CN1162960C - 弹性表面波装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明中的SAW装置将SAW元件13装配于封装体10，该SAW元件13位于压电基板14上具有IDT电极15、连接电极16、基地金属层17上其高度为均一状且表面是与压电基板14的主面平行的吸声件18，连接电极16与封装体10的外部连接电极11是以金属细线19连接且以盖体20作气密封止。藉由使用此等SAW元件13，在以真空夹具30以面朝上的状态装配于封装体10时可防止压电基板14被破坏的装配不良，又，将于连接电极16上形成凸起23的SAW元件13以面朝下的方式装配于封装体10时也可防止电连接不良。

Description

弹性表面波装置及其制造方法
技术领域
本发明是关于一种使用于无线通讯机器等上的弹性表面波装置及其制造方法。
背景技术
图23为现有的弹性表面波装置(以下简称为SAW装置)的断面图。以下参照图23说明现有SAW装置的制造方法。
首先，于由压电材料所形成的圆板(以下称为晶片)上形成铝的蒸镀膜，以所欲的形状的图样曝光·显像，而形成叉指换能器电极(以下称为IDT电极)101与连接电极102。其次于IDT电极101的两侧以丝网印刷的方式涂布硅树脂，并实行热处理而形成吸声件103。如此，于晶片上一次形成多个弹性表面波元件105(以下称为SAW元件)。接着将晶片分割成多个SAW元件105。
其次于具有外部连接用电极106的封装体107内以粘接剂108固定SAW元件105同时以金属细线109将外部连接用电极106与连接电极102作电连接。其后将封装体107的开口部以盖体110封止。
如此藉由以丝网印刷形成吸声件103，则其尺寸精度不佳且因树脂的流动将产生流挂，故其断面形成为圆顶形，其上表面形成为曲面且其高度亦不易均一化，这是其存在的问题。
又，对封装体107装配SAW元件105时是将SAW元件105的表面以真空夹具加以吸附而移送，而因为吸声件103的上表面为曲面且高度亦不相同，故吸附甚困难且压电基板100相对于封装体107的底面为倾斜状故有产生装配不良之虑。
图24为现有的另一SAW装置的断面图。相对于图23的现有SAW装置的以金属细线109连接连接电极102及外部连接电极106的情形，图24所示的现有另一SAW装置其连接是以突起电极111(以下称为凸起)所实行。
此场合亦因吸声件103的高度为不均一且其高度较凸起111为高故有产生连接不良之虑。
发明内容
本发明是为解决上述问题所完成的，其目的在于提供一种将SAW元件装配于封装体上时可防止装配不良的SAW装置。
为达成所述目的，本发明的SAW装置包括：具有外部连接用电极的封装体、收容于所述封装体内的弹性表面波元件、和封止所述封装体的开口部的盖体，其中所述弹性表面波元件于压电基板表面上至少具有叉指换能器电极、电连接所述叉指换能器电极的连接电极、和形成于所述叉指换能器电极的两侧的吸声件，其中，所述叉指换能器电极的表面具有由阳极氧化法形成的保护层，所述吸声件由负型感光性树脂形成，同时，所述吸声件的上表面与所述压电基板的主面平行，且所述连接电极与所述外部连接用电极电连接。
本发明弹性表面波装置的制造方法，其包括有：于压电材料所形成的基板上至少形成叉指换能器电极及连接该叉指换能器电极的连接电极的第一工序；于所述基板的表面上压接负形感光性抗蚀剂，形成大小等于或小于所述基板、且大于其后形成的构成弹性表面波元件的部分的感光性抗蚀剂膜层的第二工序；将成为吸声件的部分的所述感光性抗蚀剂膜层曝光及显像而形成吸声件，并于基板上形成多个弹性表面波元件的第三工序；切断所述基板将分割所得的弹性表面波元件载置于封装体上并将所述弹性表面波元件的连接电极与所述封装体的外部连接用电极电连接的第四工序：以盖体封止所述封装体的开口部的第五工序；其中所述吸声件的主面与所述基板的表面平行，
所述第一工序中与叉指换能器电极一起在吸声件形成预定部位上形成基地金属层，
在所述第一工序后第二工序前于叉指换能器电极的表面形成保护层，
所述保护层以阳极氧化法形成，
于第一工序前在所述压电材料所形成的基板的表面形成金属膜，并于该金属膜的表面以阳极氧化法形成绝缘层。
本发明的SAW装置包括：具有外部连接用电极的封装体，收容于所述封装体内的SAW元件，和封止封装体的开口部的盖体；其中所述SAW元件于压电基板表面上至少具有：IDT电极，电连接所述IDT电极的连接电极，和形成于IDT电极的外侧亦即压电基板端部的上表面平行于压电基板的主面的吸声件。如此因吸声件表面平行于压电基板的主面且吸声件的上表面为平面，故于装配于封装体时可容易地以真空夹具吸附SAW元件而可确实地将其装配于封装体上的既定位置上。
附图说明
图1为本发明的实施例一的SAW装置的断面图；
图2为本发明的实施例一的SAW装置的盖体封止前的俯视图；
图3为本发明的实施例一的SAW装置的制造工序的说明用断面图；
图4为本发明的实施例二的SAW装置的盖体封止前的俯视图；
图5为本发明的实施例二的SAW装置的断面图；
图6为本发明的实施例三的SAW装置的断面图；
图7为本发明的实施例三的SAW装置的盖体封止前的俯视图；
图8为本发明的实施例三的SAW装置的一制造工序的说明图；
图9为本发明的实施例四的SAW元件的俯视图；
图10为本发明的实施例四的SAW装置的断面图；
图11为本发明的实施例四的SAW装置的断面图；
图12为本发明的实施例五的SAW元件的俯视图；
图13为本发明的实施例五的SAW装置的断面图；
图14为本发明的实施例六的SAW元件的俯视图；
图15为本发明的实施例六的SAW装置的断面图；
图16为本发明的实施例七的SAW元件的俯视图；
图17为本发明的实施例七的SAW装置的断面图；
图18为本发明的实施例八的SAW装置的断面图；
图19为本发明的实施例九的SAW装置的盖体封止前的俯视图；
图20为本发明的实施例十的SAW装置的盖体封止前的俯视图；
图21为本发明的实施例十一的SAW装置的盖体封止前的俯视图；
图22为本发明的实施例十二的SAW装置的断面图；
图23为现有SAW装置的断面图；
图24为现有SAW装置的断面图。
具体实施方式
以下参照附图说明本发明的SAW装置及其制造方法的一实施例。
(实施例一)
关于本发明的实施例一兹参照图1、图2及图3作说明。
于由水晶、LiTaO3或LiNbO3等压电材料所构成的晶片的主面上形成由铝或以铝为主成份的金属所构成的具有均一厚度的蒸镀膜。接着于此蒸镀膜上以旋转涂布方式均一地涂布正型感光性抗蚀剂。其次将感光性抗蚀剂曝光及显像以形成所期形状的IDT电极15及连接于此IDT电极15的连接电极16及设于吸声件预定形成处所的基地金属层17，之后将蒸镀膜蚀刻以形成IDT电极15、连接电极16及基地金属层17，然后除去感光性抗蚀剂。又，其基地金属层17较欲形成的吸声件形成为较大。
其后将晶片的形成IDT电极15的主面整体以负型感光性抗蚀剂膜被覆而一边实行加热一边实行压接。此抗蚀剂膜的感光部分即形成吸声件18，其是使用与吸声件18的厚度为相同厚度的物品。
其次实行曝光及显像使成为吸声件18的部分的抗蚀剂膜残留下来而形成吸声件18。于显像后除去吸声件18中的水份，以提高其与压电基板14间的密接力。在此，若吸声件18中残留有水份则有吸声件18将变质或腐蚀IDT电极15之虑。依该方式于晶片上形成多个SAW元件13。
然后，一边对晶片喷水一边以切割机实行切断而分割出各个SAW元件13，于除去水份后以图3所示的真空夹具30吸附SAW元件13的表面亦即吸声件18的表面而使其移动，而装配于涂布有粘接剂12的封装体10内。此时吸声件18为同一厚度且其上表面与基板14的表面形成为平行状，故可用真空夹具30确实地吸附SAW元件13，可将其高精度装配于封装体10内。
其次如图2所示，将SAW元件13的连接电极16与封装体10的外部连接用电极11以金属细线19作电连接，将封装体10的开口部以盖体20封止，则可得到图1所示的SAW装置。
(实施例二)
兹参照图4及图5说明本发明的实施例二。
首先与实施例一相同于晶片上形成具有IDT电极15、连接电极16及基地金属层17的多个SAW元件13。其次于晶片的形成IDT电极15之侧的表面整体上以旋转涂布方式均一地涂布硅烷系的耦合剂，而形成耦合层21。其次将之干燥而除去耦合层21中的溶剂成份。
其后与实施例1相同，于晶片的主面整体被覆负型感光性抗蚀剂膜而一边加热一边压接。此抗蚀剂膜是使用与欲形成的吸声件18的厚度为相同厚度的物品。其次将成为吸声件18的部分的抗蚀剂膜曝光及显像而形成吸声件18后，除去吸声件18中的水份。其次与实施例一相同分割出各个SAW元件13，然后将其装配于封装体10上而制作出图4及图5所示的SAW装置。
于本实施例中亦与实施例一相同，其吸声件18的上表面是形成为与压电基板14的表面成平行，可使用图3所示的真空夹具确实地吸附SAW元件13，再将其安装至封装体10内。
又，于本实施例中所形成的硅烷系的耦合层21因其与吸声件18及压电基板14的密接力甚大且为单分子层故非常之薄，故可不妨碍吸声效果而将吸声件18与压电基板14的粘接强度增大。因此，将形成多个SAW元件13的晶片切割而分割出各个SAW元件13时，藉由喷水可防止吸声件18自压电基板14上剥离。而且，例如以盖体20将封装体10的开口部作焊锡封止时或者以焊锡逆流法将SAW装置装配于装配基板上时，其可形成抵抗所述作业所产生的热应力等的能力甚强的吸声件18。
又，于图4及图5中，为容易说明关于耦合层21仅记载必要的部分，而在本实施例二中是覆盖IDT电极15及连接电极16而设于压电基板14的表面整体上。
(实施例三)
兹参照图6、图7及图8说明有关本发明的实施例三。
首先与实施例一相同，于晶片上以光致蚀刻法形成由铝膜或铝合金膜所形成的IDT电极15、连接电极16及基地金属层17。其次如图8所示将形成SAW元件13的晶片81与不锈钢等的电极85浸渍于电解液83中，以电极85为阴极而以IDT电极15、连接电极16及基地金属层17所引伸出的引伸线82等整合所成的电流供给线87为阳极，使用电源86实行电压的施加或电流供给。又，标号84为耐药品性的容器。藉此将包含IDT电极15、连接电极16及金属层17的侧面的表面加以氧化而如图6所示以保护膜22被覆。其次将晶片81自电解液83中取出而以纯水浸渍洗净。
其次与实施例二相同，于形成耦合层21、吸声件18后分割成各个SAW元件13。
其次与实施例二相同，将其装配于涂布有粘接剂12的封装体10内，如图7所示般以金属细线19将外部连接用电极11与连接电极16作电连接，以盖体20封止封装体10的开口部则得到图6所示的SAW装置。
于本实施例中也与实施例一相同，吸声件18的上表面是形成为与压电基板14的主面成平行，故可使用图3所示的真空夹具30确实地吸附SAW元件13，将其装配于封装体10内。
又，本实施例亦与实施例二相同，其硅烷系耦合层21不会妨碍吸声效果而可大幅度提高吸声件18与压电基板14的粘接强度。因此，在切割晶片而分割成各个SAW元件13时，藉由喷水可防止吸声件18自压电基板14上剥离。而且，例如以盖体20焊锡封止封装体10的开口部时或将SAW装置以逆流法等装配于装配基板上时，吸声件18可强力地对抗所述处理所产生的热应力等。
于上述实施例中，于形成IDT电极15及连接电极16后实行了阳极氧化处理。因感光性树脂的显像液一般是碱性，故于显像成为吸声件18的抗蚀剂膜时，由铝材或以铝材为主成份的金属所形成的IDT电极15及连接电极16有被浸蚀之虑。但是，如本实施例般将包含IDT电极15及连接电极16的侧面的表面以具有耐碱性的氧化铝所形成的保护膜22加以被覆可防止各电极被显像液所影响。
又，因此保护膜22具有绝缘性，故即使于SAW元件13上落下有导电性的异物时，亦可防止电极的短路不良。
又，于上述实施例中是于IDT电极15、连接电极16及基地金属层17形成后实行阳极氧化，但于IDT电极15、连接电极16及基地金属层17形成前实行以铝或铝合金为主成份的蒸镀膜的表面的阳极氧化，而于其后形成IDT电极15、连接电极16及基地金属层17而于其上表面以绝缘性的保护膜覆盖的方式亦可。此场合，在形成IDT电极15、连接电极16及基地金属层17用的显像时至少IDT电极15及连接电极15的表面不被碱性显像液所浸蚀。但是，因其侧面未被保护膜22所覆盖，故为防止被形成吸声件18用的显像液所浸蚀，最好如上述实施例般于形成IDT电极15后实行阳极氧化处理。
如所述，通过于IDT电极15形成前或形成后实行阳极氧化，以保护膜22被覆表面，比起未形成保护膜22的场合其防止IDT电极15及连接电极16被碱性的显像液所浸蚀的效果很大。
(实施例四)
参照图9、图10及图11说明本发明的实施例四。
首先与实施例一相同，于晶片上形成IDT电极15、连接电极16及基地金属层17后于基地金属层17上形成吸声件18。此吸声件18具有在装配于封装体10后可形成IDT电极15激励弹性表面波(以下称为SAW)所须空间的高度。
其次于连接电极16上使用金材形成凸起23。此凸起23的高度较吸声件18为高。
其次将晶片与实施例一相同进行分割而得到图9所示的SAW元件13。
其后以使凸起23的形成面为位于下方的方式将SAW元件13装配于具有外部连接用电极11的封装体10内，而将SAW元件13的连接电极16与外部连接用电极11介以凸起23作电连接。
此时凸起23因被加热及加压故其高度变低。
图24所示的现有吸声件109的场合各个吸声件109的高度不同，因其断面为圆顶状，故以凸起111连接SAW元件105的连接电极102与封装体107的外部连接用电极106时若凸起111的高度降低到最大限度时则无法将SAW元件105水平地装配于封装体107内，而有可能无法得到具有所期的特性的SAW装置。
但是，于本实施例中吸声件18的高度一定，而其上表面是与压电基板14平行，故如图11所示，于装配工序中例如于凸起23变低时，吸声件18将发挥挡止器的作用使之不会较吸声件18为低，故可确保IDT电极15能激励SAW的必要空间。又，此场合因可将SAW元件13装配成水平状，故可减低凸起23与连接电极16的接合强度的不均一现象。亦即此SAW元件13对抗机械应力及热应力的能力甚强。
其后以盖体20封止封装体10的开口部而得到图10所示的SAW装置。
又，于本实施例中凸起23是以金材形成，但使用焊锡等形成亦可。
(实施例五)
兹参照图12及图13说明本发明的实施例五。
首先与实施例二相同于晶片上形成IDT电极15、连接电极16、基地金属层17及耦合层21。
其次将晶片的表面整体以负型感光性抗蚀剂膜被覆并加热及压接。此抗蚀剂膜是使用与欲形成的吸声件18的厚度为相同厚度的物品。其次曝光及显像而留下成为吸声件18的部分的抗蚀剂膜而得到吸声件18。此吸声件18具有于安装于封装体10内后可形成供IDT电极15激励SAW用的必要空间的高度。
接着与实施例四相同，于连接电极16上形成凸起23后，如图12所示分割成各个SAW元件13而装配于封装体10，可得到图13所示的SAW装置。
于本实施例中也与实施例四相同，于SAW元件13装配时藉由吸声件18作为挡止器的作用，凸起23的高度不会较吸声件18的高度为低，故可确保IDT电极15激励SAW用的必要空间。又，此场合因可将SAW元件13水平地装配，故可减低凸起23与连接电极16的接合强度的不均一现象。亦即此种SAW装置其对抗机械应力及热应力的强度甚强。
又，于本实施例中藉由于基地金属层17与吸声件18之间形成耦合层21，可与实施例二相同不妨碍吸声效果且可提高吸声件18与压电基板14的粘接强度。因此，在切割晶片分割出各个SAW元件13的工序中，藉由喷水可防止吸声件18自压电基板14剥离。而且，例如以盖体20将封装体10的开口部焊锡封止时或于以逆流法等将SAW装置装配于装配基板上时，吸声件18皆可强力地对抗所述作业所产生的热应力等应力。
于图12及图13中为容易说明仅记载耦合层21的必要部分，但于本实施例中是覆盖IDT电极15及连接电极16而设于压电基板14的表面整体上。(实施例6)
参照图14及图15说明本发明的实施例6。
首先与实施例三相同制作出表面及侧面被绝缘性保护膜22所覆盖的IDT电极15、连接电极16及基地金属层17。
关于其后的工序则与实施例四及实施例五相同，是于基地金属层17上形成吸声件18，接着于连接电极16上形成凸起23，其后分割成图14所示的各个SAW元件13。其次将其装配于封装体10上而以盖体20封止而制作出图15所示的SAW装置。
于本实施例中与实施例三相同是将IDT电极15、连接电极16及基地金属层17的表面及侧面以保护膜22被覆，故于形成吸声件18的显像时可防止IDT电极15与连接电极16被碱性的显像液所浸蚀。
又，如实施例三所述，于形成IDT电极15、连接电极16及基地金属层17之前，藉由在晶片上制作铝或铝合金的金属膜的阶段实行阳极氧化而于IDT电极15及连接电极16的表面形成绝缘性的保护膜22亦可。
(实施例七)
兹参照图16及图17说明本发明的实施例七。于本实施例中仅说明与实施例四的SAW装置的相异之点。
本实施例中如图16所示，于压电基板14的外周部形成将基地金属层17及形成于其上的吸声件18框体以将IDT电极15及连接电极16予以包围。其形成方法与实施型态四相同。
于将SAW元件13装配于封装体10后，如图17所示将硅系树脂所形成的充填材25充填于SAW元件13与封装体10的内壁之间并将之加热硬化。此时可藉由框状的吸声件18防止充填材25流入IDT电极15的SAW激励空间中。
又，此充填材25于硬化后是较吸声件18更具有弹性，其可吸收吸声件18所无法吸收的不须要波，同时藉由SAW元件13与封装体10的热膨胀系数之差可缓和施加于SAW元件13的应力，而可防止特性变化。
(实施例八)
兹参照图18说明本发明的实施例八。
本实施例的SAW装置与实施例七的SAW装置的相异点是如图18所示般不仅将充填材25充填于SAW元件13与封装体10的内壁之间，而且连SAW元件13的盖体20侧的表面上亦设置充填材25。至于其他的构成则为相同。因此与实施例七的SAW装置比较其吸收不须要波的效果更大。
又，于本实施例中是将充填材25设于SAW元件13的盖体20侧的表面整体上，但仅设于对应IDT电极15的部分上亦同样具有吸收不须要波的效果。
又，以盖体20封止封装体10时，为防止自SAW元件13的内面产生过剩的压力而使SAW元件13从而产生特性恶化的现象，理想的是使SAW元件13的盖体20侧的表面上所设的填充材25与盖体20成为非接触状态。
(实施例九)
兹参照图19说明本发明的实施例9。
于本实施例中如图19所示是使两对IDT电极15一体化，将其两侧设有反射器电极26的弹性表面波单元(以下称为SAW单元)27于两个压电基板14上设置成平行排列同时于所述SAW单元27间的压电基板14上介以基地金属层17形成吸声件18。藉由此种结构可抑制两个SAW单元27间的音响结合，而形成具有优良的带域外衰减量的物品。
此吸声件18因是以实施例一所示的方法所制作，故上表面与压电基板14的表面呈平行，因此将SAW元件13装配于封装体10内时可用图3所示的真空夹具30确实地吸附SAW元件13，而装配于封装体10内。
如此，于一张压电基板14上具有多个SAW单元27的SAW装置中，最好于两个SAW单元27间的至少对向的IDT电极15间设置吸声件18以抑制音响结合。又，在SAW单元27中，于IDT电极15间或者IDT电极15的两端部设置反射器电极26的场合，最好如上述般不仅在SAW单元27间的IDT电极15间，而且在反射器电极26间也设置以同样的方法制作的吸声件18。
(实施例10)
兹参照图20说明本发明的实施例10。
于本实施例中，如图20所示，不仅两个SAW单元27间而且在反射器电极26与SAW传播方向的压电基板14的端部之间亦设置有吸声件18。当然此吸声件18与实施例一相同是介以基地金属层17设置于压电基板14上的，此吸声件18也与SAW单元27间的吸声件18为相同厚度且主面是与压电基板14的表面呈平行，故可用图3所示的真空夹具30将SAW元件13确实地吸附而装配于封装体10内。
藉由此种结构，与实施例九的SAW装置比较，其可进一步提高不须要波的吸声效果。
(实施例十一)
兹参照图21说明本发明的实施例十一。
一般欲将连接连接电极16与外部连接用电极11的金属细线缩短化及将连接电极16与外部连接用电极11之间的电感尽可能地减小时，自连接电极16起设置向位于欲连接的外部连接用电极11附近的压电基板14端部围绕的电极。
但是，如图21所示的本实施例般，藉由连接连接电极16与基地金属层17而将欲连接的外部连接用电极11与基地金属层17以金属细线19连接，则可不须要新设置围绕电极即可缩短金属细线19。
如此即可达到将SAW装置小型化的目的。
又，本实施例的SAW装置除将连接电极16与基地金属层17形成连接的状态之外，以实施例一所说明的制造方法制造，与实施例一相同，设于IDT电极15与压电基板14的端部之间的吸声件18是同一厚度且其上表面是与压电基板14的表面平行，故可用图3所示的真空夹具30确实地将SAW元件13吸附而装配于封装体10内。
(实施例十二)
兹参照图22说明本发明的实施例十二。
本实施例是于水晶、LiTaO3、LiNbO3等所形成的晶片的内面整体上形成可良好地吸光的非晶质硅或硅氮化膜的反射防止膜28。
于此等晶片的主面上形成铝或以铝为主成份的金属所形成的均一厚度的蒸镀膜。其次于此蒸镀膜上旋转涂布以均一的正型感光性抗蚀剂。
然后，将感光性抗蚀剂曝光以形成所期形状的IDT电极15及连接此IDT电极15的连接电极16。此时于晶片的内面因形成有反射防止膜28，故可吸收透过晶片的光线，而可防止射向晶片主面的反射光的产生。
然后，将感光性抗蚀剂显像以形成IDT电极15与连接电极16，并以阳极氧化处理于包含IDT电极15及连接电极16的侧面的表面上形成绝缘性的保护膜22。
其后与实施例二相同至少于晶片表面的吸声件18的预定形成处所形成耦合层21。
其次将晶片的形成IDT电极15的面整体以负型感光性抗蚀剂膜作被覆而一边加热一边压接。此抗蚀剂膜是使用与欲形成的吸声件18的厚度为相同厚度的物品。
其次，将成为吸声件18的部分的抗蚀剂膜曝光。此时亦藉由晶片背面的反射防止膜28吸收透过晶片的光线而防止朝向晶片的主面反射的反射光的发生。
其后实行显像得到吸声件18。显像后除去吸声件18中的水份，提高其与压电基板14的密接力。
以下则与实施例一相同制作出图22所示的SAW装置。
此SAW装置亦与实施例一相同其IDT电极15两侧的吸声件18是相同厚度，且其上表面是与压电基板14的表面平行，故可用图3所示的真空夹具30确实地吸附SAW元件13而装配于封装体10内。
又，本实施例是于形成金属蒸镀膜前形成反射防止膜28，但于形成后于将成为吸声件18的抗蚀剂膜予以曝光之前形成反射防止膜28时则可得到形状精度优良的吸声件18。但是，于IDT电极15形成前形成反射防止膜28可使IDT电极15与连接电极16以更高的精度形成。
又，反射防止膜28是设于晶片的背面整体上，但至少形成为较吸声件18、IDT电极15及连接电极16的部分为大，使透过光的在晶片背面所反射的光不接触到吸声件18、IDT电极15的形成用感光性树脂及连接电极16的形成用感光性树脂则甚佳。
以下说明本发明中成为重点的各要点。
(1)上述各实施例中的吸声件18为使其吸声效率高且可实现低面积化及低成本化并成为可稳定制作的吸声件，使用薄膜状负型感光树脂形成。但是，将感光性树脂溶液以旋转涂布等方式于晶片上涂布均一的厚度而形成时亦具有相同的效果。只是，此场合因旋转涂布一次可形成的厚度甚薄，故藉由旋转涂布多次感光性树脂溶液而调整出所期厚度的吸声件18亦可。
(2)于上述各实施例中作为吸声件18可使用具有弹性且可高效吸收不须要波的环氧树脂、丙烯酸树脂及聚酰亚胺树脂的任一种感光性树脂形成。特别是丙烯酸树脂其相对于压电基板14的粘接性甚佳，故较理想。
(3)吸声件18形成为大致方形亦可，但如上述各实施例般将吸声件18的IDT电极15侧的端部形成折线状而于其吸声效果上加上散乱效果则可提高不须要波的抑制能力，故甚佳。又，此时尽量不要形成有角部的形状，但若形成有角部时，则如上述各实施例所述般藉由将其角度形成为钝角，则于例如分割晶片时通过喷出的水压可防止吸声件18自压电基板14剥离。
(4)使吸声件18的SAW传播方向的宽度最短的部分为0.5λ(λ：SAW的波长)以上时可得到充份的吸声效果。
(5)最好吸声件18的与SAW传播方向正交方向的长度为同方向的IDT电极15的长度以上。其原因是因SAW上作为波的性质具有折射效果，故藉由使其长度为同方向的IDT电极15的长度以上可得到充分的吸声效果。
(6)如本发明般以光致蚀刻法形成形状精度优良的吸声件18的情况下，可使用以下三种方法中的至少一种。
第一个方法为于晶片的表面形成基地金属层17，而在吸声件18的形成工序中使抗蚀剂曝光时的光线不透过至晶片背面。此场合基地金属层17可于形成IDT电极15及连接电极16时同时形成，因不须要另设其他工序故甚佳。
第二个方法为使晶片的背面为粗糙面而使反射光散射，从而于曝光成为吸声件的抗蚀剂膜片时使来自晶片背面的反射光不照射于其上。
第三个方法为于晶片背面形成反射防止膜28，而吸收透过光。
于形成基地金属层17及反射防止膜28时，为确实达到所述功效可使反射防止膜28的大小形成为较欲形成的吸声件18为大。
(7)形成吸声件18时，最好使用与晶片相等以下的较成为SAW元件13的部分为大的抗蚀剂膜，或者当抗蚀剂膜较晶片为大时，在将其贴合于晶片以上后切断为与晶片相等以下的较成为SAW元件13的部分为大。其理由是因当抗蚀剂膜较晶片为大时，则在为曝光及显像而搬动晶片时抗蚀剂膜有可能卡接在搬送装置等上而使抗蚀剂膜剥离或无法顺利搬送。
(8)于实施例二或实施例五中是于压电基板14的整面涂布耦合剂。因此除压电基板14与吸声件18之间之外于IDT电极15的表面亦形成耦合层21。但是，耦合层21不会对SAW装置的特性产生不良影响故不须除去。
(9)将吸声件18的下部面(压电基板14侧)增大成较上部面为大可提高与压电基板14的粘接强度，故甚佳。
(10)作为充填材25是使用硅树脂，但使用其他热硬性树脂亦可。但是，充填材25最好为较吸声件18更有弹性且可藉由热膨胀等缓和施加于SAW元件13上的应力的材料。
(11)为防止SAW元件13的热电破坏，加热或冷却压电基板14时最好避开急剧的温度变化。
(12)藉由将IDT电极15、连接电极16及基地金属层17的表面作阳极氧化并以绝缘层被覆其表面，即使SAW元件13的表面上有导电性的异物掉落时也可防止电极间的短路。
产业上利用的可能性
依以上的本发明藉由以相同厚度形成主面与压电基板的表面成平行的吸声件，可防止将SAW元件装配于封装体上时产生装配不良的现象。

Claims (27)

1.一种弹性表面波装置，包括具有外部连接用电极的封装体、收容于所述封装体内的弹性表面波元件、和封止所述封装体的开口部的盖体，其中所述弹性表面波元件于压电基板表面上至少具有叉指换能器电极、电连接所述叉指换能器电极的连接电极、和形成于所述叉指换能器电极的两侧的吸声件，其中，所述叉指换能器电极的表面具有由阳极氧化法形成的保护层，所述吸声件由负型感光性树脂形成，同时，所述吸声件的上表面与所述压电基板的主面平行，且所述连接电极与所述外部连接用电极电连接。
2.如权利要求1所述的弹性表面波装置，其特征为：所述保护层与构成所述叉指换能器电极的主要金属较难于被构成吸声件的感光性树脂的显像液浸蚀。
4.如权利要求2所述的弹性表面波装置，其特征为：所述感光性树脂为环氧树脂、聚酰亚胺树脂及丙烯酸树脂的任一种。
5.如权利要求1所述的弹性表面波装置，其特征为：所述吸声件的弹性表面波传播方向的宽度为0.5λ以上，所述λ为弹性表面波的波长。
6.如权利要求1所述的弹性表面波装置，其特征为：所述吸声件的叉指换能器电极侧的端部是折线状。
7.如权利要求1所述的弹性表面波装置，其特征为：除所述叉指换能器电极的下部外，至少所述吸声件与所述压电基板之间设有粘接强度较所述吸声件及所述压电基板的粘接强度大的耦合层。
8.如权利要求7所述的弹性表面波装置，其特征为：所述耦合层具有较吸声件大的表面积。
9.如权利要求7所述的弹性表面波装置，其特征为：所述耦合层是使用硅烷系树脂形成。
10.如权利要求1所述的弹性表面波装置，其特征为：所述吸声件与所述压电基板之间设有基地金属层。
11.如权利要求10所述的弹性表面波装置，其特征为：连接叉指换能器电极与基地金属层并连接所述基地金属层与外部连接用电极。
12.如权利要求1所述的弹性表面波装置，其特征为：介以所述压电基板与所述吸声件相对向的所述压电基板的背面设有光反射防止膜。
13.如权利要求12所述的弹性表面波装置，其特征为：所述反射防止膜的形成区域较吸声件为大。
14.如权利要求13所述的弹性表面波装置，其特征为：所述光反射防止膜以非晶质硅或金属氮化膜所形成。
15.如权利要求1所述的弹性表面波装置，其特征为：所述吸声件其与所述压电基板接触的下面侧的面积较其上面侧为大。
16.如权利要求1所述的弹性表面波装置，其特征为：使用形成于弹性表面波元件的连接电极上的凸起将所述连接电极与封装体的外部连接用电极电连接。
17.如权利要求1所述的弹性表面波装置，其特征为：所述吸声件设于所述压电基板的外周部以包围叉指换能器电极及连接电极。
18.如权利要求17所述的弹性表面波装置，其特征为：于所述封装体的内壁与所述压电基板的侧面之间设有充填材。
19.如权利要求18所述的弹性表面波装置，其特征为：所述充填材较吸声件更有弹性。
20.如权利要求19所述的弹性表面波装置，其特征为：所述充填材是使用硅树脂。
21.如权利要求16所述的弹性表面波装置，其特征为：所述压电基板的背面的至少与叉指换能器电极相对向的区域设有吸声件。
22.如权利要求21所述的弹性表面波装置，其特征为：设于所述压电基板背面的所述吸声件与盖体呈非接触状态。
23.一种弹性表面波装置的制造方法，其包括有：于压电材料所形成的基板上至少形成叉指换能器电极及连接该叉指换能器电极的连接电极的第一工序；于所述基板的表面上压接负形感光性抗蚀剂，形成大小等于或小于所述基板、且大于其后形成的构成弹性表面波元件的部分的感光性抗蚀剂膜层的第二工序；将成为吸声件的部分的所述感光性抗蚀剂膜层曝光及显像而形成吸声件，并于基板上形成多个弹性表面波元件的第三工序；切断所述基板将分割所得的弹性表面波元件载置于封装体上并将所述弹性表面波元件的连接电极与所述封装体的外部连接用电极电连接的第四工序；以盖体封止所述封装体的开口部的第五工序；其中所述吸声件的主面与所述基板的表面平行，
所述第一工序中与叉指换能器电极一起在吸声件形成预定部位上形成基地金属层，
在所述第一工序后第二工序前于叉指换能器电极的表面形成保护层，
所述保护层以阳极氧化法形成，
于第一工序前在所述压电材料所形成的基板的表面形成金属膜，并于该金属膜的表面以阳极氧化法形成绝缘层。
24.如权利要求23所述的弹性表面波装置的制造方法，其特征为：所述第二工序中的感光性树脂层的厚度等于或小于所述压电材料所形成的基板的厚度，且厚于弹性表面波元件形成部。
25.如权利要求23所述的弹性表面波装置的制造方法，其特征为：在所述第1工序后第2工序前于所述压电材料所形成的基板的吸声件形成部位形成硅烷系的耦合层。
26.如权利要求23所述的弹性表面波装置的制造方法，其特征为：在所述第一工序前于所述压电材料所形成的基板的背面，于介以所述压电基板与所述吸声件形成预定部位相对向的区域上设置反射防止膜。
27.如权利要求23所述的弹性表面波装置的制造方法，其特征为：在所述第一工序前具有使所述压电材料所构成的基板的背面形成使光散射的粗糙面的工序。
28.如权利要求23所述的弹性表面波装置的制造方法，其特征为：所述保护层与构成所述叉指换能器电极的主要金属较难于被构成吸声件的感光性树脂的显像液浸蚀。
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