KR20090027612A - 봉지용 필름, 및 그것을 이용한 반도체장치 - Google Patents

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KR20090027612A
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히로유키 카와카미
카츠야스 니이지마
나오키 토모리
다이치 타케모리
타쿠야 이마이
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히다치 가세고교 가부시끼가이샤
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Abstract

하기 (A), (B) 및 (C)를 함유하고, 80℃에서의 플로우량이 150~1800μm인 수지층을 가지는 봉지 필름으로서, 충전성 및 밀착성이 뛰어난 봉지 필름, 그 제조방법 및 그것을 이용한 반도체장치를 제공한다.
(A) 가교성 관능기를 포함하고, 중량 평균 분자량이 10만 이상이고 또한 Tg가 -50~50℃인 고분자량 성분(a1)과, 에폭시 수지를 주성분으로 하는 열경화성 성분(a2)을 포함하는 (A) 수지 성분, (B) 평균 입경이 1~30μm인 필러,
(C) 착색제.
또는, 상기 (A), 상기 (B) 및 (C)를 함유하고, B 스테이지 상태의 필름의 열경화 점탄성 측정에 있어서 50~100℃의 점도가 10000~100000Paㆍs인 수지층을 가지는 봉지용 필름으로서, 밀착성, 형상 유지성이 뛰어난 봉지용 필름, 및 그것을 이용한 반도체장치를 제공한다.

Description

봉지용 필름, 및 그것을 이용한 반도체장치{FILM FOR SEALING AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME}
본 발명은, 충전성 및 밀착성이 뛰어난 봉지 필름 및 그것을 이용한 반도체장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은, 보호기능과 충전성을 가지고, 반도체칩의 보호 및 충전에 이용되고, 충전시의 유동성을 제어하는 것에 의해서 보다 충전성, 밀착성, 형상 유지성이 뛰어난 봉지용 필름, 및 그것을 이용한 반도체장치에 관한 것이다.
종래부터, 전자기기의 소형화ㆍ경량화가 진행되고 있고, 이에 수반하여 기판으로의 고밀도 실장이 요구되고, 전자기기에 탑재하는 반도체패키지의 소형화, 박형화, 경량화가 진행되고 있다. 종래부터, LOC(Lead On Chip)나 QFP(Quad Flat Package) 등이라 불리는 패키지가 있고, LOC나 QFP 등의 패키지보다 더욱 소형화ㆍ경량화한 μBGA(Ball Grid Array)나 CSP(Chip Size Package) 등의 패키지가 개발되고 있다. 더욱이, 반도체소자의 회로면이 반도체 배선 기판측으로 향하고 있는, 소위 페이스 다운형(face-down type) 패키지인 플립칩, WL-CSP(Wafer Level Chip Size Package) 등이 개발되고 있다.
상술한 패키지에서는, 고형의 에폭시 수지 봉지재를 트랜스퍼 성형법에 의해 성형함으로써 봉지 패키지를 얻고 있었지만, 패키지가 박형 혹은 대형의 경우의 성형은 어려웠다. 또한, 무기 필러의 함유량이 증대하면, 일반적으로 트랜스퍼 성형 시의 용융점도가 높아지게 되고, 성형시의 보이드의 잔존, 캐비티(cavity) 충전 불량, 와이어-플로우 및 스테이지 시프트의 증대 등과 성형물의 품질이 저하하는 등의 문제가 발생한다.
또한 최근, 플립칩이나 WL-CSP 등에서, 돌기상 전극을 가지는 경우가 있고, 그 돌기부의 보호 및 돌기 사이의 충전을 위해 봉지재를 사용하는 경우가 있었지만, 고형의 에폭시 수지 봉지재에 의한 충전은 어려웠다. 그 때문에, 에폭시 수지, 무기 필러를 주체로 한 봉지 필름이 제안되고 있다(예를 들면, 일본 특허공개공보 평5-283456호, 일본 특허공개공보 평5-190697호, 일본 특허공개공보 평8-73621호, 일본 특허공개공보2005-60584호 참조).
발명의 개시
그러나, 종래의 봉지 필름을 이용하여, 예를 들면, 돌기상 전극을 가지는 패키지나 봉지 후의 형상에 제약이 있는 패키지를 봉지하면, 유동성을 제어하는 것이 곤란하고, 충전성 및 밀착성을 만족할 수 없는 경우가 있었다.
본 발명의 목적은, 보호기능과 충전성을 가지고, 반도체칩의 보호 및 충전에 이용되고, 충전시의 유동성을 제어하는 것에 의해서 보다 충전성, 밀착성, 형상 유지성이 뛰어난 봉지용 필름, 및 그것을 이용한 반도체장치를 제공하는 것이다.
본 발명은, 이하 (1)~(9)에 기재된 사항을 그 특징으로 하는 것이다.
(1) 하기 (A), (B) 및 (C)를 함유하고, 80℃에서의 플로우량이 150~1800μm인 수지층을 가지는 봉지 필름.
(A) 가교성 관능기를 포함하고, 중량 평균 분자량이 10만 이상이고 또한 Tg가 -50~50℃인 고분자량 성분(a1)과, 에폭시 수지를 주성분으로 하는 열경화성 성분(a2)을 포함하는 수지 성분,
(B) 평균 입경이 1~30μm인 필러,
(C) 착색제.
(2) 하기 (A), (B) 및 (C)를 함유하고, B 스테이지 상태의 필름의 열경화 점탄성 측정에 있어서 50~100℃의 점도가 10000~100000Paㆍs인 수지층을 가지는 봉지용 필름.
(A) 가교성 관능기를 포함하고, 중량 평균 분자량이 10만 이상이고 또한 Tg가 -50~50℃인 고분자량 성분(a1)과, 에폭시 수지를 주성분으로 하는 열경화성 성분(a2)을 포함하는 수지 성분,
(B) 평균 입경이 1~30μm인 필러,
(C) 착색제.
(3) 상기 (A) 수지 성분이, 상기 고분자량 성분(a1)을 5~85중량% 및 상기 열경화성 성분(a2)을 15~95중량% 포함하는 수지 10중량부에 대해서, 상기 (B) 필러를 1~300중량부, 상기 (C) 착색제를 0.01~10중량부 함유하는, 상기 (1) 기재의 봉지용 필름.
(4) 상기 (A) 수지 성분이, 상기 고분자량 성분(a1)을 5~80중량%, 상기 열경화성 성분(a2)을 15~85중량% 포함하는, 상기 (1) 또는 (2)에 기재된 봉지 필름.
(5) 상기 (A) 수지 성분 10중량부에 대해서, 상기 (B) 필러를 1~300중량부, 상기 (C) 착색제를 0.01~10중량부 포함하는, 상기 (4) 기재의 봉지 필름.
(6) 상기 수지층의 편면에 두께 5~300μm의 기재층을 더 가지고, 또한 상기 수지층의 두께가 5~800μm인 상기 (1)~(5)의 어느 1개에 기재된 봉지 필름.
(7) 상기 수지층의 한쪽의 면에 두께 5~300μm의 기재층을, 상기 수지층의 다른 쪽의 면에 두께 5~300μm의 보호층을 더 가지고, 또한 상기 수지층의 두께가 5~800μm인 상기 (1)~(5)의 어느 1개에 기재된 봉지 필름.
(8) 상기 (B) 필러가 무기 필러인 상기 (1)~(7)의 어느 1개에 기재된 봉지 필름.
(9) 상기 (C) 착색제가 백색 이외의 것인 상기 (1)~(8)의 어느 1개에 기재된 봉지 필름.
(10) 상기 수지층의, 170℃에서 1시간 경화 후의 35℃에 있어서의 저장 탄성률이 100~20000MPa인 상기 (1)~(9)의 어느 1개에 기재된 봉지 필름.
(11) 상기 (1)~(10)의 어느 1개에 기재된 봉지 필름을 이용한 반도체장치.
(12) 하기 (A), (B) 및 (C)를 함유하는 수지층 성분에 용제를 가하여, 니스를 제작하는 공정과,
(A) 가교성 관능기를 포함하고, 중량 평균 분자량이 10만 이상이고 또한 Tg가 -50~50℃인 고분자량 성분(a1)과, 에폭시 수지를 주성분으로 하는 열경화성 성분(a2)을 포함하는 수지 성분,
(B) 평균 입경이 1~30μm인 필러,
(C) 착색제,
상기 니스를 기재층 또는 기재에 도포하는 공정과,
상기 도포된 니스를 60~200℃의 온도에서 3~30분간 적어도 1회 가열건조하는 공정을 포함하는, 80℃에서의 플로우량이 150~1800μm인 수지층을 가지는 봉지 필름의 제조방법.
(13) 하기 (A), (B) 및 (C)를 함유하는 수지층 성분에 용제를 가하여, 니스를 제작하는 공정과,
(A) 가교성 관능기를 포함하고, 중량 평균 분자량이 10만 이상이고 또한 Tg가 -50~50℃인 고분자량 성분(a1)과, 에폭시 수지를 주성분으로 하는 열경화성 성분(a2)을 포함하는 수지 성분,
(B) 평균 입경이 1~30μm인 필러,
(C) 착색제,
상기 니스를 기재층 또는 기재에 도포하는 공정과,
상기 도포된 니스를 60~200℃의 온도에서 3~30분간 적어도 1회 가열건조하는 공정을 포함하는, B 스테이지 상태의 필름의 열경화 점탄성 측정에 있어서 50~100℃의 점도가 10000~100000Paㆍs인 수지층을 가지는 봉지 필름의 제조방법.
발명을 실시하기 위한 최선의 형태
본 발명의 봉지 필름을 구성하는 수지층은, 하기 (A), (B) 및 (C)를 함유하고, 80℃에서의 플로우량이 150~1800μm이다.
(A) 가교성 관능기를 포함하고, 중량 평균 분자량이 10만 이상이고 또한 Tg가 -50~50℃인 고분자량 성분(a1)과, 에폭시 수지를 주성분으로 하는 열경화성 성분(a2)을 포함하는 수지 성분,
(B) 평균 입경이 1~30μm인 필러,
(C) 착색제.
또한, 본 발명의 봉지 필름을 구성하는 수지층은, 상기 (A) 수지 성분, 상기 (B) 필러 및 (C) 착색제를 함유하고, B 스테이지 상태의 필름의 열경화성 탄성 측정에 있어서 50~100℃의 점도가 10000~100000Paㆍs이다.
이하, 본 발명에 이용되는 재료를 설명한다.
<고분자 성분(a1)>
본 발명에 사용하는 (A) 수지 성분을 구성하는, 가교성 관능기를 포함하는 중량 평균 분자량이 10만 이상이고 또한 Tg가 -50~50℃인 고분자량 성분(a1)으로서는, 특별히 제한은 없지만, 가교성 관능기를 가지는 모노머를 구성 단위로서 함유하는 에폭시기 함유 (메타)아크릴 공중합체인 것이 바람직하다. 또, 본 발명에 있어서, 「(메타)아크릴」이란, 「아크릴」과「메타크릴」의 양쪽을 나타낸다. 또한, 가교성 관능기로서는, 아크릴기, 메타크릴기, 이소시아네이트기, 카르복실기 등도 들 수 있다.
에폭시기 함유 (메타)아크릴 공중합체로서는, 예를 들면, 에폭시기 함유 (메타)아크릴에스테르 공중합체, 에폭시기 함유 아크릴 고무 등을 사용할 수 있고, 에폭시기 함유 아크릴 고무가 보다 바람직하다. 아크릴 고무는, 아크릴산에스테르를 주성분으로 하고, 주로, 부틸아크릴레이트와 아크릴로니트릴 등의 공중합체나, 에틸아크릴레이트와 아크릴로니트릴 등의 공중합체 등으로 이루어지는 고무이다. 중량 평균 분자량이 10만 이상이고 또한 Tg가 -50~50℃인 에폭시기 함유 아크릴 고무로서는, 예를 들면, 나가세켐텍스(주)제 HHTR-860P-3DR 등이 시판되고 있다.
또한, 상기 에폭시기 함유 (메타)아크릴 공중합체로서, 글리시딜(메타)아크릴레이트 등의 가교성 관능기를 가지는 에폭시기 함유 모노머를 중합시킨 공중합체를 이용할 수도 있고, 이 에폭시기 함유 모노머에 에틸(메타)아크릴레이트나 부틸(메타)아크릴레이트 등의 모노머를 더 공중합시킨 공중합체를 이용할 수도 있다. 에폭시기 함유 (메타)아크릴 공중합체 중에 있어서 에폭시기 함유 모노머의 양은, 0.5~6.0중량%인 것이 바람직하고, 0.5~5.0중량%인 것이 보다 바람직하고, 0.8~5.0중량%인 것이 특히 바람직하다. 에폭시기 함유 모노머의 양이 이 범위에 있으면, 접착력을 확보할 수 있는 것과 동시에, 겔화를 방지할 수 있다. 에폭시기 함유 모노머의 양이 0.5중량% 미만이면, 얻어진 수지층의 접착력이 저하하는 경향이 있고, 6.0중량%를 넘으면, 얻어지는 수지층의 보존 안정성이 저하하는 경향이 있다.
상기 모노머를 중합시켜, 중량 평균 분자량이 10만 이상이고 또한 Tg가 -50~50℃인 고분자량 성분(a1)을 제작하는 경우, 그 중합 방법으로서는, 특별히 제한은 없고, 예를 들면, 펄중합, 용액중합 등의 공지 방법을 사용할 수 있고, 또한, 중합조건에 관해서도, 사용 모노머나 그 농도, 고분자량 성분(a1)의 중량 평균 분자량이나 유리전이온도 등을 고려하여 적절히 결정하면 좋고, 특별히 한정되지 않는다.
본 발명에 있어서, 상기 고분자량 성분(a1)은, 10만 이상이지만, 30만~300만인 것이 바람직하고, 50만~200만인 것이 보다 바람직하다. 중량 평균 분자량이 이 범위에 있으면, 필름상으로 했을 때의 강도, 가요성, 및 택성이 적당하고, 또한, 수지층과 피착체와의 밀착성을 확보할 수 있다. 또, 본 발명에 있어서, 중량 평균 분자량이란, 겔퍼미에이션크로마토그래피로 측정하고, 표준 폴리스티렌 검량선을 이용하여 환산한 값을 나타낸다.
상기 고분자량 성분(a1)의 유리전이온도(이하 「Tg」라 한다)는, -50℃ 이상 50℃ 이하인 것이 바람직하고, -40℃ 이상 50℃ 이하인 것이 보다 바람직하고, -40℃ 이상 40℃ 이하인 것이 특히 바람직하다. Tg가 -50℃ 이상 50℃ 이하이면, 수지층의 B 스테이지 상태에서의 택성이 적당하고, 취급성에 문제를 일으키지 않는다.
(A) 수지 성분의 총량 중, 상기 고분자량 성분(a1)의 배합량은, 바람직하게는 5~85중량%이고, 보다 바람직하게는 5~80중량%이고, 특히 바람직하게는 10~80중량%이고, 가장 바람직하게는 10~75중량%이다. (A1) 고분자량 성분의 배합량이 5중량% 미만이면, 얻어지는 수지층의 가요성이 부족하여 부서지기 쉽게 될 가능성이 있고, 85중량%를 넘으면 얻어지는 수지층의 유동성이 저하할 가능성이 있다.
<열경화성 성분(a2)>
본 발명에 사용하는 (A) 수지 성분을 구성하는, 열경화성 성분(a2)은, 열에 의해 경화하여 접착 작용을 발현하는 것이면 특별히 한정되지 않지만, 에폭시 수지를 주성분으로 하는 것이 바람직하다. 그와 같은 에폭시 수지로서는, 예를 들면, 비스페놀A형 에폭시 등의 2관능 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지나 크레졸 노볼락형 에폭시 수지 등의 노볼락형 에폭시 수지 등을 사용할 수 있다. 또한, 다관능 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 복소환 함유 에폭시 수지 또는 지환식 에폭시 수지 등, 일반적으로 알려져 있는 것을 적용할 수 있다.
상기 비스페놀A형 에폭시 수지로서는, 유카셀에폭시(주)제 에피코트807, 815, 825, 827, 828, 834, 1001, 1004, 1007, 1009, 다우케미컬사제 DER-330, 301, 361, 토토화성(주)제 YD8125, YDF8170 등을 들 수 있다. 상기 페놀 노볼락형 에폭시 수지로서는, 유카셀에폭시(주)제 에피코트152, 154, 니뽄카야쿠(주)제 EPPN-201, 다우케미컬사제 DEN-438 등이, 또한, 상기 크레졸 노볼락형 에폭시 수지로서는, o-크레졸 노볼락형 에폭시 수지인 니뽄카야쿠(주)제 EOCN-102S, 103S, 104S, 1012, 1025, 1027, 토토화성(주)제 YDCN701, 702, 703, 704 등을 들 수 있다. 상기 다관능 에폭시 수지로서는, 유카셀에폭시(주)제 Epon 103-S, 치바스페셜리티케미컬즈사제 아랄다이트0163, 나가세화성(주)제 데나콜EX-611, 614, 614B, 622, 512, 521, 421, 411, 321 등을 들 수 있다. 상기 글리시딜아민형 에폭시 수지로서는, 유카셀에폭시(주)제 에피코트604, 토토화성(주)제 YH-434, 미츠비시가스화학(주)제 TETRAD-X, TETRAD-C, 스미토모화학(주)제 ELM-120 등을 들 수 있다. 상기 복소환 함유 에폭시 수지로서는, 치바스페셜리티케미컬즈사제 아랄다이트PT810 등의, UCC 사제 ERL4234, 4299, 4221, 4206 등을 들 수 있다. 상기 지환식 에폭시 수지로서는, 다이셀화학공업(주)제 에포리드 시리즈, 세록사이드 시리즈 등을 들 수 있다. 이들의 에폭시 수지는, 단독으로 또는 2종류 이상을 조합시켜도, 사용할 수 있다.
(A) 수지 성분의 총량 중, 상기 열경화성 성분(a2)의 배합량은, 바람직하게는 15~95중량%이고, 보다 바람직하게는 15~85중량%이고, 특히 바람직하게는 20~80중량%이고, 가장 바람직하게는 20~75중량%이다. (a2) 열경화성 성분의 배합량이, 15중량% 미만이면, 얻어지는 수지층의 내열성 및 유동성이 저하할 가능성이 있고, 95중량%를 넘으면 얻어지는 수지층의 가요성이 저하할 가능성이 있다.
<(A) 수지 성분>
본 발명에 있어서 (A) 수지 성분에는, 상기 고분자량 성분(a1) 및 상기 열경화성 성분(a2) 외에, 필요에 따라서 상기 이외의 이하의 수지 성분을 배합할 수도 있다. 예를 들면, 페녹시 수지, 폴리아미드 수지, 폴리아미드이미드 수지/혹은 그 전구체, 폴리이미드 수지/혹은 그 전구체 등의 수지 성분을 이용할 수 있다.
또한, (A) 수지 성분으로서, 상기 열경화성 성분(a2)의 촉매로서, 공지의 에폭시 수지 경화제나 경화 촉진제를 포함하는 것이 바람직하다. 에폭시 수지 경화제로서는, 예를 들면, 아민류, 폴리아미드, 산무수물, 폴리설피드, 삼불화붕소, 비스페놀A, 비스페놀F, 비스페놀S와 같은 페놀성 수산기를 1분자 중에 2개 이상 가지는 비스페놀류, 페놀노볼락 수지, 비스페놀A 노볼락 수지 또는 크레졸 노볼락 수지 등의 페놀 수지 등을 들 수 있다. 특히 흡습시의 내전식성이 뛰어난 점에서, 페놀 노볼락 수지, 비스페놀A 노볼락 수지 또는 크레졸 노볼락 수지 등의 페놀 수지가 바람직하다. 바람직한 페놀 수지로서는, 예를 들어, 다이니뽄잉크화학공업(주)제, 상품명: 프라이오펜LF2882, 프라이오펜LF2822, 프라이오펜LF4871, 프라이오펜TD-2090, 프라이오펜TD-2149, 프라이오펜VH-4150, 프라이오펜VH4170 등을 들 수 있다.
또한, 상기 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 4급 포스포늄염계, 4급 암모늄염계, 이미다졸계, DBU 지방산염계, 금속킬레이트계, 금속염계, 트리페닐포스핀계 등을 이용할 수 있다.
<(B) 필러>
본 발명에 있어서 (B) 필러로서는, 평균 입경이 1~30μm이면 특별히 제한이 없지만, 무기 필러인 것이 바람직하고, 예를 들면, 결정성 실리카, 비정성(非晶性) 실리카, 산화알루미늄, 산화티탄, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 질화알루미늄, 질화붕소 등을 사용할 수 있다.
(B) 필러의 평균 입경은, 1~25μm가 바람직하고, 2~25μm가 보다 바람직하고, 2~20μm가 특히 바람직하다. (B) 필러의 평균 입경이 1μm 미만이면, 얻어지는 수지층의 유동성이 저하하여 반도체장치의 신뢰성이 저하하는 경향이 있고, 한편, 30μm를 넘으면, 얻어지는 수지층의 표면 요철이 커지게 되어, 매립성이 저하하는 경향으로 된다.
상기 (B) 필러의 배합량은, 상기 (A) 수지 성분 10중량부에 대해서, 바람직하게는 1~300중량부이고, 보다 바람직하게는 5~300중량부이고, 특히 바람직하게는 5~250중량부이고, 가장 바람직하게는 5~200중량부이다. (B) 필러의 배합량이 1중량부 미만이면 얻어지는 봉지 필름이 유연하게 되어 얻어지는 반도체장치의 신뢰성이 저하할 가능성이 있고, 300중량부를 넘으면 얻어지는 봉지 필름과 반도체기판과의 밀착성이 저하할 가능성이 있다.
<(C) 착색제>
본 발명에 있어서 상기 (C) 착색제로서는, 특별히 제한이 없고, 예를 들면, 카본블랙, 흑연, 티탄카본, 이산화망간, 프탈로시아닌계 등의 안료 혹은 염료를 사용할 수 있다. 분산성, 레이저 마킹성을 고려하면, 카본블랙 등의 백색 이외의 착색제가 바람직하다.
상기 (C) 착색제의 배합량은, 상기 (A) 수지 성분 10중량부에 대해서 바람직하게는 0.01~10중량부이고, 보다 바람직하게는 0.2~8중량부이고, 특히 바람직하게는 0.3~6중량부이고, 가장 바람직하게는 0.5~5중량부이다. (C) 착색제의 사용량이 0.01중량부 미만이면 얻어지는 봉지 필름의 착색이 충분하지 않고, 레이저 마킹 후의 시인성이 나빠지는 경향이 있고, 10중량부를 넘으면 얻어지는 봉지 필름과 반도체기판과의 밀착성이 저하할 가능성이 있다.
<수지층>
본 발명에 있어서 수지층은, 상기 (A) 수지 성분, (B) 필러 및 (C) 착색제 이외에, 필요에 따라서 커플링제 등의 첨가제를 포함하고 있어도 좋다. 커플링제로서는, 실란계, 티탄계, 알루미늄계 등을 들 수 있지만, 실란계 커플링제가 가장 바람직하다.
상기 실란계 커플링제로서는, 특별히 제한은 없고, 예를 들면, 비닐트리클로르실란, 비닐트리스(β-메톡시에톡시)실란, 비닐트리에톡시실란, 비닐트리메톡시실란, γ-메타크릴록시프로필트리메톡시실란, γ-메타크릴록시프로필메틸디메톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, N-β(아미노에틸)γ-아미노프로필트리메톡시실란, N-β(아미노에틸)γ-아미노프로필메틸디메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, N-페닐-γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-메르캅토프로필트리메톡시실란, γ-메르캅토프로필트리에톡시실란, 3-아미노프로필메틸디에톡시실란, 3-우레이도프로필트리에톡시실란, 3-우레이도프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필-트리스(2-메톡시-에톡시-에톡시)실란, N-메틸-3-아미노프로필트리메톡시실란, 트리아미노프로필-트리메톡시실란, 3-4,5-디히드록시이미다졸-1-일-프로필트리메톡시실란, 3-메타크릴록시프로필-트리메톡시실란, 3-메르캅토프로필-메틸디메톡시실란, 3-클로로프로필-메틸디메톡시실란, 3-클로로프로필-디메톡시실란, 3-시아노프로필-트리에톡시실란, 헥사메틸디실라잔, N,O-비스(트리메틸시릴)아세토아미드, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 에틸트리클로로실란, n-프로필트리메톡시실란, 이소부틸트리메톡시실란, 아밀트리클로로실란, 옥틸트리에톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 메틸트리(메타크릴로일옥시에톡시)실란, 메틸트리(글리시딜옥시)실란, N-β(N-비닐벤질아미노에틸)-γ-아미노프로필트리메톡시실란, 옥타데실디메틸[3-(트리메톡시시릴)프로필]암모늄클로라이드, γ-클로로프로필메틸디클로로실란, γ-클로로프로필메틸디메톡시실란, γ-클로로프로필메틸디에톡시실란, 트리메틸시릴이소시아네이트, 디메틸시릴이소시아네이트, 메틸시릴트리이소시아네이트, 비닐시릴트리이소시아네이트, 페닐시릴트리이소시아네이트, 테트라이소시아네이트실란, 에톡시실란이소시아네이트 등을 사용할 수 있고, 이들의 1종 또는 2종 이상을 병용할 수도 있다.
상기 티탄계 커플링제로서는, 특별히 제한은 없고, 예를 들면, 이소프로필트리옥타노일티타네이트, 이소프로필디메타크릴이소스테아로일티타네이트, 이소프로필트리도데실벤젠설포닐티타네이트, 이소프로필이소스테아로일디아크릴티타네이트, 이소프로필트리(디옥틸포스페이트)티타네이트, 이소프로필트리쿠밀페닐티타네이트, 이소프로필트리스(디옥틸파이로포스페이트)티타네이트, 이소프로필트리스(n-아미노에틸)티타네이트, 테트라이소프로필비스(디옥틸포스파이트)티타네이트, 테트라옥틸비스(디트리데실포스파이트)티타네이트, 테트라(2,2-디알릴옥시메틸-1-부틸)비스(디트리데실)포스파이트티타네이트, 디쿠밀페닐옥시아세테이트티타네이트, 비스(디옥틸파이로포스페이트)옥시아세테이트티타네이트, 테트라이소프로필티타네이트, 테트라노말부틸티타네이트, 부틸티타네이트 다이머, 테트라(2-에틸헥실)티타네이트, 티탄아세틸아세토네이트, 폴리티탄에틸아세토네이트, 티탄옥틸렌글리콜레이트, 티탄락테이트암모늄염, 티탄락테이트, 티탄락테이트에틸에스테르, 티탄트리에탄올아미네이트, 폴리히드록시티탄스테아레이트, 테트라메틸오르소티타네이트, 테트라에틸오르소티타네이트, 테트라프로필오르소티타네이트, 테트라이소부틸오르소티타네이트, 스테아릴티타네이트, 크레실티타네이트 모노머, 크레실티타네이트 폴리머, 디이소프로폭시비스(2,4-펜타디오네이트)티타늄(IV), 디이소프로필-비스-트리에탄올아미노티타네이트, 옥틸렌클리콜티타네이트, 테트라-n-부톡시티탄 폴리머, 트리-n-부톡시티탄모노스테아레이트 폴리머, 트리-n-부톡시티탄모노스테아레이트 등을 사용할 수 있고, 이들의 1종 또는 2종 이상을 병용할 수도 있다.
상기 알루미늄계 커플링제로서는, 특별히 제한은 없고, 예를 들면, 에틸아세토아세테이트알루미늄디이소프로필레이트, 알루미늄트리스(에틸아세토아세테이트), 알킬아세토아세테이트알루미늄디이소프로필레이트, 알루미늄모노아세틸아세테이트비스(에틸아세토아세테이트), 알루미늄트리스(아세틸아세토네이트), 알루미늄-모노이소프로폭시모노올레옥시에틸아세토아세테이트, 알루미늄-디-n-부톡시드-모노-에틸아세토아세테이트, 알루미늄-디-이소-프로폭시드-모노-에틸아세토아세테이트 등의 알루미늄 킬레이트 화합물, 알루미늄이소프로필레이트, 모노-sec-부톡시알루미늄디이소프로필레이트, 알루미늄-sec-부틸레이트, 알루미늄에틸레이트 등의 알루미늄알콜레이트 등을 사용할 수 있고, 이들의 1종 또는 2종 이상을 병용할 수도 있다.
또한, 상기 커플링제 등의 첨가제는, (A) 수지 성분 100중량부에 대해서, 50중량부 이하의 배합량으로 하는 것이 바람직하다. 상기 첨가제의 배합량이 50중량부보다 많으면, 얻어지는 봉지 필름의 내열성이 저하할 가능성이 있다.
본 발명에 있어서 수지층은, 80℃에서의 플로우량이 150~1800μm이고, 바람직하게는 200~1600μm이고, 보다 바람직하게는 400~1400μm이다. 이 플로우량이 150μm보다 적으면, 얻어지는 봉지 필름과 반도체기판의 밀착성이나 반도체장치의 신뢰성이 저하할 가능성이 있고, 1800μm를 넘으면, 얻어지는 봉지 필름으로 반도체소자를 봉지할 때, 유동성의 제어가 곤란하게 되어, 작업성이 저하할 가능성이 있다.
상기 플로우량은, 두께 150μm의 B 스테이지 상태의 상기 수지층을 기재층상에 적층하고, 10×20mm로 구멍 뚫어 리드상(read-shaped) 샘플로 하고, 이것을 열압착 시험장치(테스터산업(주)제)를 이용하여, 열판 온도:80℃, 압력:0.2MPa로 18초간 프레스한 후, 샘플의 단부로부터 비어져 나온 수지의 길이를 광학현미경으로 측정한 값이다.
이 플로우량은, 예를 들면, 수지층 중의 (B) 필러의 충전량을 증가시키거나, 상기 열경화성 성분(a2)으로서 다관능 에폭시 수지를 사용하여 수지층의 가교밀도를 향상시키거나, 필름화할 때의 열이력(구체적으로는, 수지층용 니스에 함유되는 용제를 제거하는 가열건조 조건)을 증가시켜, B 스테이지 상태에서의 경화도를 향상시키는 것에 의해서 작게할 수 있다.
본 발명의 봉지용 필름의 수지층은, 그 B 스테이지 상태의 필름의 열경화 점탄성 측정에 있어서 50~100℃의 점도(이하, 「필름 점도」라고도 한다)가 10000~100000Paㆍs이고, 10000~95000이 바람직하고, 10000~90000이 보다 바람직하고, 15000~90000이 특히 바람직하다. 50~100℃의 점도가 10000Paㆍs 미만이면 봉지용 필름이 부드러워져서, 얻어지는 반도체장치의 신뢰성이 저하하는 경향이 있고, 100000Paㆍs를 넘으면 얻어지는 봉지용 필름과 반도체기판과의 밀착성이 저하하는 경향이 있다.
상기 필름 점도는, 봉지용 필름의 수지층(막두께 150μm로 한다)만을 직경 8mm의 원반상으로 구멍 뚫고, 점도ㆍ점탄성 측정장치(서모하케사제, 레오스트레스 RS 600형)를 이용하여, 일정한 변형 모드, 주파수:1Hz, 인가변형:1%, 승온속도:5℃/min로 측정할 수 있다.
이 필름 점도는, 예를 들면, 수지층 중의 (B) 필러의 충전량을 증가시키거나, (B) 필러로서 유동성이 뛰어난 필러를 사용하거나, 상기 열경화성 성분(a2)으로서 다관능 에폭시 수지를 사용하여 수지층의 가교밀도를 향상시키거나, 필름화할 때의 열이력(구체적으로는, 수지층용 니스에 함유되는 용제를 제거하는 가열건조 조건)을 증가시키거나 하여, B 스테이지 상태에서의 경화도를 향상시키는 것에 의해서 작게할 수 있다.
유동성이 뛰어난 필러로서는, 진구상의 것을 이용하면 좋다.
본 발명에 있어서 수지층은 170℃에서 1시간 경화한 후의 35℃에서의 동적점탄성 측정장치에 있어서의 저장 탄성률이, 100~20000MPa가 바람직하고, 100~19000MPa가 보다 바람직하고, 200~18000MPa가 더욱 바람직하고, 500~16000MPa가 특히 바람직하다. 저장 탄성률이 500MPa 미만이면 얻어지는 봉지용 필름과 반도체소자와의 밀착성이 저하할 가능성이 있고, 20000MPa를 넘으면 반도체장치의 신뢰성이 저하할 가능성이 있다.
또, 상기 저장 탄성률은, 두께 150μm의 B 스테이지 상태의 상기 수지층에 관해서, 레올로지사제의 동적점탄성 스펙트로미터(DVE-4형)를 이용하여, 35℃, 10Hz의 조건에서 측정한 값이다.
이 저장 탄성률은, 예를 들면, (B) 필러의 충전량을 증가시키거나, 유동성이 뛰어난 필러를 사용하거나, 상기 열경화성 성분(a2)으로서 다관능 에폭시 수지를 사용하여 수지층의 가교밀도를 향상시키거나, 필름화할 때의 열이력을 증가시키는 것에 의해서, B 스테이지 상태에서의 경화도를 향상시키는 것에 의해서 크게할 수 있다.
<본 발명의 봉지 필름>
본 발명의 봉지 필름은, 도 1에 나타낸 바와 같이, 상기 수지층(2)의 편면에 기재층(1)을 가지고 있어도 좋다. 기재층을 가지는 경우의 수지층의 두께는, 바람직하게는 5μm 이상, 보다 바람직하게는 10μm 이상, 특히 바람직하게는 20μm 이상, 가장 바람직하게는 30μm 이상이다. 또한, 당해 수지층의 두께는, 바람직하게는 800μm 이하, 보다 바람직하게는 600μm 이하, 특히 바람직하게는 500μm 이하, 가장 바람직하게는 400μm 이하이다. 수지층의 두께가 5μm 미만이면, 반도체소자와의 밀착성이 저하할 가능성이 있고, 800μm를 넘으면 반도체소자의 두께가 증가하여 패키지 설계의 장해가 될 가능성이 있다.
기재층의 두께는, 바람직하게는 5~300μm이고, 보다 바람직하게는 5~200μm이고, 특히 바람직하게는 5~100μm이고, 가장 바람직하게는 10~100μm이다. 기재층의 두께가 5μm 미만에서는 필름 제작시의 강도 부족에 의해 필름 자체를 제작할 수 없는 가능성이 있고, 필름의 두께가 300μm를 넘어도 특별히 이점은 없고, 필름 자체가 고가로 될 가능성이 있다.
상기 기재층으로서 사용할 수 있는 재료로서는 특별히 제한이 없고, 폴리테트라플루오로에틸렌 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 필름, 폴리에테르설폰 필름, 폴리에테르아미드 필름, 폴리에테르아미드이미드 필름, 폴리아미드 필름, 폴리아미드이미드 필름, 폴리이미드 필름 등의 플라스틱 필름을 사용할 수 있다. 또한, 필요에 따라서, 프라이머 도포, UV처리, 코로나방전처리, 연마처리, 에칭처리, 이형처리 등의 표면처리를 행해도 좋다.
또한, 본 발명의 봉지 필름은, 도 2에 나타낸 바와 같이, 상기 수지층(2)의 한쪽의 면에 상기 기재층(1)을, 다른 쪽의 면에 상기 보호층(3)을 가지고 있어도 좋다.
본 발명의 봉지 필름은, 상기 수지층의 편면에 보호층을 가지고 있어도 좋고, 그 두께는, 바람직하게는 5~300μm이고, 보다 바람직하게는 5~200μm이고, 특히 바람직하게는 5~100μm이고, 가장 바람직하게는 10~100μm이다. 보호층의 두께가 5μm 미만에서는 필름을 충분히 보호할 수 없는 가능성이 있고, 필름의 두께가 300μm를 넘어도 특별히 이점은 없고, 필름 자체가 고가로 될 가능성이 있다.
상기 보호층으로서 사용하는 재료로서는 특별히 제한이 없고, 폴리테트라플루오로에틸렌 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 필름, 폴리에테르설폰 필름, 폴리에테르아미드 필름, 폴리에테르아미드이미드 필름, 폴리아미드 필름, 폴리아미드이미드 필름, 폴리이미드 필름 등의 플라스틱 필름을 사용할 수 있다. 또한, 필요에 따라서, 프라이머 도포, UV처리, 코로나방전처리, 연마처리, 에칭처리, 이형처리 등의 표면처리를 행해도 좋다.
<봉지 필름의 제조>
이하, 본 발명의 봉지 필름에 관해서 설명한다.
본 발명의 봉지 필름은, 이하와 같이 제작할 수 있다. 예를 들면, 상기 (A) 수지 성분, (B) 필러 및 (C) 착색제를 적어도 포함하는 수지층 성분에, 용제를 가하여 니스를 제작한다. 봉지 필름이 기재층을 가지는 경우는 기재층상에, 수지층만의 구성인 경우는 형(型) 등의 위에 상기 니스를 도포한 후, 가열건조에 의해 용제를 제거하여, B 스테이지 상태의 수지층을 형성하는 것에 의해 제작할 수 있다.
본 발명에 있어서, 수지층용 니스에 이용되는 용제는, 특별히 제한이 없지만, 예를 들면, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 트리에틸렌글리콜디메틸에테르, 트리에틸렌글리콜디에틸에테르 등의 에테르계 용매; 디메틸설폭시드, 디에틸설폭시드, 디메틸설폰, 설포란 등의 함유황계(sulfur-containing) 용매; γ-부티로락톤, 아세트산셀로솔브 등의 에스테르계 용매; 시클로헥사논, 메틸에틸케톤 등의 케톤계 용매; N-메틸피롤리돈, 디메틸아세트아미드, 1,3-디메틸-3,4,5,6-테트라히드로-2(1H)-피리미디논 등의 함질소계 용매; 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소계 용매; 등을 들 수 있고, 이들은 단독으로 또는 2종류 이상 조합시켜 사용할 수 있다.
상기 가열건조 조건은, 수지층의 성분이나 용제의 종류에 따라서 다르지만, 일반적으로는 60~200℃의 온도에서 3~30분간 가열하는 것이다. 상기 가열건조 조건은, 본 발명의 봉지 필름의 「플로우량」, 「필름 점도」의 값에 영향을 주는 것이기 때문에, 플로우량, 필름 점도가 너무 작은 경우는, 가열건조 온도를 높이거나, 가열건조 시간을 길게 하거나 하는, 또는 가열건조 회수를 증가시키는 등의 열이력을 증가시켜서 적절히 조제한다.
또한, 니스의 도포 방법은, 특별히 제한이 없지만, 작업성 등을 고려하면, 멀티코터를 사용하여 도공하는 것이 바람직하다.
<본 발명의 봉지 필름을 이용한 반도체장치>
본 발명의 반도체장치는, 본 발명의 봉지 필름을 이용하여 이루어지는 것을 그 특징으로 하는 것이다. 이하, 그 제조예와 형태에 관해서 도면을 이용하여 설명하지만, 본 발명은 이하의 기재에 한정되는 것은 아니다.
도 3은, 반도체기판상의 전극을 본 발명의 봉지 필름(수지층)을 롤상 봉지 필름(8)으로서 이용하여, 봉지하는 공정을 나타내는 모식도이다. 여기에서, 도 1에 나타내는 구성을 가지는 본 발명의 봉지 필름을 이용하는 경우에는, 반도체기판(4)의 전극면에 수지층(2)이 접하도록, 도 2에 나타내는 구성을 가지는 본 발명의 봉지 필름을 이용하는 경우에는, 보호층(3)을 분리한 후, 롤(9)에 있어서 필름의 응력을 균일하게 하여, 반도체기판(4)의 전극면에 수지층(2)이 접하도록 봉지 필름을 라미네이트롤(10)로 라미네이트하여, 반도체기판상의 전극을 봉지한다. 라미네이트 공정에 있어서 라미네이트 온도는, 반도체기판에 부하를 주지 않고, 작업성이 뛰어난 점에서, 180℃ 이하인 것이 바람직하고, 140℃ 이하인 것이 보다 바람직하고, 120℃ 이하인 것이 바람직하다. 또한, 본 발명의 봉지 필름은, 상기 전극이 돌기상 전극인 경우에 특히 최적이다.
또한, 본 발명의 봉지 필름에 의한 봉지는, 상술한 필름 라미네이트에 의한 방법에 한정하지 않고, 반도체기판에 봉지 필름을 열압착 혹은 진공 압착하는 방법, 반도체소자에 직접 봉지 필름을 히트 프레스로 접착하는 방법 등을 사용할 수도 있다. 또, 압착 조건 등은 봉지 사용하는 봉지 필름의 종류, 반도체기판 혹은 소자의 형상에 따라서 다르다.
도 4는, 본 발명의 봉지 필름(수지층)으로 봉지된 돌기상 전극을 가지는 반도체소자(7)의 모식도이다. 이와 같은 반도체소자는, 도 3에 나타낸 바와 같이 하여 반도체기판의 돌기상 전극(5)을 봉지한 후, 예를 들면, 봉지 필름의 기재층을 박리하는 공정, 가열에 의해서 수지층(2)을 경화시키는 공정, 땜납 볼(6)을 돌기상 전극(5)상에 탑재하는 공정, 반도체기판의, 수지층 봉지측과 반대측에 다이싱 테이프를 라미네이트하는 공정, 반도체기판을 소정의 크기로 다이싱하는 공정, 돌기상 전극(5)을 가지는 반도체기판과 다이싱 테이프를 박리하는 공정을 거쳐 얻을 수 있고, 더욱이, 얻어진 반도체소자를 회로 기판상의 소정 위치에 탑재함으로써 반도체장치를 얻을 수 있다.
상기 돌기상 전극을 가지는 반도체기판(4)으로서는, 특별히 제한은 없지만, 예를 들면, 실리콘 웨이퍼 등을 들 수 있다. 또한, 이와 같은 방법으로 반도체소자를 제작한 후, 봉지 필름측으로부터 YAG 레이저 등을 조사하고, 제품을 식별하기 위한 식별정보를 표시할 수도 있다.
본 발명의 봉지용 필름에 의해서 봉지되는 것에 의해서 얻어지는 반도체소자는, 신뢰성 등이 뛰어나기 때문에, 여러 가지의 반도체장치에 사용할 수 있고, 더욱이, SAW 디바이스 등의 각종 디바이스, 각종 센서 등의 봉지에도 사용할 수 있다.
도 1은 기재층(1) 및 수지층(2)으로 형성된 봉지 필름의 모식도이다.
도 2는 기재층(1), 수지층(2) 및 보호층(3)으로 형성된 봉지 필름의 모식도이다.
도 3은 봉지 필름을 반도체기판에 라미네이트하는 공정의 모식도이다.
도 4는 봉지 필름으로 봉지한 돌기상 전극을 가지는 반도체소자의 모식도이다.
이하, 본 발명을 실시예에 의해서 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.
(실시예 1)
<봉지 필름의 제작>
고분자량 성분(a1)으로서, 에폭시기 함유 아크릴 고무(나가세켐텍스주식회사제, 상품명 HHTR-860P-3DR, 중량 평균 분자량:80만, Tg:-7℃) 12.4중량부, 열경화성 성분(a2)으로서, 비스페놀F형 에폭시 수지(토토화성주식회사제, 상품명 YD-8170C, 에폭시 당량 160) 33.6중량부와 페놀ㆍp-크시릴렌글리콜디메틸에테르 공중합 수지(미쓰이화학주식회사제, 상품명 미렉스 XLC-LL, 수산기 당량 174) 33.8중량부, 및 1-시아노-1-페닐이미다졸(시코쿠화성공업주식회사제, 상품명 큐어졸 2PZ-CN) 0.1중량부, (B) 필러로서, 실리카 필러(주식회사 타투모리제, 상품명 TFC-24, 평균 입경 약 8μm) 356.24중량부, (C) 착색제로서, 수지계 가공 안료(산요색소주식회사제, 상품명 FP BLACK 308, 카본블랙 함유율 29.0중량%) 8.3중량부, 및 커플링제로서, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란(토오레ㆍ다우코닝주식회사제, 상품명 SH6040) 1.0중량부로 이루어지는 조성물에, 시클로헥사논을 가하여 교반혼합하고, 진공탈기하여 불휘발분(이후, NV라 약기한다) 약 60중량%의 니스를 얻었다. 또, NV의 측정, 산출 방법은 하기와 같다.
NV(중량%)=(가열건조 후의 니스량(g)/가열건조 전의 니스량(g))×100
※건조 조건:170℃ㆍ1시간
상기 얻어진 니스를 기재층(테이진듀퐁필름주식회사제, 상품명 퓨렉스 A31B, 표면 이형처리 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 막두께 38μm)상에 도포하고, 90℃, 5분 및 140℃, 5분간 가열건조하여, 가열건조 후의 수지층 막두께가 150μm의 도막으로 하여, B 스테이지 상태의 봉지 필름 A를 얻었다.
<봉지 필름(수지층)의 평가>
상기에서 얻어진 봉지 필름 A(수지층)에 관해서, 플로우량, 필름 점도, 인장 탄성률, Tg, 열분해 개시온도, 매립성 및 레이저 마킹의 시인성을 이하와 같이 평가했다. 결과를 정리하여 표 1에 나타낸다.
ㆍ플로우량
상기에서 얻어진 봉지 필름 A를 10×20mm로 구멍 뚫어 리드상 샘플로 하고, 봉지 필름과 기재층이 적층되어 있는 상태에서, 열압착 시험장치(테스터산업(주)제)를 이용하여, 열판 온도:80℃, 압력:0.2MPa로 18초간 프레스한 후, 샘플의 단부로부터 비어져 나온 수지의 길이를 광학현미경으로 측정하여, 플로우량으로 했다.
ㆍ필름 점도
상기에서 얻어진 니스를 기재층(테이진듀퐁필름주식회사 상품명:퓨렉스 A31, 표면 이형처리 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 막두께:38μm)상에 도포하고, 90℃, 5분 및 140℃, 5분간 가열건조하여, 수지층의 막두께가 150μm가 되는 도막으 로 하여, B 스테이지 상태의 필름 A를 얻었다. 얻어진 필름 A의 수지층(막두께 15μm)만을 직경 8mm의 원반상으로 구멍 뚫고, 점도ㆍ점탄성 측정장치(서모하케사제, 레오스트레스 RS 600형)를 이용하여, 일정한 변형 모드, 주파수:1Hz, 인가변형:1%, 승온속도:5℃/min로 50℃로부터 100℃의 필름 점도를 측정했다. 표 1에는, 50℃에 있어서의 필름 점도, 100℃에 있어서의 필름 점도를 개시한다.
ㆍ저장 탄성률과 Tg
상기에서 얻어진 봉지 필름 A를 170℃에서 1시간 경화 후, 수지층 부분을 동적 점탄성 스펙트로미터(레올로지사제, DVE-4형)에 의해, 저장 탄성률(35℃, 10Hz) 및 유리전이온도(주파수 10Hz, 승온속도 2℃/min)를 측정했다.
ㆍ열분해 개시온도
시차열천칭(세이코인스트루먼트주식회사제, SSC5200형)에 의해, 승온속도:10℃/min, 분위기:공기의 조건에서 봉지 필름 A의 수지층의 열분해 개시온도를 측정했다.
ㆍ매립성
상기에서 얻어진 봉지 필름 A를, 배선 및 구리 포스트가 형성된 반도체기판(피치 치수:5.3mm×6.3mm, 스크라이브 라인:100μm, 구리 포스트 지름:300μm, 구리 포스트 높이:100μm)상에 핫롤라미네이터(타이세이라미네이터주식회사제, 상품명 VA-400Ⅲ형)를 사용하여 첩부하였다(라미네이트 조건:80℃, 0.2MPa, 0.5m/min). 라미네이트 후, 봉지 필름 A를 첩부한 반도체기판을 구리 포스트 부분에서 절단하고, 그 단면을 광학현미경으로 관찰하고, 매립성을 하기 기준에서 평가했다(평가 ○ 및 △가 합격).
○:매립 부족에 의한 보이드의 발생 없음
△:매립 부족에 의한 보이드의 발생 약간 있음(보이드의 발생율:구리 포스트 총 수의 10% 미만)
×:매립 부족에 의한 보이드의 발생 약간 있음(보이드의 발생율:구리 포스트 총 수의 10~50%)
××:매립 부족에 의한 보이드의 발생 거의 전면에 있음(보이드의 발생율:구리 포스트 총 수의 50% 이상)
ㆍ레이저 마킹의 시인성
상기에서 얻어진 봉지 필름 A를, 300μm 두께의 실리콘 웨이퍼 경면에 핫롤라미네이터(타이세이라미네이터주식회사제, 상품명 VA-400Ⅲ형)를 사용하여 첩부하고(라미네이트 조건:80℃, 0.2MPa, 0.5m/min), 봉지 필름 부착 실리콘 웨이퍼를 얻은 후, 기재층을 박리하여 170℃에서 1시간 경화한 수지층 부착 실리콘 웨이퍼의 수지층측에, 출력 5.0J/펄스의 YAG 레이저에 의해서 레이저 마킹을 행하여, 그 시인성을 확인했다(샘플 수:각 100개).
시인성의 평가 방법은, 레이저 마킹 후의 표면을 스캐너에 의해서 화상 통합을 행하여, 화상 처리 소프트(Adobe사제 상품명, PHOTSHOP)에 의해서 마킹 부분 및 그 주위의 비마킹 부분의 2계 조화를 행한다. 이 조작에 의해서 명도에 따라서 흑백의 256단계로 나누어진다. 다음에, 마킹 부분이 희고, 비마킹 부분이 검게 표시되는 「2계 조화하는 경계의 역치」와, 마킹 부분도 검게 표시되어 마킹/비마킹 부 분의 경계가 없어지게 되는 「2계 조화하는 경계의 역치」의 값을 구하고, 그 값이 40 이상인 경우에 시인성 양호로 하고(평가 ○), 그 차이가 30 이상 40 미만인 경우에 시인성을 거의 양호로 하고(평가 △), 그 차이가 30 미만인 경우에 시인성을 불량으로 했다(평가 ×). 또, 표 1에는, 평가 ○, △, ×에 해당하는 샘플 수를 나타냈다.
<반도체장치의 제작과 평가>
상기에서 얻어진 봉지 필름 A를, 배선 및 구리 포스트가 형성된 반도체기판(피치 치수:5.3mm×6.3mm, 스크라이브 라인:100μm, 구리 포스트 지름:300μm, 구리 포스트 높이:100μm)상에 핫롤라미네이터(타이세이라미네이터주식회사제, 상품명 VA-400Ⅲ형)를 사용하여 첩부하고(라미네이트 조건:80℃, 0.2MPa, 0.5m/min), 기재층을 박리한 후, 170℃에서 1시간 가열하여 수지층을 경화시키는 공정, 수지층을 연삭하여 구리 포스트를 표면에 노출시키는 공정, 구리 포스트상에 외부 단자를 형성 하는 공정, 다이싱하는 공정, 얻어진 반도체소자를 픽업하여 유기 기판에 실장하는 공정을 행하여, 반도체장치를 제작했다.
그 다음에, 이 반도체장치에 관해서, -55℃/30min←→125℃/30min를 1싸이클로 하는 히트싸이클 시험을 1000싸이클 행하고(샘플 수 10), 수지층에 크랙이 발생 하고 있지 않은지 여부를 조사했다. 결과를 표 1에 나타낸다. 또, 표 1에는, (수지층에 크랙이 발생한 반도체장치의 개수)/(총 샘플 수)를 나타냈다.
(실시예 2)
<봉지 필름의 제작>
기재층상에 도포한 니스의 건조 조건을 90℃, 5분 및 140℃, 5분부터, 90℃, 10분 및 140℃, 10분으로 한 것 이외에는, 실시예 1과 완전히 동일한 조작을 행하여, B 스테이지 상태의 봉지 필름 B를 얻었다.
<봉지 필름(수지층)의 평가>
상기에서 얻어진 봉지 필름 B에 관해서, 실시예 1과 완전히 동일한 평가를 행했다. 결과를 정리하여 표 1에 나타낸다.
<반도체장치의 제작과 평가>
봉지 필름 A 대신에 상기에서 얻어진 봉지 필름 B를 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 반도체장치를 제작하고, 그 평가를 행했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 3)
<봉지 필름의 제작>
기재층상에 도포한 니스의 건조 조건을 90℃, 5분 및 140℃, 5분부터, 90℃, 7분 및 140℃, 7분으로 한 것 이외에는, 실시예 1과 완전히 동일한 조작을 행하여, B 스테이지 상태의 봉지 필름 C를 얻었다.
<봉지 필름(수지층)의 평가>
상기에서 얻어진 봉지 필름 C에 관해서, 실시예 1과 완전히 동일한 평가를 행했다. 결과를 정리해서 표 1에 나타낸다.
<반도체장치의 제작과 평가>
봉지 필름 A 대신에 상기에서 얻어진 봉지 필름 C를 이용한 것 이외에는, 실 시예 1과 동일하게 하여 반도체장치를 제작하고, 그 평가를 행했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 4)
<봉지 필름의 제작>
기재층상에 도포한 니스의 건조 조건을 90℃, 5분 및 140℃, 5분부터, 90℃, 3분 및 140℃, 3분으로 한 것 이외에는, 실시예 1과 완전히 동일한 조작을 행하여, B 스테이지 상태의 봉지 필름 D를 얻었다.
<봉지 필름(수지층)의 평가>
상기에서 얻어진 봉지 필름 D에 관해서, 실시예 1과 완전히 동일한 평가를 행했다. 결과를 정리해서 표 1에 나타낸다.
<반도체장치의 제작과 평가>
봉지 필름 A 대신에 상기에서 얻어진 봉지 필름 D를 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 반도체장치를 제작하고, 그 평가를 행했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 5)
<봉지 필름의 제작>
고분자량 성분(a1)으로서, 에폭시기 함유 아크릴 고무(나가세켐텍스주식회사제, 상품명 HHTR-860P-3DR, 중량 평균 분자량:80만, Tg:-7℃) 12.4중량부, 열경화성 성분(a2)으로서, 비스페놀F형 에폭시 수지(토토화성주식회사제, 상품명 YD-8170C, 에폭시 당량 160) 33.6중량부와 페놀ㆍp-크시릴렌글리콜디메틸에테르 공중 합 수지(미쓰이화학주식회사제, 상품명 미렉스 XLC-LL, 수산기 당량 174) 33.8중량부, 및 1-시아노-1-페닐이미다졸(시코쿠화성공업주식회사제, 상품명 큐어졸 2PZ-CN) 0.1중량부, (B) 필러로서, 실리카 필러(주식회사 타투모리제 상품명:TFC-24, 평균 입경:약 8μm) 152.6중량부, (C) 착색제로서, 수지계 가공안료(산요오색소주식회사제, 상품명 FP BLACK 308, 카본블랙 함유율 29.0중량%) 8.55중량부, 및 커플링제로서, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란(토오레ㆍ다우코닝주식회사제 상품명:SH6040) 1.0중량부로 이루어지는 조성물에 시클로헥사논을 가하여 교반혼합하고, 진공탈기하여 NV가 약 60중량%인 니스를 얻었다.
상기에서 얻어진 니스를 기재층(테이진듀퐁필름주식회사제, 상품명 퓨렉스 A31B, 표면 이형처리 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 막두께 38μm)상에 도포하고, 90℃, 10분 및 140℃, 10분간 가열건조하여, 가열건조 후의 수지층 막두께가 150μm인 도막으로 하여, B 스테이지 상태의 봉지 필름 E를 얻었다.
<봉지 필름(수지층)의 평가>
상기에서 얻어진 봉지 필름 E에 관해서, 실시예 1과 완전히 동일한 평가를 행했다. 결과를 정리해서 표 1에 나타낸다.
<반도체장치의 제작과 평가>
봉지 필름 A 대신에 상기에서 얻어진 봉지 필름 E를 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 반도체장치를 제작하고, 그 평가를 행했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
Figure 112008076316016-PCT00001
*1:에폭시기 함유 아크릴 고무(중량 평균 분자량:80만, Tg:-7℃)
*2:비스페놀F형 에폭시 수지(에폭시 당량 160)
*3:페놀ㆍp-크시릴렌글리콜디메틸에테르 공중합 수지(수산기 당량 174)
*4:크레졸 노볼락형 에폭시 수지(에폭시 당량 210)
*5:페놀 노볼락 수지
*6:실리카 필러(평균 입경:약 8μm)
*7:실리카 필러(평균 입경:약 4μm)
*8:실리카 필러(평균 입경:약 10μm)
*9:실리카 필러(평균 입경:약 0.5μm)
*10:수지계 가공 안료(카본블랙 함유율 29.0중량%)
*11:1-시아노-1-페닐이미다졸
*12:γ-글리시독시프로필트리메톡시실란
*13:γ-메르캅토프로필트리메톡시실란
*14:γ-우레이도프로필트리메톡시실란
(비교예 1)
<봉지 필름의 제작>
고분자량 성분(a1)으로서, 에폭시기 함유 아크릴 고무(나가세켐텍스주식회사제, 상품명 HHTR-860P-3DR, 중량 평균 분자량:80만, Tg:-7℃) 12.4중량부, 열경화성 성분(a2)으로서, 비스페놀F형 에폭시 수지(토토화성주식회사제, 상품명 YD-8170C, 에폭시 당량 160) 33.6중량부와 페놀ㆍp-크시릴렌글리콜디메틸에테르 공중합 수지((미쓰이화학주식회사제, 상품명 미렉스 XLC-LL, 수산기 당량 174) 33.8중량부, 및 1-시아노-1-페닐이미다졸(시코쿠화성공업주식회사제, 상품명:큐어졸 2PZ-CN) 0.1중량부, (C) 착색제로서 수지계 가공 안료(산요오색소주식회사제, 상품명 FP BLACK 308, 카본블랙 함유율 29.0중량%) 8.3중량부, 및 커플링제로서 γ-글리시독시프로필트리메톡시실란(토오레ㆍ다우코닝주식회사제, 상품명:SH6040) 1.0중량부로 이루어지는 조성물에 시클로헥사논을 가하여 교반혼합하고, 진공탈기하여 NV가 약 60중량%인 니스를 얻었다.
상기 얻어진 니스를 기재층(테이진듀퐁필름주식회사제, 상품명 퓨렉스 A31B, 표면 이형처리 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 막두께 38μm)상에 도포하고, 90℃, 20분 및 140℃, 20분간 가열건조하여, 가열건조 후의 수지층 막두께가 150μm인 도막으로 하여, B 스테이지 상태의 봉지 필름 F를 얻었다.
<봉지 필름(수지층)의 평가>
상기에서 얻어진 봉지 필름 F에 관해서, 실시예 1과 완전히 동일한 평가를 행했다. 결과를 정리해서 표 2에 나타낸다.
<반도체장치의 제작과 평가>
봉지 필름 A 대신에 상기에서 얻어진 봉지 필름 F를 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 반도체장치를 제작하고, 그 평가를 행했다. 결과를 표 2에 나타낸다.
(비교예 2)
<봉지 필름의 제작>
기재층상에 도포한 니스의 건조 조건을 90℃, 5분 및 140℃, 5분부터, 90℃, 15분 및 140℃, 15분으로 한 것 이외에는, 비교예 1과 완전히 동일한 조작을 행하여, B 스테이지 상태의 봉지 필름 G를 얻었다.
<봉지 필름(수지층)의 평가>
상기에서 얻어진 봉지 필름 G에 관해서, 실시예 1과 완전히 동일한 평가를 행했다. 결과를 정리해서 표 2에 나타낸다.
<반도체장치의 제작과 평가>
봉지 필름 A 대신에 상기에서 얻어진 봉지 필름 G를 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 반도체장치를 제작하고, 그 평가를 행했다. 결과를 표 2에 나타낸다.
(비교예 3)
기재층상에 도포한 니스의 건조 조건을 90℃, 5분 및 140℃, 5분부터, 90℃, 3분 및 115℃, 3분으로 한 것 이외에는, 비교예 1과 완전히 동일한 조작을 행하여, B 스테이지 상태의 봉지 필름 H를 얻었다.
<봉지 필름(수지층)의 평가>
상기에서 얻어진 봉지 필름 H에 관해서, 실시예 1과 완전히 동일한 평가를 행했다. 결과를 정리해서 표 2에 나타낸다.
<반도체장치의 제작과 평가>
봉지 필름 A 대신에 상기에서 얻어진 봉지 필름 H를 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 반도체장치를 제작하고, 그 평가를 행했다. 결과를 표 2에 나타낸다.
Figure 112008076316016-PCT00002
*1~14:표 1과 동일
표 1로부터, 실시예 1~5의 봉지 필름은, 매립성, 반도체기판과의 밀착성 및 레이저 마킹 시인성 전부 우수하다는 것을 알 수 있다.
(실시예 6)
<봉지 필름의 제작>
고분자량 성분(a1)으로서, 에폭시기 함유 아크릴 고무(나가세켐텍스주식회사제 상품명:HTR-860P-3DR, 중량 평균 분자량:80만, Tg:-7℃) 33.4중량부, 열경화성 성분(a2)으로서, 비스페놀F형 에폭시 수지(토토화성주식회사제 상품명:YD-8170C, 에폭시 당량:160) 33.6중량부와 페놀ㆍp-크시릴렌글리콜디메틸에테르 공중합 수지(미쓰이화학주식회사제 상품명:미렉스 XLC-LL, 수산기 당량 174) 33.8중량부, 및 1-시아노-1-페닐이미다졸(시코쿠화성공업주식회사제 상품명:큐어졸 2PZ-CN) 0.5중량부, (B) 필러로 하여, 실리카 필러(주식회사 타투모리제 상품명:TFC-12, 평균 입경:약 4μm) 152.6중량부, (C) 착색제로서, 수지계 가공 안료(산요오색소주식회사제 상품명:FP BLACK J308, 카본블랙 함유율:29.0중량%) 2.5중량부로 이루어지는 조성물에 시클로헥사논을 가하여 교반혼합하고, 진공탈기하여 불휘발분(이후 NV라 약기한다) 약 60중량%의 니스를 얻었다.
얻어진 니스를 기재층(테이진듀퐁필름주식회사 상품명:퓨렉스 A31B, 표면 이형처리 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 막두께:38μm)상에 도포하고, 90℃, 5분 및 140℃, 5분간 가열건조하여, 막두께가 188μm인 도막으로 하여, B 스테이지 상태의 필름 I(수지층의 막두께:150μm)를 얻었다.
<봉지 필름(수지층)의 평가>
상기에서 얻어진 봉지 필름 I에 관해서, 실시예 1과 완전히 동일한 평가를 행했다. 결과를 정리해서 표 3에 나타낸다.
<반도체장치의 제작과 평가>
봉지 필름 A 대신에 상기에서 얻어진 봉지 필름 I을 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 반도체장치를 제작하고, 그 평가를 행했다. 결과를 표 3에 나타낸다.
(실시예 7)
<봉지 필름의 제작>
(B) 필러로서, 실리카 필러(주식회사 타투모리제 상품명:TFC-12, 평균 입경:약 4μm) 152.6중량부 대신에, 실리카 필러(주식회사 타투모리제 상품명:TFC-24, 평균 입경:약 8μm)를 152.6중량부 이용한 것 이외에는, 실시예 6과 동일하게 하여 B 스테이지 상태의 필름 J(수지층의 막두께:150μm) 얻었다.
<봉지 필름(수지층)의 평가>
상기에서 얻어진 봉지 필름 J에 관해서, 실시예 1과 완전히 동일한 평가를 행했다. 결과를 정리해서 표 3에 나타낸다.
<반도체장치의 제작과 평가>
봉지 필름 A 대신에 상기에서 얻어진 봉지 필름 J를 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 반도체장치를 제작하고, 그 평가를 행했다. 결과를 표 3에 나타낸다.
(실시예 8)
<봉지 필름의 제작>
1-시아노-1-페닐이미다졸(시코쿠화성공업주식회사제 상품명:큐어졸 2PZ-CN)을 0.5중량부가 아니라 0.3중량부 이용하고, (B) 필러로서, 실리카 필러(주식회사 타투모리제 상품명:TFC-12, 평균 입경:약 4μm) 152.6중량부 대신에, 실리카 필러(주식회사 타투모리제 상품명:TFC-24, 평균 입경:약 8μm)를 152.6중량부 이용한 것 이외에는, 실시예 6과 동일하게 하여 B 스테이지 상태의 필름 K(수지층의 막두께:150μm)를 얻었다.
<봉지 필름(수지층)의 평가>
상기에서 얻어진 봉지 필름 K에 관해서, 실시예 1과 완전히 동일한 평가를 행했다. 결과를 정리해서 표 3에 나타낸다.
<반도체장치의 제작과 평가>
봉지 필름 A 대신에 상기에서 얻어진 봉지 필름 K를 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 반도체장치를 제작하고, 그 평가를 행했다. 결과를 표 3에 나타낸다.
(실시예 9)
<봉지 필름의 제작>
(B) 필러로서, 실리카 필러(주식회사 타투모리제 상품명:TFC-12, 평균 입경:약 4μm) 152.6중량부 대신에, 실리카 필러(주식회사 타투모리제 상품명:TFC-24, 평균 입경:약 8μm)를 105.2중량부 이용한 것 이외에는, 실시예 7과 동일하게 하여 B 스테이지 상태의 필름 L(수지층의 막두께:150μm)을 얻었다.
<봉지 필름(수지층)의 평가>
상기에서 얻어진 봉지 필름 L에 관해서, 실시예 1과 완전히 동일한 평가를 행했다. 결과를 정리해서 표 4에 나타낸다.
<반도체장치의 제작과 평가>
봉지 필름 A 대신에 상기에서 얻어진 봉지 필름 L을 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 반도체장치를 제작하고, 그 평가를 행했다. 결과를 표 4에 나타낸다.
(실시예 10)
<봉지 필름의 제작>
(B) 필러로서, 실리카 필러(주식회사 타투모리제 상품명:TFC-12, 평균 입경:약 4μm) 152.6중량부 대신에, 실리카 필러(주식회사 타투모리제 상품명:TFC-24, 평균 입경:약 8μm)를 209.8중량부 이용한 것 이외에는, 실시예 6과 동일하게 하여 B 스테이지 상태의 필름 M(수지층의 막두께:150μm)을 얻었다.
<봉지 필름(수지층)의 평가>
상기에서 얻어진 봉지 필름 M에 관해서, 실시예 1과 완전히 동일한 평가를 행했다. 결과를 정리해서 표 4에 나타낸다.
<반도체장치의 제작과 평가>
봉지 필름 A 대신에 상기에서 얻어진 봉지 필름 M을 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 반도체장치를 제작하고, 그 평가를 행했다. 결과를 표 4에 나타낸다.
(실시예 11)
<봉지 필름의 제작>
(B) 필러로서, 실리카 필러(주식회사 타투모리제 상품명:TFC-12, 평균 입경:약 4μm) 152.6중량부 대신에, 실리카 필러(전기화학공업주식회사제 상품명:FB-35, 평균 입경:약 10μm)를 152.6중량부 이용한 것 이외에는, 실시예 7과 동일하게 하여 B 스테이지 상태의 필름 N(수지층의 막두께:150μm)을 얻었다.
<봉지 필름(수지층)의 평가>
상기에서 얻어진 봉지 필름 N에 관해서, 실시예 1과 완전히 동일한 평가를 행했다. 결과를 정리해서 표 4에 나타낸다.
<반도체장치의 제작과 평가>
봉지 필름 A 대신에 상기에서 얻어진 봉지 필름 N을 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 반도체장치를 제작하고, 그 평가를 행했다. 결과를 표 4에 나타낸다.
Figure 112008076316016-PCT00003
*1~14:표 1과 동일
Figure 112008076316016-PCT00004
*1~14:표 1과 동일
(비교예 4)
<봉지 필름의 제작>
고분자량 성분(a1)으로서, 에폭시기 함유 아크릴 고무(나가세켐텍스주식회사제 상품명:HTR-860P-3DR, 중량 평균 분자량:80만, Tg:-7℃) 33.4중량부, 열경화성 성분(a2)으로서, 비스페놀F형 에폭시 수지(토토화성주식회사제 상품명:YD-8170C, 에폭시 당량:160) 33.6중량부와 페놀ㆍp-크시릴렌글리콜디메틸에테르 공중합 수지(미쓰이화학주식회사제 상품명:미렉스 XLC-LL, 수산기 당량 174) 33.8중량부, 및 1-시아노-1-페닐이미다졸(시코쿠화성공업주식회사제 상품명:큐어졸 2PZ-CN) 0.5중량부, (B) 필러로서, 실리카 필러(아드마파인주식회사 상품명:SO-C5, 평균 입경:약 0.4~0.6μm) 152.6중량부, (C) 착색제로서, 수지계 가공 안료(산요오색소주식회사제 상품명:FP BLACK J308, 카본블랙 함유율:29.0중량%) 2.5중량부로 이루어지는 조성물에 시클로헥사논을 가하여 교반혼합하고, 진공탈기하여 불휘발분(이후 NV라 약기한다) 약 60중량%의 니스를 얻었다.
얻어진 니스를 기재층(테이진듀퐁필름주식회사 상품명:퓨렉스 A31, 표면 이형처리 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 막두께 138μm)상에 도포하고, 90℃, 5분 및 140℃, 5분간 가열건조하여, 막두께가 188μm인 도막으로 하여, B 스테이지 상태의 필름 O(수지층의 막두께:150μm)를 얻었다.
<봉지 필름(수지층)의 평가>
상기에서 얻어진 봉지 필름 O에 관해서, 실시예 1과 완전히 동일한 평가를 행했다. 결과를 정리해서 표 5에 나타낸다.
<반도체장치의 제작과 평가>
봉지 필름 A 대신에 상기에서 얻어진 봉지 필름 O를 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 반도체장치를 제작하고, 그 평가를 행했다. 결과를 표 5에 나타낸다.
(비교예 5)
<봉지 필름의 제작>
기재층상에 도포한 니스의 건조 조건을 90℃, 5분 및 140℃, 5분부터, 90℃, 15분 및 140℃, 15분으로 한 것 이외에는, 실시예 6과 완전히 동일한 조작을 행하여, B 스테이지 상태의 봉지 필름 P를 얻었다.
<봉지 필름(수지층)의 평가>
상기에서 얻어진 봉지 필름 P에 관해서, 실시예 1과 완전히 동일한 평가를 행했다. 결과를 정리해서 표 5에 나타낸다.
<반도체장치의 제작과 평가>
봉지 필름 A 대신에 상기에서 얻어진 봉지 필름 P를 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 반도체장치를 제작하고, 그 평가를 행했다. 결과를 표 5에 나타낸다.
(비교예 6)
<봉지 필름의 제작>
고분자량 성분(a1)으로서, 에폭시기 함유 아크릴 고무(나가세켐텍스주식회사제 상품명:HTR-860P-3DR, 중량 평균 분자량:80만, Tg:-7℃) 4.72중량부, 열경화성 성분(a2)으로서, 비스페놀F형 에폭시 수지(토토화성주식회사제 상품명:YD-8170C, 에폭시 당량:160) 47.04중량부와 페놀ㆍp-크시릴렌글리콜디메틸에테르 공중합 수지(미쓰이화학주식회사제 상품명:미렉스 XLC-LL, 수산기 당량 174) 47.32중량부, 및 1-시아노-1-페닐이미다졸(시코쿠화성공업주식회사제 상품명:큐어졸 2PZ-CN) 0.5중량부, (C) 착색제로서, 수지계 가공안료(산요오색소주식회사제 상품명:FP BLACK J308, 카본블랙 함유율:29.0중량%) 2.5중량부로 이루어지는 조성물에 시클로헥사논을 가하여 교반혼합하고, 진공탈기하여 불휘발분(이후 NV라 약기한다) 약 60중량%의 니스를 얻었다.
얻어진 니스를 기재층(테이진듀퐁필름주식회사 상품명:퓨렉스 A31B, 표면 이형처리 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 막두께:38μm)상에 도포하고, 90℃, 5분 및 140℃, 5분간 가열건조하여, 막두께가 188μm인 도막으로 하여, B스테이지상의 필름 Q(수지층의 막두께:150μm)를 얻었다.
<봉지 필름(수지층)의 평가>
상기에서 얻어진 봉지 필름 Q에 관해서, 실시예 1과 완전히 동일한 평가를 행했다. 결과를 정리해서 표 5에 나타낸다.
<반도체장치의 제작과 평가>
봉지 필름 A 대신에 상기에서 얻어진 봉지 필름 Q를 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 반도체장치를 제작하고, 그 평가를 행했다. 결과를 표 5에 나타낸다.
(비교예 7)
<봉지 필름의 제작>
고분자량 성분(a1)으로서, 에폭시기 함유 아크릴 고무(나가세켐텍스주식회사제 상품명:HTR-860P-3DR, 중량 평균 분자량:80만, Tg:-7℃) 4.72중량부, 열경화성 성분(a2)으로서, 비스페놀F형 에폭시 수지(토토화성주식회사제 상품명:YD-8170C, 에폭시 당량:160) 47.04중량부와 페놀ㆍp-크시릴렌글리콜디메틸에테르 공중합 수지(미쓰이화학주식회사제 상품명:미렉스 XLC-LL, 수산기 당량 174) 47.32중량부와 1-시아노-1-페닐이미다졸(시코쿠화성공업주식회사제 상품명:큐어졸 2PZ-CN) 0.5중량부로 이루어지는 조성물에 시클로헥사논을 가하여 교반혼합하고, 진공탈기하여 불휘발분(이후 NV라 약기한다) 약 60중량%의 니스를 얻었다.
얻어진 니스를 기재층(테이진듀퐁필름주식회사 상품명:퓨렉스 A31B, 표면 이형처리 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 막두께:38μm)상에 도포하고, 90℃, 5분 및 140℃, 5분간 가열건조하여, 막두께가 188μm인 도막으로 하여, B 스테이지 상태의 필름 R(수지층의 막두께:150μm)을 얻었다.
<봉지 필름(수지층)의 평가>
상기에서 얻어진 봉지 필름 R에 관해서, 실시예 1과 완전히 동일한 평가를 행했다. 결과를 정리해서 표 5에 나타낸다.
<반도체장치의 제작과 평가>
봉지 필름 A 대신에 상기에서 얻어진 봉지 필름 R을 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 반도체장치를 제작하고, 그 평가를 행했다. 결과를 표 5에 나타낸다.
Figure 112008076316016-PCT00005
*1~14:표 1과 동일
본 발명의 봉지용 필름은, 보호기능과 충전성을 가지고, 반도체칩의 보호 및 충전에 이용되고, 충전시의 유동성을 제어하는 것에 의해서 보다 충전성, 밀착성, 형상유지성이 뛰어나기 때문에, 여러 가지의 반도체장치, 전자부품 등에 적용할 수 있는 것이다.

Claims (13)

  1. 하기 (A), (B) 및 (C)를 함유하고, 80℃에서의 플로우량이 150~1800μm인 수지층을 가지는 봉지 필름.
    (A) 가교성 관능기를 포함하고, 중량 평균 분자량이 10만 이상이고 또한 Tg가 -50~50℃인 고분자량 성분(a1)과, 에폭시 수지를 주성분으로 하는 열경화성 성분(a2)을 포함하는 수지 성분,
    (B) 평균 입경이 1~30μm인 필러,
    (C) 착색제.
  2. 하기 (A), (B) 및 (C)를 함유하고, B 스테이지 상태의 필름의 열경화 점탄성 측정에 있어서 50~100℃의 점도가 10000~100000Paㆍs인 수지층을 가지는 봉지용 필름.
    (A) 가교성 관능기를 포함하고, 중량 평균 분자량이 10만 이상이고 또한 Tg가 -50~50℃인 고분자량 성분(a1)과, 에폭시 수지를 주성분으로 하는 열경화성 성분(a2)을 포함하는 수지 성분,
    (B) 평균 입경이 1~30μm인 필러,
    (C) 착색제.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 (A) 수지 성분이, 상기 고분자량 성분(a1)을 5~85중 량% 및 상기 열경화성 성분(a2)을 15~95중량% 포함하는 수지 10중량부에 대해서, 상기 (B) 필러를 1~300중량부, 상기 (C) 착색제를 0.01~10중량부 함유하는, 봉지용 필름.
  4. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 (A) 수지 성분이, 상기 고분자량 성분(a1)을 5~80중량%, 상기 열경화성 성분(a2)을 15~85중량% 포함하는, 봉지 필름.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 (A) 수지 성분 10중량부에 대해서, 상기 (B) 필러를 1~300중량부, 상기 (C) 착색제를 0.01~10중량부 포함하는, 봉지 필름.
  6. 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 수지층의 편면에 두께 5~300μm의 기재층을 더 가지고, 또한 상기 수지층의 두께가 5~800μm인 봉지 필름.
  7. 제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 수지층의 한쪽의 면에 두께 5~300μm의 기재층을, 상기 수지층의 다른 쪽의 면에 두께 5~300μm의 보호층을 더 가지고, 또한 상기 수지층의 두께가 5~800μm인 봉지 필름.
  8. 제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (B) 필러가 무기 필러인 봉지 필름.
  9. 제 1항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (C) 착색제가 백색 이외의 것인 봉지 필름.
  10. 제 1항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 수지층의, 170℃에서 1시간 경화 후의 35℃에 있어서의 저장 탄성률이 100~20000MPa인 봉지 필름.
  11. 제 1항 내지 제 10항 중 어느 한 항에 기재된 봉지 필름을 이용한 반도체장치.
  12. 하기 (A), (B) 및 (C)를 함유하는 수지층 성분에 용제를 가하여, 니스를 제작하는 공정과,
    (A) 가교성 관능기를 포함하고, 중량 평균 분자량이 10만 이상이고 또한 Tg가 -50~50℃인 고분자량 성분(a1)과, 에폭시 수지를 주성분으로 하는 열경화성 성분(a2)을 포함하는 수지 성분,
    (B) 평균 입경이 1~30μm인 필러,
    (C) 착색제,
    상기 니스를 기재층 또는 기재에 도포하는 공정과,
    상기 도포된 니스를 60~200℃의 온도에서 3~30분간 적어도 1회 가열건조하는 공정을 포함하는, 80℃에서의 플로우량이 150~1800μm인 수지층을 가지는 봉지 필 름의 제조방법.
  13. 하기 (A), (B) 및 (C)를 함유하는 수지층 성분에 용제를 가하여, 니스를 제작하는 공정과,
    (A) 가교성 관능기를 포함하고, 중량 평균 분자량이 10만 이상이고 또한 Tg가 -50~50℃인 고분자량 성분(a1)과, 에폭시 수지를 주성분으로 하는 열경화성 성분(a2)을 포함하는 수지 성분,
    (B) 평균 입경이 1~30μm인 필러,
    (C) 착색제,
    상기 니스를 기재층 또는 기재에 도포하는 공정과,
    상기 도포된 니스를 60~200℃의 온도에서 3~30분간 적어도 1회 가열건조하는 공정을 포함하는, B 스테이지 상태의 필름의 열경화 점탄성 측정에 있어서 50~100℃의 점도가 10000~100000Paㆍs인 수지층을 가지는 봉지 필름의 제조방법.
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