JP2005066687A - 透明材料の微細アブレーション加工方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 57
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 title claims abstract description 47
- 238000002679 ablation Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 238000003754 machining Methods 0.000 title abstract 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 7
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 6
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 5
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 claims description 4
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L barium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ba+2] OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 26
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 10
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000018 DNA microarray Methods 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 239000012620 biological material Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000012567 medical material Substances 0.000 description 2
- 238000004452 microanalysis Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 238000010329 laser etching Methods 0.000 description 1
- 238000013532 laser treatment Methods 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
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Abstract
【課題】シングルモードのレーザーを用いて、石英ガラスなどの透明材料の表面に微細なパターン構造のアブレーション加工を高速かつ安価に、高品質・高精度に形成し得る産業上実用的な透明材料のレーザー加工方法を提供する。
【解決手段】強度範囲が１Ｊ・ｃｍ−２・ｐｕｌｓｅ−１から１０ｋＪ・ｃｍ−２・ｐｕｌｓｅ−１までの高強度のシングルモードビームのパルスレーザーを透明材料の表面に照射することによりアブレーション加工を行い、加工穴の直径、または、加工溝の幅が５０ｎｍ〜１ｍｍである透明材料の微細加工方法。
【選択図】 なし
【解決手段】強度範囲が１Ｊ・ｃｍ−２・ｐｕｌｓｅ−１から１０ｋＪ・ｃｍ−２・ｐｕｌｓｅ−１までの高強度のシングルモードビームのパルスレーザーを透明材料の表面に照射することによりアブレーション加工を行い、加工穴の直径、または、加工溝の幅が５０ｎｍ〜１ｍｍである透明材料の微細加工方法。
【選択図】 なし
Description
本発明は、透明材料の微細加工方法に関する。更に詳しくは、シングルモードビームのパルスレーザーを用いた透明材料のアブレーション加工による、表面にパターン化構造を有する透明材料の微細表面加工方法に関する。
従来より、光の吸収が少ない透明物質は、通常のレーザーアブレーションやレーザー溶融法などの直接的なレーザーエッチング法を利用する加工は困難であることが知られている。
例えば、石英ガラスの微細表面加工方法としては、次のような方法が知られている。
（１）多段階リソグラフィ法
この方法では、まず、適切なレジストを基板表面に製膜した後、リソグラフィによってパターニングし、イオン・ビームやプラズマ、または、フッ酸を用いてエッチングを行ない、その後、更にレジストを剥離する方法（例えば、非特許文献１および特許文献１参照）。
（２）イオンエッチング法
イオン注入法により生じたエッチング速度の差を利用して、マスクレスの化学エッチングを行う方法（例えば、非特許文献２参照）。
（３）短波長レーザー法
透明材料が吸収できる短波長光を発振するレーザーを利用してドライエッチングを行う方法（例えば、特許文献２参照）。
（４）極短パルスレーザー法
パルス幅がピコ秒以下の極短パルスレーザーを使用したドライエッチング法（例えば、非特許文献３参照）。
（５）レーザー誘起プラズマ法
金属基板をガラスの後方に置いて、レーザーを照射し、金属から発生したプラズマを利用して行う方法（例えば、特許文献３参照）。
（６）レーザー吸収率の高い成分を生成させる方法
レーザー吸収率の高い成分をあらかじめ生成させたガラス表面層からなる被加工物に向けてレーザーを照射する方法（例えば、特許文献４参照）。
（７）ガラス基板表面に顔料などの光吸収層を形成後、レーザー加工を行う方法
ガラス基板表面に顔料等の光吸収層を形成・付着させ、該表面に向けてレーザーを照射する。光吸収層がレーザーエネルギーを吸収して、ガラス基板表面に高温・高圧のプラズマ状態が発生し、表面層のガラスを溶融・除去する方法（例えば、特許文献５、特許文献６および特許文献７参照）。
（８）流動性物質を透明材料の裏面に接触させた後、レーザー加工を行う方法
流動性物質を透明材料の裏面に接触させ、透明材料の表面からレーザーを照射することを特徴とする透明材料の微細加工法（例えば、特許文献８参照）。
（１）多段階リソグラフィ法
この方法では、まず、適切なレジストを基板表面に製膜した後、リソグラフィによってパターニングし、イオン・ビームやプラズマ、または、フッ酸を用いてエッチングを行ない、その後、更にレジストを剥離する方法（例えば、非特許文献１および特許文献１参照）。
（２）イオンエッチング法
イオン注入法により生じたエッチング速度の差を利用して、マスクレスの化学エッチングを行う方法（例えば、非特許文献２参照）。
（３）短波長レーザー法
透明材料が吸収できる短波長光を発振するレーザーを利用してドライエッチングを行う方法（例えば、特許文献２参照）。
（４）極短パルスレーザー法
パルス幅がピコ秒以下の極短パルスレーザーを使用したドライエッチング法（例えば、非特許文献３参照）。
（５）レーザー誘起プラズマ法
金属基板をガラスの後方に置いて、レーザーを照射し、金属から発生したプラズマを利用して行う方法（例えば、特許文献３参照）。
（６）レーザー吸収率の高い成分を生成させる方法
レーザー吸収率の高い成分をあらかじめ生成させたガラス表面層からなる被加工物に向けてレーザーを照射する方法（例えば、特許文献４参照）。
（７）ガラス基板表面に顔料などの光吸収層を形成後、レーザー加工を行う方法
ガラス基板表面に顔料等の光吸収層を形成・付着させ、該表面に向けてレーザーを照射する。光吸収層がレーザーエネルギーを吸収して、ガラス基板表面に高温・高圧のプラズマ状態が発生し、表面層のガラスを溶融・除去する方法（例えば、特許文献５、特許文献６および特許文献７参照）。
（８）流動性物質を透明材料の裏面に接触させた後、レーザー加工を行う方法
流動性物質を透明材料の裏面に接触させ、透明材料の表面からレーザーを照射することを特徴とする透明材料の微細加工法（例えば、特許文献８参照）。
しかしながら、上記（１）の方法は、フォトリソグラフィ技術に基づいているので、レジストの塗膜、乾燥、露光、現像、エッチング、剥離などの多数の複雑な工程が必要であり、微細加工するための時間効率が低いという問題がある。（２）の方法は集光できるイオン注入装置が必要であり、加工できる範囲が小さく時間効率が低いために量産に向いてないという問題がある。（３）および（４）の方法では高真空環境が必要であり、エネルギー効率も悪く、量産に向いていないという問題がある。（５）、（７）および（８）の方法では、金属基板表面や顔料などの光吸収層を別途準備し、最適条件化でレーザー照射を行う必要がある。（６）ではレーザー吸収率の高い成分を生成させることが必須となるので、加工素材を自由に選ぶことができないなどの問題点がある。
上記のような問題点に鑑み、本発明は、レーザー照射で透明材料を加工する前にその面に特別の処理を施すことなく、比較的低パワー・小型のレーザー装置で、真空雰囲気が不要で、かつ、一段階で簡便にかつ精密に透明材料を微細アブレーション加工できる方法を提供することを目的とする。
本発明者らは、レーザー光化学などの基礎研究において、とくに、集光レーザー光を石英ガラスなどの透明材料に照射したときのアブレーション現象などの動的な挙動を詳細に検討した結果、レーザービームのモードが加工品位に大きな影響を与えていることを見出した。本発明は、この知見を応用してなされたものである。
すなわち、本発明は
（１）照射するレーザー波長に対する吸収係数が１ｃｍ―１以下である透明材料に、強度範囲が１Ｊ・ｃｍ−２・ｐｕｌｓｅ−１から１０ｋＪ・ｃｍ−２・ｐｕｌｓｅ−１までのシングルモードビームのパルスレーザーを照射することによりアブレーション加工を行うことを特徴とする透明材料の微細加工方法、
（２）前記透明材料表面にパルスレーザーを単一（シングル）パルス照射することを特徴とする（１）に記載の透明材料の微細加工方法、
（３）形成される加工穴の直径が５０ｎｍ〜１ｍｍ、または加工溝の幅が５０ｎｍ〜１ｍｍであることを特徴とする（１）又は（２）に記載の透明材料の微細加工方法、
（４）前記透明材料の表面に粘着テープを付着させた状態で、その上からレーザー照射を行うことを特徴とする（１）〜（３）のいずれか１項に記載の透明材料の微細加工方法、
（５）前記透明材料が、石英ガラス、一般ガラス、フッ化カルシウム、フッ化バリウム、フッ化物材料、シリコンカーバイド、サファイヤ、アルミナ、水晶又はダイヤモンド、フッ素樹脂、ポリイミド樹脂であることを特徴とする（１）〜（４）のいずれか１項に記載の透明材料の微細加工方法、
（６）前記レーザーとして、エキシマレーザー、チタンサファイヤレーザー、ファイバレーザー、ディスクレーザー、半導体ダイオード励起固体レーザー、ＹＡＧレーザー、ＹＬＦレーザー又はＹＶＯレーザーの基本発振波長あるいは高調波を用いることを特徴とする（１）〜（５）のいずれか１項に記載の透明材料の微細加工方法、および、
（７）前記パルスレーザーとして、そのパルス半値幅が５ｐｓ〜１ｍｓまでのパルスレーザーを用いることを特徴とする（１）〜（６）のいずれか１項に記載の透明材料の微細加工方法、
を提供するものである。
（１）照射するレーザー波長に対する吸収係数が１ｃｍ―１以下である透明材料に、強度範囲が１Ｊ・ｃｍ−２・ｐｕｌｓｅ−１から１０ｋＪ・ｃｍ−２・ｐｕｌｓｅ−１までのシングルモードビームのパルスレーザーを照射することによりアブレーション加工を行うことを特徴とする透明材料の微細加工方法、
（２）前記透明材料表面にパルスレーザーを単一（シングル）パルス照射することを特徴とする（１）に記載の透明材料の微細加工方法、
（３）形成される加工穴の直径が５０ｎｍ〜１ｍｍ、または加工溝の幅が５０ｎｍ〜１ｍｍであることを特徴とする（１）又は（２）に記載の透明材料の微細加工方法、
（４）前記透明材料の表面に粘着テープを付着させた状態で、その上からレーザー照射を行うことを特徴とする（１）〜（３）のいずれか１項に記載の透明材料の微細加工方法、
（５）前記透明材料が、石英ガラス、一般ガラス、フッ化カルシウム、フッ化バリウム、フッ化物材料、シリコンカーバイド、サファイヤ、アルミナ、水晶又はダイヤモンド、フッ素樹脂、ポリイミド樹脂であることを特徴とする（１）〜（４）のいずれか１項に記載の透明材料の微細加工方法、
（６）前記レーザーとして、エキシマレーザー、チタンサファイヤレーザー、ファイバレーザー、ディスクレーザー、半導体ダイオード励起固体レーザー、ＹＡＧレーザー、ＹＬＦレーザー又はＹＶＯレーザーの基本発振波長あるいは高調波を用いることを特徴とする（１）〜（５）のいずれか１項に記載の透明材料の微細加工方法、および、
（７）前記パルスレーザーとして、そのパルス半値幅が５ｐｓ〜１ｍｓまでのパルスレーザーを用いることを特徴とする（１）〜（６）のいずれか１項に記載の透明材料の微細加工方法、
を提供するものである。
本発明によれば、表面に任意のパターン構造を有する透明材料のナノメートルサイズ〜ミリメートルサイズの微細かつ精密な加工が短時間で可能である。そして、小型の装置により簡便な方法で透明材料の加工ができる。具体的な応用例としては、マイクロレンズアレー、回折格子、光導波路、発光素子、回折素子（ＤＯＥ）、フェーズマスク、フォトニック素子、液晶配向基板などの光学素子の加工やＤＮＡチップ基板、マイクロリアクター反応容器、マイクロ分析セル、センサー基板などの化学・環境・バイオ・医療用材料の調製、極微小マーキング、微小電気回路素子などの産業応用材料のように様々な応用が可能となる。
本発明の透明材料の微細加工方法の好ましい実施の態様について詳細に説明する。
本発明では、シングルモード（ＴＥＭ００）のパルスレーザー光を用い、レンズなどで所定の強度に集光された状態で、透明材料に照射する。このとき、透明材料は当該レーザー波長に対して吸収帯を持たないので元来吸収されないのであるが、シングルモード光は容易に高パワー密度が得られるために、非線形吸収現象が誘起され、入射レーザー光が当該透明材料の表面層に吸収されることになる。集光レンズには単レンズを用いても構わないし、アクロマートレンズなどの複合レンズを用いることもできる。さらに、微小なレーザー径を得たい場合には、レーザー光を凹レンズやビームエキスパンダーで一端拡大し、その後焦点距離の短い（開口数ＮＡ（Numerical Aperture）の大きな）レンズで集光して、当該透明材料に照射することで達成できる。また、レーザービームの走査方法は、必要とする加工精度が保証される試料移動ステージ（自動ステージ）を用いて、固定レーザービームに対して試料を移動させるか、ガルバノミラーとｆθレンズを組み合わせてレーザービームを走査する方法が有効である。
本発明では、シングルモード（ＴＥＭ００）のパルスレーザー光を用い、レンズなどで所定の強度に集光された状態で、透明材料に照射する。このとき、透明材料は当該レーザー波長に対して吸収帯を持たないので元来吸収されないのであるが、シングルモード光は容易に高パワー密度が得られるために、非線形吸収現象が誘起され、入射レーザー光が当該透明材料の表面層に吸収されることになる。集光レンズには単レンズを用いても構わないし、アクロマートレンズなどの複合レンズを用いることもできる。さらに、微小なレーザー径を得たい場合には、レーザー光を凹レンズやビームエキスパンダーで一端拡大し、その後焦点距離の短い（開口数ＮＡ（Numerical Aperture）の大きな）レンズで集光して、当該透明材料に照射することで達成できる。また、レーザービームの走査方法は、必要とする加工精度が保証される試料移動ステージ（自動ステージ）を用いて、固定レーザービームに対して試料を移動させるか、ガルバノミラーとｆθレンズを組み合わせてレーザービームを走査する方法が有効である。
本発明で重要なポイントはシングルモードのパルスレーザー光を用いることである。ビームのＭ２値は５以下である必要があるが、より好ましくは３以下である。一方、マルチモードのパルスレーザー光を用いると適切な集光状態が得られなかったり、レーザー照射部位の周囲に照射損傷が現れるので、マルチモードのパルスレーザー光は本発明のような微細な表面加工には適さない。しかし、光学素子を使用して、マルチモードのレーザービームのＭ２値を５以下に変換したレーザービームは微細加工に用いることができる。光レーザー強度は、加工サイズによって異なるが、レーザー強度が１Ｊ・ｃｍ−２・ｐｕｌｓｅ−１から１０ｋＪ・ｃｍ−２・ｐｕｌｓｅ−１までが好ましい。更に好ましいのは１０Ｊ・ｃｍ−２・ｐｕｌｓｅ−１から１ｋＪ・ｃｍ−２・ｐｕｌｓｅ−１までの範囲である。レーザー強度が弱すぎる場合には、エッチングが起こらず、強すぎるときは材料に損傷を与えることになる。
本発明方法の高品位微細加工が明解なプロセスとして発揮されるのは、単一（シングル）パルス照射を行ったときである。これは、集光されたシングルモード光の高パワー密度特性によって、非線形吸収現象が誘起されることによる。また、これらのレーザー照射によって、加工パターンとして穴形状や溝形状のものを作成することができるが、光学素子の選択および配置を最適化することで、穴直径は５０ｎｍ〜１ｍｍ、また、溝幅は５０ｎｍ〜１ｍｍの間に設定することができる。
使用するレーザーのパルス幅は、半値幅が５ｐｓ〜１ｍｓまでの範囲にあることが好ましく、より好ましくは０．１ｎｓ〜１００ｎｓである。ナノ秒パルスのレーザー装置は価格も安価で、超短パルスレーザー装置と比べて取扱が容易であるという特長がある。
透明材料の表面に対して、加工残渣の付着や亀裂等の加工損傷を防止したい場合には、粘着テープ（マスキングテープ）を加工部位に接着・付着させた状態で、その上からレーザー照射を行うと効果がある。このとき、使用する粘着テープは、レーザー波長に吸収があると加工効率が低下するので、その選択には注意を要する。
本発明では、レーザー照射雰囲気は、大気中で問題なく加工を行うことができる。この他に、真空雰囲気や各種のガス雰囲気や液体中でも可能である。しかし、ガス雰囲気や液体の場合には当該ガス・液体でレーザー波長に吸収がないことが重要である。
本発明に用いられる透明材料としては、使用するレーザー波長に対して吸収係数が１ｃｍ―１以下の透明性があれば良い。例えば、石英ガラス、一般ガラス、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、フッ化リチウム、フッ化バリウム、シリコンカーバイド、アルミナ、サファイヤ、水晶、ダイヤモンドのような無機材料、フッ素樹脂、ポリイミド樹脂などのプラスチック材料、およびそれらの混合物などが挙げられる。透明材料の形態は基板状、容器状、管状など任意の形状で良い。
本発明における微細加工方法に用いることができるレーザーは、ＡｒＦエキシマレーザー（波長：１９３ｎｍ）、ＫｒＣｌエキシマレーザー（２２２ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）、ＸｅＣｌエキシマレーザー（３０８ｎｍ）、ＸｅＦエキシマレーザー（３５１ｎｍ）、Ｆ２レーザー（１５７ｎｍ）、ＹＡＧレーザー、ＹＬＦレーザー、ＹＶＯレーザー、ファイバレーザー、ディスクレーザー、半導体ダイオード励起固体レーザー、色素レーザー、炭酸ガスレーザー、Ｋｒイオンレーザー、Ａｒイオンレーザー、銅蒸気レーザー、チタンサファイヤレーザー等の基本発振波長光、およびその基本発振波長光を非線形光学素子などにより高調波に変換したものを用いることもできる。例えば、ＹＶＯレーザーの二倍高調波（５３２ｎｍ）、三倍高調波（３５５ｎｍ）、四倍高調波（２６６ｎｍ）なども挙げられる。Ｍ２値が５以下のシングルモードビームを用いるか、マルチモードビームをＭ２値５以下に変換したものを使用する。
本発明方法では、リソグラフィ法では多段階の工程が必要であることに比べて、現像工程が不要な一段階のレーザー処理で加工することができる。さらに、パターンの精度は１マイクロメーター以下でも可能である。加えて、エッチング速度もコントロールできることから、本発明は微細化、精密化、高品質化できる方法であると共に、本発明は非常に低コストであり、量産性に富む方法を提供する。
なお、本発明によって提供可能な精密成型品としては、例えば、マイクロレンズアレー、回折格子、光導波路、発光素子、回折素子（ＤＯＥ）、フェーズマスク、フォトニック素子、液晶配向基板などの光学素子、ならびに、ＤＮＡチップ基板、マイクロリアクター反応容器、マイクロ分析セル、センサー基板などの化学・環境・バイオ・医用材料、極微小マーキング、微小電気回路素子などの産業応用材料などが挙げられる。
なお、本発明によって提供可能な精密成型品としては、例えば、マイクロレンズアレー、回折格子、光導波路、発光素子、回折素子（ＤＯＥ）、フェーズマスク、フォトニック素子、液晶配向基板などの光学素子、ならびに、ＤＮＡチップ基板、マイクロリアクター反応容器、マイクロ分析セル、センサー基板などの化学・環境・バイオ・医用材料、極微小マーキング、微小電気回路素子などの産業応用材料などが挙げられる。
なお、本発明は、上述の実施形態に制限されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
次に、本発明を実施例に基づいて、さらに詳細に説明する。
実施例１
Ｎｄ：ＹＶＯレーザーの第３高調波（波長３５５ｎｍ、パルス幅２０ｎｓ）のシングルモードビーム（Ｍ２値：１．３以下）を用い、照射径約１０μｍ、強度０．０６ｍＪ・ｐｕｌｓｅ−１で合成石英ガラス基板にシングルパルスを照射したところ、周囲に全く損傷のない高品位の約１０μｍ径の円錐形状微細加工ができた。このとき、最深部の加工深さは約１．５μｍであった。図１は、ガラス基板を毎秒３ｃｍの速度で移動させながら、パルスレーザー照射を２．５ｋＨｚの繰り返し速度で連続的にアブレーション加工を行ったものの顕微鏡像である。円錐形状微細加工がアレー状にできることがわかった。さらに、照射光学系を改良することでレーザービーム径の縮小を検討したところ、合成石英ガラス基板上に周囲に全く損傷のない高品位の約３μｍ径の円錐形状微細加工ができた。
実施例１
Ｎｄ：ＹＶＯレーザーの第３高調波（波長３５５ｎｍ、パルス幅２０ｎｓ）のシングルモードビーム（Ｍ２値：１．３以下）を用い、照射径約１０μｍ、強度０．０６ｍＪ・ｐｕｌｓｅ−１で合成石英ガラス基板にシングルパルスを照射したところ、周囲に全く損傷のない高品位の約１０μｍ径の円錐形状微細加工ができた。このとき、最深部の加工深さは約１．５μｍであった。図１は、ガラス基板を毎秒３ｃｍの速度で移動させながら、パルスレーザー照射を２．５ｋＨｚの繰り返し速度で連続的にアブレーション加工を行ったものの顕微鏡像である。円錐形状微細加工がアレー状にできることがわかった。さらに、照射光学系を改良することでレーザービーム径の縮小を検討したところ、合成石英ガラス基板上に周囲に全く損傷のない高品位の約３μｍ径の円錐形状微細加工ができた。
実施例２
Ｎｄ：ＹＶＯレーザーの第３高調波（波長３５５ｎｍ、パルス幅２０ｎｓ）のシングルモードビームを用い、照射径４０μｍ、強度０．３ｍＪ・ｐｕｌｓｅ−１で硼珪酸ガラス基板にシングルパルスを照射したところ、周囲に全く損傷のない高品位の約４０μｍ径の円錐形状微細加工ができた。このとき、最深部の加工深さは約０．６μｍであった。
Ｎｄ：ＹＶＯレーザーの第３高調波（波長３５５ｎｍ、パルス幅２０ｎｓ）のシングルモードビームを用い、照射径４０μｍ、強度０．３ｍＪ・ｐｕｌｓｅ−１で硼珪酸ガラス基板にシングルパルスを照射したところ、周囲に全く損傷のない高品位の約４０μｍ径の円錐形状微細加工ができた。このとき、最深部の加工深さは約０．６μｍであった。
実施例３
Ｎｄ：ＹＶＯレーザーの第３高調波（波長３５５ｎｍ、パルス幅２０ｎｓ）のシングルモードビームを用い、照射径４０μｍ、強度０．３ｍＪ・ｐｕｌｓｅ−１、パルス繰り返し速度１ｋＨｚの照射条件で、毎秒１ｃｍの速度で移動する硼珪酸ガラス基板に連続的にパルスを照射したところ、周囲に全く損傷のない高品位の約４０μｍ幅の溝形状微細加工ができた。このとき、最深部の加工深さは約１．３μｍであった。
Ｎｄ：ＹＶＯレーザーの第３高調波（波長３５５ｎｍ、パルス幅２０ｎｓ）のシングルモードビームを用い、照射径４０μｍ、強度０．３ｍＪ・ｐｕｌｓｅ−１、パルス繰り返し速度１ｋＨｚの照射条件で、毎秒１ｃｍの速度で移動する硼珪酸ガラス基板に連続的にパルスを照射したところ、周囲に全く損傷のない高品位の約４０μｍ幅の溝形状微細加工ができた。このとき、最深部の加工深さは約１．３μｍであった。
実施例４
Ｎｄ：ＹＶＯレーザーの第３高調波（波長３５５ｎｍ、パルス幅２０ｎｓ）のシングルモードビームを用い、照射径１０μｍ、強度０．２ｍＪ・ｐｕｌｓｅ−１でフッ素樹脂基板にシングルパルスを照射したところ、周囲に全く損傷のない高品位の約１０μｍ径の円錐形状微細加工ができた。このとき、最深部の加工深さは約１．０μｍであった。
Ｎｄ：ＹＶＯレーザーの第３高調波（波長３５５ｎｍ、パルス幅２０ｎｓ）のシングルモードビームを用い、照射径１０μｍ、強度０．２ｍＪ・ｐｕｌｓｅ−１でフッ素樹脂基板にシングルパルスを照射したところ、周囲に全く損傷のない高品位の約１０μｍ径の円錐形状微細加工ができた。このとき、最深部の加工深さは約１．０μｍであった。
実施例５
Ｎｄ：ＹＶＯレーザーの第３高調波（波長３５５ｎｍ、パルス幅２０ｎｓ）のシングルモードビームを用い、照射径１５μｍ、強度０．３ｍＪ・ｐｕｌｓｅ−１でフッ化カルシウム基板にシングルパルスを照射したところ、周囲に全く損傷のない高品位の約１５μｍ径の円錐形状微細加工ができた。このとき、最深部の加工深さは約０．５μｍであった。
Ｎｄ：ＹＶＯレーザーの第３高調波（波長３５５ｎｍ、パルス幅２０ｎｓ）のシングルモードビームを用い、照射径１５μｍ、強度０．３ｍＪ・ｐｕｌｓｅ−１でフッ化カルシウム基板にシングルパルスを照射したところ、周囲に全く損傷のない高品位の約１５μｍ径の円錐形状微細加工ができた。このとき、最深部の加工深さは約０．５μｍであった。
実施例６
Ｎｄ：ＹＶＯレーザーの第３高調波（波長３５５ｎｍ、パルス幅２０ｎｓ）のシングルモードビームを用い、照射径１０μｍ、強度０．１ｍＪ・ｐｕｌｓｅ−１でサファイヤ基板にシングルパルスを照射したところ、周囲に全く損傷のない高品位の約１０μｍ径の円錐形状微細加工ができた。このとき、最深部の加工深さは約０．６μｍであった。
Ｎｄ：ＹＶＯレーザーの第３高調波（波長３５５ｎｍ、パルス幅２０ｎｓ）のシングルモードビームを用い、照射径１０μｍ、強度０．１ｍＪ・ｐｕｌｓｅ−１でサファイヤ基板にシングルパルスを照射したところ、周囲に全く損傷のない高品位の約１０μｍ径の円錐形状微細加工ができた。このとき、最深部の加工深さは約０．６μｍであった。
比較例１
Ｎｄ：ＹＡＧレーザーの第３高調波（波長３５５ｎｍ、パルス幅１０ｎｓ）のマルチモードビームを用い、強度３ｍＪ・ｐｕｌｓｅ−１で合成石英ガラス基板または硼珪酸ガラス基板に焦点距離１０ｃｍの凸レンズを通して照射した。レンズの焦点位置の集光点に置いても両ガラス基板は全く表面加工されなかった。実施例１と比べて強度を５０倍大きくしているにも係わらず、このレーザーではM2値が１０を越えるので、マルチモードビームの照射では集光点でのパワー密度が不足しているためにアブレーション加工を行うことができなかった。
Ｎｄ：ＹＡＧレーザーの第３高調波（波長３５５ｎｍ、パルス幅１０ｎｓ）のマルチモードビームを用い、強度３ｍＪ・ｐｕｌｓｅ−１で合成石英ガラス基板または硼珪酸ガラス基板に焦点距離１０ｃｍの凸レンズを通して照射した。レンズの焦点位置の集光点に置いても両ガラス基板は全く表面加工されなかった。実施例１と比べて強度を５０倍大きくしているにも係わらず、このレーザーではM2値が１０を越えるので、マルチモードビームの照射では集光点でのパワー密度が不足しているためにアブレーション加工を行うことができなかった。
Claims (7)
- 照射するレーザー波長に対する吸収係数が１ｃｍ―１以下である透明材料に、強度範囲が１Ｊ・ｃｍ−２・ｐｕｌｓｅ−１から１０ｋＪ・ｃｍ−２・ｐｕｌｓｅ−１までのシングルモードビームのパルスレーザーを照射することによりアブレーション加工を行うことを特徴とする透明材料の微細加工方法。
- 前記透明材料表面にパルスレーザーを単一（シングル）パルス照射することを特徴とする請求項１に記載の透明材料の微細加工方法。
- 形成される加工穴の直径が５０ｎｍ〜１ｍｍ、または加工溝の幅が５０ｎｍ〜１ｍｍであることを特徴とする請求項１又は２に記載の透明材料の微細加工方法。
- 前記透明材料の表面に粘着テープを付着させた状態で、その上からレーザー照射を行うことを特徴とする請求項１〜３のいずれか1項に記載の透明材料の微細加工方法。
- 前記透明材料が、石英ガラス、一般ガラス、フッ化カルシウム、フッ化バリウム、フッ化物材料、シリコンカーバイド、サファイヤ、アルミナ、水晶又はダイヤモンド、フッ素樹脂、ポリイミド樹脂であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の透明材料の微細加工方法。
- 前記レーザーとして、エキシマレーザー、チタンサファイヤレーザー、ファイバレーザー、ディスクレーザー、半導体ダイオード励起固体レーザー、ＹＡＧレーザー、ＹＬＦレーザー又はＹＶＯレーザーの基本発振波長あるいは高調波を用いることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の透明材料の微細加工方法。
- 前記パルスレーザーとして、そのパルス半値幅が５ｐｓ〜１ｍｓまでのパルスレーザーを用いることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の透明材料の微細加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|
| JP2005066687A true JP2005066687A (ja) | 2005-03-17 |
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Family
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Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007260694A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Sony Corp | レーザ加工装置、レーザ光学系、レーザ加工方法及びアクティブマトリクス基板の欠陥修正方法 |
| JP2008546535A (ja) * | 2005-06-20 | 2008-12-25 | コミサリア ア レネルジィ アトミーク | 原子力プラントの塗膜など、壁の表面の被膜をレーザで除去するための方法および装置 |
| JP2009142886A (ja) * | 2007-12-18 | 2009-07-02 | Agt:Kk | レーザー穴開け加工方法 |
| JP2009539226A (ja) * | 2006-06-02 | 2009-11-12 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド | 光透過性ビア充填プロセス |
| JP2011037707A (ja) * | 2006-02-22 | 2011-02-24 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | レーザを用いたガラスの加工方法および加工装置 |
| US8394301B2 (en) | 2006-06-02 | 2013-03-12 | Electro Scientific Industries, Inc. | Process for forming panel with an optically transmissive portion and products related thereto |
| US8450640B2 (en) | 2006-06-02 | 2013-05-28 | Electro Scientific Industries, Inc. | Panel with micro-hole pattern in a structurally thin portion |
| JP2015525178A (ja) * | 2012-04-13 | 2015-09-03 | コーニング インコーポレイテッド | エッチング特徴を有する強化ガラス物品およびそれを形成する方法 |
| JP2016505384A (ja) * | 2013-11-01 | 2016-02-25 | エルジー・ケム・リミテッド | レーザを用いた正極カッティング装置 |
| JP2016514055A (ja) * | 2013-02-28 | 2016-05-19 | アイピージー フォトニクス コーポレーション | サファイアを処理するためのレーザーシステム及びそれを用いた方法 |
| JP2018069309A (ja) * | 2016-11-01 | 2018-05-10 | 東洋製罐グループホールディングス株式会社 | ダイヤモンド表面に微細周期構造溝を形成する方法 |
| US10124438B2 (en) | 2015-08-27 | 2018-11-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of patterning graphene holes and method of fabricating graphene transparent electrode by using pulse laser |
| JP2019206033A (ja) * | 2013-09-20 | 2019-12-05 | エシロール アテルナジオナール | 波長及び１パルス当たりの選択されるエネルギーのパルスレーザを用いて眼科用レンズをマーキングする装置及び方法 |
| KR20200083251A (ko) | 2018-12-28 | 2020-07-08 | 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 | SiC 기판의 분단 방법 및 분단 장치 |
| WO2021246141A1 (ja) * | 2020-06-01 | 2021-12-09 | Ａｇｃ株式会社 | 識別マーク付きガラス板、及び識別マーク付きガラス板の製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2011096353A1 (ja) * | 2010-02-05 | 2013-06-10 | 株式会社フジクラ | 微細構造の形成方法および微細構造を有する基体 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09138942A (ja) * | 1995-11-14 | 1997-05-27 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 磁気ディスク用ガラス基板 |
| JPH09253877A (ja) * | 1996-03-25 | 1997-09-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | エキシマレーザ加工方法及び加工された基板 |
| JP2000061667A (ja) * | 1998-08-19 | 2000-02-29 | Junichi Ikeno | ガラスのレーザ加工方法及びガラス成形品 |
| JP2000281390A (ja) * | 1999-03-29 | 2000-10-10 | Ngk Insulators Ltd | ガラスの加工方法、グラビア印刷型の製造方法、光加工性ガラスおよびグラビア印刷型の原盤 |
| JP2000301372A (ja) * | 1999-04-23 | 2000-10-31 | Seiko Epson Corp | 透明材料のレーザ加工方法 |
| JP2002001560A (ja) * | 2000-06-20 | 2002-01-08 | Nippon Steel Chem Co Ltd | 樹脂フィルムのレーザ加工方法 |
| JP2003010990A (ja) * | 2000-09-13 | 2003-01-15 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工装置 |
-
2003
- 2003-08-28 JP JP2003303897A patent/JP4247383B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09138942A (ja) * | 1995-11-14 | 1997-05-27 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 磁気ディスク用ガラス基板 |
| JPH09253877A (ja) * | 1996-03-25 | 1997-09-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | エキシマレーザ加工方法及び加工された基板 |
| JP2000061667A (ja) * | 1998-08-19 | 2000-02-29 | Junichi Ikeno | ガラスのレーザ加工方法及びガラス成形品 |
| JP2000281390A (ja) * | 1999-03-29 | 2000-10-10 | Ngk Insulators Ltd | ガラスの加工方法、グラビア印刷型の製造方法、光加工性ガラスおよびグラビア印刷型の原盤 |
| JP2000301372A (ja) * | 1999-04-23 | 2000-10-31 | Seiko Epson Corp | 透明材料のレーザ加工方法 |
| JP2002001560A (ja) * | 2000-06-20 | 2002-01-08 | Nippon Steel Chem Co Ltd | 樹脂フィルムのレーザ加工方法 |
| JP2003010990A (ja) * | 2000-09-13 | 2003-01-15 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工装置 |
Cited By (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008546535A (ja) * | 2005-06-20 | 2008-12-25 | コミサリア ア レネルジィ アトミーク | 原子力プラントの塗膜など、壁の表面の被膜をレーザで除去するための方法および装置 |
| JP2011037707A (ja) * | 2006-02-22 | 2011-02-24 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | レーザを用いたガラスの加工方法および加工装置 |
| JP2007260694A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Sony Corp | レーザ加工装置、レーザ光学系、レーザ加工方法及びアクティブマトリクス基板の欠陥修正方法 |
| JP2009539226A (ja) * | 2006-06-02 | 2009-11-12 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド | 光透過性ビア充填プロセス |
| US8394301B2 (en) | 2006-06-02 | 2013-03-12 | Electro Scientific Industries, Inc. | Process for forming panel with an optically transmissive portion and products related thereto |
| US8450640B2 (en) | 2006-06-02 | 2013-05-28 | Electro Scientific Industries, Inc. | Panel with micro-hole pattern in a structurally thin portion |
| US9568167B2 (en) | 2006-06-02 | 2017-02-14 | Electro Scientific Industries, Inc. | Products with a patterned light-transmissive portion |
| JP2009142886A (ja) * | 2007-12-18 | 2009-07-02 | Agt:Kk | レーザー穴開け加工方法 |
| JP2015525178A (ja) * | 2012-04-13 | 2015-09-03 | コーニング インコーポレイテッド | エッチング特徴を有する強化ガラス物品およびそれを形成する方法 |
| US11001523B2 (en) | 2012-04-13 | 2021-05-11 | Corning Incorporated | Strengthened glass articles having etched features and methods of forming the same |
| US9938186B2 (en) | 2012-04-13 | 2018-04-10 | Corning Incorporated | Strengthened glass articles having etched features and methods of forming the same |
| JP2016514055A (ja) * | 2013-02-28 | 2016-05-19 | アイピージー フォトニクス コーポレーション | サファイアを処理するためのレーザーシステム及びそれを用いた方法 |
| JP2019206033A (ja) * | 2013-09-20 | 2019-12-05 | エシロール アテルナジオナール | 波長及び１パルス当たりの選択されるエネルギーのパルスレーザを用いて眼科用レンズをマーキングする装置及び方法 |
| US10005157B2 (en) | 2013-11-01 | 2018-06-26 | Lg Chem, Ltd. | Cathode cutting device using laser |
| JP2016505384A (ja) * | 2013-11-01 | 2016-02-25 | エルジー・ケム・リミテッド | レーザを用いた正極カッティング装置 |
| US10124438B2 (en) | 2015-08-27 | 2018-11-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of patterning graphene holes and method of fabricating graphene transparent electrode by using pulse laser |
| WO2018083878A1 (ja) * | 2016-11-01 | 2018-05-11 | 東洋製罐グループホールディングス株式会社 | ダイヤモンド表面に微細周期構造溝を形成する方法 |
| CN109890555A (zh) * | 2016-11-01 | 2019-06-14 | 东洋制罐集团控股株式会社 | 在金刚石的表面形成精细周期性结构的槽的方法 |
| KR20190072601A (ko) * | 2016-11-01 | 2019-06-25 | 도요세이칸 그룹 홀딩스 가부시키가이샤 | 다이아몬드 표면에 미세 주기 구조 홈을 형성하는 방법 |
| JP2018069309A (ja) * | 2016-11-01 | 2018-05-10 | 東洋製罐グループホールディングス株式会社 | ダイヤモンド表面に微細周期構造溝を形成する方法 |
| EP3536441A4 (en) * | 2016-11-01 | 2021-02-17 | Toyo Seikan Group Holdings, Ltd. | PROCESS FOR FORMING PERIODIC THIN STRUCTURAL GROOVES ON A DIAMOND SURFACE |
| KR102235628B1 (ko) * | 2016-11-01 | 2021-04-02 | 도요세이칸 그룹 홀딩스 가부시키가이샤 | 다이아몬드 표면에 미세 주기 구조 홈을 형성하는 방법 |
| KR20200083251A (ko) | 2018-12-28 | 2020-07-08 | 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 | SiC 기판의 분단 방법 및 분단 장치 |
| WO2021246141A1 (ja) * | 2020-06-01 | 2021-12-09 | Ａｇｃ株式会社 | 識別マーク付きガラス板、及び識別マーク付きガラス板の製造方法 |
| CN115667173A (zh) * | 2020-06-01 | 2023-01-31 | Ａｇｃ株式会社 | 带有识别标记的玻璃板和带有识别标记的玻璃板的制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4247383B2 (ja) | 2009-04-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050315 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071128 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
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