JP6891639B2 - 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体封止用エポキシ樹脂組成物および樹脂セット - Google Patents
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Description
前記半導体素子の表面を覆うように前記半導体素子を封止しており、第1の熱硬化性樹脂組成物の硬化体により形成された第1の封止材と、
前記第1の封止材の表面を覆うように前記第1の封止材を封止しており、前記第1の熱硬化性樹脂組成物とは異なる第2の熱硬化性樹脂組成物の硬化体により形成された第2の封止材と、
を備え、
前記第2の熱硬化性樹脂組成物が、
エポキシ樹脂と、
フェノール樹脂硬化剤と、
硬化促進剤と、
導電フィラーと、
を含むエポキシ樹脂組成物であり、
前記導電フィラーとして、粒子状フィラー及び繊維状フィラーを含み、
前記粒子状フィラーが黒鉛であり、
前記繊維状フィラーが炭素繊維であり、
前記第2の熱硬化性樹脂組成物中の前記炭素繊維の含有量は、第2の熱硬化性樹脂組成物の固形分全量に対して、10質量%以上50質量%以下であり、
前記第2の熱硬化性樹脂組成物中の前記黒鉛の含有量は、第2の熱硬化性樹脂組成物中の繊維の含有量に対して、20質量%以上150質量%以下である、半導体装置が提供される。
前記第1の封止材の表面を覆うように前記第1の封止材を前記第1の熱硬化性樹脂組成物とは異なる第2の熱硬化性樹脂組成物の硬化体により封止して第2の封止材を形成する工程と、
を有し、
前記第2の熱硬化性樹脂組成物が、
エポキシ樹脂と、
フェノール樹脂硬化剤と、
硬化促進剤と、
導電フィラーと、
を含むエポキシ樹脂組成物であり、
前記導電フィラーとして、粒子状フィラー及び繊維状フィラーを含み、
前記粒子状フィラーが黒鉛であり、
前記繊維状フィラーが炭素繊維であり、
前記第2の熱硬化性樹脂組成物中の前記炭素繊維の含有量は、第2の熱硬化性樹脂組成物の固形分全量に対して、10質量%以上50質量%以下であり、
前記第2の熱硬化性樹脂組成物中の前記黒鉛の含有量は、第2の熱硬化性樹脂組成物中の繊維の含有量に対して、20質量%以上150質量%以下である、半導体装置の製造方法が提供される。
エポキシ樹脂と、
フェノール樹脂硬化剤と、
硬化促進剤と、
導電フィラーと、
を含み、
前記導電フィラーとして、粒子状フィラー及び繊維状フィラーを含み、
前記粒子状フィラーが黒鉛であり、
前記繊維状フィラーが炭素繊維であり、
前記第2の熱硬化性樹脂組成物中の前記炭素繊維の含有量は、第2の熱硬化性樹脂組成物の固形分全量に対して、10質量%以上50質量%以下であり、
前記第2の熱硬化性樹脂組成物中の前記黒鉛の含有量は、第2の熱硬化性樹脂組成物中の繊維の含有量に対して、20質量%以上150質量%以下である、半導体封止用エポキシ樹脂組成物が提供される。
上記半導体装置における前記第2の封止材を形成するために用いる前記第2の熱硬化性樹脂組成物により構成される成形材料群と、
からなる樹脂セットが提供される。
図1は、本実施形態に係る半導体装置100の一例を示す図である。なお、本実施形態に係る半導体装置100に関し、ボンディングワイヤにより電気的に接続されている例を挙げて説明するが、かかる半導体装置100は、ボンディングワイヤを用いたものに限定されるものではない。
図1に示すように、本実施形態に係る半導体装置100は、半導体素子30と、半導体素子30の表面を覆うように半導体素子30を封止してなる第1の熱硬化性樹脂組成物の硬化体により形成された第1の封止材10と、第1の封止材10の表面を覆うように第1の封止材10を封止してなる第1の熱硬化性樹脂組成物とは異なる第2の熱硬化性樹脂組成物の硬化体により形成された第2の封止材20と、を備えるものである。つまり、本実施形態に係る半導体装置100は、半導体素子30と、半導体素子30を封止する第1の熱硬化性樹脂組成物の硬化体により形成された第1の封止材10と、第1の封止材10における半導体素子30が配されている側の面とは反対側の面よりも外側に配され、かつ第1の熱硬化性樹脂組成物とは異なる第2の熱硬化性樹脂組成物の硬化体により形成された第2の封止材20と、を備えるものであるともいえる。そして、本実施形態において上記第2の熱硬化性樹脂組成物は、エポキシ樹脂と、フェノール樹脂硬化剤と、硬化促進剤と、導電フィラーと、を含むエポキシ樹脂組成物である。これにより、電磁波遮蔽特性と電気的絶縁特性とのバランスに優れた半導体装置を実現することができる。
ここで、本実施形態に係る半導体装置100は、半導体素子30と、第1の封止材10と、第2の封止材20とが上述した配置で形成されたものであれば、チップ搭載領域外にも再配線層を形成した、いわゆるFan−out型としてもよい。
また、L1−L2の絶対値の下限値は限定されず、例えば、0ppm以上とすることができる。なお、L1−L2の絶対値は、0ppmに近い値であればあるほど好ましい。
また、第1の封止材10の25℃における線膨張係数L1の下限値は、上記上限値と同様の観点から、例えば、1ppm以上であることが好ましく、5ppm以上であることがより好ましい。
また、第2の封止材20の25℃における線膨張係数L2の下限値は、上記上限値と同様の観点から、例えば、10ppm以上であることが好ましく、20ppm以上であることがより好ましい。
また、L2−L1の絶対値の下限値は限定されず、例えば、0ppm以上とすることができる。なお、L1−L2の絶対値は、0ppmに近い値であればあるほど好ましい。
ただし、本実施形態に係る半導体装置100は、第1の封止材10と第2の封止材20の密着性を向上させ、結果として電磁波遮蔽特性と電気的絶縁特性とをバランスよく発現させる観点から、図1に示すように、第1の封止材10の表面全域が露出しないように、第1の封止材10の表面全域が第2の封止材20により覆われたものであることが好ましい。つまり、本実施形態に係る半導体装置100において、第2の封止材20は、第1の封止材10の表面について、その一部を覆っていてもよいし、全面を覆っていてもよいが、電磁波遮蔽特性と電気的絶縁特性とをバランスよく発現させる観点から、第1の封止材10の表面全域が露出しないように該第1の封止材10の表面全域を覆っていることが好ましい。
また、本実施形態に係る半導体装置100において、第1の封止材10は、半導体素子30の表面について、その一部を覆っていてもよいし、全面を覆っていてもよいが、良好な電気的絶縁特性を発現させる観点から、半導体素子30の表面全域が露出しないように該半導体素子30の表面全域を覆っていることが好ましい。
まず、基板50上に、半導体素子30を搭載する。次いで、基板50と半導体素子30を、ボンディングワイヤ60により互いに接続させる。次いで、半導体素子30の表面を覆うように、半導体素子30と、ボンディングワイヤ60とを第1の熱硬化性樹脂組成物の硬化体により構成された第1の封止材10により封止する。その後、第1の封止材10の表面を覆うように、第1の封止材10を第1の熱硬化性樹脂組成物とは異なる第2の熱硬化性樹脂組成物の硬化体により第2の封止材20を形成する。これにより、本実施形態に係る半導体装置100が製造されることとなる。
また、第1の封止材10または第2の封止材20の封止成形の方法としては、たとえばトランスファー成形法、圧縮成形法、ラミネート成形法が挙げられる。また、第1の封止材10と第2の封止材20の封止成形の方法は、同じ手法を採用してもよいし、異なる手法であってもよい。
なお、本実施形態において、封止成形及び硬化体の作製は、例えば、次の条件で行うことができる。まず、封止成形の条件としては、例えば、温度120℃以上200℃以下、時間で10秒間以上10分間以下とすることができる。また、封止成形後、後硬化(ポストキュア)によって硬化体を作製する条件としては、例えば、温度150℃以上180℃以下、時間2時間以上24時間以下とすることができる。
まず、基板50上に、半導体ウエハを搭載した構造体を準備する。次に、かかる構造体の基板50が設けられている面とは反対側の面から、半導体ウエハのダイシング領域に沿って、当該半導体ウエハに対して所定幅の切れ込みを複数形成することにより、当該半導体ウエハを個片化した複数の半導体チップ30を作製する。すなわち、構造体の基板50が設けられている面とは反対側の面から、当該半導体ウエハをハーフカットする。次いで、上述した方法で第1の封止材10および第2の封止材20を形成する。これにより、本実施形態に係る半導体装置100を複数同時に製造することができる。つまり、上述した方法を採用すれば、本実施形態に係る半導体装置100を複数同時に一括して作製することができる。
また、本実施形態に係る第1の封止材10を形成するために用いる第1の熱硬化性樹脂組成物と、第2の封止材20を形成するために用いる第2の熱硬化性樹脂組成物は、両者からなる樹脂セットの形態にて、市場に流通させることが可能であるものと考えられる。いわば、本実施形態に係る上記樹脂セットは、第1の封止材10を形成するために用いる第1の熱硬化性樹脂組成物により構成される成形材料群と、第2の封止材20を形成するために用いる第2の熱硬化性樹脂組成物により構成される成形材料群と、からなるものであるといえる。そして、本実施形態において、第1の熱硬化性樹脂組成物により構成される上記成形材料群と、第2の熱硬化性樹脂組成物により構成される上記成形材料群は、いずれも、固形状の樹脂組成物により構成されたものであることが好ましい。
なお、上述したEMMI−1−66法により測定したスパイラルフローは、たとえば、以下の方法で測定することができる。低圧トランスファー成形機(コータキ精機(株)製「KTS−15」)を用いて、EMMI−1−66に準じたスパイラルフロー測定用の金型に、金型温度175℃、注入圧力6.9MPa、硬化時間120秒の条件で、樹脂組成物を注入し、流動長をスパイラルフローとして測定する。なお、単位は、cmである。
なお、本実施形態に係る半導体装置は、1GHzといった高周波数の電磁波について電磁波遮蔽性が高いという観点で都合がよい。1GHzといった高周波数の電磁波は、1GHzよりも小さい周波数のものよりも電気的エネルギー及び磁気的エネルギーが大きい。携帯電話、PCなどの高密度で半導体装置を配する場合、1GHzといった高周波数の電磁波が半導体装置に干渉することで、半導体装置の誤作動を引き起こすという問題があった。本願発明の半導体装置は電磁波遮蔽性が高いため、1GHzといった高周波数の電磁波は生じたとしても、半導体装置の誤作動を引き起こしにくいという観点で都合が良い。
かかる繊維としては、金属繊維や炭素繊維等が挙げられる。そして、上述した金属繊維を構成する金属材料の具体例としては、銅、ステンレス、アルミニウム、ニッケル、チタン、タングステン、錫、鉛、鉄、銀、クロム、炭素或いはこれらの合金等が挙げられる。中でも、優れた電磁波遮蔽性を第2の封止材20に付与する観点から、炭素を主成分として含むものが好ましい。なお、本実施形態において、上述した炭素を主成分として含む導電フィラーとは、たとえば、当該導電フィラー全量に対して炭素を50質量%以上含むフィラーのことを指す。このような、炭素を主成分として含む導電フィラーとしては、具体的には、黒鉛、カーボンブラック、炭、コークス、ダイヤモンド、グラファイト、カーボンナノチューブ、フラーレン、炭素繊維などが挙げられる。
また、導電フィラーが粒子である場合、その形状としては、扁平状、粒状、板状および針状等が挙げられる。
なお、本実施形態において、アスペクト比とは、導電フィラーの(長径)/(短径)である。
導電性フィラーが繊維状フィラーである場合、長径とは繊維状フィラーの長さ、短径とは繊維状フィラーの繊維直径を示す。
粒子状フィラーの長径、短径は、例えば、走査型電子顕微鏡、透過型電子顕微鏡による直接観察によって評価できる。以下に、走査型電子顕微鏡を用いた評価方法について説明する。まず、走査型電子顕微鏡の試料台に粒子状フィラーを固着させ、粒子が1つだけ視野に入る最大限まで観察倍率を高くして、形状を観察し、粒子状フィラーの観察面積の最も大きな面の方向から観察する。例えば、グラファイトの観察面積の最も大きな面としては、劈開面が相当する。次に、試料台を回転させて、粒子状フィラーの観察面積の最も小さな面から観察する。例えば、粒子状フィラーがグラファイトであれば、グラファイトの板状構造の積層断面が相当する。上記観察において、粒子状フィラーの観察面積の最も大きな面に、内接する最小の円を設定してその直径を計測して前記粒子の「長径」と定義する。また、粒子状フィラーの観察面積の最も小さな面について、2本の平行線が最も近接して且つ粒子状フィラーを挟み込むようにして引いたその平行線の間隔を「短径」と定義する。この操作を、任意に抽出した100個の粒子状フィラーに対して行ない、平均値を算出することでアスペクト比を求める。
繊維状フィラーが粒子状フィラーを介した導電パスを形成し、電磁波の電気的損失を向上させる観点から、繊維状フィラーのアスペクト比の上限値は、例えば、60以下であることが好ましく、50以下であることがより好ましく、40以下であることが更に好ましい。
また、上記上限値と同様の観点から、繊維状フィラーのアスペクト比の下限値は、例えば、5以上であることが好ましく、10以上であることが好ましく、20以上であることがより好ましい。
なお、2種以上の導電フィラーとして粒子状フィラー及び繊維状フィラーを含む場合、粒子の形状は、例えば、鱗状であることが好ましい。これにより、適切に導電パスを形成することができる。具体的な粒子状フィラー及び繊維状フィラーの組み合わせとしては、粒子状フィラーとして黒鉛を含み、繊維状フィラーとして炭素繊維を含むことが好ましい。
また、2種以上の導電性フィラーとして、上述した繊維及び上述した粒子を含む場合、上述した繊維の含有量の上限値は、例えば、第2の熱硬化性樹脂組成物の固形分全量に対して55質量%以下であることが好ましく、50質量%以下であることがより好ましい。これにより、第2の熱硬化性樹脂組成物のスパイラルフローを適切に維持できるという観点で都合が良い。
また、2種以上の導電性フィラーとして、繊維及び粒子を含む場合、粒子の含有量の上限値は、例えば、第2の熱硬化性樹脂組成物中の繊維の含有量に対して、150質量%以下であることが好ましく、145質量%以下であることがより好ましく、70質量%以下であることが更に好ましい。これにより、繊維が第2の熱硬化性樹脂組成物で適切に分散し、電磁波遮蔽性を向上するのに適切な導電パスを形成することができる。
ここで、本実施形態に係る硬化剤としては、たとえば重付加型の硬化剤、触媒型の硬化剤、および縮合型の硬化剤の3タイプに大別することができる。
フェノール樹脂硬化剤の具体例としては、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールノボラック等のノボラック型樹脂;ポリビニルフェノール;ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂やトリフェノールメタン型フェノール樹脂等の多官能型フェノール樹脂;テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂等の変性フェノール樹脂;フェニレン骨格及び/又はビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂、フェニレン及び/又はビフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル樹脂等のアラルキル型樹脂;ビスフェノールA、ビスフェノールF等のビスフェノール化合物等が挙げられる。これらは1種類を単独で用いても2種類以上を併用してもよい。中でも、高温高湿環境条件下における半導体装置の信頼性を向上させる観点から、多官能型フェノール樹脂が好ましい。
また、充填材の形状としては、第1の熱硬化性樹脂組成物の溶融粘度の上昇を抑えつつ、充填材の含有量を高める観点から、できるだけ真球状であり、かつ粒度分布がブロードであることが好ましい。
また、粒子の大きさの異なるものを混合することにより無機充填量を多くすることができる。充填材の平均粒径d50は、半導体素子周辺への充填性の観点から、好ましくは、0.01μm以上150μm以下であり、より好ましくは、0.1μm以上100μm以下であり、さらに好ましくは、0.5μm以上50μm以下である。こうすることで、樹脂組成物の流動性が良好な状態となるように制御することができる。また、本実施形態における充填材は、第1の熱硬化性樹脂組成物の流動性を向上させつつ、作製する半導体装置の機械的強度を向上させる観点から、平均粒径d50が5μm以下の充填材と、平均粒径d50が10μm以上の充填材とを併用することが好ましい。
なお、無機充填材の平均粒子径d50は、たとえばレーザー回折式粒度分布測定装置(HORIBA社製、LA−500)を用いて測定することが可能である。
硬化促進剤は、エポキシ樹脂のエポキシ基と、硬化剤(たとえば、フェノール樹脂硬化剤のフェノール性水酸基)と、の架橋反応を促進させるものであればよく、一般の半導体封止用エポキシ樹脂組成物に使用するものを用いることができる。硬化促進剤としては、たとえば有機ホスフィン、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物等のリン原子含有化合物;1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン−7、ベンジルジメチルアミン、2−メチルイミダゾール等が例示されるアミジンや3級アミン、さらには前記アミジン、アミンの4級塩等の窒素原子含有化合物等が挙げられ、これらは1種類を単独で用いても2種以上を併用しても差し支えない。
以下、参考形態の例を付記する。
1. 半導体素子と、
上記半導体素子の表面を覆うように上記半導体素子を封止しており、第1の熱硬化性樹脂組成物の硬化体により形成された第1の封止材と、
上記第1の封止材の表面を覆うように上記第1の封止材を封止しており、上記第1の熱硬化性樹脂組成物とは異なる第2の熱硬化性樹脂組成物の硬化体により形成された第2の封止材と、
を備え、
上記第2の熱硬化性樹脂組成物が、
エポキシ樹脂と、
フェノール樹脂硬化剤と、
硬化促進剤と、
導電フィラーと、
を含むエポキシ樹脂組成物である、半導体装置。
2. 上記導電フィラーは、当該導電フィラー全量に対して炭素を50質量%以上含む、上記1.に記載の半導体装置。
3. 上記第2の熱硬化性樹脂組成物の固形分全量に対する、上記第2の熱硬化性樹脂組成物中の上記導電フィラーの含有量が、35質量%以上65質量%以下である、上記1.または2.に記載の半導体装置。
4. 上記導電フィラーとして、粒子状フィラー及び繊維状フィラーを含む、上記1.から3.のいずれか1つに記載の半導体装置。
5. 上記粒子状フィラーが黒鉛であり、
上記繊維状フィラーが炭素繊維である、上記4.に記載の半導体装置。
6. 上記第2の熱硬化性樹脂組成物中の上記炭素繊維の含有量は、第2の熱硬化性樹脂組成物の固形分全量に対して、10質量%以上50質量%以下であり、
上記第2の熱硬化性樹脂組成物中の上記黒鉛の含有量は、第2の熱硬化性樹脂組成物中の繊維の含有量に対して、20質量%以上150質量%以下である、上記5.に記載の半導体装置。
7. 上記第1の封止材の25℃における線膨張係数をL1とし、上記第2の封止材の25℃における線膨張係数をL2とした時、L1−L2の絶対値が0ppm以上30ppm以下である、上記1.から6.のいずれか1つに記載の半導体装置。
8. 上記線膨張係数L1は、上記線膨張係数L2よりも小さい、上記7.に記載の半導体装置。
9. 上記第1の熱硬化性樹脂組成物が、
エポキシ樹脂と、
硬化剤と、
硬化促進剤と、
充填材と、
を含む、上記1.から8.のいずれか1つに記載の半導体装置。
10. 上記第1の封止材の上記表面全域が露出しないように、上記第1の封止材の上記表面全域が上記第2の封止材により覆われている、上記1.から9.のいずれか1つに記載の半導体装置。
11. 上記半導体素子と、上記第1の封止材と、上記第2の封止材と、を含む構造体が基板上に形成されている、上記1.から10.のいずれか1つに記載の半導体装置。
12. 半導体素子の表面を覆うように上記半導体素子を第1の熱硬化性樹脂組成物の硬化体により封止して第1の封止材を形成する工程と、
上記第1の封止材の表面を覆うように上記第1の封止材を上記第1の熱硬化性樹脂組成物とは異なる第2の熱硬化性樹脂組成物の硬化体により封止して第2の封止材を形成する工程と、
を有し、
上記第2の熱硬化性樹脂組成物が、
エポキシ樹脂と、
フェノール樹脂硬化剤と、
硬化促進剤と、
導電フィラーと、
を含むエポキシ樹脂組成物である、半導体装置の製造方法。
13. 上記第2の封止材を形成する工程に次いで、上記第1の封止材及び上記第2の封止材を熱処理して後硬化する、上記12.に記載の半導体装置の製造方法。
14. 半導体素子の表面を覆うように熱硬化性樹脂組成物の硬化体により形成された第1の封止材の表面を覆うように、上記第1の封止材を封止してなる上記第2の封止材を形成するために用いる半導体封止用エポキシ樹脂組成物であって、
エポキシ樹脂と、
フェノール樹脂硬化剤と、
硬化促進剤と、
導電フィラーと、
を含む、半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
15. 上記1.乃至11.のいずれか一つに記載の半導体装置における上記第1の封止材を形成するために用いる上記第1の熱硬化性樹脂組成物により構成される成形材料群と、
上記1.乃至11.のいずれか一つに記載の半導体装置における上記第2の封止材を形成するために用いる上記第2の熱硬化性樹脂組成物により構成される成形材料群と、
からなる樹脂セット。
実施例1〜6および比較例1のそれぞれについて、次のように封止用樹脂組成物を調製した。まず、表1に従い配合された各原材料を常温でミキサーを用いて混合した後、70〜100℃でロール混練した。次いで、得られた混練物を冷却した後、これを粉砕することにより、粉粒状の樹脂組成物を第1の熱硬化性樹脂組成物として得た。表1中における各成分の詳細は後述のとおりである。また、表1中の単位は、質量%である。
実施例1〜6および比較例2のそれぞれについて、次のように封止用樹脂組成物を調製した。まず、表1に記載された配合量でカップリング剤2を用いて、予め表面処理を施した導電フィラー1〜導電フィラー4をそれぞれ準備した。次いで、表1に従い配合された各原材料を常温でミキサーを用いて混合した後、70〜100℃でロール混練した。次いで、得られた混練物を冷却した後、これを粉砕することにより、粉粒状の樹脂組成物を第2の熱硬化性樹脂組成物として得た。表1中における各成分の詳細は後述のとおりである。また、表1中の単位は、質量%である。
まず、導電フィラーをミキサーに投入し、撹拌を開始した。次いで、ミキサー内に、カップリング剤2を投入して、3分間撹拌を続けた。こうすることで、導電フィラーとカップリング剤2との混合物を得た。次に、得られた混合物をミキサーから取り出し、所定時間放置した。このようにして、カップリング剤2により表面処理が施された導電フィラー1〜導電フィラー4を作製した。
・エポキシ樹脂1:ビフェニル型エポキシ樹脂(三菱化学社製、YX4000K)
・エポキシ樹脂2:ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂(日本化薬社製、NC−3000)
・エポキシ樹脂3:ビスフェノールA型エポキシ樹脂(三菱化学社製、YL6810)
・エポキシ樹脂4:ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂とビフェニル型エポキシ樹脂との混合物(日本化薬社製、CER−3000−L)
・充填材1:溶融球状シリカ(電気化学工業社製、FB−950FC、平均粒径d50:22μm)
・充填材2:溶融球状シリカ(電気化学工業社製、FB−105FC、平均粒径d50:12μm)
・充填材3:溶融球状シリカ(電気化学工業社製、FB−35、平均粒径d50:10μm)
・充填材4:溶融球状シリカ(アドマテックス社製、SO−25R、平均粒径d50:0.5μm)
・充填材5:溶融球状シリカ(アドマテックス社製、SO−32R、平均粒径d50:1μm)
・硬化剤1:ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂(明和化成社製、MEH−7851SS)
・硬化剤2:ノボラック型フェノール樹脂(住友ベークライト社製、PR−HF−3)
・硬化剤3:ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂(日本化薬社製、GPH−65)
・硬化促進剤1:下記式(1)で表わされる硬化促進剤
まず、冷却管及び攪拌装置付きのセパラブルフラスコに対して、2,3−ジヒドロキシナフタレン12.81g(0.080mol)と、テトラフェニルホスホニウムブロミド16.77g(0.040mol)と、メタノール100mlとを仕込み、均一に撹拌溶解させた。次に、水酸化ナトリウム1.60g(0.04ml)を10mLのメタノールに溶解させた水酸化ナトリウム溶液を、セパラブルフラスコ内に徐々に滴下した。これにより析出した結晶を、ろ過、水洗、真空乾燥することで、硬化促進剤1を得た。
まず、冷却管及び撹拌装置付きのセパラブルフラスコに対して、4,4'−ビスフェノールS37.5g(0.15mol)と、メタノール100mlとを仕込み、室温で均一に撹拌溶解させた。次に、水酸化ナトリウム4.0g(0.1mol)を予め50mLのメタノールに溶解させた溶液を、撹拌しながら添加した。次いで、テトラフェニルホスホニウムブロマイド41.9g(0.1mol)を予め150mLのメタノールに溶解させた溶液を、添加した。その後、しばらく撹拌を継続し、300mLのメタノールを添加した後、セパラブルフラスコ内の溶液を大量の水に撹拌しながら滴下することにより、白色沈殿を得た。この沈殿を、濾別してから、乾燥することで白色結晶の硬化促進剤2を得た。
まず、1800gのメタノールを入れたフラスコに、249.5gのフェニルトリメトキシシランと、384.0gの2,3−ジヒドロキシナフタレンとを加えて、各成分を溶解させた。次に、上記フラスコに対して、室温条件下、28質量%のナトリウムメトキシド−メタノール溶液231.5gを撹拌しながら滴下した。次いで、メタノール600gにテトラフェニルホスホニウムブロマイド503.0gを予め溶解させた溶液を、室温条件下、撹拌しながら滴下混合し、結晶を析出させた。このようにして得られた結晶を、ろ過、水洗、真空乾燥することで、桃白色結晶の硬化促進剤3を得た。
・導電フィラー1:鱗状黒鉛(西村黒鉛社製、PB−90、平均粒径15μm)
・導電フィラー2:炭素繊維(三菱レイヨン社製、ダイアリードK223HM、長径200μm、短径5μm)
・導電フィラー3:炭素繊維(サイテック エンジニアード マテリアルズ社製、DKD、長径200μm、短径10μm)
なお、導電フィラー1〜3は、それぞれアスペクト比が異なるものであることが確認されている。
・離型剤1:ステアリン酸(日油社製、SR−サクラ)
・離型剤2:トリレンジイソシアネート変性酸化ワックス(日本精蝋社製、HAD−6548G)
・離型剤3:ジエタノールアミン・ジモンタン酸エステル(伊藤製油社製、ITOHWAX TP NC−133)
・離型剤4:グリセリントリモンタン酸エステル(クラリアント・ジャパン社製、リコルブ WE−4)
・離型剤5:酸化ポリエチレンワックス(クラリアント・ジャパン社製、リコワックス PED191)
・難燃剤:水酸化アルミニウム(住友化学社製、CL−303)
・着色剤:カーボンブラック(三菱化学社製、カーボン#5)
・低応力剤:アルキル変性シリコーンオイル(モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン社製、XZ−5600)
・カップリング剤1:3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン(チッソ社製、S810)
・カップリング剤2:N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン(信越化学社製、KBM−573)
発明を実施するための形態で述べた方法により、図1に示す半導体装置を作製した。まず、第1の熱硬化性樹脂組成物を用いて、基板上に搭載した半導体素子(20mm×20mm)を封止成形することにより、1次パッケージを作製した。第1の熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなる第1の封止材の成形は、圧縮成形機を用いて、金型温度175℃、成形圧力8.3MPa、硬化時間2分の条件で行った。次いで、得られた1次パッケージをインサートとし、第2の熱硬化性樹脂組成物を用いて、かかるインサートを封止成形することにより、2次パッケージを作製した。第2の熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなる第2の封止材の成形は、圧縮成形機を用いて、金型温度175℃、成形圧力8.3MPa、硬化時間2分の条件で行った。その後、得られた2次パッケージを175℃、4時間の条件で後硬化(ポストキュア)することにより、図1に示す半導体装置を得た。
実施例1の半導体装置における第1の封止材10および第2の封止材20に相当する構成(封止材)を、第1の熱硬化性樹脂組成物を用いて一括成形した点以外は、実施例1の半導体装置と同様の構成を備えた比較例1の半導体装置を作製した。
比較例1の半導体装置を作製するにあたり、図1に示す第1の封止材10および第2の封止材20に相当する構成(封止材)は、基板上に搭載した半導体素子(20mm×20mm)をインサートとし、第1の熱硬化性樹脂組成物を用いて一括成形することにより作製した。すなわち、比較例1の半導体装置において、図1に示す第1の封止材10および第2の封止材20に相当する構成(封止材)は、第1の熱硬化性樹脂組成物の硬化物により一体的に形成されたものである。また、第1の熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなる封止材の成形は、圧縮成形機を用いて、金型温度175℃、成形圧力8.3MPa、硬化時間2分の条件で行った後、175℃、4時間の条件で後硬化(ポストキュア)することにより、比較例1の半導体装置を得た。
実施例1の半導体装置における第1の封止材10および第2の封止材20に相当する構成(封止材)を、第2の熱硬化性樹脂組成物を用いて一括成形した点以外は、実施例1の半導体装置と同様の構成を備えた比較例1の半導体装置を作製した。すなわち、第1の熱硬化性樹脂組成物に代えて第2の熱硬化性樹脂組成物を用いて封止材を作製した点以外は、比較例1と同様の方法で、比較例2の半導体装置を作製した。
なお、比較例1および比較例2については、評価を実施しなかった。
そして、評価結果は下記の通りとした。
◎:作製した2次パッケージにおいて、第2の熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなる封止材に、未充填領域やボイドが存在していなかった。
○:作製した2次パッケージにおいて、第2の熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなる封止材に、未充填領域やボイドが存在しているものの、その平均径がいずれも30μm以上であった。
×:作製した2次パッケージにおいて、第2の熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなる封止材に、平均径が30μmを超える未充填領域やボイドが存在していた。
まず、圧縮成形機を用いて、金型温度175℃、成形圧力8.3MPa、硬化時間2分の条件で、第1の熱硬化性樹脂組成物を成形し、長さ100mm×幅100mm×厚さ0.933mmの板状成形品1を得た。次に、得られた板状成形品をインサートとし、圧縮成形機を用いて、金型温度175℃、成形圧力8.3MPa、硬化時間2分の条件で、第2の熱硬化性樹脂組成物を成形し、長さ110mm×幅110mm×厚さ1mmの板状成形品2を得た。次いで、得られた板状成形品2を175℃、4時間の条件で後硬化(ポストキュア)することにより、第1の熱硬化性樹脂組成物の硬化物と第2の熱硬化性樹脂組成物の硬化物との厚み比が、第1の熱硬化性樹脂組成物の硬化物の厚み:第2の熱硬化性樹脂組成物の硬化物の厚みが約14:1である試験片を得た。
比較例1の半導体装置が備える封止材の電磁波遮蔽性を評価するために用いる試験片は、以下の方法で作製した。具体的には、第1の熱硬化性樹脂組成物の硬化物と第2の熱硬化性樹脂組成物の硬化物とからなる実施例1〜6の試験片と同サイズの試験片を、圧縮成形機を用いて、金型温度175℃、成形圧力8.3MPa、硬化時間2分の条件で、第1の熱硬化性樹脂組成物を成形した後、175℃、4時間の条件で後硬化(ポストキュア)することにより、比較例1の試験片を得た。
比較例2の半導体装置が備える封止材の電磁波遮蔽性を評価するために用いる試験片は、以下の方法で作製した。具体的には、第1の熱硬化性樹脂組成物の硬化物と第2の熱硬化性樹脂組成物の硬化物とからなる実施例1〜6の試験片と同サイズの試験片を、圧縮成形機を用いて、金型温度175℃、成形圧力8.3MPa、硬化時間2分の条件で、第2の熱硬化性樹脂組成物を成形した後、175℃、4時間の条件で後硬化(ポストキュア)することにより、比較例2の試験片を得た。
次いで、得られた試験片をアドバンテスト社製のTR17301Aにおける送信用アンテナと受信用アンテナの間に設置し、測定周波数1GHzの条件で該試験片の電磁波遮蔽性を測定した。
評価結果は下記の通りとした。
◎:15dB以上の値を示した。
○:5dB以上15dB未満の値を示した。
×:5dB未満の値を示した。
まず、低圧トランスファー成形機(コータキ精機社製、KTS−30)を用いて、金型温度175℃、注入圧力8.3MPa、硬化時間2分の条件で、第1の熱硬化性樹脂組成物を成形することにより、直径90mm、厚さ2.8mmの円盤状成形品1を得た。次に、得られた円盤状成形品1をインサートとし、低圧トランスファー成形機(コータキ精機社製、KTS−30)を用いて、金型温度175℃、注入圧力8.3MPa、硬化時間2分の条件で、第2の熱硬化性樹脂組成物を成形することにより、直径100mm、厚さ3mmの円盤状成形品2を得た。次いで、得られた円盤状成形品2を175℃、4時間の条件で後硬化(ポストキュア)して試験片を得た。
比較例1の半導体装置が備える封止材の150℃における体積抵抗率を測定するために用いる試験片は、以下の方法で作製した。具体的には、実施例1〜6の試験片と同サイズの試験片を、低圧トランスファー成形機(コータキ精機社製、KTS−30)を用いて、金型温度175℃、注入圧力8.3MPa、硬化時間2分の条件で、第1の熱硬化性樹脂組成物を用いて成形した後、175℃、4時間の条件で後硬化(ポストキュア)することにより得た。
比較例2の半導体装置が備える封止材の電磁波遮蔽性を評価するために用いる試験片は、以下の方法で作製した。具体的には、実施例1〜6の試験片と同サイズの試験片を、低圧トランスファー成形機(コータキ精機社製、KTS−30)を用いて、金型温度175℃、注入圧力8.3MPa、硬化時間2分の条件で、第2の熱硬化性樹脂組成物を用いて成形した後、175℃、4時間の条件で後硬化(ポストキュア)することにより得た。
次いで、得られた試験片に、カーボンペーストを用いて、直径30mmの主電極、直径32mmのガード電極、直径45mmの対抗電極を形成した。その後、150℃雰囲気下、直流500Vの条件で体積抵抗率を測定した。単位はΩ・cmである。
評価結果は下記の通りとした。
○:第1の熱硬化性樹脂組成物の硬化物と、第2の熱硬化性樹脂組成物の硬化物との接合界面に剥離が生じなかった。
×:第1の熱硬化性樹脂組成物の硬化物と、第2の熱硬化性樹脂組成物の硬化物との接合界面に剥離が生じた。
評価結果は下記の通りとした。
◎:接合界面に剥離はなかった(両封止材が完全に密着していた)
○:若干の剥離が確認されたが、実用上問題ない程度のレベルであった。
10 第1の封止材
20 第2の封止材
30 半導体素子
50 基板
60 ボンディングワイヤ
70 電極パッド
80 ダイボンド材硬化体
Claims (12)
- 半導体素子と、
前記半導体素子の表面を覆うように前記半導体素子を封止しており、第1の熱硬化性樹脂組成物の硬化体により形成された第1の封止材と、
前記第1の封止材の表面を覆うように前記第1の封止材を封止しており、前記第1の熱硬化性樹脂組成物とは異なる第2の熱硬化性樹脂組成物の硬化体により形成された第2の封止材と、
を備え、
前記第2の熱硬化性樹脂組成物が、
エポキシ樹脂と、
フェノール樹脂硬化剤と、
硬化促進剤と、
導電フィラーと、
を含むエポキシ樹脂組成物であり、
前記導電フィラーとして、粒子状フィラー及び繊維状フィラーを含み、
前記粒子状フィラーが黒鉛であり、
前記繊維状フィラーが炭素繊維であり、
前記第2の熱硬化性樹脂組成物中の前記炭素繊維の含有量は、第2の熱硬化性樹脂組成物の固形分全量に対して、10質量%以上50質量%以下であり、
前記第2の熱硬化性樹脂組成物中の前記黒鉛の含有量は、第2の熱硬化性樹脂組成物中の繊維の含有量に対して、20質量%以上150質量%以下である、半導体装置。 - 前記導電フィラーは、当該導電フィラー全量に対して炭素を50質量%以上含む、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第2の熱硬化性樹脂組成物の固形分全量に対する、前記第2の熱硬化性樹脂組成物中の前記導電フィラーの含有量が、35質量%以上65質量%以下である、請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記第1の封止材の25℃における線膨張係数をL1とし、前記第2の封止材の25℃における線膨張係数をL2とした時、L1−L2の絶対値が0ppm以上30ppm以下である、請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記線膨張係数L1は、前記線膨張係数L2よりも小さい、請求項4に記載の半導体装置。
- 前記第1の熱硬化性樹脂組成物が、
エポキシ樹脂と、
硬化剤と、
硬化促進剤と、
充填材と、
を含む、請求項1から5のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記第1の封止材の前記表面全域が露出しないように、前記第1の封止材の前記表面全域が前記第2の封止材により覆われている、請求項1から6のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記半導体素子と、前記第1の封止材と、前記第2の封止材と、を含む構造体が基板上に形成されている、請求項1から7のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 半導体素子の表面を覆うように前記半導体素子を第1の熱硬化性樹脂組成物の硬化体により封止して第1の封止材を形成する工程と、
前記第1の封止材の表面を覆うように前記第1の封止材を前記第1の熱硬化性樹脂組成物とは異なる第2の熱硬化性樹脂組成物の硬化体により封止して第2の封止材を形成する工程と、
を有し、
前記第2の熱硬化性樹脂組成物が、
エポキシ樹脂と、
フェノール樹脂硬化剤と、
硬化促進剤と、
導電フィラーと、
を含むエポキシ樹脂組成物であり、
前記導電フィラーとして、粒子状フィラー及び繊維状フィラーを含み、
前記粒子状フィラーが黒鉛であり、
前記繊維状フィラーが炭素繊維であり、
前記第2の熱硬化性樹脂組成物中の前記炭素繊維の含有量は、第2の熱硬化性樹脂組成物の固形分全量に対して、10質量%以上50質量%以下であり、
前記第2の熱硬化性樹脂組成物中の前記黒鉛の含有量は、第2の熱硬化性樹脂組成物中の繊維の含有量に対して、20質量%以上150質量%以下である、半導体装置の製造方法。 - 前記第2の封止材を形成する工程に次いで、前記第1の封止材及び前記第2の封止材を熱処理して後硬化する、請求項9に記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体素子の表面を覆うように熱硬化性樹脂組成物の硬化体により形成された第1の封止材の表面を覆うように、前記第1の封止材を封止してなる第2の封止材を形成するために用いる半導体封止用エポキシ樹脂組成物であって、
エポキシ樹脂と、
フェノール樹脂硬化剤と、
硬化促進剤と、
導電フィラーと、
を含み、
前記導電フィラーとして、粒子状フィラー及び繊維状フィラーを含み、
前記粒子状フィラーが黒鉛であり、
前記繊維状フィラーが炭素繊維であり、
前記第2の熱硬化性樹脂組成物中の前記炭素繊維の含有量は、第2の熱硬化性樹脂組成物の固形分全量に対して、10質量%以上50質量%以下であり、
前記第2の熱硬化性樹脂組成物中の前記黒鉛の含有量は、第2の熱硬化性樹脂組成物中の繊維の含有量に対して、20質量%以上150質量%以下である、半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - 請求項1乃至8のいずれか一項に記載の半導体装置における前記第1の封止材を形成するために用いる前記第1の熱硬化性樹脂組成物により構成される成形材料群と、
請求項1乃至8のいずれか一項に記載の半導体装置における前記第2の封止材を形成するために用いる前記第2の熱硬化性樹脂組成物により構成される成形材料群と、
からなる樹脂セット。
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