JPH04258009A - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
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- JPH04258009A JPH04258009A JP1907991A JP1907991A JPH04258009A JP H04258009 A JPH04258009 A JP H04258009A JP 1907991 A JP1907991 A JP 1907991A JP 1907991 A JP1907991 A JP 1907991A JP H04258009 A JPH04258009 A JP H04258009A
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- acoustic wave
- wave
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
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- SBFTZUUHPXPXLH-UHFFFAOYSA-N skimmin Natural products OCC1OC(C(O)C(O)C1O)c2ccc3C=CC(=O)Oc3c2 SBFTZUUHPXPXLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- VPAOSFFTKWUGAD-UHFFFAOYSA-N umbelliferone beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OC1=CC=C(C=CC(=O)O2)C2=C1 VPAOSFFTKWUGAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
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Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、３６ＹＸ−ＬｉＴａ
Ｏ３ 基板中を伝搬するＳＳＢＷを利用した弾性表面波
装置に関するもので、特に、不要波となる基板端面での
反射波を効率的に除去するための構造に関するものであ
る。
Ｏ３ 基板中を伝搬するＳＳＢＷを利用した弾性表面波
装置に関するもので、特に、不要波となる基板端面での
反射波を効率的に除去するための構造に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】３６ＹＸ−ＬｉＴＡＯ３ 基板中を伝搬
するＳＳＢＷは、位相速度および電気機械結合係数が大
きく、波の減衰定数が比較的小さいため、広く弾性表面
波装置に用いられている。
するＳＳＢＷは、位相速度および電気機械結合係数が大
きく、波の減衰定数が比較的小さいため、広く弾性表面
波装置に用いられている。
【０００３】図６には、上述のようなＳＳＢＷを利用す
る弾性表面波装置の一例としての弾性表面波フィルタ１
が断面図で示されている。弾性表面波フィルタ１は、３
６ＹＸ−ＬｉＴａＯ３ 基板２を備え、この基板２上に
は、入力側インタディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ
）３および出力側ＩＤＴ４が形成されている。
る弾性表面波装置の一例としての弾性表面波フィルタ１
が断面図で示されている。弾性表面波フィルタ１は、３
６ＹＸ−ＬｉＴａＯ３ 基板２を備え、この基板２上に
は、入力側インタディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ
）３および出力側ＩＤＴ４が形成されている。
【０００４】このような弾性表面波フィルタ１において
、入力側ＩＤＴ３部で放出され、基板２中を伝搬するＳ
ＳＢＷ５は、基板２の表面付近にエネルギを集中させて
伝わるが、基板２の表面に対してある角度をもって放射
される一種のバルク波であり、この点において、一般的
な弾性表面波装置で利用されるレイリー波のような弾性
表面波と異なる。
、入力側ＩＤＴ３部で放出され、基板２中を伝搬するＳ
ＳＢＷ５は、基板２の表面付近にエネルギを集中させて
伝わるが、基板２の表面に対してある角度をもって放射
される一種のバルク波であり、この点において、一般的
な弾性表面波装置で利用されるレイリー波のような弾性
表面波と異なる。
【０００５】しかしながら、このようなＳＳＢＷ５は、
基板２の表面に対してある角度をもって入力側ＩＤＴ３
から放射されるものの、その放射角度が小さいため、出
力側ＩＤＴ４によって検出されることができる。このと
き、ＳＳＢＷ５は、基板２の表面からある程度潜った位
置を進むため、ＳＳＢＷ５を利用する弾性表面波フィル
タ１のような弾性表面波装置は、表面汚染に対して強い
、という利点を有する。言い換えれば、波の伝搬路やＩ
ＤＴ３および４部分に異物が付着していても、通常の弾
性表面波に比べ、波の減衰が小さい点という利点がある
。
基板２の表面に対してある角度をもって入力側ＩＤＴ３
から放射されるものの、その放射角度が小さいため、出
力側ＩＤＴ４によって検出されることができる。このと
き、ＳＳＢＷ５は、基板２の表面からある程度潜った位
置を進むため、ＳＳＢＷ５を利用する弾性表面波フィル
タ１のような弾性表面波装置は、表面汚染に対して強い
、という利点を有する。言い換えれば、波の伝搬路やＩ
ＤＴ３および４部分に異物が付着していても、通常の弾
性表面波に比べ、波の減衰が小さい点という利点がある
。
【０００６】しかしながら、このことは、一方では、次
のような欠点にもつながる。図７には、レイリー波のよ
うな一般的な弾性表面波を利用する弾性表面波装置の一
例としての弾性表面波フィルタ６が斜視図で示されてい
る。
のような欠点にもつながる。図７には、レイリー波のよ
うな一般的な弾性表面波を利用する弾性表面波装置の一
例としての弾性表面波フィルタ６が斜視図で示されてい
る。
【０００７】このような弾性表面波フィルタ６は、上述
した弾性表面波フィルタ１と同様、基板７上に形成され
た入力側ＩＤＴ８および出力側ＩＤＴ９を備える。入力
側ＩＤＴ８において波が発生すると、この波は、出力側
ＩＤＴ９に向かうとともに、基板７の逆の端面１０にも
向かい、この端面１０に達した波は、端面１０で反射し
て、さらに出力側ＩＤＴ９へ向かい、出力側ＩＤＴ９で
検出される。また、最初に出力側ＩＤＴ９に向かった波
の中には、出力側ＩＤＴ９を通り抜け、基板７のもう一
方の端面１１に向かい、そこで反射された後、出力側Ｉ
ＤＴ９で検出されるものもある。これらの反射波は、入
力側ＩＤＴ８および出力側ＩＤＴ９間を直接伝わる波に
比べて、時間遅れを生じ、たとえば、弾性表面波フィル
タ６によって与えられる通過帯域内にリップルを発生す
る、といった悪影響を与える。
した弾性表面波フィルタ１と同様、基板７上に形成され
た入力側ＩＤＴ８および出力側ＩＤＴ９を備える。入力
側ＩＤＴ８において波が発生すると、この波は、出力側
ＩＤＴ９に向かうとともに、基板７の逆の端面１０にも
向かい、この端面１０に達した波は、端面１０で反射し
て、さらに出力側ＩＤＴ９へ向かい、出力側ＩＤＴ９で
検出される。また、最初に出力側ＩＤＴ９に向かった波
の中には、出力側ＩＤＴ９を通り抜け、基板７のもう一
方の端面１１に向かい、そこで反射された後、出力側Ｉ
ＤＴ９で検出されるものもある。これらの反射波は、入
力側ＩＤＴ８および出力側ＩＤＴ９間を直接伝わる波に
比べて、時間遅れを生じ、たとえば、弾性表面波フィル
タ６によって与えられる通過帯域内にリップルを発生す
る、といった悪影響を与える。
【０００８】そこで、一般的な対策として、基板７の端
面１０および１１付近に、波を吸収する機能を有するダ
ンピング材（吸音材）１２および１３を付与することが
行なわれている。
面１０および１１付近に、波を吸収する機能を有するダ
ンピング材（吸音材）１２および１３を付与することが
行なわれている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】レイリー波などの通常
の弾性表面波では、波のエネルギが基板７の表面に集中
しているので、ダンピング材１２および１３は、上述し
た不要な反射波を除去するのにほぼ十分な効果がある。
の弾性表面波では、波のエネルギが基板７の表面に集中
しているので、ダンピング材１２および１３は、上述し
た不要な反射波を除去するのにほぼ十分な効果がある。
【００１０】しかしながら、図６を参照して説明したＳ
ＳＢＷ５では、レイリー波に比べて基板２の表面でのエ
ネルギの集中度が低いため、図７に示したようなダンピ
ング材１２および１３では、十分な効果が得られないこ
とが多い。
ＳＢＷ５では、レイリー波に比べて基板２の表面でのエ
ネルギの集中度が低いため、図７に示したようなダンピ
ング材１２および１３では、十分な効果が得られないこ
とが多い。
【００１１】それゆえに、この発明の目的は、３６ＹＸ
−ＬｉＴａＯ３ 基板中を伝搬するＳＳＢＷを利用した
弾性表面波装置において、不要波となる基板端面での反
射波を効果的に除去し得る構造を提供しようとすること
である。
−ＬｉＴａＯ３ 基板中を伝搬するＳＳＢＷを利用した
弾性表面波装置において、不要波となる基板端面での反
射波を効果的に除去し得る構造を提供しようとすること
である。
【００１２】
【課題を解決するための手段】この発明は、３６ＹＸ−
ＬｉＴａＯ３ 基板および前記基板上に形成されるイン
タディジタルトランスデューサを備え、ＳＳＢＷを利用
する、弾性表面波装置に向けられるものであって、上述
した技術的課題を解決するため、前記基板上であって、
前記ＳＳＢＷの伝搬方向の端部に、酸化シリコン膜を形
成し、その上にダンピング材を付与したことを特徴とし
ている。
ＬｉＴａＯ３ 基板および前記基板上に形成されるイン
タディジタルトランスデューサを備え、ＳＳＢＷを利用
する、弾性表面波装置に向けられるものであって、上述
した技術的課題を解決するため、前記基板上であって、
前記ＳＳＢＷの伝搬方向の端部に、酸化シリコン膜を形
成し、その上にダンピング材を付与したことを特徴とし
ている。
【００１３】
【作用】この発明は、本発明者による以下の知見に基づ
いてなされたものである。
いてなされたものである。
【００１４】すなわち、３６ＹＸ−ＬｉＴａＯ３ 基板
上に、酸化シリコン（ＳｉＯ２ ）膜を形成することに
よって、ＳＳＢＷがリーキー的な表面波に変換されるこ
とがわかった。このリーキー表面波は、ＳＳＢＷに比べ
、基板表面でのダンピングによる減衰効果がかなり大き
い。 したがって、基板の表面上に酸化シリコン膜を形成し、
その上にダンピング材を付与すれば、酸化シリコン膜が
形成された部分のみにおいて、ＳＳＢＷがリーキー表面
波になり、したがって、ダンピング材による波の減衰効
果を十分に受けることができる。
上に、酸化シリコン（ＳｉＯ２ ）膜を形成することに
よって、ＳＳＢＷがリーキー的な表面波に変換されるこ
とがわかった。このリーキー表面波は、ＳＳＢＷに比べ
、基板表面でのダンピングによる減衰効果がかなり大き
い。 したがって、基板の表面上に酸化シリコン膜を形成し、
その上にダンピング材を付与すれば、酸化シリコン膜が
形成された部分のみにおいて、ＳＳＢＷがリーキー表面
波になり、したがって、ダンピング材による波の減衰効
果を十分に受けることができる。
【００１５】
【発明の効果】それゆえに、この発明によれば、３６Ｙ
Ｘ−ＬｉＴａＯ３ 基板中を伝搬するＳＳＢＷの端面反
射波を効果的に除去することができる。
Ｘ−ＬｉＴａＯ３ 基板中を伝搬するＳＳＢＷの端面反
射波を効果的に除去することができる。
【００１６】したがって、この発明による弾性表面波装
置は、不要波の発生が抑制され、優れた特性を実現する
ことができる。たとえば、この発明が弾性表面波フィル
タに適用されると、通過帯域内でのリップルの発生を抑
制することができる。
置は、不要波の発生が抑制され、優れた特性を実現する
ことができる。たとえば、この発明が弾性表面波フィル
タに適用されると、通過帯域内でのリップルの発生を抑
制することができる。
【００１７】
【実施例】図１は、この発明の一実施例による弾性表面
波装置の一例としての弾性表面波フィルタ１４を示す断
面図である。
波装置の一例としての弾性表面波フィルタ１４を示す断
面図である。
【００１８】この弾性表面波フィルタ１４は、３６ＹＸ
−ＬｉＴａＯ３ 基板１５を備え、この基板１５上には
、入力側および出力側インタディジタルトランスデュー
サ（ＩＤＴ）１６および１７が形成されている。このよ
うな弾性表面波フィルタ１４では、図６を参照して前述
したように、基板１５中をＳＳＢＷが伝搬する。
−ＬｉＴａＯ３ 基板１５を備え、この基板１５上には
、入力側および出力側インタディジタルトランスデュー
サ（ＩＤＴ）１６および１７が形成されている。このよ
うな弾性表面波フィルタ１４では、図６を参照して前述
したように、基板１５中をＳＳＢＷが伝搬する。
【００１９】この弾性表面波フィルタ１４において、こ
の発明の特徴となる次のような構成が採用されている。 すなわち、基板１５上であって、ＳＳＢＷの伝搬方向の
端部に、まず、適当な厚みの酸化シリコン膜１８および
１９が、それぞれ、スパッタリング法などによって形成
される。次に、これら酸化シリコン膜１８および１９上
に、たとえばシリコーンゴムからなるダンピング材２０
および２１が付与される。したがって、出力側ＩＤＴ１
７を通過して基板１５の端面に向かった波、または入力
側ＩＤＴ１６から出力側ＩＤＴ１７とは逆の端面に向か
った波は、酸化シリコン膜１８および１９によってリー
キー表面波に変換され、このリーキー表面波は、ダンピ
ング材２０および２１によってそのエネルギが減衰され
、端面で反射されることが防止される。その結果、不要
な端面反射波が効果的に除去される。
の発明の特徴となる次のような構成が採用されている。 すなわち、基板１５上であって、ＳＳＢＷの伝搬方向の
端部に、まず、適当な厚みの酸化シリコン膜１８および
１９が、それぞれ、スパッタリング法などによって形成
される。次に、これら酸化シリコン膜１８および１９上
に、たとえばシリコーンゴムからなるダンピング材２０
および２１が付与される。したがって、出力側ＩＤＴ１
７を通過して基板１５の端面に向かった波、または入力
側ＩＤＴ１６から出力側ＩＤＴ１７とは逆の端面に向か
った波は、酸化シリコン膜１８および１９によってリー
キー表面波に変換され、このリーキー表面波は、ダンピ
ング材２０および２１によってそのエネルギが減衰され
、端面で反射されることが防止される。その結果、不要
な端面反射波が効果的に除去される。
【００２０】次に、この発明をなすに至った実験例につ
いて説明する。図２に示すように、３６ＹＸ−ＬｉＴａ
Ｏ３ 基板２２上に、波長λ＝８μｍ、電極対数１５対
、伝搬距離６２．５λの入力側および出力側ＩＤＴ２３
および２４を形成し、その上に、酸化シリコン膜２５を
スパッタリング法によって種々の厚みで形成した。そし
て、シリコーンゴムを、一定の厚みで均一にダンピング
材２６として、ＩＤＴ２３および２４ならびに伝搬路上
のすべての領域に塗布した。
いて説明する。図２に示すように、３６ＹＸ−ＬｉＴａ
Ｏ３ 基板２２上に、波長λ＝８μｍ、電極対数１５対
、伝搬距離６２．５λの入力側および出力側ＩＤＴ２３
および２４を形成し、その上に、酸化シリコン膜２５を
スパッタリング法によって種々の厚みで形成した。そし
て、シリコーンゴムを、一定の厚みで均一にダンピング
材２６として、ＩＤＴ２３および２４ならびに伝搬路上
のすべての領域に塗布した。
【００２１】図３には、ダンピング材２６の塗布前後で
の挿入損失の変化量が示されている。図３において、縦
軸は、ダンピング材２６の塗布による挿入損失増加量を
示し、横軸は、ｈ／λを示しており、ここで、ｈは酸化
シリコン膜２５の厚みであり、λは波の波長である。
の挿入損失の変化量が示されている。図３において、縦
軸は、ダンピング材２６の塗布による挿入損失増加量を
示し、横軸は、ｈ／λを示しており、ここで、ｈは酸化
シリコン膜２５の厚みであり、λは波の波長である。
【００２２】図３から、ｈ／λが大きくなるほど、すな
わち、酸化シリコン膜２５の厚みが大きくなるほど、ダ
ンピング材２６による波の減衰効果が大きくなることが
わかる。これは、ｈ／λが大きくなるほど、ＳＳＢＷが
リーキー表面波に変換される割合が大きくなるためであ
ると考えられる。
わち、酸化シリコン膜２５の厚みが大きくなるほど、ダ
ンピング材２６による波の減衰効果が大きくなることが
わかる。これは、ｈ／λが大きくなるほど、ＳＳＢＷが
リーキー表面波に変換される割合が大きくなるためであ
ると考えられる。
【００２３】図４には、ｈ／λ＝０．２７となるように
図２における酸化シリコン膜２５を形成した場合のダン
ピング材２６の塗布前後での周波数特性が示されている
。比較のため、図５には、酸化シリコン膜が形成されな
い状態でのダンピング材の塗布前後の周波数特性が示さ
れている。これらの図面からわかるように、酸化シリコ
ン膜を形成しない場合には、図５に示すように、ダンピ
ング材による効果がほとんど認められないのに対し、酸
化シリコン膜２５を形成した場合には、図４に示すよう
に、ダンピング材２６の効果が顕著に表われている。
図２における酸化シリコン膜２５を形成した場合のダン
ピング材２６の塗布前後での周波数特性が示されている
。比較のため、図５には、酸化シリコン膜が形成されな
い状態でのダンピング材の塗布前後の周波数特性が示さ
れている。これらの図面からわかるように、酸化シリコ
ン膜を形成しない場合には、図５に示すように、ダンピ
ング材による効果がほとんど認められないのに対し、酸
化シリコン膜２５を形成した場合には、図４に示すよう
に、ダンピング材２６の効果が顕著に表われている。
【００２４】なお、前述したように、ダンピング材の付
与による端面反射波の防止効果は、酸化シリコン膜の厚
みすなわちｈ／μによって影響されるが、このような酸
化シリコン膜の厚みは、端面反射波防止の必要度合に応
じて決めることができる。
与による端面反射波の防止効果は、酸化シリコン膜の厚
みすなわちｈ／μによって影響されるが、このような酸
化シリコン膜の厚みは、端面反射波防止の必要度合に応
じて決めることができる。
【００２５】また、この発明は、前述した実施例で開示
されたようなフィルタに限らず、その他の弾性表面波装
置にも適用することができる。
されたようなフィルタに限らず、その他の弾性表面波装
置にも適用することができる。
【図１】この発明の一実施例による弾性表面波装置の一
例としての弾性表面波フィルタ１４を示す断面図である
。
例としての弾性表面波フィルタ１４を示す断面図である
。
【図２】この発明をなすに至った実験例において作製し
た試料を示す断面図である。
た試料を示す断面図である。
【図３】図２に示した試料に基づき、酸化シリコン膜２
５の厚み（ｈ）の相違による、ダンピング材２６の塗布
による挿入損失増加量の変化を測定した結果を示す図で
ある。
５の厚み（ｈ）の相違による、ダンピング材２６の塗布
による挿入損失増加量の変化を測定した結果を示す図で
ある。
【図４】図２に示した試料に基づき、ｈ／λ＝０．２７
の場合のダンピング材２６の塗布前後での周波数特性を
示す図である。
の場合のダンピング材２６の塗布前後での周波数特性を
示す図である。
【図５】酸化シリコン膜が形成されない場合のダンピン
グ材塗布前後での周波数特性を示す図である。
グ材塗布前後での周波数特性を示す図である。
【図６】３６ＹＸ−ＬｉＴａＯ３ 基板２中を伝搬する
ＳＳＢＷ５を利用した弾性表面波フィルタ１を示す断面
図である。
ＳＳＢＷ５を利用した弾性表面波フィルタ１を示す断面
図である。
【図７】従来の一般的な弾性表面波フィルタ６を示す斜
視図である。
視図である。
２，１５，２２ ３６ＹＸ−ＬｉＴａＯ３ 基板５
ＳＳＢＷ １４ 弾性表面波フィルタ １６，１７ インタディジタルトランスデューサ（Ｉ
ＤＴ） １８，１９，２５ 酸化シリコン膜 ２０，２１，２６ ダンピング材
ＳＳＢＷ １４ 弾性表面波フィルタ １６，１７ インタディジタルトランスデューサ（Ｉ
ＤＴ） １８，１９，２５ 酸化シリコン膜 ２０，２１，２６ ダンピング材
Claims (1)
- 【請求項１】 ３６ＹＸ−ＬｉＴａＯ３ 基板および
前記基板上に形成されるインタディジタルトランスデュ
ーサを備え、ＳＳＢＷ（ＳｕｒｆａｃｅＳｋｉｍｍｉｎ
ｇ Ｂｕｌｋ Ｗａｖｅ）を利用する、弾性表面波装置
において、前記基板上であって、前記ＳＳＢＷの伝搬方
向の端部に、酸化シリコン膜を形成し、その上にダンピ
ング材を付与したことを特徴とする、弾性表面波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1907991A JPH04258009A (ja) | 1991-02-12 | 1991-02-12 | 弾性表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1907991A JPH04258009A (ja) | 1991-02-12 | 1991-02-12 | 弾性表面波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04258009A true JPH04258009A (ja) | 1992-09-14 |
Family
ID=11989436
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1907991A Withdrawn JPH04258009A (ja) | 1991-02-12 | 1991-02-12 | 弾性表面波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04258009A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6534901B1 (en) * | 1999-02-08 | 2003-03-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave device and method of manufacture thereof |
-
1991
- 1991-02-12 JP JP1907991A patent/JPH04258009A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6534901B1 (en) * | 1999-02-08 | 2003-03-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave device and method of manufacture thereof |
| US6848153B2 (en) | 1999-02-08 | 2005-02-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing a surface acoustic wave device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |