JP3348715B2 - レジストパターン形成方法、フレームめっき方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
レジストパターン形成方法、フレームめっき方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JP3348715B2 JP3348715B2 JP2000049353A JP2000049353A JP3348715B2 JP 3348715 B2 JP3348715 B2 JP 3348715B2 JP 2000049353 A JP2000049353 A JP 2000049353A JP 2000049353 A JP2000049353 A JP 2000049353A JP 3348715 B2 JP3348715 B2 JP 3348715B2
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜素子又は厚膜
素子におけるレジストパターン形成方法、フレームめっ
き方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
素子におけるレジストパターン形成方法、フレームめっ
き方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の技術分野において、Ｒｅｌ
ａｃｓと称される微細パターンの形成方法が公知である
（特開平１０−７３９２７号公報、特開平１１−２０４
３９９号公報）。
ａｃｓと称される微細パターンの形成方法が公知である
（特開平１０−７３９２７号公報、特開平１１−２０４
３９９号公報）。
【０００３】この公知技術は、露光により酸を発生させ
る材料を含むレジストパターン上を酸の存在で架橋する
材料を含む微細パターン形成材料で覆い、ミキシングベ
ーク又は露光によりレジストパターン中に酸を発生さ
せ、界面に生じた架橋層をレジストパターンの被覆層と
して形成してレジストパターンを太らせることにより、
レジストパターンのホール径の縮小、分離幅の縮小を可
能とするものである。
る材料を含むレジストパターン上を酸の存在で架橋する
材料を含む微細パターン形成材料で覆い、ミキシングベ
ーク又は露光によりレジストパターン中に酸を発生さ
せ、界面に生じた架橋層をレジストパターンの被覆層と
して形成してレジストパターンを太らせることにより、
レジストパターンのホール径の縮小、分離幅の縮小を可
能とするものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この公
知技術によると、微細パターン形成材料を水溶性樹脂と
水溶性架橋剤との混合物で構成しているため、ミキシン
グベーク温度の低温化を図ることが非常に難しかった。
これは、水溶性架橋剤の濃度を上げればミキシングベー
ク温度を低温化することができるが、このように水溶性
架橋剤の濃度を高くすると水溶性架橋剤と水溶性樹脂と
の常温架橋が進んでしまい、常温保存時における微細パ
ターン形成材料の化学的不安定性を招くという問題を有
するためである。
知技術によると、微細パターン形成材料を水溶性樹脂と
水溶性架橋剤との混合物で構成しているため、ミキシン
グベーク温度の低温化を図ることが非常に難しかった。
これは、水溶性架橋剤の濃度を上げればミキシングベー
ク温度を低温化することができるが、このように水溶性
架橋剤の濃度を高くすると水溶性架橋剤と水溶性樹脂と
の常温架橋が進んでしまい、常温保存時における微細パ
ターン形成材料の化学的不安定性を招くという問題を有
するためである。
【０００５】特に、レジストの膜厚が厚い薄膜素子又は
厚膜素子の製造にこの公知技術を適用する場合、レジス
トパターンに対して２回の加熱を行なう必要があること
から、公知技術のようにミキシングベーク温度が１０５
℃以上と高いと、レジストパターンそのものが熱によっ
て歪んでしまい、高精度のレジストパターンを安定して
得ることが難しくなる。しかも、高解像度のレジスト材
料であればあるほどその耐熱性が低いため、この歪みの
問題は深刻となる。
厚膜素子の製造にこの公知技術を適用する場合、レジス
トパターンに対して２回の加熱を行なう必要があること
から、公知技術のようにミキシングベーク温度が１０５
℃以上と高いと、レジストパターンそのものが熱によっ
て歪んでしまい、高精度のレジストパターンを安定して
得ることが難しくなる。しかも、高解像度のレジスト材
料であればあるほどその耐熱性が低いため、この歪みの
問題は深刻となる。
【０００６】なお、特開平１０−７３９２７号公報に
は、微細パターン形成材料として水溶性架橋剤を単独で
用いる旨も記載されているが、架橋剤は分子量が小さい
ため、成膜しても膜厚が薄くあまり収縮しないので、架
橋による微細パターン化の効果はさほど得られない。従
って、架橋剤と分子量の大きい樹脂との重合物とするこ
とが実用的な微細化効果を得るためには是非とも必要と
なる。
は、微細パターン形成材料として水溶性架橋剤を単独で
用いる旨も記載されているが、架橋剤は分子量が小さい
ため、成膜しても膜厚が薄くあまり収縮しないので、架
橋による微細パターン化の効果はさほど得られない。従
って、架橋剤と分子量の大きい樹脂との重合物とするこ
とが実用的な微細化効果を得るためには是非とも必要と
なる。
【０００７】従って本発明の目的は、より微細なかつ高
精度のレジストパターンを安定して得ることができるレ
ジストパターン形成方法、この方法によって形成したレ
ジストパターンを用いたフレームめっき方法及び薄膜磁
気ヘッドの製造方法を提供することにある。
精度のレジストパターンを安定して得ることができるレ
ジストパターン形成方法、この方法によって形成したレ
ジストパターンを用いたフレームめっき方法及び薄膜磁
気ヘッドの製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、露光又
は加熱により酸を発生する材料を含むレジスト材料によ
ってレジストパターンを形成し、形成したレジストパタ
ーン上に酸の存在で架橋する水溶性架橋剤のみを塗布し
た後、少なくとも水溶性樹脂を含む樹脂材料を塗布し、
露光又は加熱によりレジストパターンから酸を発生させ
て水溶性架橋剤を架橋反応させ、レジストパターンの被
覆層を形成するレジストパターン形成方法、この方法に
より形成した、被覆層を有するレジストパターンをフレ
ームとしてめっきを行なった後、レジストパターンを除
去するフレームめっき方法、及びこのフレームめっき方
法により、磁極を形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法が
提供される。
は加熱により酸を発生する材料を含むレジスト材料によ
ってレジストパターンを形成し、形成したレジストパタ
ーン上に酸の存在で架橋する水溶性架橋剤のみを塗布し
た後、少なくとも水溶性樹脂を含む樹脂材料を塗布し、
露光又は加熱によりレジストパターンから酸を発生させ
て水溶性架橋剤を架橋反応させ、レジストパターンの被
覆層を形成するレジストパターン形成方法、この方法に
より形成した、被覆層を有するレジストパターンをフレ
ームとしてめっきを行なった後、レジストパターンを除
去するフレームめっき方法、及びこのフレームめっき方
法により、磁極を形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法が
提供される。
【０００９】水溶性架橋剤と、水溶性樹脂とを別個に用
意して別個に塗布することにより、充分な重合体は得ら
れるものの、当然のことながら両者の常温架橋が進むこ
とはなく、常温保存時における微細パターン形成材料の
化学的不安定性を招くことはない。従って、レジストの
膜厚が厚い薄膜素子又は厚膜素子用の微細化レジストパ
ターンを形成する場合にも、ミキシングベーク温度を低
くすることができ、熱による歪み等のない高精度のレジ
ストパターンを安定して得ることができる。しかも、耐
熱性の低い高解像度のレジスト材料をも使用することが
できる。その結果、より微細なかつ高精度のレジストパ
ターンを安定して得ることができる。
意して別個に塗布することにより、充分な重合体は得ら
れるものの、当然のことながら両者の常温架橋が進むこ
とはなく、常温保存時における微細パターン形成材料の
化学的不安定性を招くことはない。従って、レジストの
膜厚が厚い薄膜素子又は厚膜素子用の微細化レジストパ
ターンを形成する場合にも、ミキシングベーク温度を低
くすることができ、熱による歪み等のない高精度のレジ
ストパターンを安定して得ることができる。しかも、耐
熱性の低い高解像度のレジスト材料をも使用することが
できる。その結果、より微細なかつ高精度のレジストパ
ターンを安定して得ることができる。
【００１０】少なくとも水溶性樹脂を含む樹脂材料が、
水溶性樹脂のみから、又は水溶性樹脂と、低濃度の水溶
性架橋剤とから構成されていることが好ましい。
水溶性樹脂のみから、又は水溶性樹脂と、低濃度の水溶
性架橋剤とから構成されていることが好ましい。
【００１１】水溶性架橋剤のみを塗布した後、この水溶
性架橋剤の一部を遠心力除去することも好ましい。
性架橋剤の一部を遠心力除去することも好ましい。
【００１２】水溶性架橋剤を塗布する前に、形成したレ
ジストパターンを全面露光すること及び／又は形成した
レジストパターンに対して酸性液体又は酸性気体を用い
て表面処理することが好ましい。
ジストパターンを全面露光すること及び／又は形成した
レジストパターンに対して酸性液体又は酸性気体を用い
て表面処理することが好ましい。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施形態として
薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する工程図であり、磁
気ヘッドのトラックの中心を通る平面による断面図及び
浮上面（ＡＢＳ）方向から見た断面図をそれぞれ示して
いる。
薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する工程図であり、磁
気ヘッドのトラックの中心を通る平面による断面図及び
浮上面（ＡＢＳ）方向から見た断面図をそれぞれ示して
いる。
【００１４】なお、本実施形態は、インダクティブ記録
ヘッド部と磁気抵抗効果（ＭＲ）再生ヘッド部とが一体
的に積層形成されている複合型薄膜磁気ヘッドの場合で
ある。ただし、本発明が、インダクティブ記録ヘッド部
のみが設けられている薄膜磁気ヘッドについても適用可
能であることはいうまでもない。
ヘッド部と磁気抵抗効果（ＭＲ）再生ヘッド部とが一体
的に積層形成されている複合型薄膜磁気ヘッドの場合で
ある。ただし、本発明が、インダクティブ記録ヘッド部
のみが設けられている薄膜磁気ヘッドについても適用可
能であることはいうまでもない。
【００１５】まず、ＡｌＴｉＣ等のセラミック材料によ
る図示しない基板上に、絶縁層１０を積層する。この絶
縁層１０は、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２等の絶縁材料を、ス
パッタ法等で好ましくは１０００〜２００００ｎｍ程度
の層厚に形成する。
る図示しない基板上に、絶縁層１０を積層する。この絶
縁層１０は、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２等の絶縁材料を、ス
パッタ法等で好ましくは１０００〜２００００ｎｍ程度
の層厚に形成する。
【００１６】次いで、その上に下部シールド１１用の層
を積層し、さらにその上にシールドギャップ用の絶縁層
１２を積層する。下部シールド１１用の層は、ＦｅＡｉ
Ｓｉ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮｉ、ＦｅＮ、Ｆ
ｅＺｒＮ、ＦｅＴａＮ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ等
の材料を、スパッタ法又はめっき法等で好ましくは１０
０〜５０００ｎｍ程度の層厚に形成する。シールドギャ
ップ用の絶縁層１２は、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２等の絶縁
材料を、スパッタ法等で好ましくは１０〜２００ｎｍ程
度の層厚に形成する。
を積層し、さらにその上にシールドギャップ用の絶縁層
１２を積層する。下部シールド１１用の層は、ＦｅＡｉ
Ｓｉ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮｉ、ＦｅＮ、Ｆ
ｅＺｒＮ、ＦｅＴａＮ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ等
の材料を、スパッタ法又はめっき法等で好ましくは１０
０〜５０００ｎｍ程度の層厚に形成する。シールドギャ
ップ用の絶縁層１２は、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２等の絶縁
材料を、スパッタ法等で好ましくは１０〜２００ｎｍ程
度の層厚に形成する。
【００１７】次いで、絶縁層１２上のＭＲ素子１３を形
成し、このＭＲ素子１３の両端に電気的に接続されるよ
うにリード導体１４を形成する。ＭＲ素子１３は、磁性
体の単層構造としてもよいが、磁性層及び非磁性層を交
互に積層した多層構造とすることが好ましい。磁性層の
材料としては、ＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＲｈ、ＦｅＭｎ、Ｎ
ｉＭｎ、Ｃｏ、Ｆｅ、ＮｉＯ、ＮｉＦｅＣｒ等が好まし
く、非磁性層の材料としては、Ｔａ、Ｃｕ、Ａｇ等が好
ましい。また、多層構造として、例えばＮｉＦｅＲｈ／
Ｔａ／ＮｉＦｅの三層構造、ＮｉＦｅ／Ｃｕ／ＮｉＦｅ
／ＦｅＭｎ、ＮｉＦｅ／Ｃｕ／Ｃｏ／ＦｅＭｎ、Ｃｕ／
Ｃｏ／Ｃｕ／ＮｉＦｅ、Ｆｅ／Ｃｒ、Ｃｏ／Ｃｕ、Ｃｏ
／Ａｇ等の複数層構造を１ユニットとして複数ユニット
を積層した構造としてもよい。多層構造の場合、磁性層
の層厚は、０．５〜５０ｎｍ、特に１〜２５ｎｍとする
ことが好ましく、非磁性層の層厚も、０．５〜５０ｎ
ｍ、特に１〜２５ｎｍとすることが好ましい。上述のユ
ニットの繰り返し積層数は、１〜３０回、特に１〜２０
回が好ましい。ＭＲ素子１３全体としての層厚は、５〜
１００ｎｍ、特に１０〜６０ｎｍであることが好まし
い。ＭＲ素子用の層を積層するには、スパッタ法、めっ
き法等が用いられる。リード導体１４は、Ｗ、Ｃｕ、Ａ
ｕ、Ａｇ、Ｔａ、Ｍｏ、ＣｏＰｔ等の導電性材料をスパ
ッタ法、めっき法等で１０〜５００ｎｍ、特に５０〜３
００ｎｍ程度の層厚に形成することが好ましい。
成し、このＭＲ素子１３の両端に電気的に接続されるよ
うにリード導体１４を形成する。ＭＲ素子１３は、磁性
体の単層構造としてもよいが、磁性層及び非磁性層を交
互に積層した多層構造とすることが好ましい。磁性層の
材料としては、ＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＲｈ、ＦｅＭｎ、Ｎ
ｉＭｎ、Ｃｏ、Ｆｅ、ＮｉＯ、ＮｉＦｅＣｒ等が好まし
く、非磁性層の材料としては、Ｔａ、Ｃｕ、Ａｇ等が好
ましい。また、多層構造として、例えばＮｉＦｅＲｈ／
Ｔａ／ＮｉＦｅの三層構造、ＮｉＦｅ／Ｃｕ／ＮｉＦｅ
／ＦｅＭｎ、ＮｉＦｅ／Ｃｕ／Ｃｏ／ＦｅＭｎ、Ｃｕ／
Ｃｏ／Ｃｕ／ＮｉＦｅ、Ｆｅ／Ｃｒ、Ｃｏ／Ｃｕ、Ｃｏ
／Ａｇ等の複数層構造を１ユニットとして複数ユニット
を積層した構造としてもよい。多層構造の場合、磁性層
の層厚は、０．５〜５０ｎｍ、特に１〜２５ｎｍとする
ことが好ましく、非磁性層の層厚も、０．５〜５０ｎ
ｍ、特に１〜２５ｎｍとすることが好ましい。上述のユ
ニットの繰り返し積層数は、１〜３０回、特に１〜２０
回が好ましい。ＭＲ素子１３全体としての層厚は、５〜
１００ｎｍ、特に１０〜６０ｎｍであることが好まし
い。ＭＲ素子用の層を積層するには、スパッタ法、めっ
き法等が用いられる。リード導体１４は、Ｗ、Ｃｕ、Ａ
ｕ、Ａｇ、Ｔａ、Ｍｏ、ＣｏＰｔ等の導電性材料をスパ
ッタ法、めっき法等で１０〜５００ｎｍ、特に５０〜３
００ｎｍ程度の層厚に形成することが好ましい。
【００１８】次いで、ＭＲ素子１３及びリード導体１４
上に、シールドギャップ用の絶縁層１５を積層する。こ
の絶縁層１５は、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２等の絶縁材料
を、スパッタ法等で、５〜５００ｎｍ、好ましくは１０
〜２００ｎｍ程度の層厚に形成する。
上に、シールドギャップ用の絶縁層１５を積層する。こ
の絶縁層１５は、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２等の絶縁材料
を、スパッタ法等で、５〜５００ｎｍ、好ましくは１０
〜２００ｎｍ程度の層厚に形成する。
【００１９】以上述べたＭＲ再生ヘッド部の各層は、レ
ジストパターンを用いた一般的なリフトオフ法やミリン
グ法又はこれらを併用した方法でパターニングされる。
ジストパターンを用いた一般的なリフトオフ法やミリン
グ法又はこれらを併用した方法でパターニングされる。
【００２０】次いで、ＭＲ素子１３の上部シールドを兼
用する記録ヘッド部の下部磁極１６用の磁性層を積層
し、その上に記録ギャップ１７用の絶縁層を積層する。
下部磁極１６用の層は、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅ
Ｎｉ、ＦｅＮ等の軟磁性材料を、めっき法、スパッタ法
等で好ましくは５００〜４０００ｎｍ程度の層厚に形成
する。記録ギャップ１７用の絶縁層は、Ａｌ２Ｏ３、Ｓ
ｉＯ２等の材料を、スパッタ法等で、１０〜５００ｎｍ
程度の層厚に形成する。
用する記録ヘッド部の下部磁極１６用の磁性層を積層
し、その上に記録ギャップ１７用の絶縁層を積層する。
下部磁極１６用の層は、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅ
Ｎｉ、ＦｅＮ等の軟磁性材料を、めっき法、スパッタ法
等で好ましくは５００〜４０００ｎｍ程度の層厚に形成
する。記録ギャップ１７用の絶縁層は、Ａｌ２Ｏ３、Ｓ
ｉＯ２等の材料を、スパッタ法等で、１０〜５００ｎｍ
程度の層厚に形成する。
【００２１】その後、記録ギャップ１７上に、コイル１
８及びこのコイル１８を取り囲む絶縁層１９を形成す
る。コイル１８は、Ｃｕ等の導電性材料を、フレームめ
っき法等で、２０００〜５０００ｎｍ程度の厚さに形成
する。絶縁層１９は、フォトレジスト材料を熱硬化させ
て、３０００〜２００００ｎｍ程度の層厚に形成する。
８及びこのコイル１８を取り囲む絶縁層１９を形成す
る。コイル１８は、Ｃｕ等の導電性材料を、フレームめ
っき法等で、２０００〜５０００ｎｍ程度の厚さに形成
する。絶縁層１９は、フォトレジスト材料を熱硬化させ
て、３０００〜２００００ｎｍ程度の層厚に形成する。
【００２２】以上の工程を経て得た層構造が、図１
（Ａ）に示されている。なお、コイル１８は、同図に示
す用に２層であってもよいし、３層以上であっても、ま
た、単層であってもよい。
（Ａ）に示されている。なお、コイル１８は、同図に示
す用に２層であってもよいし、３層以上であっても、ま
た、単層であってもよい。
【００２３】次いで、図１（Ｂ）に示すように、このよ
うに形成した絶縁層１９上に、ＡＢＳ側の磁極部と後側
のヨーク部とを有する上部磁極２０をフレームめっき法
で形成する。上部磁極２０は、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、Ｃ
ｏＦｅＮｉ、ＦｅＮ等の軟磁性材料を、好ましくは３０
００〜５０００ｎｍ程度の層厚に形成する。この際、上
部磁極２０の磁極部のＡＢＳ側から見た形状が、同図の
ごとくなるように形成される。
うに形成した絶縁層１９上に、ＡＢＳ側の磁極部と後側
のヨーク部とを有する上部磁極２０をフレームめっき法
で形成する。上部磁極２０は、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、Ｃ
ｏＦｅＮｉ、ＦｅＮ等の軟磁性材料を、好ましくは３０
００〜５０００ｎｍ程度の層厚に形成する。この際、上
部磁極２０の磁極部のＡＢＳ側から見た形状が、同図の
ごとくなるように形成される。
【００２４】以下、このような形状の上部磁極２０を形
成するためのフレームめっき法について説明する。
成するためのフレームめっき法について説明する。
【００２５】図２は、本実施形態におけるフレームめっ
き法による上部磁極の形成工程を説明する工程図であ
る。
き法による上部磁極の形成工程を説明する工程図であ
る。
【００２６】図２（Ａ）に示す記録ギャップ１７上に、
図２（Ｂ）に示すように、Ｃｕ、ＮｉＦｅ、Ａｕ等の好
ましくはめっきすべき層と同様の成分による金属下地膜
２１を、１０〜５００ｎｍ程度の膜厚で成膜する。
図２（Ｂ）に示すように、Ｃｕ、ＮｉＦｅ、Ａｕ等の好
ましくはめっきすべき層と同様の成分による金属下地膜
２１を、１０〜５００ｎｍ程度の膜厚で成膜する。
【００２７】次いで、図２（Ｃ）に示すように、金属下
地膜２１上にレジスト材料２２を塗布し、図２（Ｄ）に
示すように被覆層付のレジストパターン２３を形成す
る。本発明の要部であるこの被覆層付のレジストパター
ン形成工程については、後で詳しく説明する。
地膜２１上にレジスト材料２２を塗布し、図２（Ｄ）に
示すように被覆層付のレジストパターン２３を形成す
る。本発明の要部であるこの被覆層付のレジストパター
ン形成工程については、後で詳しく説明する。
【００２８】次いで、図２（Ｅ）に示すように、このよ
うに形成した被覆層付のレジストパターン２３を枠とし
て用いてＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮｉ、ＦｅＮ等
の軟磁性材料をめっきしてめっき層２４を得る。その
後、図２（Ｆ）に示すように、レジストパターン２３を
有機溶剤等を用いて剥離する。
うに形成した被覆層付のレジストパターン２３を枠とし
て用いてＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮｉ、ＦｅＮ等
の軟磁性材料をめっきしてめっき層２４を得る。その
後、図２（Ｆ）に示すように、レジストパターン２３を
有機溶剤等を用いて剥離する。
【００２９】次いで、図２（Ｇ）に示すように、めっき
層２４をマスクとして用い、レジストパターン除去跡の
金属下地膜２１をイオンミリング等で除去する。
層２４をマスクとして用い、レジストパターン除去跡の
金属下地膜２１をイオンミリング等で除去する。
【００３０】次いで、図２（Ｈ）に示すように、めっき
層２４の残すべき部分の上部及び周囲をレジスト層２５
で覆う。その後、図２（Ｉ）に示すように、ウェットエ
ッチング等で不要な部分のめっき層２４及び金属下地膜
２１を除去し、さらに有機溶剤等を用いて、レジスト層
２５を剥離することにより、図２（Ｊ）に示すような上
部磁極２０が形成される。
層２４の残すべき部分の上部及び周囲をレジスト層２５
で覆う。その後、図２（Ｉ）に示すように、ウェットエ
ッチング等で不要な部分のめっき層２４及び金属下地膜
２１を除去し、さらに有機溶剤等を用いて、レジスト層
２５を剥離することにより、図２（Ｊ）に示すような上
部磁極２０が形成される。
【００３１】次いで、図１（Ｃ）に示すように、このよ
うにして形成した上部磁極２０をマスクとして、イオン
ミリング、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）等のドラ
イエッチングを行い、記録ギャップ１７用の絶縁層のマ
スクに覆われていない部分を除去し、さらに下部磁極１
６用の磁性層の途中までマスクに覆われていない部分を
除去する。
うにして形成した上部磁極２０をマスクとして、イオン
ミリング、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）等のドラ
イエッチングを行い、記録ギャップ１７用の絶縁層のマ
スクに覆われていない部分を除去し、さらに下部磁極１
６用の磁性層の途中までマスクに覆われていない部分を
除去する。
【００３２】これにより、図１（Ｄ）に示すように、上
部磁極２０の下端に、記録ギャップ１７を介して対向し
かつ同じ幅を有する突出部１６ａが下部磁極１６に形成
される。次いで、パッドバンプ等を形成した後、保護層
２６を積層する。この保護層２６は、Ａｌ２Ｏ３、Ｓｉ
Ｏ２等の絶縁材料を、スパッタ法等で、５〜５００ｎ
ｍ、好ましくは５０００〜５００００ｎｍ程度の層厚に
形成する。
部磁極２０の下端に、記録ギャップ１７を介して対向し
かつ同じ幅を有する突出部１６ａが下部磁極１６に形成
される。次いで、パッドバンプ等を形成した後、保護層
２６を積層する。この保護層２６は、Ａｌ２Ｏ３、Ｓｉ
Ｏ２等の絶縁材料を、スパッタ法等で、５〜５００ｎ
ｍ、好ましくは５０００〜５００００ｎｍ程度の層厚に
形成する。
【００３３】図３は上述した被覆層付のレジストパター
ン形成工程を説明するフロー図であり、以下同図を用い
てその工程を詳細に説明する。
ン形成工程を説明するフロー図であり、以下同図を用い
てその工程を詳細に説明する。
【００３４】まず、加熱により内部に酸を発生する材料
を含むレジスト材料を塗布して所定のマスクを介して露
光し、現像してレジストパターンを形成する（ステップ
Ｓ１）。
を含むレジスト材料を塗布して所定のマスクを介して露
光し、現像してレジストパターンを形成する（ステップ
Ｓ１）。
【００３５】この場合のレジスト材料としては、加熱に
より酸を発生する構造の、一般的なレジスト材料、一体
型ポジ型レジスト材料、疎水性一体型ポジ型レジスト材
料、又は化学増幅型ポジ型レジスト材料が用いられる。
より酸を発生する構造の、一般的なレジスト材料、一体
型ポジ型レジスト材料、疎水性一体型ポジ型レジスト材
料、又は化学増幅型ポジ型レジスト材料が用いられる。
【００３６】一般的なレジスト材料としては、アルカリ
可溶性フェノール樹脂と例えばナフトキノンジアジド等
の感光剤との混合物が用いられる。具体的には、例えば
クラリアントジャパン社のＡＺＰ４０００シリーズ、Ａ
Ｚ９２００シリーズ若しくはＡＺＥＸＰ．１１３１シリ
ーズ、富士フィルムオーリン社のＦＭＲＳシリーズ、東
京応化社のＴＧＭＲシリーズ等が用いられる。
可溶性フェノール樹脂と例えばナフトキノンジアジド等
の感光剤との混合物が用いられる。具体的には、例えば
クラリアントジャパン社のＡＺＰ４０００シリーズ、Ａ
Ｚ９２００シリーズ若しくはＡＺＥＸＰ．１１３１シリ
ーズ、富士フィルムオーリン社のＦＭＲＳシリーズ、東
京応化社のＴＧＭＲシリーズ等が用いられる。
【００３７】一体型ポジ型レジスト材料としては、感光
基がノボラック樹脂に直接結合しているレジスト組成物
が用いられる。具体的には下記構造式（１）で示される
１又は２以上の繰り返し単位を有し、ポリスチレン換算
重量平均分子量が１０００〜１００００であるノボラッ
ク樹脂の水酸基の水素原子を、水素１原子当たり０．０
３〜０．２７モルの１，２−ナフトキノンジアジドスル
ホニル基で置換して得たノボラック樹脂を、アルカリ可
溶性樹脂及び感光剤として含有するレジスト組成物が用
いられる。
基がノボラック樹脂に直接結合しているレジスト組成物
が用いられる。具体的には下記構造式（１）で示される
１又は２以上の繰り返し単位を有し、ポリスチレン換算
重量平均分子量が１０００〜１００００であるノボラッ
ク樹脂の水酸基の水素原子を、水素１原子当たり０．０
３〜０．２７モルの１，２−ナフトキノンジアジドスル
ホニル基で置換して得たノボラック樹脂を、アルカリ可
溶性樹脂及び感光剤として含有するレジスト組成物が用
いられる。
【００３８】
【化１】 ただし、式（１）において、ｎは１〜４の整数、ｍは０
〜３の整数である。
〜３の整数である。
【００３９】疎水性一体型ポジ型レジスト材料として
は、感光基がノボラック樹脂に直接結合している疎水性
のレジスト組成物が用いられる。具体的には、（Ａ）下
記構造式（１）で示される繰り返し単位を有し、ポリス
チレン換算重量平均分子量が１０００〜３００００であ
るノボラック樹脂の水酸基の水素原子の一部を、１，２
−ナフトキノンジアジドスルホニルエステル基で置換
し、かつ、残りの水酸基の一部の水素原子を下記一般式
（２）、（３）又は（４）で示される官能基のうちの１
種又は２種以上の置換基で置換した高分子化合物、
は、感光基がノボラック樹脂に直接結合している疎水性
のレジスト組成物が用いられる。具体的には、（Ａ）下
記構造式（１）で示される繰り返し単位を有し、ポリス
チレン換算重量平均分子量が１０００〜３００００であ
るノボラック樹脂の水酸基の水素原子の一部を、１，２
−ナフトキノンジアジドスルホニルエステル基で置換
し、かつ、残りの水酸基の一部の水素原子を下記一般式
（２）、（３）又は（４）で示される官能基のうちの１
種又は２種以上の置換基で置換した高分子化合物、
【００４０】
【化２】 ただし、式（１）において、ｎは１〜４の整数、ｍは０
〜３の整数であり、式（２）、（３）及び（４）におい
て、Ｒは炭素数１〜３０の直鎖状、分岐状若しくは環状
のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、又は炭素
数７〜２０のアラルキル基である。又は、（Ｂ）ノボラ
ック樹脂の水酸基の水素原子を、水素１原子当たり０．
０３〜０．３モルの割合で１，２−ナフトキノンジアジ
ドスルホニルエステル基で置換し、かつ、残りの水酸基
の一部の水素原子を水素１原子当たり０．０１〜０．８
モルの割合で上記一般式（２）、（３）又は（４）で示
される官能基のうちの１種又は２種以上の置換基で置換
した（Ａ）の高分子化合物を含有するレジスト組成物が
用いられる。
〜３の整数であり、式（２）、（３）及び（４）におい
て、Ｒは炭素数１〜３０の直鎖状、分岐状若しくは環状
のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、又は炭素
数７〜２０のアラルキル基である。又は、（Ｂ）ノボラ
ック樹脂の水酸基の水素原子を、水素１原子当たり０．
０３〜０．３モルの割合で１，２−ナフトキノンジアジ
ドスルホニルエステル基で置換し、かつ、残りの水酸基
の一部の水素原子を水素１原子当たり０．０１〜０．８
モルの割合で上記一般式（２）、（３）又は（４）で示
される官能基のうちの１種又は２種以上の置換基で置換
した（Ａ）の高分子化合物を含有するレジスト組成物が
用いられる。
【００４１】化学増幅型ポジ型レジスト材料としては、
主成分が酸触媒反応性官能基を持つ樹脂と酸発生剤との
混合物、又は樹脂と酸反応性官能基を持つ樹脂と酸発生
剤との混合物が用いられる。具体的には、例えばクラリ
アントジャパン社のＡＺ ＤＸシリーズ、日本合成ゴム
（ＪＳＲ）社のＫＲＦシリーズ、信越化学工業社のＳＥ
ＰＲシリーズ、富士フィルムオーリン社のＦＫＲシリー
ズ、東京応化社のＴＤＵＲシリーズ、シプレイ社のＡＰ
ＥＸ−Ｅシリーズ等が用いられる。
主成分が酸触媒反応性官能基を持つ樹脂と酸発生剤との
混合物、又は樹脂と酸反応性官能基を持つ樹脂と酸発生
剤との混合物が用いられる。具体的には、例えばクラリ
アントジャパン社のＡＺ ＤＸシリーズ、日本合成ゴム
（ＪＳＲ）社のＫＲＦシリーズ、信越化学工業社のＳＥ
ＰＲシリーズ、富士フィルムオーリン社のＦＫＲシリー
ズ、東京応化社のＴＤＵＲシリーズ、シプレイ社のＡＰ
ＥＸ−Ｅシリーズ等が用いられる。
【００４２】次いで、形成したレジストパターンに対し
て全面露光を行なう（ステップＳ２）。ただし、このス
テップＳ２は省略しても良い。
て全面露光を行なう（ステップＳ２）。ただし、このス
テップＳ２は省略しても良い。
【００４３】次いで、レジストパターンに対して酸性液
体又は酸性気体を用いてその表面処理を行なう（ステッ
プＳ３）。ただし、このステップＳ３は省略しても良
い。
体又は酸性気体を用いてその表面処理を行なう（ステッ
プＳ３）。ただし、このステップＳ３は省略しても良
い。
【００４４】その後、水溶性架橋剤、又は界面活性剤を
添加した水溶性架橋剤のみをそのレジストパターン上に
塗布する（ステップＳ４）。塗布方法としては、スプレ
ー塗布、スピンコート、ディッピング、又はその他の塗
布方法等が用いられる。
添加した水溶性架橋剤のみをそのレジストパターン上に
塗布する（ステップＳ４）。塗布方法としては、スプレ
ー塗布、スピンコート、ディッピング、又はその他の塗
布方法等が用いられる。
【００４５】水溶性架橋剤としては、例えば、尿素、ア
ルコキシメチレン尿素、Ｎ−アルコキシメチレン尿素、
エチレン尿素若しくはエチレン尿素カルボン酸等の尿素
系架橋剤、メラミン若しくはアルコキシメチレンメラミ
ン等のメラミン系架橋剤、ベンゾグアナミン若しくはグ
リコールウリル等のアミノ系架橋剤、又は、酸によって
架橋反応が生じるその他の架橋剤が用いられる。
ルコキシメチレン尿素、Ｎ−アルコキシメチレン尿素、
エチレン尿素若しくはエチレン尿素カルボン酸等の尿素
系架橋剤、メラミン若しくはアルコキシメチレンメラミ
ン等のメラミン系架橋剤、ベンゾグアナミン若しくはグ
リコールウリル等のアミノ系架橋剤、又は、酸によって
架橋反応が生じるその他の架橋剤が用いられる。
【００４６】界面活性剤としては、例えば、スリーエム
社のフロラード又は三洋化成社のノニポール等の水溶性
界面活性剤が用いられる。
社のフロラード又は三洋化成社のノニポール等の水溶性
界面活性剤が用いられる。
【００４７】次いで、この塗布した水溶性架橋剤の一部
を遠心力除去する、即ち、基板を回転させて水溶性架橋
剤の一部を振り切る（ステップＳ５）。ただし、このス
テップＳ５は省略しても良い。
を遠心力除去する、即ち、基板を回転させて水溶性架橋
剤の一部を振り切る（ステップＳ５）。ただし、このス
テップＳ５は省略しても良い。
【００４８】その後、その上に水溶性樹脂のみから、又
は水溶性樹脂と、低濃度の水溶性架橋剤とからなる樹脂
材料を塗布する（ステップＳ６）。塗布方法としては、
スプレー塗布、スピンコート、ディッピング、又はその
他の塗布方法等が用いられる。
は水溶性樹脂と、低濃度の水溶性架橋剤とからなる樹脂
材料を塗布する（ステップＳ６）。塗布方法としては、
スプレー塗布、スピンコート、ディッピング、又はその
他の塗布方法等が用いられる。
【００４９】水溶性樹脂としては、例えば、ポリアクリ
ル酸、ポリビニルアセタール、ポリビニルピロリドン、
ポリビニルアルコール、ポリエチレンイミン、ポリエチ
レンオキシド、スチレン−マレイン酸共重合体、ポリビ
ニルアミン樹脂、ポリアリルアミン、オキサゾリン基含
有水溶性樹脂、水溶性メラミン樹脂、水溶性尿素樹脂、
アルキッド樹脂、スルホンアミド樹脂、又はその他の樹
脂が用いられる。
ル酸、ポリビニルアセタール、ポリビニルピロリドン、
ポリビニルアルコール、ポリエチレンイミン、ポリエチ
レンオキシド、スチレン−マレイン酸共重合体、ポリビ
ニルアミン樹脂、ポリアリルアミン、オキサゾリン基含
有水溶性樹脂、水溶性メラミン樹脂、水溶性尿素樹脂、
アルキッド樹脂、スルホンアミド樹脂、又はその他の樹
脂が用いられる。
【００５０】次いで、このような水溶性樹脂材料を塗布
したレジストパターンを必要に応じてソフトベーク（プ
リベーク）した（ステップＳ７）後、加熱処理（ミキシ
ングベーク）する（ステップＳ８）。このミキシングベ
ークにより、レジストパターンから酸を発生させ、これ
によって水溶性架橋剤をレジストパターンとの界面で架
橋反応させ、水溶性樹脂との重合体内で、レジストパタ
ーンを被覆する被覆層を形成する。
したレジストパターンを必要に応じてソフトベーク（プ
リベーク）した（ステップＳ７）後、加熱処理（ミキシ
ングベーク）する（ステップＳ８）。このミキシングベ
ークにより、レジストパターンから酸を発生させ、これ
によって水溶性架橋剤をレジストパターンとの界面で架
橋反応させ、水溶性樹脂との重合体内で、レジストパタ
ーンを被覆する被覆層を形成する。
【００５１】この場合、水溶性架橋剤を別個に塗布して
いるので水溶性樹脂に対するその濃度を高い濃度をも含
めて任意に設定することができる。
いるので水溶性樹脂に対するその濃度を高い濃度をも含
めて任意に設定することができる。
【００５２】次いで、必要に応じて、レジストパターン
の架橋部分をリンス液で洗浄する（ステップＳ９）。こ
のリンス液としては、レジストパターンを溶解しない程
度に、純水と、例えばメタノール、エタノール、プロパ
ノール若しくはブタノール等のアルコール又はＮ−メチ
ルピロドリン、２−ヘプタノン若しくはアセトン等の水
溶性の有機溶剤との混合溶液が用いられる。
の架橋部分をリンス液で洗浄する（ステップＳ９）。こ
のリンス液としては、レジストパターンを溶解しない程
度に、純水と、例えばメタノール、エタノール、プロパ
ノール若しくはブタノール等のアルコール又はＮ−メチ
ルピロドリン、２−ヘプタノン若しくはアセトン等の水
溶性の有機溶剤との混合溶液が用いられる。
【００５３】その後、これを純水で洗浄した（ステップ
Ｓ１０）後、乾燥させる（ステップＳ１１）。
Ｓ１０）後、乾燥させる（ステップＳ１１）。
【００５４】以上のごとき処理によって被覆層付のレジ
ストパターンを形成することにより、水溶性架橋剤の水
溶性樹脂に対する濃度を当然に高くすることができるか
ら、低いミキシングベーク温度でも良好な架橋反応を発
生させることができる。従って、熱による歪み等のない
高精度のレジストパターンを安定して得ることができ
る。しかも、耐熱性の低い高解像度のレジスト材料をも
使用することができる。
ストパターンを形成することにより、水溶性架橋剤の水
溶性樹脂に対する濃度を当然に高くすることができるか
ら、低いミキシングベーク温度でも良好な架橋反応を発
生させることができる。従って、熱による歪み等のない
高精度のレジストパターンを安定して得ることができ
る。しかも、耐熱性の低い高解像度のレジスト材料をも
使用することができる。
【００５５】さらに、実際に処理を行なうまでは水溶性
架橋剤と水溶性樹脂とが混合されないので、また、仮に
混合物であっても水溶性架橋剤が低濃度であるため、室
温十号されず、お互いに安定した状態で保管することが
できる。その結果、より微細なかつ高精度のレジストパ
ターンを安定して得ることができる。
架橋剤と水溶性樹脂とが混合されないので、また、仮に
混合物であっても水溶性架橋剤が低濃度であるため、室
温十号されず、お互いに安定した状態で保管することが
できる。その結果、より微細なかつ高精度のレジストパ
ターンを安定して得ることができる。
【００５６】
【実施例】以上述べた被覆層付のレジストパターン形成
の実施例について以下説明する。 （ステップＳ１）膜厚４μｍ、孤立トレンチ幅０．５μ
ｍのレジストパターンを疎水性一体型ポジ型レジスト材
料を用い、一般的な方法で形成した。 （ステップＳ２）３６５ｎｍ、５００ｍＪ／ｃｍ２で、
全面露光した。 （ステップＳ３）表面処理は行なわなかった。 （ステップＳ４）Ｎ−メトキシメチル尿素に純水及びＩ
ＰＡを加え、室温で６時間攪拌混合して、Ｎ−メトキシ
メチル尿素の１０ｗｔ％水溶液を得、これをさらに純水
で１／２に希釈した５ｗｔ％水溶液をレジストパターン
に塗布した。 （ステップＳ５）基板を１０００ｒｐｍで回転させて水
溶性架橋剤を振り切った。 （ステップＳ６）ポリビニルアセタール樹脂の２０ｗｔ
％に純水を加え、室温で６時間攪拌混合して得た、ポリ
ビニルアセタール樹脂の４ｗｔ％の水溶液を塗布した。 （ステップＳ７）７０℃、１２０秒でプリベークした。 （ステップＳ８）８５℃、９０秒でミキシングベークし
た。 （ステップＳ９）イソプロピルアルコールの１ｗｔ％水
溶液でリンスした。 （ステップＳ１０）純水で洗浄した。 （ステップＳ１１）８０℃、９０秒で乾燥した。 以上の処理によって、レジストパターン自体に歪みを発
生させることなく、しかも架橋によって被覆層を形成し
てトレンチ幅を０．３５μｍとすることができた。
の実施例について以下説明する。 （ステップＳ１）膜厚４μｍ、孤立トレンチ幅０．５μ
ｍのレジストパターンを疎水性一体型ポジ型レジスト材
料を用い、一般的な方法で形成した。 （ステップＳ２）３６５ｎｍ、５００ｍＪ／ｃｍ２で、
全面露光した。 （ステップＳ３）表面処理は行なわなかった。 （ステップＳ４）Ｎ−メトキシメチル尿素に純水及びＩ
ＰＡを加え、室温で６時間攪拌混合して、Ｎ−メトキシ
メチル尿素の１０ｗｔ％水溶液を得、これをさらに純水
で１／２に希釈した５ｗｔ％水溶液をレジストパターン
に塗布した。 （ステップＳ５）基板を１０００ｒｐｍで回転させて水
溶性架橋剤を振り切った。 （ステップＳ６）ポリビニルアセタール樹脂の２０ｗｔ
％に純水を加え、室温で６時間攪拌混合して得た、ポリ
ビニルアセタール樹脂の４ｗｔ％の水溶液を塗布した。 （ステップＳ７）７０℃、１２０秒でプリベークした。 （ステップＳ８）８５℃、９０秒でミキシングベークし
た。 （ステップＳ９）イソプロピルアルコールの１ｗｔ％水
溶液でリンスした。 （ステップＳ１０）純水で洗浄した。 （ステップＳ１１）８０℃、９０秒で乾燥した。 以上の処理によって、レジストパターン自体に歪みを発
生させることなく、しかも架橋によって被覆層を形成し
てトレンチ幅を０．３５μｍとすることができた。
【００５７】なお、上述した実施形態は、薄膜磁気ヘッ
ドの上部磁極を形成するためのフレームめっき処理にお
いてレジストパターンを形成するものであるが、本発明
のパターン形成方法は、これに限定されるものではな
く、薄膜素子又は厚膜素子におけるいかなるレジストパ
ターンの形成にも適用されるものである。
ドの上部磁極を形成するためのフレームめっき処理にお
いてレジストパターンを形成するものであるが、本発明
のパターン形成方法は、これに限定されるものではな
く、薄膜素子又は厚膜素子におけるいかなるレジストパ
ターンの形成にも適用されるものである。
【００５８】以上述べた実施形態及び実施例は全て本発
明を例示的に示すものであって限定的に示すものではな
く、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施す
ることができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲
及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。
明を例示的に示すものであって限定的に示すものではな
く、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施す
ることができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲
及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。
【００５９】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、水溶性架橋剤と、水溶性樹脂とを別個に用意して別
個に塗布することにより、充分な重合体は得られるもの
の、当然のことながら両者の常温架橋が進むことはな
く、常温保存時における微細パターン形成材料の化学的
不安定性を招くことはない。従って、レジストの膜厚が
厚い薄膜素子又は厚膜素子用の微細化レジストパターン
を形成する場合にも、ミキシングベーク温度を低くする
ことができ、熱による歪み等のない高精度のレジストパ
ターンを安定して得ることができる。しかも、耐熱性の
低い高解像度のレジスト材料をも使用することができ
る。その結果、より微細なかつ高精度のレジストパター
ンを安定して得ることができる。
ば、水溶性架橋剤と、水溶性樹脂とを別個に用意して別
個に塗布することにより、充分な重合体は得られるもの
の、当然のことながら両者の常温架橋が進むことはな
く、常温保存時における微細パターン形成材料の化学的
不安定性を招くことはない。従って、レジストの膜厚が
厚い薄膜素子又は厚膜素子用の微細化レジストパターン
を形成する場合にも、ミキシングベーク温度を低くする
ことができ、熱による歪み等のない高精度のレジストパ
ターンを安定して得ることができる。しかも、耐熱性の
低い高解像度のレジスト材料をも使用することができ
る。その結果、より微細なかつ高精度のレジストパター
ンを安定して得ることができる。
【図１】本発明の一実施形態として薄膜磁気ヘッドの製
造方法を説明する工程図であり、磁気ヘッドのトラック
の中心を通る平面による断面図及びＡＢＳ方向から見た
断面図をそれぞれ示している。
造方法を説明する工程図であり、磁気ヘッドのトラック
の中心を通る平面による断面図及びＡＢＳ方向から見た
断面図をそれぞれ示している。
【図２】図１の実施形態におけるフレームめっき法によ
る上部磁極の形成工程を説明する工程図である。
る上部磁極の形成工程を説明する工程図である。
【図３】被覆層付のレジストパターン形成工程を説明す
るフロー図である。
るフロー図である。
１０、１２、１５、１９ 絶縁層 １１ 下部シールド １３ ＭＲ素子 １４ リード導体 １６ 下部磁極 １７ 記録ギャップ １８ コイル ２０ 上部磁極 ２１ 金属下地膜 ２２ レジスト材料 ２３ レジストパターン ２４ めっき層 ２５ レジスト層 ２６ 保護層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｇ１１Ｂ 5/31 Ｇ１１Ｂ 5/31 Ｃ (56)参考文献 特開 平10−73927（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−204399（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−43362（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−241348（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−250379（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−31122（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−239558（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−283910（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−335519（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−69078（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G03F 7/00 - 7/42
Claims (8)
- 【請求項１】 露光又は加熱により酸を発生する材料を
含むレジスト材料によってレジストパターンを形成し、
該形成したレジストパターン上に酸の存在で架橋する水
溶性架橋剤のみを塗布した後、少なくとも水溶性樹脂を
含む樹脂材料を塗布し、露光又は加熱により前記レジス
トパターンから酸を発生させて前記水溶性架橋剤を架橋
反応させ、前記レジストパターンの被覆層を形成するこ
とを特徴とするレジストパターン形成方法。 - 【請求項２】 前記少なくとも水溶性樹脂を含む樹脂材
料が、水溶性樹脂のみから構成されていることを特徴と
する請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】 前記少なくとも水溶性樹脂を含む樹脂材
料が、水溶性樹脂と、低濃度の水溶性架橋剤とから構成
されていることを特徴とする請求項１に記載の方法。 - 【請求項４】 前記水溶性架橋剤のみを塗布した後、該
水溶性架橋剤の一部を遠心力除去することを特徴とする
請求項１から３のいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項５】 前記水溶性架橋剤を塗布する前に、前記
形成したレジストパターンを全面露光することを特徴と
する請求項１から４のいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項６】 前記水溶性架橋剤を塗布する前に、前記
形成したレジストパターンに対して酸性液体又は酸性気
体を用いて表面処理することを特徴とする請求項１から
５のいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項７】 請求項１から６のいずれか１項に記載の
方法により形成した、被覆層を有するレジストパターン
をフレームとしてめっきを行なった後、該レジストパタ
ーンを除去することを特徴とするフレームめっき方法。 - 【請求項８】 請求項７に記載のフレームめっき方法に
より、磁極を形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッド
の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000049353A JP3348715B2 (ja) | 2000-02-25 | 2000-02-25 | レジストパターン形成方法、フレームめっき方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| US09/790,682 US6635408B2 (en) | 2000-02-25 | 2001-02-23 | Resist pattern forming method, frame plating method and manufacturing method of thin-film magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000049353A JP3348715B2 (ja) | 2000-02-25 | 2000-02-25 | レジストパターン形成方法、フレームめっき方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
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|---|---|
| JP2001242636A JP2001242636A (ja) | 2001-09-07 |
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|---|---|---|---|
| JP2000049353A Expired - Fee Related JP3348715B2 (ja) | 2000-02-25 | 2000-02-25 | レジストパターン形成方法、フレームめっき方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
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| US (1) | US6635408B2 (ja) |
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| EP1315043A1 (en) * | 2001-11-27 | 2003-05-28 | Fujitsu Limited | Resist pattern thickening material, resist pattern and forming process thereof, and semiconductor device and manufacturing process thereof |
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| JP3850767B2 (ja) * | 2002-07-25 | 2006-11-29 | 富士通株式会社 | レジストパターン厚肉化材料、レジストパターン及びその製造方法、並びに、半導体装置及びその製造方法 |
| JP3850772B2 (ja) * | 2002-08-21 | 2006-11-29 | 富士通株式会社 | レジストパターン厚肉化材料、レジストパターンの製造方法、及び半導体装置の製造方法 |
| JP3850781B2 (ja) * | 2002-09-30 | 2006-11-29 | 富士通株式会社 | レジストパターン厚肉化材料、レジストパターンの形成方法、及び半導体装置の製造方法 |
| US7413845B2 (en) * | 2004-04-23 | 2008-08-19 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Elimination of write head plating defects using high activation chemically amplified resist |
| US20060096081A1 (en) * | 2004-06-30 | 2006-05-11 | Hitachi Global Storage Technologies | Methods of making magnetic write heads with use of a resist channel shrinking solution having corrosion inhibitors |
| US7725355B2 (en) * | 2004-09-03 | 2010-05-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Information processing apparatus and method for managing order data of on-line orders, program for the same |
| JP4657899B2 (ja) * | 2005-11-30 | 2011-03-23 | 富士通株式会社 | レジストパターン厚肉化材料、レジストパターンの形成方法、半導体装置及びその製造方法 |
| US7556915B2 (en) * | 2005-12-08 | 2009-07-07 | Headway Technologies, Inc. | Process to form an isolated trench image in photoresist |
| JP5332107B2 (ja) * | 2007-02-01 | 2013-11-06 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | レジストパターン形成方法および半導体装置の製造方法 |
| US7947434B2 (en) * | 2007-02-06 | 2011-05-24 | Tdk Corporation | Process for forming a plated film, and process for fabricating a magnetic device and perpendicular magnetic recording head |
| US7510978B2 (en) * | 2007-02-13 | 2009-03-31 | Tdk Corporation | Method for forming mask for using dry-etching and method for forming fine structure pattern |
| US7718350B2 (en) * | 2007-02-21 | 2010-05-18 | Tdk Corporation | Method of metal plating by using frame |
| JP5635449B2 (ja) | 2011-03-11 | 2014-12-03 | 富士フイルム株式会社 | 樹脂パターン及びその製造方法、ｍｅｍｓ構造体の製造方法、半導体素子の製造方法、並びに、メッキパターン製造方法 |
| JP2019078810A (ja) * | 2017-10-20 | 2019-05-23 | メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ ＧｍｂＨ | 微細パターンの製造方法およびそれを用いた表示素子の製造方法 |
| JP2019078812A (ja) * | 2017-10-20 | 2019-05-23 | メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ ＧｍｂＨ | 高精細パターンの製造方法およびそれを用いた表示素子の製造方法 |
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