IT1302234B1 - Procedimento per la fabbricazione di un dispositivo a semiconduttoreimpiegando una minuta configurazione di resist, e dispositivo a - Google Patents

Procedimento per la fabbricazione di un dispositivo a semiconduttoreimpiegando una minuta configurazione di resist, e dispositivo a

Info

Publication number
IT1302234B1
IT1302234B1 IT1998MI002032A ITMI982032A IT1302234B1 IT 1302234 B1 IT1302234 B1 IT 1302234B1 IT 1998MI002032 A IT1998MI002032 A IT 1998MI002032A IT MI982032 A ITMI982032 A IT MI982032A IT 1302234 B1 IT1302234 B1 IT 1302234B1
Authority
IT
Italy
Prior art keywords
procedure
manufacture
semiconductor device
minute resist
resist configuration
Prior art date
Application number
IT1998MI002032A
Other languages
English (en)
Inventor
Takeo Ishibashi
Toshiyuki Toyoshima
Keiichi Katayama
Naoki Yasuda
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Publication of ITMI982032A1 publication Critical patent/ITMI982032A1/it
Application granted granted Critical
Publication of IT1302234B1 publication Critical patent/IT1302234B1/it

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0035—Multiple processes, e.g. applying a further resist layer on an already in a previously step, processed pattern or textured surface

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
IT1998MI002032A 1998-01-09 1998-09-18 Procedimento per la fabbricazione di un dispositivo a semiconduttoreimpiegando una minuta configurazione di resist, e dispositivo a IT1302234B1 (it)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP00320598A JP3189773B2 (ja) 1998-01-09 1998-01-09 レジストパターン形成方法及びこれを用いた半導体装置の製造方法並びに半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
ITMI982032A1 ITMI982032A1 (it) 2000-03-18
IT1302234B1 true IT1302234B1 (it) 2000-09-05

Family

ID=11550948

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
IT1998MI002032A IT1302234B1 (it) 1998-01-09 1998-09-18 Procedimento per la fabbricazione di un dispositivo a semiconduttoreimpiegando una minuta configurazione di resist, e dispositivo a

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6319853B1 (it)
JP (1) JP3189773B2 (it)
KR (1) KR100343697B1 (it)
CN (1) CN1131545C (it)
DE (1) DE19843179A1 (it)
IT (1) IT1302234B1 (it)
TW (1) TW393699B (it)

Families Citing this family (107)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001056555A (ja) * 1999-08-20 2001-02-27 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ネガ型レジスト組成物及びそれを用いた感光材料
US6864036B2 (en) 1999-08-20 2005-03-08 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Negative-working photoresist composition
JP2001066782A (ja) 1999-08-26 2001-03-16 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法並びに半導体装置
JP2001109165A (ja) * 1999-10-05 2001-04-20 Clariant (Japan) Kk パターン形成方法
US6503693B1 (en) * 1999-12-02 2003-01-07 Axcelis Technologies, Inc. UV assisted chemical modification of photoresist
JP3348715B2 (ja) 2000-02-25 2002-11-20 ティーディーケイ株式会社 レジストパターン形成方法、フレームめっき方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法
JP3343341B2 (ja) 2000-04-28 2002-11-11 ティーディーケイ株式会社 微細パターン形成方法及びそれに用いる現像／洗浄装置、及びそれを用いためっき方法、及びそれを用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法
JP3355175B2 (ja) 2000-05-16 2002-12-09 ティーディーケイ株式会社 フレームめっき方法および薄膜磁気ヘッドの磁極の形成方法
KR100645835B1 (ko) * 2000-06-27 2006-11-14 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 감광막패턴 형성 방법
US6632590B1 (en) * 2000-07-14 2003-10-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Enhance the process window of memory cell line/space dense pattern in sub-wavelength process
TW536734B (en) * 2000-07-31 2003-06-11 Clariant Int Ltd Process for manufacturing a microelectronic device
JP2002049161A (ja) 2000-08-04 2002-02-15 Clariant (Japan) Kk 被覆層現像用界面活性剤水溶液
US6656666B2 (en) * 2000-12-22 2003-12-02 International Business Machines Corporation Topcoat process to prevent image collapse
JP4552326B2 (ja) * 2001-01-17 2010-09-29 ソニー株式会社 微細パターン形成方法
JP2002329781A (ja) * 2001-04-27 2002-11-15 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 微細ホールの埋込方法
JP3633595B2 (ja) * 2001-08-10 2005-03-30 富士通株式会社 レジストパターン膨潤化材料およびそれを用いた微小パターンの形成方法および半導体装置の製造方法
JP4237430B2 (ja) 2001-09-13 2009-03-11 Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 エッチング方法及びエッチング保護層形成用組成物
CN100451831C (zh) * 2001-10-29 2009-01-14 旺宏电子股份有限公司 减小图案间隙或开口尺寸的方法
US20030102285A1 (en) * 2001-11-27 2003-06-05 Koji Nozaki Resist pattern thickening material, resist pattern and forming method thereof, and semiconductor device and manufacturing method thereof
US7189783B2 (en) 2001-11-27 2007-03-13 Fujitsu Limited Resist pattern thickening material, resist pattern and forming process thereof, and semiconductor device and manufacturing process thereof
EP1315043A1 (en) * 2001-11-27 2003-05-28 Fujitsu Limited Resist pattern thickening material, resist pattern and forming process thereof, and semiconductor device and manufacturing process thereof
KR100843888B1 (ko) * 2001-12-14 2008-07-03 주식회사 하이닉스반도체 Ｒｅｌａｃｓ 물질을 이용하여 식각 내성이 향상된포토레지스트 패턴을 형성하는 방법
JP3476081B2 (ja) * 2001-12-27 2003-12-10 東京応化工業株式会社 パターン微細化用被覆形成剤およびそれを用いた微細パターンの形成方法
JP3858730B2 (ja) * 2002-03-05 2006-12-20 富士通株式会社 レジストパターン改善化材料およびそれを用いたパターンの製造方法
JP3698688B2 (ja) 2002-06-26 2005-09-21 東京応化工業株式会社 微細パターンの形成方法
KR100475080B1 (ko) * 2002-07-09 2005-03-10 삼성전자주식회사 Ｓｉ-콘테이닝 수용성 폴리머를 이용한 레지스트 패턴형성방법 및 반도체 소자의 제조방법
JP2004056000A (ja) * 2002-07-23 2004-02-19 Renesas Technology Corp レジストパターン形成方法およびその方法を用いた半導体デバイスの製造方法
JP3850767B2 (ja) 2002-07-25 2006-11-29 富士通株式会社 レジストパターン厚肉化材料、レジストパターン及びその製造方法、並びに、半導体装置及びその製造方法
US6767693B1 (en) 2002-07-30 2004-07-27 Advanced Micro Devices, Inc. Materials and methods for sub-lithographic patterning of contact, via, and trench structures in integrated circuit devices
US20040029047A1 (en) * 2002-08-07 2004-02-12 Renesas Technology Corp. Micropattern forming material, micropattern forming method and method for manufacturing semiconductor device
JP3850772B2 (ja) * 2002-08-21 2006-11-29 富士通株式会社 レジストパターン厚肉化材料、レジストパターンの製造方法、及び半導体装置の製造方法
JP4104117B2 (ja) 2002-08-21 2008-06-18 東京応化工業株式会社 微細パターンの形成方法
US6884735B1 (en) * 2002-08-21 2005-04-26 Advanced Micro Devices, Inc. Materials and methods for sublithographic patterning of gate structures in integrated circuit devices
JP2004093832A (ja) * 2002-08-30 2004-03-25 Renesas Technology Corp 微細パターン形成材料、微細パターン形成方法および半導体装置の製造方法
JP3850781B2 (ja) * 2002-09-30 2006-11-29 富士通株式会社 レジストパターン厚肉化材料、レジストパターンの形成方法、及び半導体装置の製造方法
US6818384B2 (en) * 2002-10-08 2004-11-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of fabricating microelectronic features by forming intermixed layers of water-soluble resins and resist materials
JP3675434B2 (ja) 2002-10-10 2005-07-27 東京応化工業株式会社 微細パターンの形成方法
JP3675789B2 (ja) 2002-10-25 2005-07-27 東京応化工業株式会社 微細パターンの形成方法
JP4235466B2 (ja) * 2003-02-24 2009-03-11 Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 水溶性樹脂組成物、パターン形成方法及びレジストパターンの検査方法
JP4828828B2 (ja) * 2003-02-28 2011-11-30 富士通株式会社 エッチング耐性膜及びその製造方法、表面硬化レジストパターン及びその製造方法、並びに、半導体装置及びその製造方法
JP4012480B2 (ja) * 2003-03-28 2007-11-21 Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 微細パターン形成補助剤及びその製造法
US7235348B2 (en) * 2003-05-22 2007-06-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Water soluble negative tone photoresist
JP2005003840A (ja) * 2003-06-11 2005-01-06 Clariant Internatl Ltd 微細パターン形成材料および微細パターン形成方法
JP3943058B2 (ja) 2003-07-16 2007-07-11 東京応化工業株式会社 ポジ型フォトレジスト組成物、及びレジストパターン形成方法
DE602004022677D1 (de) 2003-07-16 2009-10-01 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Positivphotoresistzusammensetzung und verfahren zur ausbildung einer resiststruktur
WO2005017617A1 (en) 2003-07-17 2005-02-24 Honeywell International Inc. Planarization films for advanced microelectronic applications and devices and methods of production thereof
KR101076623B1 (ko) 2003-07-17 2011-10-27 에이제토 엘렉토로닉 마티리알즈 가부시키가이샤 미세 패턴 형성 재료 및 이를 사용한 미세 패턴 형성방법
WO2005013011A1 (ja) * 2003-08-04 2005-02-10 Fujitsu Limited レジストパターン厚肉化材料、それを用いたレジストパターンの製造方法及び半導体装置の製造方法
JP3977307B2 (ja) * 2003-09-18 2007-09-19 東京応化工業株式会社 ポジ型フォトレジスト組成物及びレジストパターン形成方法
US7033735B2 (en) * 2003-11-17 2006-04-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Water soluble negative tone photoresist
JP4143023B2 (ja) * 2003-11-21 2008-09-03 株式会社東芝 パターン形成方法および半導体装置の製造方法
JP4150660B2 (ja) * 2003-12-16 2008-09-17 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4282493B2 (ja) * 2004-01-15 2009-06-24 株式会社東芝 膜形成方法及び基板処理装置
JP4490228B2 (ja) 2004-06-15 2010-06-23 富士通株式会社 レジストパターン厚肉化材料、レジストパターンの形成方法、半導体装置及びその製造方法
JP2006024692A (ja) * 2004-07-07 2006-01-26 Toshiba Corp レジストパターン形成方法
JP4718145B2 (ja) 2004-08-31 2011-07-06 富士通株式会社 半導体装置及びゲート電極の製造方法
JP4679997B2 (ja) * 2004-08-31 2011-05-11 Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 微細パターン形成方法
KR100640587B1 (ko) * 2004-09-23 2006-11-01 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조용 마스크 패턴 및 그 형성 방법과 미세패턴을 가지는 반도체 소자의 제조 방법
JP4583860B2 (ja) 2004-10-04 2010-11-17 富士通株式会社 レジストパターン厚肉化材料、レジストパターンの形成方法、並びに、半導体装置及びその製造方法
US7595141B2 (en) * 2004-10-26 2009-09-29 Az Electronic Materials Usa Corp. Composition for coating over a photoresist pattern
JP2006163176A (ja) * 2004-12-09 2006-06-22 Toshiba Corp パターン形成方法及び半導体装置の製造方法
KR100596037B1 (ko) 2004-12-30 2006-06-30 매그나칩 반도체 유한회사 반도체 소자의 패턴 형성 방법
JP4676325B2 (ja) 2005-02-18 2011-04-27 富士通株式会社 レジストパターン厚肉化材料、レジストパターンの形成方法、半導体装置及びその製造方法
US20060188805A1 (en) * 2005-02-18 2006-08-24 Fujitsu Limited Resist pattern thickening material and process for forming resist pattern, and semiconductor device and process for manufacturing the same
JP4678673B2 (ja) * 2005-05-12 2011-04-27 東京応化工業株式会社 ホトレジスト用剥離液
JP2007010698A (ja) * 2005-06-28 2007-01-18 Sony Corp 露光マスクの作製方法、半導体装置の製造方法、および露光マスク
US20070020386A1 (en) * 2005-07-20 2007-01-25 Bedell Daniel W Encapsulation of chemically amplified resist template for low pH electroplating
US7482280B2 (en) * 2005-08-15 2009-01-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for forming a lithography pattern
JP4566862B2 (ja) 2005-08-25 2010-10-20 富士通株式会社 レジストパターン厚肉化材料、レジストパターンの形成方法、半導体装置及びその製造方法
KR100688570B1 (ko) * 2005-08-31 2007-03-02 삼성전자주식회사 식각 마스크 패턴 형성용 코팅 조성물 및 이를 이용한반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법
JP4657899B2 (ja) 2005-11-30 2011-03-23 富士通株式会社 レジストパターン厚肉化材料、レジストパターンの形成方法、半導体装置及びその製造方法
US7579278B2 (en) * 2006-03-23 2009-08-25 Micron Technology, Inc. Topography directed patterning
JP4801477B2 (ja) * 2006-03-24 2011-10-26 富士通株式会社 レジスト組成物、レジストパターンの形成方法、半導体装置及びその製造方法
JP4809705B2 (ja) * 2006-03-28 2011-11-09 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置の製造方法
JP2007294511A (ja) 2006-04-21 2007-11-08 Tdk Corp レジストパターンの形成方法、薄膜パターンの形成方法及びマイクロデバイスの製造方法
US7723009B2 (en) * 2006-06-02 2010-05-25 Micron Technology, Inc. Topography based patterning
EP2048541A4 (en) 2006-08-04 2010-12-01 Jsr Corp PROCESS FOR FORMING PATTERN, COMPOSITION FOR FORMING UPPER LAYER FILM, AND COMPOSITION FOR FORMING LOWER LAYER FILM
JP4724073B2 (ja) 2006-08-17 2011-07-13 富士通株式会社 レジストパターンの形成方法、半導体装置及びその製造方法
JP4739150B2 (ja) 2006-08-30 2011-08-03 富士通株式会社 レジストカバー膜形成材料、レジストパターンの形成方法、電子デバイス及びその製造方法
JP4801550B2 (ja) 2006-09-26 2011-10-26 富士通株式会社 レジスト組成物、レジストパターンの形成方法、及び半導体装置の製造方法
JP5018307B2 (ja) 2006-09-26 2012-09-05 富士通株式会社 レジストパターン厚肉化材料、レジストパターンの形成方法、半導体装置及びその製造方法
KR100867948B1 (ko) 2006-12-13 2008-11-11 제일모직주식회사 유기 절연막 형성용 감광성 수지 조성물 및 이를 포함하는소자
JP2008205118A (ja) * 2007-02-19 2008-09-04 Tokyo Electron Ltd 基板の処理方法、基板の処理システム及び記憶媒体
US7923200B2 (en) * 2007-04-09 2011-04-12 Az Electronic Materials Usa Corp. Composition for coating over a photoresist pattern comprising a lactam
JP5069494B2 (ja) * 2007-05-01 2012-11-07 ＡｚエレクトロニックマテリアルズＩｐ株式会社 微細化パターン形成用水溶性樹脂組成物およびこれを用いた微細パターン形成方法
US7923373B2 (en) 2007-06-04 2011-04-12 Micron Technology, Inc. Pitch multiplication using self-assembling materials
KR100886219B1 (ko) * 2007-06-07 2009-02-27 삼성전자주식회사 자기정렬된 이중 패터닝을 채택하는 미세 패턴 형성 방법
US8642474B2 (en) * 2007-07-10 2014-02-04 Advanced Micro Devices, Inc. Spacer lithography
US7829266B2 (en) 2007-08-07 2010-11-09 Globalfoundries Inc. Multiple exposure technique using OPC to correct distortion
KR101291223B1 (ko) * 2007-08-09 2013-07-31 한국과학기술원 블록 공중합체를 이용한 미세 패턴 형성 방법
US7968276B2 (en) 2008-01-15 2011-06-28 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Positive resist composition and method of forming resist pattern
JP5250291B2 (ja) * 2008-01-15 2013-07-31 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
WO2009105556A2 (en) * 2008-02-22 2009-08-27 Brewer Science Inc. Dual-layer light-sensitive developer-soluble bottom anti-reflective coatings for 193-nm lithography
JP4476336B2 (ja) * 2008-02-28 2010-06-09 東京エレクトロン株式会社 パターン形成方法及び半導体装置の製造方法
US8404600B2 (en) * 2008-06-17 2013-03-26 Micron Technology, Inc. Method for forming fine pitch structures
US7745077B2 (en) * 2008-06-18 2010-06-29 Az Electronic Materials Usa Corp. Composition for coating over a photoresist pattern
JP5659872B2 (ja) 2010-10-22 2015-01-28 富士通株式会社 レジストパターン改善化材料、レジストパターンの形成方法、及び半導体装置の製造方法
JP5659873B2 (ja) 2010-12-16 2015-01-28 富士通株式会社 レジストパターン改善化材料、レジストパターンの形成方法、及び半導体装置の製造方法
JP5708071B2 (ja) 2011-03-11 2015-04-30 富士通株式会社 レジストパターン改善化材料、レジストパターンの形成方法、及び半導体装置の製造方法
JP5793399B2 (ja) * 2011-11-04 2015-10-14 富士フイルム株式会社 パターン形成方法及びその方法に用いる架橋層形成用組成物
US9443732B1 (en) * 2014-08-05 2016-09-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of fabricating semiconductor device
RO130063A8 (ro) 2014-08-28 2017-06-30 Romvac Company S.A. Producerea şi utilizarea ovotransferinei moderne ()
KR102398664B1 (ko) * 2016-01-26 2022-05-16 삼성전자주식회사 반도체 소자의 제조 방법
US10175575B2 (en) 2016-06-01 2019-01-08 Jsr Corporation Pattern-forming method and composition
JP2019078810A (ja) 2017-10-20 2019-05-23 メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ ＧｍｂＨ 微細パターンの製造方法およびそれを用いた表示素子の製造方法
JP2019078812A (ja) * 2017-10-20 2019-05-23 メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ ＧｍｂＨ 高精細パターンの製造方法およびそれを用いた表示素子の製造方法
CN113707538B (zh) * 2020-05-22 2023-12-12 长鑫存储技术有限公司 半导体结构的制备方法、半导体结构及存储器

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4501806A (en) 1982-09-01 1985-02-26 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Method for forming pattern and photoresist used therein
US5342727A (en) 1988-10-21 1994-08-30 Hoechst Celanese Corp. Copolymers of 4-hydroxystyrene and alkyl substituted-4-hydroxystyrene in admixture with a photosensitizer to form a photosensitive composition
US5399450A (en) * 1989-04-28 1995-03-21 Seiko Epson Corporation Method of preparation of a color filter by electrolytic deposition of a polymer material on a previously deposited pigment
JPH05166717A (ja) 1991-12-16 1993-07-02 Mitsubishi Electric Corp 微細パターン形成方法
JP3057879B2 (ja) 1992-02-28 2000-07-04 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法
JP2951504B2 (ja) 1992-06-05 1999-09-20 シャープ株式会社 シリル化平坦化レジスト及び平坦化方法並びに集積回路デバイスの製造方法
US5324550A (en) 1992-08-12 1994-06-28 Hitachi, Ltd. Pattern forming method
CA2086276C (en) * 1992-12-24 2001-12-11 Masamoto Uenishi Coated shaped articles and method of making same
JP3340493B2 (ja) 1993-02-26 2002-11-05 沖電気工業株式会社 パターン形成方法、位相シフト法用ホトマスクの形成方法
JPH07134422A (ja) 1993-09-14 1995-05-23 Oki Electric Ind Co Ltd パターン形成方法
JPH07104472A (ja) 1993-10-05 1995-04-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 新規レジストおよび新規レジストを用いたパターン形成方法
US5707783A (en) 1995-12-04 1998-01-13 Complex Fluid Systems, Inc. Mixtures of mono- and DI- or polyfunctional silanes as silylating agents for top surface imaging
TW329539B (en) * 1996-07-05 1998-04-11 Mitsubishi Electric Corp The semiconductor device and its manufacturing method
US5879863A (en) * 1997-01-22 1999-03-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Pattern forming method

Also Published As

Publication number Publication date
CN1131545C (zh) 2003-12-17
US6319853B1 (en) 2001-11-20
DE19843179A1 (de) 1999-07-22
JP3189773B2 (ja) 2001-07-16
KR19990066776A (ko) 1999-08-16
CN1222756A (zh) 1999-07-14
JPH11204399A (ja) 1999-07-30
ITMI982032A1 (it) 2000-03-18
KR100343697B1 (ko) 2002-09-18
TW393699B (en) 2000-06-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
IT1302234B1 (it) Procedimento per la fabbricazione di un dispositivo a semiconduttoreimpiegando una minuta configurazione di resist, e dispositivo a
SG96201A1 (en) Flip-chip type semiconductor device and method of manufacturing the same
ITRM20020264A0 (it) Articolo assorbente e procedimento per la sua fabbricazione.
DE60030931D1 (de) Halbleiteranordnung und Herstellungsverfahren dafür
IT1305110B1 (it) Dispositivo a semiconduttore utilizzante fotoresist contenentepolimeri e procedimento per la sua fabbricazione.
ITTO20000908A0 (it) Apparecchiatura di dialisi e metodo di verifica della funzionalita' di una apparecchiatura di dialisi.
SG132505A1 (en) Semiconductor device, and manufacturing method thereof
AU7457401A (en) Semiconductor chip and semiconductor device using the semiconductor chip
ITMI20010731A0 (it) Dispositivo semiconduttore e metodo per la produzione dello stesso
AU2000226927A1 (en) Semiconductor integrated circuit device and method of producing the same, and method of producing masks
DE69832748D1 (de) Potentialtopf-Halbleiterbauelement
DE69942813D1 (de) Halbleitervorrichtung
DE69920640D1 (de) Nitrid-Halbleiterlaser und dessen Herstellungsverfahren
DE69940029D1 (de) Halbleiterbauelement
DE60038323D1 (de) Halbleiterkristall, dessen Herstellungsverfahren und Halbleiterbauelement
DE69941201D1 (de) Hochfrequenz-Halbleiteranordnung
DE69920653D1 (de) Halbleiterlaservorrichtung
DE69839597D1 (de) Hochfrequenzhalbleiteranordnung
EP1318581A4 (en) SEMICONDUCTOR LASER AND MANUFACTURING METHOD
DE69918338D1 (de) Mikroelektronischer chip
DE69921765D1 (de) Halbleiterband
DE69927476D1 (de) Halbleiteranordnung
DE69934075D1 (de) Halbleiterlaservorrichtung und Herstellungsverfahren
IT1316614B1 (it) Procedimento e dispositivo per il funzionamento di una valvolatermostatica.
DE69941921D1 (de) Halbleitervorrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
0001 Granted