JP4682796B2 - 封止用シート - Google Patents

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Description

本発明は、半導体パッケージを樹脂封止することができ、かつ低出力レーザーで印字することが可能である封止用シートに関する。
従来から、電子機器の小型化・軽量化が進められており、これに伴い基板への高密度実装が要求され、電子機器に搭載する半導体パッケージの小型化、薄型化、軽量化が進められている。従来より、LOC(Lead On Chip)やQFP(Quad Flat Package)等と呼ばれるパッケージがあり、LOCやQFP等のパッケージよりも、さらに小型化・軽量化したCSP(Chip Size Package)やμBGA(Ball Grid Array)等のパッケージの開発が行われている。最近では、半導体素子の回路面が半導体配線基板側に向けられている、いわゆるフェイスダウン型パッケージであるフリップチップ、ウエハレベルCSPなどが開発されている。
上述したパッケージでは、固形のエポキシ樹脂封止材をトランスファー成形法により成形することで封止パッケージを得ていたが、パッケージが薄型あるいは、大型の場合の成形は、難しかった。また、無機フィラーの含有量が増大すると、一般にトランスファー成形時の溶融粘度が高くなり、成形物のボイドの残存、キヤビテイ充填不良、ワイヤフローおよびステージシフトの増大等が生じて成形物の品質が低下するなどの問題が発生する。
また近年、フリップチップやウエハレベルCSPなどで、突起状電極を有するものがあり、その突起部の保護及び突起間の充てんのため、封止材を使用することがあったが、固形のエポキシ樹脂封止材による成形は難しかった。そのため、エポキシ樹脂、無機フィラーを主体としたフィルム状の封止用シートが提案されている(例えば、特許文献1〜3参照)。
また、樹脂封止されたチップを含む半導体パッケージでは、封止樹脂の表面に品番等がレーザーマーキング法などにより印字されることがある。レーザーマーキング法とは、レーザー光により樹脂表面を削り取り印字を行う技術であるが、一般にシリカフィラーが主成分である封止樹脂では、レーザーマーキング時に高出力レーザーを用いる必要がある場合や、封止樹脂の黒色顔料配合比の最適化を行なう必要があるなど困難な点が多い。なお、特許文献1〜3に記載された封止用シートにおいて、レーザーマーキングにより印字するためには、無機フィラー、及び黒色顔料の配合比の最適化を行い、高出力レーザーでマーキングしなければならないという問題がある。
一方、チップ裏面の保護を目的とし、レーザーマーキング可能なチップ用保護膜形成シートなるものが知られている(例えば、特許文献4参照)。しかしながら、特許文献4に記載されたチップ用保護膜形成シートでは、半導体パッケージでの突起部の保護及び突起間の充填が困難であるという問題がある。
特開平5−283456号公報 特開平5−190697号公報 特開平8−73621号公報 特開2004−214288号公報
本発明は、上記のような従来技術に鑑みてなされたものであって、低出力でのレーザーマーキングが可能であるとともに、良好な耐リフロー性を有する封止用シートを提供することを目的としている。
請求項1記載の発明は、低出力でのレーザーマーキングが可能であるとともに、良好な耐リフロー性を有する封止用シートを提供するものである。
請求項記載の発明は、さらに品質安定性に優れた封止用シートを提供するものである。
請求項記載の発明は、さらにレーザーマーキング性に優れた封止用シートを提供するものである。
請求項記載の発明は、さらに樹脂封止性に優れた封止用シートを提供するものである。
請求項2〜3記載の発明は、請求項1の発明の効果を奏し、さらに樹脂封止性に優れた封止用シートを提供するものである。
請求項記載の発明は、請求項1の発明の効果を奏し、さらに作業性に優れた封止用シートを提供するものである。
本発明は、低出力でのレーザーマーキングが可能であるとともに、良好な耐リフロー性を有する封止用シートの提供を目的とする。
本発明の封止用シートは、架橋性官能基を有し、ガラス転移温度が−20℃以上20℃以下である第1の高分子量成分、エポキシ樹脂、硬化剤、フィラー及び着色剤を含有する第1の樹脂層と、熱硬化性成分、無機フィラー及び第2の高分子量成分を含有する第2の樹脂層と、を備え、架橋性官能基がエポキシ基であり、第1の高分子量成分がアクリル樹脂であり、第2の高分子量成分がエポキシ基を有するアクリル樹脂であり、熱硬化性成分がエポキシ樹脂と硬化剤とを含むものであり、第2の樹脂層において、無機フィラーの含有量が、第2の樹脂層全体の30〜80体積%であり、かつ、第2の高分子量成分の含有量が、熱硬化性成分100重量部に対して5〜30重量部であることを特徴とするものである。
かかる封止用シートによれば、第1の樹脂層に対してレーザー光を照射することにより、第1の樹脂層中の樹脂を低出力で昇華させて、当該樹脂層表面を削り取ることが可能であるとともに、印字された文字のコントラストを良好に保つように、削り取られた部分の凹凸性が保たれ、良好なレーザーマーキング性を得ることができる。また、第2の樹脂層が、上記含有量の範囲で無機フィラーを含有することにより、第2の樹脂層の低線膨張係数化が可能となり、良好なパッケージの接続信頼性が得られ、良好な耐リフロー性が得られる。また、第2の樹脂層が上記含有量の範囲で高分子量成分を含有することにより、無機フィラーを含む第2の樹脂層のフィルム化が可能である。
本発明の封止用シートにおいては、第1の樹脂層における第1の高分子量成分の架橋性官能基がエポキシ基であることが好ましく、第1の高分子量成分がアクリル樹脂であることが好ましい。
本発明の封止用シートにおいては、第1の樹脂層がエポキシ樹脂、硬化剤、フィラー及び着色剤を更に含有することが好ましい。
本発明の封止用シートにおいては、第2の樹脂層における無機フィラーがシリカフィラーであることが好ましく、熱硬化性成分がエポキシ樹脂と硬化剤とを含むものであることが好ましく、第2の高分子量成分の重量平均分子量が10万〜100万であることが好ましい。
本発明の封止用シートにおいては、第1の樹脂層と第2の樹脂層の片側、または両側に剥離シートを有することが好ましい。すなわち、第1の樹脂層における第2の樹脂層と反対側の面、及び、第2の樹脂層における第1の樹脂層と反対側の面の一方又は両方の面上に剥離シートを有することが好ましい。
本発明の封止用シートは、低出力でのレーザーマーキングが可能であるとともに、良好な耐リフロー性を有し、半導体素子を良好に樹脂封止することができる。よって、封止用シートを用いて半導体素子を封止し、かつレーザーマーキングを行う半導体パッケージにおいて非常に有用である。
以下、本発明について図面を参照しながら具体的に説明する。
図1は、本発明の封止用シートの好適な一実施形態を示す模式断面図である。本発明の封止用シートは、第1の樹脂層1と第2の樹脂層2とを積層してなり、第1の樹脂層1の上に剥離シート3を有し、必要に応じて第2の樹脂層2の上に剥離シート4を仮着してもよい。図2は、本発明の封止用シートを用いて作製した半導体パッケージの一例を示す模式断面図である。図1に示した本発明の封止用シートを用いて図2に示す半導体パッケージを作製する場合、まず、はんだボール6を介し、基板7上に、半導体素子5を接続する。次に、剥離シート4を取り除いた封止用シートを、半導体素子5の上部から熱圧着、樹脂封止を行い、剥離シート3を取り除くことで、半導体パッケージを作製することができる。
以下、各層の具体例について説明するが、本発明の封止用シートを構成する層は、これらに限定されるものではない。
(第1の樹脂層)
第1の樹脂層1は、架橋性官能基を有し、ガラス転移温度が−20℃以上20℃以下である第1の高分子量成分を含有してなる層である。
本発明で使用される第1の高分子量成分の重量平均分子量は、10万以上であることが好ましく、30万〜150万であることがより好ましく、50万〜100万であることが特に好ましい。重量平均分子量が10万以上あると、シート状またはフィルム状としたときの強度、可とう性、およびタック性が適当なものとなる。なお、本発明において、重量平均分子量とは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーで測定し、標準ポリスチレン検量線を用いて換算した値を示す。
このような第1の高分子量成分としては、ポリイミド樹脂、(メタ)アクリル樹脂、ウレタン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、変性ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ブタジエンゴム、アクリルゴム、ポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂等、及びそれらの混合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
その中でも、第1の高分子量成分であるアクリルゴム(ポリマー)などのガラス転移温度(以下「Tg」という)は、−20℃〜20℃であることが必要であり、特に−10℃〜10℃であることが好ましい。Tgが−20℃未満であるとレーザーマーキング性におけるコントラストが良好でなく、20℃を超えるとBステージ状態での第1の樹脂層1のタック性が不適当であり、取扱い性、接着性に問題を生じる可能性がある。また、モノマーを用い、アクリルゴム(ポリマー)などの第1の高分子量成分を製造する場合、その重合方法としては特に制限はなく、たとえば、パール重合、溶液重合などの方法を使用することができる。
また、第1の高分子量成分は架橋性官能基を有していることが必要である。本発明に関する架橋性官能基としては、エポキシ基、アミノ基などが挙げられるが、硬化特性からエポキシ基が好ましく、グリシジルメタクリレートなどのエポキシ基含有アクリルモノマーを上記重合方法で重合し、第1の高分子量成分にエポキシ基を導入することができる。
第1の樹脂層1における第1の高分子量成分の含有量は、第1の樹脂層1全量を基準として5〜80重量%であることが好ましく、10〜75重量%であることがより好ましく、15〜70重量%であることが特に好ましい。この含有量が5重量%未満であると、フィルムの可とう性が乏しくなる傾向にあり、80重量%を超えると、フィルムのタック性が不十分となる傾向にある。
第1の樹脂層1は、上述した第1の高分子量成分の他に、エポキシ樹脂、硬化剤、フィラー及び着色剤を更に含有することが好ましい。
本発明に関するエポキシ樹脂としては、ビスフェノールA型エポキシなどの二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂などを使用することができる。また、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂または脂環式エポキシ樹脂など、一般に知られているものを適用することができる。
ビスフェノールA型エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ株式会社製、商品名:エピコート807、815、825、827、828、834、1001、1004、1007、1009、ダウケミカル社製、商品名:DER−330、301、361、東都化成株式会社製、商品名:YD8125、YDF8170などが挙げられる。
フェノールノボラック型エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ株式会社製、商品名:エピコート152、154、日本化薬株式会社製、商品名:EPPN−201、ダウケミカル社製、商品名:DEN−438などが挙げられる。また、o−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、日本化薬株式会社製、商品名:EOCN−102S、103S、104S、1012、1025、1027、東都化成株式会社製、商品名:YDCN701、702、703、704などが挙げられる。
多官能エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ株式会社製、商品名:Epon 1031S、チバスペシャリティーケミカルズ社製、商品名:アラルダイト0163、ナガセ化成株式会社製、商品名:デナコールEX−611、614、614B、622、512、521、421、411、321などが挙げられる。アミン型エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ株式会社製、商品名:エピコート604、東都化成株式会社製、商品名:YH−434、三菱ガス化学株式会社製、商品名:TETRAD−X、TETRAD−C、住友化学工業株式会社製、商品名:ELM−120などが挙げられる。
複素環含有エポキシ樹脂としては、チバスペシャリティーケミカルズ社製、商品名:アラルダイトPT810等の、UCC社製、商品名:ERL4234、4299、4221、4206などが挙げられる。
これらエポキシ樹脂は、単独または2種類以上を組み合わせても、使用することができる。エポキシ樹脂を2種類以上組合せて使用する場合、軟化点が30℃超のエポキシ樹脂を含んでいても、これらの混合物である熱硬化性成分の軟化点が−40℃以上、30℃以下であれば使用することができる。
本発明に関する硬化剤は、通常用いられている公知の硬化剤を使用することができる。たとえば、アミン類、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフィド、三フッ化ホウ素、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールSのようなフェノール性水酸基を1分子中に2個以上有するビスフェノール類、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールAノボラック樹脂またはクレゾールノボラック樹脂などのフェノール樹脂などが挙げられる。
これらの中でも、特に吸湿時の耐電食性に優れる点で、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールAノボラック樹脂またはクレゾールノボラック樹脂などのフェノール樹脂が好ましい。好ましいフェノール樹脂系硬化剤としては、たとえば、大日本インキ化学工業株式会社製、商品名:フェノライトLF2882、フェノライトLF2822、フェノライトTD−2090、フェノライトTD−2149、フェノライトVH−4150、フェノライトVH4170、三井化学株式会社製、商品名:XLC−LL、XLC−4Lなどが挙げられる。
本発明に関する着色剤としては、例えば、カーボンブラック、黒鉛、チタンカーボン、二酸化マンガン、フタロシアニン系等の顔料及び染料を用いることができる。中でも、レーザーマーキングに使用されるレーザーは、YAGレーザーであることが多いため、着色剤としてYAGレーザーにより揮発し易いカーボンブラックを使用することが好ましく、山陽色素株式会社からJ−308、御国色素株式会社からCFブラックHGBK−02等の商品名で、分散処理を施し、分散剤や溶媒等をふくんだペースト状態で市販されている。中でも、カーボンブラックとしてC.I.Pigment Black 7を用いているJ−308が好ましい。
第1の樹脂層1における着色剤の含有量は、第1の樹脂層1全量を基準として0.1〜10重量%であることが好ましく、0.5〜2.0重量%であることがより好ましい。着色剤の含有量が0.1重量%未満になると、フィルムに色が付かずレーザーマーキング部の視認性が悪くなる傾向にあり、逆に、着色剤の含有量が10重量%を超すと、イオン性不純物の増加、フィルム延性の低下または半導体素子との接着強度の低下等の問題が発生してしまう傾向にある。
本発明における第1の樹脂層1は、上記の熱硬化性成分及び第1の高分子量成分等の他に、硬化促進剤、触媒、添加剤、カップリング剤等を更に含有していてもよい。本発明においては、上述した硬化剤とともに硬化促進剤を用いることが好ましく、硬化促進剤としては、各種イミダゾール類を用いることが好ましい。イミダゾールとしては、2−メチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテート等が挙げられる。イミダゾール類は、四国化成工業株式会社から、2E4MZ、2PZ−CN、2PZ−CNSという商品名で市販されているが、中でも2PZ−CNが好ましい。第1の樹脂層1における硬化促進剤の配合量は、接着剤の硬化を必要以上に進ませず、長期安定性を確保する観点から、第1の樹脂層1全量(第1の樹脂層1を形成するための樹脂ワニス中の固形分全量)を基準として0.01〜10重量%であることが好ましく、0.05〜5重量%であることがより好ましく、0.08〜1重量%であることが特に好ましい。
また、樹脂間の接着力を向上させるためにカップリング剤を用いることが好ましく、カップリング剤としては、シランカップリング剤が好ましい。シランカップリング剤としては、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、N−β−アミノエチル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。前記したシランカップリング剤は、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシランがNCU A−187、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシランがNCU A−189、γ−アミノプロピルトリエトキシシランがNCU A−1100、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシランがNCU A−1160、N−β−アミノエチル−γ−アミノプロピルトリメトキシシランがNCU A−1120という商品名で、いずれも日本ユニカー株式会社から市販されており、好適に使用することができる。中でも、A−1160とA−189が好ましい。第1の樹脂層1におけるカップリング剤の配合量は、添加による効果や耐熱性及びコストから、第1の樹脂層1全量(第1の樹脂層1を形成するための樹脂ワニス中の固形分全量)を基準として0.01〜10重量%であることが好ましく、0.1〜5重量%がより好ましく、0.5〜2重量%が特に好ましい。
また、樹脂層の強度向上、及びレーザーマーキング性を向上させるために、無機フィラーを用いることが好ましく、使用できる無機フィラーとしては、例えば、結晶性シリカ、非晶性シリカ、酸化アルミニウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素等が挙げられる。中でも汎用性からシリカフィラーがよく用いられる。シリカフィラーとしては日本アエロジル株式会社からR972、R972V、R972CF、株式会社アドマテックスからSO−E1、SO−E2、SO−E5、SO−C1、SO−C2、SO−C3、SO−C5、株式会社龍森からPLV−6、PLV−4、TFC−12、TFC−24、USV−5、USV−10の製品名で市販されている。無機フィラーの平均粒径は0.01〜20μmであることが好ましいが、粒径は細かすぎると溶液の増粘効果が大きく作業性の低下を生じる恐れがあり、また大きすぎると沈殿による分散不良の原因となることから、0.1〜10μmであることがより好ましく、0.2〜1μmであることが特に好ましい。
(第2の樹脂層)
第2の樹脂層2は、熱硬化性成分、無機フィラー及び第2の高分子量成分を含有してなる層である。
本発明において使用される第2の高分子量成分の重量平均分子量は、10万〜100万であることが好ましく、30万〜90万であることがより好ましく、50万〜80万であることが特に好ましい。重量平均分子量が10万以上あると、シート状またはフィルム状としたときの強度、可とう性、およびタック性が適当なものとなり、また、フロー性が適当なものとなるため配線の回路充填性が確保できる。なお、本発明において、重量平均分子量とは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーで測定し、標準ポリスチレン検量線を用いて換算した値を示す。
このような第2の高分子量成分としては、ポリイミド樹脂、(メタ)アクリル樹脂、ウレタン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、変性ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ブタジエンゴム、アクリルゴム、ポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂等、及びそれらの混合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
その中でも、第2の高分子量成分であるアクリルゴム(ポリマー)などのガラス転移温度(以下「Tg」という)は、−50℃以上、30℃以下であることが好ましい。Tgが−50℃以上であると、Bステージ状態での第2の樹脂層2のタック性が適当なものとなり、第2の樹脂層2が粘接着剤層として有効に機能し、取扱い性に問題を生じないからである。また、モノマーを用い、アクリルゴム(ポリマー)などの第2の高分子量成分を製造する場合、その重合方法としては特に制限はなく、たとえば、パール重合、溶液重合などの方法を使用することができる。
また、第2の樹脂層2における第2の高分子量成分の含有量は、第2の樹脂層2における熱硬化性成分100重量部に対して、5〜30重量部であることが必要である。この含有量が5重量部未満であると、硬化前のフィルムの強度が低く、またフィルムの伸びが小さくなり、取扱い性が低下する点で好ましくない。また、30重量部を超えると第2の高分子量成分が島状に相分離せず、連続相になり、流動性が低下するため、好ましくない。
また、本発明における第2の樹脂層2は、封止用フィルムの線膨張係数低減と機械的強度の向上を目的に、無機フィラーを第2の樹脂層2の全体積を基準として30〜80体積%含有している。無機フィラーとしては、室温(25℃)での線膨張係数が10ppm以下であるものが好ましい。使用できる無機フィラーとしては、例えば、結晶性シリカ、非晶性シリカ、酸化アルミニウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素等が挙げられる。中でも汎用性からシリカフィラーがよく用いられる。シリカフィラーとしては日本アエロジル株式会社からR972、R972V、R972CF、株式会社アドマテックスからSO−E1、SO−E2、SO−E5、SO−C1、SO−C2、SO−C3、SO−C5、株式会社龍森からPLV−6、PLV−4、TFC−12、TFC−24、USV−5、USV−10、電気化学工業株式会社からFBシリーズ、FBXシリーズ、FSシリーズの製品名で市販されている。無機フィラーの平均粒径は0.01〜70μmであることが好ましいが、粒径は細かすぎると溶液の増粘効果が大きく作業性の低下を生じる恐れがあり、また大きすぎると沈殿による分散不良の原因となることから、0.1〜50μmであることがより好ましく、0.2〜20μmであることが特に好ましい。また、無機フィラーの含有量は、第2の樹脂層2の全体積を基準として30〜80体積%とすることが必要であり、40〜78体積%とすることが好ましく、50〜75体積%とすることがより好ましい。無機フィラーの含有量が30体積%未満になると、線膨張係数が増大するため好ましくなく、無機フィラーの含有量が80体積%を超すと、第2の樹脂層2がもろくなり成形性が低下し、シリコンウエハとの接着強度の低下等の問題が発生する。
本発明における第2の樹脂層2に用いられる樹脂組成物の熱硬化性成分としては、軟化点が−40℃〜30℃であれば、特に制限はない。使用できる熱硬化性成分としては、エポキシ樹脂、シアネート樹脂及びフェノール樹脂、並びに、それらの硬化剤等が挙げられるが、耐熱性が高い点で、エポキシ樹脂が好ましい。エポキシ樹脂としては、ビスフェノールA型エポキシなどの二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂などを使用することができる。また、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂または脂環式エポキシ樹脂など、一般に知られているものを適用することができる。
ビスフェノールA型エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ株式会社製、商品名:エピコート807、815、825、827、828、834、1001、1004、1007、1009、ダウケミカル社製、商品名:DER−330、301、361、東都化成株式会社製、商品名:YD8125、YDF8170などが挙げられる。
フェノールノボラック型エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ株式会社製、商品名:エピコート152、154、日本化薬株式会社製、商品名:EPPN−201、ダウケミカル社製、商品名:DEN−438などが挙げられる。また、o−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、日本化薬株式会社製、商品名:EOCN−102S、103S、104S、1012、1025、1027、東都化成株式会社製、商品名:YDCN701、702、703、704などが挙げられる。
多官能エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ株式会社製、商品名:Epon 1031S、チバスペシャリティーケミカルズ社製、商品名:アラルダイト0163、ナガセ化成株式会社製、商品名:デナコールEX−611、614、614B、622、512、521、421、411、321などが挙げられる。アミン型エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ株式会社製、商品名:エピコート604、東都化成株式会社製、商品名:YH−434、三菱ガス化学株式会社製、商品名:TETRAD−X、TETRAD−C、住友化学工業株式会社製、商品名:ELM−120などが挙げられる。
複素環含有エポキシ樹脂としては、チバスペシャリティーケミカルズ社製、商品名:アラルダイトPT810等の、UCC社製、商品名:ERL4234、4299、4221、4206などが挙げられる。
これらエポキシ樹脂は、単独または2種類以上を組み合わせても、使用することができる。エポキシ樹脂を2種類以上組合せて使用する場合、軟化点が30℃超のエポキシ樹脂を含んでいても、これらの混合物である熱硬化性成分の軟化点が−40℃以上、30℃以下であれば使用することができる。
また、熱硬化性成分に含まれるエポキシ樹脂の硬化剤としては、通常用いられている公知の硬化剤を使用することができる。たとえば、アミン類、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフィド、三フッ化ホウ素、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールSのようなフェノール性水酸基を1分子中に2個以上有するビスフェノール類、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールAノボラック樹脂またはクレゾールノボラック樹脂などのフェノール樹脂などが挙げられる。
これらの中でも、特に吸湿時の耐電食性に優れる点で、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールAノボラック樹脂またはクレゾールノボラック樹脂などのフェノール樹脂が好ましい。好ましいフェノール樹脂系硬化剤としては、たとえば、大日本インキ化学工業株式会社製、商品名:フェノライトLF2882、フェノライトLF2822、フェノライトTD−2090、フェノライトTD−2149、フェノライトVH−4150、フェノライトVH4170などが挙げられる。
第2の樹脂層2における熱硬化性成分の含有量は、第2の樹脂層2全量を基準として5〜50重量%であることが好ましく、8〜45重量%であることがより好ましく、10〜40重量%であることが特に好ましい。この含有量が5重量%未満であると、硬化不足により十分な強度が得られない傾向にあり、45重量%を超えると、熱硬化時に硬化収縮による反りが生じやすくなる傾向にある。
また、第2の樹脂層2は、波長300〜1100nmの領域の光の透過率が10%以下であることが好ましく、そのためには微細な相分離構造を有し、不透明であることが好ましい。したがって第2の樹脂層2は、着色剤を含むことが好ましく、着色剤としては、例えば、カーボンブラック、黒鉛、チタンカーボン、二酸化マンガン、フタロシアニン系等の顔料及び染料を用いることができる。
また、本発明における第2の樹脂層2は、上記の熱硬化性成分、第2の高分子量成分及び無機フィラー等の他に、硬化促進剤、触媒、添加剤、カップリング剤等を更に含有していてもよい。本発明においては、上述した硬化剤とともに硬化促進剤を用いることが好ましく、硬化促進剤としては、各種イミダゾール類を用いることが好ましい。イミダゾールとしては、2−メチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテート等が挙げられる。イミダゾール類は、四国化成工業株式会社から、2E4MZ、2PZ−CN、2PZ−CNSという商品名で市販されているが、中でも2PZ−CNが好ましい。第2の樹脂層2における硬化促進剤の配合量は、接着剤の硬化を必要以上に進ませず、長期安定性を確保する観点から、第2の樹脂層2全量(第2の樹脂層2を形成するための樹脂ワニス中の固形分全量)を基準として0.01〜10重量%であることが好ましく、0.05〜5重量%であることがより好ましく、0.08〜1重量%であることが特に好ましい。
また、樹脂間の接着力を向上させるためにカップリング剤を用いることが好ましく、カップリング剤としては、シランカップリング剤が好ましい。シランカップリング剤としては、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、N−β−アミノエチル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。前記したシランカップリング剤は、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシランがNCU A−187、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシランがNCU A−189、γ−アミノプロピルトリエトキシシランがNCU A−1100、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシランがNCU A−1160、N−β−アミノエチル−γ−アミノプロピルトリメトキシシランがNCU A−1120という商品名で、いずれも日本ユニカー株式会社から市販されており、好適に使用することができる。中でも、A−187が好ましい。第2の樹脂層2におけるカップリング剤の配合量は、添加による効果や耐熱性及びコストから、第2の樹脂層2全量(第2の樹脂層2を形成するための樹脂ワニス中の固形分全量)を基準として0.01〜10重量%であることが好ましく、0.1〜5重量%がより好ましく、0.5〜2重量%が特に好ましい。
(第1の樹脂層、第2の樹脂層、及び封止用シートの作製方法)
本発明における第1の樹脂層1及び第2の樹脂層2は、基材層に、前記熱硬化性成分、前記高分子量成分、前記着色剤及び前記無機フィラー等の各樹脂層を形成するための材料を含む樹脂ワニスを塗工乾燥して作製することが好ましく、これに用いられる基材層としては、特に制限されることなく従来公知のものを使用することができる。なお、樹脂ワニスは、シクロヘキサノンなどの溶剤を加えて攪拌混合し、得ることができる。
用いられる基材層としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルム等が挙げられる。また、必要に応じて基材層の表面に、プライマー塗布、UV処理、コロナ放電処理、研磨処理、エッチング処理、離型処理等の表面処理を行っても良い。
基材層が粘着性を有していてもよく、また、基材層の片面に粘着剤層を設けても良い。また、粘着剤層は、低分子量成分(テルペン化合物等の粘着付与剤)とTgを調整した高分子量成分を含む適度なタック強度を有する樹脂ワニスを塗布乾燥することで形成可能である。
また、封止用シートに対し、保護フィルムを用いることが好ましく、保護フィルムとしては、例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルム等が挙げられる。また、必要に応じてプライマー塗布、UV処理、コロナ放電処理、研磨処理、エッチング処理、離型処理等の表面処理を行っても良い。なお、前記基材層を保護フィルムとして使用してもかまわないし、封止用シートの片面、すなわち基材層の反対側に保護フィルムを設置してもかまわない。封止用シートが、第1の樹脂層1における第2の樹脂層2と反対側の面上、及び、第2の樹脂層2における第1の樹脂層1と反対側の面上に、基材層又は保護フィルムを備える場合、封止用シートは、例えば図1に示す構成を有することとなる。このとき、図1中の剥離シート3及び4が、それぞれ基材層又は保護フィルムとなっている。
第1の樹脂層1及び第2の樹脂層2の厚みは、特に制限はないが、第1の樹脂層1の厚みは、3〜100μmであることが好ましく、5〜60μmであることがより好ましく、第2の樹脂層2の厚みは、5〜1000μmであることが好ましく、50〜500μmであることがより好ましく、100〜300μmであることが特に好ましい。第2の樹脂層2については、厚みが5μmより薄いと応力緩和効果が乏しくなる傾向があり、1000μmより厚いと経済的でなくなる上に、半導体パッケージの小型化の要求に応えられない。
本発明の封止用シートは、第1の樹脂層1及び第2の樹脂層2を別々に作製し、その後熱ラミネートにより貼り合せても良い。熱ラミネートの温度条件としては、20〜150℃が好ましく、第1の樹脂層1及び第2の樹脂層2の密着性、基材層の耐熱性の点から、60〜120℃がより好ましい。
(封止用シートの使用方法)
封止用シートの使用方法としては、従来の固形状または液状封止材が使用されていた用途と同様の方法が考えられる。例えば、図1に示した構成の封止用シートを使用する場合には、剥離シート4を剥離した封止用シートを、半導体チップや部品を実装した基板上に、第2の樹脂層2が基板側となるように熱板プレスやラミネータなどを使用して積層した後、加熱硬化し、剥離シート3をはく離する方法を取る。なお、剥離シート3をはく離した後、更に加熱硬化してもよい。上記方法により封止用シートを基板上に積層することで、半導体チップ周辺に空隙が残らないように積層することが可能である。しかし、高周波用途のフリップチップ実装の場合などは、半導体チップや部品の下部に、あえて空隙が残るように積層することも可能である。図2に示したのは、本発明の封止用フィルムを用いて、前記の方法により作製した半導体パッケージの断面である。
また、図3に示すように半導体チップの回路を形成していない面に、封止用シートを積層することも可能である。
通常、半導体パッケージには、製品を識別するためにロットナンバーやメーカー名などの識別情報を印字しており、製品がどのように作製されたかが判別できるようになっている。中でも、作業性、量産性の点で、レーザーマーキング法により印字を行うことが好ましい。レーザーマーキングに使用されるレーザーとしては、炭酸ガスレーザーとYAGレーザーとがあり、封止材にレーザーマーキングをする際には、レーザー波長がより短いYAGレーザーを使用することが好ましい。
以下、本発明の封止用フィルムについて、実施例により、具体的に説明するが、本発明は、これらに限定されるものではない。
(実施例1)
第1の樹脂層A−1を以下の手順で作製した。まず、熱硬化性成分(エポキシ樹脂)としてビスフェノールF型エポキシ樹脂(エポキシ当量:175、東都化成株式会社製のYDF−8170Cを使用)29重量部、及び、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量:220、東都化成株式会社製YDCN−703を使用)10重量部、熱硬化性成分(硬化剤)としてビスフェノールAノボラック樹脂(大日本インキ化学工業株式会社製のLF−2882を使用)27重量部、無機フィラーとしてシリカフィラー(株式会社アドマテックス製のSO−C2を使用)94重量部、着色剤としてカーボンブラック2重量部、第1の高分子量成分として、エポキシ基含有アクリルゴム(分子量:70万、Tg:−7℃、帝国化学産業株式会社製のHTR−860P−3)28重量部、硬化促進剤として1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール(キュアゾール2PZ−CNを使用)0.1重量部からなる成分に溶剤としてシクロヘキサノンを330重量部加えて攪拌混合し、樹脂ワニスを作製した。得られた樹脂ワニスを基材層である離型処理済みベースフィルム(帝人株式会社製ピューレックスA31)上に塗工し、90℃で2分間、次いで120℃で3分間乾燥して、厚み25μmの第1の樹脂層A−1を作製した。これにより、基材層と第1の樹脂層A−1とからなる積層体A−1を得た。
第2の樹脂層Bを以下の手順で作製した。まず、熱硬化性成分としてビスフェノールF型エポキシ樹脂(エポキシ当量175、東都化成株式会社製のYD−8170を使用)34重量部、及び、低吸水性フェノール樹脂(三井化学株式会社製XLC−LL使用)34重量部、無機フィラーとしてシリカフィラー(株式会社龍森製のTFC−24を使用)350重量部(第2の樹脂層Bの全体積を基準として70体積%)、着色剤としてカーボンブラック2重量部、第2の高分子量成分として、エポキシ基含有アクリルゴム(分子量:70万、Tg:−7℃、帝国化学産業株式会社製のHTR−860P−3)12重量部、硬化促進剤として1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール(キュアゾール2PZ−CNを使用)0.1重量部からなる成分に溶剤としてシクロヘキサノンを170重量部加えて攪拌混合し、樹脂ワニスを作製した。得られた樹脂ワニスを基材層である離型処理済みベースフィルム(帝人株式会社製ピューレックスA31)上に塗工し、90℃で2分間、次いで140℃で3分間乾燥して、厚み100μmの第2の樹脂層Bを作製した。これにより、基材層と第2の樹脂層Bとからなる積層体Bを得た。
上記で得られた積層体A−1と積層体Bとを、第1の樹脂層A−1と第2の樹脂層Bとが接するように80℃のヒートロールで挟み込み、熱ラミネートにより貼り合わせ、封止用シートを得た。
(実施例2)
第1の樹脂層A−2を以下の手順で作製した。まず、熱硬化性成分として、クレゾ−ルノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量220、東都化成株式会社製YDCN−703を使用)36重量部、及び、低吸水性フェノール樹脂(三井化学株式会社製XLC−LL使用)30重量部、無機フィラーとしてシリカフィラー(株式会社日本アエロジル製のR−972を使用)21重量部、着色剤としてカーボンブラック0.5重量部、第1の高分子量成分として、エポキシ基含有アクリルゴム(分子量:70万、Tg:−7℃、帝国化学産業株式会社製のHTR−860P−3)180重量部、硬化促進剤として1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール(キュアゾール2PZ−CNを使用)0.3重量部からなる成分に溶剤としてシクロヘキサノンを1500重量部加えて攪拌混合し、樹脂ワニスを作製した。得られた樹脂ワニスを基材層である離型処理済みベースフィルム(帝人株式会社製ピューレックスA31)上に塗工し、90℃で2分間、次いで120℃で3分間乾燥して、厚み25μmの第1の樹脂層A−2を作製した。これにより、基材層と第1の樹脂層A−2とからなる積層体A−2を得た。
実施例1と同様の手順で、基材層と第2の樹脂層Bとからなる積層体Bを得た。
上記で得られた積層体A−2と積層体Bとを、第1の樹脂層A−2と第2の樹脂層Bとが接するように80℃のヒートロールで挟み込み、熱ラミネートにより貼り合わせ、封止用シートを得た。
(比較例1〜6)
上記第1の樹脂層A−2における第1の高分子量成分として、エポキシ基含有アクリルゴム(分子量:70万、Tg:−7℃、帝国化学産業株式会社製のHTR−860P−3)の代わりに、アクリル樹脂C1(分子量:40万、Tg:−40℃、ブチルアクリレート−アクリロニトリル共重合体)、アクリル樹脂C2(分子量:25万、Tg:−25℃、帝国化学産業株式会社製のWS−032)、アクリル樹脂C3(分子量:20万、Tg:28℃、帝国化学産業株式会社製のSG−P−26)、アクリル樹脂C4(分子量:5万、Tg:80℃、アクリロニトリル−スチレン共重合体)、フェノキシ樹脂C5(分子量:4万、Tg:100℃、東都化成株式会社製のYP−50)をそれぞれ用いた以外は実施例2と同様にして、比較例1〜5の封止用シートを得た。また、第1の樹脂層A−2を有しない、第2の樹脂層Bのみで構成される封止用シート(すなわち、積層体B)を比較例6とした。
得られた封止用シートの、レーザーマーキング性、及び信頼性について、下記要領にて評価を行った。評価結果を表1に示す。
(レーザーマーキング性)
熱硬化後の封止用シートについて、基材層を剥離した後、第1の樹脂層を有する場合は第1の樹脂層側に、第1の樹脂層を有しない場合は第2の樹脂層側に、出力1.9、2.5、4.0、5.0、5.7J/パルスのYAGレーザーによりレーザーマーキングを行って視認性を確認した。なお、視認性の評価は以下の手順で行った。まず、レーザーマーキング後のフィルム表面をスキャナによって画像取り込みを行い、画像処理ソフト(Adobe社製PHOTOSHOP)によってマーキング部分及びその周りの非マーキング部分の2階調化を行う。この操作により、画像は明度によって白黒の256段階に分けられる。次に、マーキング部分が白く、非マーキング部分が黒く表示される明度(マーキング部分及び非マーキング部分の両方が白く表示されていた状態から、マーキング部分が白く、非マーキング部分が黒く表示されるようになる明度)をしきい値Aとし、マーキング部も黒く表示されマーキング部分/非マーキング部分の境界が無くなる明度をしきい値Bとし、しきい値Aとしきい値Bとの差が40以上である場合に視認性が良好であるとし(○)、その差が30以上40未満である場合に視認性がほぼ良好であるとし(△)、その差が30未満である場合に視認性が不良である(×)として評価を行った。
(信頼性)
熱硬化後の封止用シートについて、基材層を剥離した後、シリコンウェハに80℃、1.5kgf/cm、0.5m/minの条件で、第2の樹脂層がシリコンウェハと隣接するように熱ラミネートし、170℃で1時間熱硬化させた。次いで、85℃/85%RHの恒温恒湿槽に168時間放置し、その後IRリフロー装置により熱処理を行った後のデラミネーションなどの接着性に関わる状態を目視および顕微鏡にて観察し、耐リフロー性を評価した。封止用シートとシリコンウェハとの間での剥離、及び発泡の見られないものを良好(○)、見られるものを不良(×)として評価を行った。
Figure 0004682796

表1より、実施例1、2、比較例3、4、5は低出力レーザーマーキング性に優れることが分かった。また、実施例1、2、比較例1、2、6は良好な信頼性を示すことがわかった。以上から、実施例1、2が、低出力レーザーマーキング性、及び良好な信頼性の両方を満たすことが分かった。
本発明の封止用シートの一実施形態を示す模式断面図である。 本発明の封止用シート用いて作製した半導体パッケージの一例を示す模式断面図である。 本発明の封止用シート用いて作製した半導体パッケージの他の一例を示す模式断面図である。
符号の説明
1…第1の樹脂層、2…第2の樹脂層、3…第1の樹脂層側剥離シート、4…第2の樹脂層側剥離シート、5…半導体素子、6…はんだボール、7…基板。

Claims (4)

  1. 架橋性官能基を有し、ガラス転移温度が−20℃以上20℃以下である第1の高分子量成分、エポキシ樹脂、硬化剤、フィラー及び着色剤を含有する第1の樹脂層と、
    熱硬化性成分、無機フィラー及び第2の高分子量成分を含有する第2の樹脂層と、
    を備え、
    前記架橋性官能基がエポキシ基であり、
    前記第1の高分子量成分がアクリル樹脂であり、
    前記第2の高分子量成分がエポキシ基を有するアクリル樹脂であり、
    前記熱硬化性成分がエポキシ樹脂と硬化剤とを含むものであり、
    前記第2の樹脂層において、前記無機フィラーの含有量が、前記第2の樹脂層全体の30〜80体積%であり、かつ、前記第2の高分子量成分の含有量が、前記熱硬化性成分100重量部に対して5〜30重量部であることを特徴とする封止用シート。
  2. 前記無機フィラーがシリカフィラーである、請求項1に記載の封止用シート。
  3. 前記第2の高分子量成分の重量平均分子量が10万〜100万である、請求項1又は2に記載の封止用シート。
  4. 前記第1の樹脂層における前記第2の樹脂層と反対側の面、及び、前記第2の樹脂層における前記第1の樹脂層と反対側の面の一方又は両方の面上に剥離シートを有する、請求項1〜のうちのいずれか一項に記載の封止用シート。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220158705A (ko) 2020-03-26 2022-12-01 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 반도체 봉지용 이형 필름, 반도체 봉지용 마킹 필름, 반도체 패키지 및 반도체 패키지의 제조 방법
KR20220158704A (ko) 2020-03-26 2022-12-01 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 반도체 봉지용 마킹 필름, 반도체 봉지용 이형 필름, 반도체 패키지 및 반도체 패키지의 제조 방법

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5056350B2 (ja) * 2006-10-31 2012-10-24 日立化成工業株式会社 封止フィルム及びそれを用いた半導体装置
TW200837137A (en) 2007-01-26 2008-09-16 Hitachi Chemical Co Ltd Sealing film and semiconductor device using the same
JP5401819B2 (ja) * 2007-04-18 2014-01-29 日立化成株式会社 封止用フィルム及びそれを用いた半導体装置
JP5083070B2 (ja) * 2007-11-19 2012-11-28 日立化成工業株式会社 封止用フィルム
JP5428423B2 (ja) * 2008-04-21 2014-02-26 日立化成株式会社 半導体装置及びフィルム状接着剤
JP5426511B2 (ja) * 2009-11-30 2014-02-26 パナソニック株式会社 封止用エポキシ樹脂組成物シート及びこれを用いて封止した中空型デバイス
JP5821856B2 (ja) * 2010-11-18 2015-11-24 日立化成株式会社 多層樹脂シート及び樹脂シート積層体
JP6051630B2 (ja) * 2011-07-13 2016-12-27 味の素株式会社 半導体パッケージ
JP5918943B2 (ja) * 2011-08-10 2016-05-18 味の素株式会社 半導体パッケージの製造方法
JP2014142729A (ja) * 2013-01-23 2014-08-07 Renesas Electronics Corp 半導体装置の製造方法
JP2014179593A (ja) * 2013-02-15 2014-09-25 Nitto Denko Corp 半導体素子用封止シート、半導体装置及び半導体装置の製造方法
KR102177881B1 (ko) 2013-03-19 2020-11-12 린텍 가부시키가이샤 보호막 형성용 필름, 보호막을 구비한 칩 및 보호막을 구비한 칩의 제조 방법
JP2014209564A (ja) * 2013-03-28 2014-11-06 日東電工株式会社 熱硬化性封止用シート、及び、セパレータ付き熱硬化性封止用シート
JP6216180B2 (ja) * 2013-08-01 2017-10-18 日東電工株式会社 封止用シート、及び、当該封止用シートを用いた半導体装置の製造方法
JP6274784B2 (ja) * 2013-08-26 2018-02-07 日東電工株式会社 電子デバイス封止用樹脂シート及び電子デバイスパッケージの製造方法
JP2015128146A (ja) * 2013-11-28 2015-07-09 日東電工株式会社 中空封止用樹脂シート、及び、中空パッケージの製造方法
JP2015128147A (ja) * 2013-11-28 2015-07-09 日東電工株式会社 中空封止用樹脂シート、及び、中空パッケージの製造方法
KR102012443B1 (ko) * 2016-09-21 2019-08-20 삼성전자주식회사 팬-아웃 반도체 패키지
JP6933463B2 (ja) * 2016-12-28 2021-09-08 日東電工株式会社 樹脂シート
KR102232340B1 (ko) 2019-11-15 2021-03-26 한국생산기술연구원 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 수지의 조성물 및 이의 복합체

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003301148A (ja) * 2002-04-10 2003-10-21 Hitachi Chem Co Ltd 接着シートならびに半導体装置およびその製造方法
JP2004083602A (ja) * 2002-07-04 2004-03-18 Hitachi Chem Co Ltd 接着シート並びに半導体装置及びその製造方法
JP2004142430A (ja) * 2002-10-04 2004-05-20 Hitachi Chem Co Ltd 表面保護フィルム及びその製造方法
JP2005060584A (ja) * 2003-08-18 2005-03-10 Hitachi Chem Co Ltd 封止用フィルム

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02245055A (ja) * 1989-03-17 1990-09-28 Nippon Steel Chem Co Ltd 封止用樹脂組成物
JP3288185B2 (ja) * 1994-10-07 2002-06-04 日立化成工業株式会社 電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料及びそれを用いた半導体装置
JP3915940B2 (ja) * 1997-06-10 2007-05-16 日立化成工業株式会社 絶縁層用接着フィルム

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003301148A (ja) * 2002-04-10 2003-10-21 Hitachi Chem Co Ltd 接着シートならびに半導体装置およびその製造方法
JP2004083602A (ja) * 2002-07-04 2004-03-18 Hitachi Chem Co Ltd 接着シート並びに半導体装置及びその製造方法
JP2004142430A (ja) * 2002-10-04 2004-05-20 Hitachi Chem Co Ltd 表面保護フィルム及びその製造方法
JP2005060584A (ja) * 2003-08-18 2005-03-10 Hitachi Chem Co Ltd 封止用フィルム

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220158705A (ko) 2020-03-26 2022-12-01 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 반도체 봉지용 이형 필름, 반도체 봉지용 마킹 필름, 반도체 패키지 및 반도체 패키지의 제조 방법
KR20220158704A (ko) 2020-03-26 2022-12-01 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 반도체 봉지용 마킹 필름, 반도체 봉지용 이형 필름, 반도체 패키지 및 반도체 패키지의 제조 방법

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