JP2008285655A - 封止用フィルム及びそれを用いた半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】保護機能と充てん性を有し、半導体チップの保護及び充てんに用いられ、充てん時の流動性を制御することによってより充てん性に優れる封止用フィルム、及びそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】（Ａ）架橋性官能基を含む重量平均分子量が１０万以上かつＴｇが−５０〜５０℃である高分子量成分及びエポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性成分を含む樹脂、（Ｂ）平均粒子径が１〜３０μｍのフィラー及び（Ｃ）着色剤とを含有する樹脂層を備える封止用フィルムであって、そのＢステージ状態のフィルムの熱硬化粘弾性測定における５０℃〜１００℃の粘度が１００００〜１０００００Ｐａ．ｓである封止用フィルム。
【選択図】図１

Description

本発明は、保護機能と充てん性を有し、半導体チップの保護及び充てんに用いられ、充てん時の流動性を制御することによってより充てん性、密着性、形状維持性に優れる封止用フィルム、及びそれを用いた半導体装置に関する。

従来から、電子機器の小型化・軽量化が進められており、これに伴い基板への高密度実装が要求され、電子機器に搭載する半導体パッケージの小型化、薄型化、軽量化が進められている。従来から、ＬＯＣ（Ｌｅａｄ Ｏｎ Ｃｈｉｐ）やＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）等と呼ばれるパッケージが有り、ＬＯＣやＱＦＰ等のパッケージよりもさらに小型化・軽量化したμＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）やＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）等のパッケージが開発されている。さらに、半導体素子の回路面が半導体配線基板側に向けられている、いわゆるフェイスダウン型パッケージであるフリップチップ、ＷＬ−ＣＳＰ（Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）などが開発されている。

上述したパッケージでは、固形のエポキシ樹脂封止材をトランスファー成形法により成形することで封止パッケージを得ていたが、パッケージが薄型あるいは大型の場合には成形は難しかった。また、無機フィラーの含有量が増大すると、一般にトランスファー成形時の溶融粘度が高くなり、成形時のボイドの残存、キャビティ充てん不良、ワイヤーフロー及びステージシフトの増大等と成形物の品質が低下するなどの問題が発生する。

また、近年、フリップチップやＷＬ−ＣＳＰなどで、突起状電極を有するものが有り、その突起部の保護及び突起間の充填のため、封止材を使用することがあったが、固形のエポキシ樹脂封止材による充てんは難しかった。そのため、エポキシ樹脂、無機フィラーを主体とした封止用フィルムが提案されている（特許文献１〜３参照）。
特開平５−２８３４５６号公報 特開平８−７３６２１号公報 特開２００５−６０５８４号公報

しかし、従来の封止用フィルムを、例えば、突起状電極を有するパッケージや封止後の形状に制約のあるパッケージに用いると、流動性を制御することが困難であり、充てん性、密着性及び形状維持性を同時には満足できないことがあった。本発明の目的は、保護機能と充てん性を有し、半導体チップの保護及び充てんに用いられ、充てん時の流動性を制御することによって、より充てん性に優れる封止用フィルム、及びそれを用いた半導体装置を提供するものである。

本発明は、以下に関する。
１．（Ａ）架橋性官能基を含む重量平均分子量が１０万以上かつＴｇが−５０〜５０℃である高分子量成分と、エポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性成分とを含む樹脂、（Ｂ）平均粒子径が１〜３０μｍのフィラー、及び（Ｃ）着色剤を含有する樹脂層を備える封止用フィルムであって、そのＢステージ状態の樹脂層の熱硬化粘弾性測定における５０℃〜１００℃の粘度が１００００〜１０００００Ｐａ．ｓであることを特徴とする封止用フィルム。
２．樹脂層において、（Ａ）架橋性官能基を含む重量平均分子量が１０万以上かつＴｇが−５０〜５０℃である高分子量成分５〜８５重量％と、エポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性成分１５〜９５重量％とを含む樹脂１０重量部に対し、（Ｂ）平均粒子径が１〜３０μｍのフィラーを１〜３００重量部及び（Ｃ）着色剤を０．０１〜１０重量部含有する、項１記載の封止用フィルム。
３．前記樹脂層と基材層からなる項１または２記載の封止用フィルムであって、基材層の厚さが５〜３００μｍであり、樹脂層の厚さが１０〜８００μｍである封止用フィルム。
４．前記樹脂層、基材層及び保護層からなる項１または２記載の封止用フィルムであって、基材層の厚さが５〜３００μｍであり、樹脂層の厚さが５〜５００μｍであり、保護層の厚さが５〜３００μｍであり、基材層／樹脂層／保護層の順で積層されていることを特徴とする封止用フィルム。
５．（Ｂ）平均粒子径が１〜３０μｍのフィラーが、無機フィラーである項１〜４のいずれか１項記載の封止用フィルム。
６．（Ｃ）着色剤が白色以外のものである項１〜５のいずれか１項記載の封止用フィルム。
７．硬化後の３５℃での動的粘弾性測定装置における貯蔵弾性率が１００〜２００００ＭＰａである項１〜６のいずれか１項記載の封止用フィルム。
８．項１〜７のいずれか１項記載の封止用フィルムを用いた半導体装置。

保護機能と充てん性を有し、半導体チップの保護及び充てんに用いられ、充てん時の流動性を制御することによってより充てん性に優れる封止用フィルム、及びそれを用いた半導体装置を提供することが可能となった。

本発明の封止用フィルムは樹脂層を備える。樹脂層は、以下の成分（Ａ）〜（Ｃ）を含み、かつ、Ｂステージ状態の熱硬化粘弾性測定における５０℃〜１００℃の粘度が１００００〜１０００００Ｐａ．ｓである。
（Ａ）架橋性官能基を含む重量平均分子量が１０万以上かつＴｇが−５０〜５０℃である高分子量成分と、エポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性成分とを含む樹脂
（Ｂ）平均粒子径が１〜３０μｍのフィラー
（Ｃ）着色剤
＜高分子量成分＞
本発明の樹脂成分は、架橋性官能基を含む重量平均分子量が１０万以上かつＴｇが−５０〜５０℃である高分子量成分を含む。このような高分子量成分は、架橋性官能基を有するモノマーを構成単位として含有することが好ましい。

架橋性官能基とは、官能基同士が反応することにより互いに結合することで分子ネットワークを形成させることができる官能基をいう。例えば、アクリル基、メタクリル基、イソシアネート基、カルボキシル基等が挙げられる。

高分子量成分としては、エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体が好ましい。本明細書において、「（メタ）アクリル」とは、「アクリル」と「メタクリル」の両方を示す。
エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体は、特に制限はなく、例えば、（メタ）アクリルエステル共重合体、アクリルゴムなどが挙げられるが、アクリルゴムがより好ましい。アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とし、主として、ブチルアクリレートとアクリロニトリルなどの共重合体や、エチルアクリレートとアクリロニトリルなどの共重合体などからなるゴムであってもよい。このようなエポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体としては、例えば、ナガセケムテックス株式会社製ＨＴＲ−８６０Ｐ−３ＤＲなどが挙げられる。
また、上記エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体として、グリシジル（メタ）アクリレート等の架橋性官能基を有するエポキシ基含有モノマーを重合させた共重合体を用いることもでき、このエポキシ基含有モノマーにさらに、エチル（メタ）アクリレートやブチル（メタ）アクリレート等のモノマーを共重合させた共重合体を用いることもできる。

エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体におけるエポキシ基含有モノマーの量は、０．５〜６重量％が好ましく、０．５〜５重量％がより好ましく、０．８〜５．０重量％が特に好ましい。エポキシ基含有モノマーの量が０．５重量％未満だと、得られた樹脂層の接着力が低下する傾向が有り、６重量％を超えると、得られる樹脂層の保存安定性が低下する傾向が有る。

高分子量成分のガラス転移温度（以下「Ｔｇ」という）は−５０℃〜５０℃の範囲であって、より好ましくは−４０℃以上５０℃以下、さらに好ましくは−４０℃以上４０℃以下である。Ｔｇがこの範囲であると、Ｂステージ状態での樹脂層のタック性が適当であり、取り扱い性に問題を生じないからである。

高分子量成分の重量平均分子量は１０万以上であるが、３０万〜３００万であることが好ましく、５０万〜２００万であることがより好ましい。重量平均分子量がこの範囲にあると、フィルム状としたときの強度、可とう性、およびタック性が適当であり、また、樹脂層と被着体との密着性を確保できる。なお、本発明において、重量平均分子量とは、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィーで測定し、標準ポリスチレン検量線を用いて換算した値を示す。

高分子量成分の使用量は、（Ａ）成分の総量１００重量部に対して好ましくは５〜８５重量部であり、より好ましくは５〜８０重量部であり、さらに好ましくは１０〜８０重量部であり、特に好ましくは１０〜７５重量部である。架橋性官能基を含む重量平均分子量の使用量が５重量部未満だと、得られる樹脂層の可とう性が不足して脆くなる可能性が有り、８５重量部を超えると得られる樹脂層の流動性が低下する可能性がある。

高分子量成分を製造する場合、その重合方法としては特に制限はなく、例えば、パール重合、溶液重合などの方法を使用することができる。

＜熱硬化性成分＞
本発明の樹脂成分は、エポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性成分を含む。このような熱硬化性成分としては、硬化して接着作用を有するものであれば特に制限は無く、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシなどの二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂などを使用することができる。また、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂または脂環式エポキシ樹脂など、一般に知られているものを使用することができる。

ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ株式会社製 エピコート８０７，８１５，８２５，８２７，８２８，８３４，１００１，１００４，１００７，１００９、ダウケミカル社製 ＤＥＲ−３３０，３０１，３６１、東都化成株式会社製 ＹＤ８１２５，ＹＤＦ８１７０などが挙げられる。フェノールノボラック型エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ株式会社製 エピコート１５２，１５４、日本化薬株式会社製 ＥＰＰＮ−２０１、ダウケミカル社製 ＤＥＮ−４３８などが、また、ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、日本化薬株式会社製 ＥＯＣＮ−１０２Ｓ，１０３Ｓ，１０４Ｓ，１０１２，１０２５，１０２７、東都化成株式会社製 ＹＤＣＮ７００−１０，７０１，７０２，７０３，７０４などが挙げられる。多官能エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ株式会社製 Ｅｐｏｎ １０３１Ｓ、チバスペシャリティーケミカルズ社製 アラルダイト０１６３、ナガセ化成株式会社製 デナコールＥＸ−６１１，６１４，６１４Ｂ，６２２，５１２，５２１，４２１，４１１，３２１などが挙げられる。アミン型エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ株式会社製 エピコート６０４、東都化成株式会社製 ＹＨ−４３４、三菱ガス化学株式会社製 ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ，ＴＥＴＲＡＤ−Ｃ、住友化学株式会社製 ＥＬＭ−１２０などが挙げられる。複素環含有エポキシ樹脂としては、チバスペシャリティーケミカルズ社製 アラルダイトＰＴ８１０等の、ＵＣＣ社製 ＥＲＬ４２３４，４２９９，４２２１，４２０６などが挙げられる。脂環式エポキシ樹脂としては、ダイセル化学工業社製、エポリードシリーズ、セロキサイドシリーズ等が挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、単独でまたは２種類以上を組み合わせても、使用することができる。
熱硬化性成分の使用量は、（Ａ）成分の総量１００重量部に対して好ましくは１５〜９５重量部であり、より好ましくは２０〜９５重量部であり、さらに好ましくは２０〜９０重量部であり、特に好ましくは２５〜９０重量部である。架橋性官能基を含む重量平均分子量の使用量が１５重量部未満だと、得られる樹脂層の耐熱性及び流動性が低下する傾向が有り、９５重量部を超えると得られる樹脂層の可とう性が低下する傾向がある。

＜樹脂成分＞
本発明の樹脂成分には、上記高分子量成分及び上記熱硬化性成分の他に、必要に応じて上記以外の樹脂成分を配合することもできる。上記以外の樹脂成分としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂/あるいはその前駆体、ポリイミド樹脂／あるいはその前駆体等の樹脂成分を用いることができる。

また、樹脂成分は、上記の熱硬化性成分の触媒として、エポキシ樹脂硬化剤及び硬化促進剤を含んでいてもよい。エポキシ樹脂硬化剤としては、特に制限は無く、通常用いられている公知の硬化剤を使用することができ、例えば、アミン類、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフィド、三フッ化ホウ素、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ，ビスフェノールＳのようなフェノール性水酸基を１分子中に２個以上有するビスフェノール類、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂またはクレゾールノボラック樹脂などのフェノール樹脂などを使用することができる。特に吸湿時の耐電食性に優れる点で、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂またはクレゾールノボラック樹脂などのフェノール樹脂が好ましい。

好ましいフェノール樹脂硬化剤としては、例えば、大日本インキ化学工業株式会社製、商品名：プライオーフェンＬＦ２８８２、プライオーフェンＬＦ２８２２、プライオーフェンＬＦ４８７１、プライオーフェンＴＤ−２０９０、プライオーフェンＴＤ−２１４９、プライオーフェンＶＨ−４１５０、プライオーフェンＶＨ４１７０などが挙げられる。
硬化促進剤としては、特に制限はないが、例えば、４級ホスホニウム塩系、４級アンモニウム塩系、イミダゾール系、ＤＢＵ脂肪酸塩系、金属キレート系、金属塩系、トリフェニルフォスフィン系等を用いることができる。

＜フィラー＞
本発明のフィラーとしては、特に制限が無いが、無機フィラーであることが好ましく、例えば、結晶性シリカ、非晶性シリカ、酸化アルミニウム、酸化チタン、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素等を使用することができる。

フィラーの平均粒径は１〜３０μｍであり、１〜２５μｍが好ましく、２〜２５μｍがより好ましく、２〜２０μｍが特に好ましい。平均粒径が１μｍ未満であると、得られる樹脂層の流動性が低下して半導体装置の信頼性が低下する傾向があり、一方、３０μｍを超えると、得られる樹脂層の表面凹凸が大きくなり、埋め込み性が低下する傾向がある。

フィラーの使用量は、（Ａ）樹脂の全総量１０重量部に対して好ましくは１〜３００重量部であり、より好ましくは１〜２５０重量部であり、さらに好ましくは１〜２００重量部であり、特に好ましくは３〜２００重量部である。フィラーの使用量が１重量部未満だと得られる封止用フィルムが軟らかくなって得られる半導体装置の信頼性が低下する傾向があり、３００重量部を超えると得られる封止用フィルムの樹脂層と半導体基板との密着性が低下する傾向がある。

＜着色剤＞
本発明の着色剤としては、特に制限が無く、例えば、カーボンブラック、黒鉛、チタンカーボン、二酸化マンガン、フタロシアニン系等の顔料あるいは染料を使用することができる。分散性、レーザーマーキング性を考慮すると、カーボンブラック等の白色以外の着色剤が好ましい。
着色剤の使用量は、（Ａ）樹脂の全総量１００重量部に対して好ましくは０．０１〜１０重量部であり、より好ましくは０．０２〜８重量部であり、さらに好ましくは０．０３〜６重量部であり、特に好ましくは０．０５〜５重量部である。着色剤の使用量が０．０１重量部未満だとフィルムへの着色が十分で無く、レーザーマーキング後の視認性が低下する傾向があり、着色剤の使用量が１０重量部を超えると得られる封止用フィルムと半導体基板との密着性が低下する傾向がある。

＜樹脂層＞
本発明の樹脂層は、さらに、カップリング剤等の添加剤を含んでいてもよい。カップリング剤としては、シラン系、チタン系、アルミニウム系などが挙げられるが、シラン系カップリング剤が最も好ましい。

シラン系カップリング剤としては、特に制限は無く、例えば、ビニルトリクロルシラン、ビニルトリス（β−メトキシエトキシ）シラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ‐フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピル−トリス（２−メトキシ−エトキシ−エトキシ）シラン、Ｎ−メチル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、トリアミノプロピル−トリメトキシシラン、３−４，５−ジヒドロイミダゾール−１−イル−プロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピル−トリメトキシシラン、３−メルカプトプロピル−メチルジメトキシシラン、３−クロロプロピル−メチルジメトキシシラン、３−クロロプロピル−ジメトキシシラン、３−シアノプロピル−トリエトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン、Ｎ，Ｏ−ビス（トリメチルシリル）アセトアミド、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリクロロシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、アミルトリクロロシラン、オクチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、メチルトリ（メタクリロイルオキエトキシ）シラン、メチルトリ（グリシジルオキシ）シラン、Ｎ−β（Ｎ−ビニルベンジルアミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、オクタデシルジメチル〔３−（トリメトキシシリル）プロピル〕アンモニウムクロライド、γ−クロロプロピルメチルジクロロシラン、γ−クロロプロピルメチルジメトキシシラン、γ−クロロプロピルメチルジエトキシシラン、トリメチルシリルイソシアネート、ジメチルシリルイソシアネート、メチルシリルトリイソシアネート、ビニルシリルトリイソシアネート、フェニルシリルトリイソシアネート、テトライソシアネートシラン、エトキシシランイソシアネートなどを使用することができ、これらの１種又は２種以上を併用することもできる。

チタン系カップリング剤としては、特に制限は無く、例えば、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネート、イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネート、イソプロピルトリ（ジオクチルホスフェート）チタネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタネート、イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフェート）チタネート、イソプロピルトリス（ｎ−アミノエチル）チタネート、テトライソプロピルビス（ジオクチルホスファイト）チタネート、テトラオクチルビス（ジトリデシルホスファイト）チタネート、テトラ（２，２−ジアリルオキシメチル−１−ブチル）ビス（ジトリデシル）ホスファイトチタネート、ジクミルフェニルオキシアセテートチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）オキシアセテートチタネート、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２−エチルヘキシル）チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアエチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタンチリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート、テトラメチルオルソチタネート、テトラエチルオルソチタネート、テタラプロピルオルソチタネート、テトライソブチルオルソチタネート、ステアリルチタネート、クレシルチタネートモノマー、クレシルチタネートポリマー、ジイソプロポキシ−ビス（２，４−ペンタジオネート）チタニウム（ＩＶ）、ジイソプロピル−ビス−トリエタノールアミノチタネート、オクチレングリコールチタネート、テトラ−ｎ−ブトキシチタンポリマー、トリ−ｎ−ブトキシチタンモノステアレートポリマー、トリ−ｎ−ブトキシチタンモノステアレートなどを使用することができ、これらの１種又は２種以上を併用することもできる。

アルミニウム系カップリング剤としては、特に制限は無く、例えば、エチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトイス（エチルアセトアセテート）、アルキルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムモノアセチルアセテートビス（エチルアセトアセテート）、アルミニウムトリス（アセチルアセトネート）、アルミニウム＝モノイソプロポキシモノオレオキシエチルアセトアセテート、アルミニウム−ジ−ｎ−ブトキシド−モノ−エチルアセトアセテート、アルミニウム−ジ−イソ−プロポキシド−モノ−エチルアセトアセテート等のアルミニウムキレート化合物、アルミニウムイソプロピレート、モノ−ｓｅｃ−ブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウム−ｓｅｃ−ブチレート、アルミニウムエチレート等のアルミニウムアルコレートなどを使用することができ、これらの１種又は２種以上を併用することもできる。

上記の添加剤は（Ａ）樹脂の全総量１００重量部に対して５０重量部以下の配合量にすることが好ましい。上記添加剤の添加量が５０重量部より多いと、得られる封止用フィルムの耐熱性が低下する可能性がある。

樹脂層は、そのＢステージ状態の熱硬化粘弾性測定における５０℃〜１００℃の粘度が１００００〜１０００００Ｐａ．ｓであり、１００００〜９５０００が好ましく、１００００〜９００００がより好ましく、１５０００〜９００００が特に好ましい５０℃〜１００℃の粘度が１００００Ｐａ・ｓ未満だと封止用フィルムが軟らかくなって得られる半導体装置の信頼性が低下する傾向があり、１０００００を超えると得られる封止用フィルムと半導体基板との密着性が低下する傾向がある。

上記の粘度は、封止用フィルムの樹脂層のみを直径８ｍｍの円盤状に打ち抜き、粘度・粘弾性測定装置（サーモハーケ社製、レオストレス ＲＳ ６００型）を用いて、歪一定モード、周波数：１Ｈｚ、印加歪：１％、昇温速度：５℃／ｍｉｎで測定することができる。

このフィルム粘度は、例えば、フィラーの充填量を増やしたり、流動性に優れるフィラーを使用したり、多官能エポキシ樹脂を使用して樹脂層の橋架け密度を向上させたり、フィルム化する際の熱履歴を増やすことによってＢステージ状態での硬化度を向上させることによって小さくすることができる。流動性に優れるフィラーとしては、真球状のものを用いればよい。

樹脂層は１７０℃で１時間硬化した後の３５℃での動的粘弾性測定装置における貯蔵弾性率が、通常１００〜２００００ＭＰａであり、１００〜１９０００ＭＰａが好ましく、２００〜１８０００ＭＰａがより好ましく５００〜１６０００ＭＰａが特に好ましい。貯蔵弾性率が５００ＭＰａ未満だと得られる封止用フィルムと半導体素子との密着性が低下する可能性があり、２００００ＭＰａを超えると半導体装置の信頼性が低下する可能性がある。なお、上記貯蔵弾性率は、厚み１５０μｍのＢステージ状態の上記樹脂層について、レオロジー社製の動的粘弾性スペクトロメーター（ＤＶＥ−４型）を用いて、３５℃、１０Ｈｚの条件で測定した値である。

この弾性率は、例えば、フィラーの充填量を増やしたり、流動性に優れるフィラーを使用したり、多官能エポキシ樹脂を使用して樹脂層の橋架け密度を向上させたり、フィルム化する際の熱履歴を増やしたりすることによって、Ｂステージ状態での硬化度を向上させて大きくすることができる。ここで、「熱履歴を増やす」とは、加熱時間を長くする、又は温度を高くすることを言う。

＜封止用フィルム＞
本発明の封止フィルムは、図１に示すように、基材層１の上に樹脂層２を備えていてもよく、また、図２に示すように、基材層１の上に樹脂層２を備え、さらに、樹脂層２の上に保護層を備えていてもよい。

基材層の厚さは好ましくは５〜３００μｍであり、５〜２００μｍがより好ましく、５〜１００μｍがさらに好ましく、１０〜１００μｍが特に好ましい。基材層の厚さが５μｍ未満ではフィルム作製時の強度不足によりフィルム自体が作製できない可能性が有り、フィルムの厚さが３００μｍを超えても特に利点は無く、フィルム自体が高価になる傾向が有る。

基材層として使用する材料としては特に制限が無く、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリエーテルスルフォンフィルム、ポリエーテルアミドフィルム、ポリエーテルアミドイミドフィルム、ポリアミドフィルム、ポリアミドイミドフィルム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルムを使用できる。また、必要に応じて、プライマー塗布、ＵＶ処理、コロナ放電処理、研磨処理、エッチング処理、離型処理等の表面処理を行っても良い。

樹脂層の厚さは、５μｍ以上が好ましく、１０μｍ以上がより好ましく、２０μｍ以上がさらに好ましく、３０μｍ以上が特に好ましい。また、本発明の封止用フィルムを構成する樹脂層の厚さは、８００μｍ以下が好ましく、６００μｍ以下がより好ましく５００μｍ以下がさらに好ましく、４００μｍ以下が特に好ましい。樹脂層の厚さが５μｍ未満だと、半導体素子との密着性が低下する傾向があり、８００μｍを超えると半導体素子の厚さが増えてパッケージ設計の障害になる傾向がある。

保護層の厚さは、好ましくは５〜３００μｍであり、５〜２００μｍがより好ましく、５〜１００μｍがさらに好ましく、１０〜１００μｍが特に好ましい。保護層の厚さが５μｍ未満ではフィルム作製時の強度不足により十分に保護できない可能性が有り、フィルムの厚さが３００μｍを超えても特に利点は無く、フィルム自体が高価になる可能性が有る。

保護層として使用する材料は特に制限が無く、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリエーテルスルフォンフィルム、ポリエーテルアミドフィルム、ポリエーテルアミドイミドフィルム、ポリアミドフィルム、ポリアミドイミドフィルム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルムを使用できる。また、必要に応じて、プライマー塗布、ＵＶ処理、コロナ放電処理、研磨処理、エッチング処理、離型処理等の表面処理を行っても良い。

本発明の封止用フィルムは、次のように作製できる。例えば、上記（Ａ）樹脂成分、（Ｂ）フィラー、及び（Ｃ）着色剤を少なくとも含んだ樹脂層成分に、溶剤を加えてワニスを作製する。封止フィルムが基材層を有する場合は基材層上に、樹脂層のみの構成される場合は型等の上に該ワニスを塗布した後、加熱乾燥により溶剤を除去して、Ｂステージ状態の樹脂層を形成することにより作製することができる。さらに保護層を形成する場合には、樹脂層状に保護層を形成する。
樹脂層用ワニスに用いられる溶剤は、特に制限が無いが、例えば、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル等のエーテル系溶媒；ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシド、ジメチルスルホン、スルホラン等の含硫黄系溶媒；γ−ブチロラクトン、酢酸セロソルブ等のエステル系溶媒；シクロヘキサノン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒；Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルアセトアセド、１，３−ジメチル−３，４，５，６−テトラヒドロ−２（１Ｈ）−ピリミジノン等の含窒素系溶媒；トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒；等が挙げられ、これらは単独で又は２種類以上組み合わせて使用することができる。
上記加熱乾燥条件は、樹脂層の成分や溶剤の種類によって異なるが、一般的には６０〜２００℃の温度で３〜３０分間加熱するものである。上記加熱乾燥条件は、本発明の封止フィルムの樹脂層の「粘度」の値に影響を与えるものであるため、粘度が小さすぎる場合は、加熱乾燥温度を上げる、加熱乾燥時間を長くする、又は加熱乾燥回数を増やす等の熱履歴を増やして適宜調製する。
また、ワニスの塗布方法は、特に制限が無いが、作業性等を考慮すると、マルチコーターを使用して塗工するのが好ましい。
＜半導体装置＞
本発明の半導体装置は、本発明の封止フィルムを用いてなることをその特徴とするものである。以下、その製造例と形態に関して図を用いて説明するが、本発明は以下の記載に限定されるものではない。

図３は、半導体基板上の電極を本発明の封止フィルム（樹脂層）をロール状封止フィルム８として用い、封止する工程を示す模式図である。ここで、図１に示す構成を有する本発明の封止フィルムを用いる場合には、半導体基板４の電極面に樹脂層２が接するように、図２に示す構成を有する本発明の封止フィルムを用いる場合には、保護層３をはく離した後、ロール９においてフィルムのテンションを均一にして、半導体基板４の電極面に樹脂層２が接するように封止フィルムをラミネートロール１０でラミネートし、半導体基板上の電極を封止する。ラミネート工程におけるラミネート温度は、半導体基板に負荷を与えず、作業性に優れる点で、１８０℃以下であることが好ましく、１４０℃以下であることがより好ましく、１２０℃以下であることが好ましい。また、本発明の封止フィルムは、上記電極が突起状電極である場合に特に好適である。

また、本発明の封止フィルムによる封止は、上述したフィルムラミネートによる方法に限らず、半導体基板に封止フィルムを熱圧着あるいは真空圧着する方法、半導体素子に直接封止フィルムをヒートプレスで接着する方法等を使用することもできる。なお、圧着条件等は封止使用する封止フィルムの種類、半導体基板あるいは素子の形状によって異なる。

図４は、本発明の封止フィルム（樹脂層）で封止された突起状電極を有する半導体素子７の模式図である。このような半導体素子は、図３に示すようにして半導体基板の突起状電極５を封止した後、例えば、封止フィルムの基材層を剥離する工程、加熱によって樹脂層２を硬化させる工程、はんだボール６を突起状電極５上に搭載する工程、半導体基板の、樹脂層封止側と反対側にダイシングテープをラミネートする工程、半導体基板を所定の大きさにダイシングする工程、突起状電極５を有する半導体基板とダイシングテープをはく離する工程を経て得ることができ、さらに、得られた半導体素子を回路基板上の所定位置に搭載することで半導体装置を得ることができる。
上記突起状電極を有する半導体基板４としては、特に制限はないが、例えば、シリコンウエハ等が挙げられる。また、このような方法で半導体素子を作製した後、封止フィルム側からＹＡＧレーザー等を照射し、製品を識別するための識別情報を表示することもできる。

本発明の封止用フィルムによって封止されることによって得られる半導体素子は、信頼性等に優れるため、種々の半導体装置に使用することができ、さらに、ＳＡＷデバイス等の各種デバイス、各種センサー等の封止にも使用することができる。

以下、本発明を実施例によって詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

（実施例１）
＜封止フィルムの作製＞
ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（東都化成株式会社製商品名：ＹＤ−８１７０Ｃ、エポキシ当量：１６０）３３．６重量部、フェノール・ｐ−キシリレングリコールジメチルエーテル共重合樹脂（三井化学株式会社製商品名：ミレックス ＸＬＣ−ＬＬ、水酸基当量１７４）３３．８重量部、エポキシ基含有アクリルゴム（ナガセケムテックス株式会社製商品名：ＨＴＲ−８６０Ｐ−３ＤＲ、重量平均分子量：８０万、Ｔｇ：−７℃）３３．４重量部、１−シアノ−１−フェニルイミダゾール（四国化成工業株式会社製商品名：キュアゾール２ＰＺ−ＣＮ）０．５重量部、シリカフィラー（株式会社龍森製商品名：ＴＦＣ−１２、平均粒径：約４μｍ）１５２．６重量部、樹脂系加工顔料（山陽色素株式会社製商品名：ＦＰ ＢＬＡＣＫ Ｊ３０８、カーボンブラック含有率：２９．０重量％）２．５重量部からなる組成物にシクロヘキサノンを加えて攪拌混合し、真空脱気して不揮発分（以降ＮＶと略記する）約６０重量％のワニスを得た。なおＮＶの測定方法は下記の通りとした。
ＮＶ(重量％)＝(加熱乾燥後のワニス量(ｇ)／加熱乾燥前のワニス量(ｇ))×１００
乾燥条件：１７０℃−１時間

得られたワニスを基材層（帝人デュポンフィルム株式会社商品名：ピューレックスＡ３１Ｂ、表面離型処理ポリエチレンテレフタレートフィルム、膜厚：３８μｍ）上に塗布し、９０℃、５分及び１４０℃、５分間加熱乾燥して、樹脂層の膜厚を１５０μｍとしたＢステージ状態のフィルムＡを得た。

＜フィルムの評価＞
・フィルム粘度
得られたフィルムＡの樹脂層のみを直径８ｍｍの円盤状に打ち抜き、粘度・粘弾性測定装置（サーモハーケ社製、レオストレス ＲＳ ６００型）を用いて、歪一定モード、周波数：１Ｈｚ、印加歪：１％、昇温速度：５℃／ｍｉｎで５０℃及び１００℃にてフィルム粘度を測定した。

・引張り弾性率及びガラス転移温度
得られたフィルムＡの樹脂層のみを１７０℃で１時間硬化後、動的粘弾性スペクトロメーター（レオロジー社製、ＤＶＥ−４型）により、引張り弾性率（３５℃、１０Ｈｚ）及びガラス転移温度（周波数１０Ｈｚ、昇温速度２℃／ｍｉｎ）を測定した。

・熱分解開始温度
示差熱天秤（セイコーインスツルメント株式会社製、ＳＳＣ５２００型）により下記条件で熱分解開始温度を測定した。
昇温速度：１０℃／ｍｉｎ，雰囲気：空気

・埋め込み性
得られたフィルムAを、配線及び銅ポストが形成された半導体基板（（ピッチ寸法５．３ｍｍ×６．３ｍｍ、スクライブライン１００μｍ、銅ポスト径：３００μｍ、銅ポスト高さ：１００μｍ）上にホットロールラミネータ（大成ラミネータ株式会社製商品名、ＶＡ−４００ＩＩＩ型）を使用して貼付けた。

ラミネート後、フィルムＡの基材フィルムを除去し、フィルムＡの樹脂層のみを貼り付けた半導体基板を銅ポスト部分で切断し、その断面を工学顕微鏡で観察し、封止用フィルムの埋め込み性を下記基準で評価した。
○：埋め込み不足によるボイドの発生無し
△：埋め込み不足によるボイドの発生が実用上問題ない程度に僅かに有り
（ボイドの発生率：銅ポスト総数の１０％未満）
×：埋め込み不足によるボイドの発生若干有り
（ボイドの発生率：銅ポスト総数の１０〜５０％）
××：埋め込み不足によるボイドの発生ほぼ全面に有り
（ボイドの発生率：銅ポスト総数の５０％以上）

・レーザーマーキング視認性
上記で得られた封止フィルムＡを、３００μｍ厚のシリコンウエハ鏡面にホットロールラミネータ（大成ラミネータ株式会社製、商品名ＶＡ−４００ＩＩＩ型）を使用して貼付け（ラミネート条件：８０℃、０．２ＭＰａ、０．５ｍ／ｍｉｎ）、封止フィルム付きシリコンウエハを得た後、基材層をはく離して１７０℃で１時間硬化した樹脂層付きシリコンウエハの樹脂層側に、出力５．０Ｊ／パルスのＹＡＧレーザーによってレーザーマーキングを行い、その視認性を確認した（サンプル数：各１００個）。

視認性の評価方法は、レーザーマーキング後の表面をスキャナによって画像取り込みを行い、画像処理ソフト（Ａｄｏｂｅ社製商品名、ＰＨＯＴＳＨＯＰ）によってマーキング部分及びその周りの非マーキング部分の２階調化を行い（マーキング部分を白、非マーキング部分を黒）、明度によって白黒の２５６段階に分けた。次に、マーキング部分と非マーキング部分との明度の差（「２階調化する境界のしきい値」）を求め、黒と白の境界が視覚的に認識できなくなるような明度の差（「２階調化する境界のしきい値」）との相異が４０以上である場合に視認性良好とし（評価○）、その相異が３０以上４０未満である場合に視認性がほぼ良好とし（評価△）、その相異が３０未満である場合に視認性が不良とした（評価×）。なお、表１には、評価○、△、×に該当するサンプル数を示した。

＜半導体装置の作製と評価＞
上記で得られた封止フィルムＡを、配線及び銅ポストが形成された半導体基板（ピッチ寸法：５．３ｍｍ×６．３ｍｍ、スクライブライン：１００μｍ、銅ポスト径：３００μｍ、銅ポスト高さ：１００μｍ）上にホットロールラミネータ（大成ラミネータ株式会社製、商品名ＶＡ−４００ＩＩＩ型）を使用して貼付け（ラミネート条件：８０℃、０．２ＭＰａ、０．５ｍ／ｍｉｎ）、基材層をはく離した後、１７０℃で１時間加熱して樹脂層を硬化させる工程、樹脂層を研削して銅ポストを表面に露出させる工程、銅ポスト上に外部端子を形成する工程、ダイシングする工程、得られた半導体素子をピックアップして有機基板に実装する工程を行い、半導体装置を作製した。

ついで、この半導体装置について、−５５℃／３０ｍｉｎ←→１２５℃／３０ｍｉｎを１サイクルとするヒートサイクル試験を１０００サイクル行い（サンプル数１０）、樹脂層にクラックが発生していないかどうかを調べた。結果を表１に示す。なお、表１には、（樹脂層にクラックが発生した半導体装置の個数）／（総サンプル数）を示した。

以上の評価結果をまとめて表１に示す。

（実施例２）
シリカフィラー（株式会社龍森製商品名：ＴＦＣ−１２、平均粒径：約４μｍ）を、シリカフィラー（株式会社龍森製商品名：ＴＦＣ−２４、平均粒径：約８μｍ）に変更した以外は、実施例１と同様にフィルムを作製しフィルムＢとした。
得られたフィルムＢの特性を実施例１と全く同様の条件で評価した。結果をまとめて表１に示す。

（実施例３）
１−シアノ−１−フェニルイミダゾール（四国化成工業株式会社製商品名：キュアゾール２ＰＺ−ＣＮ）を０．５重量部から０．３重量部に変更し、シリカフィラー（株式会社龍森製商品名：ＴＦＣ−１２、平均粒径：約４μｍ）をシリカフィラー（株式会社龍森製商品名：ＴＦＣ−２４、平均粒径：約８μｍ）に変更した以外は実施例１と同様にフィルムを作製し、フィルムＣとした。
得られたフィルムＣの特性を実施例１と全く同様な条件で評価した。結果をまとめて表１に示す。

（実施例４）
シリカフィラー（株式会社龍森製商品名：ＴＦＣ−１２、平均粒径：約４μｍ）１５２．６重量部を、シリカフィラー（株式会社龍森製商品名：ＴＦＣ−２４、平均粒径：約８μｍ）１０５．２重量部に変更した以外は、実施例１と同様にフィルムを作製し、フィルムＤとした。
得られたフィルムＤの特性を実施例１と全く同様の条件で評価した。結果をまとめて表１に示す。

（実施例５）
シリカフィラー（株式会社龍森製商品名：ＴＦＣ−１２、平均粒径：約４μｍ）１５２．６重量部を、シリカフィラー（株式会社龍森製商品名：ＴＦＣ−２４、平均粒径：約８μｍ）２０９．８重量部に変更した以外は、実施例１と同様にフィルムを作製し、フィルムＥとした。
得られたフィルムＥの特性を実施例１と全く同様の条件で評価した。結果をまとめて表１に示す。

（実施例６）
シリカフィラー（株式会社龍森製商品名：ＴＦＣ−１２、平均粒径：約４μｍ）１５２．６重量部を、シリカフィラー（電気化学工業株式会社製商品名：ＦＢ−３５、平均粒径：約１０μｍ）１５２．６重量部に変更した以外は、実施例１と同様にフィルムを作製し、フィルムＦとした。
得られたフィルムＦの特性を実施例１と全く同様の条件で評価した。結果をまとめて表１に示す。

（実施例７）
シリカフィラー（株式会社龍森製商品名：ＴＦＣ−１２、平均粒径：約４μｍ）１５２．６重量部を、シリカフィラー（アドマファイン株式会社商品名：ＳＯ−Ｃ２、平均粒径：約１．３〜２．０μｍ）１５２．６重量部に変更した以外は、実施例１と同様にフィルムを作製し、フィルムＧとした。
得られたフィルムＧの特性を実施例１と全く同様の条件で評価した。結果をまとめて表１に示す。

（比較例１）
シリカフィラー（株式会社龍森製商品名：ＴＦＣ−１２、平均粒径：約４μｍ）１５２．６重量部を、シリカフィラー（アドマファイン株式会社商品名：ＳＯ−Ｃ５、平均粒径：約０．４〜０．６μｍ）１５２．６重量部に変更した以外は、実施例１と同様にフィルムを作製し、フィルムＨとした。
得られたフィルムＨの特性を実施例１と全く同様の条件で評価した。結果をまとめて表２に示す。

（比較例２）
実施例１において、乾燥条件を９０℃、５分及び１４０℃、５分から、９０℃、１５分及び１４０℃、１５分にした以外は実施例１と全く同様の操作を行い、Ｂステージ状態のフィルムＩを得た。
得られたフィルムＩの特性を実施例１と全く同様な条件で評価した。結果をまとめて表２に示す。

（比較例３）
ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（東都化成株式会社製商品名：ＹＤ−８１７０Ｃ、エポキシ当量：１６０）４７．０４重量部、フェノール・ｐ−キシリレングリコールジメチルエーテル共重合樹脂（三井化学株式会社製商品名：ミレックス ＸＬＣ−ＬＬ、水酸基当量１７４）４７．３２重量部、エポキシ基含有アクリルゴム（ナガセケムテックス株式会社製商品名：ＨＴＲ−８６０Ｐ−３ＤＲ、重量平均分子量：８０万、Ｔｇ：−７℃）４．７２重量部、１−シアノ−１−フェニルイミダゾール（四国化成工業株式会社製商品名：キュアゾール２ＰＺ−ＣＮ）０．５重量部、シリカフィラー（株式会社龍森製商品名：ＴＦＣ−２４、平均粒径：約８μｍ）１５２．６重量部、樹脂系加工顔料（山陽色素株式会社製商品名：ＦＰ ＢＬＡＣＫ Ｊ３０８、カーボンブラック含有率：２９．０重量％）２．５重量部からなる組成物にシクロヘキサノンを加えて攪拌混合し、真空脱気して不揮発分（以降ＮＶと略記する）約６０重量％のワニスを得た。

得られたワニスを基材層（帝人デュポンフィルム株式会社商品名：ピューレックスＡ３１Ｂ、表面離型処理ポリエチレンテレフタレートフィルム、膜厚：３８μｍ）上に塗布し、９０℃、５分及び１４０℃、５分間加熱乾燥して、膜厚が１５０μｍの塗膜とし、Ｂステージ状態のフィルムＪ（樹脂層の膜厚：１００μｍ）得た。
得られたフィルムＪの特性を実施例１と全く同様の条件で評価した。結果をまとめて表２に示す。

（比較例４）
シリカフィラーを加えなかったこと以外は、比較例３と同様にフィルムを作製し、フィルムＫとした。
得られたフィルムＫの特性を実施例１と全く同様の条件で評価した。結果をまとめて表２に示す。

（比較例５）
シリカフィラー及び樹脂系加工顔料を加えなかったこと以外は、比較例３と同様にフィルムを作製し、フィルムＬとした。
得られたフィルムＬの特性を実施例１と全く同様の条件で評価した。結果をまとめて表２に示す。

実施例１〜７の本発明のフィルムによると、優れた埋め込み性を示す。これに対して、フィラーの平均粒子径が本願発明範囲以下であって５０℃におけるフィルム粘度が本願発明範囲を超える比較例１のフィルムによると、埋め込み性が劣る。５０℃におけるフィルム粘度が本願発明範囲を超える比較例２のフィルムによると、埋め込み性が非常に劣る。１００℃におけるフィルム粘度が本願発明の範囲以下である比較例３のフィルムによると、得られる半導体装置の信頼性が劣る。シリカを含まず１００℃におけるフィルム粘度が本願発明範囲以下である比較例４のフィルムによると、得られる半導体装置の信頼性（半導体装置の評価）が非常に劣る。フィラー及び着色剤を含まない比較例５のフィルムによると、レーザーマーキング性が劣る。
本発明の封止用フィルムは、保護機能と充てん性を有し、半導体チップの保護及び充てんに用いられ、充てん時の流動性を制御することによってより充てん性に優れるため、種々の半導体装置、電子部品等に適用できるものである。

基材層１及び樹脂層２から形成された封止用フィルムの模式図である。 基材層１、樹脂層２及び保護層３から形成された封止用フィルムの模式図である。 封止用フィルムの樹脂層２側を突起状電極を有する半導体基板４にラミネートする工程の模式図である。 封止用フィルムで封止した突起状電極を有する半導体素子の模式図である。

符号の説明

１；基材層
２；樹脂層
３；保護層
４；突起状電極を有する半導体基板
５；突起状電極
６；はんだボール
７；突起状電極を有する半導体素子

Claims (8)

1. （Ａ）架橋性官能基を含む重量平均分子量が１０万以上かつＴｇが−５０〜５０℃である高分子量成分と、エポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性成分とを含む樹脂、
   （Ｂ）平均粒子径が１〜３０μｍのフィラー、及び
   （Ｃ）着色剤を含有し、
   Ｂステージ状態の熱硬化粘弾性測定における５０℃〜１００℃の粘度が１００００〜１０００００Ｐａ．ｓである樹脂層を備える封止用フィルム。
2. 前記樹脂層において、
   （Ａ）架橋性官能基を含む重量平均分子量が１０万以上かつＴｇが−５０〜５０℃である高分子量成分５〜８５重量％と、エポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性成分１５〜９５重量％とを含む樹脂１０重量部に対し、
   （Ｂ）平均粒子径が１〜３０μｍのフィラーを１〜３００重量部、及び
   （Ｃ）着色剤を０．０１〜１０重量部含有する請求項１記載の封止用フィルム。
3. さらに基材層を備え、前記基材層の厚さが５〜３００μｍであり、前記樹脂層の厚さが１０〜８００μｍである請求項１又は２に記載の封止用フィルム。
4. さらに基材層及び保護層を備え、前記基材層の厚さが５〜３００μｍであり、前記樹脂層の厚さが５〜５００μｍであり、前記保護層の厚さが５〜３００μｍであり、基材層／樹脂層／保護層の順で積層される請求項１又は２に記載の封止用フィルム。
5. 前記フィラーが無機フィラーである請求項１〜４のいずれかに記載の封止用フィルム。
6. 前記着色剤が白色以外のものである請求項１〜５のいずれかに記載の封止用フィルム。
7. 前記樹脂層の硬化後の３５℃での動的粘弾性測定装置における貯蔵弾性率が１００〜２００００ＭＰａである請求項１〜６のいずれかに記載の封止用フィルム。
8. 請求項１〜７のいずれかに記載の封止用フィルムを用いた半導体装置。

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