JP2003115456A5 - - Google Patents

Claims (17)

1. 非晶質半導体膜に金属元素を添加した後、前記非晶質半導体膜を熱処理により結晶化して第１の結晶性半導体膜を形成し、
   前記第１の結晶性半導体膜に、波長が３５０ｎｍ以上であり、エネルギー密度が７００ｍＪ／ｃｍ²乃至１８００ｍＪ／ｃｍ²のパルス発振するレーザ光を複数回照射して、第２の結晶性半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 非晶質半導体膜に金属元素を添加した後、前記非晶質半導体膜を第１の熱処理により結晶化して第１の結晶性半導体膜を形成し、
   前記第１の結晶性半導体膜に、波長が３５０ｎｍ以上であり、エネルギー密度が７００ｍＪ／ｃｍ²乃至１８００ｍＪ／ｃｍ²のパルス発振するレーザ光を複数回照射して、第２の結晶性半導体膜を形成し、
   前記第２の結晶性半導体膜に第２の熱処理を行って第３の結晶性半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 請求項１において、前記熱処理は、ファーネスアニール法またはＲＴＡ法で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
4. 請求項１または請求項３において、前記第２の結晶性半導体膜に不純物元素を添加した後に、熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 請求項２において、前記第１の熱処理は、ファーネスアニール法またはＲＴＡ法で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
6. 請求項２または請求項５において、前記第２の熱処理は、ファーネスアニール法、レーザアニール法、ＲＴＡ法のいずれかによって行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
7. 請求項２、５、６のいずれか一項において、前記第２の熱処理は、前記第２の半導体膜が溶融しない温度で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
8. 請求項２、５、６、７のいずれか一項において、前記第３の結晶性半導体膜に不純物元素を添加した後に、熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
9. 請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、前記レーザ光は、パルス発振の固体レーザまたは気体レーザまたは金属レーザから発振されたものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
10. 請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、前記レーザ光は、パルス発振のＹＡＧレーザ、ＹＶＯ₄レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ₃レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライドレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザから選ばれた一種から発振されたものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
11. 請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、前記レーザ光は、非線形光学素子により高調波に変換されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
12. 請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、前記非晶質半導体膜は、珪素を含む膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
13. 請求項１乃至請求項１２のいずれか一項において、前記レーザ光のパルス幅は１００ｎｓ以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
14. 請求項１乃至請求項１３のいずれか一項において、可撓性基板上に前記非晶質半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
15. 請求項１４において、前記可撓性基板の表面にバリア層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
16. 請求項１４において、前記可撓性基板の表面及び裏面にバリア層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
17. 請求項１５または請求項１６において、前記バリア層は、ＡｌＯＮ膜、ＡｌＮ膜、ＡｌＯ膜、炭素膜、ＳｉＮ膜のうちの単層または多層からなることを特徴とする半導体装置の作製方法。