JPS63121306A - 弾性表面波装置の製造方法 - Google Patents
弾性表面波装置の製造方法Info
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- JPS63121306A JPS63121306A JP26655786A JP26655786A JPS63121306A JP S63121306 A JPS63121306 A JP S63121306A JP 26655786 A JP26655786 A JP 26655786A JP 26655786 A JP26655786 A JP 26655786A JP S63121306 A JPS63121306 A JP S63121306A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は弾性表面波装置の製造方法に係り、特にＬｉ２
Ｂ４Ｏ７を基板に用いた弾性表面波装置の製造方法に関
する。
Ｂ４Ｏ７を基板に用いた弾性表面波装置の製造方法に関
する。
（従来の技術）
一般に弾性表面波装置は、第２図に示す様にＬＬ−Ｔａ
Ｏ，、、ＬｉＮｂＯ３，水晶等からなる圧電基板（２２
）上に。
Ｏ，、、ＬｉＮｂＯ３，水晶等からなる圧電基板（２２
）上に。
Ａαを蒸着し、その後フォトリソグラフィを使用してく
し型電極（２１）を形成した後、ダイシングによって各
弾性表面波装置に切断して形成する。
し型電極（２１）を形成した後、ダイシングによって各
弾性表面波装置に切断して形成する。
ところで、Ｌｌ、 ８４０．からなる基板を用いた弾性
表面波装置は、ＬｉＴａ０．基板からなる弾性表面波装
置よりも温度特性が良好であり、かつ水晶基板からなる
弾性表面波装置よりも結合係数が良好なため、今日注目
され、商品化がなされている。
表面波装置は、ＬｉＴａ０．基板からなる弾性表面波装
置よりも温度特性が良好であり、かつ水晶基板からなる
弾性表面波装置よりも結合係数が良好なため、今日注目
され、商品化がなされている。
このＬｉ、Ｂ２Ｏ，ウェハー上に複数の弾性表面波装置
を形成し１個々の装置に切断（ダイシング）する際、通
常第３図に示す様に、切断を行う刃（３１）と基板（３
２）との加熱を防止するため水（３３）を吹きつけて冷
却を行なう、なお、（３４）はウェハーチャックである
。
を形成し１個々の装置に切断（ダイシング）する際、通
常第３図に示す様に、切断を行う刃（３１）と基板（３
２）との加熱を防止するため水（３３）を吹きつけて冷
却を行なう、なお、（３４）はウェハーチャックである
。
ところで、ＬＬ、Ｂ２Ｏ，単結晶の材料自体の性質とし
て、水の溶解する性質がある。したがって、このダイシ
ング工程で、第４図（ａ）に示す様に、電極指（４１）
間の圧電基板（４２）が露出している部分（４３）では
、水により溶解が生じ、第４図（ｂ）に示す如く不所望
な溝すなわちグループ（４４）が形成される。このため
、ダイシングされて得られた弾性表面波装置では、グル
ープの深さ分だけ電ｆ４指の膜厚が増加したと同等の効
果が生じ、設計周波数からずれた周波数が生じる問題が
顕著に見られる。
て、水の溶解する性質がある。したがって、このダイシ
ング工程で、第４図（ａ）に示す様に、電極指（４１）
間の圧電基板（４２）が露出している部分（４３）では
、水により溶解が生じ、第４図（ｂ）に示す如く不所望
な溝すなわちグループ（４４）が形成される。このため
、ダイシングされて得られた弾性表面波装置では、グル
ープの深さ分だけ電ｆ４指の膜厚が増加したと同等の効
果が生じ、設計周波数からずれた周波数が生じる問題が
顕著に見られる。
（発明が解決しようとする問題点）
上述の問題点に鑑み１本発明は、ダイシング時の冷却水
によりＬｉ、ｌＩ４０．からなる基板にグループが生じ
ることを防止する弾性表面波装置を提供することを目的
とする。
によりＬｉ、ｌＩ４０．からなる基板にグループが生じ
ることを防止する弾性表面波装置を提供することを目的
とする。
（問題点を解決するための手段）
上述の目的を達成するため、本発明の弾性表面波装置の
製造方法は、ＬｌｔＢ。０．ウェハー上に複数のｆＩｉ
極を形成した後、保護膜をこのウェハー上に形成し、加
水しながらウェハーを切断し、各弾性表面波装置に切断
することを基本構成としている。
製造方法は、ＬｌｔＢ。０．ウェハー上に複数のｆＩｉ
極を形成した後、保護膜をこのウェハー上に形成し、加
水しながらウェハーを切断し、各弾性表面波装置に切断
することを基本構成としている。
（作 用）
上述の手段をとることにより、保護膜により。
水がウェハー上に直接接触しないためＬｉ、Ｂ２Ｏ，ウ
ェハーの溶解を防止することができる。
ェハーの溶解を防止することができる。
（実 施 例）
以下、本発明の実施例について、第１図（ａ）乃至第１
ＤＩ４（ｅ）を参照して説明する。
ＤＩ４（ｅ）を参照して説明する。
第１図（ａ）に示す如く電極■が形成されたＬ１□−８
４０、ウェハー■上にホトレジスト等をスピンナーによ
りコーティングして、第１図（ｂ）に示す如く、保護１
１０を形成する０次いで、第３図に示すダイシング装置
を用いて、刃とウェハーとの加熱を防止するために水を
加えて、第１図（Ｑ）に示す様に個々の弾性表面波装置
ｌ！（へ）に切断する。この際、保護Ｓ■により、冷却
水はウェハー０表面に触れることはない、その後、第１
図（ｄ）に示す様に、ｏ２プラズマにさらし、レジスト
保護膜■をアッシングして除却すると、第１図（ｅ）に
示す如く、弾性表面波装置が得られる。
４０、ウェハー■上にホトレジスト等をスピンナーによ
りコーティングして、第１図（ｂ）に示す如く、保護１
１０を形成する０次いで、第３図に示すダイシング装置
を用いて、刃とウェハーとの加熱を防止するために水を
加えて、第１図（Ｑ）に示す様に個々の弾性表面波装置
ｌ！（へ）に切断する。この際、保護Ｓ■により、冷却
水はウェハー０表面に触れることはない、その後、第１
図（ｄ）に示す様に、ｏ２プラズマにさらし、レジスト
保護膜■をアッシングして除却すると、第１図（ｅ）に
示す如く、弾性表面波装置が得られる。
次に、上述の実施例により作成された弾性表面波装置の
効果について述べる。 １本発明者
らは、Ｌｉ、Ｂ、Ｏ，基板を用いた２００ＭＨｚ帯共振
子の試作に、上述の工程を用いた場合と、従来の技術に
より試作した場合とを比較してみた。
効果について述べる。 １本発明者
らは、Ｌｉ、Ｂ、Ｏ，基板を用いた２００ＭＨｚ帯共振
子の試作に、上述の工程を用いた場合と、従来の技術に
より試作した場合とを比較してみた。
すると、従来技術によりダイシングを行なうと、ダイシ
ング終了時には、６００人程度の深さのグループが形成
され約０．５ＭＨｚの周波数の低下が見られた。しかし
ながら、上述の実施例の工程を用いたダイシングを行な
うと、ダイシング終了時にはグループの形成も見られず
１周波数変動も生じないことが確認された。
ング終了時には、６００人程度の深さのグループが形成
され約０．５ＭＨｚの周波数の低下が見られた。しかし
ながら、上述の実施例の工程を用いたダイシングを行な
うと、ダイシング終了時にはグループの形成も見られず
１周波数変動も生じないことが確認された。
なお、保ａＳを電極が形成された主面以外の他の面に形
成すれば、他の面が水により溶解されることを防止でき
る。
成すれば、他の面が水により溶解されることを防止でき
る。
上述の説明の如く１本発明は、ダイシング時の刃および
ウェハーの加熱を防止する冷却水によるｔ、ｉ、ａ４ｏ
、 ｉ＆板の溶接を防止することにより、グループが形
成されないため９周波数変動を防止することができる。
ウェハーの加熱を防止する冷却水によるｔ、ｉ、ａ４ｏ
、 ｉ＆板の溶接を防止することにより、グループが形
成されないため９周波数変動を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）乃至第１ｖ！Ｉ（ｅ）は本発明の詳細な説
明するための工程簡略図、第２図は弾性表面波装置を説
明するための工程簡略図である。 （υ・・・電極 ■・・・Ｌ１□Ｂ４０．ウェハー ■・・・保護膜 （へ）・・・弾性表面波装置 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 大胡典夫 第１図 第２図
明するための工程簡略図、第２図は弾性表面波装置を説
明するための工程簡略図である。 （υ・・・電極 ■・・・Ｌ１□Ｂ４０．ウェハー ■・・・保護膜 （へ）・・・弾性表面波装置 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 大胡典夫 第１図 第２図
Claims (3)
- （１）Ｌｉ＿２Ｂ＿４Ｏ＿７からなるウェハー上に複数
の電極を形成する第１の工程と、 少なくとも複数のこの電極が形成されたこのウェハー主
面上に保護膜を形成する第２の工程と、前記ウェハーを
切断することにより複数の弾性表面波装置を形成する第
３の工程とを少なくとも備えた弾性表面波装置の製造方
法。 - （２）前記第２の工程は、前記ウェハー主面上にレジス
トを塗布し前記保護膜を形成する工程であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の弾性表面波装置の製
造方法。 - （３）前記第３の工程は、加水しながら前記ウェハーを
切断することにより複数の弾性表面波装置を形成する工
程であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
弾性表面波装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61266557A JP2565880B2 (ja) | 1986-11-11 | 1986-11-11 | 弾性表面波装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61266557A JP2565880B2 (ja) | 1986-11-11 | 1986-11-11 | 弾性表面波装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63121306A true JPS63121306A (ja) | 1988-05-25 |
| JP2565880B2 JP2565880B2 (ja) | 1996-12-18 |
Family
ID=17432493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61266557A Expired - Lifetime JP2565880B2 (ja) | 1986-11-11 | 1986-11-11 | 弾性表面波装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2565880B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07135441A (ja) * | 1994-06-02 | 1995-05-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 弾性表面波素子の製造方法 |
| JP2002184720A (ja) * | 2000-12-15 | 2002-06-28 | Murata Mfg Co Ltd | デバイスの製造方法 |
| SG99929A1 (en) * | 2000-08-14 | 2003-11-27 | Murata Manufacturing Co | Method of manufacturing piezoelectric device |
| US20120118475A1 (en) * | 2010-11-17 | 2012-05-17 | General Electric Company | Methods of fabricating ultrasonic transducer assemblies |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6041315A (ja) * | 1983-08-17 | 1985-03-05 | Toshiba Corp | 弾性表面波素子 |
-
1986
- 1986-11-11 JP JP61266557A patent/JP2565880B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6041315A (ja) * | 1983-08-17 | 1985-03-05 | Toshiba Corp | 弾性表面波素子 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07135441A (ja) * | 1994-06-02 | 1995-05-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 弾性表面波素子の製造方法 |
| SG99929A1 (en) * | 2000-08-14 | 2003-11-27 | Murata Manufacturing Co | Method of manufacturing piezoelectric device |
| JP2002184720A (ja) * | 2000-12-15 | 2002-06-28 | Murata Mfg Co Ltd | デバイスの製造方法 |
| US20120118475A1 (en) * | 2010-11-17 | 2012-05-17 | General Electric Company | Methods of fabricating ultrasonic transducer assemblies |
| US8776335B2 (en) * | 2010-11-17 | 2014-07-15 | General Electric Company | Methods of fabricating ultrasonic transducer assemblies |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2565880B2 (ja) | 1996-12-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |