JP4534543B2 - 超短パルスレーザーによる材料加工方法 - Google Patents
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Description
ポリエステル基材上にアクリル系樹脂により形成した塗工層に含まれている微小なシリコン粒子を、選択的に露出させるための材料加工方法であって、波長775μmで発振パルス幅が1ピコ秒以下である超短パルスレーザーを前記微小なシリコン粒子の上部および周囲にある前記塗工層に照射し、超短パルスレーザーアブレーション作用により前記微小なシリコン粒子の上部および周囲にある前記塗工層を加工除去することを特徴とする材料加工方法である。
2・・・・積層固体材料
3・・・・特定の物質又は部材
4・・・・レーザービーム
5・・・・固体材料
6・・・・ビームスポット
7・・・・微細な物質
8・・・・目標物
9・・・・加工部
Claims (5)
- ポリエステル基材上にアクリル系樹脂により形成した塗工層に含まれている微小なシリコン粒子を、選択的に露出させるための材料加工方法であって、波長775μmで発振パルス幅が1ピコ秒以下である超短パルスレーザーを前記微小なシリコン粒子の上部および周囲にある前記塗工層に照射して、前記微小なシリコン粒子の上部および周囲にある前記塗工層を加工除去することを特徴とする超短パルスレーザーによる材料加工方法。
- 前記超短パルスレーザーの照射エネルギーをアブレーションしきい値とし、レーザー照射位置を移動させながら、パルス照射を繰り返して加工を行うことを特徴とする請求項1に記載の超短パルスレーザーによる材料加工方法。
- 露出させる前記微小なシリコン粒子の周囲にある前記塗工層を加工除去する時の超短パルスレーザーの照射エネルギーを、前記微小なシリコン粒子の上部にある前記塗工層を加工除去する時の超短パルスレーザーの照射エネルギーよりも大きくしたことを特徴とする請求項1に記載の超短パルスレーザーによる材料加工方法。
- 前記微小なシリコン粒子の上部にある前記塗工層を加工除去する時の超短パルスレーザーの照射エネルギーを、加工初期にくらべ加工終了時には小さくし、小さくなったときの照射エネルギーがアブレーションしきい値であることを特徴とする請求項1に記載の超短パルスレーザーによる材料加工方法。
- 請求項1に記載の超短パルスレーザーによる材料加工方法での加工除去の後に、加工除去時よりも照射エネルギーの強度が低く、かつ、ビーム径の大きな超短パルスレーザーにより、加工除去部とその周辺を走査することで、加工除去部とその周辺をクリーニングする仕上げ工程を含むことを特徴とする超短パルスレーザーによる材料加工方法。
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