JPS63178615A - 弾性表面波素子の製造方法 - Google Patents
弾性表面波素子の製造方法Info
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- JPS63178615A JPS63178615A JP899987A JP899987A JPS63178615A JP S63178615 A JPS63178615 A JP S63178615A JP 899987 A JP899987 A JP 899987A JP 899987 A JP899987 A JP 899987A JP S63178615 A JPS63178615 A JP S63178615A
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Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＬｉ、Ｂ、０７単結晶基板を用いた弾性表面波
素子の製造方法に関するものであり、詳細には弾性表面
波励振用電極を形成する際の現像、バクーンエッチング
工程およびグイシング工程などにおいて上記基板が水、
アルカリ、酸などによって不要に腐食されることを防止
する方法に関するものである。
素子の製造方法に関するものであり、詳細には弾性表面
波励振用電極を形成する際の現像、バクーンエッチング
工程およびグイシング工程などにおいて上記基板が水、
アルカリ、酸などによって不要に腐食されることを防止
する方法に関するものである。
弾性表面波素子に使用される圧電基板材料には、遅延時
間温度係数（ＴＣＤ）が小さく、かつ電気機械結合係数
（Ｋ ”）が大きいという性能が必要とされる。
間温度係数（ＴＣＤ）が小さく、かつ電気機械結合係数
（Ｋ ”）が大きいという性能が必要とされる。
従来より弾性表面波素子用基板として、ＳＴカット水晶
、Ｌ ｉＮ ｂｏ ａ、Ｌ ｉ Ｔ ａｏ ３などの材
料が使用されてきた。
、Ｌ ｉＮ ｂｏ ａ、Ｌ ｉ Ｔ ａｏ ３などの材
料が使用されてきた。
しかし、弾性表面波素子が高性能化、高周波化するに伴
い、ＴＣＤが零でに２が前記材料より大きい基板材料が
要求されており、この要求を満たすものとしてＬ ｉｔ
Ｂ ４０ ？単結晶基板が注目されている。
い、ＴＣＤが零でに２が前記材料より大きい基板材料が
要求されており、この要求を満たすものとしてＬ ｉｔ
Ｂ ４０ ？単結晶基板が注目されている。
弾性表面波素子の特性は、表面波の伝搬ロスおよび動作
中に発生する不要波などによって決まる。
中に発生する不要波などによって決まる。
そのため、上記素子表面は表面波の伝搬ロスが小さく抑
えられるように平滑であり、一方上記素子裏面は動作中
に発生するバルク波等が裏面に反射してスプリアスとな
って周波数特性を悪くするのを防ぐために研摩粉等によ
って粗面加工が施されている。
えられるように平滑であり、一方上記素子裏面は動作中
に発生するバルク波等が裏面に反射してスプリアスとな
って周波数特性を悪くするのを防ぐために研摩粉等によ
って粗面加工が施されている。
また、弾性表面波素子は、下記のように製造される。ま
ず、表面が平滑で、裏面が粗面加工されたＬ １２８
、ｏ ？単結晶基板上に電極用金属を蒸着して、金属薄
膜を形成する。次に、この金属Ｈ膜上にフォトレジスト
を塗布して露光し、現像して７Ｆｉ極パターンを形成す
る。更に、この電極パターンに基づいて上記金属薄膜の
パターンエツチングを行ない、複数の弾性表面波電極を
形成して、上記基板上に複数の弾性表面波素子部を形成
する。
ず、表面が平滑で、裏面が粗面加工されたＬ １２８
、ｏ ？単結晶基板上に電極用金属を蒸着して、金属薄
膜を形成する。次に、この金属Ｈ膜上にフォトレジスト
を塗布して露光し、現像して７Ｆｉ極パターンを形成す
る。更に、この電極パターンに基づいて上記金属薄膜の
パターンエツチングを行ない、複数の弾性表面波電極を
形成して、上記基板上に複数の弾性表面波素子部を形成
する。
これらの複数の弾性表面波素子部をダイアモンドカッタ
ー等により個々の弾性表面波素子に分離して（ダイシン
グ）弾性表面波素子が製造される。
ー等により個々の弾性表面波素子に分離して（ダイシン
グ）弾性表面波素子が製造される。
このような製造工程のうち、例えば現像工程やパターン
ウエットエッヂング工程には酸、アルカリが使用され、
グイシング工程には冷却用として水が使用される。
ウエットエッヂング工程には酸、アルカリが使用され、
グイシング工程には冷却用として水が使用される。
ところが、Ｌ ＩｔＢ 、０ ？単結晶基板は、水、酸
、アルカリに溶解する性質があり、上記の製造工程にお
いて上記基板表面および裏面が腐食され、表面が粗面化
し、裏面が平滑化して所望の電気的特性が得られなくな
ってしまう。
、アルカリに溶解する性質があり、上記の製造工程にお
いて上記基板表面および裏面が腐食され、表面が粗面化
し、裏面が平滑化して所望の電気的特性が得られなくな
ってしまう。
このように、Ｌ ｌ ｔ Ｂ ４０７単結晶基板は弾性
表面波素子用基板として存利な特性を有しているＪこら
かかわらず、酸、アルカリ、水によって不要な部分まで
腐食されてしまうため、実用化の障害になっている。
表面波素子用基板として存利な特性を有しているＪこら
かかわらず、酸、アルカリ、水によって不要な部分まで
腐食されてしまうため、実用化の障害になっている。
そこで本発明は、かかる従来の問題点を解決すべく提案
されたしのであって、酸、アルカリ、水を使用した製造
工程においても上記基板にダメージを与えることのない
Ｌ ｆｔＢ ４０ ？単結晶基板を用いた弾性表面波素
子の製造方法を提供することを目的とする。
されたしのであって、酸、アルカリ、水を使用した製造
工程においても上記基板にダメージを与えることのない
Ｌ ｆｔＢ ４０ ？単結晶基板を用いた弾性表面波素
子の製造方法を提供することを目的とする。
本発明者は、かかる目的を達成せんものと鋭意研究の結
果、Ｌ ｉｔＢ 、０７単結晶基板の表面および裏面を
保護膜で被覆した後、酸、アルカリ、水等を使用する工
程に至ることによって、酸、アルカリ、水等による上記
基板の不要な腐食を防止し、所望の電気的特性を得るに
至ったものである。
果、Ｌ ｉｔＢ 、０７単結晶基板の表面および裏面を
保護膜で被覆した後、酸、アルカリ、水等を使用する工
程に至ることによって、酸、アルカリ、水等による上記
基板の不要な腐食を防止し、所望の電気的特性を得るに
至ったものである。
本発明は、かかる知見に基づいて完成されたものであっ
て、上記保護膜は酸、アルカリ、水等によって溶解され
ることがなく、Ｌ ｉｔＢ 、０−ｒ単結晶基板を腐食
させることがなく、かつ除去し易い性質を有するもので
、合成樹脂、石油系パラフィン、天然樹脂、天然ワック
スなどが使用可能であり、例えばヘキスト製のポリエチ
レンワックス（商品名）、日本石油製のパラフィンワッ
クス （商品名）、日立化成製のＲＡＹＣＡＳＴ Ｒ
Ｄ−２００ＯＮ（商品名）などが挙げられる。
て、上記保護膜は酸、アルカリ、水等によって溶解され
ることがなく、Ｌ ｉｔＢ 、０−ｒ単結晶基板を腐食
させることがなく、かつ除去し易い性質を有するもので
、合成樹脂、石油系パラフィン、天然樹脂、天然ワック
スなどが使用可能であり、例えばヘキスト製のポリエチ
レンワックス（商品名）、日本石油製のパラフィンワッ
クス （商品名）、日立化成製のＲＡＹＣＡＳＴ Ｒ
Ｄ−２００ＯＮ（商品名）などが挙げられる。
ここで、上記保護膜の膜厚は、形成物質および形成方法
により異なるが、ＬｌｚＢａ○７単結晶基板を完全に覆
うことが可能で、かつグイシング後除去か容易な膜厚で
ある１０００人〜５００μ程度が望ましい。
により異なるが、ＬｌｚＢａ○７単結晶基板を完全に覆
うことが可能で、かつグイシング後除去か容易な膜厚で
ある１０００人〜５００μ程度が望ましい。
また、Ｌ １２Ｂ ４ｏ ７単結晶基板は親水性のため
、親油性物質を直接塗布した場合充分な接着力が得られ
ず、ダイシング時に剥離する可能性がある。
、親油性物質を直接塗布した場合充分な接着力が得られ
ず、ダイシング時に剥離する可能性がある。
そこで、次のような前処理を行うことが望ましい。
特に、保護膜の膜厚が薄い場合、フォトレジストを用い
た場合はこのｉ′Ｉη処理が必要である。
た場合はこのｉ′Ｉη処理が必要である。
イ）加熱乾燥し、吸着している水分を除去する。
口）一端に親水基、他端に親油基を有するシランカップ
リング剤やヂタンカップリング剤等を塗布して加熱後、
冷却する。
リング剤やヂタンカップリング剤等を塗布して加熱後、
冷却する。
また、Ｌ １２８ ａｏ ？単結晶基板の他、ＡＩｐＱ
４単結晶基板などの水に溶解する可能性のある基板を用
いた弾性表面波素子の製造について、上記の方法はいず
れも適用が可能である。
４単結晶基板などの水に溶解する可能性のある基板を用
いた弾性表面波素子の製造について、上記の方法はいず
れも適用が可能である。
また、ダイシングの際Ｌ ｉ、Ｂ ４０７単結晶基板の
裏面にダイシング用テープを接着する場合は保護膜を特
に必要としない。
裏面にダイシング用テープを接着する場合は保護膜を特
に必要としない。
以下、本発明を具体的な実施例により説明するが、本発
明がこれら実施例に限定されるものではない。
明がこれら実施例に限定されるものではない。
第１図、第２図、第３図に本発明に係る弾性表面波素子
の一例、また第４図に複数の弾性表面波素子部を有する
Ｌ １２Ｂ ４０７単結晶基板（ウェハー）の−例を示
す。
の一例、また第４図に複数の弾性表面波素子部を有する
Ｌ １２Ｂ ４０７単結晶基板（ウェハー）の−例を示
す。
実施例１
直径３インチの円板状のＬ Ｉ ｔ Ｂ ４０ ？単結
晶基板表面にＲＦスパッタ法によりＳｉｎ、膜を形成し
、一方上記基板裏面はシランカップリング剤で前処理し
てポリエチレン溶液をスピンコードした後加熱乾燥して
ポリエチレン膜を形成した。上記Ｓ ｉ Ｏを膜上に真
空蒸着法によりＡＩＭを蒸着し、このＡ／圃面上フォト
レジストを塗布してプリベーク後、電極パターンのつい
たマスクを用いて露光した。これをアルカリ溶液にて現
像し、水でリンスをした。
晶基板表面にＲＦスパッタ法によりＳｉｎ、膜を形成し
、一方上記基板裏面はシランカップリング剤で前処理し
てポリエチレン溶液をスピンコードした後加熱乾燥して
ポリエチレン膜を形成した。上記Ｓ ｉ Ｏを膜上に真
空蒸着法によりＡＩＭを蒸着し、このＡ／圃面上フォト
レジストを塗布してプリベーク後、電極パターンのつい
たマスクを用いて露光した。これをアルカリ溶液にて現
像し、水でリンスをした。
次にＩＩＮ Ｏ３とＨＣｌ０．を混合したエツチング液
で上記Ａ／膜をウエットエッヂングして弾性表面波励振
用電極を形成し、上記基板上に複数の１００１００Ｏの
フィルターを形成した。
で上記Ａ／膜をウエットエッヂングして弾性表面波励振
用電極を形成し、上記基板上に複数の１００１００Ｏの
フィルターを形成した。
プラズマアッシングにて上記フォトレジストを除去した
。
。
更イこ、上記基板をダイシング１こ上り個々の弾性表面
波素子に分離した後、アセトンにより上記ポリエチレン
膜を除去した。
波素子に分離した後、アセトンにより上記ポリエチレン
膜を除去した。
上述の方法により作製した素子の挿入損失は１８ｄＢで
あったか、保護膜を形成することなく作製した素子の挿
入損失は２３ｄＢであった。
あったか、保護膜を形成することなく作製した素子の挿
入損失は２３ｄＢであった。
実施例 ２
Ｌ １ｔ１３ 、Ｏ、単結晶板裏面に加熱溶融したパラ
フィンワックスを塗布後、冷却して保護膜を形成した。
フィンワックスを塗布後、冷却して保護膜を形成した。
一方、上記基板表面は真空蒸着法によりＡ／膜を蒸着し
、このＡ／圃面上フォトレジストを塗布してプリベーク
後、電極パターンのついたマスクを用いて露光した。こ
れをアルカリ溶液にて現像し、水でリンスをした。 次
に、イオンミーリング法２こてドライエツチングを行っ
て弾性表面波励振用電極を形成し、上記基板上に複数の
ＩＧＨｚのフィルターを形成した。上記フォトレジスト
をプラズマアッシングにて除去した。
、このＡ／圃面上フォトレジストを塗布してプリベーク
後、電極パターンのついたマスクを用いて露光した。こ
れをアルカリ溶液にて現像し、水でリンスをした。 次
に、イオンミーリング法２こてドライエツチングを行っ
て弾性表面波励振用電極を形成し、上記基板上に複数の
ＩＧＨｚのフィルターを形成した。上記フォトレジスト
をプラズマアッシングにて除去した。
更に、上８２基板表面に加熱溶融したパラフィンワック
スを塗布後、冷却して保護膜を形成した。
スを塗布後、冷却して保護膜を形成した。
この後、上記基板をダイシングにより個々の素子に分離
し、アセトンにより上記基板表面および裏面のパラフィ
ンワックスを除去した。
し、アセトンにより上記基板表面および裏面のパラフィ
ンワックスを除去した。
上述の方法により作製した素子は外観に異常が見られな
かったが、保護膜を形成することなく作製した素子は弾
性表面波励振用電極の下まで溶解し、この電極が流出し
ており、素子裏面が平滑化していた。
かったが、保護膜を形成することなく作製した素子は弾
性表面波励振用電極の下まで溶解し、この電極が流出し
ており、素子裏面が平滑化していた。
以上の説明からも明らかなように、本発明においてはｔ
、 ｒｔＢ 、０７単結晶基板を用いた弾性表面波素子
の製造工程で、Ｌ ｉｔＢ ４０ ？単結晶基板表面お
よび裏面に保護膜を形成した後、酸、アルカリ、水等を
使用する製造工程に至るので、上記基板は酸、アルカリ
、水等により不要に腐食されることがなく、挿入損失の
増大、弾性表面波励振用？［ｆ極の流出、素子裏面の平
滑化などを防止することができる。
、 ｒｔＢ 、０７単結晶基板を用いた弾性表面波素子
の製造工程で、Ｌ ｉｔＢ ４０ ？単結晶基板表面お
よび裏面に保護膜を形成した後、酸、アルカリ、水等を
使用する製造工程に至るので、上記基板は酸、アルカリ
、水等により不要に腐食されることがなく、挿入損失の
増大、弾性表面波励振用？［ｆ極の流出、素子裏面の平
滑化などを防止することができる。
第１図は本発明の一実施例による弾性表面波素子の模式
図、第２図および第３図は本発明の一実施例による弾性
表面波素子の側面図、第４図は複数の弾性表面波素子部
を有するＬ ｉｔＢ ４０ 、単結晶基板（ウェハー）
の模式図である。 ！・・・Ｌ ｉｔＢ ４０ ？単結晶基板２・・・弾性
表面波励振用電極 ３・・・保護膜 ４・・・Ｓ ｉＯを膜 ５・・・弾性表面波素子部 第１図 第２図 第３図 ５
ｊ第４図
図、第２図および第３図は本発明の一実施例による弾性
表面波素子の側面図、第４図は複数の弾性表面波素子部
を有するＬ ｉｔＢ ４０ 、単結晶基板（ウェハー）
の模式図である。 ！・・・Ｌ ｉｔＢ ４０ ？単結晶基板２・・・弾性
表面波励振用電極 ３・・・保護膜 ４・・・Ｓ ｉＯを膜 ５・・・弾性表面波素子部 第１図 第２図 第３図 ５
ｊ第４図
Claims (2)
- （１）Ｌｉ＿２Ｂ＿４Ｏ＿７単結晶基板の表面をＳｉＯ
＿２膜で被覆し、裏面を保護膜で被覆する工程と、上記
ＳｉＯ＿２膜上に金属を蒸着した後、ウェットエッチン
グにより弾性表面波励振用電極を形成し複数の弾性表面
波素子部を形成する工程と、上記弾性表面波素子部を互
いに分離する工程と、上記基板の裏面保護膜を除去する
工程よりなる弾性表面波素子の製造方法。 - （２）Ｌｉ＿２Ｂ＿４Ｏ＿７単結晶基板の裏面を保護膜
で被覆する工程と、上記基板表面上に金属を蒸着した後
、ドライエッチングにより弾性表面波励振用電極を形成
し複数の弾性表面波素子部を形成する工程と、上記電極
を含むＬｉ＿２Ｂ＿４Ｏ＿７単結晶基板表面を保護膜で
被覆する工程と、上記弾性表面波素子部を互いに分離す
る工程と、上記保護膜を除去する工程よりなる弾性表面
波素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP899987A JPS63178615A (ja) | 1987-01-20 | 1987-01-20 | 弾性表面波素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP899987A JPS63178615A (ja) | 1987-01-20 | 1987-01-20 | 弾性表面波素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63178615A true JPS63178615A (ja) | 1988-07-22 |
Family
ID=11708380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP899987A Pending JPS63178615A (ja) | 1987-01-20 | 1987-01-20 | 弾性表面波素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63178615A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02270415A (ja) * | 1989-04-12 | 1990-11-05 | Tdk Corp | 圧電振動子の共振周波数調整方法 |
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-
1987
- 1987-01-20 JP JP899987A patent/JPS63178615A/ja active Pending
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|---|---|---|---|---|
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