JP2003224070A5 - - Google Patents
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Claims (7)
- 絶縁表面上に形成された非晶質半導体膜に金属元素を添加し、
前記非晶質半導体膜を加熱処理により結晶化させて結晶性半導体膜を形成し、
前記金属元素を前記結晶性半導体膜に残存させたまま連続発振レーザー光を照射して溶融帯を形成し、
前記レーザー光の照射位置を走査することにより前記溶融帯を連続的に移動させ、前記結晶性半導体膜の結晶性を改質することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 絶縁表面上に形成された非晶質半導体膜に金属元素を添加し、
前記非晶質半導体膜を第１の加熱処理により結晶化させて結晶性半導体膜を形成し、
前記金属元素を前記結晶性半導体膜に残存させたまま連続発振レーザー光を照射して溶融帯を形成し、
前記レーザー光の照射位置を走査することにより前記溶融帯を連続的に移動させ、前記結晶性半導体膜の結晶性を改質し、
前記結晶性半導体膜に残存する前記金属元素をゲッタリングし、且つ、前記結晶性半導体膜の歪みを緩和するための第２の加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 絶縁表面上に形成された非晶質半導体膜に金属元素を添加し、
前記非晶質半導体膜を加熱処理により結晶化させて結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜に連続発振レーザー光を照射しつつ、当該レーザー光の照射位置を走査して、前記結晶性半導体膜の結晶性を改質する各段階を有し、
前記連続発振レーザー光は、４００〜６００ｎｍの波長を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 絶縁表面上に形成された非晶質半導体膜に金属元素を添加し、
前記非晶質半導体膜を加熱処理により結晶化させて結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜に連続発振レーザー光を照射しつつ、当該レーザー光の照射位置を走査して、前記結晶性半導体膜の結晶性を改質する各段階を有し、
前記連続発振レーザー光は、固体レーザー発振装置から放射されるレーザー光の第２高調波であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - ガラス基板上に酸窒化珪素膜を形成し、
前記酸窒化珪素膜に密接して非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に金属元素を添加し、
前記非晶質半導体膜を第１の加熱処理により結晶化させて結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜に連続発振レーザー光を照射しつつ、当該レーザー光の照射位置を走査して、前記結晶性半導体膜の結晶性を改質し、
前記結晶性半導体膜に含まれる前記金属元素をゲッタリングし、且つ、前記結晶性半導体膜の歪みを緩和するための第２の加熱処理を行う各段階を有し、
前記連続発振レーザー光は、固体レーザー発振装置から放射されるレーザー光の第２高調波であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - ガラス基板上に酸窒化珪素膜を形成し、
前記酸窒化珪素膜に密接して第１の非晶質半導体膜を形成し、
前記第１の非晶質半導体膜に金属元素を添加し、
前記第１の非晶質半導体膜を第１の加熱処理により結晶化させて結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜に連続発振レーザー光を照射しつつ、当該レーザー光の照射位置を走査して、前記結晶性半導体膜の結晶性を改質し、
前記結晶性半導体膜に接して酸化珪素を含むバリア層を形成し、
前記バリア層上に希ガス元素を含有する第２の非晶質半導体膜を形成し、
前記第２の非晶質半導体膜に前記結晶性半導体膜に含まれる前記金属元素を偏析させ、且つ、前記結晶性半導体膜の歪みを緩和するための第２の加熱処理を行う各段階を有し、
前記連続発振レーザー光は、固体レーザー発振装置から放射されるレーザー光の第２高調波であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項４乃至請求項６のいずれか一項において、
前記固体レーザー発振装置は、Ｎｄ：ＹＶＯ4レーザー発振装置であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
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