JPH06326541A - 弾性表面波素子の分割方法 - Google Patents
弾性表面波素子の分割方法Info
- Publication number
- JPH06326541A JPH06326541A JP10902493A JP10902493A JPH06326541A JP H06326541 A JPH06326541 A JP H06326541A JP 10902493 A JP10902493 A JP 10902493A JP 10902493 A JP10902493 A JP 10902493A JP H06326541 A JPH06326541 A JP H06326541A
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- JP
- Japan
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- acoustic wave
- surface acoustic
- substrate
- wave element
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- Pending
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 小型の弾性表面波素子を、破損を生じさせる
ことなく基板より分割する。 【構成】 弾性表面波素子３が形成された基板１に、溝
２をあらかじめダイシング装置などによって形成する。
そして基板１の裏面よりイオンミーリングなどのドライ
エッチングの手法によりエッチングし素子に分割する。
または溝２を形成後フォトリソ技術と組み合わせてウエ
ットエッチングによって溝２をエッチングし、素子に分
割する。
ことなく基板より分割する。 【構成】 弾性表面波素子３が形成された基板１に、溝
２をあらかじめダイシング装置などによって形成する。
そして基板１の裏面よりイオンミーリングなどのドライ
エッチングの手法によりエッチングし素子に分割する。
または溝２を形成後フォトリソ技術と組み合わせてウエ
ットエッチングによって溝２をエッチングし、素子に分
割する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は移動体通信装置、ＴＶ、
ＶＴＲ等に用いられる弾性表面波素子の分割方法に関す
る。
ＶＴＲ等に用いられる弾性表面波素子の分割方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術では、例えば水晶基板上に形
成された弾性表面波素子を分割するような場合では、ダ
イシング装置等によって研削砥石を用いたブレードで研
削切断していた。これは水晶にかきらず半導体分野にお
けるシリコン基板、ガリウム砒素基板などでも用いられ
ている。また弾性表面波素子がある程度大きなものでは
スクライブ装置が用いられている。これはダイヤモンド
等の針によって基板を引っかき傷をつけた後割るもので
ある。
成された弾性表面波素子を分割するような場合では、ダ
イシング装置等によって研削砥石を用いたブレードで研
削切断していた。これは水晶にかきらず半導体分野にお
けるシリコン基板、ガリウム砒素基板などでも用いられ
ている。また弾性表面波素子がある程度大きなものでは
スクライブ装置が用いられている。これはダイヤモンド
等の針によって基板を引っかき傷をつけた後割るもので
ある。
【０００３】一方、弾性表面波素子以外の水晶を用いた
水晶振動子等では、弗化水素溶液を用いた化学的なエッ
チング手法によって分割している場合がある。これは水
晶基板が非常に薄い場合に用いられている。
水晶振動子等では、弗化水素溶液を用いた化学的なエッ
チング手法によって分割している場合がある。これは水
晶基板が非常に薄い場合に用いられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では、例
えばダイシング装置で切断する場合では次のような課題
を有していた。これを図５を用いて説明する。一般にダ
イシング装置によって基板を分割するような場合、研削
砥石を冷却するために水を砥石に吹きかけている。基板
は粘着シート８などに固定されている。弾性表面波素子
は年々小型化されているため弾性表面波素子が小さくな
るにしたがって粘着シート８に固定したまま切断するこ
とが困難になってくる。すなわち、弾性表面波素子の小
型化にともない接着面積が小さくなり固定するための力
が充分弾性表面波素子にかからなくなる。弾性表面波素
子を切断するため毎分数万回転する研削砥石７が基板を
通過すると、弾性表面波素子３が粘着シート８から剥が
れ飛んでしまう。この力は弾性表面波素子を基板から無
理矢理剥そうとするものであるため切断面にかけを生じ
て、弾性表面波素子を破損させてしまっていた。また研
削砥石７を冷却するための冷却水が切断したチップの隙
間に浸入し、やはり粘着力を著しく低下させていた。一
方、基板のある深さまで切断するハーフカットを行い、
後で弾性表面波素子に割る手法がある。しかし、弾性表
面波素子が小型化するにしたがいハーフカット後に割る
ことが困難になるという課題を有している。これはスク
ライブ装置を用いたときも同様である。
えばダイシング装置で切断する場合では次のような課題
を有していた。これを図５を用いて説明する。一般にダ
イシング装置によって基板を分割するような場合、研削
砥石を冷却するために水を砥石に吹きかけている。基板
は粘着シート８などに固定されている。弾性表面波素子
は年々小型化されているため弾性表面波素子が小さくな
るにしたがって粘着シート８に固定したまま切断するこ
とが困難になってくる。すなわち、弾性表面波素子の小
型化にともない接着面積が小さくなり固定するための力
が充分弾性表面波素子にかからなくなる。弾性表面波素
子を切断するため毎分数万回転する研削砥石７が基板を
通過すると、弾性表面波素子３が粘着シート８から剥が
れ飛んでしまう。この力は弾性表面波素子を基板から無
理矢理剥そうとするものであるため切断面にかけを生じ
て、弾性表面波素子を破損させてしまっていた。また研
削砥石７を冷却するための冷却水が切断したチップの隙
間に浸入し、やはり粘着力を著しく低下させていた。一
方、基板のある深さまで切断するハーフカットを行い、
後で弾性表面波素子に割る手法がある。しかし、弾性表
面波素子が小型化するにしたがいハーフカット後に割る
ことが困難になるという課題を有している。これはスク
ライブ装置を用いたときも同様である。
【０００５】また、水晶振動子のように化学的なエッチ
ングによって基板を溶解し切断する手法は、弾性表面波
素子を形成する基板が比較的厚めであるためエッチング
するのに非常に時間がかかること、基板のほとんどが単
結晶であることから溶解させる場合の異方性エッチング
が無視できなくなってくるという課題を有していた。
ングによって基板を溶解し切断する手法は、弾性表面波
素子を形成する基板が比較的厚めであるためエッチング
するのに非常に時間がかかること、基板のほとんどが単
結晶であることから溶解させる場合の異方性エッチング
が無視できなくなってくるという課題を有していた。
【０００６】本発明の目的は、弾性表面波素子が非常に
小さくなった場合も、かけなどによる破損を生じさせる
こと無く基板から弾性表面波素子に分割する手法を提供
することにある。
小さくなった場合も、かけなどによる破損を生じさせる
こと無く基板から弾性表面波素子に分割する手法を提供
することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の弾性表面波素子
の分割方法は、弾性表面波素子が形成された基板のスク
ライブラインにあらかじめ溝を形成し、該基板の裏面を
ドライエッチングにより研削してゆき、弾性表面波素子
に分割することを特徴とする。
の分割方法は、弾性表面波素子が形成された基板のスク
ライブラインにあらかじめ溝を形成し、該基板の裏面を
ドライエッチングにより研削してゆき、弾性表面波素子
に分割することを特徴とする。
【０００８】また、弾性表面波素子が形成された基板の
切断部分にあらかじめ溝を形成し、該基板を溶解する溶
液によってエッチングし、弾性表面波素子に分割するこ
とを特徴とする。
切断部分にあらかじめ溝を形成し、該基板を溶解する溶
液によってエッチングし、弾性表面波素子に分割するこ
とを特徴とする。
【０００９】
【実施例】（実施例１）図１は弾性表面波素子３が形成
された基板１に溝２を入れた場合の斜視図である。溝２
を入れる方法としてはダイシング装置、スクライブ装置
などが考えられるがダイシング装置では溝の深さをミク
ロン単位で変えらること、溝の幅も研削砥石で決まるこ
となど、比較的制御しやすいため当実施例の溝を入れる
手法として適している。切断の順序としては基板１上に
弾性表面波素子３を形成した後、必要に応じて保護膜を
基板１上に塗布する。その後ダイシング装置を用いて溝
を形成していく。
された基板１に溝２を入れた場合の斜視図である。溝２
を入れる方法としてはダイシング装置、スクライブ装置
などが考えられるがダイシング装置では溝の深さをミク
ロン単位で変えらること、溝の幅も研削砥石で決まるこ
となど、比較的制御しやすいため当実施例の溝を入れる
手法として適している。切断の順序としては基板１上に
弾性表面波素子３を形成した後、必要に応じて保護膜を
基板１上に塗布する。その後ダイシング装置を用いて溝
を形成していく。
【００１０】図２は溝２を形成してからドライエッチン
グによって弾性表面波素子に分割するまでのプロセスを
示した断面図である。
グによって弾性表面波素子に分割するまでのプロセスを
示した断面図である。
【００１１】図２の（Ａ）は弾性表面波素子を形成した
基板１を示している。これにダイシング装置などによっ
て溝２を入れる。図１の斜視図がちょうど図２（Ｂ）に
相当する。ここでは必要に応じて基板上に保護膜を塗布
してから切断される。これは切断かすなどが基板上に付
着して取れなくなったり、弾性表面波素子のパターンを
傷つけたりしないようにするための措置である。
基板１を示している。これにダイシング装置などによっ
て溝２を入れる。図１の斜視図がちょうど図２（Ｂ）に
相当する。ここでは必要に応じて基板上に保護膜を塗布
してから切断される。これは切断かすなどが基板上に付
着して取れなくなったり、弾性表面波素子のパターンを
傷つけたりしないようにするための措置である。
【００１２】基板１はハーフカットであるため基板を固
定するのに必要な粘着シートや治具と充分固定されたま
まである。これが完全切断であると弾性表面波素子が小
さいため固定に必要な接着面積が小さくなり、また研削
時の冷却水が隙間から入り込んで接着効果を損なってし
まう。
定するのに必要な粘着シートや治具と充分固定されたま
まである。これが完全切断であると弾性表面波素子が小
さいため固定に必要な接着面積が小さくなり、また研削
時の冷却水が隙間から入り込んで接着効果を損なってし
まう。
【００１３】次に図２（Ｃ）に示したようにイオンミー
リングなどドライエッチング装置によって基板１の裏面
を研削除去してゆく。ここではドライエッチングとして
イオンミーリングを例に取ったが、活性化ガスを用いた
リアクティブイオンエッチングなどでも良く、プラズマ
４や電子線等のエネルギーを用いても良い。
リングなどドライエッチング装置によって基板１の裏面
を研削除去してゆく。ここではドライエッチングとして
イオンミーリングを例に取ったが、活性化ガスを用いた
リアクティブイオンエッチングなどでも良く、プラズマ
４や電子線等のエネルギーを用いても良い。
【００１４】図２（Ｃ）のように基板の裏面は一様に削
り取られてゆき、丁度破線で示された部分までエッチン
グされると基板１は図２（Ｄ）で示されたごとく弾性表
面波素子に分割される。
り取られてゆき、丁度破線で示された部分までエッチン
グされると基板１は図２（Ｄ）で示されたごとく弾性表
面波素子に分割される。
【００１５】ここでドライエッチングによって基板の裏
面を一様にエッチングしたが、フォトレジストなどの保
護膜を使用して溝の部分のみを基板１の裏面からエッチ
ングすることも可能である。
面を一様にエッチングしたが、フォトレジストなどの保
護膜を使用して溝の部分のみを基板１の裏面からエッチ
ングすることも可能である。
【００１６】図２（Ｃ）では基板の裏面からドライエッ
チングを行ったが、基板の裏面からのみがよいとは限ら
ない。基板１の表面にフォトレジストなどを塗布して溝
の部分を現像し、ドライエッチングを行っても良い。
チングを行ったが、基板の裏面からのみがよいとは限ら
ない。基板１の表面にフォトレジストなどを塗布して溝
の部分を現像し、ドライエッチングを行っても良い。
【００１７】（実施例２）図３は図２と同様にウエット
エッチングを用いる場合のプロセスを示す断面図であ
る。
エッチングを用いる場合のプロセスを示す断面図であ
る。
【００１８】図３の（Ａ）は弾性表面波素子を形成した
基板１を示している。これに図２で説明したように溝２
を入れる。ところでウエットエッチングを用いるような
場合ではエッチング液が基板のみでなく弾性表面波素子
の電極まで溶解させるような場合が存在する。そこで、
ここでは一例として図３（Ｂ）のように溝２を形成後弾
性表面波素子の電極パターンを保護するように保護膜５
を塗布した。
基板１を示している。これに図２で説明したように溝２
を入れる。ところでウエットエッチングを用いるような
場合ではエッチング液が基板のみでなく弾性表面波素子
の電極まで溶解させるような場合が存在する。そこで、
ここでは一例として図３（Ｂ）のように溝２を形成後弾
性表面波素子の電極パターンを保護するように保護膜５
を塗布した。
【００１９】基板を溶解するエッチング液に基板１を浸
漬する。すると図３（Ｃ）で示される破線部分までエッ
チングし、保護膜を剥離すれば図３（Ｄ）のように弾性
表面波素子に分割される。
漬する。すると図３（Ｃ）で示される破線部分までエッ
チングし、保護膜を剥離すれば図３（Ｄ）のように弾性
表面波素子に分割される。
【００２０】（実施例３）図４は図３と同じくウエット
エッチングを用いた場合であるが、基板１の両面にフォ
トレジストを塗布してパターニング後にウエットエッチ
ングし、弾性表面波素子に分割しているのが特徴であ
る。
エッチングを用いた場合であるが、基板１の両面にフォ
トレジストを塗布してパターニング後にウエットエッチ
ングし、弾性表面波素子に分割しているのが特徴であ
る。
【００２１】図４（Ａ）のように弾性表面波素子を形成
後、図４（Ｂ）のように溝２を設け基板の両面にフォト
レジスト６を塗布する。次に図４（Ｃ）のように溝２の
上側及び下側のフォトレジストを露光、現像する。そし
て基板を溶解する溶液によって基板１の溝部分を溶解し
て弾性表面波素子に分割する。
後、図４（Ｂ）のように溝２を設け基板の両面にフォト
レジスト６を塗布する。次に図４（Ｃ）のように溝２の
上側及び下側のフォトレジストを露光、現像する。そし
て基板を溶解する溶液によって基板１の溝部分を溶解し
て弾性表面波素子に分割する。
【００２２】図４のプロセスの特徴は基板１の両面から
溝２の部分をエッチングすることにより素早くエッチン
グができること、異方性エッチングなどの影響が小さく
て済むことが上げられる。
溝２の部分をエッチングすることにより素早くエッチン
グができること、異方性エッチングなどの影響が小さく
て済むことが上げられる。
【００２３】以上のように図１から図４で述べた溝を形
成する深さであるが、これはドライエッチング、ウエッ
トエッチングを用いる場合のエッチングレート等による
が、できるだけ深く溝を形成した方がよい。
成する深さであるが、これはドライエッチング、ウエッ
トエッチングを用いる場合のエッチングレート等による
が、できるだけ深く溝を形成した方がよい。
【００２４】エッチングに用いられる基板材料であるが
弾性表面波素子が形成される基板材料のほとんどに適用
可能である。例えば水晶、ニオブ酸リチウム、タンタル
酸リチウム等や、シリコン基板やサファイアガラス等上
の酸化亜鉛膜などに形成された弾性表面波素子でもかま
わない。
弾性表面波素子が形成される基板材料のほとんどに適用
可能である。例えば水晶、ニオブ酸リチウム、タンタル
酸リチウム等や、シリコン基板やサファイアガラス等上
の酸化亜鉛膜などに形成された弾性表面波素子でもかま
わない。
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば、弾性表面波素子が形成
された基板に溝をあらかじめ形成し、基板の裏面よりイ
オンミーリングなどのドライエッチングの手法によりエ
ッチングし素子に分割するか、フォトリソ技術と組み合
わせてウエットエッチングによって溝をエッチングし、
素子に分割することにより弾性表面波素子が小型化して
も素子を傷つけて破損させること無く基板から分割する
ことが可能となる効果を有する。
された基板に溝をあらかじめ形成し、基板の裏面よりイ
オンミーリングなどのドライエッチングの手法によりエ
ッチングし素子に分割するか、フォトリソ技術と組み合
わせてウエットエッチングによって溝をエッチングし、
素子に分割することにより弾性表面波素子が小型化して
も素子を傷つけて破損させること無く基板から分割する
ことが可能となる効果を有する。
【図１】本発明の一実施例の溝の入れ方を示す斜視図。
【図２】本発明の一実施例のドライエッチングを用いる
場合の素子分割方法を示す断面図。
場合の素子分割方法を示す断面図。
【図３】本発明の一実施例のウエットエッチングを用い
る場合の素子分割方法を示す断面図。
る場合の素子分割方法を示す断面図。
【図４】本発明の一実施例のウエットエッチングを用い
る場合の素子分割方法を示す断面図。
る場合の素子分割方法を示す断面図。
【図５】従来の切断方法を示す斜視図。
１ 基板 ２ 溝 ３ 弾性表面波素子 ４ プラズマ ５ 保護膜 ６ フォトレジスト ７ 研削砥石 ８ 粘着シート
Claims (2)
- 【請求項１】 弾性表面波素子が形成された基板の切断
部分にあらかじめ溝を形成し、該基板をドライエッチン
グし、弾性表面波素子に分割することを特徴とする弾性
表面波素子の分割方法。 - 【請求項２】 弾性表面波素子が形成された基板の切断
部分にあらかじめ溝を形成し、該基板を溶解する溶液に
よってエッチングし、弾性表面波素子に分割することを
特徴とする弾性表面波素子の分割方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10902493A JPH06326541A (ja) | 1993-05-11 | 1993-05-11 | 弾性表面波素子の分割方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10902493A JPH06326541A (ja) | 1993-05-11 | 1993-05-11 | 弾性表面波素子の分割方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06326541A true JPH06326541A (ja) | 1994-11-25 |
Family
ID=14499672
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10902493A Pending JPH06326541A (ja) | 1993-05-11 | 1993-05-11 | 弾性表面波素子の分割方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06326541A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6426583B1 (en) | 1999-06-14 | 2002-07-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave element, method for producing the same and surface acoustic wave device using the same |
| JP2003521120A (ja) * | 2000-01-26 | 2003-07-08 | トル−シ・テクノロジーズ・インコーポレイテッド | ドライエッチングを用いた半導体ウェーハのシンニング及びダイシング、並びに半導体チップの底部のエッジ及び角を丸める方法 |
| WO2003058697A1 (fr) * | 2001-12-28 | 2003-07-17 | Disco Corporation | Procede de fabrication d'une microplaquete semi-conductrice |
| JP2007143192A (ja) * | 2004-03-15 | 2007-06-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波デバイスの製造方法 |
| JP2011071967A (ja) * | 2009-08-24 | 2011-04-07 | Ngk Insulators Ltd | 複合基板の製造方法 |
-
1993
- 1993-05-11 JP JP10902493A patent/JPH06326541A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6426583B1 (en) | 1999-06-14 | 2002-07-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave element, method for producing the same and surface acoustic wave device using the same |
| US6996882B2 (en) | 1999-06-14 | 2006-02-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for producing a surface acoustic wave element |
| JP2003521120A (ja) * | 2000-01-26 | 2003-07-08 | トル−シ・テクノロジーズ・インコーポレイテッド | ドライエッチングを用いた半導体ウェーハのシンニング及びダイシング、並びに半導体チップの底部のエッジ及び角を丸める方法 |
| WO2003058697A1 (fr) * | 2001-12-28 | 2003-07-17 | Disco Corporation | Procede de fabrication d'une microplaquete semi-conductrice |
| JP2007143192A (ja) * | 2004-03-15 | 2007-06-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波デバイスの製造方法 |
| JP4492623B2 (ja) * | 2004-03-15 | 2010-06-30 | パナソニック株式会社 | 弾性表面波デバイスの製造方法 |
| JP2011071967A (ja) * | 2009-08-24 | 2011-04-07 | Ngk Insulators Ltd | 複合基板の製造方法 |
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