JP2001335677A - 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 - Google Patents
封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置Info
- Publication number
- JP2001335677A JP2001335677A JP2000108057A JP2000108057A JP2001335677A JP 2001335677 A JP2001335677 A JP 2001335677A JP 2000108057 A JP2000108057 A JP 2000108057A JP 2000108057 A JP2000108057 A JP 2000108057A JP 2001335677 A JP2001335677 A JP 2001335677A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- epoxy resin
- resin composition
- sealing
- carbon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 title claims abstract description 76
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 title claims abstract description 76
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 42
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims abstract description 34
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 claims description 3
- 238000010330 laser marking Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 2
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 23
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- -1 methoxyethyl group Chemical group 0.000 description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 13
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 11
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 10
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 10
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 9
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 8
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 8
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 8
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 6
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 6
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 6
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 6
- QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N o-cresol Chemical compound CC1=CC=CC=C1O QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920000578 graft copolymer Polymers 0.000 description 5
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 125000000022 2-aminoethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])N([H])[H] 0.000 description 4
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 4
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 4
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 4
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 4
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 4
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000000094 2-phenylethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UMHKOAYRTRADAT-UHFFFAOYSA-N [hydroxy(octoxy)phosphoryl] octyl hydrogen phosphate Chemical compound CCCCCCCCOP(O)(=O)OP(O)(=O)OCCCCCCCC UMHKOAYRTRADAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004183 alkoxy alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 3
- 125000004202 aminomethyl group Chemical group [H]N([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 125000004106 butoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 3
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 3
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 3
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 3
- 125000005745 ethoxymethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])OC([H])([H])* 0.000 description 3
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 3
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 3
- 125000004184 methoxymethyl group Chemical group [H]C([H])([H])OC([H])([H])* 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 3
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 3
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 3
- 239000001007 phthalocyanine dye Substances 0.000 description 3
- 238000011417 postcuring Methods 0.000 description 3
- 125000002572 propoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 3
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 3
- 239000001993 wax Substances 0.000 description 3
- 125000005023 xylyl group Chemical group 0.000 description 3
- KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 1-naphthol Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1 KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JWAZRIHNYRIHIV-UHFFFAOYSA-N 2-naphthol Chemical compound C1=CC=CC2=CC(O)=CC=C21 JWAZRIHNYRIHIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N Beryllium oxide Chemical compound O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000298 Cellophane Polymers 0.000 description 2
- BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N Epichlorohydrin Chemical compound ClCC1CO1 BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N Peracetic acid Chemical compound CC(=O)OO KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000378 calcium silicate Substances 0.000 description 2
- 229910052918 calcium silicate Inorganic materials 0.000 description 2
- OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N calcium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Ca+2].[O-][Si]([O-])=O OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- SZVJSHCCFOBDDC-UHFFFAOYSA-N iron(II,III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]O[Fe]=O SZVJSHCCFOBDDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 150000004780 naphthols Chemical class 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003003 phosphines Chemical class 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HIQAWCBKWSQMRQ-UHFFFAOYSA-N 16-methylheptadecanoic acid;2-methylprop-2-enoic acid;propan-2-ol;titanium Chemical compound [Ti].CC(C)O.CC(=C)C(O)=O.CC(=C)C(O)=O.CC(C)CCCCCCCCCCCCCCC(O)=O HIQAWCBKWSQMRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEKHISJGRIEHRE-UHFFFAOYSA-N 16-methylheptadecanoic acid;propan-2-ol;titanium Chemical compound [Ti].CC(C)O.CC(C)CCCCCCCCCCCCCCC(O)=O.CC(C)CCCCCCCCCCCCCCC(O)=O.CC(C)CCCCCCCCCCCCCCC(O)=O IEKHISJGRIEHRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 1
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHDSRXYHVZECER-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-tris[(dimethylamino)methyl]phenol Chemical compound CN(C)CC1=CC(CN(C)C)=C(O)C(CN(C)C)=C1 AHDSRXYHVZECER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OZRVXYJWUUMVOW-UHFFFAOYSA-N 2-[[4-[4-(oxiran-2-ylmethoxy)phenyl]phenoxy]methyl]oxirane Chemical group C1OC1COC(C=C1)=CC=C1C(C=C1)=CC=C1OCC1CO1 OZRVXYJWUUMVOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KKOHCQAVIJDYAF-UHFFFAOYSA-N 2-dodecylbenzenesulfonic acid;propan-2-ol;titanium Chemical compound [Ti].CC(C)O.CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O.CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O.CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O KKOHCQAVIJDYAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=NC=CN1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003504 2-oxazolinyl group Chemical group O1C(=NCC1)* 0.000 description 1
- ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound C1=CNC(C=2C=CC=CC=2)=N1 ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- IKYAJDOSWUATPI-UHFFFAOYSA-N 3-[dimethoxy(methyl)silyl]propane-1-thiol Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCS IKYAJDOSWUATPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OXYZDRAJMHGSMW-UHFFFAOYSA-N 3-chloropropyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCCl OXYZDRAJMHGSMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCS UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGDAMJGKFYMEDE-UHFFFAOYSA-N 5-(dimethoxymethylsilyl)pentane-1,3-diamine Chemical compound NCCC(CC[SiH2]C(OC)OC)N VGDAMJGKFYMEDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYOXIFXYEIILLY-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound N1C(C)=CN=C1C1=CC=CC=C1 TYOXIFXYEIILLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N Borate Chemical compound [O-]B([O-])[O-] BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KNANZMNFPYPCHN-UHFFFAOYSA-N N'-[2-(dimethoxymethylsilyl)propan-2-yl]ethane-1,2-diamine Chemical compound COC(OC)[SiH2]C(C)(C)NCCN KNANZMNFPYPCHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N N-dimethylaminoethanol Chemical compound CN(C)CCO UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 241000872198 Serjania polyphylla Species 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZUZONTHKZQARBW-UHFFFAOYSA-N [SiH3]N(Cc1ccccc1)C=C Chemical compound [SiH3]N(Cc1ccccc1)C=C ZUZONTHKZQARBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NOZAQBYNLKNDRT-UHFFFAOYSA-N [diacetyloxy(ethenyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](OC(C)=O)(OC(C)=O)C=C NOZAQBYNLKNDRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052915 alkaline earth metal silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001000 anthraquinone dye Substances 0.000 description 1
- PEEDYJQEMCKDDX-UHFFFAOYSA-N antimony bismuth Chemical compound [Sb].[Bi] PEEDYJQEMCKDDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004069 aziridinyl group Chemical group 0.000 description 1
- AYJRCSIUFZENHW-DEQYMQKBSA-L barium(2+);oxomethanediolate Chemical compound [Ba+2].[O-][14C]([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-DEQYMQKBSA-L 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 1
- VCCBEIPGXKNHFW-UHFFFAOYSA-N biphenyl-4,4'-diol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C1=CC=C(O)C=C1 VCCBEIPGXKNHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004369 butenyl group Chemical group C(=CCC)* 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 239000004203 carnauba wax Substances 0.000 description 1
- 235000013869 carnauba wax Nutrition 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910021446 cobalt carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000428 cobalt oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOTKGJBKKKVBJZ-UHFFFAOYSA-L cobalt(2+);carbonate Chemical compound [Co+2].[O-]C([O-])=O ZOTKGJBKKKVBJZ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical compound [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013065 commercial product Substances 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229940116318 copper carbonate Drugs 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- GEZOTWYUIKXWOA-UHFFFAOYSA-L copper;carbonate Chemical compound [Cu+2].[O-]C([O-])=O GEZOTWYUIKXWOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910002026 crystalline silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960002887 deanol Drugs 0.000 description 1
- GDVKFRBCXAPAQJ-UHFFFAOYSA-A dialuminum;hexamagnesium;carbonate;hexadecahydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Al+3].[Al+3].[O-]C([O-])=O GDVKFRBCXAPAQJ-UHFFFAOYSA-A 0.000 description 1
- 125000000664 diazo group Chemical group [N-]=[N+]=[*] 0.000 description 1
- CRGRWBQSZSQVIE-UHFFFAOYSA-N diazomethylbenzene Chemical compound [N-]=[N+]=CC1=CC=CC=C1 CRGRWBQSZSQVIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 1
- XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N dimethylbenzylamine Chemical compound CN(C)CC1=CC=CC=C1 XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HTDKEJXHILZNPP-UHFFFAOYSA-N dioctyl hydrogen phosphate Chemical compound CCCCCCCCOP(O)(=O)OCCCCCCCC HTDKEJXHILZNPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMQYIPNJVLNWOE-UHFFFAOYSA-N dioctyl hydrogen phosphite Chemical compound CCCCCCCCOP(O)OCCCCCCCC XMQYIPNJVLNWOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LTYMSROWYAPPGB-UHFFFAOYSA-N diphenyl sulfide Chemical compound C=1C=CC=CC=1SC1=CC=CC=C1 LTYMSROWYAPPGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N dipotassium dioxido(oxo)titanium Chemical compound [K+].[K+].[O-][Ti]([O-])=O NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTIXMGZYGRZMAW-UHFFFAOYSA-N ditridecyl hydrogen phosphite Chemical compound CCCCCCCCCCCCCOP(O)OCCCCCCCCCCCCC VTIXMGZYGRZMAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHWQYYPUYFYELO-UHFFFAOYSA-N ditridecyl phosphite Chemical compound CCCCCCCCCCCCCOP([O-])OCCCCCCCCCCCCC XHWQYYPUYFYELO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WOXXJEVNDJOOLV-UHFFFAOYSA-N ethenyl-tris(2-methoxyethoxy)silane Chemical compound COCCO[Si](OCCOC)(OCCOC)C=C WOXXJEVNDJOOLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006266 etherification reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 1
- NEXSMEBSBIABKL-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilane Chemical compound C[Si](C)(C)[Si](C)(C)C NEXSMEBSBIABKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 1
- 229960001545 hydrotalcite Drugs 0.000 description 1
- 229910001701 hydrotalcite Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 1
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000391 magnesium silicate Substances 0.000 description 1
- 229910052919 magnesium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019792 magnesium silicate Nutrition 0.000 description 1
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UJNZOIKQAUQOCN-UHFFFAOYSA-N methyl(diphenyl)phosphane Chemical compound C=1C=CC=CC=1P(C)C1=CC=CC=C1 UJNZOIKQAUQOCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N n'-(3-trimethoxysilylpropyl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNCCN PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N n-(3-trimethoxysilylpropyl)aniline Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNC1=CC=CC=C1 KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- NXPPAOGUKPJVDI-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2-diol Chemical compound C1=CC=CC2=C(O)C(O)=CC=C21 NXPPAOGUKPJVDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000008 nickel(II) carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- ZULUUIKRFGGGTL-UHFFFAOYSA-L nickel(ii) carbonate Chemical compound [Ni+2].[O-]C([O-])=O ZULUUIKRFGGGTL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- ZCLUFPPYOPQBQL-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethanamine 1,3,5-triazinane-2,4,6-trione Chemical compound NCC1CO1.O=c1[nH]c(=O)[nH]c(=O)[nH]1 ZCLUFPPYOPQBQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 150000004965 peroxy acids Chemical class 0.000 description 1
- RPGWZZNNEUHDAQ-UHFFFAOYSA-N phenylphosphine Chemical compound PC1=CC=CC=C1 RPGWZZNNEUHDAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003018 phosphorus compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920000765 poly(2-oxazolines) Polymers 0.000 description 1
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001755 resorcinol Drugs 0.000 description 1
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- PXQLVRUNWNTZOS-UHFFFAOYSA-N sulfanyl Chemical group [SH] PXQLVRUNWNTZOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- USFPINLPPFWTJW-UHFFFAOYSA-N tetraphenylphosphonium Chemical compound C1=CC=CC=C1[P+](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 USFPINLPPFWTJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005068 thioepoxy group Chemical group S(O*)* 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N tributylphosphine Chemical compound CCCCP(CCCC)CCCC TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQIUQDDJKHLHTB-UHFFFAOYSA-N trichloro(ethenyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)C=C GQIUQDDJKHLHTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MDCWDBMBZLORER-UHFFFAOYSA-N triphenyl borate Chemical compound C=1C=CC=CC=1OB(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 MDCWDBMBZLORER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QLAGHGSFXJZWKY-UHFFFAOYSA-N triphenylborane;triphenylphosphane Chemical compound C1=CC=CC=C1B(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 QLAGHGSFXJZWKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 239000005050 vinyl trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 description 1
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- E—FIXED CONSTRUCTIONS
- E04—BUILDING
- E04H—BUILDINGS OR LIKE STRUCTURES FOR PARTICULAR PURPOSES; SWIMMING OR SPLASH BATHS OR POOLS; MASTS; FENCING; TENTS OR CANOPIES, IN GENERAL
- E04H12/00—Towers; Masts or poles; Chimney stacks; Water-towers; Methods of erecting such structures
- E04H12/22—Sockets or holders for poles or posts
- E04H12/2292—Holders used for protection, repair or reinforcement of the post or pole
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/02—Elements
- C08K3/04—Carbon
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
- F21S8/00—Lighting devices intended for fixed installation
- F21S8/08—Lighting devices intended for fixed installation with a standard
- F21S8/085—Lighting devices intended for fixed installation with a standard of high-built type, e.g. street light
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21W—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO USES OR APPLICATIONS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS
- F21W2131/00—Use or application of lighting devices or systems not provided for in codes F21W2102/00-F21W2121/00
- F21W2131/10—Outdoor lighting
- F21W2131/103—Outdoor lighting of streets or roads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01014—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01028—Nickel [Ni]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
- H01L2924/10253—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1301—Thyristor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12528—Semiconductor component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31511—Of epoxy ether
- Y10T428/31515—As intermediate layer
- Y10T428/31522—Next to metal
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Architecture (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Civil Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Sealing Material Composition (AREA)
- Pigments, Carbon Blacks, Or Wood Stains (AREA)
Abstract
やワイヤー間距離が狭い電子部品装置においても、導電
性物質によるショート不良が発生せず、かつ成形性、信
頼性、パッケージ表面の外観に優れた封止用エポキシ樹
脂組成物及びそれを用いた電子部品装置を提供する。 【解決手段】(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、
(C)非導電性カーボン及び(D)無機充填材を必須成
分とする封止用エポキシ樹脂組成物、及びこの封止用エ
ポキシ樹脂組成物により封止された素子を備えた電子部
品装置。
Description
性、電気特性、成形性、信頼性及びパッケージ表面の外
観に優れた封止用エポキシ樹脂組成物及びこれにより封
止された素子を備えた電子部品装置に関する。
集積度の向上と共に、素子のパッケージに対する占有体
積の拡大、半導体装置等の電子部品装置の小型化、薄型
化、多ピン化が進んでいる。さらに、電子機器の小型
化、薄型化に対応し、実装方法も高密度実装を可能とす
る表面実装方式がピン挿入型方式に代わり、急速に普及
している。その結果、電子部品装置を基板へ取り付ける
時に、電子部品装置自体が短時間の内に200℃以上の
半田浴といった高温に曝される。この時、封止材中に含
まれる水分が気化し、ここで発生する蒸気圧が封止材と
素子、リードフレーム等のインサートとの界面において
剥離応力として働き、封止材とインサートとの間で剥離
が発生し、特に薄型の電子部品装置においては、電子部
品装置のフクレやクラックに至ってしまう。このような
剥離起因によるフクレ、クラックの防止策として、素子
表面又はリードフレームのアイランド裏面にコート材を
用いて封止材との密着性を向上させる手法、リードフレ
ームのアイランド裏面にディンプル加工やスリット加工
等を行なう、あるいはLOC(Lead on Chip)構造にし
て封止材との密着性を向上させる手法が用いられている
が、高コスト化、効果が不十分等の問題がある。さら
に、LOC構造の場合、パッケージ表面の色むらが生じ
外観を損ねる。また、半導体装置等の電子部品装置の小
型化、多ピン化に伴い、インナーリード間やパッド間、
ワイヤー間などピッチ間距離が狭くなってきており、封
止材中に含まれるカーボンブラック等の導電性物質が大
きな粗粒として存在する場合には、インナーリード間や
パッド間そしてワイヤー間に導電性であるカーボンブラ
ックが狭まり、電気特性不良に至ってしまう。このた
め、着色剤としてカーボンブラックの代わりに有機染料
や顔料等を用いる検討がなされている(特開昭63−1
79921号公報、特開平11−60904号公報)
が、YAGレーザーマーク性の低下、信頼性の低下、高
コスト化等の問題があった。
に鑑みてなされたもので、レーザーマーク性や電気特性
に優れ、パッド間やワイヤー間距離が狭い半導体装置等
の電子部品装置においても、導電性物質によるショート
不良が発生せず、かつ成形性、信頼性、パッケージ表面
の外観に優れた封止用エポキシ樹脂組成物及びこれによ
り封止した素子を備えた電子部品装置を提供することを
目的とする。
を解決するために鋭意検討を重ねた結果、封止用エポキ
シ樹脂組成物に非導電性カーボンを配合することにより
上記の目的を達成しうることを見い出し、本発明を完成
するに至った。すなわち、本発明は、 (1)(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、(C)非導
電性カーボン及び(D)無機充填材を必須成分とする封
止用エポキシ樹脂組成物、 (2)非導電性カーボンの電気抵抗が107Ω以上であ
る上記(1)記載の封止用エポキシ樹脂組成物、及び (3)非導電性カーボンの含有量が、樹脂組成物全体の
0.1〜10重量%である上記(1)又は(2)記載の
封止用エポキシ樹脂組成物、並びに (4)上記(1)〜(3)のいずれかに記載の封止用エ
ポキシ樹脂組成物により封止された素子を備えた電子部
品装置に関する。
エポキシ樹脂としては特に制限はないが、例えば、封止
用エポキシ樹脂組成物で一般に使用されている、フェノ
ールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボ
ラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールAノボラック型
エポキシ樹指をはじめとするフェノール類とアルデヒド
類から合成されるノボラック樹脂をエポキシ化したエポ
キシ樹脂、アルキル置換又は非置換のビフェノール型エ
ポキシ樹脂、アルキル置換又は非置換のグリシジルエー
テル型エポキシ樹脂、イソシアヌル酸等のポリアミンと
エピクロルヒドリンの反応により得られるグリシジルア
ミン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ジシ
クロペンタジエンとフェノール類及び/又はナフトール
類の共縮合樹脂のエポキシ化物、ナフタレン環を有する
エポキシ樹脂、フェノール・アラルキル樹脂、ナフトー
ル・アラルキル樹脂等のアラルキル型フェノール樹脂の
エポキシ化物、トリメチロールプロパン型エポキシ樹
脂、テルペン変性エポキシ樹脂、オレフィン結合を過酢
酸等の過酸で酸化して得られる線状脂肪族エポキシ樹
脂、脂環族エポキシ樹脂などが挙げられ、これらは単独
で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。
いずれかにより示される化合物などが挙げられる。
換又は非置換の一価の炭化水素基から選ばれ、全てが同
一でも異なっていてもよい。nは0〜3の整数を示
す。)
置換又は非置換の一価の炭化水素基から選ばれ、全てが
同一でも異なっていてもよい。nは0〜3の整数を示
す。)
又は非置換の一価の炭化水素基から選ばれ、すべて同一
でも異なっていてもよい。nは0〜10の整数を示
す。)
換の一価の炭化水素基から選ばれ、nは0〜10の整数
を示す。)
子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソ
プロピル基、イソブチル基等のアルキル基、メトキシ
基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等のアルコ
キシル基、フェニル基、トリル基、キシリル基等のアリ
ール基、ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基、
メトキシメチル基、エトキシメチル基メトキシエチル基
等のアルコキシアルキル基、アミノメチル基、アミノエ
チル基等のアミノ基置換アルキル基などの炭素数1〜1
0の置換又は非置換の一価の炭化水素基から選ばれる
が、中でも水素原子又はメチル基が好ましい。上記一般
式(I)で示されるビフェニル型エポキシ樹脂として
は、4,4’−ビス(2,3−エポキシプロポキシ)ビ
フェニル又は4,4’−ビス(2,3−エポキシプロポ
キシ)−3,3’,5,5’−テトラメチルビフェニル
を主成分とするエポキシ樹脂、エピクロルヒドリンと
4,4’−ビフェノール又は4,4’−(3,3’,
5,5’−テトラメチル)ビフェノールとを反応させて
得られるエポキシ樹脂等が挙げられ、中でも、4,4’
−ビス(2,3−エポキシプロポキシ)−3,3’,
5,5’−テトラメチルビフェニルを主成分とするエポ
キシ樹脂がより好ましい。
原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イ
ソプロピル基、イソブチル基等のアルキル基、メトキシ
基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等のアルコ
キシル基、フェニル基、トリル基、キシリル基等のアリ
ール基、ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基、
メトキシメチル基、エトキシメチル基メトキシエチル基
等のアルコキシアルキル基、アミノメチル基、アミノエ
チル基等のアミノ基置換アルキル基などの炭素数1〜1
0の置換又は非置換の一価の炭化水素基から選ばれる
が、中でも水素原子又はメチル基が好ましい。上記一般
式(II)で示されるビスフェノールF型エポキシ樹脂と
しては、例えば、R5、R7、R10及びR12がメチル基
で、R6、R8、R9及びR11が水素原子であり、n=0
を主成分とするESLV−80XY(新日鉄化学株式会
社製商品名)が市販品として入手可能である。
素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピ
ル基、n−ブチル基、t−ブチル基、アミル基、イソブ
チル等のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポ
キシ基、ブトキシ基等のアルコキシル基、フェニル基、
トリル基、キシリル基等のアリール基、ベンジル基、フ
ェネチル基等のアラルキル基、メトキシメチル基、エト
キシメチル基メトキシエチル基等のアルコキシアルキル
基、アミノメチル基、アミノエチル基等のアミノ基置換
アルキル基などの炭素数1〜10の置換又は非置換の一
価の炭化水素基から選ばれるが、中でもアルキル基が好
ましく、メチル基又はt−ブチル基がより好ましい。上
記一般式(III)で示されるフェニルスルフィド型エポ
キシ樹脂としては、入手性及び流動性の観点から、R13
及びR16がt−ブチル基で、R14及びR15がメチル基
で、nが0である化合物を主成分とするビス(2−メチ
ル−4−ヒドロキシ−5−t−ブチル)チオエーテルの
エポキシ化物が好ましい。
ば、水素、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、イソプロピル基、t−ブチル基等のアルキル基、ビ
ニル基、アリル基、ブテニル基等のアルケニル基、ハロ
ゲン化アルキル基、アミノ基置換アルキル基、メルカプ
ト基置換アルキル基などの炭素数1〜10の置換又は非
置換の一価の炭化水素基が挙げられ、中でもメチル基、
エチル基等のアルキル基が好ましく、メチル基がより好
ましい。上記一般式(IV)で示されるノボラック型エポ
キシ樹脂としては、フェノールノボラック型エポキシ樹
脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂等が挙
げられ、中でもオルソクレゾールノボラック型エポキシ
樹脂が好ましい。
しては特に制限はないが、例えば、封止用エポキシ樹脂
組成物で一般に使用されているもので、フェノール、ク
レゾール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノール
A、ビスフェノールF等のフェノール類及び/又はα−
ナフトール、β−ナフトール、ジヒドロキシナフタレン
等のナフトール類とホルムアルデヒド等のアルデヒド類
とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られる樹脂、
フェノール・アラルキル樹脂、ナフトール・アラルキル
樹脂等のアラルキル型フェノール樹脂などが挙げられ、
これらは単独で用いても2種以上を組み合わせて用いて
もよい。 (B)硬化剤は、上記(A)エポキシ樹脂のエポキシ基
当量に対して、フェノール水酸基当量が0.5〜1.5当
量となる量で配合されることが好ましく、より好ましく
は0.8〜1.2当量で配合される。0.5当量未満では
エポキシ樹脂の硬化が不十分となり、硬化物の耐熱性、
耐湿性並びに電気特性が劣る傾向があり、1.5当量を
超えると硬化剤成分が過剰になり硬化樹脂中に多量のフ
ェノール性水酸基が残るため、電気特性並びに耐湿性が
悪くなる傾向がある。
エポキシ基とフェノール性水酸基とのエーテル化反応を
促進するため、硬化促進剤を配合することが好ましい。
硬化促進剤としては、エポキシ樹脂と硬化剤の反応を促
進させるような触媒機能を持つ化合物であれば特に制限
はないが、例えば、1,8−ジアザ−ビシクロ(5,4,
0)ウンデセン−7、1,5−ジアザ−ビシクロ(4,
3,0)ノネン、5,6−ジブチルアミノ−1,8−ジア
ザ−ビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7、ベンジルジ
メチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノ
エタノール、トリス(ジメチルアミノメチル)フェノー
ル等の3級アミン類及びこれらの誘導体、2−メチルイ
ミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル
−4−メチルイミダゾール等のイミダゾール類及びこれ
らの誘導体、トリブチルホスフィン、メチルジフェニル
ホスフィン、トリフェニルホスフィン、ジフェニルホス
フィン、フェニルホスフィン等の有機ホスフィン類及び
これらのホスフィン類に無水マレイン酸、ベンゾキノ
ン、ジアゾフェニルメタン等のπ結合をもつ化合物を付
加してなる分子内分極を有するリン化合物、テトラフェ
ニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリフェニ
ルホスフィンテトラフェニルボレート、2−エチル−4
−メチルイミダゾールテトラフェニルボレート、N−メ
チルテトラフェニルホスホニウム−テトラフェニルボレ
ート、トリフェニルホスホニウム−トリフェニルボラン
等が挙げられ、これらは単独で用いても2種以上を組み
合わせて用いてもよい。硬化促進剤の配合量は、エポキ
シ樹脂100重量部に対して0.01〜5重量部が好ま
しく、0.1〜3重量部を配合するのがより好ましい。
0.01重量部より少ないと促進効果が小さく、5重量
部より多いと保存安定性が悪くなる傾向にある。
カーボンとしては特に制限はないが、例えば、ポリマー
を焼成させて得られる非導電性ポリマー焼成カーボン、
カーボンブラックの表面にポリマーをグラフトさせて得
られるグラフトカーボン、カーボンブラックの表面をシ
リカ等の絶縁無機物で覆うことによって得られるカーボ
ン内包フィラー、酸化処理等の表面処理を施したカーボ
ンブラックなどが挙げられ、これらは単独で用いても2
種以上を組み合わせて用いてもよい。また、これらの非
導電性カーボンをエポキシ樹脂、フェノール樹脂等でコ
ートして用いることもできる。非導電性ポリマー焼成カ
ーボンの製造法には特に制限はないが、例えば、ナフタ
レン等の芳香族を有するスルホン酸ポリマーなどのポリ
マーを400〜600℃で焼成する方法が挙げられる。
グラフトカーボンの製造法には特に制限はないが、例え
ば、エポキシ基、チオエポキシ基、アジリジン基、オキ
サゾリン基、イソシアネート基等のカーボンブラック表
面のカルボキシル基と反応性を有する基を有するグラフ
トポリマーを、熱によりカーボンブラックに不可逆的付
加反応させる方法が挙げられる。ここで用いられるグラ
フトポリマーとしては特に制限はないが、上記の反応性
基を有する不飽和化合物をそれと共重合可能な単量体と
共重合させて得られるもので、例えば、ポリスチレン、
ポリエチレングリコール、ポリオキサゾリン、ポリプロ
ピレングリコール、ポリメタクリル酸メチル、アクリル
樹脂、フッ素樹脂等及びこれらの誘導体、ポリジメチル
シロキサン等のシリコーン、ワックスなどが挙げられ、
これらは単独で用いても2種以上を組み合わせて用いて
もよい。グラフトカーボンに用いられるカーボンブラッ
クとしては特に制約はないが、グラフトポリマーとの反
応点であるカルボキシル基等の酸性官能基が表面に多く
存在するものが好ましく、pHが7以下のカーボンブラ
ックがより好ましい。グラフトカーボンのグラフト率は
非導電性の観点から30重量%以上が好ましく、50重
量%以上がより好ましい。ここで、グラフト率とはグラ
フトカーボン全体に占めるグラフトポリマーの割合をさ
す。カーボン内包フィラーの製造法には特に制限はない
が、例えば、水溶液中に分散させたカーボンブラックの
表面に、テトラエトキシシランを加水分解させることに
よってシリカ微粒子を沈着させる方法、水溶液中に分散
させたカーボンブラックにシリカゾルを添加しゾルゲル
法によってシリカ微粒子を沈着させる方法等が挙げられ
る。カーボンブラックの表面を覆う絶縁無機物としては
特に制限はないが、例えば、炭酸カルシウム、炭酸バリ
ウム等のアルカリ土類金属炭酸塩、珪酸カルシウム、珪
酸マグネシウム等のアルカリ土類金属珪酸塩、酸化鉄、
シリカ、アルミナ、酸化銅、酸化コバルト、酸化ニッケ
ル等の金属酸化物、炭酸コバルト、炭酸ニッケル、塩基
性炭酸銅、水酸化アルミニウム、ダイレクトブラック1
54カルシウムレーキなどが挙げられ、これらは単独で
用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。カーボ
ン内包フィラーに用いられるカーボンブラックとしては
特に制限はないが、水に濡れやすく、かさ高くないもの
が好ましい。カーボン内包フィラーのカーボン内包率
は、非導電性の観点から70重量%以下が好ましく、5
0重量%以下がより好ましい。ここで、カーボン内包率
とは、カーボン内包フィラー全体に占めるカーボンブラ
ックの割合をさす。表面処理を施したカーボンブラック
の製造法としては、特に制限はないが、例えば、空気酸
化法、硝酸、窒素酸化物と空気の混合ガス、オゾン等の
酸化剤を用いる酸化処理法、シランカップリング剤を用
いる方法等でカーボンブラックを表面処理する方法など
が挙げられる。
07Ω以上が好ましく、109Ω以上がより好ましい。電
気抵抗は、JISZ3197に準拠した、ガラス布基材
エポキシ樹脂銅張積層板MCL−E67(日立化成工業
株式会社製商品名)を基板とした2形のくし型電極(銅
箔厚35μm、線幅0.3mm、線間0.3mm、基板
厚0.95mm)を用い、粉末サンプル0.5gを配線
上にセロハンテープで固定し、抵抗計(タケダ理研工業
株式会社製TR8601)により直流500Vで1分後
の抵抗値を測定することにより求められる。 (C)非導電性カーボンの平均粒径は、0.3〜50μ
mが好ましく、0.3〜30μmがより好ましい。レー
ザーマーク性、成形性の観点からは0.3〜10μmが
好ましく、0.3〜5μmがより好ましい。 (C)非導電性カーボンの含有量は、封止用エポキシ樹
脂組成物全体に対し0.1〜10重量%が好ましく、
0.3〜8重量%がより好ましく、0.5〜4重量%が
さらに好ましい。0.1重量%未満ではパッケージ表面
の外観が損なわれたり、遮光性、レーザーマーク性が不
十分となったりする場合があり、10重量%を超えると
成形性が不十分となる傾向がある。
の観点から無機充填材を用いることが必要である。本発
明に用いられる(D)無機充填材としては特に制限はな
いが、例えば、封止用エポキシ樹脂組成物で一般に使用
されているもので、溶融シリカ、結晶シリカ、アルミ
ナ、ジルコン、珪酸カルシウム、炭酸カルシウム、炭化
珪素、窒化ホウ素、ベリリア、ジルコニア等の粉体、又
はこれらを球形化したビーズ、チタン酸カリウム、炭化
珪素、窒化珪素、アルミナ等の単結晶繊維、ガラス繊維
などが挙げられ、これらは単独で用いても2種以上を組
み合わせて用いてもよい。また、難燃効果のある無機充
填材としては水酸化アルミニウム、棚酸亜鉛等が挙げら
れ、これらは単独で用いても併用してもよい。中でも、
線膨張係数低減の観点からは溶融シリカが、高熱伝導性
の観点からはアルミナが好ましく、無機充填材の形状
は、成形時の流動性及び金型摩耗性の点から球形が好ま
しい。 (D)無機充填材の配合量としては、吸湿性、線膨張係
数の低減、強度向上及び半田耐熱性の観点から、封止用
エポキシ樹脂組成物全体に対し70〜98重量%が好ま
しい。より好ましくは、75〜95重量%の範囲であ
る。
無機充填材と樹脂成分との親和性をはかる観点からはカ
ップリング剤を添加することが好ましい。用いられるカ
ップリング剤としては特に制限はなく、例えば、封止用
エポキシ樹脂組成物で一般に使用されているもので、ビ
ニルトリクロロシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビ
ニルトリス(β−メトキシエトキシ)シラン、γ−メタ
クリロキシプロピルトリメトキシシラン、β−(3,4
−エポキシジシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラ
ン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビ
ニルトリアセトキシシラン、γ−メルカプトプロピルト
リメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシ
ラン、γ−[ビス(β−ヒドロキシエチル)]アミノプ
ロビルトリエトキシシラン、N−β−(アミノエチル)
−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−(β−
アミノエチル)アミノプロピルジメトキシメチルシラ
ン、N−(トリメトキシシリルプロピル)エチレンジア
ミン、N−(ジメトキシメチルシリルイソプロピル)エ
チレンジアミン、メチルトリメトキシシラン、メチルト
リエトキシシラン、、N−β−(N−ビニルベンジルア
ミノエチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシラ
ン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、ヘキサメ
チルジシラン、γ−アニリノプロピルトリメトキシシラ
ン、ビニルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピ
ルメチルジメトキシシラン等のシラン系カップリング
剤、イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、イ
ソプロピルトリス(ジオクチルパイロホスフェート)チ
タネート、イソプロピルトリ(N−アミノエチルーアミ
ノエチル)チタネート、テトラオクチルビス(ジトリデ
シルホスファイト)チタネート、テトラ(2,2−ジア
リルオキシメチルー1−ブチル)ビス(ジトリデシル)
ホスファイトチタネート、ビス(ジオクチルパイロホス
フェート)オキシアセテートチタネート、ビス(ジオク
チルパイロホスフェート)エチレンチタネート、イソプ
ロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルジメ
タクリルイソステアロイルチタネート、イソプロピルト
リドデシルベンゼンスルホニルチタネート、イソプロピ
ルイソステアロイルジアクリルチタネート、イソプロピ
ルトリ(ジオクチルホスフェート)チタネート、イソプ
ロピルトリクミルフェニルチタネート、テトライソプロ
ピルビス(ジオクチルホスファイト)チタネート等のチ
タネート系カップリング剤などが挙げられ、これらは単
独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。
カルナバワックスとポリエチレン系ワックス等の離型
材、シリコーンオイル、シリコーンゴム等の改質材、ハ
イドロタルサイト、アンチモン−ビスマス等のイオント
ラッパーなどを必要に応じて、それぞれ単独で又は2種
以上を組み合わせて配合することができる。また、本発
明の封止用エポキシ樹脂組成物には、本発明の効果が達
成される範囲内であれば、非導電性カーボン以外に、ア
ジン系染料、アントラキノン系染料、ジスアゾ系染料、
ジイミニウム系染料、アミニウム系染料、ジイモニウム
系染料、Cr錯体、Fe錯体、Co錯体、Ni錯体、F
e,Cu、Ni等の金属化合物、Al,Mg,Fe等の
金属酸化物、雲母、近赤外吸収材、フタロシアニン系顔
料、フタロシアニン系染料、カーボンブラックなどの着
色剤を1種又は2種以上併用することができる。特に、
レーザーマーク性、流動性、硬化性の点からはフタロシ
アニン系染料を併用することが好ましい。カーボンブラ
ック等の導電性粒子を併用する場合には、本発明の目的
を達成するために、分散性に優れる、比表面積が130
m2/g以下、DBP吸油量が120cm3/100g以
下のものが好ましく、比表面積が100m2/g以下、
DBP吸油量が80cm3/100g以下のものがより
好ましい。
記各原材料を均一に分散混合できるのであれば、いかな
る手法を用いても調製できるが、一般的な方法として
は、所定の配合量の原材料をミキサー等によって充分混
合した後、熱ロール、押出機等によって混練し、冷却、
粉砕する方法を挙げることができる。成形条件に合うよ
うな寸法及び重量でタブレット化すると使いやすい。
ーザーマーク性、電気特性に優れ、且つ成形性、信頼
性、スケルトン防止に優れており、IC、LSI等の封
止に好適に用いることができる。本発明で得られる封止
用エポキシ樹脂組成物により封止した素子を備えた電子
部品装置としては、リードフレーム、配線済みのテープ
キャリア、配線板、ガラス、シリコンウエハ等の支持部
材に、半導体チップ、トランジスタ、ダイオード、サイ
リスタ等の能動素子、コンデンサ、抵抗体、コイル等の
受動素子等の素子を搭載し、必要な部分を本発明の封止
用エポキシ樹脂組成物で封止した、電子部品装置などが
挙げられる。このような電子部品装置としては、例え
ば、リードフレーム上に半導体素子を固定し、ボンディ
ングパッド等の素子の端子部とリード部をワイヤボンデ
ィングやバンプで接続した後、本発明の封止用エポキシ
樹脂組成物を用いてトランスファ成形などにより封止し
てなる、DIP(Dual InlinePackage)、PLCC(Pl
astic Leaded Chip Carrier)、QFP(Quad Flat Pac
kage)、SOP(Small Outline Package)、SOJ(S
mall Outline J-lead package)、TSOP(Thin Smal
l Outline Package)、TQFP(Thin Quad Flat Pack
age)等の一般的な樹脂封止型IC、テープキャリアに
バンプで接続した半導体チップを、本発明の封止用エポ
キシ樹脂組成物で封止したTCP(Tape Carrier Packa
ge)、配線板やガラス上に形成した配線に、ワイヤーボ
ンディング、フリップチップボンディング、はんだ等で
接続した半導体チップ、トランジスタ、ダイオード、サ
イリスタ等の能動素子及び/又はコンデンサ、抵抗体、
コイル等の受動素子を、本発明の封止用エポキシ樹脂組
成物で封止したCOB(ChipOn Board)モジュール、ハ
イブリッドIC、マルチチップモジュール、裏面に配線
板接続用の端子を形成した有機基板の表面に素子を搭載
し、バンプまたはワイヤボンディングにより素子と有機
基板に形成された配線を接続した後、本発明の封止用エ
ポキシ樹脂組成物で素子を封止したBGA(Ball Grid
Array)、CSP(Chip Size Package)などが挙げられ
る。また、プリント回路板にも本発明の封止用エポキシ
樹脂組成物は有効に使用できる。本発明で得られる封止
用エポキシ樹脂組成物を用いて電子部品装置を封止する
方法としては、低圧トランスファー成形法が最も一般的
であるが、インジェクション成形、圧縮成形、注型等の
方法を用いてもよい。
が、本発明はこれに限定されるものではない。 実施例1〜9、比較例1〜4 まず、表1及び表2に示す配合成分を予備混合(ドライ
ブレンド)した後、二軸ロール(ロール表面温度80
℃)で10分間混練し、冷却粉砕して実施例及び比較例
の封止用エポキシ樹脂組成物を製造した。
通りである。 ビフェニル型エポキシ樹脂:油化シェルエポキシ株式会
社製商品名YX−4000H 臭素化エポキシ樹脂:東都化成株式会社製商品名YDB
−400 アラルキル型フェノール樹脂:三井化学株式会社製商品
名XL−225−3L エポキシシラン:日本ユニカー株式会社製商品名A−1
87 ポリエチレンワックス:クラリアントジャパン株式会社
製商品名PED−191 非導電性カーボンA:三井鉱山株式会社製商品名CB−
3−500(平均粒径3μm、電気抵抗109Ω) 非導電性カーボンB:三井鉱山株式会社製商品名CB−
7−500(平均粒径7μm、電気抵抗109Ω) 非導電性カーボンC:三井鉱山株式会社製商品名CB−
10−500(平均粒径10μm、電気抵抗109Ω) 非導電性カーボンD:スチレン/アクリル系グラフトポ
リマーを用いたグラフト率90重量%のグラフトカーボ
ン(株式会社日本触媒製、電気抵抗1010Ω) 非導電性カーボンE:カーボン内包率17重量%のカー
ボン内包シリカ(鈴木油脂工業株式会社製、平均粒径7
μm、電気抵抗109Ω) カーボンブラックA:比表面積89m2/g、DBP吸
油量60cm3/100gのカーボンブラック カーボンブラックB:比表面積140m2/g、DBP
吸油量131cm3/100gのカーボンブラック フタロシアニン系染料:山本化成株式会社製商品名YK
R−3080 アジン系染料:住友化学工業株式会社製商品名スピリッ
トブラック920 雲母−黒酸化鉄系染料:メルクジャパン株式会社製商品
名LS835 溶融シリカ:マイクロン株式会社製商品名S−CO
物を次に示す各試験により評価した。なお、封止用エポ
キシ樹脂組成物の成形は、トランスファ成形機を用い、
金型温度180℃、成形圧力6.9MPa、硬化時間9
0秒の条件で行なった。また、後硬化(ポストキュア)
は175℃で6時間行った。 (1)スパイラルフロー EMM11−66に準じた金型をトランスファ成形機に
セットし、上記条件で封止用エポキシ樹脂組成物を成形
し、流動距離(cm)を求めた。 (2)熱時硬度 バリ測定金型(幅5mm、深さ50、30、20、1
0、5、2μmのスリットを設けた金型)をトランスフ
ァ成形機にセットし、上記条件で封止用エポキシ樹脂組
成物を成形し、金型開放10秒後、樹脂溜り部分をショ
ア硬度計にて測定した。 (3)体積抵抗率 円板金型をトランスファ成形機にセットし、封止用エポ
キシ樹脂組成物を上記条件で直径100mm、厚さ3m
mの円板に成形し後硬化した後、体積抵抗計を用いて、
電圧500V、150℃で測定し、絶縁性を確認した。 (4)耐湿性 耐湿性に用いた電子部品装置はSOP−28ピンのSO
P28ピンの樹脂封止型半導体装置(外形寸法18×
8.4×2.6mm)であり、リードフレームは42ア
ロイ材(加工ディンプル)で9.6×5.1mmのTE
Gチップ(Al配線10及び20ミクロン幅、ギャップ
10及び20ミクロン、パッシベーションなし)を有す
るもので、上記条件でトランスファ成形、後硬化を行っ
て作製した。85℃/85RH%で72時間吸湿した
後、240℃/10秒(IRリフロー)の前処理後、P
CT処理(121℃/0.2MPa)してチップ上配線
の断線の有無を確認し、断線パッケージが試験パッケー
ジ中50%に達するまでのPCT処理時間で評価した。 (5)半田耐熱性 半田耐熱性に用いた電子部品装置は、QFP−80ピン
の樹脂封止型半導体装置(外形寸法20×14×2.0
mm)であり、リードフレームは42アロイ材(加工な
し)で8x10mmのチップサイズを有するもので、上
記条件でトランスファ成形、後硬化を行って作製した。
このようにして得られた樹脂封止型半導体装置を、85
℃/85RH%で所定の時間吸湿した後、240℃/1
0秒の処理を行なった時のクラック発生を観察し、外観
クラックが発生するまでの吸湿時間により半田耐熱性を
評価した。 (6)レーザーマーク性 レーザーマーク性評価に用いた電子部品装置は、QFP
−54ピンの樹脂封止型半導体装置であり、パッケージ
表面をYAGレーザーマーキング装置で、YAGレーザ
ー波長1064nm、レーザーパワー5Jの条件で印字
し、目視でマーク性を評価した。 (7)電気特性 電気特性の評価に用いた電子部品装置は、LQFP(Lo
wprofile Quad Flat Package)176ピンの樹脂封止型
半導体装置であり、リーク電流の有無で評価した。 (8)黒色度 黒色度は、円板金型をトランスファ成形機にセットし、
封止用エポキシ樹脂組成物を上記条件で表面が梨地であ
る直径100mm、厚さ2mmの円板に成形し後硬化し
た後、色差計にて測定した。黒色度は値が小さいほど黒
色を示す。上記の試験結果を表3及び表4に示す。
用いていない比較例1〜4は、いずれも満足な特性が得
られない。すなわち、導電性のカーボンブラックを用い
た比較例1は電気特性に劣り、アジン系染料を用いた比
較例2、3は耐湿性及び半田耐熱性に劣る。雲母−黒酸
化鉄系染料を用いた比較例4は半田耐熱性及び電気特性
に劣る。これに対して、実施例1〜9は、耐湿性、半田
耐熱性等の信頼性及び電気特性に優れ、レーザマーク
性、黒色度も良好である。
は、実施例に示したように成形性が良好で、レーザーマ
ーク性、電気特性、信頼性、パッケージ表面の外観に優
れる電子部品装置が得られるので、その工業的価値は大
である。。
Claims (4)
- 【請求項1】(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、
(C)非導電性カーボン及び(D)無機充填材を必須成
分とする封止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項2】非導電性カーボンの電気抵抗が107Ω以
上である請求項1記載の封止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項3】非導電性カーボンの含有量が、樹脂組成物
全体の0.1〜10重量%である請求項1又は請求項2
記載の封止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項4】請求項1〜3のいずれかに記載の封止用エ
ポキシ樹脂組成物により封止された素子を備えた電子部
品装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000108057A JP3632558B2 (ja) | 1999-09-17 | 2000-04-10 | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11-263856 | 1999-09-17 | ||
JP26385699 | 1999-09-17 | ||
JP2000-83233 | 2000-03-21 | ||
JP2000083233 | 2000-03-21 | ||
JP2000108057A JP3632558B2 (ja) | 1999-09-17 | 2000-04-10 | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 |
Related Child Applications (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004047033A Division JP2004156050A (ja) | 1999-09-17 | 2004-02-23 | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 |
JP2004047039A Division JP2004156051A (ja) | 1999-09-17 | 2004-02-23 | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 |
JP2004047042A Division JP2004156052A (ja) | 1999-09-17 | 2004-02-23 | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 |
JP2004047035A Division JP2004211100A (ja) | 1999-09-17 | 2004-02-23 | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 |
JP2004047051A Division JP2004156053A (ja) | 1999-09-17 | 2004-02-23 | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001335677A true JP2001335677A (ja) | 2001-12-04 |
JP3632558B2 JP3632558B2 (ja) | 2005-03-23 |
Family
ID=26546224
Family Applications (6)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000108057A Expired - Lifetime JP3632558B2 (ja) | 1999-09-17 | 2000-04-10 | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 |
JP2004047035A Pending JP2004211100A (ja) | 1999-09-17 | 2004-02-23 | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 |
JP2004047039A Pending JP2004156051A (ja) | 1999-09-17 | 2004-02-23 | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 |
JP2004047033A Pending JP2004156050A (ja) | 1999-09-17 | 2004-02-23 | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 |
JP2004047042A Pending JP2004156052A (ja) | 1999-09-17 | 2004-02-23 | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 |
JP2004047051A Pending JP2004156053A (ja) | 1999-09-17 | 2004-02-23 | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 |
Family Applications After (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004047035A Pending JP2004211100A (ja) | 1999-09-17 | 2004-02-23 | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 |
JP2004047039A Pending JP2004156051A (ja) | 1999-09-17 | 2004-02-23 | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 |
JP2004047033A Pending JP2004156050A (ja) | 1999-09-17 | 2004-02-23 | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 |
JP2004047042A Pending JP2004156052A (ja) | 1999-09-17 | 2004-02-23 | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 |
JP2004047051A Pending JP2004156053A (ja) | 1999-09-17 | 2004-02-23 | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6372351B1 (ja) |
JP (6) | JP3632558B2 (ja) |
KR (3) | KR100652107B1 (ja) |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002348439A (ja) * | 2001-05-24 | 2002-12-04 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2005002272A (ja) * | 2003-06-13 | 2005-01-06 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体封止材用カーボンブラック |
WO2005012386A1 (ja) * | 2003-08-04 | 2005-02-10 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 |
JP2005146157A (ja) * | 2003-11-18 | 2005-06-09 | Mitsui Chemicals Inc | エポキシ樹脂組成物および半導体素子収納用中空パッケージ |
JP2005206621A (ja) * | 2004-01-20 | 2005-08-04 | Tokai Carbon Co Ltd | 半導体封止材用カーボンブラック着色剤およびその製造方法 |
JP2005298601A (ja) * | 2004-04-08 | 2005-10-27 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料及び樹脂封止型半導体装置 |
JP2006206846A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2006282980A (ja) * | 2005-03-09 | 2006-10-19 | Yamamoto Chem Inc | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
JP2007063401A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2007119558A (ja) * | 2005-10-26 | 2007-05-17 | Matsushita Electric Works Ltd | エポキシ系樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 |
JP2008001757A (ja) * | 2006-06-20 | 2008-01-10 | Kyocera Chemical Corp | 半導体封止用樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置 |
JP2008285655A (ja) * | 2007-04-18 | 2008-11-27 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用フィルム及びそれを用いた半導体装置 |
JP2015007147A (ja) * | 2013-06-24 | 2015-01-15 | 日立化成株式会社 | 素子封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 |
JP2020015873A (ja) * | 2018-07-27 | 2020-01-30 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 半導体封止用樹脂組成物、半導体装置、及び半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002299540A (ja) * | 2001-04-04 | 2002-10-11 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
KR100637305B1 (ko) * | 2002-02-27 | 2006-10-23 | 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 | 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용한 전자 부품 장치 |
JP4033863B2 (ja) * | 2002-06-25 | 2008-01-16 | 旭化成ケミカルズ株式会社 | レーザー彫刻可能な印刷原版用の感光性樹脂組成物 |
US20040265596A1 (en) * | 2003-04-28 | 2004-12-30 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Epoxy resin composition for semiconductor sealing and semiconductor device |
JP5165891B2 (ja) * | 2004-04-30 | 2013-03-21 | 株式会社クレハ | 封止用樹脂組成物及び樹脂封止された半導体装置 |
JP4277079B2 (ja) * | 2004-06-18 | 2009-06-10 | Okiセミコンダクタ株式会社 | 半導体加速度センサ装置及びその製造方法 |
US20050282976A1 (en) * | 2004-06-22 | 2005-12-22 | Gelcore Llc. | Silicone epoxy formulations |
US7378484B2 (en) * | 2005-03-31 | 2008-05-27 | Chung Shan Institute Of Science And Technology | Toughness-increased phenolic resin and preparation thereof |
DE102005045767B4 (de) * | 2005-09-23 | 2012-03-29 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils mit Kunststoffgehäusemasse |
JP5509514B2 (ja) * | 2005-11-21 | 2014-06-04 | 日立化成株式会社 | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 |
JP5010244B2 (ja) * | 2005-12-15 | 2012-08-29 | オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド | 半導体装置 |
JP2007165696A (ja) * | 2005-12-15 | 2007-06-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2007291346A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-11-08 | Toyoda Gosei Co Ltd | 低電気伝導性高放熱性高分子材料及び成形体 |
KR100779902B1 (ko) * | 2006-12-28 | 2007-11-28 | 제일모직주식회사 | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한반도체 소자 |
TW200837137A (en) | 2007-01-26 | 2008-09-16 | Hitachi Chemical Co Ltd | Sealing film and semiconductor device using the same |
DE102007012003A1 (de) * | 2007-03-10 | 2008-09-11 | Klaus-Peter Bergmann | Vergossene Elektroanordnung und Verfahren zum Vergießen einer wenigstens ein Elektrobauteil aufweisenden Elektroanordnung |
KR101173729B1 (ko) * | 2007-04-10 | 2012-08-13 | 스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드 | 수지 조성물, 프리프레그, 적층판, 다층 프린트 배선판 및 반도체 장치 |
JP5301108B2 (ja) * | 2007-04-20 | 2013-09-25 | セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 半導体装置 |
JP2009032929A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP5346463B2 (ja) * | 2007-11-27 | 2013-11-20 | パナソニック株式会社 | 封止用エポキシ樹脂組成物を用いた半導体装置 |
JP5422921B2 (ja) * | 2008-05-28 | 2014-02-19 | デクセリアルズ株式会社 | 接着フィルム |
CN101662894B (zh) * | 2008-08-27 | 2011-09-21 | 富葵精密组件(深圳)有限公司 | 封装基板以及封装结构 |
CN101668383B (zh) * | 2008-09-03 | 2013-03-06 | 富葵精密组件(深圳)有限公司 | 电路板以及电路板封装结构 |
KR20100028384A (ko) * | 2008-09-04 | 2010-03-12 | 삼성전기주식회사 | 복합체 및 그의 제조방법 |
US9431274B2 (en) * | 2012-12-20 | 2016-08-30 | Intel Corporation | Method for reducing underfill filler settling in integrated circuit packages |
JP2015179769A (ja) * | 2014-03-19 | 2015-10-08 | 信越化学工業株式会社 | 半導体封止用基材付封止材、半導体装置、及び半導体装置の製造方法 |
CN111057270B (zh) * | 2019-12-04 | 2021-08-31 | 广东盈骅新材料科技有限公司 | 改性炭黑及其制备方法、树脂组合物、覆铜板 |
JP7060068B2 (ja) * | 2020-12-09 | 2022-04-26 | 味の素株式会社 | 樹脂組成物 |
CN113265211A (zh) * | 2021-05-13 | 2021-08-17 | 苏州震坤科技有限公司 | 减少封装分层的封装树脂及其封装方法 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS538796A (en) * | 1976-07-10 | 1978-01-26 | Hokuriku Elect Ind | Method of manufacturing carbon black with high resistivity |
JPS62192460A (ja) * | 1986-02-18 | 1987-08-24 | Matsushita Electric Works Ltd | 封止用成形材料 |
EP0266432B1 (en) * | 1986-04-22 | 1992-01-15 | Toray Industries, Inc. | Microelectrode for electrochemical analysis |
JPS63179921A (ja) | 1987-01-21 | 1988-07-23 | Toshiba Corp | 封止用樹脂組成物およびそれを用いた樹脂封止型半導体装置 |
JPH02127449A (ja) * | 1988-11-08 | 1990-05-16 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 熱硬化性樹脂組成物 |
JPH02245055A (ja) * | 1989-03-17 | 1990-09-28 | Nippon Steel Chem Co Ltd | 封止用樹脂組成物 |
JP3008481B2 (ja) * | 1990-11-02 | 2000-02-14 | 三菱化学株式会社 | 炭素短繊維集合体及びそれを強化材とする繊維強化熱可塑性樹脂組成物 |
JPH04356535A (ja) * | 1991-06-03 | 1992-12-10 | Yokohama Rubber Co Ltd:The | 炭素繊維強化プリプレグ |
JPH05175369A (ja) * | 1991-12-24 | 1993-07-13 | Hitachi Chem Co Ltd | 電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料 |
JP3378374B2 (ja) * | 1993-09-14 | 2003-02-17 | 株式会社東芝 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法、樹脂封止型半導体装置及び封止用樹脂シート |
JP3368956B2 (ja) * | 1993-12-02 | 2003-01-20 | 住友ベークライト株式会社 | 樹脂組成物 |
KR950018257A (ko) * | 1993-12-31 | 1995-07-22 | 김충세 | 반도체 봉지용 에폭시수지 조성물 |
JP3361602B2 (ja) * | 1994-03-02 | 2003-01-07 | 住友ベークライト株式会社 | 樹脂組成物 |
JP3201503B2 (ja) * | 1994-07-27 | 2001-08-20 | 住友ベークライト株式会社 | 樹脂組成物 |
JPH08176410A (ja) * | 1994-12-22 | 1996-07-09 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用樹脂組成物 |
JPH098178A (ja) * | 1995-06-14 | 1997-01-10 | Matsushita Electric Works Ltd | 封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 |
JP3512129B2 (ja) * | 1995-06-14 | 2004-03-29 | 株式会社日本触媒 | 着色剤組成物 |
JP3624499B2 (ja) * | 1995-11-22 | 2005-03-02 | 日立化成工業株式会社 | 電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置 |
JP3357235B2 (ja) * | 1996-01-22 | 2002-12-16 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
JP4046785B2 (ja) * | 1996-05-23 | 2008-02-13 | 大日本印刷株式会社 | 非導電性炭素質粉体及びその製造方法 |
JPH10114873A (ja) * | 1996-10-11 | 1998-05-06 | Nippon Kayaku Co Ltd | 高抵抗黒色硬化性樹脂組成物、ブラックマトリクス基板及びカラーフィルター |
JP4137208B2 (ja) * | 1996-12-13 | 2008-08-20 | 株式会社日本触媒 | カーボンブラック複合ポリマー、その製造方法および用途 |
JP3947296B2 (ja) * | 1997-04-02 | 2007-07-18 | 日東電工株式会社 | シート状封止材料およびそれを用いた半導体装置の製法 |
JP3893666B2 (ja) * | 1997-05-28 | 2007-03-14 | 御国色素株式会社 | ブラックマトリックス用カーボンブラック |
JPH1160904A (ja) | 1997-08-26 | 1999-03-05 | Matsushita Electric Works Ltd | 封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
KR100347316B1 (ko) * | 1997-12-27 | 2002-11-18 | 제일모직주식회사 | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 |
JP2002348439A (ja) * | 2001-05-24 | 2002-12-04 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
-
2000
- 2000-04-10 JP JP2000108057A patent/JP3632558B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2000-04-14 US US09/549,708 patent/US6372351B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-04-14 KR KR1020000019722A patent/KR100652107B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2004
- 2004-02-23 JP JP2004047035A patent/JP2004211100A/ja active Pending
- 2004-02-23 JP JP2004047039A patent/JP2004156051A/ja active Pending
- 2004-02-23 JP JP2004047033A patent/JP2004156050A/ja active Pending
- 2004-02-23 JP JP2004047042A patent/JP2004156052A/ja active Pending
- 2004-02-23 JP JP2004047051A patent/JP2004156053A/ja active Pending
- 2004-03-29 KR KR1020040021130A patent/KR100589097B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2004-03-29 KR KR1020040021131A patent/KR100709659B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002348439A (ja) * | 2001-05-24 | 2002-12-04 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP4506107B2 (ja) * | 2003-06-13 | 2010-07-21 | 三菱化学株式会社 | 半導体封止材用カーボンブラック |
JP2005002272A (ja) * | 2003-06-13 | 2005-01-06 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体封止材用カーボンブラック |
WO2005012386A1 (ja) * | 2003-08-04 | 2005-02-10 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 |
JP2005146157A (ja) * | 2003-11-18 | 2005-06-09 | Mitsui Chemicals Inc | エポキシ樹脂組成物および半導体素子収納用中空パッケージ |
JP2005206621A (ja) * | 2004-01-20 | 2005-08-04 | Tokai Carbon Co Ltd | 半導体封止材用カーボンブラック着色剤およびその製造方法 |
JP2005298601A (ja) * | 2004-04-08 | 2005-10-27 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料及び樹脂封止型半導体装置 |
JP2006206846A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2006282980A (ja) * | 2005-03-09 | 2006-10-19 | Yamamoto Chem Inc | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
JP2007063401A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2007119558A (ja) * | 2005-10-26 | 2007-05-17 | Matsushita Electric Works Ltd | エポキシ系樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 |
JP4513716B2 (ja) * | 2005-10-26 | 2010-07-28 | パナソニック電工株式会社 | エポキシ系樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 |
JP2008001757A (ja) * | 2006-06-20 | 2008-01-10 | Kyocera Chemical Corp | 半導体封止用樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置 |
JP2008285655A (ja) * | 2007-04-18 | 2008-11-27 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用フィルム及びそれを用いた半導体装置 |
JP2015007147A (ja) * | 2013-06-24 | 2015-01-15 | 日立化成株式会社 | 素子封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 |
JP2020015873A (ja) * | 2018-07-27 | 2020-01-30 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 半導体封止用樹脂組成物、半導体装置、及び半導体装置の製造方法 |
WO2020022070A1 (ja) * | 2018-07-27 | 2020-01-30 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 半導体封止用樹脂組成物、半導体装置、及び半導体装置の製造方法 |
CN112384572A (zh) * | 2018-07-27 | 2021-02-19 | 松下知识产权经营株式会社 | 半导体封装用树脂组合物、半导体装置和用于制造半导体装置的方法 |
JP7170240B2 (ja) | 2018-07-27 | 2022-11-14 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 半導体封止用樹脂組成物、半導体装置、及び半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20010029645A (ko) | 2001-04-06 |
JP2004156052A (ja) | 2004-06-03 |
US6372351B1 (en) | 2002-04-16 |
JP3632558B2 (ja) | 2005-03-23 |
JP2004156053A (ja) | 2004-06-03 |
JP2004211100A (ja) | 2004-07-29 |
KR100589097B1 (ko) | 2006-06-14 |
KR20040043144A (ko) | 2004-05-22 |
KR100652107B1 (ko) | 2006-12-01 |
JP2004156051A (ja) | 2004-06-03 |
JP2004156050A (ja) | 2004-06-03 |
KR20040032839A (ko) | 2004-04-17 |
KR100709659B1 (ko) | 2007-04-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3632558B2 (ja) | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
TWI527854B (zh) | 環氧樹脂組成物及半導體裝置 | |
JP2003321594A (ja) | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 | |
US6284818B1 (en) | Encapsulant composition and electronic device | |
JP2005054045A (ja) | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 | |
JP4892984B2 (ja) | 硬化性樹脂組成物及び電子部品装置 | |
JP3656515B2 (ja) | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
JP3656516B2 (ja) | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
JP2006028264A (ja) | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 | |
JP2005247890A (ja) | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 | |
JP2014129485A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
JP4172065B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
JP3659150B2 (ja) | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 | |
JP2012107209A (ja) | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
JP2000129094A (ja) | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 | |
JP3870489B2 (ja) | 電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品 | |
JP2000026707A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
JP2006104416A (ja) | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 | |
JP2006291038A (ja) | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 | |
JP2005255790A (ja) | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 | |
JP2021044427A (ja) | トランスファー成形用封止材及び電子部品装置 | |
JP2001064364A (ja) | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 | |
JP2021195480A (ja) | 封止用樹脂組成物及び電子部品装置 | |
JP2004027168A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
JP2006104334A (ja) | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040223 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20040223 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20040223 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20040311 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040323 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040629 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040830 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041014 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20041020 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20041130 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20041213 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 3632558 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090107 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100107 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110107 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110107 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120107 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130107 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130107 Year of fee payment: 8 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140107 Year of fee payment: 9 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |