CN107658233B - 具有裂缝感测线的显示设备 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种具有裂缝感测线的显示设备。该显示设备包括具有显示区域和非显示区域的基板。多个像素被布置在基板的显示区域中。多条数据线连接到多个像素。裂缝感测线连接到多条数据线中的至少一条。裂缝感测线被布置在基板的非显示区域中。虚设图案层连接到裂缝感测线。

Description

具有裂缝感测线的显示设备
相关申请的交叉引用
本申请要求2016年7月26日提交到韩国知识产权局的韩国专利申请第10-2016-0094800号的优先权和权益，其全部内容通过引用被合并于此。
技术领域
本公开涉及一种显示设备，并且更具体地，涉及一种具有布置在其上的裂缝感测线的显示设备。
背景技术
诸如液晶显示(LCD)设备和有机发光二极管(OLED)显示设备的平板显示器倾向于重量轻并且小，并且因此很适合便携式电子设备，诸如，移动电话、智能电话、可穿戴设备、卫星制导系统、数码相机、电子书阅读器、便携式游戏机等。
诸如LCD和OLED的平板显示器可被制造成包括柔性/可弯曲的基板，并且然后显示器可被弯曲成期望的形状并且定位在便携式电子设备内。
在制造工艺期间，随着平板显示器被弯曲，可在显示设备的基板中产生裂缝。然而，大的裂缝可能更易于发现，但较小的裂缝可能难以检测并且可能不会对显示设备的性能造成不利的影响，至少在最初不会。然而，随着时间的流逝，裂缝可变得更大，并且湿气可通过裂缝渗透到显示设备的内部。最后，这些显示设备可能失灵。
为了沿显示设备基板检测甚小的裂缝，可布置裂缝感测线。然而，在制造显示设备时，基板可随着辊移动，并且可能产生静电。裂缝感测线可连接到布置在显示区域中的薄膜晶体管，并且裂缝感测线上的静电可损坏连接到裂缝感测线的薄膜晶体管。由于裂缝感测线可被布置得接近其他布线，因此裂缝感测线上的静电可引起裂缝感测线和邻近的布线之间的短路。
发明内容
显示设备包括具有显示区域和非显示区域的基板。多个像素被布置在基板的显示区域中。多条数据线连接到多个像素。裂缝感测线连接到多条数据线中的至少一条。裂缝感测线被布置在基板的非显示区域中。虚设图案层连接到裂缝感测线。
显示设备包括柔性基板。多个像素被布置在柔性基板上。多条数据线被布置在基板上并且连接到多个像素。第一裂缝感测线连接到多条数据线。虚设图案层被布置在第一裂缝感测线和柔性基板之间。
附图说明
通过参照下面结合附图所考虑的详细说明，本公开变得更好理解，本公开的更完整理解以及本公开带来的许多方面将容易获得，其中：
图1是图示根据本发明构思的示例性实施例的显示设备的俯视平面图；
图2是图示根据本发明构思的示例性实施例的显示设备的非显示区域的俯视平面图；
图3是图示沿线III-III截取的图2所示的非显示区域的截面图；
图4是图示沿线IV-IV截取的图2所示的非显示区域的截面图；
图5是图示根据本发明构思的示例性实施例的显示设备的显示区域的截面图；
图6是图示施加到根据本发明构思的示例性实施例的显示设备的信号的波形图；
图7至图9是图示根据本发明构思的示例性实施例的显示设备的俯视平面图；
图10是图示根据本发明构思的示例性实施例的显示设备的非显示区域的俯视平面图；
图11是图示根据本发明构思的示例性实施例的显示设备的非显示区域的俯视平面图；
图12是图示根据本发明构思的示例性实施例的显示设备的非显示区域的俯视平面图；
图13是图示沿线XIII-XIII截取的图12的非显示区域的截面图；
图14是图示根据本发明构思的示例性实施例的显示设备的非显示区域的俯视平面图；
图15是图示沿线XV-XV截取的图14的非显示区域的截面图；
图16是图示根据本发明构思的示例性实施例的显示设备的非显示区域的俯视平面图；
图17是图示沿线XVII-XVII截取的图16的非显示区域的截面图；以及
图18是图示根据本发明构思的示例性实施例的显示设备的非显示区域的截面图。
具体实施方式
下文中将参考其中示出了本发明示例性实施例的附图更充分地描述本发明。如本领域技术人员将认识到的那样，所描述的实施例可以以各种不同的方式来修改，所有这些都不脱离本发明的精神或范围。
在整个说明书中，相同的附图标记可指代相同的要素。
在图中，为了清楚起见，层、膜、面板、区、区域等的厚度可被夸大。
将理解的是，当诸如层、膜、区、区域或基板的要素被称为在另一要素“上”时，其可以直接在另一要素上，或者也可以存在中间要素。
下面将参考图1描述根据示例性实施例的显示设备。
图1是图示根据本发明构思的示例性实施例的显示设备的俯视平面图。
如图1所示，根据示例性实施例的显示设备包括基板110。
基板110可由诸如玻璃、聚合物、不锈钢等的绝缘材料制成。基板110可以是柔性的、可伸缩的、可折叠的、可弯曲的或可卷曲的。由于基板110可以是柔性的、可伸缩的、可折叠的、可弯曲的或可卷曲的，显示设备可以完全是柔性的、可伸缩的、可折叠的、可弯曲的或可卷曲的。例如，基板110可以是包括诸如聚酰亚胺的树脂的柔性膜类型。
基板110包括显示图像的显示区域DA和图像不被显示在其中的非显示区域NDA。传送信号以驱动显示区域DA的驱动器可被布置在非显示区域NDA内。非显示区域NDA被布置在显示区域DA的边缘。图1示出了围绕显示区域DA的非显示区域NDA，然而本发明并不限于此。非显示区域NDA可被布置在显示区域DA的两侧边缘处，并且非显示区域NDA可被布置在显示区域DA的左边缘和下边缘处。
多个像素R、G和B以及连接到多个像素R、G和B的多条栅线G1、G2、…、G(n-1)和Gn及多条数据线D1、D2、D3、D4、D5、D6、…、D(m-5)、D(m-4)、D(m-3)、D(m-2)、D(m-1)和Dm被布置在基板110的显示区域DA上。
像素R、G和B是用于显示图像的最小单元，并且每个像素R、G和B能够仅显示单色。多个像素R、G和B沿行方向和列方向以矩阵形状被布置。
多条栅线G1、G2、…、G(n-1)和Gn彼此可被布置有预定间隔，并且栅线G1、G2、…、G(n-1)和Gn中的每条基本沿行方向延伸。多个像素R、G和B中在行方向上邻近的那些像素连接到相同的栅线G1、G2、…、G(n-1)和Gn。
栅线G1、G2、…、G(n-1)和Gn连接到栅驱动器，并且从栅驱动器接收包括栅极导通电压和栅极截止电压的栅信号。栅驱动器可被布置在基板110的非显示区域NDA上。
多条数据线D1、D2、D3、D4、D5、D6、…、D(m-5)、D(m-4)、D(m-3)、D(m-2)、D(m-1)和Dm彼此可被布置有预定间隔，并且数据线D1、D2、D3、D4、D5、D6、…、D(m-5)、D(m-4)、D(m-3)、D(m-2)、D(m-1)和Dm中的每条近似沿列方向延伸。多个像素R、G和B中在列方向上邻近的那些像素连接到相同的数据线D1、D2、D3、D4、D5、D6、…、D(m-5)、D(m-4)、D(m-3)、D(m-2)、D(m-1)和Dm。
数据线D1、D2、D3、D4、D5、D6、…、D(m-5)、D(m-4)、D(m-3)、D(m-2)、D(m-1)和Dm连接到数据驱动器并且从数据驱动器接收数据信号。数据驱动器可被布置在基板110的非显示区域NDA上。数据线D1、D2、D3、D4、D5、D6、…、D(m-5)、D(m-4)、D(m-3)、D(m-2)、D(m-1)和Dm分别向像素R、G和B传送数据信号，从而像素R、G和B可分别表现预定亮度。
像素R、G和B中的每个通过薄膜晶体管连接到栅线G1、G2、…、G(n-1)和Gn中的每条以及数据线D1、D2、D3、D4、D5、D6、…、D(m-5)、D(m-4)、D(m-3)、D(m-2)、D(m-1)和Dm中的每条。当栅极导通电压被施加到栅线G1、G2、…、G(n-1)和Gn时，薄膜晶体管被导通，使得数据信号通过数据线D1、D2、D3、D4、D5、D6、…、D(m-5)、D(m-4)、D(m-3)、D(m-2)、D(m-1)和Dm被施加到每个像素。
第一测试栅线TG1、第二测试栅线TG2、第一测试信号线TD1以及多条第二测试信号线TD2a、TD2b和TD2c被布置在基板110的非显示区域NDA中。
第一测试栅线TG1和第一测试信号线TD1可被布置成沿行方向彼此平行。图1图示了布置在基板110的下边缘处的第一测试栅线TG1和第一测试信号线TD1，然而本发明并不限于此，并且第一测试栅线TG1和第一测试信号线TD1的位置可进行各种改变。
第二测试栅线TG2以及第二测试信号线TD2a、TD2b和TD2c可被布置成沿行方向平行。图1图示了布置在基板110的上边缘上的第二测试栅线TG2以及第二测试信号线TD2a、TD2b和TD2c，然而本发明并不限于此，并且第二测试栅线TG2以及第二测试信号线TD2a、TD2b和TD2c的位置可进行各种改变。
连接到第一测试栅线TG1、第一测试信号线TD1以及数据线D1、D2、D3、D4、D5、D6、…、D(m-5)、D(m-4)、D(m-3)、D(m-2)、D(m-1)和Dm的第一开关元件Q1被布置在基板110的非显示区域NDA中。多个第一开关元件Q1可被布置在基板110上，并且每个第一开关元件Q1可连接到多条数据线D1、D2、D3、D4、D5、D6、…、D(m-5)、D(m-4)、D(m-3)、D(m-2)、D(m-1)和Dm当中的六条。
在基板110的非显示区域NDA中，第二开关元件Q2连接到第二测试栅线TG2、第二测试信号线TD2a、TD2b和TD2c以及数据线D1、D2、D3、D4、D5、D6、…、D(m-5)、D(m-4)、D(m-3)、D(m-2)、D(m-1)和Dm。三条第二测试信号线TD2a、TD2b和TD2c以及多个第二开关元件Q2可被布置在基板110上。第二开关元件Q2的数量可与数据线D1、D2、D3、D4、D5、D6、…、D(m-5)、D(m-4)、D(m-3)、D(m-2)、D(m-1)和Dm的数量对应。每个第二开关元件Q2连接到多条数据线D1、D2、D3、D4、D5、D6、…、D(m-5)、D(m-4)、D(m-3)、D(m-2)、D(m-1)和Dm中的一条。邻近的第二开关元件Q2可连接到不同的第二测试信号线TD2a、TD2b和TD2c。
第一裂缝感测线CD1和第二裂缝感测线CD2被布置在基板110的非显示区域NDA中。第一裂缝感测线CD1和第二裂缝感测线CD2被布置在多个像素R、G和B的两侧上。第一裂缝感测线CD1可被布置在基板110的左边缘处，并且第二裂缝感测线CD2可被布置在基板110的右边缘处。第一裂缝感测线CD1和第二裂缝感测线CD2可彼此平行地延伸。
第一裂缝感测线CD1和第二裂缝感测线CD2被布置在基板110的上边缘的部分区域处，然而本发明并不限于此，并且第一裂缝感测线CD1和第二裂缝感测线CD2可被布置成围绕基板110的上边缘的大部分，并且可被布置在下边缘处。第一裂缝感测线CD1和第二裂缝感测线CD2与布置在基板110的显示区域DA处的金属层可由同一层形成。
第一裂缝感测线CD1的第一端连接到第二测试信号线TD2a、TD2b和TD2c中的一条。例如，第一裂缝感测线CD1的第一端可连接到布置在从基板110的上部起的第二行处的第二测试信号线TD2b。第一裂缝感测线CD1的第二端通过第二开关元件Q2连接到数据线D1、D2、D3、D4、D5、D6、…、D(m-5)、D(m-4)、D(m-3)、D(m-2)、D(m-1)和Dm中的一条。例如，第一裂缝感测线CD1的第二端可连接到布置在从基板110的左边缘起的第二列处的数据线D2(下文称为“第一数据线”)。
第一裂缝感测线CD1从连接到第二测试信号线TD2b的第一端开始，并且沿基板110的上边缘和左边缘在第一方向R1上延伸，并且然后在与第一方向R1相反的作为改变的方向的第二方向R2上延伸，并且通过第二端连接到第一数据线D2。
第二裂缝感测线CD2的第一端连接到第二测试信号线TD2a、TD2b和TD2c中的一条。例如，第二裂缝感测线CD2的第一端可连接到布置在从基板110的上边缘起的第二行处的第二测试信号线TD2b。第二裂缝感测线CD2的第二端通过第二开关元件Q2连接到数据线D1、D2、D3、D4、D5、D6、…、D(m-5)、D(m-4)、D(m-3)、D(m-2)、D(m-1)和Dm中的一条。例如，第二裂缝感测线CD2的第二端可连接到布置在从基板110的右边缘起的第二列处的数据线D(m-1)(下文称为“第二数据线”)。
第二裂缝感测线CD2从连接到第二测试信号线TD2b的第一端开始，并且沿基板110的上边缘和右边缘在第一方向R1上延伸，并且然后在第二方向R2(其是与第一方向R1相反的方向)上延伸，并且通过第二端连接到第二数据线D(m-1)。
第一裂缝感测线CD1和第二裂缝感测线CD2被布置在与显示区域DA的两侧边缘都邻近的非显示区域NDA处，并且分别从第一端开始，并且在第一方向R1上延伸并且然后再在第二方向R2上延伸以到达第二端，从而形成半环形状。
公共电压线ELVSS被布置在基板110的非显示区域NDA中。公共电压线ELVSS可被布置成围绕显示区域DA的至少部分。例如，公共电压线ELVSS可被布置以便围绕显示区域DA的左边缘、上边缘和右边缘。公共电压线ELVSS可靠近第一裂缝感测线CD1和第二裂缝感测线CD2。公共电压线ELVSS可包括布置在第一裂缝感测线CD1和显示区域DA之间的部分以及布置在第二裂缝感测线CD2和显示区域DA之间的部分。公共电压线ELVSS可与第一裂缝感测线CD1和第二裂缝感测线CD2平行地延伸。公共电压被施加到公共电压线ELVSS。施加到公共电压线ELVSS的电压可与施加到第一裂缝感测线CD1和第二裂缝感测线CD2的电压不同。
接下来，将参考图2至图4描述根据本发明构思的示例性实施例的显示设备的非显示区域NDA。
图2是图示根据本发明构思的示例性实施例的显示设备的非显示区域的俯视平面图。图3是沿线III-III截取的图2所示的非显示区域的截面图。图4是沿线IV-IV截取的图2所示的非显示区域的截面图。
如图2所示，第一裂缝感测线CD1和与第一裂缝感测线CD1重叠的虚设图案层138被布置在基板110的非显示区域NDA中。
虚设图案层138可由半导体材料制成。虚设图案层138可由具有比第一裂缝感测线CD1的阻值更高的阻值的材料制成。
缓冲层120可被布置在基板110和虚设图案层138之间。缓冲层120可包括氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)。
第一裂缝感测线CD1可由金属材料制成。第一裂缝感测线CD1与虚设图案层138重叠，并且第一裂缝感测线CD1被布置在虚设图案层138上。第一裂缝感测线CD1和虚设图案层138在相同的方向上延伸，并且可具有基本相同的宽度。第一裂缝感测线CD1和虚设图案层138在部分区域或整个区域可具有不同的宽度。
第一栅绝缘层141和第二栅绝缘层142可被布置在虚设图案层138和第一裂缝感测线CD1之间。第一栅绝缘层141和第二栅绝缘层142可由诸如氮化硅和/或氧化硅的无机绝缘材料制成。两个绝缘层被沉积在虚设图案层138和第一裂缝感测线CD1之间，然而本示例性实施例并不限于此。由单层或三个或更多个绝缘层制成的绝缘层可被布置在虚设图案层138和第一裂缝感测线CD1之间。
与虚设图案层138和第一裂缝感测线CD1重叠的连接电极178被布置在基板110上。连接电极178可被布置在虚设图案层138和第一裂缝感测线CD1上。连接电极178可由金属材料制成。
层间绝缘层160可被布置在第一裂缝感测线CD1和连接电极178之间。第一栅绝缘层141、第二栅绝缘层142和层间绝缘层160各自可被布置在虚设图案层138和连接电极178之间。层间绝缘层160可由有机绝缘材料或无机绝缘材料制成。
层间绝缘层160具有与第一裂缝感测线CD1重叠的第一接触孔185。第一栅绝缘层141、第二栅绝缘层142和层间绝缘层160具有与虚设图案层138重叠的第二接触孔186。第二接触孔186不与第一裂缝感测线CD1重叠。例如，第二接触孔186被布置在虚设图案层138与第一裂缝感测线CD1不重叠的部分处。连接电极178通过第一接触孔185连接到第一裂缝感测线CD1并且通过第二接触孔186连接到虚设图案层138。因此，第一裂缝感测线CD1通过连接电极178连接到虚设图案层138。
在制造显示设备的工艺中，根据本发明构思的示例性实施例，在移动基板110时，可能在第一裂缝感测线CD1上产生静电。第一裂缝感测线CD1连接到第一数据线D2，并且连接到第一数据线D2的薄膜晶体管的特性可被静电改变。例如，薄膜晶体管的阈值电压可被改变。而且，存在由第一裂缝感测线CD1和邻近的公共电压线ELVSS之间的电势差可能产生电荷运动的风险，或第一裂缝感测线CD1和公共电压线ELVSS可能被短路的风险。
根据本发明构思的示例性实施例，虚设图案层138由具有比第一裂缝感测线CD1的阻值更大的阻值的材料制成，并且第一裂缝感测线CD1和虚设图案层138彼此连接。因此，即使在第一裂缝感测线CD1上产生静电，也可通过虚设图案层138中的RC延迟减小峰值电流值。因此，连接到第一裂缝感测线CD1的薄膜晶体管的特性可被保持，并且第一裂缝感测线CD1和邻近布线之间的短路可被防止。
第二裂缝感测线CD2和周围组成要素可与第一裂缝感测线CD1及其周围组成要素基本类似，并且因此在这个意义上不再进一步描述第二裂缝感测线CD2及其周围组成，可假定第一裂缝感测线CD1及其周围组成的描述可适用。如同第一裂缝感测线CD1，第二裂缝感测线CD2也可与虚设图案层重叠，并且虚设图案层可具有比第二裂缝感测线CD2高的阻值。在这种情况下，第二裂缝感测线CD2连接到虚设图案层。
接下来，将参考图5描述根据本发明构思的示例性实施例的显示设备的显示区域。
图5是示出根据本发明构思的示例性实施例的显示设备的显示区域的截面图。
如图5所示，缓冲层120被布置在显示设备的基板110的显示区域DA中。缓冲层120可包括氮化硅和/或氧化硅。缓冲层120可防止诸如杂质或湿气的外部成分的渗透，并且缓冲层120还可平坦化基板110的表面。缓冲层120可被布置在显示区域DA和非显示区域NDA两者中。根据本发明构思的一些示例性实施例，缓冲层120可被完全省略。
半导体130被布置在缓冲层120上。半导体130可由多晶半导体材料和/或氧化物半导体材料制成。半导体130包括沟道区131以及布置在沟道区131的相应侧处的接触掺杂区132和133。接触掺杂区132和133可被掺杂有杂质。接触掺杂区132和133可分别包括源区132和漏区133。这里，根据被制造的薄膜晶体管的类型改变所使用的杂质的类型。
布置在非显示区域NDA中的虚设图案层138与半导体130可被布置在同一层上，半导体130被布置在显示区域DA中。虚设图案层138和半导体130可使用相同的材料一起被形成。
第一栅绝缘层141被布置在半导体130上。第一栅绝缘层141可由诸如氮化硅和/或氧化硅的无机绝缘材料制成。第一栅绝缘层141可被布置在基板110的显示区域DA和非显示区域NDA两者中。
栅电极150被布置在第一栅绝缘层141上。例如，栅电极150与半导体130的至少部分重叠，例如，栅电极150可与沟道区131的至少部分重叠。
第二栅绝缘层142被布置在栅电极150和第一栅绝缘层141上。第二栅绝缘层142可由诸如氮化硅和/或氧化硅的无机绝缘材料制成。第二栅绝缘层142可被布置在基板110的显示区域DA和非显示区域NDA两者中。
层间绝缘层160被布置在第二栅绝缘层142上。层间绝缘层160可由无机绝缘材料或有机绝缘材料制成。层间绝缘层160可被布置在基板110的显示区域DA和非显示区域NDA两者中。
第一栅绝缘层141、第二栅绝缘层142和层间绝缘层160具有与半导体130的至少部分重叠的接触孔162和164。接触孔162和164可暴露半导体130的接触掺杂区132和133。
源电极173和漏电极175被布置在层间绝缘层160上。源电极173通过接触孔162连接到半导体130的源区132，并且漏电极175通过接触孔164连接到半导体130的漏区133。
布置在非显示区域NDA中的连接电极178与布置在显示区域DA中的源电极173和漏电极175可被布置在同一层中。数据线D1、D2、D3、D4、D5、D6、…、D(m-5)、D(m-4)、D(m-3)、D(m-2)、D(m-1)和Dm与源电极173和漏电极175可被布置在同一层中。例如，连接电极178与数据线D1、D2、D3、D4、D5、D6、…、D(m-5)、D(m-4)、D(m-3)、D(m-2)、D(m-1)和Dm可被布置在同一层中。连接电极178、源电极173、漏电极175以及数据线D1、D2、D3、D4、D5、D6、…、D(m-5)、D(m-4)、D(m-3)、D(m-2)、D(m-1)和Dm可使用相同的材料一起被形成。
如上所述，半导体130、栅电极150、源电极173和漏电极175形成一个薄膜晶体管。薄膜晶体管的构造不限于上述示例，并且可以以各种方式改变。
钝化层180被布置在薄膜晶体管和层间绝缘层160上。钝化层180可被用来提高要被形成在其上的有机发光二极管(OLED)的发射效率。钝化层180还可用来提供平坦化。钝化层180具有与漏电极175的至少部分重叠的接触孔182。
钝化层180可由丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚亚苯基树脂、聚苯硫醚树脂和/或苯并环丁烯(BCB)制成。
第一电极191被布置在钝化层180上。第一电极191可由透明导电材料(诸如，氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和/或氧化铟(In2O3))和/或反射金属(诸如，锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂/钙(LiF/Ca)、氟化锂/铝(LiF/Al)、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)和/或金(Au))制成。第一电极191通过形成在钝化层180中的接触孔182被电连接到薄膜晶体管的漏电极175。第一电极191可以是有机发光二极管(OLED)的阳极。
第一电极191可包括由透明导电材料制成的第一透明电极和第二透明电极以及布置在第一透明电极和第二透明电极之间的半透反射层，并且半透反射层用来与第二电极270一起形成微腔。例如，第一电极191可由多层制成，多层包括由透明导电材料制成的层和由反射金属制成的层。
像素限定层350被布置在第一电极191的边缘和钝化层180上。像素限定层350具有不覆盖第一电极191的像素开口351。像素限定层350围绕第一电极191的边缘。像素限定层350可包括诸如聚丙烯酸酯类或聚酰亚胺的树脂，或硅基无机材料。
有机发射层370被形成在像素限定层350的像素开口351中。有机发射层370可以以多个层被形成，多个层包括发射层、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。当有机发射层370包括所有的层时，空穴注入层被布置在作为阳极的第一电极191上，并且空穴传输层、发射层、电子传输层和电子注入层可被顺序堆叠在空穴注入层上。
有机发射层370可包括发射红光的红色有机发射层、发射绿光的绿色有机发射层以及发射蓝光的蓝色有机发射层。红色有机发射层、绿色有机发射层和蓝色有机发射层分别被形成在红色像素、绿色像素和蓝色像素上，以便可通过红光、绿光和蓝光的组合显示彩色图像。
此外，红色有机发射层、绿色有机发射层和蓝色有机发射层一起被整体地堆叠在有机发射层370中，其中红色像素、绿色像素和蓝色像素在每个像素中分别形成红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器，以便可通过红光、绿光和蓝光的组合显示彩色图像。可替代地，发射白光的白色有机发射层被形成在红色像素、绿色像素和蓝色像素中的每个上，并且红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器针对每个像素分别被形成，以便可通过红光、绿光和蓝光的组合显示彩色图像。当通过使用白色有机发射层和滤色器实现彩色图象时，不需要用于在各个像素(例如，红色像素、绿色像素和蓝色像素)上沉积红色有机发射层、绿色有机发射层和蓝色有机发射层的沉积掩模。
本文中描述的白色有机发射层可被形成为具有单个有机发射层，并且可进一步包括其中多个有机发射层被堆叠以发射白光的构造。例如，可进一步包括其中至少一个黄色有机发射层和至少一个蓝色有机发射层被结合以发射白光的构造，其中至少一个青色有机发射层和至少一个红色有机发射层被结合以发射白光的构造，或者其中至少一个品红色有机发射层和至少一个绿色有机发射层被结合以发射白光的构造。
第二电极270被布置在像素限定层350和有机发射层370上。第二电极270连接到公共电压线ELVSS，从而接收公共电压。第二电极270可由透明导电材料(诸如，氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和/或氧化铟(In2O3))和/或反射金属(诸如，锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂/钙(LiF/Ca)、氟化锂/铝(LiF/Al)、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)和/或金(Au))制成。第二电极270可以是有机发光二极管(OLED)的阴极。第一电极191、有机发射层370和第二电极270可形成有机发光二极管(OLED)。
根据本发明构思的示例性实施例，显示设备可进一步包括布置在第一栅绝缘层141和第二栅绝缘层142之间的第一电容器电极159a以及布置在第二栅绝缘层142上的第二电容器电极159b。
第一电容器电极159a和第二电容器电极159b可彼此重叠。第二栅绝缘层142被布置在第一电容器电极159a与第二电容器电极159b之间。例如，两个电极159a和159b可通过第二栅绝缘层142彼此重叠从而形成电容器，第二栅绝缘层142由绝缘材料制成。例如，第二栅绝缘层142可充当电介质材料。
布置在非显示区域NDA中的第一裂缝感测线CD1与第二电容器电极159b可被布置在同一层中，第二电容器电极159b被布置在显示区域DA中。第一裂缝感测线CD1和第二电容器电极159b可使用相同的材料一起被形成。
接下来，将参考图6描述根据本发明构思的示例性实施例的显示设备的操作。
图6是施加到根据本发明构思的示例性实施例的显示设备的信号的波形图。
如图6所示，如果在第一时间h1期间将栅极导通信号施加到第一测试栅线TG1，则第一开关元件Q1进入导通状态。施加到第一测试信号线TD1的第一电压V1通过第一开关元件Q1被传送至连接到第一开关元件Q1的多条数据线D1、D2、D3、D4、D5、D6、…、D(m-5)、D(m-4)、D(m-3)、D(m-2)、D(m-1)和Dm中的每条。第一电压V1可以是通过多个像素R、G和B显示最高灰度的电压。如果第一电压V1被施加到多条数据线D1、D2、D3、D4、D5、D6、…、D(m-5)、D(m-4)、D(m-3)、D(m-2)、D(m-1)和Dm，则多个像素R、G和B的电压Vp1变成第一电压V1，从而显示白色。
在栅极截止信号被施加到第一测试栅线TG1之后，如果在第二时间h2期间将栅极导通信号施加到第二测试栅线TG2，则第二开关元件Q2进入导通状态。施加到第二测试信号线TD2a、TD2b和TD2c的第二电压V2被传送到多条数据线D1、D2、D3、D4、D5、D6、…、D(m-5)、D(m-4)、D(m-3)、D(m-2)、D(m-1)和Dm。第二电压V2可以是通过多个像素R、G和B显示最低灰度的电压。如果第二电压V2被施加到多条数据线D1、D2、D3、D4、D5、D6、…、D(m-5)、D(m-4)、D(m-3)、D(m-2)、D(m-1)和Dm中的每条，则多个像素R、G和B的电压Vp1变成第二电压V2，从而显示黑色。
如果裂缝形成在基板110的非显示区域NDA中，则第一裂缝感测线CD1或第二裂缝感测线CD2可被损坏。
第一裂缝感测线CD1连接到第一数据线D2。如果裂缝形成在基板110的非显示区域NDA中，则第一裂缝感测线CD1可被损坏，并且第一数据线D2的阻值增加。因此，连接到第一数据线D2的像素(G)的电压Vp2达不到第二电压V2，从而产生第二电压V2的电压差(ΔV)。连接到第一数据线D2的像素(G)由于电压差(ΔV)不显示最低灰度，而是显示比最低灰度高的灰度。因此，如果裂缝形成在基板110的非显示区域NDA中，则亮线可沿第一数据线D2被识别。例如，通过沿第一数据线D2的亮线的识别，基板110的非显示区域NDA的裂缝可被检测。
第二裂缝感测线CD2连接到第二数据线D(m-1)。如果裂缝形成在基板110的非显示区域NDA中，则第二裂缝感测线CD2可被损坏，并且因此第二数据线D(m-1)的阻值增加。因此，连接到第二数据线D(m-1)的像素(G)的电压Vp2达不到第二电压V2，并且产生第二电压V2的电压差(ΔV)。连接到第二数据线D(m-1)的像素(G)由于电压差(ΔV)不显示最低灰度，而是显示比最低灰度高的灰度。因此，如果裂缝形成在基板110的非显示区域NDA中，则亮线可沿第二数据线D(m-1)被识别。例如，通过沿第二数据线D(m-1)的亮线的识别，基板110的非显示区域NDA的裂缝可被检测。
接下来，将参考图7至图9描述根据本发明构思的示例性实施例的在显示设备中第一裂缝感测线CD1和第二裂缝感测线CD2连接到虚设图案层138的连接位置CP。
图7至图9是图示根据本发明构思的示例性实施例的显示设备的俯视平面图。
如图7所示，第一裂缝感测线CD1和第二裂缝感测线CD2连接到虚设图案层138的连接位置CP可被布置在显示设备的左上端、左下端、右上端和右下端处。如先前所述，第一裂缝感测线CD1和第二裂缝感测线CD2在第二方向R2上延伸的部分可连接到虚设图案层138。然而，可替代地，第一裂缝感测线CD1和第二裂缝感测线CD2在第一方向R1上延伸的部分可连接到虚设图案层138。
如图8所示，第一裂缝感测线CD1和第二裂缝感测线CD2连接到虚设图案层138的连接位置CP可被布置在显示设备的左侧中心或右侧中心处。
如图9所示，第一裂缝感测线CD1和第二裂缝感测线CD2连接到虚设图案层138的连接位置CP可沿显示设备的左边缘和右边缘连续布置。连接位置CP的位置和数量以及邻近的连接位置CP之间的距离可进行各种改变。
接下来，将参考图10描述根据本发明构思的示例性实施例的显示设备。
图10所示的根据本发明构思的示例性实施例的显示设备可与图1至图9所示的显示设备基本相似。因此，在这个意义上，各种要素的具体描述被省略，可假定这些要素与图1至图9的对应要素相似或相同。然而，图10的方法与先前描述的方法的区别在于第一裂缝感测线CD1在特定点处突出。
图10是图示根据本发明构思的示例性实施例的显示设备的非显示区域的俯视平面图。
如图10所示，第一裂缝感测线CD1与公共电压线ELVSS平行地延伸，并且与虚设图案层138重叠。连接电极178与第一裂缝感测线CD1平行并且与虚设图案层138重叠。
第一裂缝感测线CD1包括朝向公共电压线ELVSS突出的突起CD1a，并且突起CD1a与连接电极178重叠。第一裂缝感测线CD1的突起CD1a通过第一接触孔185连接到连接电极178。虚设图案层138通过第二接触孔186连接到连接电极178。因此，第一裂缝感测线CD1通过连接电极178连接到虚设图案层138。
接下来，将参考图11描述根据本发明构思的示例性实施例的显示设备。
图11所示的根据本发明构思的示例性实施例的显示设备可与图1至图9所示的显示设备相似。任何被省略的细节可被假定为与上面讨论的构造的对应要素相同。然而，在图11所示的构造中，虚设图案层138和连接电极178通过多个第二接触孔186被连接。
图11是示出根据本发明构思的示例性实施例的显示设备的非显示区域的俯视平面图。
如图11所示，第一裂缝感测线CD1的突起CD1a通过一个第一接触孔185连接到连接电极178。虚设图案层138通过两个第二接触孔186连接到连接电极178。用于连接第一裂缝感测线CD1和连接电极178的第一接触孔185的数量可进行各种改变。同样地，用于连接虚设图案层138和连接电极178的第二接触孔186的数量可进行各种改变。
接下来，将参考图12和图13描述根据本发明构思的示例性实施例的显示设备。
根据本发明构思的示例性实施例并且图12和图13所示的显示设备可与图1至图9所示的显示设备基本相似。因此，可假定任何被省略的细节与上述对应要素相同。然而，图12和图13的构造的不同之处在于连接电极178通过一个接触孔连接到虚设图案层138和第一裂缝感测线CD1。
图12是示出根据本发明构思的示例性实施例的显示设备的非显示区域的俯视平面图，并且图13是沿线XIII-XIII截取的图12的非显示区域的截面图。
如图12和图13所示，虚设图案层138被布置在基板110上，并且第一栅绝缘层141和第二栅绝缘层142被沉积在虚设图案层138上。第一裂缝感测线CD1被布置在第二栅绝缘层142上，并且层间绝缘层160被布置在第一裂缝感测线CD1上。第一栅绝缘层141、第二栅绝缘层142和层间绝缘层160具有与第一裂缝感测线CD1和虚设图案层138重叠的第三接触孔187。第一裂缝感测线CD1的边缘上表面和侧表面被第三接触孔187暴露，并且虚设图案层138的上表面被暴露。
连接电极178被布置在层间绝缘层160上。连接电极178通过第三接触孔187连接到第一裂缝感测线CD1和虚设图案层138。在这种情况下，连接电极178在第三接触孔187中与第一裂缝感测线CD1的上表面和侧表面接触，并且与虚设图案层138的上表面接触。第一裂缝感测线CD1通过连接电极178连接到虚设图案层138。
接下来，将参考图14和图15描述根据本发明构思的示例性实施例的显示设备。
根据本发明构思的示例性实施例并且图14和图15所示的显示设备可与图1至图9所示的显示设备基本相似。可假定任何被省略的描述与先前描述的对应要素的描述基本相同。然而，在图14和图15的构造中，连接电极178通过一个接触孔连接到虚设图案层138和第一裂缝感测线CD1。
图14是图示根据本发明构思的示例性实施例的显示设备的非显示区域的俯视平面图，并且图15是图示沿线XV-XV截取的图14的非显示区域的截面图。
如图14和图15所示，虚设图案层138被布置在基板110上，并且第一栅绝缘层141和第二栅绝缘层142被沉积在虚设图案层138上。第一裂缝感测线CD1被布置在第二栅绝缘层142上，并且层间绝缘层160被布置在第一裂缝感测线CD1上。贯穿第一栅绝缘层141、第二栅绝缘层142、第一裂缝感测线CD1和层间绝缘层160的第四接触孔188被形成在与虚设图案层138重叠的部分中。第一裂缝感测线CD1的侧表面和虚设图案层138的上表面被第四接触孔188暴露。
连接电极178被布置在层间绝缘层160上。连接电极178通过第四接触孔188连接到第一裂缝感测线CD1和虚设图案层138。在这种情况下，连接电极178在第四接触孔188中与第一裂缝感测线CD1的侧表面和虚设图案层138的上表面接触。第一裂缝感测线CD1通过连接电极178连接到虚设图案层138。
接下来，将参考图16和图17描述根据本发明构思的示例性实施例的显示设备。
根据本发明构思的示例性实施例并且图16和图17所示的显示设备可与图1至图9所示的显示设备基本相同。在这个意义上细节被省略，可假定这些被省略的细节与上述对应要素基本相同。根据图16和图17的构造，连接电极不被形成。
图16是图示根据本发明构思的示例性实施例的显示设备的非显示区域的俯视平面图，并且图17是图示沿线XVII-XVII截取的图16的非显示区域的截面图。
如图16和图17所示，虚设图案层138被布置在基板110上，并且第一栅绝缘层141和第二栅绝缘层142被沉积在虚设图案层138上。第一栅绝缘层141和第二栅绝缘层142具有与虚设图案层138重叠的第五接触孔189。虚设图案层138被第五接触孔189暴露。
第一裂缝感测线CD1被布置在第二栅绝缘层142上。第一裂缝感测线CD1通过第五接触孔189被直接连接到虚设图案层138。
接下来，将参考图18描述根据本发明构思的示例性实施例的显示设备。
根据本发明构思的示例性实施例并且图18所示的显示设备可与图1至图9所示的显示设备基本相同。可假定任何被省略的描述可与先前描述的对应要素相似。根据图18的构造，第一裂缝感测线与栅电极被布置在同一层中。
图18是示出根据本发明构思的示例性实施例的显示设备的非显示区域的截面图。
如图18所示，虚设图案层138被布置在基板110上，并且第一栅绝缘层141被布置在虚设图案层138上。第一裂缝感测线CD1被布置在第一栅绝缘层141上，并且第二栅绝缘层142和层间绝缘层160被沉积在第一裂缝感测线CD1上。第二栅绝缘层142和层间绝缘层160具有与第一裂缝感测线CD1重叠的第一接触孔185。第一栅绝缘层141、第二栅绝缘层142和层间绝缘层160具有与虚设图案层138重叠的第二接触孔186。
连接电极178被布置在层间绝缘层160上。连接电极178通过第一接触孔185连接到第一裂缝感测线CD1。连接电极178通过第二接触孔186连接到虚设图案层138。第一裂缝感测线CD1通过连接电极178连接到虚设图案层138。
如上所述，布置在非显示区域(图1的NDA)中的第一裂缝感测线CD1与布置在显示区域(图1的DA)中的第二电容器电极(图5的159b)被布置在同一层中。布置在非显示区域(图1的NDA)中的第一裂缝感测线CD1与布置在显示区域(图1的DA)中的栅电极(图5的150)可被布置在同一层中。第一裂缝感测线CD1与第一电容器电极(图5的159a)和显示区域(图1的DA)的栅线(图1的G1、G2、…、G(n-1)、Gn)可被布置在同一层中。第一裂缝感测线CD1、栅电极(图5的150)、栅线(图1的G1、G2、…、G(n-1)、Gn)和第一电容器电极(图5的159a)可使用相同的材料一起被形成。
尽管结合本发明构思的示例性实施例描述了本公开，需要理解的是本发明并不局限于所公开的实施例，而是相反，旨在覆盖各种修改和等同布置。

Claims (10)

1.一种显示设备，包括：
包括显示区域和非显示区域的基板；
布置在所述基板的所述显示区域中的多个像素；
连接到所述多个像素的多条数据线；
连接到所述多条数据线中的至少一条的裂缝感测线，所述裂缝感测线被布置在所述基板的所述非显示区域中；以及
连接到所述裂缝感测线的虚设图案层，
其中在平面图中，所述裂缝感测线和所述虚设图案层在垂直于所述基板的表面的方向上彼此重叠地在相同的方向上延伸。
2.根据权利要求1所述的显示设备，进一步包括：
布置在所述基板的所述非显示区域中的公共电压线，所述公共电压线与所述裂缝感测线和所述虚设图案层两者邻近，
其中所述裂缝感测线和所述虚设图案层各自与所述公共电压线平行地延伸。
3.根据权利要求1所述的显示设备，其中，
所述虚设图案层具有比所述裂缝感测线更高的阻值，并且
所述虚设图案层包括半导体材料。
4.根据权利要求1所述的显示设备，进一步包括：
连接电极，与所述裂缝感测线和所述虚设图案层中的每个至少部分地重叠，并且
其中所述裂缝感测线和所述虚设图案层通过所述连接电极彼此连接。
5.根据权利要求4所述的显示设备，其中，
所述连接电极由与所述多条数据线相同的材料制成。
6.根据权利要求4所述的显示设备，进一步包括：
栅绝缘层，被布置在所述虚设图案层和所述裂缝感测线之间并且被布置在所述虚设图案层和所述连接电极之间；
层间绝缘层，被布置在所述裂缝感测线和所述连接电极之间并且被布置在所述虚设图案层和所述连接电极之间；
第一接触孔，被形成在所述层间绝缘层中，并且与所述裂缝感测线至少部分地重叠；以及
第二接触孔，被形成在所述层间绝缘层和所述栅绝缘层中，并且与所述虚设图案层至少部分地重叠，
其中所述连接电极通过所述第一接触孔连接到所述裂缝感测线并且通过所述第二接触孔连接到所述虚设图案层。
7.根据权利要求4所述的显示设备，进一步包括：
栅绝缘层，被布置在所述虚设图案层和所述裂缝感测线之间并且被布置在所述虚设图案层和所述连接电极之间；
层间绝缘层，被布置在所述裂缝感测线和所述连接电极之间并且被布置在所述虚设图案层和所述连接电极之间；以及
第三接触孔，被形成在所述层间绝缘层和所述栅绝缘层中，并且与所述裂缝感测线和所述虚设图案层至少部分地重叠，
其中所述连接电极通过所述第三接触孔连接到所述裂缝感测线和所述虚设图案层，
其中所述连接电极在所述第三接触孔中与所述裂缝感测线的上表面和侧表面接触。
8.根据权利要求4所述的显示设备，进一步包括：
栅绝缘层，被布置在所述虚设图案层和所述裂缝感测线之间；
层间绝缘层，被布置在所述裂缝感测线和所述连接电极之间；以及
第四接触孔，在与所述虚设图案层重叠的区域内贯穿所述栅绝缘层、所述裂缝感测线和所述层间绝缘层，
其中所述连接电极通过所述第四接触孔连接到所述裂缝感测线和所述虚设图案层，
其中所述连接电极通过所述第四接触孔与所述裂缝感测线的侧表面接触。
9.根据权利要求1所述的显示设备，进一步包括：
栅绝缘层，被布置在所述虚设图案层和所述裂缝感测线之间；以及
第五接触孔，被形成在所述栅绝缘层中，并且与所述虚设图案层至少部分地重叠，其中所述裂缝感测线通过所述第五接触孔被直接连接到所述虚设图案层。
10.根据权利要求1所述的显示设备，进一步包括：
布置在所述基板的所述显示区域中的半导体；
与所述半导体重叠的栅电极；以及
源电极和漏电极，各自连接到所述半导体并且彼此分离，
其中所述裂缝感测线由与所述栅电极相同的材料制成，并且
所述虚设图案层由与所述半导体相同的材料制成。
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