JP5095136B2 - 半導体封止用樹脂組成物の製造方法 - Google Patents
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Description
なお、ここで電磁波シールド機能を有する材料粒子の平均粒径は、レーザー回折式粒度分布測定装置(島津製作所製、商品名:SALD−3100)にて測定したものであり、下記の複合材料粒子の平均粒径についても同様である。
ニッケル粉末(平均粒径5μm)200g、グラファイト粉末(平均粒径8μm)200g、MBS粉末(株式会社カネカ製、商品名:カネエースB)600gを150℃に加熱された二軸ロール混練装置に投入し、加熱混練を行った。
非酸化性銅粉末(熱プラズマで抗酸化処理された銅のナノ粒子、平均粒径 20〜40nm;日清エンジニアリング株式会社製)200g、カーボン粉末(三菱化学株式会社製、商品名:650B)200g、ポリエチレンワックス粉末(滴点138℃)400gを150℃に加熱された二軸ロール混練装置に投入し、加熱混練を行った。
軟磁性粉末(フェライトパウダー、平均粒径8μm)200g、ニッケル粉末(平均粒径5μm)200g、カルナバワックス(1号)100gを120℃に加熱された二軸ロール混練装置に投入し、加熱混練を行った。
軟磁性粉末(フェライトパウダー、平均粒径8μm)200g、カーボン粉末(三菱化学株式会社製、商品名:650B)200g、固形エポキシ樹脂(ビスフェノールAタイプ、軟化点80℃;イミダゾール触媒0.1%含有)300gを120℃に加熱された二軸ロール混練装置に投入し、加熱混練を行った。
(組成表)
エポキシ樹脂 100g(10質量%)
フェノール樹脂 50g(5質量%)
イミダゾール触媒 10g(1質量%)
カルナバワックス 30g(3質量%)
溶融シリカ 730g(73質量%)
複合材料粒子A 80g(8質量%)
(ニッケル粉末 16g(1.6質量%)、グラファイト粉末 16g(1.6質量%)、MBS粉末 48g(4.8質量%))
樹脂組成物中のシールド材料粒子の配合量:ニッケル粉末+グラファイト粉末=3.2質量%
(組成表)
エポキシ樹脂 100g(10質量%)
フェノール樹脂 50g(5質量%)
イミダゾール触媒 10g(1質量%)
カルナバワックス 30g(3質量%)
溶融シリカ 760g(76質量%)
複合材料粒子B 50g(5質量%)
(銅粉末 12.5g(1.25質量%)、カーボン粉末 12.5g(1.25質量%)、ポリエチレンワックス粉末 25g(2.5質量%))
樹脂組成物中のシールド材料粒子の配合量:銅粉末+カーボン粉末=2.5質量%
(組成表)
エポキシ樹脂 100g(10質量%)
フェノール樹脂 50g(5質量%)
イミダゾール触媒 10g(1質量%)
カルナバワックス 30g(3質量%)
溶融シリカ 789.25g(78.925質量%)
カーボン粉末 2g(0.2質量%)
複合材料粒子C 18.75g(1.875質量%)
(軟磁性粉末 7.5g(0.75質量%)、ニッケル粉末 7.5g(0.75質量%)、カルナバワックス 3.75g(0.375質量%))
樹脂組成物中のシールド材料粒子の配合量:軟磁性粉末+ニッケル粉末+カーボン粉末=1.70質量%
(組成表)
エポキシ樹脂 100g(10質量%)
フェノール樹脂 50g(5質量%)
イミダゾール触媒 10g(1質量%)
カルナバワックス 30g(3質量%)
溶融シリカ 789g(78.9質量%)
複合材料粒子D 21g(2.1質量%)
(軟磁性粉末 6g(0.6質量%)、カーボン粉末 6g(0.6質量%)、エポキシ粉末 9g(0.9質量%))
樹脂組成物中のシールド材料粒子の配合量:軟磁性粉末+カーボン粉末=1.2質量%
(組成表)
エポキシ樹脂 148g(14.8質量%)
フェノール樹脂 50g(5質量%)
イミダゾール触媒 10g(1質量%)
カルナバワックス 30g(3質量%)
溶融シリカ 761.9g(76.19質量%)
グラファイト粉末 0.1g(0.01質量%)
樹脂組成物中のシールド材料粒子の配合量:0.01質量%
(組成表)
エポキシ樹脂 100g(10質量%)
フェノール樹脂 50g(5質量%)
イミダゾール触媒 10g(1質量%)
カルナバワックス 30g(3質量%)
溶融シリカ 730g(73質量%)
ニッケル粉末 16g(1.6質量%)
グラファイト粉末 16g(1.6質量%)
MBS粉末 48g(4.8質量%)
樹脂組成物中のシールド材料粒子の配合量:ニッケル粉末+グラファイト粉末=3.2質量%
(組成表)
エポキシ樹脂 100g(10質量%)
フェノール樹脂 50g(5質量%)
イミダゾール触媒 10g(1質量%)
カルナバワックス 30g(3質量%)
溶融シリカ 760g(76質量%)
銅粉末 12.5g(1.25質量%)
カーボン粉末 12.5g(1.25質量%)
ポリエチレンワックス粉末 25g(2.5質量%)
樹脂組成物中のシールド材料粒子の配合量:銅粉末+カーボン粉末=2.5質量%
(組成表)
エポキシ樹脂 100g(10質量%)
フェノール樹脂 50g(5質量%)
イミダゾール触媒 10g(1質量%)
カルナバワックス 30g(3質量%)
溶融シリカ 789.25g(789.25質量%)
カーボン粉末 2g(0.2質量%)
軟磁性粉末 7.5g(0.75質量%)
ニッケル粉末 7.5g(0.75質量%)
カルナバワックス 3.75g(0.375質量%)
樹脂組成物中のシールド材料粒子の配合量:軟磁性粉末+ニッケル粉末+カーボン粉末=1.70質量%
(組成表)
エポキシ樹脂 100g(10質量%)
フェノール樹脂 50g(5質量%)
イミダゾール触媒 10g(1質量%)
カルナバワックス 30g(3質量%)
溶融シリカ 789g(78.9質量%)
軟磁性粉末 6g(0.6質量%)
カーボン粉末 6g(0.6質量%)
エポキシ粉末 9g(0.9質量%)
樹脂組成物中のシールド材料粒子の配合量:軟磁性粉末+カーボン粉末=1.2質量%
*2:帯電量測定装置(京セラケミカル株式会社製、商品名:TS100)を用いて測定した。
*3:成形品を送信用アンテナと受信用アンテナの間に設置し、測定周波数1MHzでの磁気遮蔽性を測定した。
*4:TEG評価法により、5V×300H、85℃×85%Hの条件で測定した。
Claims (5)
- 金属系材料及び/又はフェライト系材料とカーボン系材料とを併用してなる電磁波シールド機能を有する材料粒子を、該材料粒子を分散させる樹脂と混合し、加熱混練装置で練り込み、分散させた後、冷却し、粉砕して複合材料粒子とし、次いで、前記複合材料粒子を電気絶縁性を有するマトリックス樹脂に配合し、二軸加熱ロール又は二軸加熱押し出し混練装置で練り込み、冷却し、粉砕してなる半導体封止用樹脂組成物の製造方法であって、
前記電磁波シールド機能を有する材料粒子が、前記半導体封止用樹脂組成物中に1.0〜5.0質量%配合されていることを特徴とする半導体封止用樹脂組成物の製造方法。 - 前記電磁波シールド機能を有する材料粒子を分散させる樹脂が熱可塑性樹脂であることを特徴とする請求項1記載の半導体封止用樹脂組成物の製造方法。
- 前記電磁波シールド機能を有する材料粒子を分散させる樹脂が熱硬化性樹脂であることを特徴とする請求項1記載の半導体封止用樹脂組成物の製造方法。
- 前記マトリックス樹脂が、エポキシ樹脂であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載の半導体封止用樹脂組成物の製造方法。
- 前記カーボン系材料が、カーボン粉末、グラファイト粉末、カーボン繊維の少なくとも1種であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項記載の半導体封止用樹脂組成物の製造方法。
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JP2003160673A (ja) * | 2001-09-11 | 2003-06-03 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | 電磁波シールド用樹脂組成物及びその利用 |
JP2003261745A (ja) * | 2002-03-11 | 2003-09-19 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
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JP2005217221A (ja) * | 2004-01-30 | 2005-08-11 | Sony Corp | 半導体パッケージ及びその製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101831044B1 (ko) * | 2016-01-14 | 2018-02-22 | 국민대학교산학협력단 | 전자파 차폐용 금속/탄소 하이브리드 입자의 제조방법, 그 제조방법으로 제조된 입자 및 기재의 코팅방법 |
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