JPH07135441A - 弾性表面波素子の製造方法 - Google Patents
弾性表面波素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH07135441A JPH07135441A JP12144694A JP12144694A JPH07135441A JP H07135441 A JPH07135441 A JP H07135441A JP 12144694 A JP12144694 A JP 12144694A JP 12144694 A JP12144694 A JP 12144694A JP H07135441 A JPH07135441 A JP H07135441A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- electrode
- acoustic wave
- surface acoustic
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】 弾性表面波素子の製造工程において、ウエハ
切断時のチッピングにより生じたウエハの欠けらによる
電極パタ−ンの損傷を防止する。 【構成】 本発明による弾性表面波素子の製造方法は、
複数の弾性表面波素子の電極が形成されるウエハの電極
形成面にアルカリ可溶性樹脂等の保護膜を形成する工程
と、該ウエハを切断した後、前記保護膜を除去する工程
とを具備するものである。
切断時のチッピングにより生じたウエハの欠けらによる
電極パタ−ンの損傷を防止する。 【構成】 本発明による弾性表面波素子の製造方法は、
複数の弾性表面波素子の電極が形成されるウエハの電極
形成面にアルカリ可溶性樹脂等の保護膜を形成する工程
と、該ウエハを切断した後、前記保護膜を除去する工程
とを具備するものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は弾性表面波素子の製造方
法に関するものである。
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、弾性表面波素子はＬｉＴａ
Ｏ3、ＬｉＮｂＯ3等の一枚のウエハ表面上に同一電極パ
タ−ンを複数個形成し、各素子（チップ）ごとに切断分
割（ダイシング）することによって製造される。この
際、ウエハの結晶方位により割れや欠け（以下、チッピ
ングと称す）が発生し、歩留りが低下するという問題が
ある。
Ｏ3、ＬｉＮｂＯ3等の一枚のウエハ表面上に同一電極パ
タ−ンを複数個形成し、各素子（チップ）ごとに切断分
割（ダイシング）することによって製造される。この
際、ウエハの結晶方位により割れや欠け（以下、チッピ
ングと称す）が発生し、歩留りが低下するという問題が
ある。
【０００３】この問題を解決するために、例えば、特開
昭５９−１５１５４号公報（H03H 3/08）に示されるよ
うな方法がある。これはＬｉＮｂＯ3単結晶の劈開面と
ウエハ表面との交線方向にダイシング加工を行いチッピ
ングの発生を防止するというものである。しかしなが
ら、チッピングを皆無にすることは不可能であり、又、
ＬｉＴａＯ3結晶の場合、弾性表面波の伝播方向と結晶
の劈開方向とは必ずしも一致しない。
昭５９−１５１５４号公報（H03H 3/08）に示されるよ
うな方法がある。これはＬｉＮｂＯ3単結晶の劈開面と
ウエハ表面との交線方向にダイシング加工を行いチッピ
ングの発生を防止するというものである。しかしなが
ら、チッピングを皆無にすることは不可能であり、又、
ＬｉＴａＯ3結晶の場合、弾性表面波の伝播方向と結晶
の劈開方向とは必ずしも一致しない。
【０００４】又、特開昭６２−１２２４０５号公報（H0
3H 3/08）にはチップ端面を研摩する方法が提案されて
いるが製造工数が増し、製造作業上問題がある。
3H 3/08）にはチップ端面を研摩する方法が提案されて
いるが製造工数が増し、製造作業上問題がある。
【０００５】さらに、チッピングにより生じたウエハの
欠けらがウエハ表面に形成されている電極パタ−ンを傷
つけるという問題もある［図２参照］。
欠けらがウエハ表面に形成されている電極パタ−ンを傷
つけるという問題もある［図２参照］。
【０００６】
【発明が解決しょうとする課題】本発明は上述の問題に
鑑み為されたものであり、チッピングにより生じたウエ
ハの欠けらによる電極パタ−ンの損傷を防止することを
目的とするものである。
鑑み為されたものであり、チッピングにより生じたウエ
ハの欠けらによる電極パタ−ンの損傷を防止することを
目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明による弾性表面波
素子の製造方法は、複数の弾性表面波素子の電極が形成
されるウエハの電極形成面にアルカリ可溶性樹脂等の保
護膜を形成する工程と、該ウエハを切断した後、前記保
護膜を除去する工程とを具備するものである。
素子の製造方法は、複数の弾性表面波素子の電極が形成
されるウエハの電極形成面にアルカリ可溶性樹脂等の保
護膜を形成する工程と、該ウエハを切断した後、前記保
護膜を除去する工程とを具備するものである。
【０００８】
【作用】上記本発明の製造方法によれば、チッピングに
よる欠けらがウエハの電極形成面上に飛んできても、樹
脂製の保護膜に覆われた電極は損傷しない。
よる欠けらがウエハの電極形成面上に飛んできても、樹
脂製の保護膜に覆われた電極は損傷しない。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら説明する。
ながら説明する。
【００１０】図１は、本発明によるウエハの切断工程を
説明するためのウエハの断面図である。図１において、
(1)はＬｉＴａＯ3、ＬｉＮｂＯ3 等のウエハであり、そ
の厚さは４００〜５００μｍである。(2)はウエハ(1)上
に形成されるＡｌ等の電極である。
説明するためのウエハの断面図である。図１において、
(1)はＬｉＴａＯ3、ＬｉＮｂＯ3 等のウエハであり、そ
の厚さは４００〜５００μｍである。(2)はウエハ(1)上
に形成されるＡｌ等の電極である。
【００１１】本発明の製造方法においては、まず、図１
（ａ）に示したようなウエハ(1)の表面に、アルカリ可
溶性樹脂(5)をスピンコ−タ−（図示せず）にて膜厚が
約２μｍになるよう塗布する。 そして、９０℃で５分
間ベ−キングを行い、乾燥させることによりウエハ(1)
の表面に保護膜(5)が形成される［図１（ｂ）参照］。
（ａ）に示したようなウエハ(1)の表面に、アルカリ可
溶性樹脂(5)をスピンコ−タ−（図示せず）にて膜厚が
約２μｍになるよう塗布する。 そして、９０℃で５分
間ベ−キングを行い、乾燥させることによりウエハ(1)
の表面に保護膜(5)が形成される［図１（ｂ）参照］。
【００１２】次に、この状態でウエハ(1)を切断分離す
る［図１（ｃ）参照］。
る［図１（ｃ）参照］。
【００１３】その後、アルカリ性溶液（図示せず）に浸
し、保護膜(5)を除去する［図１（ｄ）参照］。
し、保護膜(5)を除去する［図１（ｄ）参照］。
【００１４】尚、この実施例では、ウエハ(1)の電極が
形成されない主面(1a)に、切断分割後に各チップが四散
しないように粘着性のシ−ト（図示せず）が貼付けられ
ており、このシ−トの特性に合わせてアルカリ性水溶液
にて除去されるアルカリ可溶性樹脂を使用したが、シ−
トによっては保護膜(5)はアルカリ可溶性樹脂に限るも
のではない。
形成されない主面(1a)に、切断分割後に各チップが四散
しないように粘着性のシ−ト（図示せず）が貼付けられ
ており、このシ−トの特性に合わせてアルカリ性水溶液
にて除去されるアルカリ可溶性樹脂を使用したが、シ−
トによっては保護膜(5)はアルカリ可溶性樹脂に限るも
のではない。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば電
極パタ−ンが形成されたウエハ表面を保護膜で覆って切
断することにより、チッピングにより生じた欠けらによ
る電極パタ−ンの損傷を防ぐことができるので、歩留り
が向上する。
極パタ−ンが形成されたウエハ表面を保護膜で覆って切
断することにより、チッピングにより生じた欠けらによ
る電極パタ−ンの損傷を防ぐことができるので、歩留り
が向上する。
【図１】本発明実施例を説明するためのウエハの断面図
である。
である。
【図２】従来技術の問題点を説明するためのウエハの断
面図である。
面図である。
(1)…ウエハ (2)…電極 (5)…保護膜
Claims (2)
- 【請求項１】 複数の弾性表面波素子の電極が形成され
るウエハの電極形成面に樹脂製の保護膜を形成する工程
と、該ウエハを切断した後、前記保護膜を除去する工程
とを具備する弾性表面波素子の製造方法。 - 【請求項２】 前記保護膜として、アルカリ可溶性樹脂
からなる保護膜を用いることを特徴とする請求項１記載
の弾性表面波素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12144694A JPH07135441A (ja) | 1994-06-02 | 1994-06-02 | 弾性表面波素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12144694A JPH07135441A (ja) | 1994-06-02 | 1994-06-02 | 弾性表面波素子の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1127325A Division JPH06103820B2 (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | 弾性表面波素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07135441A true JPH07135441A (ja) | 1995-05-23 |
Family
ID=14811345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12144694A Pending JPH07135441A (ja) | 1994-06-02 | 1994-06-02 | 弾性表面波素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07135441A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100688270B1 (ko) * | 2005-01-26 | 2007-03-02 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 절연화 처리전 기판, 기판의 제조 방법, 탄성 표면파진동자의 제조 방법, 탄성 표면파 진동자, 탄성 표면파장치, 및 전자기기 |
| JP2009514185A (ja) * | 2003-07-03 | 2009-04-02 | エグシル テクノロジー リミテッド | ダイボンディング |
| JP2014011568A (ja) * | 2012-06-28 | 2014-01-20 | Taiyo Yuden Co Ltd | 弾性波デバイスおよびその製造方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5634214A (en) * | 1979-08-30 | 1981-04-06 | Toshiba Corp | Production of element for surface wave filter |
| JPS61253908A (ja) * | 1985-05-02 | 1986-11-11 | Murata Mfg Co Ltd | 表面波デバイスの製造方法 |
| JPS6313035A (ja) * | 1986-07-04 | 1988-01-20 | Hitachi Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPS63121306A (ja) * | 1986-11-11 | 1988-05-25 | Toshiba Corp | 弾性表面波装置の製造方法 |
| JPS63178615A (ja) * | 1987-01-20 | 1988-07-22 | Sony Corp | 弾性表面波素子の製造方法 |
-
1994
- 1994-06-02 JP JP12144694A patent/JPH07135441A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5634214A (en) * | 1979-08-30 | 1981-04-06 | Toshiba Corp | Production of element for surface wave filter |
| JPS61253908A (ja) * | 1985-05-02 | 1986-11-11 | Murata Mfg Co Ltd | 表面波デバイスの製造方法 |
| JPS6313035A (ja) * | 1986-07-04 | 1988-01-20 | Hitachi Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPS63121306A (ja) * | 1986-11-11 | 1988-05-25 | Toshiba Corp | 弾性表面波装置の製造方法 |
| JPS63178615A (ja) * | 1987-01-20 | 1988-07-22 | Sony Corp | 弾性表面波素子の製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009514185A (ja) * | 2003-07-03 | 2009-04-02 | エグシル テクノロジー リミテッド | ダイボンディング |
| KR100688270B1 (ko) * | 2005-01-26 | 2007-03-02 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 절연화 처리전 기판, 기판의 제조 방법, 탄성 표면파진동자의 제조 방법, 탄성 표면파 진동자, 탄성 표면파장치, 및 전자기기 |
| JP2014011568A (ja) * | 2012-06-28 | 2014-01-20 | Taiyo Yuden Co Ltd | 弾性波デバイスおよびその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7202590B2 (en) | Surface acoustic wave device and method of manufacturing the same | |
| US6455945B1 (en) | Semiconductor device having a fragment of a connection part provided on at least one lateral edge for mechanically connecting to adjacent semiconductor chips | |
| KR100588412B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 분할방법 | |
| CN109103328B (zh) | 一种声表面波芯片及其制作方法 | |
| JPH07135441A (ja) | 弾性表面波素子の製造方法 | |
| JP3324641B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH09171979A (ja) | チップ間隔を狭小化するためのトレンチスクライビング線 | |
| JPH1064855A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2000040677A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPH06103820B2 (ja) | 弾性表面波素子の製造方法 | |
| JPH01277011A (ja) | 表面弾性波共振器の製造方法 | |
| JP2002026675A (ja) | 弾性表面波装置及びその製造方法 | |
| JPH02308551A (ja) | 半導体ウェーハ | |
| JP2001044141A (ja) | 半導体基板の切断方法 | |
| JP2565880B2 (ja) | 弾性表面波装置の製造方法 | |
| JPS61149316A (ja) | 圧力センサウエハの切断方法 | |
| JP2003008396A (ja) | 弾性表面波素子及びその製造方法 | |
| JP3500813B2 (ja) | 半導体ウエハの切断方法 | |
| KR20150060343A (ko) | 수정 진동자 및 그 제조방법 | |
| JPH0442949A (ja) | ダイシングスリット付き半導体装置 | |
| JPH06326541A (ja) | 弾性表面波素子の分割方法 | |
| JP2019201334A (ja) | 弾性波デバイスの製造方法 | |
| JP2002280856A (ja) | 弾性表面波素子の製造方法 | |
| JP3256565B2 (ja) | 保護膜付単結晶ウエハおよびそのホーニング加工方法 | |
| JPH03283637A (ja) | 半導体装置 |