KR100589097B1 - 봉지용 에폭시수지 조성물 및 전자장치 - Google Patents
봉지용 에폭시수지 조성물 및 전자장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100589097B1 KR100589097B1 KR1020040021130A KR20040021130A KR100589097B1 KR 100589097 B1 KR100589097 B1 KR 100589097B1 KR 1020040021130 A KR1020040021130 A KR 1020040021130A KR 20040021130 A KR20040021130 A KR 20040021130A KR 100589097 B1 KR100589097 B1 KR 100589097B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- epoxy resin
- group
- resin composition
- encapsulation
- carbon
- Prior art date
Links
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 title claims abstract description 93
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 title claims abstract description 93
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 64
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 42
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 42
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 35
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 claims description 26
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 9
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims description 7
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 6
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 6
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 claims 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 abstract 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- -1 Terpene modified epoxy resins Chemical class 0.000 description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 17
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 14
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 12
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 12
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 10
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 9
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 9
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 8
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 8
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 7
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 7
- 239000001993 wax Substances 0.000 description 7
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N o-cresol Chemical compound CC1=CC=CC=C1O QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 5
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 5
- 229920000578 graft copolymer Polymers 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Chemical compound O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 4
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 4
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 4
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 4
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 4
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 4
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- 125000000547 substituted alkyl group Chemical group 0.000 description 4
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- 125000000022 2-aminoethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])N([H])[H] 0.000 description 3
- 125000000094 2-phenylethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 241000872198 Serjania polyphylla Species 0.000 description 3
- UMHKOAYRTRADAT-UHFFFAOYSA-N [hydroxy(octoxy)phosphoryl] octyl hydrogen phosphate Chemical compound CCCCCCCCOP(O)(=O)OP(O)(=O)OCCCCCCCC UMHKOAYRTRADAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004183 alkoxy alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 3
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 3
- 125000004202 aminomethyl group Chemical group [H]N([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 125000004106 butoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 3
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 3
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 150000002118 epoxides Chemical class 0.000 description 3
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 3
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 3
- 125000005745 ethoxymethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])OC([H])([H])* 0.000 description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 3
- 125000002485 formyl group Chemical class [H]C(*)=O 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 3
- 125000004184 methoxymethyl group Chemical group [H]C([H])([H])OC([H])([H])* 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N nitrogen oxide Inorganic materials O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 3
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 3
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 238000011417 postcuring Methods 0.000 description 3
- 125000002572 propoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000005023 xylyl group Chemical group 0.000 description 3
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 1-naphthol Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1 KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HRSLYNJTMYIRHM-UHFFFAOYSA-N 2-[[4-[3,5-dimethyl-4-(oxiran-2-ylmethoxy)phenyl]-2,6-dimethylphenoxy]methyl]oxirane Chemical group CC1=CC(C=2C=C(C)C(OCC3OC3)=C(C)C=2)=CC(C)=C1OCC1CO1 HRSLYNJTMYIRHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JWAZRIHNYRIHIV-UHFFFAOYSA-N 2-naphthol Chemical compound C1=CC=CC2=CC(O)=CC=C21 JWAZRIHNYRIHIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N Beryllium oxide Chemical compound O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N Epichlorohydrin Chemical compound ClCC1CO1 BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N Peracetic acid Chemical compound CC(=O)OO KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000219000 Populus Species 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000220259 Raphanus Species 0.000 description 2
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Chemical compound [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000378 calcium silicate Substances 0.000 description 2
- 229910052918 calcium silicate Inorganic materials 0.000 description 2
- OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N calcium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Ca+2].[O-][Si]([O-])=O OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 239000013022 formulation composition Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N isocyanuric acid Chemical compound OC1=NC(O)=NC(O)=N1 ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 2
- 238000010330 laser marking Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 2
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004780 naphthols Chemical class 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WRKCIHRWQZQBOL-UHFFFAOYSA-N octyl dihydrogen phosphate Chemical compound CCCCCCCCOP(O)(O)=O WRKCIHRWQZQBOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- 150000003003 phosphines Chemical class 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 2
- XGINAUQXFXVBND-UHFFFAOYSA-N 1,2,6,7,8,8a-hexahydropyrrolo[1,2-a]pyrimidine Chemical compound N1CC=CN2CCCC21 XGINAUQXFXVBND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEKHISJGRIEHRE-UHFFFAOYSA-N 16-methylheptadecanoic acid;propan-2-ol;titanium Chemical compound [Ti].CC(C)O.CC(C)CCCCCCCCCCCCCCC(O)=O.CC(C)CCCCCCCCCCCCCCC(O)=O.CC(C)CCCCCCCCCCCCCCC(O)=O IEKHISJGRIEHRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 1
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHDSRXYHVZECER-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-tris[(dimethylamino)methyl]phenol Chemical compound CN(C)CC1=CC(CN(C)C)=C(O)C(CN(C)C)=C1 AHDSRXYHVZECER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OZRVXYJWUUMVOW-UHFFFAOYSA-N 2-[[4-[4-(oxiran-2-ylmethoxy)phenyl]phenoxy]methyl]oxirane Chemical group C1OC1COC(C=C1)=CC=C1C(C=C1)=CC=C1OCC1CO1 OZRVXYJWUUMVOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KKOHCQAVIJDYAF-UHFFFAOYSA-N 2-dodecylbenzenesulfonic acid;propan-2-ol;titanium Chemical compound [Ti].CC(C)O.CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O.CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O.CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O KKOHCQAVIJDYAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=NC=CN1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003504 2-oxazolinyl group Chemical group O1C(=NCC1)* 0.000 description 1
- ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound C1=CNC(C=2C=CC=CC=2)=N1 ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ROSGJZYJHLVCJU-UHFFFAOYSA-N 3-(dimethoxymethylsilyl)propan-1-amine Chemical compound COC(OC)[SiH2]CCCN ROSGJZYJHLVCJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IKYAJDOSWUATPI-UHFFFAOYSA-N 3-[dimethoxy(methyl)silyl]propane-1-thiol Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCS IKYAJDOSWUATPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OXYZDRAJMHGSMW-UHFFFAOYSA-N 3-chloropropyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCCl OXYZDRAJMHGSMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCS UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYOXIFXYEIILLY-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound N1C(C)=CN=C1C1=CC=CC=C1 TYOXIFXYEIILLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000298 Cellophane Polymers 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- 229920000742 Cotton Polymers 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- KNANZMNFPYPCHN-UHFFFAOYSA-N N'-[2-(dimethoxymethylsilyl)propan-2-yl]ethane-1,2-diamine Chemical compound COC(OC)[SiH2]C(C)(C)NCCN KNANZMNFPYPCHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N N-dimethylaminoethanol Chemical compound CN(C)CCO UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 208000034189 Sclerosis Diseases 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- NOZAQBYNLKNDRT-UHFFFAOYSA-N [diacetyloxy(ethenyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](OC(C)=O)(OC(C)=O)C=C NOZAQBYNLKNDRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004844 aliphatic epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052915 alkaline earth metal silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001000 anthraquinone dye Substances 0.000 description 1
- PEEDYJQEMCKDDX-UHFFFAOYSA-N antimony bismuth Chemical compound [Sb].[Bi] PEEDYJQEMCKDDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004069 aziridinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- VCCBEIPGXKNHFW-UHFFFAOYSA-N biphenyl-4,4'-diol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C1=CC=C(O)C=C1 VCCBEIPGXKNHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000319 biphenyl-4-yl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1C1=C([H])C([H])=C([*])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000004369 butenyl group Chemical group C(=CCC)* 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 1
- 229910021446 cobalt carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000428 cobalt oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOTKGJBKKKVBJZ-UHFFFAOYSA-L cobalt(2+);carbonate Chemical compound [Co+2].[O-]C([O-])=O ZOTKGJBKKKVBJZ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical compound [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 229940116318 copper carbonate Drugs 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- GEZOTWYUIKXWOA-UHFFFAOYSA-L copper;carbonate Chemical compound [Cu+2].[O-]C([O-])=O GEZOTWYUIKXWOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910002026 crystalline silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011353 cycloaliphatic epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229960002887 deanol Drugs 0.000 description 1
- GDVKFRBCXAPAQJ-UHFFFAOYSA-A dialuminum;hexamagnesium;carbonate;hexadecahydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Al+3].[Al+3].[O-]C([O-])=O GDVKFRBCXAPAQJ-UHFFFAOYSA-A 0.000 description 1
- 125000000664 diazo group Chemical group [N-]=[N+]=[*] 0.000 description 1
- CRGRWBQSZSQVIE-UHFFFAOYSA-N diazomethylbenzene Chemical compound [N-]=[N+]=CC1=CC=CC=C1 CRGRWBQSZSQVIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical class C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 1
- XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N dimethylbenzylamine Chemical compound CN(C)CC1=CC=CC=C1 XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMQYIPNJVLNWOE-UHFFFAOYSA-N dioctyl hydrogen phosphite Chemical compound CCCCCCCCOP(O)OCCCCCCCC XMQYIPNJVLNWOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LTYMSROWYAPPGB-UHFFFAOYSA-N diphenyl sulfide Chemical compound C=1C=CC=CC=1SC1=CC=CC=C1 LTYMSROWYAPPGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPAYUJZHTULNBE-UHFFFAOYSA-N diphenylphosphine Chemical compound C=1C=CC=CC=1PC1=CC=CC=C1 GPAYUJZHTULNBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N dipotassium dioxido(oxo)titanium Chemical compound [K+].[K+].[O-][Ti]([O-])=O NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHQJMKJYFOHOSY-UHFFFAOYSA-L disodium 4-amino-3-[[4-[4-[(2,4-diaminophenyl)diazenyl]-3-methylphenyl]-2-methylphenyl]diazenyl]-5-oxido-6-phenyldiazenyl-7-sulfonaphthalene-2-sulfonate Chemical compound [Na+].[Na+].Cc1cc(ccc1N=Nc1ccc(N)cc1N)-c1ccc(N=Nc2c(N)c3c(O)c(N=Nc4ccccc4)c(cc3cc2S([O-])(=O)=O)S([O-])(=O)=O)c(C)c1 DHQJMKJYFOHOSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- VTIXMGZYGRZMAW-UHFFFAOYSA-N ditridecyl hydrogen phosphite Chemical compound CCCCCCCCCCCCCOP(O)OCCCCCCCCCCCCC VTIXMGZYGRZMAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHWQYYPUYFYELO-UHFFFAOYSA-N ditridecyl phosphite Chemical compound CCCCCCCCCCCCCOP([O-])OCCCCCCCCCCCCC XHWQYYPUYFYELO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WOXXJEVNDJOOLV-UHFFFAOYSA-N ethenyl-tris(2-methoxyethoxy)silane Chemical compound COCCO[Si](OCCOC)(OCCOC)C=C WOXXJEVNDJOOLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006266 etherification reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- NEXSMEBSBIABKL-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilane Chemical compound C[Si](C)(C)[Si](C)(C)C NEXSMEBSBIABKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 1
- 229910001701 hydrotalcite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960001545 hydrotalcite Drugs 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- WTFXARWRTYJXII-UHFFFAOYSA-N iron(2+);iron(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Fe+2].[Fe+3].[Fe+3] WTFXARWRTYJXII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SZVJSHCCFOBDDC-UHFFFAOYSA-N iron(II,III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]O[Fe]=O SZVJSHCCFOBDDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 1
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000391 magnesium silicate Substances 0.000 description 1
- 229910052919 magnesium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019792 magnesium silicate Nutrition 0.000 description 1
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- UJNZOIKQAUQOCN-UHFFFAOYSA-N methyl(diphenyl)phosphane Chemical compound C=1C=CC=CC=1P(C)C1=CC=CC=C1 UJNZOIKQAUQOCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N n'-(3-trimethoxysilylpropyl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNCCN PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- NXPPAOGUKPJVDI-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2-diol Chemical compound C1=CC=CC2=C(O)C(O)=CC=C21 NXPPAOGUKPJVDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000008 nickel(II) carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- ZULUUIKRFGGGTL-UHFFFAOYSA-L nickel(ii) carbonate Chemical compound [Ni+2].[O-]C([O-])=O ZULUUIKRFGGGTL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethanamine Chemical compound NCC1CO1 AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 150000004965 peroxy acids Chemical class 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- RPGWZZNNEUHDAQ-UHFFFAOYSA-N phenylphosphine Chemical compound PC1=CC=CC=C1 RPGWZZNNEUHDAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000001007 phthalocyanine dye Substances 0.000 description 1
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920000765 poly(2-oxazolines) Polymers 0.000 description 1
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001755 resorcinol Drugs 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 235000007586 terpenes Nutrition 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000005068 thioepoxy group Chemical group S(O*)* 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 1
- TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N tributylphosphine Chemical compound CCCCP(CCCC)CCCC TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQIUQDDJKHLHTB-UHFFFAOYSA-N trichloro(ethenyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)C=C GQIUQDDJKHLHTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl]silane Chemical compound C1C(CC[Si](OC)(OC)OC)CCC2OC21 DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QLAGHGSFXJZWKY-UHFFFAOYSA-N triphenylborane;triphenylphosphane Chemical compound C1=CC=CC=C1B(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 QLAGHGSFXJZWKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BIKXLKXABVUSMH-UHFFFAOYSA-N trizinc;diborate Chemical compound [Zn+2].[Zn+2].[Zn+2].[O-]B([O-])[O-].[O-]B([O-])[O-] BIKXLKXABVUSMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000005050 vinyl trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 description 1
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
-
- E—FIXED CONSTRUCTIONS
- E04—BUILDING
- E04H—BUILDINGS OR LIKE STRUCTURES FOR PARTICULAR PURPOSES; SWIMMING OR SPLASH BATHS OR POOLS; MASTS; FENCING; TENTS OR CANOPIES, IN GENERAL
- E04H12/00—Towers; Masts or poles; Chimney stacks; Water-towers; Methods of erecting such structures
- E04H12/22—Sockets or holders for poles or posts
- E04H12/2292—Holders used for protection, repair or reinforcement of the post or pole
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/02—Elements
- C08K3/04—Carbon
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
- F21S8/00—Lighting devices intended for fixed installation
- F21S8/08—Lighting devices intended for fixed installation with a standard
- F21S8/085—Lighting devices intended for fixed installation with a standard of high-built type, e.g. street light
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21W—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO USES OR APPLICATIONS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS
- F21W2131/00—Use or application of lighting devices or systems not provided for in codes F21W2102/00-F21W2121/00
- F21W2131/10—Outdoor lighting
- F21W2131/103—Outdoor lighting of streets or roads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01014—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01028—Nickel [Ni]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
- H01L2924/10253—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1301—Thyristor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12528—Semiconductor component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31511—Of epoxy ether
- Y10T428/31515—As intermediate layer
- Y10T428/31522—Next to metal
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Architecture (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Civil Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Sealing Material Composition (AREA)
- Pigments, Carbon Blacks, Or Wood Stains (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
Abstract
본 발명에서는, 에폭시수지, 경화물, 비도전성 카아본 및 무기충전재를 함유하는 봉지용(encapsulated : 封止用) 에폭시수지 조성물과, 그 조성물의 경화물을 함유하는 봉지부재(部材)를 구비하는 전자장치가 제공된다.
봉지, 에폭시, 전자장치
Description
도 1은 수지봉지형 반도체장치의 예를 표시하는 단면도이다.
본 발명은, 레이저마아크성, 전기특성, 성형성, 신뢰성 및 패키지표면 외관이 뛰어난 봉지용(encapsulation : 封止用) 에폭시수지 조성물과, 이것에 의하여 소자가 봉지된 전자장치에 관한 것이다.
IC (집적회로), LSI (대규모 집적회로) 등의 반도체소자는, 소자의 집적도의 향상과 더불어, 소자사이즈의 대형화, 반도체장치 등의 전자장치의 소형화, 박형화, 다핀화가 진행되고 있다. 또, 전자기기의 소형화, 박형화에 대응하여, 실장방법도 고밀도실장을 가능으로 하는 표면실장이, 핀삽입형에 대신하여 급속도로 보급되고 있다. 이 표면실장에서는, 전자장치를 기판에 취부할 때, 200℃ 이상의 땜질욕이라는 공정에 의하여, 전자장치 자체가 단시간 내에 고온에 노출된다. 이 때, 봉지재료중에 함유되는 수분이 기화함으로써 발생하는 증기압이, 캡슐화재료와, 소자 및 리이드프레임이라는 인서트와의 계면에서 박리응력으로서 작용하기 때문에, 봉지재 료와 인서트와의 사이에서 박리가 발생하고, 특히 박형의 전자장치에서는, 전자장치의 부풀음이나 크랙에 이르게 된다.
이와 같은 박리기인에 의한 부풀음, 크랙의 방지책으로서, 소자표면 또는 리이드프레임의 아일랜드 이면에 코오트재를 도포하여 봉지재료와의 밀착성을 향상시키는 수법, 리이드프레임의 아일랜드 이면에 딤풀가공이나 스릿트가공 등을 행하는 수법, 또는, 패키지를 LOC (Lead on Chip) 구조로 하는 것에 의하여 봉지재료와의 밀착성을 향상시키는 수법이 사용되고 있다. 그러나, 이들의 수법에는, 코스트가 높고, 효과가 불충분하다는 문제가 있다. 또, LOC구조로 하는 경우, 패키지표면에 색의 얼룩이 생기고, 외관을 손상한다.
또한, 반도체장치 등의 전자장치의 소형화, 다핀화에 따라, 인너리이드 사이나 패드 사이, 와이어 사이 등의 핏치간의 거리가 좁아져 버린다. 이 때문에, 봉지재료 중에 카아본블랙 등의 도전성물질이 큰 거친 입자로 존재하면, 이들의 도전성 입자가 인너리이드, 패드, 와이어 등의 사이에 끼이고, 전기특성 불량의 원인으로 되는 경우가 있다. 이 때문에, 착색제로서 카아본블랙 대신에 유기염료나 안료 등을 사용하는 검토가 이루어지고 있다 (특개소 63-179921호 공보, 특개평 11-60904호 공보). 그러나, 이들의 착색제에는, YAG레이저 마아크성의 저하, 신뢰성의 저하, 고코스트화 등의 문제가 있다.
본 발명은, 레이저마아크성이나 전기특성이 우수하고, 패드 사이나 와이어 사이의 거리가 좁은 반도체장치 등의 전자장치에서도 도전성물질에 의한 단락이 발생하 지 않고, 패키지 표면의 외관을 손상하는 일 없이 신뢰성이 높은 패키지를 얻을 수가 있는, 성형성이 뛰어난 봉지용 에폭시수지 조성물과, 그 조성물을 사용하여 소자가 봉지된 전자장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은, 예의 검토를 거듭한 결과, 봉지용 에폭시수지 조성물에 비도전성 카아본을 배합함으로써 상술한 목적을 달성할 수 있다는 것을 발견하고, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
본 발명에서는, 에폭시수지, 경화제, 비도전성 카아본 및 무기충전재를 포함하는 봉지용 에폭시수지 조성물이 제공된다. 또, 본 발명에서는, 전기저항이 107Ω 이상의 비도전성 카아본을 사용하는 것이 바람직하고, 비도전성 카아본의 함유량은, 봉지용 에폭시수지 조성물의 전체의 0.1-10 중량%일 것이 바람직하다.
본 발명의 봉지용 에폭시수지 조성물은, 성형성이 양호하고, 레이저마아크성이 뛰어나기 때문에, 이것을 사용하면, 전기특성, 신뢰성 및 패키지표면의 외관이 뛰어난 전자장치를 얻을 수가 있다. 그래서, 본 발명의 봉지용 에폭시수지 조성물의 경화물을 함유하는 봉지부재를 구비한 전자장치가 제공된다.
이하 본 발명의 구성에 대하여 상세히 설명한다.
1. 봉지용 에폭시수지 조성물의 성분
본 발명의 봉지용 에폭시수지 조성물은, 에폭시수지, 경화제, 비도전성 카아본 및 무기충전재를 포함한다. 이하, 각 성분에 대하여 설명한다.
(1) 에폭시수지
본 발명에서 사용되는 에폭시수지는, 특히 제한되는 것은 아니고, 예를 들면, 봉지용 에폭시수지 조성물에서 일반적으로 사용되고 있는 것을 적의 선택할 수가 있다. 본 발명에 적용 가능한 에폭시수지로서는,
페놀류와 알데히드류에서 합성되는 노보락수지를 에폭시화한 에폭시수지 (예를 들어, 페놀노보락형 에폭시수지, 오르소 크레졸노보락형 에폭시수지, 비스페놀A노보락형에폭시수지 등),
알킬치환 또는 비치환의 비페놀형 에폭시수지,
알킬치환 또는 비치환의 글리시딜에테르형 에폭시수지,
이소시아눌산 등의 폴리아민과 에피클로로히드린과의 반응에 의하여 얻어지는 글리시딜아민형 에폭시수지,
비페닐형 에폭시수지,
디시클로펜타디엔과 페놀류 및/또는 나프톨류와의 공축합수지의 에폭시화물,
나프탈렌환을 가지는 에폭시수지,
아랄킬형 페놀수지 (예를 들면, 페놀아랄킬수지, 나프톨아랄킬수지 등)의 에폭시화물,
트리메티롤프로판형 에폭시수지,
테르펜변성 에폭시수지, 및,
올레핀결합을 과초산 등의 과산으로 산화하여 얻어지는 선상지방족에폭시수지 및 지환족에폭시수지
등을 들 수가 있다. 이것들은, 단독으로 사용하여도, 2종 이상을 조합하여 사용하여도 좋다.
구체적으로는, 하기의 구조식 (I) ∼ (IV)의 어느 하나에 의하여 표시되는 화합물 등을 들 수가 있다.
(여기서, R1∼ R4는 수소원자 및 탄소수 1 ∼ 10의 치환 또는 비치환의 1가의 탄화수소기로 이루어진 그룹에서 선택되고, 모두가 동일하여도 되고, 1 이상이 상이하여도 된다. n은 0 ∼ 3의 정수를 나타낸다.)
(여기에서 R5 ∼ R12는 수소원자 또는 탄소수 1 ∼ 10의 치환 또는 비치환의 1가의 탄화수소기로 이루어진 그룹에서 선택되고, 모두가 동일하여도 좋고, 1 이상이 상이하여도 좋다. n은 0 ∼ 3의 정수이다.)
(여기서, R13 - R16은 수소원자 및 탄소수 1 ∼ 10의 치환 또는 비치환의 1가의 탄화 수소기로 이루어진 그룹에서 선택되고, 모두 동일하여도 좋고, 1 이상이 상이하여도 좋다. n은 0 ∼ 10의 정수를 나타낸다.)
(여기서, R은 수소원자 및 탄소수 1 ∼ 10의 치환 또는 비치환의 1가의 탄화수소기 이루어진 그룹에서 선택되고, n은 0 ∼ 10의 정수를 나타낸다.)
상기 일반식 (I) 중의 R1 ∼ R4는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 이소프로필기, 이소부틸기 등의 알킬기,
메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기 등의 알콕시기,
페닐기, 톨릴기, 키실릴기등의 이릴기,
벤질기, 펜에틸기등의 아랄킬기,
메톡시메틸기, 에톡시메틸기, 메톡시에틸기 등의 알콕시알킬기,
아미노메틸기, 아미노에틸기 등의 아미노기치환알킬기,
등의 탄소수 1 ∼ 10의 치환 또는 비치환의 1가의 탄화수소기 및 수소원자로 이루어진 그룹에서 선택된다. 이들 중, 수소원자 또는 메틸기가 바람직하다.
이 일반식 (I)로 표시되는 비페닐형 에폭시수지로서는,
4,4'-비스(2,3-에폭시프로폭시)비페닐 또는 4,4'-비스(2,3-에폭시프로폭시)-3,3',5,5'-테트라메틸비페닐을 주성분으로 하는 에폭시수지,
에피클롤로히드린과 4,4'-비페놀 또는 4,4'-(3,3',5,5'-테트라메틸)비페놀을 반응시켜서 얻어지는 에폭시수지 등을 들 수가 있으며, 이 중에서도, 4,4'-비스(2,3-에폭시프로폭시)-3,3',5,5'-테트라메틸비페닐을 주성분으로 하는 에폭시수지가 더욱 바람직하다.
상기 일반식 (II)중의 R5 ∼ R12는,
메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 이소프로필기, 이소부틸기 등의 알킬기,
메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 브톡시기 등의 알콕시기,
페닐기, 톨릴기, 키실릴기 등의 아릴기,
벤질기, 펜에틸기등의 아랄킬기,
메톡시메틸기, 에톡시메틸기, 메톡시에틸기 등의 알콕시알킬기,
아미노메틸기, 아미노에틸기 등의 아미노기치환알킬기,
등의 탄소수 1 ∼ 10의 치환 또는 비치환의 1가의 탄화수소기 및 수소원자로 이루어진 그룹에서 선택된다. 이들 중, 수소원자 또는 메틸기가 바람직하다.
이 일반식 (II)로 표시되는 비스페놀F형 에폭시수지로서는, 예를 들면, R5, R7, R10 및 R12가 메틸기이며, R6, R8, R9 및 R11
이 수소원자이며, n = 0인 화합물을 주성분으로 하는 ESLV-80XY (신닛테츠카가쿠 카부시키가이샤제 상품명)가 시판품으로서 입수가 가능하다.
상기 일반식 (III)중의 R13 ∼ R16은,
* 수소원자,
메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, t-부틸기, 아밀기, 이소부틸기 등의 알킬기,
메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기 등의 알콕실기,
페닐기, 톨릴기, 키실릴기 등의 아릴기 및
벤질기, 펜에틸기 등의 아랄킬기,
메톡시메틸기, 에톡시메틸기, 메톡시에틸기 등의 알콕시알킬기,
아미노메틸기, 아미노에틸기 등의 아미노기치환알킬기
등의 탄소수 1 ∼ 10의 치환 또는 비치환의 1가의 탄화수소기 및 수소원자로 이루어진 그룹에서 선택된다. 이들 중, 알킬기가 바람직하며, 메틸기 또는 t-부틸기가 더욱 바람직하다.
이 일반식 (III)으로 표시되는 페닐설피드형 에폭시수지로서는, 입수성(入手性) 및 유동성의 관점에서, R13 및 R16이 t-부틸기이고, R14 및 R15가 메틸기이며, n이 0인 화합물을 주성분으로 하는 (2-메틸-4-히드록시-5-t-부틸)티오에테르의 에폭시화물이 바람직하다.
상기 일반식 (IV)중의 R로서는, 예를 들면,
메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 이소프로필기, t-부틸기 등의 알킬기,
비닐기, 아릴기, 부테닐기 등의 알케닐기,
할로겐화알킬기,
아미노기치환알킬기,
메르캅토기치환알킬기,
등의 탄소수 1 ∼ 10의 치환 또는 비치환의 1가의 탄화수소기 또는 수소원자를 들 수가 있다. 이들 중에서도 메틸기, 에틸기 등의 알킬기가 바람직하며, 메틸기가 더욱 바람직하다.
이 일반식 (IV)로 표시되는 노보락형 에폭시수지로서는, 페놀노보락형 에폭시수지, 오르소크레졸노보락형 에폭시수지 등을 들 수 있으며, 그 중에서도, 오르소크레졸노보락형 에폭시수지가 바람직하다.
(2) 경화제
본 발명에서 사용되는 경화제는, 특히 제한되는 것은 아니며, 예를 들면, 봉지용 에폭시수지 조성물에서 일반적으로 사용되고 있는 것을 적의 선택할 수가 있다. 본 발명에 적용 가능한 경화제로서는,
페놀류 (예를 들면, 페놀, 크레졸, 레조르신, 카테콜, 비스페놀A, 비스페놀F 등) 및/또는 나프톨류(예를 들면, α-나프톨, β-나프톨, 디히드록시나프탈렌 등)과, 포름알데히드등의 알데히드류와를, 산성촉매하에서 축합 또는 공축합시켜서 얻어지는 수지,
아랄킬형 페놀수지 (예를 들면, 페놀ㆍ아랄킬수지, 나프톨ㆍ아랄킬수지 등)등을 들 수가 있다. 이들은 단독으로 사용하여도 2종 이상 조합하여 사용하여도 좋다.
경화제는 에폭시수지의 에폭시기당량에 대하여, 페놀수산기당량이 0.5 ∼ 1.5당량이 되는 양을 배합되는 것이 바람직하며, 0.8 ∼ 1.2당량 배합하는 것이 더욱 바 람직하다. 0.5 당량 미만에서는 에폭시수지의 경화가 불충분하여 경화물의 내열성, 내습성 및 전기특성이 뒤떨어지는 경향이 있고, 1.5당량을 초과하면 경화제성분이 과잉이 되어 경화수지중에 다량의 페놀성수산기가 남기 때문에, 전기특성 및 내습성이 나빠지는 경향이 있다.
(3) 경화촉진제
본 발명의 봉지용 에폭시수지 조성물에는, 에폭시기와 페놀성수산기와의 에테르화반응을 촉진하기 위하여, 경화촉진제를 배합하는 것이 바람직하다. 경화촉진제로서는, 에폭시수지와 경화제의 반응을 촉진시킬 수 있는 촉매기능을 가지는 화합물이라면 특히 제한은 없으나, 예를 들면,
1,8-디아자비시클로[5.4.0]운데센-7,1,5-디아자비시클로[4.3.0]노넨, 5,6-디부틸아미노-1,8-디아자비시클로[5.4.0]운데센-7, 벤질디메틸아민, 트리에탄올아민, 디메틸아미노에탄올, 트리스(디메틸아미노메틸)페놀 등의 3급아민류 및 이들의 유도체,
2-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸 등의 이미다졸 류 및 이들의 유도체,
트리부틸포스핀, 메틸디페닐포스핀, 트리페닐포스핀, 디페닐포스핀, 페닐포스핀 등의 유기포스핀류,
상기 유기포스핀류에 무수말레인산, 벤조퀴논, 디아조페닐메탄 등의 π결합을 가지는 화합물을 부가하여서 이루어지는 분자내 분극을 가지는 인화합물,
테트라페닐포스포늄 테트라페닐보레이트, 트리페닐포스핀 테트라페닐보레이트, 2-에틸-4-메틸이미다졸 테트라페닐보레이트, N-메틸테트라페닐포스포늄 테트라페닐보레이트, 트리페닐포스포늄-트리페닐보란
등을 들 수가 있다. 이것들은, 단독으로 사용하여도, 2종 이상을 조합하여 사용하여도 좋다.
경화촉진제의 배합량은, 에폭시수지 100중량부에 대하여 0.01 ∼ 5 중량부가 바람직하며, 0.1 ∼ 3 중량부를 배합하는 것이 더욱 바람직하다. 0.01 중량부보다 적으면 촉진효과가 작으며, 5 중량부보다 많으면 보존안정성이 나빠지는 경향이 있다.
(4) 비도전성 카아본
본 발명에서 사용되는 비도전성 카아본은, 특히 제한되는 것은 아니나,
예를 들면,
폴리머를 소성시켜 얻어지는 비도전성 폴리머소성카아본,
카아본블랙 표면에 폴리머를 그라프트시켜서 얻어지는 그라프트카아본,
카아본블랙 표면을 실리카 등의 절연무기물로 피복함으로써 얻어지는 카아본 내포필러(카아본內包filler),
산화처리 등의 표면처리를 한 카아본블랙
등을 들 수가 있다. 이것들은 단독으로 사용하여도, 2종 이상을 조합하여 사용하여도 좋다. 또, 이들의 비전도성 카아본을 에폭시수지, 페놀수지 등으로 코오팅하여 사용할 수도 있다.
i) 비도전성 카아본의 제조방법
비도전성 폴리머소성카아본의 제조법은 특별히 제한은 없으나, 예를 들면, 나프탈렌 등의 방향족을 가지는 설폰산 폴리머를 400 ∼ 600℃에서 소성하는 방법을 들 수가 있다.
그라프트카아본의 제조법은 특별히 제한은 없으나, 예를 들면, 에폭시기, 티오에폭시기, 아지리딘기, 옥사졸린기, 이소시아네이트기 등의 카아본블랙 표면의 카르복실기와 반응성을 가지는 기를 갖는 그라프트 폴리머를, 열에 의하여 카아본블랙에 불가역적 부가반응시키는 방법을 들 수가 있다.
여기서 사용되는 그라프트 폴리머는, 특별히 제한은 없으나, 상술한 반응성기를 가지는 불포화합물을, 그것과 공중합 가능한 단량체와 공중합시켜서 얻어진다. 이와 같은 폴리머로서는, 예를 들면, 폴리스티렌, 폴리에틸렌그리콜, 폴리옥사졸린, 폴리프로필렌그리콜, 폴리메타크릴산메틸, 아크릴수지, 불소수지 등 및 이들의 유도체, 폴리디메틸실록산 등의 실리콘, 왁스 등을 들 수가 있다. 이것들은, 단독으로 사용하여도 2종 이상을 조합하여 사용하여도 좋다.
그리프트카아본의 제조에 사용되는 카아본블랙으로서는 특별히 제약은 없으나, 그라프트폴리머와의 반응점인 카르복실기 등의 산성관능기가 표면에 많이 존재하는 것이 바람직하며, pH 7 이하의 카아본블랙이 더욱 바람직하다.
그라프트카아본의 그라프트율은, 비도전성의 관점에서 30 중량% 이상이 바람직하며, 50 중량% 이상이 더욱 바람직하다. 여기서, 그라프트율이란 그라프트카아본 전체에 차지하는 그라프트폴리머의 비율을 말한다.
카아본내포필라의 제조법은 특별히 제한은 없으나, 예를 들면, 수용액 중에 분산 시킨 카아본블랙 표면에, 테트라에톡시실란을 가수분해시킴으로써 실리카 미립자를 침착시키는 방법, 수용액중에 분산시킨 카아본블랙에 실리카졸을 첨가하고 졸겔법에 의하여 실리카 미립자를 침착시키는 방법 등을 들 수가 있다. 카아본블랙 표면을 덮는 절연무기물로서는 특히 제한은 없으나, 예를 들면, 탄산칼슘, 탄산바륨 등의 알칼리토류금속탄산염; 규산칼슘, 규산마그네슘 등의 알칼리토류금속규산염; 산화철, 실리카, 알루미나, 산화동, 산화코발트, 산화니켈 등의 금속산화물; 탄산코발트, 탄산니켈, 염기성탄산동, 수산화알루미늄, 다이렉트블랙154칼슘레이키 등을 들 수 있으며, 단독으로 사용하여도 2종 이상 조합하여 사용하여도 좋다. 카아본내포필라에 사용되는 카아본블랙으로서는 특별히 제한은 없으나, 물에 젖기 쉽고, 부피가 높지 않은 것이 바람직하다. 카아본내포필라의 카아본내포율은, 비도전성의 관점에서 70중량% 이하가 바람직하며, 50중량% 이하가 더욱 바람직하다. 여기서, 카아본내포율이란, 카아본내포필라 전체에 차지하는 카아본블랙의 비율을 말한다.
표면처리를 한 카아본블랙의 표면처리방법으로서는, 특별히 제한은 없으나, 예를 들면, 공기산화법; 초산, 질소산화물과 공기의 혼합가스, 오존등의 산화제를 사용하는 산화처리법; 실란카프링제를 사용하는 방법을 들 수가 있다.
ii) 비도전성 카아본의 전기저항
비도전성 카아본의 전기저항은, 107Ω 이상이 바람직하고, 109Ω 이상이 더욱 바람직하다. 전기저항은, JISZ 3197에 준거한, 글라스포기재(布基材) 에폭시수지 동장(銅張)적층판 MCL-E67 (히다치가세이고교사제 상품명)을 기판으로 한 2형의 빗모 양전극 (동박두께 35㎛, 선의 폭 0.3mm, 선의 사이 0.3mm, 기판 두께 0.95mm)을 사용하고, 분말샘플 0.5g을 배선상에 셀로판테이프로 고정하여, 저항계 (타케다리켄코교샤제 TR8601)에 의하여 직류 500V로 1분 후의 저항치를 측정함으로써 구해진다.
iii) 비도전성 카아본의 평균입경
비도전성 카아본의 평균입경은, 0.3 ∼ 50㎛가 바람직하며, 0.3 ∼ 30㎛가 더욱 바람직하다. 레이저마아크성, 성형성의 관점에서는 0.3 ∼ 10㎛가 바람직하며, 0.3 ∼ 5㎛이 더욱 바람직하다.
iv) 비도전성 카아본의 함유량
비도전성 카아본의 함유량은 봉지용 에폭시수지 조성물 전체에 대하여 0.1 ∼ 10 중량%가 바람직하며, 0.3 ∼ 8 중량%가 더욱 바람직하고, 0.5 ∼ 4 중량%가 더욱 더 바람직하다. 0.1 중량% 미만에서는 패키지표면의 외관이 손상하거나, 차광성, 레이저마아크성이 불충분하게 되는 경우가 있으며, 10 중량%를 초과하면 성형성이 불충분하게 되는 경향이 있다.
(5) 충전재
충전재로서는, 흡습성의 저감 및 강도향상의 관점에서 무기충전재를 사용하는 것이 필요하다.
본 발명에서 사용되는 무기충전재는, 특별
히 제한되는 것은 아니고, 예를 들면, 봉지용 에폭시수지 조성물에서 일반적으로 사용되고 있는 것을 적의 선택할 수가 있다. 본 발명에 적용 가능한 무기충전재로 서는,
용융실리카, 결정실리카, 알루미나, 지르콘, 규산칼슘, 탄산칼슘, 탄화규소, 질화붕소, 베릴리아, 지르코니아 등의 분말 또는 이것들을 구형화한 비이드,
티탄산칼륨, 탄화규소, 질화규소, 알루미나등의 단결정섬유, 또는, 유리섬유 등을 들 수가 있으며,
수산화알루미늄, 붕산아연 등의 난연효과가 있는 무기충전재도, 본 발명에 적용 가능하다. 이것들은, 단독으로 사용하여도, 2종 이상 조합하여 사용하여도 좋다.
이것들 중에서도, 선팽장계수저감의 관점에서는 용융실리카가, 고열전도성의 관점에서는 알루미나가 바람직하고, 무기충전재의 형상은, 성형시의 유동성 및 금형마모성의 점에서 구형이 바람직하다.
무기충전재의 배합량은, 흡습성, 선팽장계수의 저감, 강도향상 및 땜질내열성의 관점에서, 봉지용 에폭시수지 조성물 전체에 대하여 70 ∼ 98중량%로 하는 것이 바람직하며, 75 ∼ 95중량%로 하는 것이 더욱 바람직하다.
(6) 카플링제
본 발명의 봉지용 에폭시수지 조성물에는, 무기충전재와 수지성분과의 친화성을 도모하는 관점에서는 카플링제를 첨가하는 것이 바람직하다.
본 발명에서 사용되는 카플링제는, 특히 제한되는 것은 아니며, 예를 들면, 봉지용 에폭시수지 조성물에서 일반적으로 사용되고 있는 것을 적의 선택할 수가 있다. 본 발명에 적용 가능한 카플링제로서는,
비닐트리클로로실란, 비닐트리에톡시실란, 비닐트리스 (β-메톡시에톡시)실란, γ-메타크릴록시프로필트리메톡시실란, β-(3, 4-에폭시시크로헥실)에틸트리메톡시실란, -그리시독시프로필트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, -메르캅토프로필트리메톡시실란, -아미노프로필트리에톡시실란, -[비스(β-히드록시에틸)]아미노프로필트리에톡시실란, N-β-(아미노에틸)--(β-아미노에틸)--아미노프로필트리메톡시실란, -(β-아미노에틸)아미노프로필디메톡시메틸실란, N-(트리메톡시실릴프로필)에틸렌디아민, N-(디메톡시메틸실릴이소프로필)에틸렌디아민, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, N-β-(N-비닐벤질아미노에틸)--아미노프로필트리메톡시실란, -클로로프로필트리메톡시실란, 헥사메틸디실란, -아닐리노프로필트리메톡시실란, 비닐트리메톡시실란, -메르캅토프로필메틸디메톡시실란 등의 실란계카플링제,
이소프로필트리이소스테아로일티타네이트, 이소프로필트리스(디옥틸파이로포스페이트)티타네이트, 이소프로필트리(N-아미노에틸-아미노에틸)티타네이트, 테트라옥틸비스 (디트리데실포스파이트)티타네이트, 테트라(2, 2-디아릴옥시메틸-1-부틸)비스 (디트리데실)포스파이트티타네이트, 비스(디옥틸파이로포스페이트)옥시아세테이트티타네이트, 비스(디옥틸파이로포스페이트)에틸렌티타네이트, 이소프로필트리옥타노일티타네이트, 이소프로필디메타크릴이소스테아로일티타네이트, 이소프로필트리도데실벤젠술포닐티타네이트, 이소프로필이소스테아로일디아크릴티타네이트, 이소프로필트리 (디옥틸포스페이트)티타네이트, 이소프로필트리쿠밀페닐티타네이트, 테트라이소프로필비스 (디옥틸포스파이트)티타네이트, 등의 티타네이트계 카플링제
등을 들 수 있다. 이것들은, 단독으로 사용하여도 2종 이상을 조합하여 사용하여도 좋다.
(7) 기타의 첨가제
기타의 첨가제로서,
고급지방산 (예를 들어 카르나바왁스, 폴리에틸렌계왁스)등의 이형재,
실리콘오일, 실리콘고무 등의 개질재,
히드로탈사이트, 안티몬-비스무스 등의 이온트랩퍼-
등을 필요에 따라 배합할 수가 있다. 이것들은, 어느 1종류를 사용하여도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용하여도 좋다.
또, 본 발명의 봉지용 에폭시수지 조성물에는, 본 발명의 효과가 달성되는 범위내라면, 상술한 비도전성 카아본에 가하여, 다시, 아진계염료, 안트라퀴논계염료, 디스아조계염료, 디이미늄계염료, 아미늄계염료, 디이모늄계염료, Cr착체, Fe착체, Co착체, Ni착체, Fe, Cu, Ni 등의 금속화합물, Al, Mg, Fe 등의 금속산화물, 운모, 근적외흡수재, 프탈로시아닌계안료, 프탈로시아닌계염료, 카아본블랙 등의 착색제를 1종 또는 2종 이상 병용할 수가 있다. 특히, 레이저마아크성, 유동성, 경화성의 점에서는 프타로시아닌계염료를 병용하는 것이 바람직하다.
카아본블랙등의 도전성입자를 병용하는 경우에는, 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 분산성이 뛰어나고, 비표면적이130m²/g이하, DBP흡유량이 120cm³/100g 이하의 것을 사용하는 것이 바람직하며, 비표면적이 100㎡/g 이하, DBP흡유량이 80㎤/100g 이하의 것을 사용하는 것이 더욱 바람직하다.
2. 봉지용 에폭시수지의 제조방법
본 발명의 봉지용 에폭시수지 조성물은, 상기의 각 원재료를 균일하게 분산 혼합할 수 있는 것이라면, 어떠한 수법을 써서도 조제할 수 있으나, 일반적인 방법으로서는, 소정의 배합량의 원재료를 믹서 등에 의하여 충분히 혼합한 후, 열롤, 압출기 등에 의하여 혼련하고, 냉각, 분쇄하는 방법을 들 수가 있다. 성형조건에 적합한 치수 및 중량으로 타블렛화하면 사용하기에 편리하다.
3. 전자장치
본 발명의 봉지용 에폭시수지 조성물은, 레이저마아크성, 전기특성, 성형성, 신뢰성이 뛰어나고, 또, 스켈톤방지효과가 높기 때문에, IC, LSI등의 소자 봉지에 바람직하다. 그래서, 본 발명에서는, 본 발명의 봉지용 에폭시수지 조성물에 의하여 봉지된 전자장치, 즉, 본 발명의 봉지용 에폭시수지 조성물의 경화물을 함유하는 봉지부재를 구비하는 전자장치가 제공된다.
본 발명의 전자장치로서는, 지지부재 (예를 들면, 리드프레임, 배선필의 테이프캐리어, 배선판, 유리, 실리콘웨이퍼등)에, 소자 (예를 들면, 반도체칩, 트랜지스터, 다이오드, 사이리스터 같은 능동소자, 콘덴사, 저항체, 코일같은 수동소자 등)을 탑재하고, 필요한 부분을 본 발명의 봉지용 에폭시수지 조성물로 봉지된, 전자장치 등을 들 수가 있다.
이와 같은 전자장치로서는, 예를 들면,
리이드프레임상에 반도체소자를 고정하고, 본딩패드등의 소자의 단자부와 리이드부를 와이어본딩이나 범프로 접속한 후, 본 발명의 봉지용 에폭시수지 조성물을 사 용하여 트랜스퍼성형 등에 의하여 봉지된, DIP (Dual Inline Package), PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier), QFP (Quad Flat Package), SOP (Small Outline Package), SOJ (Small Outline J-lead package), TSOP (Thin Small Outline Package), TQFP (Thin Quad Flat Package) 등의 일반적인 수지 봉지형 IC,
테이프캐리어에 범프로 접속한 반도체칩을, 본 발명의 봉지용 에폭시수지 조성물로 봉지된 TCP (Tape Carrier Package),
배선판이나 유리판상에 형성한 배선에, 와이어본딩, 플립칩본딩, 땜질 등으로 소자 (반도체칩, 트랜지스터, 다이오드, 사이리스터 등의 능동소자, 및/또는, 콘덴서, 저항체, 코일 등의 수동소자)를 접속하고, 이 소자를, 본 발명의 봉지용 에폭시수지 조성물로 봉지된 COB (Chip On Board) 모듈, 하이브리드IC 및 멀티칩모듈, 및, 이면에 배선판 접속용의 단자를 형성한 유기기판에 형성된 배선을 접속한 후, 본 발명의 봉지용 에폭시수지 조성물로 소자를 봉지한 BGA (Ball Grid Array) 및 CSP (Chip Size Package) 등을 들 수가 있다. 또, 프린트회로판에도 본 발명의 봉지용 에폭시수지 조성물을 사용할 수가 있다.
본 발명의 봉지용 에폭시수지 조성물을 사용하여 전자장치를 봉지하는 방법으로서는, 저압트랜스퍼성형법이 가장 일반적이나, 인젝션성형, 압축성형, 주형 등의 방법을 사용하여도 된다.
[바람직한 실시의 양태]
이하에 본 발명을 실시예에 의하여 상세하게 설명하나, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다.
1. 봉지용 에폭시수지 조성물의 조제
먼저, 표 1 및 표 2에 나타내는 배합성분을 드라이블렌드에 의하여 예비 혼합한 후, 2축롤(롤표면온도 80℃)로 10분간 혼련하고, 냉각분쇄하여 실시예 및 비교예의 봉지용 에폭시수지 조성물을 제조하였다.
배합성분 | 실시예 | ||||||||
1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | |
비페닐형 에폭시수지 | 85.0 | 85.0 | 85.0 | 85.0 | 85.0 | 85.0 | 85.0 | 85.0 | 85.0 |
브롬화 에폭시수지 | 15.0 | 15.0 | 15.0 | 15.0 | 15.0 | 15.0 | 15.0 | 15.0 | 15.0 |
아랄킬형 페놀수지 | 87.0 | 87.0 | 87.0 | 87.0 | 87.0 | 87.0 | 87.0 | 87.0 | 87.0 |
트리페닐포스핀 | 3.0 | 3.0 | 3.0 | 3.0 | 3.0 | 3.0 | 3.0 | 3.0 | 3.0 |
에폭시실란 | 7.6 | 7.6 | 7.6 | 7.6 | 7.6 | 7.6 | 7.6 | 7.6 | 7.6 |
카르나바왁스 | 1.5 | 1.5 | 1.5 | 1.5 | 1.5 | 1.5 | 1.5 | 1.5 | 1.5 |
폴리에틸렌 | 1.5 | 1.5 | 1.5 | 1.5 | 1.5 | 1.5 | 1.5 | 1.5 | 1.5 |
비도전성 카아본A | 55.0 | - | - | 20.0 | 20.0 | 10.0 | - | - | 30.0 |
비도전성 카아본B | - | 60.0 | - | - | 30.0 | 20.0 | - | - | - |
비도전성 카아본C | - | - | 65.0 | - | - | 30.0 | - | - | - |
비도전성 카아본D | - | - | - | - | - | - | 50.0 | - | - |
비도전성 카아본E | - | - | - | - | - | - | - | 30.0 | - |
카아본블랙A | - | - | - | 2.0 | - | - | - | - | - |
프탈로시아닌계염료 | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.0 |
3산화안티몬 | 12 | 12 | 12 | 12 | 12 | 12 | 12 | 12 | 12 |
용융실리카 | 1550 | 1550 | 1550 | 1550 | 1550 | 1550 | 1550 | 1550 | 1550 |
배합성분 | 비교예 | |||
1 | 2 | 3 | 4 | |
비페닐형 에폭시수지 | 85.0 | 85.0 | 85.0 | 85.0 |
브롬화 에폭시수지 | 15.0 | 15.0 | 15.0 | 15.0 |
아랄킬형 페놀수지 | 87.0 | 87.0 | 87.0 | 87.0 |
트리페닐포스핀 | 3.0 | 3.0 | 3.0 | 3.0 |
에폭시실란 | 7.6 | 7.6 | 7.6 | 7.6 |
카르나바왁스 | 1.5 | 1.5 | 1.5 | 1.5 |
폴리에틸렌왁스 | 1.5 | 1.5 | 1.5 | 0.5 |
카아본블랙B | 3.5 | 1.5 | - | - |
아진계염료 | - | 10.0 | 35.0 | - |
운모-흑산화철계염료 | - | - | - | 30.0 |
3산화안티몬 | 12 | 12 | 12 | 12 |
용융실리카 | 1550 | 1550 | 1550 | 1550 |
그리고, 표 1 및 표 2 기재의 배합성분은 다음과 같다.
비페닐형 에폭시수지 : 유화셸에폭시주식회사제 상품명 YX-4000H
브롬화에폭시수지 : 토오토카세이주식회사제 상품명 YDB-400
아랄킬형페놀수지 : 미추이카가쿠주식회사제 상품면 XL-225-3L
에폭시실란 : 닙폰유니카주식회사제 상품명 A-187
폴리에틸렌왁스 : 크라리앤트쟈팬주식회사제 상품명 PED-191
비도전성 카아본A : 미츠이광산주식회사제 상품명 CB-3-500 (평균입경 3㎛, 전기저항 109Ω)
비도전성 카아본B: 미츠이광산주식회사제 상품명 CB-7-500 (평균 입경 7㎛, 전기저항 109Ω)
비도전성 카아본C : 미츠이광산주식회사제 상품명 CB-10-500 평균 입경 10㎛, 전기저항 109 Ω )
비도전성 카아본D : 스티렌/아크릴/아크릴계그라프트폴리머를 사용한 그라프트율 90중량%의 그라프트카아본 (주식회사닙폰쇼쿠바이제, 전기저항 1010Ω)
비도전성 카아본E : 카아본내포율17중량%의 카아본내포실리카 (스즈키유시코오교주식회사제, 평균입경 7㎛, 전기저항 109 Ω)
카아본블랙A :비표면적 89m2/g, DBP흡유량 60cm3/100g 의 카아본블랙
카아본블랙B : 비표면적 140m2/g, DBP흡유량 131cm3/100g의 카아본블랙
프탈로시아닌계염료: 야마모토카세이주식회사 상품명 YKR-3080
아진계염료: 스미토모카가쿠코교주식회사제 상품명 스피릿트블랙 920
운모-흑산화철계염료: 머크쟈판주식회사제 상품명 LS835
용융실리카: 마이크론주식회사제 상품명 S-CO
2. 평가방법
각 실시예, 비교예의 봉지용 에폭시수지 조성물을, 각각, 다음에 표시하는 각 시험에 의하여 평가하였다. 또 봉지용 에폭시수지 조성물의 성형은, 트랜스퍼성형기를 사용하고, 금형온도 180℃, 성형압력 6.9MPa, 경화시간 90초의 조건에서 행하였다. 또, 후경화 (포스트큐어) 는 175℃에서 6시간 행하였다.
(1) 스파이랄 플로우
EMM 11-66에 준한 금형을 트랜스퍼 성형기에 세트하고, 상술한 조건으로 봉지용 에폭시수지 조성물을 성형하고, 유동거리 (cm)를 구하였다.
(2) 열시경도
바리측정금형 (폭 5mm, 깊이 50, 30, 20, 10, 5, 2㎛의 슬릿트를 설치한 금형)을 트랜스퍼성형기에 세트하고, 상술한 조건에서 봉지용 에폭시수지 조성물을 성형하고, 금형개방 10초 후, 수지가 고인 부분을 쇼아경도기로 측정하였다.
(3) 체적저항률
원판금형을 트랜스퍼성형기에 세트하고, 봉지용 에폭시수지 조성물을 상술한 조건으로 직경 100mm, 두께 3mm의 원판에 성형한 후, 체적저항계를 사용하여, 전압 500V, 150℃에서 측정하고, 절연성을 확인하였다.
(4) 내습성
내습성은, 각 에폭시수지 조성물을 성형, 후경화하여 SOP-28 핀의 수지봉지형반도체장치 (외형치수 18x8.4x2.6mm)를 제작하고, 이것을 85℃/85RH%에서 72시간 흡습시킨 후, 240℃/10초 (IR리플로우)의 전처리 후, PCT(121℃/0.2 MPa)에 의한 칩상배선(chip上配線)의 단선의 유무를 확인하고, 단선패키지가 시험패키지중 50%에 달할 때까지의 PCT의 시간으로 평가하였다.
또, 평가용 반도체장치는, 다음과 같이 하여 제작하였다. 우선, 9.6x5.1mm의 TEG (Test Element Group) 칩 (Al배선 10 및 20미크론 폭, 갭 10 및 20미크론, 패시베이션 없음)을 리이드프레임 (42 알로이재 (가공딤플))상에 접착제를 사용하여 접착하고, 칩의 본딩패드부와 리이드프레임을 금선에 의하여 와이어본딩한 후, 각 에폭시수지 조성물을 사용하여, 칩 전체를 덮도록, 상술한 조건으로 트랜스퍼 성형 하고, 후경화처리를 하여 봉지부재를 형성함으로써 제작하였다.
(5) 땜질내열성
땜질내열성은, 각 에폭시수지 조성물을 성형, 후경화하여 QFP-80핀의 수지봉지형반도체장치 (외형치수 20x14x2.0mm)를 제작하고, 이것을 85℃/85RH% 로 소정의 시간 흡수시킨 후, 240℃/10초의 IR리플로우 처리를 행하여, 외관을 관찰하고, 외관크랙이 발생할 때까지의 흡습시간에 의하여 평가하였다.
또, 평가용 반도체장치는, 다음과 같이 하여 제작하였다. 우선, 도 1에 표시하는 바와 같이, 8x10x0.4mm의 테스트용 IC칩 11을, 다이패드(42알로이재 (가공없음)) 12상에 접착제 13을 사용하여 접착하고, IC칩 11의 본딩패드부와 리이드 14를 금선 15에 의하여 와이어본딩하였다. 다음에, 각 에폭시수지 조성물을 사용하여, 칩 11 전체를 덮도록, 상술한 성형조건으로 트랜스퍼성형하고, 봉지부재 16를 형성하였다. 이것에 의하여, 도 1에 표시하는 QFP형 반도체장치를 얻었다.
(6) 레이저마아크
레이저마아크성은, 각 에폭시수지 조성물을 사용하여 QFP-64핀의 수지봉지형 반도체장치를 제작하고, 이것의 패키지표면에, YAG레이저마아킹 장치를 사용하고, YAG레이저파장 1064nm, 레이저파워 5J의 조건으로 인자(印字)하여, 인자결과를 눈으로 봄으로서 마아크성을 평가하였다.
(7) 전기특성
전기특성은, 각 에폭시수지 조성물을 사용하여 LQFG (Low-profile Quad Flat Package)-176핀의 수지봉지형반도체장치를 제작하고, 리크전류의 유무에 의하여 평 가하였다.
(8) 흑색도
흑색도는 원판 금형을 트랜스퍼 성형기에 세팅하고, 봉지용 에폭시수지 조성물을 상기 조건으로 표면이 체크 무늬인 직경 100 mm, 두께 2 mm의 원판에 성형하여 후경화한 후, 색차계로 측정하였다. 흑색도는 값이 작을수록 흑색을 나타낸다.
상술한 각 시험에 의한 평가결과를 표 3 및 표 4에 표시한다.
항목 | 단위 | 실시예 | ||||||||
1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | ||
스파이랄프로 | cm | 84 | 89 | 94 | 99 | 97 | 94 | 81 | 84 | 94 |
열시경도 | - | 80 | 80 | 81 | 80 | 81 | 81 | 80 | 81 | 81 |
체적저항률 | Ωcm | 6x1013 | 7x1013 | 6x1013 | 1x1013 | 5x1013 | 4x1013 | 1x1013 | 5x1013 | 4x1013 |
내습성 | h | 650 | 650 | 600 | 720 | 600 | 650 | 650 | 600 | 650 |
땜질내열성 | h | 120 | 120 | 120 | 120 | 120 | 120 | 120 | 120 | 120 |
레이저마아크성 | - | 양호 | 양호 | 양호 | 양호 | 양호 | 양호 | 양호 | 양호 | 양호 |
전기특성(리크전류의 유무) | - | 무 | 무 | 무 | 무 | 무 | 무 | 무 | 무 | 무 |
흑색도 | - | 26.4 | 28.9 | 29.5 | 26.5 | 27.6 | 28.7 | 28.2 | 28.3 | 27.9 |
종합판정 | - | O | O | O | O | O | O | O | O | O |
항목 | 단위 | 비교예 | |||
1 | 2 | 3 | 4 | ||
스파이랄프로 | cm | 97 | 89 | 64 | 76 |
열시경도 | - | 81 | 80 | 79 | 80 |
체적저항률 | Ωcm | 3x1013 | 9x1011 | 8x1011 | 8x1010 |
내습성 | h | 650 | 310 | 240 | 600 |
땜질내열성 | h | 120 | 96 | 48 | 96 |
레이저마아크성 | - | 양호 | 양호 | 양호 | 양호 |
전기특성(리크전류의 유무) | - | 유 | 무 | 무 | 유 |
흑색도 | - | 27.8 | 28.2 | 28.5 | 28.2 |
종합판정 | - | X | X | X | X |
착색제로서 비도전성 카아본을 사용하지 않은 비교예 1 ∼ 4는, 모두 만족할만한 특성을 얻을 수가 없었다. 즉, 도전성 카아본블랙을 사용한 비교예 1은 전기특성이 떨어지고, 아진계염료를 사용한 비교예 2, 3은 내습성 및 땜질내열성이 떨어진다.
이것에 대하여, 실시예 1 ∼ 9는, 내습성, 땜질내열성 등의 신뢰성 및 전기특성이 우수하고, 레이저마아크성, 흑색도도 양호하다.
본 발명은, 레이저마아크성이나 전기특성이 우수하고, 패드 사이나 와이어 사이의 거리가 좁은 반도체장치 등의 전자장치에서도 도전성물질에 의한 단락이 발생하지 않고, 패키지 표면의 외관을 손상하는 일 없이 신뢰성이 높은 패키지를 얻을 수가 있는, 성형성에 뛰어난 봉지용 에폭시수지 조성물과, 그 조성물을 사용하여 소자가 봉지된 전자장치를 제공한다.
Claims (7)
- 에폭시수지, 경화제, 비도전성 카아본, 무기충전제 및 착색제를 함유하는 것을 특징으로 하는 봉지용 에폭시수지 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 착색제가 카본 블랙을 함유하는 봉지용 에폭시수지 조성물.
- 제2항에 있어서, 상기 카본 블랙이 비표면적이 130 ㎡/g 이하이고, DBP 흡유량이 120 ㎤/100g 이하인 봉지용 에폭시수지 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 비도전성 카아본이 에폭시수지 및 페놀수지 중 적어도 어느 하나에 의해 표면이 피복되어 있는 봉지용 에폭시수지 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 비도전성 카아본의 전기 저항이 107 Ω 이상인 봉지용 에폭시수지 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 비도전성 카아본의 함유량이 수지 조성물 전체에 대하여 0.1 내지 10 중량%인 봉지용 에폭시수지 조성물.
- 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 봉지용 에폭시수지 조성물에 의해 봉지된 소자를 구비한 전자장치.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26385699 | 1999-09-17 | ||
JPJP-P-1999-00263856 | 1999-09-17 | ||
JP2000083233 | 2000-03-21 | ||
JPJP-P-2000-00083233 | 2000-03-21 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020000019722A Division KR100652107B1 (ko) | 1999-09-17 | 2000-04-14 | 봉지용 에폭시수지 조성물 및 전자장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20040032839A KR20040032839A (ko) | 2004-04-17 |
KR100589097B1 true KR100589097B1 (ko) | 2006-06-14 |
Family
ID=26546224
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020000019722A KR100652107B1 (ko) | 1999-09-17 | 2000-04-14 | 봉지용 에폭시수지 조성물 및 전자장치 |
KR1020040021131A KR100709659B1 (ko) | 1999-09-17 | 2004-03-29 | 에폭시수지 조성물 및 전자장치 |
KR1020040021130A KR100589097B1 (ko) | 1999-09-17 | 2004-03-29 | 봉지용 에폭시수지 조성물 및 전자장치 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020000019722A KR100652107B1 (ko) | 1999-09-17 | 2000-04-14 | 봉지용 에폭시수지 조성물 및 전자장치 |
KR1020040021131A KR100709659B1 (ko) | 1999-09-17 | 2004-03-29 | 에폭시수지 조성물 및 전자장치 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6372351B1 (ko) |
JP (6) | JP3632558B2 (ko) |
KR (3) | KR100652107B1 (ko) |
Families Citing this family (43)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002299540A (ja) * | 2001-04-04 | 2002-10-11 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2002348439A (ja) * | 2001-05-24 | 2002-12-04 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
AU2003202138A1 (en) * | 2002-02-27 | 2003-09-09 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Encapsulating epoxy resin composition, and electronic parts device using the same |
DE60311810T2 (de) * | 2002-06-25 | 2007-10-31 | Asahi Kasei Chemicals Corp. | Lichtempfindliche harzzusammensetzung für druckplatte, die durch laser graviert werden kann |
US20040265596A1 (en) * | 2003-04-28 | 2004-12-30 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Epoxy resin composition for semiconductor sealing and semiconductor device |
JP4506107B2 (ja) * | 2003-06-13 | 2010-07-21 | 三菱化学株式会社 | 半導体封止材用カーボンブラック |
JP2005054045A (ja) * | 2003-08-04 | 2005-03-03 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 |
JP2005146157A (ja) * | 2003-11-18 | 2005-06-09 | Mitsui Chemicals Inc | エポキシ樹脂組成物および半導体素子収納用中空パッケージ |
JP4464693B2 (ja) * | 2004-01-20 | 2010-05-19 | 東海カーボン株式会社 | 半導体封止材用カーボンブラック着色剤およびその製造方法 |
US8642682B2 (en) * | 2004-04-30 | 2014-02-04 | Kureha Corporation | Resin composition for encapsulation and semiconductor unit encapsulated with resin |
JP2005298601A (ja) * | 2004-04-08 | 2005-10-27 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料及び樹脂封止型半導体装置 |
JP4277079B2 (ja) * | 2004-06-18 | 2009-06-10 | Okiセミコンダクタ株式会社 | 半導体加速度センサ装置及びその製造方法 |
US20050282976A1 (en) * | 2004-06-22 | 2005-12-22 | Gelcore Llc. | Silicone epoxy formulations |
JP4894147B2 (ja) * | 2005-01-31 | 2012-03-14 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2006282980A (ja) * | 2005-03-09 | 2006-10-19 | Yamamoto Chem Inc | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
US7378484B2 (en) * | 2005-03-31 | 2008-05-27 | Chung Shan Institute Of Science And Technology | Toughness-increased phenolic resin and preparation thereof |
JP4802619B2 (ja) * | 2005-08-31 | 2011-10-26 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
DE102005045767B4 (de) * | 2005-09-23 | 2012-03-29 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils mit Kunststoffgehäusemasse |
JP4513716B2 (ja) * | 2005-10-26 | 2010-07-28 | パナソニック電工株式会社 | エポキシ系樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 |
JP5509514B2 (ja) * | 2005-11-21 | 2014-06-04 | 日立化成株式会社 | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 |
JP2007165696A (ja) * | 2005-12-15 | 2007-06-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP5010244B2 (ja) * | 2005-12-15 | 2012-08-29 | オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド | 半導体装置 |
JP2007291346A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-11-08 | Toyoda Gosei Co Ltd | 低電気伝導性高放熱性高分子材料及び成形体 |
JP5095136B2 (ja) * | 2006-06-20 | 2012-12-12 | 京セラケミカル株式会社 | 半導体封止用樹脂組成物の製造方法 |
KR100779902B1 (ko) * | 2006-12-28 | 2007-11-28 | 제일모직주식회사 | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한반도체 소자 |
TW200837137A (en) | 2007-01-26 | 2008-09-16 | Hitachi Chemical Co Ltd | Sealing film and semiconductor device using the same |
DE102007012003A1 (de) * | 2007-03-10 | 2008-09-11 | Klaus-Peter Bergmann | Vergossene Elektroanordnung und Verfahren zum Vergießen einer wenigstens ein Elektrobauteil aufweisenden Elektroanordnung |
MY148660A (en) * | 2007-04-10 | 2013-05-15 | Sumitomo Bakelite Co | Resin composition, prepreg, laminated board, multilayer printed wiring board and semiconductor device |
JP5401819B2 (ja) * | 2007-04-18 | 2014-01-29 | 日立化成株式会社 | 封止用フィルム及びそれを用いた半導体装置 |
JP5301108B2 (ja) * | 2007-04-20 | 2013-09-25 | セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 半導体装置 |
JP2009032929A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP5346463B2 (ja) * | 2007-11-27 | 2013-11-20 | パナソニック株式会社 | 封止用エポキシ樹脂組成物を用いた半導体装置 |
JP5422921B2 (ja) * | 2008-05-28 | 2014-02-19 | デクセリアルズ株式会社 | 接着フィルム |
CN101662894B (zh) * | 2008-08-27 | 2011-09-21 | 富葵精密组件(深圳)有限公司 | 封装基板以及封装结构 |
CN101668383B (zh) * | 2008-09-03 | 2013-03-06 | 富葵精密组件(深圳)有限公司 | 电路板以及电路板封装结构 |
KR20100028384A (ko) * | 2008-09-04 | 2010-03-12 | 삼성전기주식회사 | 복합체 및 그의 제조방법 |
US9431274B2 (en) * | 2012-12-20 | 2016-08-30 | Intel Corporation | Method for reducing underfill filler settling in integrated circuit packages |
JP6277611B2 (ja) * | 2013-06-24 | 2018-02-14 | 日立化成株式会社 | 素子封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 |
JP2015179769A (ja) * | 2014-03-19 | 2015-10-08 | 信越化学工業株式会社 | 半導体封止用基材付封止材、半導体装置、及び半導体装置の製造方法 |
JP7170240B2 (ja) * | 2018-07-27 | 2022-11-14 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 半導体封止用樹脂組成物、半導体装置、及び半導体装置の製造方法 |
CN111057270B (zh) * | 2019-12-04 | 2021-08-31 | 广东盈骅新材料科技有限公司 | 改性炭黑及其制备方法、树脂组合物、覆铜板 |
JP7060068B2 (ja) * | 2020-12-09 | 2022-04-26 | 味の素株式会社 | 樹脂組成物 |
CN113265211A (zh) * | 2021-05-13 | 2021-08-17 | 苏州震坤科技有限公司 | 减少封装分层的封装树脂及其封装方法 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS538796A (en) * | 1976-07-10 | 1978-01-26 | Hokuriku Elect Ind | Method of manufacturing carbon black with high resistivity |
JPS62192460A (ja) * | 1986-02-18 | 1987-08-24 | Matsushita Electric Works Ltd | 封止用成形材料 |
EP0266432B1 (en) * | 1986-04-22 | 1992-01-15 | Toray Industries, Inc. | Microelectrode for electrochemical analysis |
JPS63179921A (ja) | 1987-01-21 | 1988-07-23 | Toshiba Corp | 封止用樹脂組成物およびそれを用いた樹脂封止型半導体装置 |
JPH02127449A (ja) * | 1988-11-08 | 1990-05-16 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 熱硬化性樹脂組成物 |
JPH02245055A (ja) * | 1989-03-17 | 1990-09-28 | Nippon Steel Chem Co Ltd | 封止用樹脂組成物 |
JP3008481B2 (ja) * | 1990-11-02 | 2000-02-14 | 三菱化学株式会社 | 炭素短繊維集合体及びそれを強化材とする繊維強化熱可塑性樹脂組成物 |
JPH04356535A (ja) * | 1991-06-03 | 1992-12-10 | Yokohama Rubber Co Ltd:The | 炭素繊維強化プリプレグ |
JPH05175369A (ja) * | 1991-12-24 | 1993-07-13 | Hitachi Chem Co Ltd | 電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料 |
JP3378374B2 (ja) * | 1993-09-14 | 2003-02-17 | 株式会社東芝 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法、樹脂封止型半導体装置及び封止用樹脂シート |
JP3368956B2 (ja) * | 1993-12-02 | 2003-01-20 | 住友ベークライト株式会社 | 樹脂組成物 |
KR950018257A (ko) * | 1993-12-31 | 1995-07-22 | 김충세 | 반도체 봉지용 에폭시수지 조성물 |
JP3361602B2 (ja) * | 1994-03-02 | 2003-01-07 | 住友ベークライト株式会社 | 樹脂組成物 |
JP3201503B2 (ja) * | 1994-07-27 | 2001-08-20 | 住友ベークライト株式会社 | 樹脂組成物 |
JPH08176410A (ja) * | 1994-12-22 | 1996-07-09 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用樹脂組成物 |
JPH098178A (ja) * | 1995-06-14 | 1997-01-10 | Matsushita Electric Works Ltd | 封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 |
JP3512129B2 (ja) * | 1995-06-14 | 2004-03-29 | 株式会社日本触媒 | 着色剤組成物 |
JP3624499B2 (ja) * | 1995-11-22 | 2005-03-02 | 日立化成工業株式会社 | 電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置 |
JP3357235B2 (ja) * | 1996-01-22 | 2002-12-16 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
JP4046785B2 (ja) * | 1996-05-23 | 2008-02-13 | 大日本印刷株式会社 | 非導電性炭素質粉体及びその製造方法 |
JPH10114873A (ja) * | 1996-10-11 | 1998-05-06 | Nippon Kayaku Co Ltd | 高抵抗黒色硬化性樹脂組成物、ブラックマトリクス基板及びカラーフィルター |
JP4137208B2 (ja) * | 1996-12-13 | 2008-08-20 | 株式会社日本触媒 | カーボンブラック複合ポリマー、その製造方法および用途 |
JP3947296B2 (ja) * | 1997-04-02 | 2007-07-18 | 日東電工株式会社 | シート状封止材料およびそれを用いた半導体装置の製法 |
JP3893666B2 (ja) * | 1997-05-28 | 2007-03-14 | 御国色素株式会社 | ブラックマトリックス用カーボンブラック |
JPH1160904A (ja) | 1997-08-26 | 1999-03-05 | Matsushita Electric Works Ltd | 封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
KR100347316B1 (ko) * | 1997-12-27 | 2002-11-18 | 제일모직주식회사 | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 |
JP2002348439A (ja) * | 2001-05-24 | 2002-12-04 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
-
2000
- 2000-04-10 JP JP2000108057A patent/JP3632558B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2000-04-14 US US09/549,708 patent/US6372351B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-04-14 KR KR1020000019722A patent/KR100652107B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2004
- 2004-02-23 JP JP2004047051A patent/JP2004156053A/ja active Pending
- 2004-02-23 JP JP2004047042A patent/JP2004156052A/ja active Pending
- 2004-02-23 JP JP2004047033A patent/JP2004156050A/ja active Pending
- 2004-02-23 JP JP2004047039A patent/JP2004156051A/ja active Pending
- 2004-02-23 JP JP2004047035A patent/JP2004211100A/ja active Pending
- 2004-03-29 KR KR1020040021131A patent/KR100709659B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2004-03-29 KR KR1020040021130A patent/KR100589097B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6372351B1 (en) | 2002-04-16 |
KR100709659B1 (ko) | 2007-04-19 |
KR20040043144A (ko) | 2004-05-22 |
JP3632558B2 (ja) | 2005-03-23 |
JP2004156050A (ja) | 2004-06-03 |
KR20040032839A (ko) | 2004-04-17 |
KR20010029645A (ko) | 2001-04-06 |
JP2004156051A (ja) | 2004-06-03 |
JP2004156052A (ja) | 2004-06-03 |
JP2004211100A (ja) | 2004-07-29 |
JP2001335677A (ja) | 2001-12-04 |
JP2004156053A (ja) | 2004-06-03 |
KR100652107B1 (ko) | 2006-12-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100589097B1 (ko) | 봉지용 에폭시수지 조성물 및 전자장치 | |
JP5509514B2 (ja) | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 | |
JP2003321594A (ja) | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 | |
KR100454380B1 (ko) | 캡슐화재료조성물 및 전자장치 | |
JP4792768B2 (ja) | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
KR20070104629A (ko) | 경화 촉진제, 경화성 수지 조성물 및 전자 부품 장치 | |
JP2005054045A (ja) | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 | |
JP4892984B2 (ja) | 硬化性樹脂組成物及び電子部品装置 | |
JP4661108B2 (ja) | 封止用液状エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
JP3656515B2 (ja) | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
JP2006028264A (ja) | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 | |
JP2001302886A (ja) | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
JP5156156B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
JP2003201386A (ja) | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 | |
JP4172065B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
JP3659150B2 (ja) | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 | |
JP2006291038A (ja) | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 | |
JP2000129094A (ja) | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 | |
JP2000026707A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
JP2004300275A (ja) | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 | |
JP4248745B2 (ja) | 新規化合物、硬化促進剤、樹脂組成物及び電子部品装置 | |
JP2005255790A (ja) | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 | |
JP2001064364A (ja) | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 | |
JP2004346226A (ja) | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 | |
JP2004027168A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A107 | Divisional application of patent | ||
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120525 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130524 Year of fee payment: 8 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |