自然酸化膜を除去させてシリコン基板10の表面に銀合金薄膜を成長させたときの銀薄膜表面の測定結果のグラフである。
添加金属の含有率は、耐熱性を向上させるために、3at%以上の含有率が望ましい。
図7では、銀合金薄膜層のピーク(約50)が4個と、SrRuO3薄膜層のピーク(約230)が4個ずつ同じ角度の位置に観察されており、4回の対称性が確認できたことから、銀合金薄膜層とSrRuO3薄膜層とのエピタキシャル成長が確認された。
11……密着層
12……下部電極層
13……PZT薄膜層
14……上部電極層
Claims (9)
- 下部電極層の表面にPZT薄膜層をエピタキシャル成長させるPZT素子製造方法であって、
前記下部電極層にはSrRuO3薄膜層を用い、
前記下部電極層の表面に前記PZT薄膜層を形成するPZT素子製造方法であって、
PZT薄膜用ターゲットをスパッタリングして前記下部電極層の表面に500℃以下の温度で前記PZT薄膜層をエピタキシャル成長させるPZT素子製造方法。 - 表面の面方位が(001)面の前記下部電極層を形成し、前記PZT薄膜層は前記下部電極層の(001)面の表面に形成する請求項1記載のPZT素子製造方法。
- 前記下部電極層は密着層の表面に形成する請求項1又は請求項2のいずれか1項記載のPZT素子製造方法であって、
PdまたはCuのいずれか一種又は二種の金属を添加金属として銀に添加した銀合金薄膜であり、銀と前記添加金属の100at%のうち、銀の含有率が90at%以上にされた前記銀合金薄膜層を前記密着層に用いるPZT素子製造方法。 - 表面の面方位が(002)面の前記密着層を形成し、前記下部電極層は、前記密着層の前記(002)面の表面に形成する請求項3記載のPZT素子製造方法。
- 前記密着層は、面方位が(002)面にされたシリコン基板の表面に形成する請求項4記載のPZT素子製造方法。
- シリコン基板と、
前記シリコン基板の表面に形成された密着層と、
前記密着層の表面に形成された下部電極層と、
前記下部電極層の表面に形成されたPZT薄膜層とを有するPZT素子であって、
前記下部電極層はSrRuO3薄膜層であり、
前記PZT薄膜層は、PZT薄膜用ターゲットのスパッタリングにより、前記下部電極層の表面に500℃以下の温度でのエピタキシャル成長によって形成されたPZT素子。 - 前記シリコン基板には、前記PZT薄膜層が形成される前に、トランジスタが形成された請求項6記載のPZT素子。
- 前記密着層はPdまたはCuのいずれか一種又は二種の金属が添加金属として含有され、銀の含有率が90at%以上にされた銀合金薄膜層である請求項6または請求項7のいずれか1項記載のPZT素子。
- 前記シリコン基板の表面の面方位と前記密着層の表面の面方位とは(002)面にされ、
前記下部電極層の表面の面方位は(001)面にされた請求項8記載のPZT素子。
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