JP2003163165A5 - - Google Patents

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  1. 絶縁表面上に非晶質半導体膜を形成し、
    前記非晶質半導体膜に結晶化を助長する金属元素を添加し、
    前記非晶質半導体膜の一部にレーザー光を照射して結晶化させ、第１領域を形成し、
    前記非晶質半導体膜の表面から前記金属元素を除去し、
    前記第１領域及び前記非晶質半導体膜を加熱して、前記第１領域から前記非晶質半導体膜へと基板と平行に結晶成長した第２領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
  2. 絶縁表面上に非晶質半導体膜を形成し、
    前記非晶質半導体膜に結晶化を助長する金属元素を添加し、
    前記非晶質半導体膜の一部にレーザー光を照射して結晶化させ、第１領域を形成し、
    前記非晶質半導体膜の表面から前記金属元素を除去し、
    前記第１領域及び前記非晶質半導体膜を加熱して、前記第１領域から前記非晶質半導体膜へと基板と平行に結晶成長した第２領域を形成し、
    前記第２領域をパターニングすることにより、前記第２領域に薄膜トランジスタのチャネル形成領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
  3. 絶縁表面上に非晶質半導体膜を形成し、
    前記非晶質半導体膜に結晶化を助長する金属元素を添加し、
    前記非晶質半導体膜の一部にレーザー光を照射して結晶化させ、複数の第１領域を形成し、
    前記非晶質半導体膜の表面から前記金属元素を除去し、
    前記第１領域及び前記非晶質半導体膜を加熱して、前記第１領域から前記非晶質半導体膜へと基板と平行に結晶成長した第２領域を形成し、
    前記第２領域をパターニングすることにより、隣接する前記第１領域からの前記結晶成長同士が衝突する領域を避けて前記第２領域に薄膜トランジスタのチャネル形成領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
  4. 請求項１乃至３のいずれか一において、前記非晶質半導体膜はシリコン膜またはシリコン膜を主成分とする膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
  5. 請求項１乃至４のいずれか一において、前記レーザー光はエキシマレーザー発振装置、ＹＡＧレーザー発振装置、またはＹＶＯ4レーザー発振装置を光源とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
  6. 請求項１乃至５のいずれか一において、前記第２領域を形成後、前記第２領域から前記金属元素をゲッタリングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
  7. 請求項１乃至６のいずれか一において、前記非晶質半導体膜の表面をフッ酸を含むエッチャントで洗浄することにより、前記金属元素の除去を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
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