JP3489576B2 - レジストパターンの形成方法、電極パターンの形成方法および弾性表面波装置の製造方法 - Google Patents
レジストパターンの形成方法、電極パターンの形成方法および弾性表面波装置の製造方法Info
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- Y10S430/151—Matting or other surface reflectivity altering material
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上にフォトレ
ジストからなるレジストパターンを形成する方法、金属
からなる電極パターンを形成する方法、および弾性表面
波装置の製造方法に関する。
ジストからなるレジストパターンを形成する方法、金属
からなる電極パターンを形成する方法、および弾性表面
波装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、基板上に金属からなるレジス
トパターンを形成する方法においては、以下に示すよう
な方法が知られている。図１は、従来のレジストパター
ンの形成方法を示す図である。
トパターンを形成する方法においては、以下に示すよう
な方法が知られている。図１は、従来のレジストパター
ンの形成方法を示す図である。
【０００３】図１に示すように、基板１上にポジ型また
はネガ型のフォトレジスト３を塗布し［図１（ａ）］、
その上方向から所望の形状になるように孔が設けられた
フォトマスク１０を介して３６５ｎｍ以下の波長を持つ
紫外光を露光し［図１（ｂ）］、次に、現像をおこなう
ことにより基板１を一部露出させ、レジストパターン４
を形成する［図１（ｃ）］方法が知られている。
はネガ型のフォトレジスト３を塗布し［図１（ａ）］、
その上方向から所望の形状になるように孔が設けられた
フォトマスク１０を介して３６５ｎｍ以下の波長を持つ
紫外光を露光し［図１（ｂ）］、次に、現像をおこなう
ことにより基板１を一部露出させ、レジストパターン４
を形成する［図１（ｃ）］方法が知られている。
【０００４】しかし、基板がＬｉＴａＯ3のような透明
基板であった場合、このような従来の方法によれば、本
来フォトマスクにより露光される光が遮断されるフォト
レジストのレジストパターンの部分も、透明基板の乱反
射光により露光されてしまい、その結果、本来現像され
ないレジストパターンの一部が現像し除去されてしま
い、所望のレジストパターンが形成できないという問題
が生じていた。さらに微細なレジストパターンを形成す
る場合には、レジストパターンの幅が狭くなり、レジス
トパターンの一部が現像し除去されてしまうと、最悪の
場合、レジスト倒れなどの問題が生じることがあった。
基板であった場合、このような従来の方法によれば、本
来フォトマスクにより露光される光が遮断されるフォト
レジストのレジストパターンの部分も、透明基板の乱反
射光により露光されてしまい、その結果、本来現像され
ないレジストパターンの一部が現像し除去されてしま
い、所望のレジストパターンが形成できないという問題
が生じていた。さらに微細なレジストパターンを形成す
る場合には、レジストパターンの幅が狭くなり、レジス
トパターンの一部が現像し除去されてしまうと、最悪の
場合、レジスト倒れなどの問題が生じることがあった。
【０００５】この問題を回避するため、従来は、波長が
３６５ｎｍの紫外光を吸収する染料を含有した有機高分
子材料からなる反射防止膜、または、Ｓｉ膜と、光を通
さない金属膜とをこの順序で積層した２層からなる反射
防止膜を基板裏面に設け、透明基板の乱反射を防いでい
た。
３６５ｎｍの紫外光を吸収する染料を含有した有機高分
子材料からなる反射防止膜、または、Ｓｉ膜と、光を通
さない金属膜とをこの順序で積層した２層からなる反射
防止膜を基板裏面に設け、透明基板の乱反射を防いでい
た。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
反射防止膜では以下のような問題が生じていた。第１
に、反射防止膜として有機高分子材料を使用すると露光
装置（ステッパー）のステージが汚れてしまい、正確な
露光が困難になる。すなわち、有機高分子材料の残滓が
ステージに蓄積するとステージのフラットネスが悪化
し、露光精度が悪化してしまうという問題があった。
反射防止膜では以下のような問題が生じていた。第１
に、反射防止膜として有機高分子材料を使用すると露光
装置（ステッパー）のステージが汚れてしまい、正確な
露光が困難になる。すなわち、有機高分子材料の残滓が
ステージに蓄積するとステージのフラットネスが悪化
し、露光精度が悪化してしまうという問題があった。
【０００７】第２に、有機高分子材料からなる反射防止
膜では、フォトレジストを硬化させるのに必要な温度が
約１００℃であるのと比較して、有機高分子膜の硬化に
必要なベーキング温度は約２００℃と高温にさらされる
ため、透明基板が焦電性の場合には、静電気が帯電して
基板が割れやすいという問題があった。この問題を解決
するため、この有機高分子材料からなる反射防止膜の表
面にさらに導伝膜を設け、温度変化によって生じる静電
気を基板外に逃がすという方法があるが、導伝膜を反射
防止膜表面にさらに設けることは工程が増加し、コスト
アップが避けられなかった。
膜では、フォトレジストを硬化させるのに必要な温度が
約１００℃であるのと比較して、有機高分子膜の硬化に
必要なベーキング温度は約２００℃と高温にさらされる
ため、透明基板が焦電性の場合には、静電気が帯電して
基板が割れやすいという問題があった。この問題を解決
するため、この有機高分子材料からなる反射防止膜の表
面にさらに導伝膜を設け、温度変化によって生じる静電
気を基板外に逃がすという方法があるが、導伝膜を反射
防止膜表面にさらに設けることは工程が増加し、コスト
アップが避けられなかった。
【０００８】第３に、反射防止膜として、Ｓｉ膜と、光
を通さない金属膜とをこの順序で積層した２層からなる
反射防止膜を使用した場合、Ｓｉ膜の好ましい膜厚範囲
が狭く、また、Ｓｉ膜の上にさらに光を通さない金属膜
を形成する必要があり、工程が増加し、コストアップが
避けられなかった。また、Ｓｉの紫外線に対する屈折率
が０．５７〜０．７７であるため、基板の材料の屈折率
が１．５以上の場合には、反射が十分に押さえられない
という問題点があった。
を通さない金属膜とをこの順序で積層した２層からなる
反射防止膜を使用した場合、Ｓｉ膜の好ましい膜厚範囲
が狭く、また、Ｓｉ膜の上にさらに光を通さない金属膜
を形成する必要があり、工程が増加し、コストアップが
避けられなかった。また、Ｓｉの紫外線に対する屈折率
が０．５７〜０．７７であるため、基板の材料の屈折率
が１．５以上の場合には、反射が十分に押さえられない
という問題点があった。
【０００９】本発明のレジストパターンの形成方法は、
透明基板の乱反射を防ぐ反射防止膜を形成しつつ、上述
した問題が起こることがないレジストパターンの形成方
法を提供することを目的としている。
透明基板の乱反射を防ぐ反射防止膜を形成しつつ、上述
した問題が起こることがないレジストパターンの形成方
法を提供することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】 上記目的を達成するた
め本発明のレジストパターンの形成方法は、基板表面に
フォトレジストからなるレジストパターンを形成するレ
ジストパターンの形成方法であって、３．４ｅＶ以下の
バンドギャップエネルギーを有する半導体からなる反射
防止膜で、かつ前記基板の材料の屈折率をｎ1、前記反
射防止膜の材料の屈折率ｎ2としたときに、（ｎ1−
ｎ2）2／（ｎ1＋ｎ2）2と表わされる反射率が、０．１
５以下である関係を有する反射防止膜を基板裏面に形成
する工程と、基板表面にフォトレジストを形成する工程
と、フォトレジストに対し、フォトレジストの上方向か
らフォトマスクを介して紫外光を露光し、部分的にフォ
トレジストを現像液に対して可溶性に変化させる工程
と、基板を現像液に浸漬することにより、現像液に対し
て可溶性に変化させたフォトレジストを現像除去するこ
とで、レジストパターンを形成する工程と、を含み、前
記反射防止膜の材料がＺｎＯ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、Ｃ
ｄＳｅ、ＣｄＳ、ＣｄＴｅのいずれかであることを特徴
とする。
め本発明のレジストパターンの形成方法は、基板表面に
フォトレジストからなるレジストパターンを形成するレ
ジストパターンの形成方法であって、３．４ｅＶ以下の
バンドギャップエネルギーを有する半導体からなる反射
防止膜で、かつ前記基板の材料の屈折率をｎ1、前記反
射防止膜の材料の屈折率ｎ2としたときに、（ｎ1−
ｎ2）2／（ｎ1＋ｎ2）2と表わされる反射率が、０．１
５以下である関係を有する反射防止膜を基板裏面に形成
する工程と、基板表面にフォトレジストを形成する工程
と、フォトレジストに対し、フォトレジストの上方向か
らフォトマスクを介して紫外光を露光し、部分的にフォ
トレジストを現像液に対して可溶性に変化させる工程
と、基板を現像液に浸漬することにより、現像液に対し
て可溶性に変化させたフォトレジストを現像除去するこ
とで、レジストパターンを形成する工程と、を含み、前
記反射防止膜の材料がＺｎＯ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、Ｃ
ｄＳｅ、ＣｄＳ、ＣｄＴｅのいずれかであることを特徴
とする。
【００１１】 また、上記目的を達成するため本発明の
レジストパターンの形成方法は、基板表面にフォトレジ
ストからなるレジストパターンを形成するレジストパタ
ーンの形成方法であって、３．４ｅＶ以下のバンドギャ
ップエネルギーを有する半導体からなる反射防止膜であ
り、かつ前記基板の材料の屈折率をｎ1、前記反射防止
膜の材料の屈折率ｎ2としたときに、（ｎ1−ｎ2）2／
（ｎ1＋ｎ2）2と表わされる反射率が、０．１５以下で
ある関係を有する反射防止膜を基板裏面に形成する工程
と、基板表面にフォトレジストを形成する工程と、フォ
トレジストに対し、フォトレジストの上方向からフォト
マスクを介して紫外光を露光し、部分的にフォトレジス
トを現像液に対して可溶性に変化させる工程と、基板を
現像液に浸漬することにより、現像液に対して可溶性に
変化させたフォトレジストを現像除去することで、レジ
ストパターンを形成する工程と、を含み、前記反射防止
膜がＺｎＯまたは、ＺｎＯに金属添加物を含有させたも
のであることを特徴とする。
レジストパターンの形成方法は、基板表面にフォトレジ
ストからなるレジストパターンを形成するレジストパタ
ーンの形成方法であって、３．４ｅＶ以下のバンドギャ
ップエネルギーを有する半導体からなる反射防止膜であ
り、かつ前記基板の材料の屈折率をｎ1、前記反射防止
膜の材料の屈折率ｎ2としたときに、（ｎ1−ｎ2）2／
（ｎ1＋ｎ2）2と表わされる反射率が、０．１５以下で
ある関係を有する反射防止膜を基板裏面に形成する工程
と、基板表面にフォトレジストを形成する工程と、フォ
トレジストに対し、フォトレジストの上方向からフォト
マスクを介して紫外光を露光し、部分的にフォトレジス
トを現像液に対して可溶性に変化させる工程と、基板を
現像液に浸漬することにより、現像液に対して可溶性に
変化させたフォトレジストを現像除去することで、レジ
ストパターンを形成する工程と、を含み、前記反射防止
膜がＺｎＯまたは、ＺｎＯに金属添加物を含有させたも
のであることを特徴とする。
【００１２】 また、本発明のレジストパターンの形成
方法は、ＺｎＯに含有させた金属添加物がＮｉであるこ
とを特徴としている。
方法は、ＺｎＯに含有させた金属添加物がＮｉであるこ
とを特徴としている。
【００１３】 また、本発明のレジストパターンの形成
方法は、前記基板の材料がＬｉＴａＯ 3 であり、前記反
射防止膜の材料の屈折率ｎ 2 が１．２以上４．６以下で
あることを特徴としている。
方法は、前記基板の材料がＬｉＴａＯ 3 であり、前記反
射防止膜の材料の屈折率ｎ 2 が１．２以上４．６以下で
あることを特徴としている。
【００１４】 また、本発明のレジストパターンの形成
方法は、前記基板の材料がＬｉＮｂＯ 3 であり、前記反
射防止膜の材料の屈折率ｎ 2 が１．０以上４．０以下で
あることを特徴としている。
方法は、前記基板の材料がＬｉＮｂＯ 3 であり、前記反
射防止膜の材料の屈折率ｎ 2 が１．０以上４．０以下で
あることを特徴としている。
【００１５】 本発明の特定の場面では、前記紫外光の
波長が３６５ｎｍであることを特徴としている。
波長が３６５ｎｍであることを特徴としている。
【００１６】また、本発明のレジストパターンの形成方
法は、基板の裏面を鏡面加工したことを特徴としてい
る。
法は、基板の裏面を鏡面加工したことを特徴としてい
る。
【００１７】また、本発明のレジストパターンの形成方
法は、前記裏面を鏡面加工した基板の裏面の粗さＲａが
５０ｎｍ以下であることを特徴としている。
法は、前記裏面を鏡面加工した基板の裏面の粗さＲａが
５０ｎｍ以下であることを特徴としている。
【００１８】また、本発明のレジストパターンの形成方
法は、現像液がアルカリ性であることを特徴としてい
る。
法は、現像液がアルカリ性であることを特徴としてい
る。
【００１９】また、本発明のレジストパターンの形成方
法は、反射防止膜が、０．０５μｍから２μｍの範囲の
膜厚で基板裏面に形成されていることを特徴としてい
る。
法は、反射防止膜が、０．０５μｍから２μｍの範囲の
膜厚で基板裏面に形成されていることを特徴としてい
る。
【００２０】 本発明のレジストパターンの形成方法に
よれば、基板裏面に設けた反射防止膜をＺｎＯ、ＺｎＳ
ｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳｅ、ＣｄＳ、ＣｄＴｅなどで形成
し、この反射防止膜が、基板の材料の屈折率をｎ1、反
射防止膜の材料の屈折率ｎ2としたときに、（ｎ1−
ｎ2）2／（ｎ1＋ｎ2）2と表わされる反射率を０．１５
以下になるような屈折率を有し、かつ３．４ｅＶ以下の
バンドギャップエネルギーを有する半導体の無機膜とす
ることで、ステッパーのステージを汚すことなく、ま
た、反射防止膜を２層以上にすることなく、紫外光が乱
反射するのを防止し、微細なレジストパターンを形成す
ることができる。また、レジスト倒れなどの問題も防ぐ
ことができるため、信頼性の高いレジストパターンを形
成することができる。
よれば、基板裏面に設けた反射防止膜をＺｎＯ、ＺｎＳ
ｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳｅ、ＣｄＳ、ＣｄＴｅなどで形成
し、この反射防止膜が、基板の材料の屈折率をｎ1、反
射防止膜の材料の屈折率ｎ2としたときに、（ｎ1−
ｎ2）2／（ｎ1＋ｎ2）2と表わされる反射率を０．１５
以下になるような屈折率を有し、かつ３．４ｅＶ以下の
バンドギャップエネルギーを有する半導体の無機膜とす
ることで、ステッパーのステージを汚すことなく、ま
た、反射防止膜を２層以上にすることなく、紫外光が乱
反射するのを防止し、微細なレジストパターンを形成す
ることができる。また、レジスト倒れなどの問題も防ぐ
ことができるため、信頼性の高いレジストパターンを形
成することができる。
【００２１】また、本発明の別の発明は、本発明のレジ
ストパターンの形成方法を用いて、レジストパターンを
形成する工程と、部分的に露出した基板表面と、レジス
トパターン上とに、金属を成膜する工程と、レジストパ
ターンを、その上に成膜された金属と一括して除去する
工程と、を含むことを特徴とする電極パターンの形成方
法である。
ストパターンの形成方法を用いて、レジストパターンを
形成する工程と、部分的に露出した基板表面と、レジス
トパターン上とに、金属を成膜する工程と、レジストパ
ターンを、その上に成膜された金属と一括して除去する
工程と、を含むことを特徴とする電極パターンの形成方
法である。
【００２２】本発明の電極パターンの形成方法によれ
ば、微細なレジストパターンを形成しても、レジストパ
ターンの幅が狭くなり、レジストパターンの一部が現像
し除去されてしまう不具合やレジスト倒れなどの不具合
が起こらないため、微細で、かつ、信頼性の高い電極パ
ターンを形成することができる。
ば、微細なレジストパターンを形成しても、レジストパ
ターンの幅が狭くなり、レジストパターンの一部が現像
し除去されてしまう不具合やレジスト倒れなどの不具合
が起こらないため、微細で、かつ、信頼性の高い電極パ
ターンを形成することができる。
【００２３】また、本発明のさらに別の発明は、本発明
のレジストパターンの形成方法、または電極パターンの
形成方法を用いた弾性表面波装置の製造方法である。本
発明の弾性表面波装置の製造方法によれば、微細なレジ
ストパターンを形成しても、レジストパターンの一部が
現像し除去されてしまう不具合やレジスト倒れなどの不
具合が起こらないため、微細で、かつ、信頼性の高い電
極パターンを形成することができるので、特に１ＧＨｚ
以上の周波数帯に用いる弾性表面波装置の特性の向上さ
せるとともに、製造工程での良品率の向上を図ることが
できる。
のレジストパターンの形成方法、または電極パターンの
形成方法を用いた弾性表面波装置の製造方法である。本
発明の弾性表面波装置の製造方法によれば、微細なレジ
ストパターンを形成しても、レジストパターンの一部が
現像し除去されてしまう不具合やレジスト倒れなどの不
具合が起こらないため、微細で、かつ、信頼性の高い電
極パターンを形成することができるので、特に１ＧＨｚ
以上の周波数帯に用いる弾性表面波装置の特性の向上さ
せるとともに、製造工程での良品率の向上を図ることが
できる。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、本発明のレジストパターン
の形成方法の第１実施例を、図２を用いて説明する。図
２は、第１実施例のレジストパターンの形成方法を示す
図である。まず、図２（ａ）に示すように、厚み０．１
から０．５ｍｍの例えばＬｉＴａＯ3からなる透明基板
である基板１の裏面に膜厚０．５μｍのＺｎＯからなる
反射防止膜２をイオンプレーティング、あるいはスパッ
タリングで形成する。次に、基板１表面上にポジレジス
トであるフォトレジスト３を塗布し、１００℃程度の熱
を加えて硬化させる。
の形成方法の第１実施例を、図２を用いて説明する。図
２は、第１実施例のレジストパターンの形成方法を示す
図である。まず、図２（ａ）に示すように、厚み０．１
から０．５ｍｍの例えばＬｉＴａＯ3からなる透明基板
である基板１の裏面に膜厚０．５μｍのＺｎＯからなる
反射防止膜２をイオンプレーティング、あるいはスパッ
タリングで形成する。次に、基板１表面上にポジレジス
トであるフォトレジスト３を塗布し、１００℃程度の熱
を加えて硬化させる。
【００２５】次に、図２（ｂ）に示すように、所望の形
状に孔が設けられたフォトマスク１０を介して、波長３
６５ｎｍの紫外光を基板１表面の上方向から露光する。
こうすることで、部分的にフォトレジスト３をアルカリ
性現像液に対して可溶性に変化させることができる。な
お、ここで用いられるフォトレジスト３は、できるだけ
高感度のものを用いるのが好ましい。
状に孔が設けられたフォトマスク１０を介して、波長３
６５ｎｍの紫外光を基板１表面の上方向から露光する。
こうすることで、部分的にフォトレジスト３をアルカリ
性現像液に対して可溶性に変化させることができる。な
お、ここで用いられるフォトレジスト３は、できるだけ
高感度のものを用いるのが好ましい。
【００２６】次に、図２（ｃ）に示すように、アルカリ
性現像液で現像を行うことで露光された部分のフォトレ
ジスト３を除去し、レジストパターン４を形成する。こ
の時現像液はアルカリ性であるため、アルカリ性に対し
て可溶であるＺｎＯからなる反応防止膜２は、溶けて同
時に除去される。
性現像液で現像を行うことで露光された部分のフォトレ
ジスト３を除去し、レジストパターン４を形成する。こ
の時現像液はアルカリ性であるため、アルカリ性に対し
て可溶であるＺｎＯからなる反応防止膜２は、溶けて同
時に除去される。
【００２７】ここで、紫外光は、基板１裏面の反射防止
膜２に達する。波長３６５ｎｍの紫外光を用いる場合、
紫外光のエネルギーは、約３．４ｅＶである。一般に半
導体に光が照射されるとき、半導体の有するバンドギャ
ップエネルギーが光のエネルギーより小さければ小さい
ほど、その半導体は光のエネルギーを吸収しやすくなる
という特性を有している。反射防止膜２であるＺｎＯの
有するバンドギャップエネルギーは約３．２ｅＶである
ので、十分に紫外光を吸収し、不所望な部分への紫外光
の乱反射を防止することができる。さらに、基板の材料
がＬｉＴａＯ3であり、かつ反射防止膜２の材料がＺｎ
Ｏであるため、基板１と反射防止膜２の屈折率の関係で
反射を抑えることができる。
膜２に達する。波長３６５ｎｍの紫外光を用いる場合、
紫外光のエネルギーは、約３．４ｅＶである。一般に半
導体に光が照射されるとき、半導体の有するバンドギャ
ップエネルギーが光のエネルギーより小さければ小さい
ほど、その半導体は光のエネルギーを吸収しやすくなる
という特性を有している。反射防止膜２であるＺｎＯの
有するバンドギャップエネルギーは約３．２ｅＶである
ので、十分に紫外光を吸収し、不所望な部分への紫外光
の乱反射を防止することができる。さらに、基板の材料
がＬｉＴａＯ3であり、かつ反射防止膜２の材料がＺｎ
Ｏであるため、基板１と反射防止膜２の屈折率の関係で
反射を抑えることができる。
【００２８】すなわち、基板１の材料の屈折率をｎ1、
反射防止膜２の材料の屈折率ｎ2としたときに、反射率
ｒ＝（ｎ1−ｎ2）2／（ｎ1＋ｎ2）2と表わされる。ここ
で、基板１の材料がＬｉＴａＯ3（屈折率２．３）であ
るときに、反射防止膜２の材料の屈折率が変化した場
合、基板１と反射防止膜２の接合面での反射率を図３に
示す。
反射防止膜２の材料の屈折率ｎ2としたときに、反射率
ｒ＝（ｎ1−ｎ2）2／（ｎ1＋ｎ2）2と表わされる。ここ
で、基板１の材料がＬｉＴａＯ3（屈折率２．３）であ
るときに、反射防止膜２の材料の屈折率が変化した場
合、基板１と反射防止膜２の接合面での反射率を図３に
示す。
【００２９】図３に示すように、反射防止膜２の屈折率
がＬｉＴａＯ3の屈折率２．３に近づくにつれて反射率
が小さくなっていることがわかる。ここで、基板１と反
射防止膜２の接合面での反射率が１５．０％以下に抑え
られる場合には、実用上問題ない程度に反射を抑えるこ
とができる。さらに、好ましくは基板１と反射防止膜２
の接合面での反射率が１０．０％程度以下にすることが
望ましいので、反射防止膜２に用いる材料の屈折率は、
１．２以上４．６以下であることが必要である。このよ
うな材料としては、ＺｎＯ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、Ｃｄ
Ｓｅ、ＣｄＳ、ＣｄＴｅ、ＴｉＯ（０＜ｘ≦２）のいず
れかの材料を用いることが望ましい。本実施例において
は、反射防止膜の材料がＺｎＯ（屈折率３）であるた
め、基板と反射防止膜の接合面での反射率が１．７％と
非常に小さい反射率に抑えることができる。
がＬｉＴａＯ3の屈折率２．３に近づくにつれて反射率
が小さくなっていることがわかる。ここで、基板１と反
射防止膜２の接合面での反射率が１５．０％以下に抑え
られる場合には、実用上問題ない程度に反射を抑えるこ
とができる。さらに、好ましくは基板１と反射防止膜２
の接合面での反射率が１０．０％程度以下にすることが
望ましいので、反射防止膜２に用いる材料の屈折率は、
１．２以上４．６以下であることが必要である。このよ
うな材料としては、ＺｎＯ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、Ｃｄ
Ｓｅ、ＣｄＳ、ＣｄＴｅ、ＴｉＯ（０＜ｘ≦２）のいず
れかの材料を用いることが望ましい。本実施例において
は、反射防止膜の材料がＺｎＯ（屈折率３）であるた
め、基板と反射防止膜の接合面での反射率が１．７％と
非常に小さい反射率に抑えることができる。
【００３０】また、このような基板１と反射防止膜２の
接合面での反射率の関係は、基板１の材料がＬｉＴａＯ
3であるとき以外にも適用できる。例えば、基板の材料
がＬｉＮｂＯ3（屈折率２．０）である場合、図４に示
すように、反射防止膜２の屈折率がＬｉＮｂＯ3の屈折
率２．０に近づくにつれて反射率が小さくなっているこ
とがわかる。このため、基板１の材料にＬｉＴａＯ3を
用いたときと同様に、基板１と反射防止膜２の接合面で
の反射率が１５．０％以下に抑えられる反射防止膜２の
材料を選択するすれば良い。ここで、好ましくは基板１
と反射防止膜２の接合面での反射率が１０．０％程度以
下にすることが望ましいので、反射防止膜２に用いる材
料の屈折率は、１．０以上４．０以下であることが必要
である。このような材料としては、基板１の材料にＬｉ
ＴａＯ3を用いたときと同様に、ＺｎＯ、ＺｎＳｅ、Ｚ
ｎＴｅ、ＣｄＳｅ、ＣｄＳ、ＣｄＴｅ、ＴｉＯ（０＜ｘ
≦２）のいずれかの材料を用いることが望ましい。
接合面での反射率の関係は、基板１の材料がＬｉＴａＯ
3であるとき以外にも適用できる。例えば、基板の材料
がＬｉＮｂＯ3（屈折率２．０）である場合、図４に示
すように、反射防止膜２の屈折率がＬｉＮｂＯ3の屈折
率２．０に近づくにつれて反射率が小さくなっているこ
とがわかる。このため、基板１の材料にＬｉＴａＯ3を
用いたときと同様に、基板１と反射防止膜２の接合面で
の反射率が１５．０％以下に抑えられる反射防止膜２の
材料を選択するすれば良い。ここで、好ましくは基板１
と反射防止膜２の接合面での反射率が１０．０％程度以
下にすることが望ましいので、反射防止膜２に用いる材
料の屈折率は、１．０以上４．０以下であることが必要
である。このような材料としては、基板１の材料にＬｉ
ＴａＯ3を用いたときと同様に、ＺｎＯ、ＺｎＳｅ、Ｚ
ｎＴｅ、ＣｄＳｅ、ＣｄＳ、ＣｄＴｅ、ＴｉＯ（０＜ｘ
≦２）のいずれかの材料を用いることが望ましい。
【００３１】以上のレジストパターンの一連の工程にお
いて、ＺｎＯは無機物であるため、ステッパ−のステー
ジを汚すことはない。したがって、ステージのフラット
ネスが悪化し、露光に悪影響を与えることはない。さら
に、有機高分子材料を用いたときと比べてベーキング温
度が低温でよいため、焦電性の基板を用いても、帯電は
問題ないレベルである。また、透明基板である基板１は
一般に絶縁体であるが、これよりも半導体であるＺｎＯ
の方が大きな電気伝導率を有するのでレジストベーキン
グ工程で生じた静電気を基板外に効率的に逃がすことが
できる。したがって、導伝膜を設ける必要もない。
いて、ＺｎＯは無機物であるため、ステッパ−のステー
ジを汚すことはない。したがって、ステージのフラット
ネスが悪化し、露光に悪影響を与えることはない。さら
に、有機高分子材料を用いたときと比べてベーキング温
度が低温でよいため、焦電性の基板を用いても、帯電は
問題ないレベルである。また、透明基板である基板１は
一般に絶縁体であるが、これよりも半導体であるＺｎＯ
の方が大きな電気伝導率を有するのでレジストベーキン
グ工程で生じた静電気を基板外に効率的に逃がすことが
できる。したがって、導伝膜を設ける必要もない。
【００３２】本実施例では反応防止膜２として、ＺｎＯ
からなるものを用いたが、例えば、ＺｎＯに、２％のＮ
ｉを添加物として含有させたものを用いることができ
る。反応防止膜２として、ＺｎＯにＮｉを少量含有させ
たものを用いることにより、バンドギャップエネルギー
が低下し、さらに紫外線の吸収効率を向上させることが
できる。また、この場合、反射防止膜２の電気抵抗も低
下するので、レジストベーキングの工程で発生した静電
気をさらに効率的に基板外に逃がすことができる。
からなるものを用いたが、例えば、ＺｎＯに、２％のＮ
ｉを添加物として含有させたものを用いることができ
る。反応防止膜２として、ＺｎＯにＮｉを少量含有させ
たものを用いることにより、バンドギャップエネルギー
が低下し、さらに紫外線の吸収効率を向上させることが
できる。また、この場合、反射防止膜２の電気抵抗も低
下するので、レジストベーキングの工程で発生した静電
気をさらに効率的に基板外に逃がすことができる。
【００３３】ここで、反射防止膜２の好ましい膜厚につ
いて説明する。反射防止膜２の膜厚が薄すぎると反射防
止の効果を十分に発揮できなくなる。このため反射防止
膜２の膜厚は少なくとも０．０５μｍ以上であることが
好ましい。また、膜厚が０．３μｍ以上厚ければ、反射
防止効果は変わらないが、約２μｍ程度まで厚くなると
膜の応力が大きくなり、基板割れなどを引き起こす可能
性がある。そのため、０．５μｍ程度に設定しておけ
ば、微小な膜厚調整の必要がなく、また十分な反射防止
効果を有するので好ましい。
いて説明する。反射防止膜２の膜厚が薄すぎると反射防
止の効果を十分に発揮できなくなる。このため反射防止
膜２の膜厚は少なくとも０．０５μｍ以上であることが
好ましい。また、膜厚が０．３μｍ以上厚ければ、反射
防止効果は変わらないが、約２μｍ程度まで厚くなると
膜の応力が大きくなり、基板割れなどを引き起こす可能
性がある。そのため、０．５μｍ程度に設定しておけ
ば、微小な膜厚調整の必要がなく、また十分な反射防止
効果を有するので好ましい。
【００３４】以下、本発明のレジストパターンの形成方
法の第２実施例を、図５を用いて説明する。図５は、第
２実施例のレジストパターンの形成方法を示す図であ
る。第２実施例のレジストパターンの形成方法と第１実
施例のレジストパターンの形成方法とほとんど同じであ
り、異なる点は、基板の裏面が鏡面に加工されている点
にある。
法の第２実施例を、図５を用いて説明する。図５は、第
２実施例のレジストパターンの形成方法を示す図であ
る。第２実施例のレジストパターンの形成方法と第１実
施例のレジストパターンの形成方法とほとんど同じであ
り、異なる点は、基板の裏面が鏡面に加工されている点
にある。
【００３５】すなわち、図５に示し基板１の裏面は鏡面
加工が施されているため、基板裏面の粗面の凹部の最奥
部に反射防止膜の未成膜部が発生することもないので、
露光光の裏面からの反射を完全に防ぐことができる。こ
れによって、基板裏面が粗面であるものに比べて、さら
にレジストパターンの精度の向上を図ることができる。
具体的には、裏面を鏡面加工した基板の裏面の粗さＲａ
を５０ｎｍ以下にすることにより、レジストパターンの
精度の向上を十分に行なうことができる。
加工が施されているため、基板裏面の粗面の凹部の最奥
部に反射防止膜の未成膜部が発生することもないので、
露光光の裏面からの反射を完全に防ぐことができる。こ
れによって、基板裏面が粗面であるものに比べて、さら
にレジストパターンの精度の向上を図ることができる。
具体的には、裏面を鏡面加工した基板の裏面の粗さＲａ
を５０ｎｍ以下にすることにより、レジストパターンの
精度の向上を十分に行なうことができる。
【００３６】また、一般に弾性表面波装置などの製造工
程ではウエハ状の基板を用いている。このようなウエハ
状の基板において、ＬＴＶ（Local Thickness Variat
ion）は裏面の粗面の粗さに依存しており、粗さが大き
いほどＬＴＶは大きくなる。ＬＴＶが大きいと、ステッ
パ−露光ショット内で、フォ−カスずれが発生し、レジ
スト線幅加工精度が劣化する。よって、裏面の粗さＲａ
を５０ｎｍ以下にしたＬＴＶが小さい裏面鏡面ウエハを
用いることで、レジスト線幅加工バラツキが低減するこ
とができる。これにより、クオーターミクロンの解像が
可能となった。
程ではウエハ状の基板を用いている。このようなウエハ
状の基板において、ＬＴＶ（Local Thickness Variat
ion）は裏面の粗面の粗さに依存しており、粗さが大き
いほどＬＴＶは大きくなる。ＬＴＶが大きいと、ステッ
パ−露光ショット内で、フォ−カスずれが発生し、レジ
スト線幅加工精度が劣化する。よって、裏面の粗さＲａ
を５０ｎｍ以下にしたＬＴＶが小さい裏面鏡面ウエハを
用いることで、レジスト線幅加工バラツキが低減するこ
とができる。これにより、クオーターミクロンの解像が
可能となった。
【００３７】以下、本発明の電極パターンの形成方法
を、図２（ｃ），図６を用いて説明する。図６は、本発
明の電極パターンの形成方法を示す図である。まず、上
記で示した本発明のレジストパターン形成方法を用い
て、基板表面に図２（ｃ）に示すレジストパターン４を
形成させる。
を、図２（ｃ），図６を用いて説明する。図６は、本発
明の電極パターンの形成方法を示す図である。まず、上
記で示した本発明のレジストパターン形成方法を用い
て、基板表面に図２（ｃ）に示すレジストパターン４を
形成させる。
【００３８】続いて、図５（ａ）に示すように、のちに
電極パターン６を形成する金属膜５を露出した基板１の
表面上と、レジストパターン４上とに成膜する。
電極パターン６を形成する金属膜５を露出した基板１の
表面上と、レジストパターン４上とに成膜する。
【００３９】さらに、図６（ｂ）に示すように、レジス
ト剥離液中に基板１を浸漬することによりレジストパタ
ーン４をレジストパターン４上に成膜された金属ごと一
括して除去し、電極パターン６を形成する。
ト剥離液中に基板１を浸漬することによりレジストパタ
ーン４をレジストパターン４上に成膜された金属ごと一
括して除去し、電極パターン６を形成する。
【００４０】本発明において、ＺｎＯに２％のＮｉを含
有させたものを用いた場合、０．２５μｍまで微小な幅
の電極パターン６を形成することができた。
有させたものを用いた場合、０．２５μｍまで微小な幅
の電極パターン６を形成することができた。
【００４１】なお、基板１として、ＬｉＴａＯ3からな
るものを用いたが、これに限定するものではなく、たと
えばＬｉＮｂＯ3や水晶などの他の透明基板にも適用可
能である。またフォトレジスト３は、ポジ型レジストに
限定されるものではなく場合に応じてネガ型、ポジ型の
いずれも使用することができる。
るものを用いたが、これに限定するものではなく、たと
えばＬｉＮｂＯ3や水晶などの他の透明基板にも適用可
能である。またフォトレジスト３は、ポジ型レジストに
限定されるものではなく場合に応じてネガ型、ポジ型の
いずれも使用することができる。
【００４２】また、本発明のレジストパターンの形成方
法、または電極パターンの形成方法を用いて弾性表面波
装置を製造した場合には、微細なレジストパターンを形
成しても、レジスト倒れなどの不具合が起こらないた
め、微細で、かつ、信頼性の高い弾性表面波装置のＩＤ
Ｔ電極などを形成することができる。さらに、特に非常
に微細なパターンが必要な１ＧＨｚ以上の周波数帯に用
いる弾性表面波装置の特性の向上に有効である。すなわ
ち、１ＧＨｚ以上の周波数帯に用いる弾性表面波装置の
場合には、バルク波が弾性表面波装置の通過帯域内に発
生しないため、基板裏面を粗面にしてバルク波の発生を
抑える必要がなく、基板裏面の鏡面加工したレジストパ
ターンの形成方法、または電極パターンの形成方法を用
いることができるので、このような非常に微細なパター
ンを精度良く形成することができる。したがって、弾性
表面波装置の特性の向上と製造工程での良品率の向上を
図ることができる。
法、または電極パターンの形成方法を用いて弾性表面波
装置を製造した場合には、微細なレジストパターンを形
成しても、レジスト倒れなどの不具合が起こらないた
め、微細で、かつ、信頼性の高い弾性表面波装置のＩＤ
Ｔ電極などを形成することができる。さらに、特に非常
に微細なパターンが必要な１ＧＨｚ以上の周波数帯に用
いる弾性表面波装置の特性の向上に有効である。すなわ
ち、１ＧＨｚ以上の周波数帯に用いる弾性表面波装置の
場合には、バルク波が弾性表面波装置の通過帯域内に発
生しないため、基板裏面を粗面にしてバルク波の発生を
抑える必要がなく、基板裏面の鏡面加工したレジストパ
ターンの形成方法、または電極パターンの形成方法を用
いることができるので、このような非常に微細なパター
ンを精度良く形成することができる。したがって、弾性
表面波装置の特性の向上と製造工程での良品率の向上を
図ることができる。
【００４３】
【発明の効果】以上に説明したように本発明のレジスト
パターンの形成方法によれば、基板裏面に設けた反射防
止膜をＺｎＯ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳｅ、Ｃｄ
Ｓ、ＣｄＴｅなどで形成し、この反射防止膜が、基板の
材料の屈折率をｎ1、反射防止膜の材料の屈折率ｎ2とし
たときに、（ｎ1−ｎ2）2／（ｎ1＋ｎ2）2と表わされる
反射率が、０．１５以下である関係を有し、かつ３．４
ｅＶ以下のバンドギャップエネルギーを有する半導体の
無機膜とすることで、ステッパ−のステージを汚すこと
なく、また、反射防止膜を２層以上にすることなく、紫
外光が乱反射するのを防止し、微細なレジストパターン
を形成することができる。また、レジスト倒れなどの問
題も防ぐことができるため、信頼性の高いレジストパタ
ーンを形成することができる。
パターンの形成方法によれば、基板裏面に設けた反射防
止膜をＺｎＯ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳｅ、Ｃｄ
Ｓ、ＣｄＴｅなどで形成し、この反射防止膜が、基板の
材料の屈折率をｎ1、反射防止膜の材料の屈折率ｎ2とし
たときに、（ｎ1−ｎ2）2／（ｎ1＋ｎ2）2と表わされる
反射率が、０．１５以下である関係を有し、かつ３．４
ｅＶ以下のバンドギャップエネルギーを有する半導体の
無機膜とすることで、ステッパ−のステージを汚すこと
なく、また、反射防止膜を２層以上にすることなく、紫
外光が乱反射するのを防止し、微細なレジストパターン
を形成することができる。また、レジスト倒れなどの問
題も防ぐことができるため、信頼性の高いレジストパタ
ーンを形成することができる。
【００４４】また、本発明の電極パターンの形成方法に
よれば、微細なレジストパターンを形成しても、レジス
ト倒れなどの不具合が起こらないため、微細で、かつ、
信頼性の高い電極パターンを形成することができる。
よれば、微細なレジストパターンを形成しても、レジス
ト倒れなどの不具合が起こらないため、微細で、かつ、
信頼性の高い電極パターンを形成することができる。
【００４５】また、本発明のレジストパターンの形成方
法、または電極パターンの形成方法を用いて弾性表面波
装置を製造した場合には、微細なレジストパターンを形
成しても、レジスト倒れなどの不具合が起こらないた
め、微細で、かつ、信頼性の高い弾性表面波装置のＩＤ
Ｔ電極などを形成することができ、特に非常に微細なパ
ターンが必要な１ＧＨｚ以上の周波数帯に用いる弾性表
面波装置の特性の向上と製造工程での良品率の向上を図
ることができる。
法、または電極パターンの形成方法を用いて弾性表面波
装置を製造した場合には、微細なレジストパターンを形
成しても、レジスト倒れなどの不具合が起こらないた
め、微細で、かつ、信頼性の高い弾性表面波装置のＩＤ
Ｔ電極などを形成することができ、特に非常に微細なパ
ターンが必要な１ＧＨｚ以上の周波数帯に用いる弾性表
面波装置の特性の向上と製造工程での良品率の向上を図
ることができる。
【図１】従来のレジストパターンの形成方法を示す図で
ある。
ある。
【図２】本発明のレジストパターンの形成方法を示す図
である。
である。
【図３】基板の材料がＬｉＴａＯ3（屈折率２．３）で
あるときに、反射防止膜の材料の屈折率が変化した場
合、基板と反射防止膜の接合面での反射率。
あるときに、反射防止膜の材料の屈折率が変化した場
合、基板と反射防止膜の接合面での反射率。
【図４】基板の材料がＬｉＮｂＯ3（屈折率２．０）で
あるときに、反射防止膜の材料の屈折率が変化した場
合、基板と反射防止膜の接合面での反射率。
あるときに、反射防止膜の材料の屈折率が変化した場
合、基板と反射防止膜の接合面での反射率。
【図５】基板の裏面が鏡面加工された基板を用いた本発
明のレジストパターンの形成方法を示す図である。
明のレジストパターンの形成方法を示す図である。
【図６】本発明の電極パターンの形成方法を示す図であ
る。
る。
１ 基板
２ 反応防止膜
３ フォトレジスト
４ レジストパターン
５ 金属膜
６ 電極パターン
１０ フォトマスク
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開2000−299617（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−121371（ＪＰ，Ａ)
特開2000−106343（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/027
G03F 7/11
Claims (12)
- 【請求項１】基板表面にフォトレジストからなるレジス
トパターンを形成するレジストパターンの形成方法であ
って、 ３．４ｅＶ以下のバンドギャップエネルギーを有する半
導体からなる反射防止膜であり、かつ前記基板の材料の
屈折率をｎ1、前記反射防止膜の材料の屈折率ｎ2とした
ときに、（ｎ1−ｎ2）2／（ｎ1＋ｎ2）2と表わされる反
射率が、０．１５以下である関係を有する反射防止膜を
基板裏面に形成する工程と、 基板表面にフォトレジストを形成する工程と、 フォトレジストに対し、フォトレジストの上方向からフ
ォトマスクを介して紫外光を露光し、部分的にフォトレ
ジストを現像液に対して可溶性に変化させる工程と、 基板を現像液に浸漬することにより、現像液に対して可
溶性に変化させたフォトレジストを現像除去すること
で、レジストパターンを形成する工程と、を含み、 前記反射防止膜の材料がＺｎＯ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、
ＣｄＳｅ、ＣｄＳ、ＣｄＴｅのいずれかであることを特
徴とするレジストパターンの形成方法。 - 【請求項２】基板表面にフォトレジストからなるレジス
トパターンを形成するレジストパターンの形成方法であ
って、 ３．４ｅＶ以下のバンドギャップエネルギーを有する半
導体からなる反射防止膜であり、かつ前記基板の材料の
屈折率をｎ1、前記反射防止膜の材料の屈折率ｎ2とした
ときに、（ｎ1−ｎ2）2／（ｎ1＋ｎ2）2と表わされる反
射率が、０．１５以下である関係を有する反射防止膜を
基板裏面に形成する工程と、 基板表面にフォトレジストを形成する工程と、 フォトレジストに対し、フォトレジストの上方向からフ
ォトマスクを介して紫外光を露光し、部分的にフォトレ
ジストを現像液に対して可溶性に変化させる工程と、 基板を現像液に浸漬することにより、現像液に対して可
溶性に変化させたフォトレジストを現像除去すること
で、レジストパターンを形成する工程と、を含み、 前記反射防止膜がＺｎＯまたは、ＺｎＯに金属添加物を
含有させたものであることを特徴とするレジストパター
ンの形成方法。 - 【請求項３】ＺｎＯに含有させた金属添加物がＮｉであ
ることを特徴とする請求項２に記載のレジストパターン
の形成方法。 - 【請求項４】前記基板の材料がＬｉＴａＯ3であり、前
記反射防止膜の材料の屈折率ｎ2が１．２以上４．６以
下であることを特徴とする、請求項１から請求項３のい
ずれかに記載のレジストパターンの形成方法。 - 【請求項５】前記基板の材料がＬｉＮｂＯ3であり、前
記反射防止膜の材料の屈折率ｎ2が１．０以上４．０以
下であることを特徴とする、請求項１から請求項３のい
ずれかに記載のレジストパターンの形成方法。 - 【請求項６】前記紫外光の波長が３６５ｎｍであること
を特徴とする、請求項１から請求項５のいずれかに記載
のレジストパターンの形成方法。 - 【請求項７】前記基板の裏面を鏡面加工したことを特徴
とする請求項１から請求項６に記載のレジストパターン
の形成方法。 - 【請求項８】前記裏面を鏡面加工した基板の裏面の粗さ
Ｒａが５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項７に
記載のレジストパターンの形成方法。 - 【請求項９】現像液がアルカリ性であることを特徴とす
る請求項１から請求項８のいずれかに記載のレジストパ
ターンの形成方法。 - 【請求項１０】前記反射防止膜が０．０５μｍから２μ
ｍの範囲の膜厚で基板裏面に形成されていることを特徴
とする請求項１から請求項９のいずれかに記載のレジス
トパターンの形成方法。 - 【請求項１１】請求項１から請求項１０のいずれかに記
載のレジストパターンの形成方法を用いて、レジストパ
ターンを形成する工程と、 部分的に露出した基板表面と、レジストパターン上と
に、金属を成膜する工程と、 レジストパターンを、その上に成膜された金属と一括し
て除去する工程と、を含むことを特徴とする電極パター
ンの形成方法。 - 【請求項１２】請求項１から請求項１０のいずれかに記
載のレジストパターンの形成方法、または請求項１１に
記載の電極パターンの形成方法を用いた弾性表面波装置
の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001358014A JP3489576B2 (ja) | 2001-01-12 | 2001-11-22 | レジストパターンの形成方法、電極パターンの形成方法および弾性表面波装置の製造方法 |
| US10/041,214 US6821712B2 (en) | 2001-01-12 | 2002-01-07 | Methods of forming resist pattern, forming electrode pattern, and manufacturing surface acoustic wave device |
| DE10200703.9A DE10200703B4 (de) | 2001-01-12 | 2002-01-10 | Verfahren zum Bilden einer Resiststruktur und dessen Verwendung zum Bilden einer Elektrodenstruktur und zum Herstellen eines akustischen Oberflächenwellenbauelements |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001-5642 | 2001-01-12 | ||
| JP2001005642 | 2001-01-12 | ||
| JP2001358014A JP3489576B2 (ja) | 2001-01-12 | 2001-11-22 | レジストパターンの形成方法、電極パターンの形成方法および弾性表面波装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002280297A JP2002280297A (ja) | 2002-09-27 |
| JP3489576B2 true JP3489576B2 (ja) | 2004-01-19 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001358014A Expired - Fee Related JP3489576B2 (ja) | 2001-01-12 | 2001-11-22 | レジストパターンの形成方法、電極パターンの形成方法および弾性表面波装置の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6821712B2 (ja) |
| JP (1) | JP3489576B2 (ja) |
| DE (1) | DE10200703B4 (ja) |
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| FR2883621B1 (fr) * | 2005-03-25 | 2008-09-26 | Staubli Faverges Sca | Dispositif de protection contre une surpression et sous-ensemble de raccordement en comportant application |
| KR100676520B1 (ko) * | 2005-10-24 | 2007-02-01 | 삼성전자주식회사 | 포토레지스트 패턴 형성 방법 |
| JP5068511B2 (ja) * | 2006-11-07 | 2012-11-07 | 信越化学工業株式会社 | 弾性表面波素子の製造方法 |
| US20110287365A1 (en) * | 2010-05-19 | 2011-11-24 | Oliver Piestert | Lithographic printing plate precursors |
| TWI458674B (zh) * | 2012-08-30 | 2014-11-01 | Univ Nat Taiwan | 製作筆直氧化鋅微奈米柱之方法與其應用 |
| DE102017009670A1 (de) * | 2017-10-13 | 2019-04-18 | Fte Automotive Gmbh | Stellvorrichtung für die Betätigung einer Schaltstange eines Schaltgetriebes |
| US11394364B2 (en) | 2019-02-15 | 2022-07-19 | Skyworks Solutions, Inc. | Acoustic wave device with anti-reflection layer |
| US20210098724A1 (en) * | 2019-10-01 | 2021-04-01 | Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University | Thin film transistor |
| CN113726302A (zh) * | 2021-07-28 | 2021-11-30 | 厦门市三安集成电路有限公司 | 一种声表面波滤波器的叉指换能器的制作方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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