JP2001239379A - 高強度超短パルスレーザー加工方法 - Google Patents
高強度超短パルスレーザー加工方法Info
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- B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
- B23K26/0622—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
- B23K26/0624—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses using ultrashort pulses, i.e. pulses of 1ns or less
Abstract
(57)【要約】
【課題】 固体状有機化合物に対して加工深さを正確に
制御できる高強度超短パルスレーザー加工方法を提供す
る。 【解決手段】 高強度超短パルスレーザー加工方法であ
って、高強度超短パルスレーザーを、吸収係数が１０μ
ｍ-1以下の固体状有機化合物に対して単発で照射し、レ
ーザー光の半分が固体状有機化合物１０に吸収される領
域の表面層のみが加工されることを特徴とする。
制御できる高強度超短パルスレーザー加工方法を提供す
る。 【解決手段】 高強度超短パルスレーザー加工方法であ
って、高強度超短パルスレーザーを、吸収係数が１０μ
ｍ-1以下の固体状有機化合物に対して単発で照射し、レ
ーザー光の半分が固体状有機化合物１０に吸収される領
域の表面層のみが加工されることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高強度超短パルス
レーザー加工方法に係り、特に高強度のフェムト秒レー
ザーを利用した低分子有機化合物の加工方法に関する。
レーザー加工方法に係り、特に高強度のフェムト秒レー
ザーを利用した低分子有機化合物の加工方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザーアブレーションの応用は、成
膜、マイクロリソグラフィー、孔明け加工、エッチング
等があるが、高強度でかつ超短パルスのレーザー（高強
度フェムト秒レーザー）が加工分野への応用として注目
され、金属のレーザーアブレーション、固体表面の改
質、透明誘電体のバルク改質、超精密加工、角膜手術や
細胞融合などの生体への応用がある（応用物理、６７．
Ｎｏ．９（１９９８）、ｐｐ．１０５１〜１０５５）。
膜、マイクロリソグラフィー、孔明け加工、エッチング
等があるが、高強度でかつ超短パルスのレーザー（高強
度フェムト秒レーザー）が加工分野への応用として注目
され、金属のレーザーアブレーション、固体表面の改
質、透明誘電体のバルク改質、超精密加工、角膜手術や
細胞融合などの生体への応用がある（応用物理、６７．
Ｎｏ．９（１９９８）、ｐｐ．１０５１〜１０５５）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、レーザ
ー加工において、アブレーションしきい値を超えると、
レーザー入力に比例して被加工部位が大きくなる。幅や
面積、又は深さが大となる。従って、所望の寸法を得る
ためには被加工物体へのレーザー入力を厳しく制御する
必要がある。
ー加工において、アブレーションしきい値を超えると、
レーザー入力に比例して被加工部位が大きくなる。幅や
面積、又は深さが大となる。従って、所望の寸法を得る
ためには被加工物体へのレーザー入力を厳しく制御する
必要がある。
【０００４】本発明は、上記状況に鑑みて、固体状有機
化合物に対して加工深さを制御できる高強度超短パルス
レーザー加工方法を提供することを目的とする。
化合物に対して加工深さを制御できる高強度超短パルス
レーザー加工方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、〔１〕高強度超短パルスレーザー加工方
法であって、高強度超短パルスレーザーを、固体状有機
化合物に対して単発で照射し、レーザー光の半分が固体
状有機化合物に吸収される領域の表面層のみが加工され
ることを特徴とする。
成するために、〔１〕高強度超短パルスレーザー加工方
法であって、高強度超短パルスレーザーを、固体状有機
化合物に対して単発で照射し、レーザー光の半分が固体
状有機化合物に吸収される領域の表面層のみが加工され
ることを特徴とする。
【０００６】〔２〕上記〔１〕記載の高強度超短パルス
レーザー加工方法において、前記固体状有機化合物は吸
収係数がレーザーの波長で１０μｍ-1以下であることを
特徴とする。
レーザー加工方法において、前記固体状有機化合物は吸
収係数がレーザーの波長で１０μｍ-1以下であることを
特徴とする。
【０００７】〔３〕上記〔１〕記載の高強度超短パルス
レーザー加工方法において、前記表面層は固体状有機化
合物中でレーザー光が均一に吸収される領域であること
を特徴とする。
レーザー加工方法において、前記表面層は固体状有機化
合物中でレーザー光が均一に吸収される領域であること
を特徴とする。
【０００８】〔４〕上記〔１〕記載の高強度超短パルス
レーザー加工方法において、前記表面層はレーザー光の
２０％以下が固体状有機化合物に吸収される領域である
ことを特徴とする。
レーザー加工方法において、前記表面層はレーザー光の
２０％以下が固体状有機化合物に吸収される領域である
ことを特徴とする。
【０００９】〔５〕上記〔１〕記載の高強度超短パルス
レーザー加工方法において、前記固体状有機化合物は低
分子量化合物であることを特徴とする。
レーザー加工方法において、前記固体状有機化合物は低
分子量化合物であることを特徴とする。
【００１０】〔６〕上記〔５〕記載の高強度超短パルス
レーザー加工方法において、前記固体状有機化合物は芳
香族系固体状有機化合物であることを特徴とする。
レーザー加工方法において、前記固体状有機化合物は芳
香族系固体状有機化合物であることを特徴とする。
【００１１】〔７〕上記〔１〕記載の高強度超短パルス
レーザー加工方法において、前記高強度超短パルスレー
ザーは高強度フェムト秒レーザーであることをことを特
徴とする。
レーザー加工方法において、前記高強度超短パルスレー
ザーは高強度フェムト秒レーザーであることをことを特
徴とする。
【００１２】〔８〕上記〔１〕記載の高強度超短パルス
レーザー加工方法において、前記高強度超短パルスレー
ザーは高強度ピコ秒レーザーであることをことを特徴と
する。
レーザー加工方法において、前記高強度超短パルスレー
ザーは高強度ピコ秒レーザーであることをことを特徴と
する。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【００１４】図１は本発明の高強度超短パルスレーザー
加工システムの全体構成図である。
加工システムの全体構成図である。
【００１５】この図において、１はＡｒ+ レーザー、２
はチタンサファイアレーザー（発振部）、３はＮｄ3+Ｙ
ＡＧレーザー、４はチタンサファイアレーザー（チャー
プパルス増幅器）であり、このチタンサファイアレーザ
ー４は、パルス伸張器５、再生増幅器６、パルス圧縮器
７からなる。このパルス圧縮器７からは１５０フェムト
秒、７８０ｎｍ、３ｍＪの高強度超短パルスレーザーが
出力され、レンズ８を介して、試料台９上の固体状有機
化合物（低分子有機化合物）１０に照射される。
はチタンサファイアレーザー（発振部）、３はＮｄ3+Ｙ
ＡＧレーザー、４はチタンサファイアレーザー（チャー
プパルス増幅器）であり、このチタンサファイアレーザ
ー４は、パルス伸張器５、再生増幅器６、パルス圧縮器
７からなる。このパルス圧縮器７からは１５０フェムト
秒、７８０ｎｍ、３ｍＪの高強度超短パルスレーザーが
出力され、レンズ８を介して、試料台９上の固体状有機
化合物（低分子有機化合物）１０に照射される。
【００１６】このように、フェムト秒レーザーはチャー
プパルス増幅による高出力チタンサファイアレーザーを
用いる。この高出力チタンサファイアレーザーを単発で
照射する。
プパルス増幅による高出力チタンサファイアレーザーを
用いる。この高出力チタンサファイアレーザーを単発で
照射する。
【００１７】試料としては、第１実施例として、ｍ−Ｍ
ＴＤＡＴＡベンゼン溶液をガラス板にキャストして作製
したアモルファス膜である。
ＴＤＡＴＡベンゼン溶液をガラス板にキャストして作製
したアモルファス膜である。
【００１８】図２は本発明の第１実施例の高強度超短パ
ルスレーザー加工方法の要部説明図、図３はその試料の
作製工程、試料及び試料の吸収スペクトルを示す図であ
り、図３（ａ）にその試料の作製工程、図３（ｂ）にｍ
−ＭＴＤＡＴＡの構造式、図３（ｃ）に試料の吸収スペ
クトルを示している。
ルスレーザー加工方法の要部説明図、図３はその試料の
作製工程、試料及び試料の吸収スペクトルを示す図であ
り、図３（ａ）にその試料の作製工程、図３（ｂ）にｍ
−ＭＴＤＡＴＡの構造式、図３（ｃ）に試料の吸収スペ
クトルを示している。
【００１９】アモルファス膜１３は、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ
（芳香族系固体状有機化合物）ベンゼン溶液１１をガラ
ス板１２にキャストして作成した。すなわち、ガラス板
１２にｍ−ＭＴＤＡＴＡベンゼン溶液１１を塗布して、
１〜２日放置した１０〜２０μｍ厚さのｍ−ＭＴＤＡＴ
Ａを得る。つまり、ｍ−ＭＴＤＡＴＡベンゼン溶液１１
は、アモルファス状に凝縮し、励起波長（７８０ｎｍ）
に吸収はなく、多光子過程により光が吸収されるため、
試料には照射光の一部〔１０％以下（最大で２０％以
下）〕が吸収されて励起光が均一に吸収される表面層が
エッチングに至る。
（芳香族系固体状有機化合物）ベンゼン溶液１１をガラ
ス板１２にキャストして作成した。すなわち、ガラス板
１２にｍ−ＭＴＤＡＴＡベンゼン溶液１１を塗布して、
１〜２日放置した１０〜２０μｍ厚さのｍ−ＭＴＤＡＴ
Ａを得る。つまり、ｍ−ＭＴＤＡＴＡベンゼン溶液１１
は、アモルファス状に凝縮し、励起波長（７８０ｎｍ）
に吸収はなく、多光子過程により光が吸収されるため、
試料には照射光の一部〔１０％以下（最大で２０％以
下）〕が吸収されて励起光が均一に吸収される表面層が
エッチングに至る。
【００２０】この試料に、増幅したチタンサファイアレ
ーザーパルス（中心波長７８０ｎｍ、ＦＷＨＭ＝１５０
ｆｓ）を試料表面に単発照射し、試料表面の形状変化を
顕微鏡、触針式表面形状測定装置、ＡＦＭを用いて観測
した。
ーザーパルス（中心波長７８０ｎｍ、ＦＷＨＭ＝１５０
ｆｓ）を試料表面に単発照射し、試料表面の形状変化を
顕微鏡、触針式表面形状測定装置、ＡＦＭを用いて観測
した。
【００２１】その結果、アブレーションしきい値は約１
７０ｍＪ／ｃｍ2 であった。
７０ｍＪ／ｃｍ2 であった。
【００２２】図４の上段の左側に１８０ｍＪ／ｃｍ2 、
図４の上段の中央に２２７ｍＪ／ｃｍ2 、図４の上段の
右側に２８７ｍＪ／ｃｍ2 の条件で照射した試料表面の
光学顕微鏡像（暗視野証明）を示す。レーザー照射部分
にステップ状にエッチングされた構造がみられ、（図２
において、表面層１３Ａにステップエッチングが形成さ
れた）各ステップごとにしきい値が観測された。図４の
下段にはそのステップ状にエッチングされた表面層の構
造の模式図が示されている。この場合、しきい値は約１
７０ｍＪ／ｃｍ2 であった。
図４の上段の中央に２２７ｍＪ／ｃｍ2 、図４の上段の
右側に２８７ｍＪ／ｃｍ2 の条件で照射した試料表面の
光学顕微鏡像（暗視野証明）を示す。レーザー照射部分
にステップ状にエッチングされた構造がみられ、（図２
において、表面層１３Ａにステップエッチングが形成さ
れた）各ステップごとにしきい値が観測された。図４の
下段にはそのステップ状にエッチングされた表面層の構
造の模式図が示されている。この場合、しきい値は約１
７０ｍＪ／ｃｍ2 であった。
【００２３】また、各照射光強度での表面形状を触針計
で測定した結果、図５及び図６に示すように、各ステッ
プの深さは、照射光強度に依存せずほぼ一定（１ステッ
プあたり２００〜２５０ｎｍ）であった。図７のＡＦＭ
の測定結果より、その各ステップの荒れは数ｎｍ程度で
レーザー未照射部と同程度に平らであった。ｍ−ＭＴＤ
ＡＴＡは７８０ｎｍに吸収をもたないため、表面形状の
変化は多光子過程によるものであると考えられる。
で測定した結果、図５及び図６に示すように、各ステッ
プの深さは、照射光強度に依存せずほぼ一定（１ステッ
プあたり２００〜２５０ｎｍ）であった。図７のＡＦＭ
の測定結果より、その各ステップの荒れは数ｎｍ程度で
レーザー未照射部と同程度に平らであった。ｍ−ＭＴＤ
ＡＴＡは７８０ｎｍに吸収をもたないため、表面形状の
変化は多光子過程によるものであると考えられる。
【００２４】上記から低分子有機ガラス材料（ｍ−ＭＴ
ＤＡＴＡ）のフェムト秒レーザーアブレーションにおい
て、ステップ状の表面エッチングが観測された（７８０
ｎｍ励起）。そして、ステップ数は照射光強度に依存す
る。１ステップあたり約２５０ｎｍ、エッチングされた
部分は約１０ｎｍのオーダーで平坦であった。
ＤＡＴＡ）のフェムト秒レーザーアブレーションにおい
て、ステップ状の表面エッチングが観測された（７８０
ｎｍ励起）。そして、ステップ数は照射光強度に依存す
る。１ステップあたり約２５０ｎｍ、エッチングされた
部分は約１０ｎｍのオーダーで平坦であった。
【００２５】更に、試料としては、第２実施例として図
８（Ａ）に示すサビニルブルー（商品名）［正式にはｔ
ｅｔｒａ−〔Ｎ−（２−ｅｔｈｙｌｈｅｘｙｙｌ）−ｓ
ｕｌｆａｍｏｙｌ〕−ｓｕｂｓｔｉｔｕｔｅｄ Ｃｕ−
ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ］：銅フタロシアニン環
にアルキル鎖が４本配位した銅フタロシアニン誘導体固
体もしくは、アモルファス状に凝縮する非結晶性の銅フ
タロシアニン誘導体固体約６００ｎｍを用いて、第１実
施例と同様にフェムト秒レーザーアブレーションを行っ
た。図９に示すように、この試料でも、エッチング深さ
がステップ状に変化した（しきい値以上でエッチデプス
がステップ状に変化した）。
８（Ａ）に示すサビニルブルー（商品名）［正式にはｔ
ｅｔｒａ−〔Ｎ−（２−ｅｔｈｙｌｈｅｘｙｙｌ）−ｓ
ｕｌｆａｍｏｙｌ〕−ｓｕｂｓｔｉｔｕｔｅｄ Ｃｕ−
ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ］：銅フタロシアニン環
にアルキル鎖が４本配位した銅フタロシアニン誘導体固
体もしくは、アモルファス状に凝縮する非結晶性の銅フ
タロシアニン誘導体固体約６００ｎｍを用いて、第１実
施例と同様にフェムト秒レーザーアブレーションを行っ
た。図９に示すように、この試料でも、エッチング深さ
がステップ状に変化した（しきい値以上でエッチデプス
がステップ状に変化した）。
【００２６】上記したように、高強度超短パルスレーザ
ーを、レーザーの波長で吸収係数が１０μｍ-1以下の固
体状有機化合物に対して単発で照射し、レーザー光の半
分がこの固体状有機化合物に吸収される領域の表面層の
最大２０％以下（主に、最大１０％以下）が加工され
る。
ーを、レーザーの波長で吸収係数が１０μｍ-1以下の固
体状有機化合物に対して単発で照射し、レーザー光の半
分がこの固体状有機化合物に吸収される領域の表面層の
最大２０％以下（主に、最大１０％以下）が加工され
る。
【００２７】すなわち、レーザー光の半分が固体状有機
化合物の芳香環に吸収される１００ｎｍ以上の深さが一
斉、つまり均一かつ同時に形状変化に至ろうとする結
果、図２から明らかなように、照射光強度の増加に伴い
表面層がステップ状にエッチングされる。
化合物の芳香環に吸収される１００ｎｍ以上の深さが一
斉、つまり均一かつ同時に形状変化に至ろうとする結
果、図２から明らかなように、照射光強度の増加に伴い
表面層がステップ状にエッチングされる。
【００２８】ここで、吸収される深さは吸収係数の逆数
〔１／１０（μｍ-1）＝１００（ｎｍ-1）〕である。
〔１／１０（μｍ-1）＝１００（ｎｍ-1）〕である。
【００２９】更に、図１に示した再生増幅器６から出力
される２５０ピコ秒、７８０ｎｍ、３ｍＪの超短パルス
レーザーを用いて、第１実施例と同様にピコ秒レーザー
アブレーションを行った。この場合でも、エッチング深
さがステップ状に変化した。
される２５０ピコ秒、７８０ｎｍ、３ｍＪの超短パルス
レーザーを用いて、第１実施例と同様にピコ秒レーザー
アブレーションを行った。この場合でも、エッチング深
さがステップ状に変化した。
【００３０】試料としては、膜厚が約３００ｎｍの銅フ
タロシアニン膜〔図８（Ｂ）の真空蒸着膜〕〕を用い
て、第１実施例と同様にピコ秒レーザーアブレーション
を行った。銅フタロシアニン膜は粒径が１００ｎｍ以下
の微結晶の集合体である（ＡＦＭにより実測されてい
る）。
タロシアニン膜〔図８（Ｂ）の真空蒸着膜〕〕を用い
て、第１実施例と同様にピコ秒レーザーアブレーション
を行った。銅フタロシアニン膜は粒径が１００ｎｍ以下
の微結晶の集合体である（ＡＦＭにより実測されてい
る）。
【００３１】この場合でも、エッチング深さがステップ
状に変化した。
状に変化した。
【００３２】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００３３】
【発明の効果】以上、詳細に述べたように、本発明によ
れば、以下のような効果を奏することができる。
れば、以下のような効果を奏することができる。
【００３４】（Ａ）固体状有機化合物に対して加工深さ
を制御できる高強度超短パルスレーザー加工方法を得る
ことができる。
を制御できる高強度超短パルスレーザー加工方法を得る
ことができる。
【００３５】（Ｂ）高強度超短パルスレーザーのショッ
ト毎の照射光強度により略一定の深さのエッチングを行
うことがでる。
ト毎の照射光強度により略一定の深さのエッチングを行
うことがでる。
【図１】本発明の高強度超短パルスレーザー加工システ
ムの全体構成図である。
ムの全体構成図である。
【図２】本発明の第１実施例の高強度超短パルスレーザ
ー加工方法の要部説明図である。
ー加工方法の要部説明図である。
【図３】本発明の第１実施例の試料の作製工程、試料及
び試料の吸収スペクトルを示す図である。
び試料の吸収スペクトルを示す図である。
【図４】本発明の第１実施例のステップ状の表面エッチ
ング状態を示す図である。
ング状態を示す図である。
【図５】本発明の第１実施例の高強度超短パルスレーザ
ーのステップによるエッチング深さを示す図である。
ーのステップによるエッチング深さを示す図である。
【図６】本発明の第１実施例の高強度超短パルスレーザ
ーの照射光強度とエッチング深さを示す図である。
ーの照射光強度とエッチング深さを示す図である。
【図７】本発明の第１実施例のエッチングされた領域の
ＡＦＭの測定結果を示す図である。
ＡＦＭの測定結果を示す図である。
【図８】本発明の第２実施例の試料としてのサビニルブ
ルー（Ａ）と銅フタロシアニン（Ｂ）の化学式を示す図
である。
ルー（Ａ）と銅フタロシアニン（Ｂ）の化学式を示す図
である。
【図９】本発明の第２実施例の高強度超短パルスレーザ
ーの照射光強度とエッチング深さを示す図である。
ーの照射光強度とエッチング深さを示す図である。
１ Ａｒ+ レーザー ２ チタンサファイアレーザー（発振部） ３ Ｎｄ3+ＹＡＧレーザー ４ チタンサファイアレーザー（チャープパルス増幅
器） ５ パルス伸張器 ６ 再生増幅器 ７ パルス圧縮器 ８ レンズ ９ 試料台 １０ 固体状有機化合物 １１ ｍ−ＭＴＤＡＴＡベンゼン溶液 １２ ガラス板 １３ アモルファス膜
器） ５ パルス伸張器 ６ 再生増幅器 ７ パルス圧縮器 ８ レンズ ９ 試料台 １０ 固体状有機化合物 １１ ｍ−ＭＴＤＡＴＡベンゼン溶液 １２ ガラス板 １３ アモルファス膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4E068 AF01 CA03 DB07 5F072 AB20 KK30 PP10
Claims (8)
- 【請求項１】高強度超短パルスレーザーを、固体状有機
化合物に対して単発で照射し、レーザー光の半分が固体
状有機化合物に吸収される領域の表面層のみが加工され
ることを特徴とする高強度超短パルスレーザー加工方
法。 - 【請求項２】 請求項１記載の高強度超短パルスレーザ
ー加工方法において、前記固体状有機化合物は吸収係数
がレーザーの波長で１０μｍ-1以下であることを特徴と
する高強度超短パルスレーザー加工方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の高強度超短パルスレーザ
ー加工方法において、前記表面層は固体状有機化合物中
でレーザー光が均一に吸収される領域であることを特徴
とする高強度超短パルスレーザー加工方法。 - 【請求項４】 請求項１記載の高強度超短パルスレーザ
ー加工方法において、前記表面層はレーザー光の２０％
以下が固体状有機化合物に吸収される領域であることを
特徴とする高強度超短パルスレーザー加工方法。 - 【請求項５】 請求項１記載の高強度超短パルスレーザ
ー加工方法において、前記固体状有機化合物は低分子量
化合物であることを特徴とする高強度超短パルスレーザ
ー加工方法。 - 【請求項６】 請求項５記載の高強度超短パルスレーザ
ー加工方法において、前記固体状有機化合物は芳香族系
固体状有機化合物であることを特徴とする高強度超短パ
ルスレーザー加工方法。 - 【請求項７】 請求項１記載の高強度超短パルスレーザ
ー加工方法において、前記高強度超短パルスレーザーは
高強度フェムト秒レーザーであることをことを特徴とす
る高強度超短パルスレーザー加工方法。 - 【請求項８】 請求項１記載の高強度超短パルスレーザ
ー加工方法において、前記高強度超短パルスレーザーは
高強度ピコ秒レーザーであることをことを特徴とする高
強度超短パルスレーザー加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000052687A JP3779119B2 (ja) | 2000-02-29 | 2000-02-29 | 高強度超短パルスレーザー加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000052687A JP3779119B2 (ja) | 2000-02-29 | 2000-02-29 | 高強度超短パルスレーザー加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001239379A true JP2001239379A (ja) | 2001-09-04 |
| JP3779119B2 JP3779119B2 (ja) | 2006-05-24 |
Family
ID=18574164
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000052687A Expired - Fee Related JP3779119B2 (ja) | 2000-02-29 | 2000-02-29 | 高強度超短パルスレーザー加工方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP3779119B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005514211A (ja) * | 2002-01-18 | 2005-05-19 | カール ツアイス メディテック アクチエンゲゼルシャフト | 材料及び組織の精密加工用フェムト秒レーザーシステム |
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