JPH05190697A - 半導体部品の製造方法 - Google Patents
半導体部品の製造方法Info
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- JPH05190697A JPH05190697A JP2188192A JP2188192A JPH05190697A JP H05190697 A JPH05190697 A JP H05190697A JP 2188192 A JP2188192 A JP 2188192A JP 2188192 A JP2188192 A JP 2188192A JP H05190697 A JPH05190697 A JP H05190697A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体チップを効率よく封止処理できて製造
効率ないし量産性に優れる半導体部品の製造方法を得る
こと。 【構成】 易剥離性シート（１１）の上に転写可能に設
けた無機膜（１２）とその上の接着層（１３）を、リー
ド電極（５）を設けた半導体チップ（３）の両側に配置
して半導体チップの周囲に接着層（２２）の重ね代（２
３）が形成され、かつリード電極の少なくとも先端部
（５１）がはみ出す大きさで押圧転写し、前記重ね代を
介した対向接着層間の接着処理下に半導体チップを封止
（２）する半導体部品の製造方法。 【効果】 簡単で作業性に優れる転写方式で半導体チッ
プを封止でき、転写膜としての封止層が電磁波遮蔽層や
帯電防止層等として機能しうる導電膜を有する場合には
半導体チップを電気的にも保護する。
効率ないし量産性に優れる半導体部品の製造方法を得る
こと。 【構成】 易剥離性シート（１１）の上に転写可能に設
けた無機膜（１２）とその上の接着層（１３）を、リー
ド電極（５）を設けた半導体チップ（３）の両側に配置
して半導体チップの周囲に接着層（２２）の重ね代（２
３）が形成され、かつリード電極の少なくとも先端部
（５１）がはみ出す大きさで押圧転写し、前記重ね代を
介した対向接着層間の接着処理下に半導体チップを封止
（２）する半導体部品の製造方法。 【効果】 簡単で作業性に優れる転写方式で半導体チッ
プを封止でき、転写膜としての封止層が電磁波遮蔽層や
帯電防止層等として機能しうる導電膜を有する場合には
半導体チップを電気的にも保護する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップを効率よ
く封止処理できる半導体部品の製造方法に関する。
く封止処理できる半導体部品の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ等の回路パターンが形成された半導
体チップは、それにリード電極を設けたのち封止処理し
て密封状態の半導体部品とし、それが仕上げ工程や検査
工程等の後続工程に送られる。かかる封止処理は、半導
体チップを外部環境等より保護してチップ機能に障害等
が発生しないようにすることなどを目的とする。
体チップは、それにリード電極を設けたのち封止処理し
て密封状態の半導体部品とし、それが仕上げ工程や検査
工程等の後続工程に送られる。かかる封止処理は、半導
体チップを外部環境等より保護してチップ機能に障害等
が発生しないようにすることなどを目的とする。
【０００３】従来、前記半導体部品の製造方法として
は、トランスファ方式等による樹脂モールド法が知られ
ていた。しかしながら、２００℃程度の高温が関与する
ほか、封止処理の完了までに多時間、多労力を要して製
造効率に劣る問題点があった。また製造時や使用時にお
ける帯電、外部の静電気や電磁波等で半導体部品が劣化
する難点もあった。
は、トランスファ方式等による樹脂モールド法が知られ
ていた。しかしながら、２００℃程度の高温が関与する
ほか、封止処理の完了までに多時間、多労力を要して製
造効率に劣る問題点があった。また製造時や使用時にお
ける帯電、外部の静電気や電磁波等で半導体部品が劣化
する難点もあった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、半導体チッ
プを効率よく封止処理できて製造効率、ないし量産性に
優れる半導体部品の製造方法の開発を課題とする。
プを効率よく封止処理できて製造効率、ないし量産性に
優れる半導体部品の製造方法の開発を課題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、易剥離性シー
トの上に転写可能に設けた無機膜とその上の接着層を、
リード電極を設けた半導体チップの両側に配置して半導
体チップの周囲に接着層の重ね代が形成され、かつリー
ド電極の少なくとも先端部がはみ出す大きさで押圧転写
し、前記重ね代を介した対向接着層間の接着処理下に半
導体チップを封止することを特徴とする半導体部品の製
造方法を提供するものである。
トの上に転写可能に設けた無機膜とその上の接着層を、
リード電極を設けた半導体チップの両側に配置して半導
体チップの周囲に接着層の重ね代が形成され、かつリー
ド電極の少なくとも先端部がはみ出す大きさで押圧転写
し、前記重ね代を介した対向接着層間の接着処理下に半
導体チップを封止することを特徴とする半導体部品の製
造方法を提供するものである。
【０００６】
【作用】易剥離性シートの上に無機膜と接着層を転写可
能に順次設けてなる転写シートを用いる上記の方法によ
り、その無機膜等を押圧転写する簡単な処理で半導体チ
ップを封止することができ、半導体部品を製造効率よく
量産することができる。また金属膜等の導電膜を有する
場合にはその導電性に基づいて電磁波遮蔽層や帯電防止
層などとして機能し、半導体チップを電気的にも保護す
る。
能に順次設けてなる転写シートを用いる上記の方法によ
り、その無機膜等を押圧転写する簡単な処理で半導体チ
ップを封止することができ、半導体部品を製造効率よく
量産することができる。また金属膜等の導電膜を有する
場合にはその導電性に基づいて電磁波遮蔽層や帯電防止
層などとして機能し、半導体チップを電気的にも保護す
る。
【０００７】
【実施例】本発明は、リード電極を設けた半導体チップ
の両側に転写シートを配置し、そのシート上の無機膜と
接着層を転写することにより半導体チップを封止処理し
て半導体部品を製造するものである。その方法を図１に
例示した。１が転写シート、２が封止層、３が半導体チ
ップ、５がリード電極である。なお、４は半導体チップ
３とリード電極５間に設けられたバンプである。
の両側に転写シートを配置し、そのシート上の無機膜と
接着層を転写することにより半導体チップを封止処理し
て半導体部品を製造するものである。その方法を図１に
例示した。１が転写シート、２が封止層、３が半導体チ
ップ、５がリード電極である。なお、４は半導体チップ
３とリード電極５間に設けられたバンプである。
【０００８】図１に例示の如く、本発明において封止層
２は、無機膜２１と接着層２２の重畳転写膜で形成さ
れ、その重畳転写膜は転写シートを用いた転写方式で付
与される。その転写シートは、易剥離性シート１１の上
に無機膜１２と接着層１３を転写可能に順次設けたもの
からなる。
２は、無機膜２１と接着層２２の重畳転写膜で形成さ
れ、その重畳転写膜は転写シートを用いた転写方式で付
与される。その転写シートは、易剥離性シート１１の上
に無機膜１２と接着層１３を転写可能に順次設けたもの
からなる。
【０００９】転写シートにおける易剥離性シートとして
は、例えば粘着シート等におけるセパレータなどとして
公知の適宜なものを用いることができる。一般には、ポ
リテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエ
チレン、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、テ
トラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重
合体、クロロトリフルオロエチレン・フッ化ビニリデン
共重合体の如きフッ素系樹脂からなるシート、ポリエチ
レンやポリプロピレンの如きポリオレフィン系樹脂から
なるシート、あるいはポリエステル、ポリアミド、ポリ
塩化ビニル、ポリスチレンの如き通例のプラスチックか
らなるシートや金属箔などの薄葉体を、例えばシリコー
ン系剥離剤、フッ素系剥離剤、長鎖アクリル系剥離剤、
硫化モリブデンの如き剥離性付与剤で表面処理したもの
などが用いられる。易剥離性シートの厚さは適宜に決定
してよいが、一般には無機膜等の転写性などの点より１
〜６００μmとされる。なお前記のシートは、延伸処理
等により伸び率などの変形性を制御したものであっても
よい。
は、例えば粘着シート等におけるセパレータなどとして
公知の適宜なものを用いることができる。一般には、ポ
リテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエ
チレン、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、テ
トラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重
合体、クロロトリフルオロエチレン・フッ化ビニリデン
共重合体の如きフッ素系樹脂からなるシート、ポリエチ
レンやポリプロピレンの如きポリオレフィン系樹脂から
なるシート、あるいはポリエステル、ポリアミド、ポリ
塩化ビニル、ポリスチレンの如き通例のプラスチックか
らなるシートや金属箔などの薄葉体を、例えばシリコー
ン系剥離剤、フッ素系剥離剤、長鎖アクリル系剥離剤、
硫化モリブデンの如き剥離性付与剤で表面処理したもの
などが用いられる。易剥離性シートの厚さは適宜に決定
してよいが、一般には無機膜等の転写性などの点より１
〜６００μmとされる。なお前記のシートは、延伸処理
等により伸び率などの変形性を制御したものであっても
よい。
【００１０】易剥離性シートの上に転写可能に設ける無
機膜は、使用目的に応じた適宜な無機材料で形成してよ
い。一般に用いられるものの例としては、アルミニウ
ム、スズ、銅、ニッケル、鉛、亜鉛、それらの合金や酸
化物などがあげられる。その他、インジウム、ビスマ
ス、タリウム、金、銀、それらの合金や酸化物なども用
いることができ、使用の無機材料については特に限定は
ない。
機膜は、使用目的に応じた適宜な無機材料で形成してよ
い。一般に用いられるものの例としては、アルミニウ
ム、スズ、銅、ニッケル、鉛、亜鉛、それらの合金や酸
化物などがあげられる。その他、インジウム、ビスマ
ス、タリウム、金、銀、それらの合金や酸化物なども用
いることができ、使用の無機材料については特に限定は
ない。
【００１１】無機膜の形成は、例えば真空蒸着法、スパ
ッタリング法、イオンプレーティング法などの薄膜形成
法で行うことができる。形成する無機膜の厚さは、転写
性などの点より通例１０Å〜３００μm、就中１〜１０
０μmとされる。無機膜は、異種材料の積層膜として形
成されていてもよい。なお無機膜の上又は下に無機膜の
保護や絶縁等の適宜な目的を有する転写用の有機膜を形
成することもできる。
ッタリング法、イオンプレーティング法などの薄膜形成
法で行うことができる。形成する無機膜の厚さは、転写
性などの点より通例１０Å〜３００μm、就中１〜１０
０μmとされる。無機膜は、異種材料の積層膜として形
成されていてもよい。なお無機膜の上又は下に無機膜の
保護や絶縁等の適宜な目的を有する転写用の有機膜を形
成することもできる。
【００１２】無機膜の上に設けられる接着層は、半導体
チップの封止処理おける密着力ないし密封シール性の向
上等を目的とする。接着層は、例えばアクリル系、シリ
コーン系、ゴム系等の感圧接着剤や、感熱接着剤などの
適宜な接着性物質で形成してよく、感熱接着剤等の耐久
性に優れるものが好ましく用いうる。好ましい感熱接着
剤は、成膜性が良好で感熱接着性が大きい熱可塑性樹脂
などである。その例としては、ポリエチレン、ポリプロ
ピレンの如きポリアルキレン、エチレン・酢酸ビニル共
重合体、エチレン・エチルアクリレート共重合体、エチ
レン・アクリル酸共重合体、ポリ酢酸ビニル、アクリル
系重合体、ポリアミド、ポリウレタン、ポリエステル、
ポリビニルエーテル、ポリビニルアルコール、ないしそ
れらの混合物などがあげられる。接着層の形成は例え
ば、無機膜上への押出しフィルム化方式、液状物の塗工
方式、フィルムのラミネート方式など、適宜な方式で行
ってよい。接着層の厚さは、転写性などの点より５００
μm以下、就中１〜２００μmが好ましいがこれに限定さ
れない。
チップの封止処理おける密着力ないし密封シール性の向
上等を目的とする。接着層は、例えばアクリル系、シリ
コーン系、ゴム系等の感圧接着剤や、感熱接着剤などの
適宜な接着性物質で形成してよく、感熱接着剤等の耐久
性に優れるものが好ましく用いうる。好ましい感熱接着
剤は、成膜性が良好で感熱接着性が大きい熱可塑性樹脂
などである。その例としては、ポリエチレン、ポリプロ
ピレンの如きポリアルキレン、エチレン・酢酸ビニル共
重合体、エチレン・エチルアクリレート共重合体、エチ
レン・アクリル酸共重合体、ポリ酢酸ビニル、アクリル
系重合体、ポリアミド、ポリウレタン、ポリエステル、
ポリビニルエーテル、ポリビニルアルコール、ないしそ
れらの混合物などがあげられる。接着層の形成は例え
ば、無機膜上への押出しフィルム化方式、液状物の塗工
方式、フィルムのラミネート方式など、適宜な方式で行
ってよい。接着層の厚さは、転写性などの点より５００
μm以下、就中１〜２００μmが好ましいがこれに限定さ
れない。
【００１３】転写性などの点より好ましい転写シート
は、無機膜の易剥離性シートに対する界面接着力が、無
機膜と接着層との重畳膜の引張強度よりも大きいもの、
就中１０ｇ以上、特に５０ｇ以上大きいものである。こ
れにより、無機膜を易剥離性シートから剥離するのに要
する力がかかる重畳膜の膜強度よりも大きくなり、重畳
膜をその転写の際の押圧力で切断することができる。
は、無機膜の易剥離性シートに対する界面接着力が、無
機膜と接着層との重畳膜の引張強度よりも大きいもの、
就中１０ｇ以上、特に５０ｇ以上大きいものである。こ
れにより、無機膜を易剥離性シートから剥離するのに要
する力がかかる重畳膜の膜強度よりも大きくなり、重畳
膜をその転写の際の押圧力で切断することができる。
【００１４】リード電極を設けた半導体チップの封止処
理は、図１に例示の如く転写シート１における易剥離性
シート１１の背面より押圧して、その上に転写可能に設
けた無機膜１２と接着層１３を半導体チップ３の両側よ
り転写することにより行われる。
理は、図１に例示の如く転写シート１における易剥離性
シート１１の背面より押圧して、その上に転写可能に設
けた無機膜１２と接着層１３を半導体チップ３の両側よ
り転写することにより行われる。
【００１５】すなわち、半導体チップ３の両側に転写シ
ート１をその接着層側（１３）を対向させて配置し、半
導体チップ３の周囲に接着層２２の重ね代２３が形成さ
れると共に、リード電極５の少なくとも先端部５１がは
み出す大きさで易剥離性シート１１の背面より押圧し、
対向する接着層の重ね代２３を接着させることにより半
導体チップ３が封止処理される。
ート１をその接着層側（１３）を対向させて配置し、半
導体チップ３の周囲に接着層２２の重ね代２３が形成さ
れると共に、リード電極５の少なくとも先端部５１がは
み出す大きさで易剥離性シート１１の背面より押圧し、
対向する接着層の重ね代２３を接着させることにより半
導体チップ３が封止処理される。
【００１６】前記において、対向する接着層の重ね代間
の押圧による接着処理は、その接着層の特性に応じて単
なる押圧方式、押圧手段等を介した外部加熱方式、超音
波等による摩擦方式、それらの併用方式など適宜な方式
を採ることができる。無機膜と接着層からなる重畳膜の
易剥離性シートよりの分離、従って重畳転写膜の形成
は、易剥離性シートの押圧過程で行ってもよいし、対向
する接着層の重ね代間の接着後その転写シートを分離す
る過程で行ってもよい。本発明においては、かかる転写
シートの押圧過程であっても分離過程であっても、転写
部分と非転写部分の界面で良好にカッティングすること
ができる。転写の際の押圧力は、適宜に決定してよい
が、通例３０kg／cm2以下、就中０．５〜１０kg／cm2と
される。
の押圧による接着処理は、その接着層の特性に応じて単
なる押圧方式、押圧手段等を介した外部加熱方式、超音
波等による摩擦方式、それらの併用方式など適宜な方式
を採ることができる。無機膜と接着層からなる重畳膜の
易剥離性シートよりの分離、従って重畳転写膜の形成
は、易剥離性シートの押圧過程で行ってもよいし、対向
する接着層の重ね代間の接着後その転写シートを分離す
る過程で行ってもよい。本発明においては、かかる転写
シートの押圧過程であっても分離過程であっても、転写
部分と非転写部分の界面で良好にカッティングすること
ができる。転写の際の押圧力は、適宜に決定してよい
が、通例３０kg／cm2以下、就中０．５〜１０kg／cm2と
される。
【００１７】押圧手段にはプレス装置等の適宜な装置を
用いてよい。重畳転写膜の接着層を介した封止層と半導
体チップの隙間のない良好な密着を達成する点より、ひ
いては半導体チップの高度な密封封止を達成する点より
押圧手段の押圧面は、目的とする良好な封止形態に成形
されていることが好ましい。すなわち、半導体チップの
両側に転写シートを介して配置される押圧手段を合致さ
せた際に、それらの押圧面が良好な封止形態に対応する
空間を形成するように成形されていることが好ましい。
また押圧手段は、スプリング等の緩衝材を介し支持して
可及的に一定な転写圧が作用するように形成することが
好ましい。
用いてよい。重畳転写膜の接着層を介した封止層と半導
体チップの隙間のない良好な密着を達成する点より、ひ
いては半導体チップの高度な密封封止を達成する点より
押圧手段の押圧面は、目的とする良好な封止形態に成形
されていることが好ましい。すなわち、半導体チップの
両側に転写シートを介して配置される押圧手段を合致さ
せた際に、それらの押圧面が良好な封止形態に対応する
空間を形成するように成形されていることが好ましい。
また押圧手段は、スプリング等の緩衝材を介し支持して
可及的に一定な転写圧が作用するように形成することが
好ましい。
【００１８】封止処理に際して半導体チップの周囲に設
ける接着層の重ね代は、密封性能等に応じて適宜に決定
してよいが、一般には１〜１０mm程度とされる。また封
止処理は、半導体チップごとに行ってもよいし、複数の
半導体チップごとに行ってもよい。本発明においては適
宜な封止方式を採ることができ、半導体チップの製造ラ
インにあわせて本発明の半導体部品を連続製造すること
も容易である。その場合、転写シートを長尺ロール体と
して連続供給可能な形態とすることもできる。なお半導
体チップの両側に配置する転写シートは、その無機膜等
の転写用の重畳膜が異なる種類のものであってもよい。
ける接着層の重ね代は、密封性能等に応じて適宜に決定
してよいが、一般には１〜１０mm程度とされる。また封
止処理は、半導体チップごとに行ってもよいし、複数の
半導体チップごとに行ってもよい。本発明においては適
宜な封止方式を採ることができ、半導体チップの製造ラ
インにあわせて本発明の半導体部品を連続製造すること
も容易である。その場合、転写シートを長尺ロール体と
して連続供給可能な形態とすることもできる。なお半導
体チップの両側に配置する転写シートは、その無機膜等
の転写用の重畳膜が異なる種類のものであってもよい。
【００１９】上記のように本発明においては、転写方式
でリード電極を設けた半導体チップを封止処理して半導
体部品を製造するものであるが、その付与対象であるリ
ード電極を設けた半導体チップについては特に限定はな
い。シリコンウエハ等の半導体素材の上にＩＣ回路等を
設けた任意な半導体チップの封止処理を行うことができ
る。
でリード電極を設けた半導体チップを封止処理して半導
体部品を製造するものであるが、その付与対象であるリ
ード電極を設けた半導体チップについては特に限定はな
い。シリコンウエハ等の半導体素材の上にＩＣ回路等を
設けた任意な半導体チップの封止処理を行うことができ
る。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、簡単で作業性に優れる
転写方式で半導体チップを封止することができ、半導体
部品を製造効率よく量産することができる。また転写膜
としての封止層が電磁波遮蔽層や帯電防止層等として機
能しうる導電膜を有する場合には半導体チップを電気的
にも保護する。
転写方式で半導体チップを封止することができ、半導体
部品を製造効率よく量産することができる。また転写膜
としての封止層が電磁波遮蔽層や帯電防止層等として機
能しうる導電膜を有する場合には半導体チップを電気的
にも保護する。
【図１】転写工程を例示した断面図。
１：転写シート １１：易剥離性シート １２：無機膜 １３：接着層 ２：転写重畳層からなる封止層 ２１：転写重畳層を形成する無機膜 ２２：転写重畳層を形成する接着層 ２３：接着層の重ね代 ３：半導体チップ ５：リード電極 ５１：リード電極の先端部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/31
Claims (1)
- 【請求項１】 易剥離性シートの上に転写可能に設けた
無機膜とその上の接着層を、リード電極を設けた半導体
チップの両側に配置して半導体チップの周囲に接着層の
重ね代が形成され、かつリード電極の少なくとも先端部
がはみ出す大きさで押圧転写し、前記重ね代を介した対
向接着層間の接着処理下に半導体チップを封止すること
を特徴とする半導体部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2188192A JPH05190697A (ja) | 1992-01-10 | 1992-01-10 | 半導体部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2188192A JPH05190697A (ja) | 1992-01-10 | 1992-01-10 | 半導体部品の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05190697A true JPH05190697A (ja) | 1993-07-30 |
Family
ID=12067466
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2188192A Pending JPH05190697A (ja) | 1992-01-10 | 1992-01-10 | 半導体部品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05190697A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008090950A1 (ja) | 2007-01-26 | 2008-07-31 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | 封止用フィルム、及びそれを用いた半導体装置 |
| JP2016072492A (ja) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1992
- 1992-01-10 JP JP2188192A patent/JPH05190697A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008090950A1 (ja) | 2007-01-26 | 2008-07-31 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | 封止用フィルム、及びそれを用いた半導体装置 |
| US8715454B2 (en) | 2007-01-26 | 2014-05-06 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Sealing film and a semiconductor device using the same |
| US8771828B2 (en) | 2007-01-26 | 2014-07-08 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Sealing film and a semiconductor device using the same |
| JP2016072492A (ja) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
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