JP5083070B2 - 封止用フィルム - Google Patents
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Description
フィラー(B)1〜300重量部、
ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂またはこれらの前駆体から選ばれる少なくとも一種の熱可塑性樹脂(C)0.1〜200重量部とを含有する樹脂層を有することを特徴とする封止用フィルムに関する。
また、本発明は、(6)前記樹脂層の硬化後の35℃での動的粘弾性測定装置における貯蔵弾性率が200〜6000MPaである前記(1)〜(5)のいずれか一項に記載の封止用フィルムに関する。
前記封止用フィルム付き電子部品用基板から基材層をはく離して、樹脂層付き電子部品用基板を得る工程、
前記樹脂層付き電子部品用基板の樹脂層封止側と反対側にダイシングテープをラミネートしてダイシングテープ付き電子部品用基板を得る工程、
前記ダイシングテープ付き電子部品用基板をダイシングして、所定の大きさのダイシングテープ付き電子部品を得る工程、
ダイシングテープ付き電子部品からダイシングテープをはく離して、樹脂層付き電子部品を得る工程を含む電子部品の製造法に用いられる前記(1)〜(6)のいずれか一項に記載の封止用フィルムに関する。
本発明の樹脂(A)は、架橋性官能基を含む重量平均分子量が10万以上かつTg(ガラス転移温度)が−50〜50℃である高分子量成分(A1)15〜85重量%及びエポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性成分(A2)85〜15重量%を含むものである。前記高分子量成分(A1)が、15重量%未満では封止用フィルムの高温高湿環境下における信頼性が低下し、85重量%を超えると封止用フィルムの高温高湿環境下における信頼性及び耐薬品性に劣る。前記樹脂(A)は、前記高分子量成分(A1)15〜80重量%及び熱硬化性成分(A2)85〜20重量%を含むものであることが好ましく、前記高分子量成分(A1)20〜80重量%及び熱硬化性成分(A2)80〜20重量%を含むものであることがより好ましく、前記高分子量成分(A1)20〜75重量%及び熱硬化性成分(A2)80〜25重量%を含むものであることが特に好ましい。
本発明における高分子量成分(A1)は、架橋性官能基を含む重量平均分子量が10万以上かつTgが−50〜50℃である高分子量成分である。
本発明における熱硬化性成分(A2)は、エポキシ樹脂を主成分とするものであり、熱により硬化して接着作用を有するものであれば特に限定されない。熱硬化性成分(A2)中のエポキシ樹脂の含有量は、60〜100重量%であることが好ましい。
本発明のフィラー(B)は、特に制限が無されないが、無機フィラーであることが好ましく、例えば、結晶性シリカ、非晶性シリカ、酸化アルミニウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素等を使用することができる。
本発明の熱可塑性樹脂(C)は、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂またはこれらの前駆体から選ばれる少なくとも一種の熱可塑性樹脂であり、なかでも、室温で極性溶媒に可溶なポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂またはこれらの前駆体が好ましく、室温で極性溶媒に可溶なポリアミドイミド樹脂又はその前駆体がより好ましく、室温で極性溶媒に可溶なポリアミドイミド樹脂が特に好ましい。なお、本発明における室温とは、25℃をいう。
前記熱可塑性樹脂(C)は、ジアミン類と、ジカルボン酸、ジカルボン酸の反応性酸誘導体、トリカルボン酸、トリカルボン酸の反応性酸誘導体、テトラカルボン酸及びテトラカルボン酸の反応性酸誘導体から選ばれる少なくとも一種の酸化合物とを反応させて得られるものであり、室温での極性溶媒への溶解性を考慮すると、下記一般式(I)で表される芳香族ジアミンを含有するジアミン類と上記酸化合物とを反応させて得られるものであることが好ましい。
前記R1、R2、R3、及びR4は、それぞれ独立に水素原子;メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ターシャリーブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基などの炭素数1〜9のアルキル基;メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ターシャリーブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基など炭素数1〜9のアルコキシ基;又は塩素、臭素、沃素、フッ素などのハロゲン原子のいずれかであり、Xは、単結合(すなわちビフェニル)、−O−、−S−、−SO2−、−C(=O)−、−S(=O)−、あるいは前記式(Ia)で表される基のいずれかである。式(Ia)中、R5及びR6はそれぞれ独立に水素原子;メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソブチル基、ペンチル基などのアルキル基;トリフルオロメチル基、トリクロロメチル基、塩素、臭素、沃素、フッ素などのハロゲン原子又はフェニル基のいずれかである。前記一般式(I)で表される芳香族ジアミンの具体例としては、2,2−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン、2,2−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス〔3−メチル−4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン、2,2−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕ブタン、2,2−ビス〔3−メチル−4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕ブタン、2,2−ビス〔3,5−ジメチル−4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕ブタン、2,2−ビス〔3,5−ジブロモ−4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕ブタン、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2,2−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2,2−ビス〔3−メチル−4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン、1,1−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕シクロヘキサン、1,1−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕シクロペンタン、ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕スルホン、ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕エーテル、4,4’−カルボニルビス(p−フェニレンオキシ)ジアニリン、4,4’−ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル等が挙げられるが、これらの中でも2,2−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパンが最も好ましい。
本発明の熱可塑性樹脂(C)のうちポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂またはこれらの前駆体が、室温で可溶な極性溶媒としては、特に制限が無く、例えば、N−メチルピロリドン、ジメチルアセドアミド、ジメチルホルムアミド、1,3−ジメチルテトラヒドロ−2(1H)−ピリミジノン等の含窒素化合物;スルホラン、ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシド、ジメチルスルホン等の含硫黄化合物;γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、γ−カプロラクトン、γ−ヘプタラクトン、α−アセチル−γ−ブチロラクトン、ε−カプロラクトン等のラクトン類;酢酸セロソルブなどのエステル類;メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、アセトフェノン等のケトン類;エチレングリコール、グリセリン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジプロピルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールジプロピルエーテル、トリエチレングリコールジブチルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジエチルエーテル、テトラエチレングリコールジプロピルエーテル、テトラエチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、テトラエチレングリコールモノメチルエーテル、テトラエチレングリコールモノエチルエーテル等のエーテル類;トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類;等が挙げられる。これらは単独で又は2種類以上組み合わせて使用することができる。
本発明における樹脂層は、上記樹脂(A)、フィラー(B)および熱可塑性樹脂(C)以外に、必要に応じて着色剤やカップリング剤等の添加剤を含んでいてもよい。
工程(I)では、電子部品用基板の回路面に、基材層と樹脂層を有する封止用フィルムの樹脂層面が接するよう封止用フィルムをラミネートして封止用フィルム付き電子部品用基板を得る。この際、保護層を有する封止用フィルムを用いる場合は、保護層をはく離除去した後、電子部品用基板の回路面に、封止用フィルムの樹脂層面が接するようラミネートする。ラミネート温度は、180℃以下であることが好ましく、140℃以下であることがより好ましく、120℃以下であることが好ましい。
温度計、撹拌機、窒素導入管、油水分離機付き冷却管を取り付けた0.5リットルの4つ口フラスコに窒素気流下、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン45.92g(112ミリモル)を入れ、N−メチル−2−ピロリドン50gを加えて溶解した。次に20℃を超えない様に冷却しながら無水トリメリット酸クロライド23.576g(112ミリモル)を加えた。室温(25℃)で1時間撹拌した後、20℃を超えない様に冷却しながらトリエチルアミン13.5744g(134.4ミリモル)を加えて、室温(25℃)で3時間反応させてポリアミック酸ワニスを製造した。得られたポリアミック酸ワニスを更に190℃で脱水反応を6時間行い、ポリアミドイミド樹脂のワニスを製造した。このポリアミドイミド樹脂のワニスを水に注いで得られる沈殿物を分離、粉砕、乾燥して一旦粉末化し、重量平均分子量60,000のポリアミドイミド樹脂(PAI−1)を得た。得られたポリアミドイミド樹脂(PAI−1)は、室温でシクロヘキサノンに溶解した。
ビスフェノールF型エポキシ樹脂(東都化成株式会社製商品名:YD−8170C、エポキシ当量:160)30重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(東都化成株式会社製商品名:YDCN−703、エポキシ当量:210)10重量部、フェノールノボラック樹脂(大日本インキ化学工業株式会社製商品名:プライオーフェンLF4871)27重量部、エポキシ基含有アクリルゴム(ナガセケムテックス株式会社製商品名:HTR−860P−3DR、重量平均分子量:80万、Tg:−7℃)28重量部、1−シアノ−1−フェニルイミダゾール(四国化成工業株式会社製商品名:キュアゾール2PZ−CN)0.1重量部、シリカフィラー(アドマファイン株式会社製商品名:SO−C2、比重:2.2g/cm3)95重量部、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン(日本ユニカー社製商品名:A−189)0.25重量部、γ−ウレイドプロピルトリメトキシシラン(日本ユニカー社製商品名:A−1160)0.25重量部及び合成例1で得られたポリアミドイミド樹脂(PAI−1)19重量部からなる組成物にシクロヘキサノンを加えて攪拌混合し、真空脱気して不揮発分約30重量%のワニスを得た。なお、不揮発分(NV)の測定方法は下記の通りとした。加熱乾燥は、170で1時間行なった。
得られたワニスを基材層(帝人デュポンフィルム株式会社製商品名:ピューレックスA53、表面離型処理ポリエチレンテレフタレートフィルム、膜厚:38μm)上に塗布し、90℃、5分間及び110℃、5分間加熱乾燥して、膜厚が30μmの塗膜とし、Bステージ状態の封止用フィルム(A)を得た。
ビスフェノールF型エポキシ樹脂(東都化成株式会社製商品名:YD−8170C、エポキシ当量:160)30重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(東都化成株式会社製商品名:YDCN−703、エポキシ当量:210)10重量部、フェノールノボラック樹脂(大日本インキ化学工業株式会社製商品名:プライオーフェンLF4871)27重量部、エポキシ基含有アクリルゴム(ナガセケムテックス株式会社製商品名:HTR−860P−3DR、重量平均分子量:80万、Tg:−7℃)28重量部、1−シアノ−1−フェニルイミダゾール(四国化成工業株式会社製商品名:キュアゾール2PZ−CN)0.1重量部、シリカフィラー(アドマファイン株式会社製商品名:SO−C2、比重:2.2g/cm3)50重量部、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン(日本ユニカー社製商品名:A−189)0.25重量部、γ−ウレイドプロピルトリメトキシシラン(日本ユニカー社製商品名:A−1160)0.25重量部及び合成例1で得られたポリアミドイミド樹脂(PAI−1)15重量部からなる組成物にシクロヘキサノンを加えて攪拌混合し、真空脱気して不揮発分約30重量%のワニスを得た。
ビスフェノールF型エポキシ樹脂(東都化成株式会社製商品名:YD−8170C、エポキシ当量:160)30重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(東都化成株式会社製商品名:YDCN−703、エポキシ当量:210)10重量部、フェノールノボラック樹脂(大日本インキ化学工業株式会社製商品名:プライオーフェンLF4871)27重量部、エポキシ基含有アクリルゴム(ナガセケムテックス株式会社製商品名:HTR−860P−3DR、重量平均分子量:80万、Tg:−7℃)28重量部、1−シアノ−1−フェニルイミダゾール(四国化成工業株式会社製商品名:キュアゾール2PZ−CN)0.1重量部、シリカフィラー(アドマファイン株式会社製商品名:SO−C2、比重:2.2g/cm3)24重量部、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン(日本ユニカー社製商品名:A−189)0.25重量部、γ−ウレイドプロピルトリメトキシシラン(日本ユニカー社製商品名:A−1160)0.25重量部及び合成例1で得られたポリアミドイミド樹脂(PAI−1)12重量部からなる組成物にシクロヘキサノンを加えて攪拌混合し、真空脱気して不揮発分約30重量%のワニスを得た。
ビスフェノールF型エポキシ樹脂(東都化成株式会社製商品名:YD−8170C、エポキシ当量:160)30重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(東都化成株式会社製商品名:YDCN−703、エポキシ当量:210)10重量部、フェノールノボラック樹脂(大日本インキ化学工業株式会社製商品名:プライオーフェンLF4871)27重量部、エポキシ基含有アクリルゴム(ナガセケムテックス株式会社製商品名:HTR−860P−3DR、重量平均分子量:80万、Tg:−7℃)28重量部、1−シアノ−1−フェニルイミダゾール(四国化成工業株式会社製商品名:キュアゾール2PZ−CN)0.1重量部、シリカフィラー(アドマファイン株式会社製商品名:SO−C2、比重:2.2g/cm3)275.5重量部、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン(日本ユニカー社製商品名:A−189)0.25重量部、γ−ウレイドプロピルトリメトキシシラン(日本ユニカー社製商品名:A−1160)0.25重量部及び合成例1で得られたポリアミドイミド樹脂(PAI−1)37.05重量部からなる組成物にシクロヘキサノンを加えて攪拌混合し、真空脱気して不揮発分約30重量%のワニスを得た。
ビスフェノールF型エポキシ樹脂(東都化成株式会社製商品名:YD−8170C、エポキシ当量:160)30重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(東都化成株式会社製商品名:YDCN−703、エポキシ当量:210)10重量部、フェノールノボラック樹脂(大日本インキ化学工業株式会社製商品名:プライオーフェンLF4871)27重量部、エポキシ基含有アクリルゴム(ナガセケムテックス株式会社製商品名:HTR−860P−3DR、重量平均分子量:80万、Tg:−7℃)28重量部、1−シアノ−1−フェニルイミダゾール(四国化成工業株式会社製商品名:キュアゾール2PZ−CN)0.1重量部、シリカフィラー(アドマファイン株式会社製商品名:SO−C2、比重:2.2g/cm3)2.8重量部、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン(日本ユニカー社製商品名:A−189)0.25重量部、γ−ウレイドプロピルトリメトキシシラン(日本ユニカー社製商品名:A−1160)0.25重量部及び合成例1で得られたポリアミドイミド樹脂(PAI−1)9.8重量部からなる組成物にシクロヘキサノンを加えて攪拌混合し、真空脱気して不揮発分約30重量%のワニスを得た。
ビスフェノールF型エポキシ樹脂(東都化成株式会社製商品名:YD−8170C、エポキシ当量:160)30重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(東都化成株式会社製商品名:YDCN−703、エポキシ当量:210)10重量部、フェノールノボラック樹脂(大日本インキ化学工業株式会社製商品名:プライオーフェンLF4871)27重量部、エポキシ基含有アクリルゴム(ナガセケムテックス株式会社製商品名:HTR−860P−3DR、重量平均分子量:80万、Tg:−7℃)28重量部、1−シアノ−1−フェニルイミダゾール(四国化成工業株式会社製商品名:キュアゾール2PZ−CN)0.1重量部、シリカフィラー(アドマファイン株式会社製商品名:SO−C2、比重:2.2g/cm3)95重量部、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン(日本ユニカー社製商品名:A−189)0.25重量部、γ−ウレイドプロピルトリメトキシシラン(日本ユニカー社製商品名:A−1160)0.25重量部及び合成例1で得られたポリアミドイミド樹脂(PAI−1)0.5重量部からなる組成物にシクロヘキサノンを加えて攪拌混合し、真空脱気して不揮発分約30重量%のワニスを得た。
ビスフェノールF型エポキシ樹脂(東都化成株式会社製商品名:YD−8170C、エポキシ当量:160)30重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(東都化成株式会社製商品名:YDCN−703、エポキシ当量:210)10重量部、フェノールノボラック樹脂(大日本インキ化学工業株式会社製商品名:プライオーフェンLF4871)27重量部、エポキシ基含有アクリルゴム(ナガセケムテックス株式会社製商品名:HTR−860P−3DR、重量平均分子量:80万、Tg:−7℃)28重量部、1−シアノ−1−フェニルイミダゾール(四国化成工業株式会社製商品名:キュアゾール2PZ−CN)0.1重量部、シリカフィラー(アドマファイン株式会社製商品名:SO−C2、比重:2.2g/cm3)95重量部、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン(日本ユニカー社製商品名:A−189)0.25重量部、γ−ウレイドプロピルトリメトキシシラン(日本ユニカー社製商品名:A−1160)0.25重量部及び合成例1で得られたポリアミドイミド樹脂(PAI−1)152重量部からなる組成物にシクロヘキサノンを加えて攪拌混合し、真空脱気して不揮発分約30重量%のワニスを得た。
実施例1においてシリカフィラー(アドマファイン株式会社製商品名:SO−C2、比重:2.2g/cm3)を配合しないこと以外は実施例1と全く同様の操作を行い、Bステージ状態の封止用フィルム(H)を得た。
実施例1において合成例1で得られたポリアミドイミド樹脂(PAI−1)を配合しないこと以外は実施例1と全く同様の操作を行い、Bステージ状態の封止用フィルム(I)を得た。
実施例1において合成例1で得られたポリアミドイミド樹脂(PAI−1)を200重量部にしたこと以外は実施例1と全く同様の操作を行い、Bステージ状態の封止用フィルム(J)を得た。
実施例1においてエポキシ基含有アクリルゴム(ナガセケムテックス株式会社製商品名:HTR−860P−3DR、重量平均分子量:80万、Tg:−7℃)を10重量部にしたこと以外は実施例1と全く同様の操作を行い、Bステージ状態の封止用フィルム(K)を得た。
実施例1においてエポキシ基含有アクリルゴム(ナガセケムテックス株式会社製商品名:HTR−860P−3DR、重量平均分子量:80万、Tg:−7℃)を385重量部にしたこと以外は実施例1と全く同様の操作を行い、Bステージ状態の封止用フィルム(L)を得た。
実施例1においてシリカフィラー(アドマファイン株式会社製商品名:SO−C2、比重:2.2g/cm3)を300重量部にしたこと以外は実施例1と全く同様の操作を行い、Bステージ状態の封止用フィルム(M)を得た。
実施例1〜7、比較例1〜6で作製した封止用フィルム(A)〜(M)について以下のとおり評価を行なった。
(1)Tg(ガラス転移温度)
各封止用フィルムを170℃で1時間硬化後、動的粘弾性スペクトロメーター(レオロジー社製、DVE−4型)により、周波数10Hz、昇温速度2℃/分の条件でTgを測定した。
(2)熱分解開始温度
示差熱天秤(セイコーインスツルメント株式会社製、SSC5200型)により、昇温速度10℃/分、空気雰囲気下の条件で熱分解開始温度を測定した。
各封止用フィルムを170℃で1時間硬化後、動的粘弾性スペクトロメーター(レオロジー社製、DVE−4型)により、貯蔵弾性率(35℃、10Hz)を測定した。
各封止用フィルムの樹脂層を300μm厚のシリコンウエハ鏡面にホットロールラミネータ(大成ラミネーター株式会社製商品名、VA−400III型)を使用して貼付け(ラミネート条件:80℃、0.2MPa、0.5m/分)、封止用フィルム付きシリコンウエハを得た後、基材層をはく離して樹脂層封止側と反対側にダイシングテープ(古河電気工業株式会社商品名:UC−3004M−80)を貼付けた後、ダイシングカッターを用いて7mm×7mm角にダイシング、さらに洗浄、乾燥を行い、ダイシングテープを剥離して、樹脂層付き半導体素子を得た。
各封止用フィルム(5mm×5mm)を図6の(a)及び(b)に示す構造の実験基板にホットロールラミネータ(大成ラミネーター株式会社製商品名、VA−400III型)を使用して貼付けて(ラミネート条件:80℃、0.2MPa、0.5m/分)、封止用フィルム付き基板を作製した。この封止用フィルム付き基板をフラックス(太陽電気産業株式会社製、BS−10、無酸タイプ、グリース状、溶剤無し)に220℃で1時間浸漬し、封止用フィルムのフラックス透過性を評価した。なお、上記基板50個で評価し、フラックスが封止用フィルムを透過した基板の個数によって下記のように判断した。実用上問題ないものは◎又は○である。
〇:フラックスが封止用フィルムを透過した基板が1個以上10個未満
△:フラックスが封止用フィルムを透過した基板が10個以上50個未満
×:フラックスが封止用フィルムを透過した基板が50個
(6)耐PCT性
各封止用フィルム(5mm×5mm)を図6の(a)及び(b)に示す構造の実験基板にホットロールラミネータ(大成ラミネーター株式会社製商品名、VA−400III型)を使用して貼付けて(ラミネート条件:80℃、0.2MPa、0.5m/分)、封止用フィルム付き基板を作製した。この封止用フィルム付き基板10個を飽和PCT(121℃、0.2MPa、湿度100%)中に48時間投入し、封止用フィルムが剥がれた基板の個数で高温高湿環境下での信頼性を評価した(例:封止用フィルムが剥がれた基板が5個の場合は、「5/10」と表す。)。
2:樹脂層
3:保護層
4:基材
Claims (8)
- 架橋性官能基を含む重量平均分子量が10万以上かつTgが−50〜50℃である高分子量成分(A1)15〜85重量%及びエポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性成分(A2)85〜15重量%を含む樹脂(A)100重量部に対し、
フィラー(B)1〜300重量部と、
ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂またはこれらの前駆体から選ばれる少なくとも一種の熱可塑性樹脂(C)0.1〜200重量部とを含有する樹脂層を有し、
前記高分子量成分(A1)が、エポキシ基含有(メタ)アクリル共重合体であり、
前記熱可塑性樹脂(C)が、下記一般式(I)で表される芳香族ジアミンを含有するジアミン類と、ジカルボン酸、ジカルボン酸の反応性酸誘導体、トリカルボン酸、トリカルボン酸の反応性酸誘導体、テトラカルボン酸及びテトラカルボン酸の反応性酸誘導体から選ばれる少なくとも一種の酸化合物とを反応させて得られるものであることを特徴とする封止用フィルム。
(式(I)中、R1、R2、R3及びR4はそれぞれ独立に水素原子、炭素数1〜9のアルキル基、炭素数1〜9のアルコキシ基又はハロゲン原子のいずれかであり、Xは単結合、−O−、−S−、−SO2−、−C(=O)−、−S(=O)−、あるいは下記式(Ia)で表される基のいずれかである。)
(式(Ia)中、R5及びR6はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、トリフルオロメチル基、トリクロロメチル基、ハロゲン原子又はフェニル基のいずれかである。) - 前記樹脂層の片面に厚さ5〜600μmの基材層を有し、かつ前記樹脂層の厚さが1〜600μmである請求項1記載の封止用フィルム。
- 前記樹脂層の一方の面に厚さ5〜600μmの基材層を有し、前記樹脂層の他方の面に厚さ5〜300μmの保護層を有し、かつ前記樹脂層の厚さが1〜600μmである請求項1記載の封止用フィルム。
- 前記フィラー(B)が無機フィラーである請求項1〜3のいずれか一項に記載の封止用フィルム。
- 前記一般式(I)で表される芳香族ジアミンが、2,2−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン、2,2−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス〔3−メチル−4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン、2,2−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕ブタン、2,2−ビス〔3−メチル−4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕ブタン、2,2−ビス〔3,5−ジメチル−4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕ブタン、2,2−ビス〔3,5−ジブロモ−4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕ブタン、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2,2−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2,2−ビス〔3−メチル−4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン、1,1−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕シクロヘキサン、1,1−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕シクロペンタン、ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕スルホン、ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕エーテル、4,4’−カルボニルビス(p−フェニレンオキシ)ジアニリン及び4,4’−ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニルのうちの少なくともいずれか一つである請求項1〜4のいずれか一項に記載の封止用フィルム。
- 前記樹脂層の硬化後の35℃での動的粘弾性測定装置における貯蔵弾性率が200〜6000MPaである請求項1〜5のいずれか一項に記載の封止用フィルム。
- 電子部品用基板の回路面に、基材層と樹脂層を有する封止用フィルムの樹脂層面が接するよう封止用フィルムをラミネートして封止用フィルム付き電子部品用基板を得る工程、
前記封止用フィルム付き電子部品用基板から基材層をはく離して、樹脂層付き電子部品用基板を得る工程、
前記樹脂層付き電子部品用基板の樹脂層封止側と反対側にダイシングテープをラミネートしてダイシングテープ付き電子部品用基板を得る工程、
前記ダイシングテープ付き電子部品用基板をダイシングして、所定の大きさのダイシングテープ付き電子部品を得る工程、
ダイシングテープ付き電子部品からダイシングテープをはく離して、樹脂層付き電子部品を得る工程を含む電子部品の製造法に用いられる封止用フィルムであって、
前記封止用フィルム付き電子部品用基板を得る工程における封止用フィルムが、請求項2〜6のいずれか一項に記載の封止用フィルムである封止用フィルム。 - 前記電子部品用基板の回路面が中空構造を有していることを特徴とする請求項7記載の封止用フィルム。
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