JP2003203918A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 絶縁表面を有する基板上に非晶質半導体膜を形成し、
   前記非晶質半導体膜をパターニングして、先の尖った凸端部を有する五角形状の第１の島状半導体膜を複数個形成し、
   複数の前記第１の島状半導体膜の前記凸端部からそれに対向する他端部に向かってレーザ光を照射し、複数の前記第１の島状半導体膜を結晶化し、
   結晶化された複数の前記第１の島状半導体膜をパターニングして、前記第１の島状半導体膜それぞれから複数の第２の島状半導体膜を形成し、
   複数の前記第２の島状半導体膜を用いて複数のトランジスタを形成し、
   複数の前記トランジスタのうち所定の数の前記トランジスタを電気的に接続し、
   前記所定の数の前記トランジスタに用いられる複数の前記第２の島状半導体膜は、それぞれ異なる前記第１の島状半導体膜から形成され、
   前記第１の島状半導体膜を複数個形成する際に、隣り合う前記第１の島状半導体膜が、縦方向には並列に形成され、横方向には隣り合う前記凸端部をずらして形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 絶縁表面を有する基板上に非晶質半導体膜を形成し、
   前記非晶質半導体膜をパターニングして、先の尖った凸端部を複数有する形状の第１の島状半導体膜を複数個形成し、
   複数の前記第１の島状半導体膜の前記凸端部からそれに対向する他端部に向かってレーザ光を照射し、複数の前記第１の島状半導体膜を結晶化し、
   結晶化された複数の前記第１の島状半導体膜をパターニングして、前記第１の島状半導体膜それぞれから複数の第２の島状半導体膜を形成し、
   複数の前記第２の島状半導体膜を用いて複数のトランジスタを形成し、
   複数の前記トランジスタのうち所定の数の前記トランジスタを電気的に接続し、
   前記所定の数の前記トランジスタに用いられる複数の前記第２の島状半導体膜は、それぞれ異なる前記第１の島状半導体膜から形成され、
   前記第１の島状半導体膜を複数個形成する際に、隣り合う前記第１の島状半導体膜が、縦方向には並列に形成され、横方向には隣り合う前記凸端部をずらして形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 基板上に表面が凹凸形状の絶縁膜を形成し、
   前記凹凸形状の絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成し、
   前記非晶質半導体膜をパターニングして、先の尖った凸端部を有する五角形状の第１の島状半導体膜を複数個形成し、
   複数の前記第１の島状半導体膜の前記凸端部からそれに対向する他端部に向かってレーザ光を照射し、複数の前記第１の島状半導体膜を結晶化し、
   結晶化された複数の前記第１の島状半導体膜をパターニングして、前記第１の島状半導体膜それぞれから複数の第２の島状半導体膜を形成し、
   複数の前記第２の島状半導体膜を用いて複数のトランジスタを形成し、
   複数の前記トランジスタのうち所定の数の前記トランジスタを電気的に接続し、
   前記所定の数の前記トランジスタに用いられる複数の前記第２の島状半導体膜は、それぞれ異なる前記第１の島状半導体膜から形成され、
   前記第１の島状半導体膜を複数個形成する際に、隣り合う前記第１の島状半導体膜が、縦方向には並列に形成され、横方向には隣り合う前記凸端部をずらして形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
4. 基板上に表面が凹凸形状の絶縁膜を形成し、
   前記凹凸形状の絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成し、
   前記非晶質半導体膜をパターニングして、先の尖った凸端部を複数有する形状の第１の島状半導体膜を複数個形成し、
   複数の前記第１の島状半導体膜の前記凸端部からそれに対向する他端部に向かってレーザ光を照射し、複数の前記第１の島状半導体膜を結晶化し、
   結晶化された複数の前記第１の島状半導体膜をパターニングして、前記第１の島状半導体膜それぞれから複数の第２の島状半導体膜を形成し、
   複数の前記第２の島状半導体膜を用いて複数のトランジスタを形成し、
   複数の前記トランジスタのうち所定の数の前記トランジスタを電気的に接続し、
   前記所定の数の前記トランジスタに用いられる複数の前記第２の島状半導体膜は、それぞれ異なる前記第１の島状半導体膜から形成され、
   前記第１の島状半導体膜を複数個形成する際に、隣り合う前記第１の島状半導体膜が、縦方向には並列に形成され、横方向には隣り合う前記凸端部をずらして形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 絶縁表面を有する基板上に非晶質半導体を形成し、
   前記非晶質半導体上に金属含有層を形成し、熱処理により第１の結晶質半導体を形成し、
   前記第１の結晶質半導体をパターニングして、先の尖った凸端部を有する五角形状の第１の島状半導体膜を複数個形成し、
   複数の前記第１の島状半導体膜の前記凸端部からそれに対向する他端部に向かってレーザ光を照射し、
   前記レーザ光を照射した複数の前記第１の島状半導体をパターニングして、前記第１の島状半導体膜それぞれから複数の第２の島状半導体を形成し、
   複数の前記第２の島状半導体を用いて複数のトランジスタを形成し、
   前記複数のトランジスタのうち所定の数の前記トランジスタを電気的に接続し、
   前記所定の数の前記トランジスタに用いられる前記第２の島状半導体は、それぞれ異なる前記第１の島状半導体から形成され、
   前記凸端部を有する五角形状の第１の島状半導体膜を形成する際に、隣り合う前記第１の島状半導体膜が、縦方向には並列に形成され、横方向には隣り合う前記凸端部をずらして形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
6. 絶縁表面を有する基板上に非晶質半導体を形成し、
   前記非晶質半導体上に金属含有層を形成し、熱処理により第１の結晶質半導体を形成し、
   前記第１の結晶質半導体をパターニングして、先の尖った凸端部を複数有する形状の第１の島状半導体膜を複数個形成し、
   複数の前記第１の島状半導体膜の前記凸端部からそれに対向する他端部に向かってレーザ光を照射し、
   前記レーザ光を照射した複数の前記第１の島状半導体をパターニングして、前記第１の島状半導体膜それぞれから複数の第２の島状半導体を形成し、
   複数の前記第２の島状半導体を用いて複数のトランジスタを形成し、
   前記複数のトランジスタのうち所定の数の前記トランジスタを電気的に接続し、
   前記所定の数の前記トランジスタに用いられる前記第２の島状半導体は、それぞれ異なる前記第１の島状半導体から形成される、
   前記凸端部を複数有する前記第１の島状半導体膜を形成する際、隣り合う前記第１の島状半導体膜が、縦方向には並列に形成され、横方向には隣り合う前記凸端部をずらして形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
7. 基板上に表面が凹凸形状の絶縁膜を形成し、
   前記凹凸形状の絶縁膜上に非晶質半導体を形成し、
   前記非晶質半導体上に金属含有層を形成し、熱処理により第１の結晶質半導体を形成し、
   前記第１の結晶質半導体をパターニングして、先の尖った凸端部を有する五角形状の第１の島状半導体膜を複数個形成し、
   複数の前記第１の島状半導体膜の前記凸端部からそれに対向する他端部に向かってレーザ光を照射し、
   前記レーザ光を照射した複数の前記第１の島状半導体をパターニングして、前記第１の島状半導体膜それぞれから複数の第２の島状半導体を形成し、
   複数の前記第２の島状半導体を用いて複数のトランジスタを形成し、
   前記複数のトランジスタのうち所定の数の前記トランジスタを電気的に接続し、
   前記所定の数の前記トランジスタに用いられる前記第２の島状半導体は、それぞれ異なる前記第１の島状半導体から形成され、
   前記凸端部を有する五角形状の第１の島状半導体膜を形成する際、隣り合う前記第１の島状半導体膜が、縦方向には並列に形成され、横方向には隣り合う前記凸端部をずらして形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
8. 基板上に表面が凹凸形状の絶縁膜を形成し、
   前記凹凸形状の絶縁膜上に非晶質半導体を形成し、
   前記非晶質半導体上に金属含有層を形成し、熱処理により第１の結晶質半導体を形成し、
   前記第１の結晶質半導体をパターニングして、先の尖った凸端部を複数有する形状の第１の島状半導体膜を複数個形成し、
   複数の前記第１の島状半導体膜の前記凸端部からそれに対向する他端部に向かってレーザ光を照射し、
   前記レーザ光を照射した複数の前記第１の島状半導体をパターニングして、前記第１の島状半導体膜それぞれから複数の第２の島状半導体を形成し、
   複数の前記第２の島状半導体を用いて複数のトランジスタを形成し、
   前記複数のトランジスタのうち所定の数の前記トランジスタを電気的に接続し、
   前記所定の数の前記トランジスタに用いられる前記第２の島状半導体は、それぞれ異なる前記第１の島状半導体から形成され、
   前記凸端部を複数有する前記第１の島状半導体膜を形成する際、前記第１の島状半導体膜が、縦方向には並列に形成され、横方向には隣り合う前記凸端部をずらして形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
9. 請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
   前記複数のトランジスタは、そのチャネル形成領域における電荷の移動方向が全て平行もしくはそれに準ずる方向に揃うように配置されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
10. 請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
    前記複数のトランジスタは、そのチャネル形成領域における電荷の移動方向が、前記レーザ光の走査方向と平行であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
11. 請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
    前記複数のトランジスタは電気的に並列に接続されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
12. 請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
    前記レーザ光は、固体レーザ、気体レーザ、あるいは金属レーザから発振されたものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
13. 請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
    前記レーザ光は、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ₄レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ₃レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライドレーザ、又はＴｉ：サファイアレーザから発振されたものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
14. 請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
    前記レーザ光は、エキシマレーザ、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、又はＣＯ₂レーザから発振されたものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
15. 請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
    前記レーザ光は、ヘリウムカドミウムレーザ、銅蒸気レーザ、又は金蒸気レーザから発振されたものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。