JPS61253908A - 表面波デバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 この発明は、ガラスを基材として使用する表面波デバイ
スの製造方法に関するものである。

〈従来の技術〉 一般にガラスを基材として使用する表面波デバイスは第
３図ａに示すように無アルカリガラス等のガラス基板１
の主表面に諦歯状の入力側インタディジタル電極２と出
力側インタディジタル電極３を中心間距離りをおいて形
成すると共に、その上にＺｎＯの圧電膜４を形成し、入
力側インタディジタル電極２に印加された電気信号によ
り、この入力側インタディジタル電極２上の圧電膜４で
発生され、この圧電膜４およびガラス基板１を媒質とし
て伝播する表面波■。を出力側インタディジタル電極３
によって再び電気信号に変換して取り出す構造になって
いる。

従来より、上記のような構造を有する表面波デバイスを
製造するには、第４図に示すように５０ｍｍＸ５０ｍｍ
程度の大きさを有する一枚のガラス板５の主表面に点線
で示す区画６に第３図ａの入力側インタディジタル電極
２および出力側インタディジタル電極３を形成する。

この後、これら入力側インタディジタル電極２および出
力側インタディジタル電極３が形成されたガラス板５の
主表面全体もしくは部分的に、スパッタリングの手法に
より、ＺｎＯからなる圧電材料膜（図示せず）を形成す
る。

このガラス板５をそのいま一つの主表面側から第４図に
おいて一点鎖線史で示すように、ダイヤモンド刃もしく
は超硬ロール刃（いずれも図示せず）を使用して切断し
、第３図ａに示す表面波デバイスに分離している。

ところで上記のような表面波デバイスの製造方法では、
スパッタリングにより圧電材料膜を形成する際、スパッ
タリング中にガラス板５に熱ひずみが加わり、この熱ひ
ずみのため、ガラス板５のダイヤモンド刃や超硬ロール
刃等による切断（スクライブ）時にこのガラス板５にク
ラック等が生じ、表面波デバイスの製造時の良品率が低
くなるという問題がある。

上記のような問題を解決し、切断時におけるガラス板の
クラック等の発生を抑え、良品率を高めるため第３図す
に示すように、ガラス板５の裏面にニッケル等の金属膜
７を設け、この金属１１１ｊ７の上からＣＯ２レーザを
照射してガラス板５に切断溝を形成し、切断溝を利用し
てガラス板の上に設けられた表面波デバイスを分離する
製造方法が提案されている。

この製造方法は、レーザがガラス板に照射された際、こ
のガラス板に加えられる熱衝撃が金属膜により拡散され
ガラス板にクラック等が発生するのを少なくするもので
ある。

ところで、上記表面波デバイスのガラス板には、硼硅酸
ガラスが使用されている。

この硼硅酸ガラスには、ＢＬＣガラスとパイレックス（
コーニング社の商標）とよばれるガラスの二種類があり
、前者のＢＬＣガラスの場合、金属膜を設けてレーザカ
ットを行なえば、クラックの発生がない切断が得られる
。

これに対し、バイレックガラスでは、同様に金属膜を設
けてレーザカットを行なうとクラックが発生し、カット
不良率が５０％にも達するという問題がある。

その理由としては、表１に示すように、ＢＬＣガラスと
パイレックスガラスの組成物である５ＬＯ２すなわち、
ガラス中の５ＬＯ２が増えることでＣＯ２レーザ光線の
吸収率がアップし、このためガラスに不規則なひずみが
増え、これが原因で割れ不良が発生する５ことになる。

この発明は、パイレックスガラスの切断時に生じた上記
のような問題を解決するためになされたものであり、パ
イレックスガラスの切断時における割れ不良の発生を大
幅に減少させることができる表面波デバイスの製造方法
を提供することを目的とする。

〈問題点を解決するための手段〉 上記のような問題点を解決するため、この発明は、一方
の主表面に複数対の入力側インタディジタル電極と出力
側インタディジタル電極および圧電材料膜が形成された
一枚のガラス板を、入力側インタディジタル電極および
出力側インタディジタル電極の対を含んで切断すること
により表面波デバイスを製造する製造方法であって、上
記ガラス板の他方の主表面に金属膜とこの金属膜上にレ
ジストインク膜の二層を形成し、このレジストインク膜
の上からレーザを照射して切断溝を形成し、上記ガラス
板を切断するものである。

〈作用〉 表面に入力および出力電極が形成されたガラス板の裏面
に金属膜とその上にレジストインク膜の二層を設け、こ
のレジストインク膜を通してガラス板にレーザを照射す
ることにより、ガラス板を切断する。

レーザがガラス板に照射された際ＣＯ２レーザ光の一部
がレジストインクに吸収され、この結果ガラス板への不
規則なひずみを減らし、ガラス板にクラック等が発生す
るのが少なくなる。

〈実施例〉 以下、この発明の実施例を添付図面にもとづいて説明す
る。

先づ、第１図ａに示すように、−片が５０ｍｍで厚さが
０．７ｍｍの硼硅酸ガラス、特にパイレックスガラスか
らなるガラス板１１を用意する。

このガラス板１１には第１図すに示すように、その一つ
の主表面１１ａに第３図と全く同様に複数対の入力側イ
ンタディジタル電極１２および出力側インタディジタル
電極１３を形成する。

これら入力側インタディジタル電極１２および出力側イ
ンタディジタル電極１３は、たとえばアルミニウム（Ｍ
）の蒸着およびフォトエツチングの手法により形成する
ことができる。

その後、上記ガラス板１１の主表面１１ａの上に第１図
Ｃに示すように、スパッタリングによりＺｎＯ等の圧電
材料膜１４を形成する。

次に上記ガラス板１１のいま一つの主表面１１ｂ上には
、第１図ｄに示すように、ニッケル（ＮＬ）等の金属膜
１５と、この金属膜１５の上にレジストインク膜１６の
二層を形成する。

この金属膜１５は、印刷もしくは蒸着等の手法で形成す
ることができ、その厚さは印刷で形成した場合３μｍ程
度でおり、蒸着で形成した場合は０．６μｍ程度である
。

また、レジストインク膜１６は、印刷等の手段により数
μｍから数１０μｍの厚さに形成される。

ノなお、この金属膜１５とレジストインク膜１６は、入
力側インタディジタル電極１２、出力側インタディジタ
ル電極１３の形成前に形成してもよく、ざらに、これら
入力側インタディジタル電極１２、出力側インタディジ
タル電極１３の形成工程と、圧電材料膜１４の形成工程
との間で形成してもよい。

このように、主表面１１ｂ上に金属膜１５とレジストイ
ンク膜１６を形成したガラス板１１にはこのレジストイ
ンク膜１６上から第１図ｄに矢印Ａで示すよ　　　　゛
うに、例えばＣＯ２レーザを照射し、深ざｄが例えば０
．１８ｍｍの切断溝１７を形成する。

この切断溝１７にて上記ガラス板１１を割って表面波デ
バイスを分離する。

このようにして分離された表面波デバイスは第２図ａお
よび第２図すに示すように、入力側インタディジタル電
極１２の引出電極１２ａ、１２ｂには引出電極２１ａ、
２１ｂが出力側インタディジタル電極１３の引出電極１
３ａ、１３ｂには端子電極２２ａ、２２ｂが、また金属
膜１５にはアース端子２３が夫々半田付された後、外装
樹脂２４で被覆される。

なお、金属膜１５上に施したレジストインク膜１６はＣ
Ｏ２レーザによる切断溝１７の形成後、シンナーで洗浄
すれば簡単におとすことができるため、金属膜１５に対
するアース端子２３の半田付前にレジストインク膜１６
を上記の手段で除去すれば、アース端子２３の半田付は
問題なく行なえる。

上記のように、予め形成した金属Ｗ；４１５とその上の
レジストインク膜１６を通してガラス板１１にＣＯ２レ
ーザを照射すれば既に述べたようにガラス板１１に照射
されたＣＯ２レーザ光の一部がレジストインク膜１６に
吸収され、しかも金属膜１５がレーザ光の照射時におけ
る熱衝撃を拡散させ、この結果ガラス板１１への不規則
なひずみを減らし、スクライブ時にこのガラス板１１に
クラックが発生することは少なくなり、特にレジストイ
ンク膜１６によるレーザ光の一部を吸収することにより
、パイレックスガラスのレーザ光の吸収率をおさえ、バ
イレ　　　　　５ツクスガラス板を用いた表面波デバイ
スの場合でもフラックスの発生を少なくすることができ
る。

また、金属膜１５はアース端子２３を取り付け、シール
ド用の電極として利用することができ、この金属膜１５
はニッケル以外の金属材料を使用することができる。

〈発明の効果〉 以上のように、この発明によるとガラス板上に金属膜と
レジストインク膜の二層を設け、このレジストインク膜
上からレーザを照射してガラス板を切断するようにした
ので、レーザ光の一部をレジストインク膜で吸収するこ
とによりガラス板のレーザ光吸収率をおさえることがで
き、従ってレーザの照射による切断において５ＬＯ２成
分の多いガラスでも不規則ひずみを減らし、表面波デバ
イスのカット不良率を５０％から０．３％以下に減少さ
せることができた。

【図面の簡単な説明】

第１図ａないしｄの夫々はこの発明に係る表面波デバイ
スの製造方法の説明図、第２図ａはこの発明の方法によ
り製造された表面波デバイスの平面図、第２図すは第２
図ａの表面波デバイスの■−■線に沿う断面図、第３図
ａは従来の製造方法により製造された表面波デバイスの
平面図、第３図すは第３図ａの表面波デバイスのＩＶ　
−ＩＶ線に沿う断面図、第４図は従来の表面波デバイス
の製造方法の説明図である。 １１・・・ガラス板　　　　１１ａ、ｌｌｂ・・・主表
面１２・・・入力側インタディジタル電極１３・・・出
力側インタディジタル電極１４・・・圧電材料膜　　　
１５・・・金属膜１６・・・レジストインク膜　　　１
１・・・切断溝出願人代理人　　弁理士　　和　１）昭
第１図（ａ） ＩＪ　　　　１２　　　１１ａ　　　　　ＩＪ　　　　
　　　　１１第２図（ａ） 第２図（１）） １１ａ　　　　　２３　　　　　１５ 第８図（ａ） 第３図（ｂ）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　一方の主表面に複数対の入力インタディジタル電極と
   出力側インタディジタル電極および圧電材料膜が形成さ
   れた一枚のガラス板を入力側インタディジタル電極およ
   び出力側インタディジタル電極の対を含んで切断するこ
   とにより表面波デバイスを製造する表面波デバイスの製
   造方法であつて、上記ガラス板の他方の主表面に金属膜
   とこの金属膜上にレジストインク膜の二層を形成し、こ
   のレジストインク膜の上からレーザを照射して切断溝を
   形成し、上記ガラス板を切断することを特徴とする表面
   波デバイスの製造方法。