JPH01277011A - 表面弾性波共振器の製造方法 - Google Patents
表面弾性波共振器の製造方法Info
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- JPH01277011A JPH01277011A JP10690188A JP10690188A JPH01277011A JP H01277011 A JPH01277011 A JP H01277011A JP 10690188 A JP10690188 A JP 10690188A JP 10690188 A JP10690188 A JP 10690188A JP H01277011 A JPH01277011 A JP H01277011A
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Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、表面弾性波共振器、特に水晶等の単結晶基板
上にＡｌ電極によるインターデジタル電極と反射器を設
ける表面弾性波共振器の製造方法に関するものである。
上にＡｌ電極によるインターデジタル電極と反射器を設
ける表面弾性波共振器の製造方法に関するものである。
共振子あるいはフィルタ等として各種の表面弾性波共振
器が用いられている。その中でも一般的なものは、１あ
るいは２個のインターデジタル電極とその両側に配置し
たグレーティング反射器から成るものである。
器が用いられている。その中でも一般的なものは、１あ
るいは２個のインターデジタル電極とその両側に配置し
たグレーティング反射器から成るものである。
表面弾性波（ＳＡＷ）共振器は、表面にエネルギーが集
中するためにＡｌ電極が損傷し、マイグレ−ションが生
じ易い。これによって、信頼性（耐久性）が大幅に劣化
する。
中するためにＡｌ電極が損傷し、マイグレ−ションが生
じ易い。これによって、信頼性（耐久性）が大幅に劣化
する。
そのため、ＡｌにＳｉｓ Ｃｕ、 Ｔｉなどを添加する
試みもなされているが、十分ではない。
試みもなされているが、十分ではない。
Ａｔ電極の損傷は、表面弾性波共振器のチップをＴＯ缶
などのパッケージする際など、組立工程中に生じること
が多い。また、チップをダイボンディングするとき、ダ
イボンディング材が電極に付着したり、硬化中に発生す
るガスが電極に付着したりして、電極の劣化の大きな要
因となる。
などのパッケージする際など、組立工程中に生じること
が多い。また、チップをダイボンディングするとき、ダ
イボンディング材が電極に付着したり、硬化中に発生す
るガスが電極に付着したりして、電極の劣化の大きな要
因となる。
上記のように、組立（処理）工程中に電極を保護し、損
傷させｔい（形状の変化を生じない）ようにすることは
、表面弾性波共振器の特性面の重要なポイントとなる。
傷させｔい（形状の変化を生じない）ようにすることは
、表面弾性波共振器の特性面の重要なポイントとなる。
本発明は、上記のような問題を解決し、組立工程中に電
極を保護し、損傷を防止することを目的とする。
極を保護し、損傷を防止することを目的とする。
それによって、信頼性特に耐久性の向上させることを目
的とする。
的とする。
本発明は、酸化亜鉛等の保護膜によって組立工程中の電
極を保護し、上記の課題を解決するものである。
極を保護し、上記の課題を解決するものである。
すなわち、圧電性基板表面にＡ１膜により複数の表面弾
性波共振器の電極を形成し、該基板をチップに分割して
ダイボンディング、ワイヤボンディング、および封止を
する表面弾性波共振器の製造方法において、該Ａｔ膜に
よる電極を保護膜で覆い、ダイボンディングの後に該保
護膜を除去することに特徴を有するものである。
性波共振器の電極を形成し、該基板をチップに分割して
ダイボンディング、ワイヤボンディング、および封止を
する表面弾性波共振器の製造方法において、該Ａｔ膜に
よる電極を保護膜で覆い、ダイボンディングの後に該保
護膜を除去することに特徴を有するものである。
また、圧電性基板表面にＡｔ膜による複数の表面弾性波
共振器の電極を形成し、該電極表面に酸化膜を形成し、
該基板をチップに分割し、ダイボンディング、ワイヤボ
ンディングおよび封止をする表面弾性波共振器の製造方
法において、該Ａｔ膜による電極を保護膜で覆い、ダイ
ボンディングの後に該保護膜を除去することに特徴を有
するものである。
共振器の電極を形成し、該電極表面に酸化膜を形成し、
該基板をチップに分割し、ダイボンディング、ワイヤボ
ンディングおよび封止をする表面弾性波共振器の製造方
法において、該Ａｔ膜による電極を保護膜で覆い、ダイ
ボンディングの後に該保護膜を除去することに特徴を有
するものである。
以下、図面を参照して、本発明の実施例について説明す
る。
る。
表面弾性波共振器を製造するにあたっては、水晶等の単
結晶基板を用いることが多い。伝播方向に応じて結晶面
を選定し、ウェハ上にフォトリソグラフィーにより形成
する。すなわち、蒸着、レジスト形成、露光、エツチン
グ、レジスト除去の工程によって、Ａｌのインターデジ
タル電極と反射器を形成する。
結晶基板を用いることが多い。伝播方向に応じて結晶面
を選定し、ウェハ上にフォトリソグラフィーにより形成
する。すなわち、蒸着、レジスト形成、露光、エツチン
グ、レジスト除去の工程によって、Ａｌのインターデジ
タル電極と反射器を形成する。
これらの電極の表面に、第１図のように保護膜１３を形
成する。電極１１の厚みの３倍以上とすれば段切れが生
じないので、電極の厚みが０．３ ミ１）Ｔｉンであれ
ば１ミクロン以上とする。通常１〜４ミクＵン程度とす
る。
成する。電極１１の厚みの３倍以上とすれば段切れが生
じないので、電極の厚みが０．３ ミ１）Ｔｉンであれ
ば１ミクロン以上とする。通常１〜４ミクＵン程度とす
る。
保護膜としては酸化亜鉛（ＺｎＯ） 、二酸化シリコン
（Ｓｉｎｇ）がよい。酸化亜鉛であればスパッタリング
法、二酸化シリコンであればＣＶＤ法など一般的な方法
で形成すればよい。
（Ｓｉｎｇ）がよい。酸化亜鉛であればスパッタリング
法、二酸化シリコンであればＣＶＤ法など一般的な方法
で形成すればよい。
その後、ウェハをチップに分割するダイシングを行う。
その前に他の処理が必要であれば施しておく。
チップに分割された素子は、パッケージの基板例えばＴ
Ｏ缶のステム等にダイボンディングされる。このとき、
第２図のように、圧電性基板１０は熱硬化性のダイボン
ディング材１５によって基板１７に接着される。工程と
しては、ダイボンディング材１５を基板１７に塗布し、
圧電性基板１０を１いて押圧し、炉の中で加熱して硬化
させる。
Ｏ缶のステム等にダイボンディングされる。このとき、
第２図のように、圧電性基板１０は熱硬化性のダイボン
ディング材１５によって基板１７に接着される。工程と
しては、ダイボンディング材１５を基板１７に塗布し、
圧電性基板１０を１いて押圧し、炉の中で加熱して硬化
させる。
その後、酸化亜鉛などの保護膜１３をエツチングして除
去し、第３図のように電極１１を露出させ、ワイヤボン
ディングによって必要な配線を施す。
去し、第３図のように電極１１を露出させ、ワイヤボン
ディングによって必要な配線を施す。
さらに７０缶等の、キャップを被せてシーリングする。
シーリングの際に窒素等のガスを封入するのが一般的で
ある。
ある。
なお、電極パターンを形成した後に、Ａｔ電極の表面を
酸化処理してお（と、よ−り保護が完全となる。すなわ
ち第４図のように、電極４１の表面に数１０〜数百人の
厚みの酸化層４２を形成しておく。この酸化層は、通常
のプラズマ処理、陽極化成処理により形成することがで
きる。もちろん、この工程は省略して、電極上に直接保
護膜を形成することもできる。
酸化処理してお（と、よ−り保護が完全となる。すなわ
ち第４図のように、電極４１の表面に数１０〜数百人の
厚みの酸化層４２を形成しておく。この酸化層は、通常
のプラズマ処理、陽極化成処理により形成することがで
きる。もちろん、この工程は省略して、電極上に直接保
護膜を形成することもできる。
保護膜は必ずしも完全に除去する必要はなく、２００Å
以下とするのが望ましい。これは、膜厚が太き（なると
挿入損失が増大するためであり、この範囲以下であれば
ほとんど影響がないことが確認された。
以下とするのが望ましい。これは、膜厚が太き（なると
挿入損失が増大するためであり、この範囲以下であれば
ほとんど影響がないことが確認された。
また、表面弾性波の伝播路およびポンディングパッド以
外の部分に保護膜を残しておくと、測定や処理の際にチ
ップを押さえることが可能となり有利である。
外の部分に保護膜を残しておくと、測定や処理の際にチ
ップを押さえることが可能となり有利である。
本発明によれば、保護膜によって組立（処理）工程中に
電極が損傷することを防止できる。したがって、マイグ
レーシロンの発生を防止でき、信幀性（耐久性）が大幅
に向上し、また歩留も向上する。
電極が損傷することを防止できる。したがって、マイグ
レーシロンの発生を防止でき、信幀性（耐久性）が大幅
に向上し、また歩留も向上する。
特に、ダイボンディング中に電極に直接ダイボンディン
グ材、ガス、炉の中のごみ等が付着することを防止でき
る。膜に付着したそれらのものも保護膜の除去と同時に
除去される。
グ材、ガス、炉の中のごみ等が付着することを防止でき
る。膜に付着したそれらのものも保護膜の除去と同時に
除去される。
さらに、酸化処理も行えば、Ａｌ電極はより完全に保護
され、きわめて信顛性の高い表面弾性波共振器が得られ
る。
され、きわめて信顛性の高い表面弾性波共振器が得られ
る。
第１図〜第４図は本発明の実施例を示す部分正面断面図
である。 １０・・・・・・圧電性基板 １１．４１・・・電極 １３・・・・・・保護膜 ４２・・・・・・酸化層
である。 １０・・・・・・圧電性基板 １１．４１・・・電極 １３・・・・・・保護膜 ４２・・・・・・酸化層
Claims (6)
- （１）圧電性基板表面にＡｌ膜による電極を形成し、該
基板をチップに分割し、ダイボンディングし、ワイヤボ
ンディングして封止する表面弾性波共振器の製造方法に
おいて、該Ａｌ膜による電極を保護膜で覆い、ダイボン
ディングの後に該保護膜を除去することを特徴とする表
面弾性波共振器の製造方法。 - （２）圧電性基板表面にＡｌ膜による電極を形成し、該
電極表面に酸化膜を形成し、該基板をチップに分割し、
ダイボンディング、ワイヤボンディング、封止する表面
弾性波共振器の製造方法において、該Ａｌ膜による電極
を保護膜で覆い、ダイボンディングの後に該保護膜を除
去することを特徴とする表面弾性波共振器の製造方法。 - （３）該保護膜が酸化亜鉛である請求項第１項または第
２項記載の表面弾性波共振器の製造方法。 - （４）該保護膜が二酸化シリコンである請求項第１項ま
たは第２項記載の表面弾性波共振器の製造方法。 - （５）該酸化膜をプラズマ処理により形成する請求項第
２項記載の表面弾性波共振器の製造方法。 - （６）該酸化膜を陽極化成処理により形成する請求項第
２項記載の表面弾性波共振器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10690188A JPH01277011A (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | 表面弾性波共振器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10690188A JPH01277011A (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | 表面弾性波共振器の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01277011A true JPH01277011A (ja) | 1989-11-07 |
Family
ID=14445363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10690188A Pending JPH01277011A (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | 表面弾性波共振器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01277011A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| CN110149101A (zh) * | 2019-05-20 | 2019-08-20 | 成都泰美克晶体技术有限公司 | 一种保护石英晶片电极的方法 |
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|---|---|---|---|---|
| JPS5552236A (en) * | 1978-10-11 | 1980-04-16 | Nec Corp | Production of electronic device |
| JPS60176317A (ja) * | 1984-02-23 | 1985-09-10 | Toshiba Corp | 弾性表面波素子用ウエハ分離法 |
-
1988
- 1988-04-28 JP JP10690188A patent/JPH01277011A/ja active Pending
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