KR102619720B1 - 표시 장치 및 그 검사 방법 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 22
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 205
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 60
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 28
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 25
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 103
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 20
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 14
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 8
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 6
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- -1 Ag) Chemical class 0.000 description 1
- 102100038080 B-cell receptor CD22 Human genes 0.000 description 1
- 102000013135 CD52 Antigen Human genes 0.000 description 1
- 108010065524 CD52 Antigen Proteins 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100032768 Complement receptor type 2 Human genes 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical group [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000884305 Homo sapiens B-cell receptor CD22 Proteins 0.000 description 1
- 101000941929 Homo sapiens Complement receptor type 2 Proteins 0.000 description 1
- 101001046677 Homo sapiens Integrin alpha-V Proteins 0.000 description 1
- 102100022337 Integrin alpha-V Human genes 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
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Abstract
일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 영역과 표시 영역 주변의 주변 영역을 포함하는 기판, 주변 영역 중 IC가 배치될 패드 영역에 위치하는 복수의 패드, 그리고 제1 노드에서 제1 패드 및 제2 패드와 연결되어 있고, 제2 노드에서 제3 패드와 연결되어 있으며, 제1 노드와 제2 노드 사이에서 주변 영역을 일주하는 제1 크랙 검출선을 포함한다.
Description
본 개시는 표시 장치 및 그 검사 방법에 관한 것이다.
표시 장치가 소형화, 경량화, 및 박형화됨에 따라, 외부 충격 등에 의해 발생할 수 있는 크랙(crack), 스크래치(scratch), 깨짐 현상 등에 대한 표시 장치의 내구성 증가가 요구된다.
표시 장치는 영상을 표시하는 화소들을 포함하는 표시 패널을 포함한다. 표시 패널에 크랙이 발생하는 경우, 표시 패널의 표시 영역으로 수분 등 이물질이 침투할 수 있다. 크랙에 의한 이물질의 침투는 표시 패널 불량의 원인이 된다.
특히, 최근에 개발되고 있는 플렉서블 표시 장치(flexible display)는 제조 또는 사용 중에 휘어지거나 구부러질 수 있는데, 표시 패널의 기판 또는 적층된 층에 미세하게라도 크랙이 존재하면 시간이 지남에 따라 표시 패널의 휘어짐 또는 구부러짐으로 인해 미세한 크랙이 더 큰 크랙으로 발전할 수 있다.
따라서, 표시 패널의 크랙 발생 여부를 검사하기 위해, 다양한 방법이 연구되고 있다.
실시예들은 표시 패널의 크랙 발생 여부를 정확하게 검출하기 위한 것이다.
실시예들은 저비용으로 표시 패널의 크랙 발생 여부를 검출하기 위한 것이다.
실시예는 표시 패널 내에서 크랙이 발생한 위치를 용이하게 검출하기 위한 것이다.
일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 영역과 표시 영역 주변의 주변 영역을 포함하는 기판, 주변 영역 중 IC가 배치될 패드 영역에 위치하는 복수의 패드, 그리고 제1 노드에서 제1 패드 및 제2 패드와 연결되어 있고, 제2 노드에서 제3 패드와 연결되어 있으며, 제1 노드와 제2 노드 사이에서 주변 영역을 일주하는 제1 크랙 검출선을 포함한다.
제1 노드는 패드 영역 외부에 위치할 수 있다.
제1 패드와 제1 크랙 검출선을 연결하는 제1 배선, 그리고 제2 패드와 제1 크랙 검출선을 연결하는 제2 배선을 더 포함하고, 제1 배선과 제2 배선은 동일한 층에 위치하고, 제1 크랙 검출선은 제1 및 제2 배선과 상이한 층에 위치할 수 있다.
제3 노드에서 제4 패드와 연결되어 있고, 제4 노드에서 제5 패드와 연결되어 있으며, 제3 노드와 제4 노드 사이에서 주변 영역을 일주하고, 표시 영역을 기준으로 제1 크랙 검출선과 동일한 측에 위치하며, 제1 크랙 검출선보다 표시 영역에 더 인접한, 제2 크랙 검출선을 더 포함할 수 있다.
제3 노드에서 제4 패드 및 제5 패드와 연결되어 있고, 제4 노드에서 제6 패드와 연결되어 있으며, 제3 노드와 제4 노드 사이에서 주변 영역을 일주하고, 표시 영역을 기준으로 제1 크랙 검출선과 동일한 측에 위치하며, 제1 크랙 검출선보다 표시 영역에 더 인접한, 제2 크랙 검출선, 그리고 제5 노드에서 제7 패드와 연결되어 있고, 제6 노드에서 제8 패드와 연결되어 있으며, 제5 노드와 제6 노드 사이에서 주변 영역 내의 벤딩 가능(bendable) 영역을 일주하는 제3 크랙 검출선을 더 포함할 수 있다.
주변 영역에 위치하며 전원 전압을 전달하는 전압 전달선을 더 포함하고, 제1 크랙 검출선, 제2 크랙 검출선, 및 제3 크랙 검출선은 전압 전달선과 동일한 층에 위치할 수 있다.
제1 노드는 패드 영역 내부에 위치할 수 있다.
패드 영역에 IC가 배치되어 표시 장치의 크랙을 검사하는 때, 제1 패드를 통해 제1 크랙 검출선으로 흐르는 전류와 제2 패드를 통해 제2 크랙 검출선으로 흐르는 전류가 상이하다.
IC는, 가변 저항, 가변 저항에 제1 전류를 공급하고, 제1 패드 또는 제2 패드를 통해 제1 크랙 검출선에 제2 전류를 공급하는 전류 조절부, 그리고 가변 저항에 걸리는 전압과 제1 크랙 검출선에 걸리는 전압을 비교하여 그 결과 값을 출력하는 비교기를 포함할 수 있다.
제1 패드를 통해 제1 크랙 검출선에 공급되는 제2 전류는 제1 전류와 동일하다.
제1 패드를 통해 제1 크랙 검출선에 공급되는 제2 전류는 제1 전류와 상이하다.
제1 크랙 검출선은 제1 노드에서 제4 패드에 더 연결되어 있다.
다른 실시예에 따른 표시 장치는 표시 영역과 표시 영역 주변의 주변 영역을 포함하는 기판, 기판의 표시 영역에 위치하는 복수의 화소, 주변 영역에 위치하는 복수의 패드, 일단이 대응하는 제1 패드에 연결되어 있고, 타단이 대응하는 화소들에 연결되어 있는 데이터선, 그리고 제1 노드에서 제2 패드 및 제3 패드와 연결되어 있고, 제2 노드에서 제4 패드와 연결되어 있으며, 제1 노드와 제2 노드 사이에서 주변 영역을 일주하는 크랙 검출선을 포함하고, 데이터선과 크랙 검출선은 동일한 층에 위치한다.
복수의 화소에 게이트 신호를 공급하는 게이트 구동부, 일단이 게이트 구동부에 연결되어 있고, 타단이 대응하는 화소들에 연결되어 있는 게이트선, 제2 패드와 크랙 검출선을 연결하는 제1 배선, 그리고 제3 패드와 크랙 검출선을 연결하는 제2 배선을 더 포함하고, 제1 배선과 제2 배선은 게이트선과 동일한 층에 위치할 수 있다.
복수의 패드에 연결되어, 제1 패드를 통해 데이터선으로 데이터 신호를 공급하고, 제2 패드, 제3 패드, 및 제4 패드를 통해 크랙 검출선의 저항을 측정하는 구동 IC를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치의 검사 방법은 표시 영역과 표시 영역 주변의 주변 영역을 포함하는 기판, 주변 영역 중 IC가 배치될 패드 영역에 위치하는 복수의 패드, 그리고 제1 노드에서 제1 패드 및 제2 패드와 연결되어 있고, 제2 노드에서 제3 패드와 연결되어 있으며, 제1 노드와 제2 노드 사이에서 주변 영역을 일주하는 제1 크랙 검출선을 포함하는 표시 장치에 있어서, 제1 패드에 제1 전류를 인가하여 제1 크랙 검출선의 저항을 검출하는 단계, 그리고 제1 크랙 검출선의 저항이 제1 임계치를 초과하면, 제2 패드에 제1 전류보다 더 낮은 제2 전류를 인가하여 제1 크랙 검출선의 저항을 검출하는 단계를 포함한다.
IC는, 가변 저항, 가변 저항에 제3 전류를 공급하고, 제1 패드 또는 제2 패드를 통해 제1 크랙 검출선에 전류를 공급하는 전류 조절부, 그리고 가변 저항에 걸리는 전압과 제1 크랙 검출선에 걸리는 전압을 비교하여 그 결과 값을 출력하는 비교기를 포함하고, 제1 전류는 제3 전류와 동일하다.
제2 전류는 제3 전류와 상이하다.
제2 전류는 제3 전류보다 더 작다.
제2 패드에 제1 전류보다 더 낮은 제2 전류를 인가하여 제1 크랙 검출선의 저항을 검출하는 단계 후에, 제1 크랙 검출선의 저항이 제2 임계치 미만이면, 미세 크랙이 발생한 것으로 결정하는 단계를 더 포함할 수 있다.
제2 패드에 제1 전류보다 더 낮은 제2 전류를 인가하여 제1 크랙 검출선의 저항을 검출하는 단계 후에, 제1 크랙 검출선의 저항이 제2 임계치 이상이면, 중대한 크랙이 발생한 것으로 결정하는 단계를 더 포함할 수 있다.
실시예들에 따르면, 표시 패널에 발생한 중대한 크랙을 쉽게 검출할 수 있는 효과가 있다.
실시예들에 따르면, 표시 패널 내의 크랙의 위치를 쉽게 파악할 수 있는 효과가 있다.
실시예들에 따르면, 표시 패널의 크랙 발생 여부를 정확하게 검출할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 실시예들에 따른 표시 장치를 나타낸 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시한 표시 장치를 I1 내지 I4 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 배치도이다.
도 4는 실시예에 따른 표시 장치의 크랙 검출선과 IC 내의 크랙 검사부들을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 5는 실시예에 따른 표시 장치의 검사 방법을 나타낸 순서도이다.
도 6 및 도 7은 도 5의 검사 방법에 따라 크랙 검출선의 저항을 측정하는 경우를 나타낸 도면이다.
도 8은 다른 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 배치도이다.
도 9는 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 배치도이다.
도 10은 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 배치도이다.
도 11은 도 10에 도시한 표시 장치가 벤딩 영역에서 벤딩된 상태를 나타낸 도면이다.
도 12는 도 10의 표시 장치를 X1-X1'선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 13은 도 10의 일 영역(AA)에 대한 구체적인 배치도이다.
도 14는 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 배치도이다.
도 15는 도 14에 도시한 표시 장치가 벤딩 영역에서 벤딩된 상태를 나타낸 도면이다.
도 2는 도 1에 도시한 표시 장치를 I1 내지 I4 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 배치도이다.
도 4는 실시예에 따른 표시 장치의 크랙 검출선과 IC 내의 크랙 검사부들을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 5는 실시예에 따른 표시 장치의 검사 방법을 나타낸 순서도이다.
도 6 및 도 7은 도 5의 검사 방법에 따라 크랙 검출선의 저항을 측정하는 경우를 나타낸 도면이다.
도 8은 다른 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 배치도이다.
도 9는 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 배치도이다.
도 10은 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 배치도이다.
도 11은 도 10에 도시한 표시 장치가 벤딩 영역에서 벤딩된 상태를 나타낸 도면이다.
도 12는 도 10의 표시 장치를 X1-X1'선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 13은 도 10의 일 영역(AA)에 대한 구체적인 배치도이다.
도 14는 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 배치도이다.
도 15는 도 14에 도시한 표시 장치가 벤딩 영역에서 벤딩된 상태를 나타낸 도면이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다.
또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 기준이 되는 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 하는 것은 기준이 되는 부분의 위 또는 아래에 위치하는 것이고, 반드시 중력 반대 방향 쪽으로 "위에" 또는 "상에" 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.
또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
또한, 명세서 전체에서, "평면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 위에서 보았을 때를 의미하며, "단면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 수직으로 자른 단면을 옆에서 보았을 때를 의미한다.
먼저, 도 1 및 도 2를 참고하여, 실시예들에 따른 표시 장치에 대하여 설명한다. 도 1은 실시예들에 따른 표시 장치를 나타낸 사시도이고, 도 2는 도 1에 도시한 표시 장치를 I1 내지 I4 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 실시예에 따른 표시 장치(100)는 영상을 표시하는 표시 영역(DA), 그리고 표시 영역(DA)에 인가되는 각종 신호들을 생성 및/또는 전달하기 위한 소자들 및/또는 신호선들이 배치되어 있는, 표시 영역(DA) 주변의 주변 영역(NDA)을 포함하는 기판(110)과, 기판(110)에 배치되어 있는 구동 회로부(600)를 포함한다.
기판(110)은 유리, 폴리머 또는 스테인리스 강 등을 포함하는 절연성 기판이다. 기판(110)은 플렉서블(flexible)하거나, 스트렛쳐블(stretchable)하거나, 폴더블(foldable)하거나, 벤더블(bendable)하거나, 롤러블(rollable)할 수 있다. 기판(110)이 플렉서블하거나, 스트렛쳐블하거나, 폴더블하거나, 벤더블하거나, 롤러블함으로써, 표시 장치 전체가 플렉서블하거나, 스트렛쳐블하거나, 폴더블하거나, 벤더블하거나, 롤러블할 수 있다. 일례로, 기판(110)은 폴리이미드 등의 수지를 포함하는 플렉서블 필름(film) 형태를 가질 수 있다.
도 1에서, 주변 영역(NDA)은 표시 영역(DA)을 둘러싸는 형태로 위치하는 것으로 도시하였으나, 주변 영역(NDA)은 표시 영역(DA)의 양쪽 또는 한쪽에 위치할 수도 있으며, 이에 제한되지 않는다.
표시 영역(DA)에는 복수의 화소(미도시)와 복수의 화소를 구동하는 신호를 인가하기 위한 신호선들(예를 들어 데이터선들, 게이트선들)이 배치될 수 있다.
주변 영역(NDA)에는 크랙 검출선들(CD1, CD2, CD3, CD4), 크랙 검출선들(CD1, CD2, CD3, CD4)의 불량을 검출하고, 복수의 화소를 구동하는 구동 회로부(600)가 배치될 수 있다. 주변 영역(NDA)에는 화소가 배치되지 않음이 일반적이나, 화소의 열화를 측정하거나, 또는 열화된 화소를 구동하기 위한 더미 화소가 배치될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.
구동 회로부(600)는 칩 온 글래스(chip on glass) 공정 또는 칩 온 플라스틱(chip on plastic) 공정에 의해 표시 패널의 기판(110)에 접착될 수 있다. 또는 구동 회로부(600)는 ASG(amorphous silicon TFT gate driver) 방식, OSG(oxide semiconductor TFT gate driver) 방식. 또는 GIP(gate driver in panel) 방식 등에 의해 데이터선들, 게이트선들, 및 화소들과 동시에 형성될 수 있다. 구동 회로부(600)는 테이프 캐리어 패키지(tape carrier package) 또는 연성 필름(flexible film) 상에 실장되고, 구동 회로부(600)가 실장된 테이프 캐리어 패키지 또는 연성 필름은 TAB(tape automated bonding) 공정에 의해 표시 패널의 기판(110)에 부착될 수 있다.
도 1과 도 2를 참조하여, 표시 장치(100)의 단면 구조에 대해 설명한다.
도 2를 참조하면, 기판(110) 위에 배리어층(120)이 위치할 수 있다. 배리어층(120)은 도시한 바와 같이 복수의 층을 포함할 수도 있고 단일층으로 이루어질 수도 있다.
배리어층(120) 위에는 액티브 패턴이 위치한다. 액티브 패턴은 표시 영역(DA)에 위치하는 액티브 패턴(130)과 주변 영역(NDA)에 위치하는 액티브 패턴(130d)을 포함할 수 있다. 액티브 패턴(130, 130d) 각각은 소스 영역 및 드레인 영역과 그 사이에 위치하는 채널 영역을 포함할 수 있다. 액티브 패턴은 비정질 규소, 다결정 규소, 또는 산화물 반도체 등을 포함할 수 있다.
액티브 패턴(130, 130d) 위에는 제1 절연층(141)이 위치하고, 제1 절연층(141) 위에는 제1 도전층이 위치할 수 있다. 제1 도전층은 표시 영역(DA)에 위치하는 액티브 패턴(130)과 중첩하는 도전체(155), 주변 영역(NDA)에 위치하는 액티브 패턴(130d)과 중첩하는 도전체(150d), 그리고 앞에서 설명한 복수의 게이트선 등을 포함할 수 있다.
액티브 패턴(130) 및 이와 중첩하는 도전체(155)는 함께 트랜지스터(TRa)를 형성하고, 액티브 패턴(130d) 및 이와 중첩하는 도전체(150d)는 함께 트랜지스터(TRd)를 형성할 수 있다. 트랜지스터(TRa)는 표시 영역(DA)에 위치하는 화소(P)에 포함된 스위칭 소자로서 기능할 수 있고, 트랜지스터(TRd)는 게이트 구동부가 포함하는 스위칭 소자로서 기능할 수 있다.
제1 도전층 및 제1 절연층(141) 위에는 제2 절연층(142)이 위치할 수 있고, 제2 절연층(142) 위에는 제2 도전층이 위치할 수 있다.
제2 도전층 및 제2 절연층(142) 위에는 제3 절연층(160)이 위치할 수 있다.
제1 절연층(141), 제2 절연층(142), 그리고 제3 절연층(160) 중 적어도 하나는 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx), 질산화규소(SiON) 등의 무기 절연 물질 및/또는 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
제1 절연층(141), 제2 절연층(142), 및 제3 절연층(160)은 트랜지스터(TRa, TRd)의 소스 영역 및/또는 드레인 영역 위에 위치하는 접촉 구멍(165)을 포함할 수 있다.
제3 절연층(160) 위에는 제3 도전층이 위치할 수 있다. 제3 도전층은 접촉 구멍(165)을 통해 트랜지스터(TRa, TRd)의 소스 영역 또는 드레인 영역과 연결되어 있는 도전체(170), 전압 전달선(177), 그리고 앞에서 설명한 데이터선(171) 등을 포함할 수 있다. 전압 전달선(177)은 주변 영역(NDA)에 위치할 수 있고, 제2 전원 전압과 같은 일정한 전압을 전달할 수 있다.
제1 도전층, 제2 도전층 및 제3 도전층 중 적어도 하나는, 적어도 하나의 크랙 검출선들(CD1, CD2)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 크랙 검출선들(CD1, CD2)이 모두 제1 도전층, 제2 도전층, 및 제3 도전층 중 하나에 위치할 수 있거나, 또는 크랙 검출선들(CD1, CD2) 중 하나는 제1 도전층, 제2 도전층 및 제3 도전층 중 하나에 위치하고, 다른 하나는 제1 도전층, 제2 도전층 및 제3 도전층 중 다른 하나에 위치할 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.
제1 도전층, 제2 도전층 및 제3 도전층 중 적어도 하나는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 탄탈늄(Ta), 이들 중 적어도 둘의 합금 등의 도전 물질을 포함할 수 있다.
제3 도전층과 제3 절연층(160) 위에는 보호막(180)이 위치한다. 보호막(180)은 무기 절연 물질 및/또는 폴리아크릴계 수지(polyacrylic resin), 폴리이미드계 수지 등의 유기 절연 물질을 포함할 수 있으며, 보호막(180)의 윗면은 실질적으로 평탄할 수 있다. 보호막(180)은 주변 영역(NDA)에 위치하는 전압 전달선(177)의 일부를 노출할 수 있다.
보호막(180) 위에는 화소 전극(191)과 연결 부재(197)가 위치한다. 화소 전극(191)은 표시 영역(DA)의 각 화소(P)에 대응하고 연결 부재(197)는 주변 영역(NDA)에 위치할 수 있다. 화소 전극(191)과 연결 부재(197)는 동일 공정에서 동일한 재료로 형성될 수 있다. 예컨대, 화소 전극(191)과 연결 부재(197)는 보호막(180)에 도전층을 형성한 후 포토리소그래피 공정을 통해 패터닝하여 형성될 수 있다. 연결 부재(197)는 보호막(180)에 의해 덮여 있지 않은 전압 전달선(177)에 연결되어 있다.
화소 전극(191)과 연결 부재(197)는 반사성 도전 물질, 반투과성 도전 물질, 또는 투명 도전 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 화소 전극(191)과 연결 부재(197)는 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO)와 같은 투명 도전 물질, 리튬(Li), 칼슘(Ca), 알루미늄(Al), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au) 같은 금속을 포함할 수 있다.
보호막(180) 및 화소 전극(191)과 연결 부재(197) 위에는 화소 정의층(350)이 위치한다. 화소 정의층(350)은 화소 전극(191) 위에 위치하는 개구부(351)를 가지고, 주변 영역(NDA)에 위치하는 적어도 하나의 댐 부분(350d)을 더 포함할 수 있다. 댐 부분(350d)은 평면상 기판(110)의 가장자리에 나란하게 뻗을 수 있다. 댐 부분(350d) 위에는 스페이서(360d)가 더 위치할 수 있다.
도 2를 참조하면, 적어도 하나의 크랙 검출선들(CD1, CD2)은 댐 부분(350d)을 기준으로 표시 영역(DA)에 먼 쪽에 위치할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 크랙 검출선들(CD1, CD2) 중 적어도 하나는 댐 부분(350d)을 기준으로 표시 영역(DA)에 근접한 쪽에 위치할 수도 있다.
연결 부재(197)은 화소 정의층(350)에 의해 덮이지 않은 부분을 포함한다.
화소 정의층(350)은 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지 등의 감광성 물질을 포함할 수 있다.
화소 전극(191) 위에는 발광층(370)이 위치한다. 발광층(370)은 화소 정의층(350)의 개구부(351) 안에 위치하는 부분을 포함할 수 있다. 발광층(370)은 주변 영역(NDA)에 위치하며 화소 정의층(350) 위에 위치하는 적어도 하나의 더미 발광층(370d)을 더 포함할 수 있다. 발광층(370)은 유기 발광 물질 또는 무기 발광 물질을 포함할 수 있다.
발광층(370) 위에는 공통 전극(270)이 위치한다. 공통 전극(270)은 화소 정의층(350) 위에도 형성되어 복수의 화소(P)에 걸쳐 연속적으로 형성되어 있을 수 있다. 공통 전극(270)은 주변 영역(NDA)에서 연결 부재(197)와 물리적, 전기적으로 연결되어 제2 전원 전압을 전달받을 수 있다. 공통 전극(270)은 도전성 투명 물질을 포함할 수 있다.
각 화소(P)의 화소 전극(191), 발광층(370) 및 공통 전극(270)은 함께 발광 다이오드(ED)를 이루며, 화소 전극(191) 및 공통 전극(270) 중 하나가 캐소드(cathode)가 되고 나머지 하나가 애노드(anode)가 된다.
공통 전극(270) 위에는 발광 다이오드(ED)를 보호하며 밀봉하는 봉지부(380)가 위치할 수 있다. 봉지부(380)는 적어도 하나의 무기층(381, 383) 및 적어도 하나의 유기층(382)을 포함하며, 적어도 하나의 무기층(381, 383)과 적어도 하나의 유기층(382)은 교대로 적층되어 있을 수 있다. 유기층(382)은 유기 물질을 포함하며 평탄화 특성을 가질 수 있다. 무기층(381, 383) 은 산화 알루미늄(AlOx), 산화규소(SiOx), 질화규소(SiNx), 질산화규소(SiON) 등의 무기 물질을 포함할 수 있다.
유기층(382)의 평면상 면적보다 무기층(381, 383)의 평면상 면적이 더 넓어, 주변 영역(NDA)에서 두 무기층(381, 383)이 서로 접촉할 수 있다. 무기층(381, 383) 중 가장 아래에 위치하는 무기층(381)은 주변 영역(NDA)에서 제3 절연층(160)의 윗면과 접촉할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
봉지부(380)가 포함하는 유기층(382)의 가장자리는 댐 부분(350d)과 표시 영역(DA) 사이에 위치할 수 있다. 댐 부분(350d)은 봉지부(380)의 유기층(382)을 형성할 때 유기 물질이 바깥쪽으로 흘러 넘치는 것을 막는 기능을 할 수 있다.
봉지부(380) 위에는 무기 절연 물질 또는/및 유기 절연 물질을 포함하는 버퍼층(389)이 위치할 수 있다. 버퍼층(389)은 생략될 수도 있다.
버퍼층(389) 위에는 제4 도전층이 위치할 수 있다. 제4 도전층은 제1 터치 도전체(TEa)를 포함할 수 있다. 제4 도전층 위에는 제1 터치 절연층(391)이 위치하고, 그 위에 제5 도전층이 위치할 수 있다. 제5 도전층은 제2 터치 도전체(TEb)를 포함할 수 있다. 제5 도전층 위에는 제2 터치 절연층(392)이 위치할 수 있다. 제1 터치 도전체(TEa)와 제2 터치 도전체(TEb)는 용량식 터치 센서를 형성하여 외부 물체의 터치가 이루어지면 터치 여부, 터치 위치 등의 터치 정보를 감지할 수 있다.
다음으로, 도 3을 참조하여, 일 실시예에 따른 표시 장치에 대해 설명한다.
도 3은 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 배치도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 기판(110)의 표시 영역(DA)은 복수의 화소(P), 복수의 화소(P)에 연결된 복수의 데이터선(D1~Dm) 및 복수의 게이트선(G1~Gn)을 포함한다. 화소(P)는 영상을 표시하는 최소 단위로서, 표시 영역 내에 위치할 수 있다.
기판(110)의 주변 영역(NDA)에는 크랙 검출선들(CD1, CD2, CD3, CD4), 크랙 검출선들(CD1, CD2, CD3, CD4)에 연결되어 있는 패드들(620a~620l), 데이터선들(D1~Dm)에 연결되어 있는 데이터 패드들(620p), 게이트 구동부(650)가 위치할 수 있다.
패드들(620a~620l)과, 데이터 패드들(620p)은 구동 IC(예를 들어, 데이터 구동 IC)가 배치되는 패드 영역(610)에 위치할 수 있다.
크랙 검출선들(CD1, CD2, CD3, CD4) 각각은 표시 영역(DA)의 바깥쪽의 주변 영역(NDA)에 위치할 수 있다. 크랙 검출선들(CD1, CD2, CD3, CD4) 각각은 표시 영역(DA)의 바깥쪽을 일주(一周)하는 형태의 배선일 수 있다. 예를 들어, 크랙 검출선들(CD1, CD2)은 표시 영역(DA)의 좌측 바깥쪽에 위치할 수 있으며, 크랙 검출선들(CD3, CD4)은 표시 영역(DA)의 우측 바깥쪽에 위치할 수 있다. 구체적으로, 크랙 검출선들(CD1, CD2)은 표시 영역(DA)의 좌측 바깥쪽을 일주하도록 위치할 수 있으며, 크랙 검출선들(CD3, CD4)은 표시 영역(DA)의 우측 바깥쪽을 일주하도록 위치할 수 있다.
이하에서는 크랙 검출선들(CD1, CD2, CD3, CD4) 중 표시 영역(DA)의 좌측의 크랙 검출선들(CD1 및 CD2)를 예로 들어 설명한다. 우측의 크랙 검출선들(CD3 및 CD4)에 대한 설명은 좌측의 크랙 검출선들(CD1 및 CD2)과 동일, 유사하므로 이에 대한 설명은 생략한다.
크랙 검출선(CD1)은 패드들(620a, 620b, 620e, 620f)에 연결될 수 있다. 구체적으로, 크랙 검출선(CD1)의 일 측은 패드(620a)에 연결된 배선(E1) 및 패드(620e)에 연결된 배선(E5)과 노드(NA1)에서 연결되어 있다. 그리고 크랙 검출선(CD1)의 타측은 패드(620b)에 연결된 배선(E2) 및 패드(620f)에 연결된 배선(E6)과 노드(NA2)에서 연결되어 있다. 여기서 노드들(NA1, NA2)은 패드 영역(610)의 외측에 위치할 수 있다.
크랙 검출선(CD2)은 패드들(620c, 620d)에 연결될 수 있다. 구체적으로, 크랙 검출선(CD2)의 일 측은 패드(620c)에 연결된 배선(E3)과 연결되어 있다. 그리고 크랙 검출선(CD2)의 타측은 패드(620d)에 연결된 배선(E4)과 연결되어 있다.
또한, 크랙 검출선(CD1) 및 크랙 검출선(CD2)은 게이트 구동부(650)보다 더 바깥쪽에 위치할 수 있다.
구동 회로부(도 1의 600)는 복수의 데이터선(D1~Dm)에 접속된 데이터 패드들(620p)에 접속되어, 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동부와, 복수의 게이트선(G1~Gn)에 게이트 신호를 공급하는 게이트 구동부(650)를 포함할 수 있다. 도 3에서, 게이트 구동부(650)는 기판(110) 내에서 ASG 방식 또는 GIP 방식 등으로 형성되어 있고, 데이터 구동부는 별도의 IC로서 기판에 부착되는 것으로 가정하여 설명한다.
데이터 구동부는 크랙 검사에 사용되는 전압 및/또는 전류를 크랙 검출선들(CD1, CD2, CD3, CD4)에 공급하는 패드들(620a~620i)에 연결될 수 있다. 또는 데이터 구동부 이외의 별도의 크랙 검사 IC가 크랙 검사에 사용되는 전압 및/또는 전류를 크랙 검출선들(CD1, CD2, CD3, CD4)에 공급하는 패드들(620a~620i)에 연결될 수도 있다. 하기에서는 데이터 구동부가 패드들(620a~620i)과 데이터 패드들(620p)에 연결되어 있는 것으로 설명한다.
도시한 실시예에서, 주변 영역(NDA)의 좌측에 게이트 구동부(650)가 위치하고, 주변 영역(NDA)의 하부에 데이터 구동부가 위치하는 것으로 설명하였으나, 주변 영역(NDA)의 신호선 및 구동부들의 배치는 이에 한정되지 않는다.
도 4를 참조하여 데이터 구동부 내의 크랙 검사부와 크랙 검출선(CD1)의 연결관계에 대해 구체적으로 설명한다.
도 4는 실시예에 따른 표시 장치의 크랙 검출선과 IC 내의 크랙 검사부를 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 4에서, 표시 패널 측의 패드들(620a, 620b, 620e, 620f)에 연결되어 있는 크랙 검출선(CD1)은 크랙 검출선 저항(RCD)으로 도시되어 있다.
크랙 검사부(660)는 패드들(620a, 620b, 620e, 620f)에 연결되어 있다. 크랙 검사부(660)는 패드들(620a, 620b)을 통해 크랙 검출선(CD1)의 일단 및 타단에 연결되거나, 또는 패드들(620e, 620f)을 통해 크랙 검출선(CD1)의 일단 및 타단에 연결될 수 있다.
크랙 검사부(660)는 전류원(IREF), 스위치들(SW1, SW2, SW3, SW4), 전류 조절부(662), 비교기(COMP), 및 가변 저항(Rv)을 포함할 수 있다.
스위치들(SW1, SW2)은 패드(620a)와 패드(620e) 중 어느 하나가 전류 조절부(662)와 연결되도록 동작한다. 스위치들(SW3, SW4)은 패드(620b)와 패드(620f) 중 어느 하나가 전류 조절부(662)와 연결되도록 동작한다.
전류 조절부(662)는 패드들(620a, 620b)을 통해 흐르는 전류와 패드들(620e, 620f)를 통해 크랙 검출선(CD1)에 흐르는 전류가 상이한 전류 값을 갖도록 전류를 출력할 수 있다.
예를 들어, 전류 조절부(662)는 전류 미러 형태로 구성될 수 있다. 전류 조절부(662)는 복수의 트랜지스터(T0, T1, T2, T3)를 포함한다. 복수의 트랜지스터(T0, T1, T2, T3) 각각의 드레인은 전원 전압(VDD)에 연결되어 있다. 복수의 트랜지스터(T0, T1, T2, T3) 각각의 게이트는 트랜지스터(T0)의 소스에 연결되어 있다. 트랜지스터(T0)의 소스는 전류원(IREF)에 연결되어 있다. 트랜지스터(T1)의 소스는 가변 저항(Rv)에 연결되어 있다. 트랜지스터(T2)의 소스는 스위치(SW1)에 연결되어 있다. 트랜지스터(T3)의 소스는 스위치(SW2)에 연결되어 있다.
전류 미러에서, 
를 만족시키기 위해, 트랜지스터(T0), 트랜지스터(T1), 및 트랜지스터(T2)의 채널폭은 하기의 수학식 1을 만족하도록 설계될 수 있다.
여기서 모든 트랜지스터(T0, T1, T2, T3)의 채널 길이는 동일한 것으로 가정한다.
이상의 실시예에서는 모든 트랜지스터(T0, T1, T2, T3) 각각의 채널 길이는 동일할 때, 트랜지스터들(T0, T1, T2)의 채널 폭은 서로 동일하고, 트랜지스터(T3)의 채널 폭은 트랜지스터(T0)의 1/k배인 것을 그 예로 설명하였다. 상기한 트랜지스터들의 채널 길이이나 채널 폭은, 전류 미러링 동작을 수행하기 위해, 다양하게 가변시킬 수 있다.
상기에서 
를 만족하도록, 전류 미러를 사용하여 전류를 조절하는 것으로 설명하였으나, 실시예들은 이에 제한되지 않는다.
전류(Ib 또는 Ic)가 크랙 검출선(CD1)에 인가되는 때, 가변 저항(Rv)의 저항 값이 소정 범위(예를 들어, 2㏀ 이상 511㏀ 미만)에서 변경될 수 있도록, 저항 제어 신호(RCS)가 공급될 수 있다.
비교기(COMP)는 크랙 검출선(CD1)의 저항(RCD)에 의한 노드(N2)의 전압과 가변 저항(Rv)에 의한 노드(N1)의 전압을 서로 비교하여, 그 결과 값(CMP)를 출력한다. 결과 값(CMP)은 ADC(analog-to-digital converter)를 통해 변환될 수 있다. 결과 값(CMP)에 따라 가변 저항(Rv)의 값을 튜닝(tuning)함으로써, 크랙 검출선(CD1)의 저항 값을 보다 정확하게 측정할 수 있다.
표시 장치(100a)에 중대한 크랙이 발생하여 크랙 검출선(CD1)이 단선된 경우, 단선된 크랙 검출선(CD1)의 저항 값을 측정하기 위해서는 가변 저항이 보다 넓은 저항 범위 내에서 저항 값이 변경되어야 한다. 그러나, 저항 값을 나타내는 비트(bit) 수량에 제한이 있다.
예를 들어, 가변 저항(Rv)이 2㏀, 4㏀, 8㏀, …, 256㏀의 저항을 포함하는 레더(ladder) 저항인 경우, 크랙 검사부(660)는 8비트를 사용하여 저항 값을 나타낼 수 있다. 즉, 크랙 검사부(660)는 크랙 검출선(CD1)이 2㏀ 내지 510㏀까지의 저항 값을 갖는지 측정할 수 있다. 더 큰 저항을 측정하기 위해서는 512㏀, 1024㏀ 등의 저항을 사용해야 한다. 그러면, 저항 값을 나타내는 비트 수량도 9bit, 10bit로 증가하게 된다. 비트 수량의 증가는 데이터 처리의 비효율성과 비용 증가를 야기한다.
실시예에 따르면, 하나의 크랙 검출선(CD1)에 연결된 두 개의 입력 패드(620a, 620e)와 두 개의 출력 패드(620b, 620f)를 사용하여 상이한 전류를 크랙 검출선(CD1)에 인가함으로써, 비트 수량의 증가 없이, 크랙이 발생한 크랙 검출선(CD1)의 저항 값을 검출할 수 있다.
스위치들(SW1, SW3)이 턴 온되면, 
를 만족하는 전류(Ib)가 크랙 검출선(CD1)으로 인가된다. 전류(Ib)가 크랙 검출선(CD1)에 인가되면, 노드(N2)의 전압은 
이다. 이때, 노드(N1)의 전압은 
이다. 비교기(COMP)가 노드(N2)의 전압과 노드(N1)의 전압을 서로 비교하므로, RCD는 Rv로써 측정될 수 있다.
스위치들(SW2, SW4)이 턴 온되면, 
를 만족하는 전류(Ic)가 크랙 검출선(CD1)으로 인가된다. 여기서 k가 6인 것으로 가정한다. 전류(Ic)가 크랙 검출선(CD1)에 인가되면, 노드(N2)의 전압은 
로 계산될 수 있다. 이때, 노드(N1)의 전압은 
이다. 비교기(COMP)가 노드(N2)의 전압과 노드(N1)의 전압을 서로 비교하므로, RCD는 
로 측정될 수 있다. 즉, 크랙 검출선(CD1)의 저항(RCD)이, 가변 저항(Rv)을 사용하여 측정 가능한 저항 범위의 6배인 경우에도, 크랙 검출선(CD1)의 저항(RCD)을 측정할 수 있다.
크랙 검사부(660)은 8비트를 사용하여 크랙 검출선(CD1)의 저항이 12㏀ 내지 3060㏀ 범위 내에 있는지를 검사할 수 있다. 크랙 검사부(660)는 510㏀보다 더 높은 저항 범위(512㏀ 내지 3060㏀ 범위) 내에서는 크랙 검출선(CD1)의 저항이 대략 어느 범위에 속하는지 검출할 수 있다. 그러므로, 크랙 검사부(660)는 크랙 검출선(CD1)이 단선되거나, 또는 크랙 검출선(CD1)에 큰 결함이 발생된 경우에도, 크랙 검출선(CD1)의 저항 값을 측정할 수 있다.
즉 하나의 크랙 검출선(CD1)에 연결되어 있는 네 개의 패드(620a, 620b, 620e, 620f)를 사용하여, 크랙 검출선(CD1)의 저항을 다양한 저항 값 범위에서 검출할 수 있다.
다음으로, 도 5 내지 도 7를 참조하여, 도 3의 표시 장치(100a)의 불량을 검출하기 위한 방법을 설명한다.
도 5는 실시예에 따른 표시 장치의 검사 방법을 나타낸 순서도이고, 도 6 및 도 7은 도 5의 검사 방법에 따라 크랙 검출선의 저항을 측정하는 경우를 나타낸 도면이다.
도 5를 참조하면, 크랙 검사부(660)가 제1 모드로 동작하도록 스위치를 제어(S100)한다. 여기서 제1 모드는 저저항 범위 내에서 크랙 검출선(CD1)의 저항을 측정하는 모드이다. 도 6에 도시된 바와 같이, 스위치들(SW1, SW3)이 턴 온된다.
제1 모드에서 크랙 검출선(CD1)의 크랙을 검출(S110)한다. 저항 제어 신호(RCS)를 사용하여, 가변 저항(Rv)의 값을 조절함으로써, 크랙 검출선(CD1)의 저항 값이 검출될 수 있다.
크랙 검출선(CD1)의 저항 값이 제1 저항 값 이하이면, 크랙이 검출되지 않은 것으로 판정(S112)한다.
크랙 검출선(CD1)의 저항 값이 제1 저항 값보다 더 크면, 크랙 검사부(660)가 제2 모드로 동작하도록 스위치를 제어(S120)한다. 도 7에 도시된 바와 같이, 스위치들(SW2, SW4)이 턴 온된다.
제2 모드에서 크랙 검출선(CD1)의 크랙을 검출(S130)한다. 저항 제어 신호(RCS)를 사용하여, 가변 저항(Rv)의 값을 조절함으로써, 크랙 검출선(CD1)의 저항 값이 검출될 수 있다.
크랙 검출선(CD1)의 저항 값이 제1 저항 값보다 더 큰 제2 저항 값 이하이면, 크랙 검사부(660)는 표시 패널에 미세 크랙이 발생한 것으로 판정(S150)한다.
크랙 검출선(CD1)의 저항 값이 제2 저항 값보다 더 크면, 크랙 검사부(660)는 표시 패널에 중대한 크랙이 발생한 것으로 판정(S140)한다.
다음으로, 도 8을 참조하여, 다른 실시예에 따른 표시 장치에 대해 설명한다.
도 8은 다른 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 배치도이다. 도 8에 도시된 표시 장치(100b)의 구성들 중 도 3에 도시된 표시 장치(100a)와 동일하거나 유사한 구성에 대해서는 이하에서 설명을 생략한다. 또한, 크랙 검출선들(CD1, CD2, CD3, CD4) 중 크랙 검출선(CD1)을 예로 들어 설명하며, 크랙 검출선(CD3)에 대한 설명은 이와 동일, 유사하므로 생략한다.
도 8에 도시된 바와 같이, 크랙 검출선(CD1)은 패드들(621a, 621b, 621e, 621f)에 연결될 수 있다. 구체적으로, 크랙 검출선(CD1)의 일 측은 패드(621a)에 연결된 배선(H1) 및 패드(621e)에 연결된 배선(B1)과 노드(NB1) 에서 연결되어 있다. 그리고 크랙 검출선(CD1)의 타측은 패드(621b)에 연결된 배선(H2) 및 패드(621f)에 연결된 배선(B2)과 노드(NB2)에서 연결되어 있다. 여기서 배선들(B1, B2) 및 노드들(NB1, NB2)은 패드 영역(610)의 내측에 위치할 수 있다.
다음으로, 도 9를 참조하여, 또 다른 실시예에 따른 표시 장치에 대해 설명한다.
도 9는 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 배치도이다. 도 9에 도시된 표시 장치(100c)의 구성들 중 도 3에 도시된 표시 장치(100a)와 동일하거나 유사한 구성에 대해서는 이하에서 설명을 생략한다. 또한, 크랙 검출선들(CD1, CD2, CD3, CD4) 중 크랙 검출선(CD1)을 예로 들어 설명하며, 크랙 검출선(CD3)에 대한 설명은 이와 동일, 유사하므로 생략한다.
기판(110)의 주변 영역(NDA)에는 크랙 검출선들(CD1, CD3), 크랙 검출선들(CD1, CD3)에 연결되어 있는 패드들(622a~622l), 데이터선들(D1~Dm)에 연결되어 있는 데이터 패드들(622p), 게이트 구동부(650)가 위치할 수 있다.
크랙 검출선(CD1)은 패드들(620a, 620b, 620c, 620d, 620e, 620f)에 연결될 수 있다.
구체적으로, 크랙 검출선(CD1)의 일 측은 패드(622a)에 연결된 배선(U1) 및 패드(622e)에 연결된 배선(B11)과 노드(NC1)에서 연결되어 있다. 또한, 패드(622a)와 패드(622c)도 배선(B13)에 의해 연결되어 있다.
그리고 크랙 검출선(CD1)의 타측은 패드(622b)에 연결된 배선(U2) 및 패드(620f)에 연결된 배선(B12)과 노드(NC2)에서 연결되어 있다. 또한, 패드(622b)와 패드(622d)도 배선(B14)에 의해 연결되어 있다.
하나의 크랙 검출선(CD1)이 세 개의 입력 패드(622a, 622c, 622e)와 세 개의 입력 패드(622b, 622d, 622f)에 연결되어 있으므로, 패드(622a)에는 Ib, 패드(622c)에는 
, 패드(622e)에는 
를 인가함으로써, 더욱 다양한 저항 범위 내에서 크랙 검출선(CD1)의 저항을 측정할 수 있다.
여기서 배선들(B11, B12, B13, B14) 및 노드들(NC1, NC2)은 패드 영역(610)의 내측에 위치할 수 있다.
다음으로, 도 10 내지 13을 참조하여, 또 다른 실시예에 따른 표시 장치에 대해 설명한다.
도 10은 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 배치도이고, 도 11은 도 10에 도시한 표시 장치가 벤딩 영역에서 벤딩된 상태를 나타낸 도면이다.
도 10에 도시된 표시 장치(100d)의 구성들 중 도 3에 도시된 표시 장치(100a)와 동일하거나 유사한 구성에 대해서는 이하에서 설명을 생략한다.
주변 영역(NDA)은 구부러질 수 있는 벤딩 가능(bendable) 영역(BA)을 포함할 수 있다. 벤딩 가능 영역(BA)은 표시 장치(100d)을 x 방향에 평행한 방향으로 가로지르며 연장될 수 있다. 도 10에서 벤딩 가능 영역(BA)은 주변 영역(NDA) 중 표시 영역(DA)의 하측에 위치하는 것으로 도시하였으나, 벤딩 가능 영역(BA)의 위치와 개수는 이에 제한되지 않는다. 벤딩 가능 영역은 이미 벤딩되어 있는 영역과, 이후 공정에서 벤딩될 수 있는 영역 모두를 지시한다.
도 11에 도시된 바와 같이, 표시 장치(100d)는 벤딩 가능 영역(BA)에서 구부러져 벤딩 가능 영역(BA)보다 바깥쪽에 위치하는 주변 영역(NDA)이 표시 장치(100d)의 뒤쪽으로 젖혀져 앞쪽에서 보이지 않을 수 있다. 벤딩 가능 영역(BA)에는 복수의 배선이 지나갈 수 있으며, 복수의 배선은 벤딩 가능 영역(BA)에서 대체로 y축 방향에 평행하게 뻗을 수 있다.
벤딩 가능 영역(BA)의 아래쪽의 주변 영역(NDA)에 구동 회로부(600)가 위치하여, 표시 장치(100d)의 벤딩 가능 영역(BA)이 벤딩되면 구동 회로부(600)는 벤딩 가능 영역(BA)의 위쪽의 표시 장치(100d)의 뒤에 위치할 수 있다. 구동 회로부(600)보다 바깥쪽의 주변 영역(NDA)에는 인쇄 회로막(700)이 접속되어 있을 수 있다. 구동 회로부(600)는 인쇄 회로막(700)과 표시 장치(100d)의 접속 영역과 벤딩 가능 영역(BA) 사이에 위치할 수 있다.
도 10을 다시 참조하면, 크랙 검출선들(CD1, CD2, CD3, CD4, CD5, CD6) 각각은 표시 영역(DA)의 바깥쪽의 주변 영역(NDA)에 위치할 수 있다. 크랙 검출선들(CD1, CD2, CD3, CD4) 각각은 표시 영역의 두 변을 따라 일주할 수 있다.
크랙 검출선들(CD1, CD3)은 표시 영역(DA)의 한 변을 따라 지그재그(zigzag) 형태로 왕복하는 배선일 수 있다. 여기서 지그재그 형태는 y축 방향으로 연장되어 있는 크랙 검출선(CD1)의 부분들이 x축 방향을 따라 배열되어 있는 형태와, x축 방향으로 연장되어 있는 크랙 검출선(CD1)의 부분들이 y축 방향을 따라 배열되어 있는 형태를 포함한다.
크랙 검출선들(CD2, CD4)도 표시 영역(DA)의 한 변을 따라 왕복하는 배선일 수 있다. 크랙 검출선들(CD1, CD3)은 벤딩 가능 영역을 제외한 주변 영역에서 지그재그 형태로 왕복하는 배선일 수도 있다. 또한 크랙 검출선들(CD1, CD2)은 단일의 배선일 수 있고, 표시 영역(DA)의 둘레를 따라 일주하도록 위치할 수도 있으며, 이에 한정되지 않는다.
크랙 검출선(CD1)과 크랙 검출선(CD2)이 주변 영역(NDA) 내에서 동일한 측(좌측)에 함께 위치하더라도, 서로 위치하는 영역을 달리하므로, 이를 이용하여 표시 패널 내에서 크랙이 표시 영역(DA) 측으로 어느 정도 침투하였는지를 정확하게 검출할 수 있다. 예를 들어, 크랙 검출선(CD1)의 저항은 높게 측정되어 불량으로 판정되었으나, 크랙 검출선(CD2)의 저항은 보다 낮게 측정되어 크랙이 발생하지 않은 것으로 판정되면, 크랙이 표시 영역(DA) 측으로 깊게 침투하지 않았음을 알 수 있다. 또는, 크랙 검출선들(CD1, CD2)의 저항이 모두 높게 측정되면 크랙이 표시 영역(DA) 측으로 깊게 침투하였음을 알 수 있다.
크랙 검출선들(CD5, CD6) 각각은 주변 영역(NDA) 내의 벤딩 가능 영역(BA)에 위치할 수 있다. 크랙 검출선들(CD5, CD6)은 벤딩 가능 영역(BA) 내에서 지그재그 형태로 왕복하는 배선일 수 있다.
크랙 검출선(CD1)과 크랙 검출선(CD5)이 주변 영역(NDA) 내에서 동일한 측(좌측)에 함께 위치하더라도, 서로 위치하는 영역을 달리하므로, 이를 이용하여 표시 패널 내에서 크랙이 발생한 위치가 벤딩 가능 영역(BA) 내인지 또는 벤딩 가능 영역(BA)를 제외한 영역인지를 보다 정확하게 검출할 수 있다.
이하에서는 크랙 검출선들(CD1, CD2, CD3, CD4, CD5, CD6) 중 표시 영역(DA)의 좌측의 크랙 검출선들(CD1, CD2, 및 CD5)를 예로 들어 설명한다.
크랙 검출선(CD1)은 패드들(623a , 623b, 623e, 623f)에 연결될 수 있다. 구체적으로, 크랙 검출선(CD1)의 일 측은 패드(623a)에 연결된 배선(L1) 및 패드(623e)에 연결된 배선(L5)과 노드(ND1)에서 연결되어 있다. 그리고 크랙 검출선(CD1)의 타측은 패드(623b)에 연결된 배선(L2) 및 패드(623f)에 연결된 배선(L6)과 노드(ND2)에서 연결되어 있다. 여기서 노드들(ND1, ND2)은 패드 영역(610)의 외측에 위치할 수 있다.
크랙 검출선(CD2)은 패드들(623c, 623d, 623i, 623j)에 연결될 수 있다. 구체적으로, 크랙 검출선(CD2)의 일 측은 패드(623c)에 연결된 배선(L3) 및 패드(623i)에 연결된 배선(L9)과 노드(ND3)에서 연결되어 있다. 그리고 크랙 검출선(CD2)의 타측은 패드(623b)에 연결된 배선(L4) 및 패드(623f)에 연결된 배선(L10)과 노드(ND4)에서 연결되어 있다. 여기서 노드들(ND3, ND4)은 패드 영역(610)의 외측에 위치할 수 있다. 상기에서 노드들(ND1, ND2, ND3, ND4)이 패드 영역(610)의 외측에 위치하는 것으로 설명하였으나, 각각의 노드들(ND1, ND2, ND3, ND4)은 패드 영역의 내측 또는 외측에 위치할 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.
다음으로, 도 12를 참조하여, 크랙 검출선들(CD1, CD2, CD5)의 단면 구조에 대해 설명한다.
도 12는 도 10의 표시 장치를 X1-X1'선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
벤딩 가능 영역(BA)에서 크랙 검출선들(CD1, CD2, CD5)은 데이터선(171), 전압 전달선(도 2의 177) 등이 위치하는 제3 도전층에 위치할 수 있다. 벤딩 가능 영역(BA) 이외의 영역에서 크랙 검출선들(CD1, CD2, CD5)이 제3 도전층이 아닌 층에 위치하는 경우, 크랙 검출선들(CD1, CD2, CD5)은 벤딩 가능 영역(BA)의 상하 주변에 위치하는 적어도 하나의 컨택부를 포함할 수 있고, 컨택부를 통해 서로 다른 층에 위치하는 두 부분이 전기적으로 연결될 수 있다. 컨택부는 서로 다른 층에 위치하는 두 부분의 사이에 위치하는 절연층의 접촉 구멍을 포함할 수 있다.
기판(110) 위에 위치하는 절연층 중 제3 도전층 아래에 위치하는 제1 절연층(141), 제2 절연층(142) 및 제3 절연층(160)은 벤딩 가능 영역(BA)에서는 제거되어 있을 수 있고, 대신 기판(110) 위에 절연층(180a)이 위치할 수 있다. 절연층(180a)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있고 벤딩 가능 영역(BA) 및 그 주변을 제외한 다른 영역에서는 존재하지 않을 수 있다.
다음으로, 도 13을 참조하여, 주변 영역(NDA) 내의 크랙 검출선들(CD1, CD2, CD5)과 패드들(623a~623j)의 구체적인 배치에 대해 설명한다.
도 13은 도 10의 일 영역(AA)에 대한 구체적인 배치도이다.
패드 영역(610) 내에 패드들(623a~623j)이 배치되어 있다. 패드들(623a~623j) 각각은 배선들(L1~L10) 중 대응하는 하나의 배선에 연결되어 있다.
크랙 검출선들(CD1, CD2, CD5)은 도 2에 도시된 제3 도전층으로 위치할 수 있고, 배선들(L1~L10)은 도 2에 도시된 제1 도전층으로 위치할 수 있다.
배선들(L1, L7)은 크랙 검출선(CD1)이 표시 패널 측으로 인입하는 배선(CD12)과 연결되어 있다. 인입 배선(CD12)은 접촉 구멍(CNT1)을 통해 배선(L1)과 연결되어 있고, x축 방향으로 연장되어 접촉 구멍(CNT2)을 통해 배선(L7)과 연결되어 있다. 이와 같이, 패드들(623a, 623g)에 연결된 배선들(L1, L7)이, 패드 영역(610)에서 이격되어 있는 영역에서 크랙 검출선(CD1)의 인입 배선(CD12)에 연결되어 있다.
배선들(L2, L8)은 크랙 검출선(CD1)이 패드 영역(610) 측으로 인출하는 배선(CD11)과 연결되어 있다. 인출 배선(CD11)은 접촉 구멍(CNT3)을 통해 배선(L2)과 연결되어 있고, x축 방향으로 연장되고 y축 방향으로 연장되어 접촉 구멍(CNT4)을 통해 배선(L8)과 연결되어 있다. 이와 같이, 패드들(623b, 623h)에 연결된 배선들(L2, L8)이, 패드 영역(610)에서 이격되어 있는 영역에서 크랙 검출선(CD1)의 인출 배선(CD11)에 연결되어 있다.
배선들(L3, L9)은 크랙 검출선(CD2)이 표시 패널 측으로 인입하는 배선(CD22)과 연결되어 있다. 배선들(L4, L10)은 크랙 검출선(CD2)이 패드 영역(610) 측으로 인출하는 배선(CD21)과 연결되어 있다.
배선(L5)은 크랙 검출선(CD5)이 표시 패널 측으로 인입하는 배선(CD52)과 연결되어 있다. 배선(L6)은 크랙 검출선(CD5)이 패드 영역(610) 측으로 인출하는 배선(CD51)과 연결되어 있다.
도 14는 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 배치도이고, 도 15는 도 14에 도시한 표시 장치가 벤딩 영역에서 벤딩된 상태를 나타낸 도면이다.
도 14에 도시된 표시 장치(100e)의 구성들 중 도 9에 도시된 표시 장치(100d)와 동일하거나 유사한 구성에 대해서는 이하에서 설명을 생략한다.
도 14를 참조하면, 벤딩 가능 영역(BA)은 주변 영역(NDA) 중 표시 영역(DA) 하측의 영역과 표시 영역(DA)의 일부 영역을 포함한다. 그리고, 크랙 검출선들(CD5, CD6) 각각은 벤딩 가능 영역(BA) 내의 주변 영역(NDA)에 위치할 수 있다. 크랙 검출선들(CD5, CD6)은 표시 영역(DA)까지 포함하는 벤딩 가능 영역(BA)까지 y축 방향에 평행하게 연장될 수 있다. 예를 들어, 크랙 검출선(CD5)의 일측은 패드(624e)에 연결된 배선(M5)에 연결되어 있고, 크랙 검출선(CD5)의 타측은 패드(624f)에 연결된 배선(M6)에 연결되어 있으며, 일측과 타측 사이의 크랙 검출선(CD5)은 y축 방향에 평행하게 연장되어 벤딩 가능 영역(BA)의 상측 경계 전후의 영역까지 위치할 수 있다. 크랙 검출선들(CD5, CD6)은 벤딩 가능 영역(BA) 내에서 지그재그 형태로 왕복하는 배선일 수 있다.
도 15에 도시된 바와 같이, 표시 장치(100e)는 벤딩 가능 영역(BA)에서 구부러진다. 그러므로, 벤딩 가능 영역(BA) 내의 표시 영역(DA)도 구부러진다. 구부러진 표시 영역(DA)에 영상이 표시될 수 있다. 벤딩 가능 영역(BA)보다 바깥쪽에 위치하는 주변 영역(NDA)이 표시 장치(100d)의 뒤쪽으로 젖혀져 앞쪽에서 보이지 않을 수 있다. 벤딩 가능 영역(BA)에는 복수의 배선이 지나갈 수 있으며, 복수의 배선은 벤딩 가능 영역(BA)에서 대체로 y축 방향에 평행하게 뻗을 수 있다.
벤딩 가능 영역(BA)의 아래쪽의 주변 영역(NDA)에 구동 회로부(600)가 위치하여, 표시 장치(100e)의 벤딩 가능 영역(BA)이 벤딩되면 구동 회로부(600)는 벤딩 가능 영역(BA)의 위쪽의 표시 장치(100e)의 뒤에 위치할 수 있다. 구동 회로부(600)보다 바깥쪽의 주변 영역(NDA)에는 인쇄 회로막(700)이 접속되어 있을 수 있다. 구동 회로부(600)는 인쇄 회로막(700)과 표시 장치(100e)의 접속 영역과 벤딩 가능 영역(BA) 사이에 위치할 수 있다.위에서 설명한 여러 실시예에 따른 표시 장치(100, 100a, 100b, 100c, 100d, 100e)는 액정 표시 장치, 유기/무기 발광 표시 장치 등의 다양한 표시 장치일 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
Claims (21)
- 표시 영역과 상기 표시 영역 주변의 주변 영역을 포함하는 기판,
상기 주변 영역 중 IC가 배치될 패드 영역에 위치하는 복수의 패드, 그리고
제1 노드에서 제1 패드 및 제2 패드와 연결되어 있고, 제2 노드에서 제3 패드와 연결되어 있으며, 상기 제1 노드와 상기 제2 노드 사이에서 상기 주변 영역을 일주하는 제1 크랙 검출선
을 포함하고,
상기 제1 노드는 상기 패드 영역 내부에 위치하는, 표시 장치. - 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 제1 패드와 상기 제1 크랙 검출선을 연결하는 제1 배선, 그리고
상기 제2 패드와 상기 제1 크랙 검출선을 연결하는 제2 배선
을 더 포함하고,
상기 제1 배선과 상기 제2 배선은 동일한 층에 위치하고, 상기 제1 크랙 검출선은 상기 제1 및 제2 배선과 상이한 층에 위치하는,
표시 장치. - 제1항에 있어서,
제3 노드에서 제4 패드와 연결되어 있고, 제4 노드에서 제5 패드와 연결되어 있으며, 상기 제3 노드와 상기 제4 노드 사이에서 상기 주변 영역을 일주하고, 상기 표시 영역을 기준으로 상기 제1 크랙 검출선과 동일한 측에 위치하며, 상기 제1 크랙 검출선보다 상기 표시 영역에 더 인접한, 제2 크랙 검출선
을 더 포함하는 표시 장치. - 제1항에 있어서,
제3 노드에서 제4 패드 및 제5 패드와 연결되어 있고, 제4 노드에서 제6 패드와 연결되어 있으며, 상기 제3 노드와 상기 제4 노드 사이에서 상기 주변 영역을 일주하고, 상기 표시 영역을 기준으로 상기 제1 크랙 검출선과 동일한 측에 위치하며, 상기 제1 크랙 검출선보다 상기 표시 영역에 더 인접한, 제2 크랙 검출선, 그리고
제5 노드에서 제7 패드와 연결되어 있고, 제6 노드에서 제8 패드와 연결되어 있으며, 상기 제5 노드와 상기 제6 노드 사이에서 상기 주변 영역 내의 벤딩 가능(bendable) 영역을 일주하는 제3 크랙 검출선
을 더 포함하는 표시 장치. - 제5항에 있어서,
상기 주변 영역에 위치하며 전원 전압을 전달하는 전압 전달선을 더 포함하고,
상기 제1 크랙 검출선, 상기 제2 크랙 검출선, 및 상기 제3 크랙 검출선은 상기 전압 전달선과 동일한 층에 위치하는,
표시 장치. - 삭제
- 제4항 또는 제5항에 있어서,
상기 패드 영역에 IC가 배치되어 상기 표시 장치의 크랙을 검사하는 때, 상기 제1 패드를 통해 상기 제1 크랙 검출선으로 흐르는 전류와 상기 제2 패드를 통해 상기 제2 크랙 검출선으로 흐르는 전류가 상이한,
표시 장치. - 제8항에 있어서,
상기 IC는,
가변 저항,
상기 가변 저항에 제1 전류를 공급하고, 상기 제1 패드 또는 상기 제2 패드를 통해 상기 제1 크랙 검출선에 제2 전류를 공급하는 전류 조절부, 그리고
상기 가변 저항에 걸리는 전압과 상기 제1 크랙 검출선에 걸리는 전압을 비교하여 그 결과 값을 출력하는 비교기를 포함하는,
표시 장치. - 제9항에 있어서,
상기 제1 패드를 통해 상기 제1 크랙 검출선에 공급되는 상기 제2 전류는 상기 제1 전류와 동일한,
표시 장치. - 제9항에 있어서,
상기 제1 패드를 통해 상기 제1 크랙 검출선에 공급되는 상기 제2 전류는 상기 제1 전류와 상이한,
표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제1 크랙 검출선은 제1 노드에서 제4 패드에 더 연결되어 있는,
표시 장치. - 표시 영역과 상기 표시 영역 주변의 주변 영역을 포함하는 기판,
상기 기판의 상기 표시 영역에 위치하는 복수의 화소,
상기 주변 영역의 패드 영역에 위치하는 복수의 패드,
일단이 대응하는 제1 패드에 연결되어 있고, 타단이 대응하는 화소들에 연결되어 있는 데이터선, 그리고
제1 노드에서 제2 패드 및 제3 패드와 연결되어 있고, 제2 노드에서 제4 패드와 연결되어 있으며, 상기 제1 노드와 상기 제2 노드 사이에서 상기 주변 영역을 일주하는 크랙 검출선을 포함하고,
상기 데이터선과 상기 크랙 검출선은 동일한 층에 위치하고,
상기 제1 노드는 상기 패드 영역 내부에 위치하는, 표시 장치. - 제13항에 있어서,
상기 복수의 화소에 게이트 신호를 공급하는 게이트 구동부,
일단이 상기 게이트 구동부에 연결되어 있고, 타단이 대응하는 화소들에 연결되어 있는 게이트선,
상기 제2 패드와 상기 크랙 검출선을 연결하는 제1 배선, 그리고
상기 제3 패드와 상기 크랙 검출선을 연결하는 제2 배선
을 더 포함하고,
상기 제1 배선과 상기 제2 배선은 상기 게이트선과 동일한 층에 위치하는,
표시 장치. - 제13항에 있어서,
상기 복수의 패드에 연결되어, 상기 제1 패드를 통해 상기 데이터선에 데이터 신호를 공급하고, 상기 제2 패드, 상기 제3 패드, 및 상기 제4 패드를 통해 상기 크랙 검출선의 저항을 측정하는 구동 IC를 더 포함하는 표시 장치. - 표시 영역과 상기 표시 영역 주변의 주변 영역을 포함하는 기판, 상기 주변 영역 중 IC가 배치될 패드 영역에 위치하는 복수의 패드, 그리고 제1 노드에서 제1 패드 및 제2 패드와 연결되어 있고, 제2 노드에서 제3 패드와 연결되어 있으며, 상기 제1 노드와 상기 제2 노드 사이에서 상기 주변 영역을 일주하는 제1 크랙 검출선을 포함하는 표시 장치에 있어서,
상기 제1 패드에 제1 전류를 인가하여 상기 제1 크랙 검출선의 저항을 검출하는 단계, 그리고
상기 제1 크랙 검출선의 저항이 제1 임계치를 초과하면, 상기 제2 패드에 상기 제1 전류보다 더 낮은 제2 전류를 인가하여 상기 제1 크랙 검출선의 저항을 검출하는 단계
를 포함하는 표시 장치의 검사 방법. - 제16항에 있어서,
상기 IC는, 가변 저항, 상기 가변 저항에 제3 전류를 공급하고, 상기 제1 패드 또는 상기 제2 패드를 통해 상기 제1 크랙 검출선에 전류를 공급하는 전류 조절부, 그리고 상기 가변 저항에 걸리는 전압과 상기 제1 크랙 검출선에 걸리는 전압을 비교하여 그 결과 값을 출력하는 비교기를 포함하고,
상기 제1 전류는 상기 제3 전류와 동일한,
표시 장치의 검사 방법. - 제17항에 있어서,
상기 제2 전류는 상기 제3 전류와 상이한,
표시 장치의 검사 방법. - 제18항에 있어서,
상기 제2 전류는 상기 제3 전류보다 더 작은,
표시 장치의 검사 방법. - 제16항에 있어서,
상기 제2 패드에 상기 제1 전류보다 더 낮은 제2 전류를 인가하여 상기 제1 크랙 검출선의 저항을 검출하는 단계 후에,
상기 제1 크랙 검출선의 저항이 제2 임계치 미만이면, 미세 크랙이 발생한 것으로 결정하는 단계를 더 포함하는 표시 장치의 검사 방법. - 제16항에 있어서,
상기 제2 패드에 상기 제1 전류보다 더 낮은 제2 전류를 인가하여 상기 제1 크랙 검출선의 저항을 검출하는 단계 후에,
상기 제1 크랙 검출선의 저항이 제2 임계치 이상이면, 중대한 크랙이 발생한 것으로 결정하는 단계를 더 포함하는 표시 장치의 검사 방법.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180110967A KR102619720B1 (ko) | 2018-09-17 | 2018-09-17 | 표시 장치 및 그 검사 방법 |
| EP19197458.3A EP3624092A3 (en) | 2018-09-17 | 2019-09-16 | Display device and a testing method thereof |
| US16/572,700 US11341875B2 (en) | 2018-09-17 | 2019-09-17 | Display device and a testing method thereof |
| CN201910874127.9A CN110910801B (zh) | 2018-09-17 | 2019-09-17 | 显示装置 |
| US17/731,382 US11763710B2 (en) | 2018-09-17 | 2022-04-28 | Display device and a testing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180110967A KR102619720B1 (ko) | 2018-09-17 | 2018-09-17 | 표시 장치 및 그 검사 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20200032295A KR20200032295A (ko) | 2020-03-26 |
| KR102619720B1 true KR102619720B1 (ko) | 2023-12-29 |
Family
ID=67981911
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020180110967A KR102619720B1 (ko) | 2018-09-17 | 2018-09-17 | 표시 장치 및 그 검사 방법 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US11341875B2 (ko) |
| EP (1) | EP3624092A3 (ko) |
| KR (1) | KR102619720B1 (ko) |
| CN (1) | CN110910801B (ko) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102601650B1 (ko) * | 2016-07-26 | 2023-11-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR102619720B1 (ko) * | 2018-09-17 | 2023-12-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 검사 방법 |
| WO2021062640A1 (zh) * | 2019-09-30 | 2021-04-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 电子基板及其制作方法、显示面板 |
| US11105846B1 (en) * | 2020-04-02 | 2021-08-31 | Globalfoundries U.S. Inc. | Crack detecting and monitoring system for an integrated circuit |
| CN111429849B (zh) * | 2020-04-29 | 2021-08-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、显示装置、检测装置及孔周裂纹检测方法 |
| US12089479B2 (en) | 2020-05-18 | 2024-09-10 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same, and electronic apparatus |
| CN111508399A (zh) * | 2020-05-28 | 2020-08-07 | 霸州市云谷电子科技有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
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| CN118176534A (zh) | 2021-10-26 | 2024-06-11 | 三星电子株式会社 | 包括柔性显示模块的电子装置和用于检测显示模块的损坏的方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR101971066B1 (ko) | 2012-11-01 | 2019-04-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 본딩 테스트 시스템 |
| KR102073966B1 (ko) | 2013-12-11 | 2020-02-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 검사 시스템 |
| KR102446857B1 (ko) * | 2015-05-26 | 2022-09-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR102340938B1 (ko) | 2015-09-17 | 2021-12-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치와 그 접촉 저항 측정 방법 |
| KR20170099628A (ko) | 2016-02-24 | 2017-09-01 | 주식회사 실리콘웍스 | 디스플레이 구동 장치 |
| KR102561277B1 (ko) * | 2016-08-01 | 2023-07-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR102590316B1 (ko) * | 2016-12-05 | 2023-10-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| US10522608B2 (en) * | 2016-12-06 | 2019-12-31 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
| KR102397900B1 (ko) * | 2016-12-08 | 2022-05-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR102376976B1 (ko) | 2017-05-23 | 2022-03-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 검사 방법 |
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2018
- 2018-09-17 KR KR1020180110967A patent/KR102619720B1/ko active IP Right Grant
-
2019
- 2019-09-16 EP EP19197458.3A patent/EP3624092A3/en active Pending
- 2019-09-17 US US16/572,700 patent/US11341875B2/en active Active
- 2019-09-17 CN CN201910874127.9A patent/CN110910801B/zh active Active
-
2022
- 2022-04-28 US US17/731,382 patent/US11763710B2/en active Active
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20180174505A1 (en) * | 2016-08-19 | 2018-06-21 | Apple Inc. | Electronic Device Display With Monitoring Circuitry |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110910801B (zh) | 2024-08-16 |
| US20200090566A1 (en) | 2020-03-19 |
| CN110910801A (zh) | 2020-03-24 |
| KR20200032295A (ko) | 2020-03-26 |
| US11341875B2 (en) | 2022-05-24 |
| US20220262290A1 (en) | 2022-08-18 |
| US11763710B2 (en) | 2023-09-19 |
| EP3624092A2 (en) | 2020-03-18 |
| EP3624092A3 (en) | 2020-03-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
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| GRNT | Written decision to grant |