CN110137154B - 一种测试结构、基板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种测试结构、基板及其制造方法。基板分为至少一个显示基板区和位于所述显示基板区之间的间隔区，所述间隔区内设置有至少一个测试区，所述显示基板区和所述测试区同步形成绝缘层、过孔和透明电极，通过检测测试区过孔内透明电极的电阻反应测试区过孔的钻蚀情况，从而了解显示基板中过孔的钻蚀情况；本申请采用线上检测，能够及时发现一整套显示基板的钻蚀问题，不需要在线下对显示基板一个个地测量，节省大量的时间和人力，提高生产效率。

Description

一种测试结构、基板及其制造方法
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种测试结构、基板及其制造方法。
背景技术
随着科技的发展和进步，平板显示器由于具备机身薄、省电和辐射低等热点而成为显示器的主流产品，得到了广泛应用。平板显示器包括薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilm Transistor-Liquid Crystal Display，TFT-LCD)和有机发光二极管(OrganicLight-Emitting Diode，OLED)显示器等。在液晶面板制作过程中，第二金属层(M2，S/DMetal)上的绝缘层通过刻蚀形成过孔时，容易出现钻蚀现象，即过孔底部产生底切，可能直接导致液晶面板显示异常，也会导致液晶面板出现暗点等问题，影响液晶面板的品质。
为了制作品质更好的液晶面板，每一道工序都需要严格把控。目前最主要的监控方式主要为线下检测，需要对样品进行裂片测试，不仅需要花费更多的人力和时间，而且增加制造成本。
发明内容
本申请在于提供一种测试结构、基板及其制造方法，以实现线上快速检测面板钻蚀的问题。
为实现上述目的，本申请公开了一种基板，分为至少一个显示基板区和位于所述显示基板区之间的间隔区，所述间隔区内设置有至少一个测试区，所述基板包括：衬底；设置在所述衬底上的金属层；设置在所述金属层上的绝缘层；设置在所述显示基板区内，贯穿所述显示基板区的绝缘层的多个第一过孔；设置在所述测试区内，贯穿所述测试区的绝缘层的至少一个第二过孔；设置在所述显示基板区的绝缘层上和所述第一过孔内，并且连接所述金属层的第一透明电极；设置在所述第二过孔内且连接所述金属层的第二透明电极；所述第一过孔与所述第二过孔通过同一道制程形成，所述第一透明电极与所述第二透明电极通过同一道制程形成。
可选的，所述第二过孔的数量为多个，所述基板包括至少一个导体，每一个所述导体至少连接两个所述第二过孔对应的所述第二透明电极，相连的所述导体和所述第二透明电极形成测试电路。
可选的，所述基板包括至少两个焊盘，所述焊盘设置在所述测试电路的两端，与所述第二透明电极或所述导体连接。
可选的，所述焊盘与所述金属层通过一道制程形成，所述焊盘与所述金属层通过同一道制程形成，且所述焊盘与所述金属层不连接；所述绝缘层对应所述焊盘位置设有通孔，所述第二透明电极通过所述通孔与所述焊盘连接。
可选的，所述导体与所述第二透明电极材料相同。
可选的，所述导体的宽度大于所述第二过孔的直径。
本申请还公开了一种测试结构，用于测试显示基板，包括与所述显示基板同步形成的过孔，与所述显示基板同步形成的透明电极，还包括至少一个导体和至少两个焊盘；所述过孔的数量为多个，所述透明电极设置在所述过孔内，所述导体将不同所述过孔中的透明电极连接，所述焊盘与所述透明电极或所述导体连接。
本申请还公开了一种基板的制造方法，包括步骤：
在基板的显示基板区和位于所述显示基板区之外的测试区形成衬底；
在所述衬底上形成金属层；
在所述金属层上形成绝缘层；
同步形成多个第一过孔和至少一个第二过孔，所述第一过孔贯穿所述显示基板区的绝缘层，所述第二过孔贯穿所述测试区的绝缘层；
同步形成第一透明电极和第二透明电极，所述第一透明电极形成在所述显示基板区的绝缘层上和所述第一过孔内，所述第二透明电极形成在所述第二过孔内，所述第一透明电极和第二透明电极分别连接所述金属层；
对测试区的第二过孔和第二透明电极进行测试。
可选的，在所述衬底上形成金属层的步骤中，包括步骤：在所述显示基板区和所述测试区的衬底上形成金属层，同时在所述测试区形成焊盘；
在所述同步形成第一透明电极和第二透明电极，所述第一透明电极形成在所述显示基板区的绝缘层上和所述第一过孔内，所述第二透明电极形成在所述第二过孔内，所述第一透明电极和第二透明电极分别连接所述金属层的步骤后，还包括步骤：
用导体连接所述第二透明电极形成测试电路；
用焊盘导通所述测试电路两端的所述第二透明电极；
在对测试区的第二过孔和第二透明电极进行测试的步骤中，包括步骤：用检测装置连接到测试电路两端的焊盘测试整个测试电路的阻值；如果测试结果比预设值大，那么判断第一过孔存在钻蚀风险。
可选的，所述用检测装置连接到测试电路两端的焊盘测试整个测试电路的阻值；如果测试结果比标准结果的预设值大，那么判断第一过孔存在钻蚀风险的步骤中，如果第一过孔存在钻蚀风险，则将测试电路裂片，使用电子显微镜观察第二过孔的钻蚀情况；如果第一过孔不存在钻蚀风险，则将基板切割，形成多个所述显示基板，投入下一制程。
相对于线下检测显示基板钻蚀情况的方案来说，本申请在基板还未切割时进行线上检测，通过检测测试区过孔内透明电极的电阻反应测试区过孔的钻蚀情况，从而了解显示基板中过孔的钻蚀情况，能够及时发现一整套显示基板的钻蚀问题，不需要在线下一个个地测量，节省大量的时间和人力，提高生产效率，而且只需要在异常的时候对样品进行裂片检测，减少了样品的报废率，从而降低制造成本。
附图说明
所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本申请的实施方式，并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：
图1是本申请的一实施例的一种基板平面的示意图；
图2是图1中AA’剖面的示意图；
图3是图1中BB’剖面的示意图；
图4是本申请的一实施例的一种显示基板区的示意图；
图5是本申请的一实施例的一种绝缘层钻蚀现象的示意图；
图6是本申请的一实施例的一种透明电极层受到钻蚀影响的示意图；
图7是本申请的一实施例的一种测试电路的示意图；
图8是图7中CC’剖面的示意图；
图9是本申请的另一实施例的一种基板示意图；
图10是本申请的另一实施例的一种基板示意图；
图11是本申请的另一实施例的一种基板示意图；
图12是图11剖面的示意图；
图13是本申请的另一实施例的一种基板示意图；
图14是本申请的另一实施例的一种测试结构的示意图；
图15是本申请的另一实施例的一种基板制造方法的流程图；
图16是本申请的另一实施例的另一种基板制造方法的流程图。
其中，100、基板；110、显示基板区；111、主动开关；1111、栅极金属层；1112、栅极绝缘层；1113、有源层；1114、欧姆接触层；112、衬底；120、测试区；121、测试电路；130、金属层；140、绝缘层；141、通孔；150、第一过孔；160、第二过孔；170、第一透明电极；180、第二透明电极；190、导体；200、焊盘；300、测试结构。
具体实施方式
需要理解的是，这里所使用的术语、公开的具体结构和功能细节，仅仅是为了描述具体实施例，是代表性的，但是本申请可以通过许多替换形式来具体实现，不应被解释成仅受限于这里所阐述的实施例。
在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示相对重要性，或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，除非另有说明，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征；“多个”的含义是两个或两个以上。术语“包括”及其任何变形，意为不排他的包含，可能存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。
另外，“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系的术语，是基于附图所示的方位或相对位置关系描述的，仅是为了便于描述本申请的简化描述，而不是指示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
此外，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，或是两个元件内部的连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
下面参考附图和可选的实施例对本申请作进一步说明。
如图1至图4所示，本申请实施例公布了一种基板100，分为至少一个显示基板区110和位于显示基板区110之间的间隔区，所述间隔区内设置有至少一个测试区120，基板100包括：衬底112；设置在衬底112上的金属层130；设置在金属层130上的绝缘层140；设置在显示基板区110内，贯穿显示基板区110的绝缘层140的多个第一过孔150；设置在测试区120内，贯穿测试区120的绝缘层140的至少一个第二过孔160；设置在显示基板区110的绝缘层140上和第一过孔150内，并且连接金属层130的第一透明电极170；设置在第二过孔160内且连接金属层130的第二透明电极180；第一过孔150与第二过孔160通过同一道制程形成，第一透明电极170与第二透明电极180通过同一道制程形成。
本申请提供的是一种线上的测量方式，即显示基板在基板100上还没进行裂片的时候进行检测显示基板中的绝缘层140钻蚀情况；图4是一种显示基板的示意图，也具体的说是阵列基板，包括主动开关111，除了上述的衬底112、金属层130、绝缘层140和第一透明电极170外，还包括设置在衬底112和金属层130之间的栅极金属层1111、栅极绝缘层1112、有源层1113和欧姆接触层1114。另外金属层130为源漏极，绝缘层140为钝化层；其中绝缘层140被蚀刻出第一过孔150，第一透明电极170通过第一过孔150与金属层130(漏极)连接，然而第一过孔150在蚀刻时容易出现钻蚀(Passivation Un-dercut)现象。
图5为绝缘层140发生钻蚀现象的示意图，图中M为绝缘层140上出现的钻蚀现象，严重时可能直接导致液晶面板显示异常，钻蚀现象轻微时，可能在使用中导致液晶面板显示出现暗点等问题，会影响液晶面板的品质。
图6为第一透明电极170铺设在发生钻蚀的绝缘层140上的示意图，图中N为第一透明电极170受到钻蚀现象影响的部分，从图中可以看到，在第一过孔150中的第一透明电极170的厚度不均匀，甚至在绝缘层140钻蚀部分的第一透明电极170可能会断掉，从而会导致显示面板的显示异常等问题。
示例性的方法是在线下检测钻蚀问题，即显示基板从基板100上切割分离后，当显示基板出现钻蚀问题时，利用扫描电子显微镜观察分析，这不仅需要花费更多的人力和时间，而且需要将样品进行报废裂片分析，增加制作成本。本申请所采用的线上检测，在基板100上的检测区同步形成显示基板区110上的绝缘层140、过孔和透明电极结构，通过测试检测区第二透明电极180的电阻大小，检查第二过孔160的钻蚀情况，进而反应出显示基板区110上的问题，其原理是当第二过孔160发生钻蚀问题时，位于其中的第二透明电极180会有部分断开，相当于减小了第二透明电极180的横截面，由电阻公式R＝PL/S(R为电阻，P为电阻率，L为电阻长度，S为电阻横截面积)可知第二透明电极180的电阻会增大，通过与正常的第二透明电极180阻值比对，当第二透明电极180的阻值变大到一定程度时，从而推测出第二过孔160出现了钻蚀问题，进而推测出第一过孔150也会出现钻蚀问题。这样既不会增加生产成本，不会影响显示基板的生产，也不会造成显示基板因抽样检测造成的报废，另外也不需要一个个抽样检测显示基板上的问题，通过检测区的检测结果就能了解所有显示基板的情况，极大地提高了生产效率。
如图7和图8所示，在一实施例中，第二过孔160的数量为多个，基板100包括至少一个导体190，每一个导体190设置在相邻第二过孔160之间，且连接相邻第二过孔160中的第二透明电极180；相连的导体190和第二透明电极180形成测试电路121。如果只有一个第二过孔160的话，即便第二过孔160不出现钻蚀现象，也不能反应整个基板100上的显示基板区110没有钻蚀问题，只有增加第二过孔160的数量才能更加准确地反应出显示基板区110的钻蚀问题；当很多第二过孔160都没出现钻蚀现象，那么可以推测显示基板区110上第一过孔150出现钻蚀问题的概率很小，当很多第二过孔160中也出现钻蚀问题，那么可以推断出第一过孔150出现钻蚀问题的概率有很大。根据申请人的测试结果，第二过孔160的数量最起码要大于五个，才会使检测结果更准确。为了避免一个一个地测量第二过孔160的阻值，这里将相邻两个的第二过孔160通过导体190连接起来形成测试电路121，这样可以直接通过测量整个测试电路121的阻值来了解测试电路121中是否有第二透明电极180的阻值增大，从而判断有第二过孔160出现钻蚀问题，进而知道显示基板区110中的第一过孔150会出现钻蚀问题。
更具体地说，导体190的材质可以与第二透明电极180相同的材质，也即氧化铟锡(Indium tin oxide,ITO)材质，这样整个基板100在沉积第一透明电极170和第二透明电极180的同时还可以将导体190生产出来，这一步只需要在蚀刻第一透明电极170和第二透明电极180图案的基础上，在掩膜版上将导体190的图案做出来，就能使导体190在整个基板100的透明电极被蚀刻时保留下图案，这一个过程并不增加制程时间也不增加额外的成本。当然，导体190还可以采用其它导电材料，比如导电效果较好的银和铜，选用金属导电材料是因为金属材料不用于断裂，避免检测时需要干扰，而且金属导电材料的导电效果还比较好，能够减小测试电路121中导体190的电阻对第二透明电极180电阻的影响。
另外，导体190的宽度大于第二过孔160的直径，通过电阻公式R＝PL/S可知，减小电阻的方式可以通过使用导电效果较好的材料，即减小P(电阻率)，还可以通过减小电阻的长度(L)或者是增大导体190的横截面积(S)三种方法实现；为了减小测试电路121中导体190的电阻对第二透明电极180电阻的影响，在不改变导体190材料的情况下，首先可以增大导体190的横截面积，因此将导体190的宽度增加，使导体190的宽度大于第二过孔160的直径会起到减小导体190电阻的作用，申请人经过测试，得知当导体190的宽度在第二过孔160直径的十倍以上时，导体190的电阻对整个测试电路121的影响会明显减小；接着将导体190的长度减小同样可以减小电阻，而导体190的长度则依赖第二过孔160的间距，当相邻第二过孔160的间距增大则需要较长的导体190连接，当相邻的第二过孔160的间距减小则只需要较短的导体190连接，本申请令相邻第二过孔160的间距小于第二过孔160的直径，这样使导体190的电阻对整个测试电路121的影响会明显减小。本申请中可以采用一种减小导体190电阻的方法，也可以采用多种减小导体190电阻的方法，在此不做限定，当然选择将导体190的宽度在第二过孔160直径的十倍以上，并且令相邻第二过孔160的间距小于第二过孔160的直径，这样使导体190的电阻对整个测试电路121的影响降到很小的程度。
在一实施例中，如图9所示，基板100包括至少两个焊盘200(Pad)，焊盘200(Pad)设置在测试电路121的两端，焊盘200可以与测试电路两端121的第二透明电极180连接，即将焊200盘连通到第二过孔160内的第二透明电极180，另外还可以令第二透明电极180在沉积到第二过孔160的时候，还沉积在绝缘层140上，且与位于第二过孔160内的第二透明电极180连通。焊盘200还可以与测试电路121中的导体连接。为了测量测试电路121的阻值，需要外界的检测装置对测试电路121进行通电，利用R＝U/I(U为电压，I为电流)的公式计算出测试电路121的阻值，而由于过孔和测试电路121的面积比较小，需要很小的接触端来连接测试电路121两端进行通电，所以这种情况下可以将检测装置的接触端选用为探针，这样能满足要求，但是探针比较尖锐，如果直接用探针连接测试电路121的话会刺破测试电路121上的第二透明电极180，而且透明电极是透明的，扎针时不容易判断扎上与否，容易扎破影响量测；所以我们需要一个媒介，也就是焊盘200(Pad)，将探针直接与焊盘200连接，由于焊盘200的面积大，探针很容易找到连接点，而且焊盘200容易观察，不容易扎破，能够克服探针连接第二透明电极180的所有问题，因此在基板100上设置焊盘200，也就是在测试电路121的两端设置有焊盘200，检测装置通过焊盘200测试整个测试电路121的阻值。要说明的是，本申请同样包括使用检测装置直接检测测试电路121的情况，也就是不需要经过焊盘200的连接，这样可以减少制程步骤，提高生产效率。
如图10所示，本申请也不一定只在测试电路121的两端设置焊盘200，还可以在测试电路121的其它地方设置焊盘200，甚至可以在测试电路121的每个第二过孔160处都设置有焊盘200与对应的第二透明电极180连接，这样可以先用探针连接测试电路121两端的焊盘200，如果发现存在钻蚀问题，那么可以不停地减小测试电路121的范围，从而确定到出现钻蚀问题的第二过孔160，最后直接观察这一个过孔就能发现具体情况，不需要裂片切下过多的部分。
如图11和图12所示，在一实施例中，焊盘200与金属层130通过同一道制程形成，但是两者不相互连接，在蚀刻第一过孔150和第二过孔160的时候同时将焊盘200蚀刻出来，绝缘层140对应焊盘200的位置处设置有通孔141，第二透明电极180通过通孔141与焊盘200连接。这样就不会额外增加形成焊盘200的制程，从而减少整体制程时间。如图13所示，当然焊盘200还可以是在形成第二透明电极180之后再形成的，焊盘200为金属材质，形成在第二透明电极180上，这样两者就能直接连通，将焊盘200做到第二透明电极180上方能方便探针的连接。另外，焊盘还可以设置在绝缘层140和第二透明电极180之间，即做完绝缘层140后再形成焊盘200，最后再形成第二透明电极180，焊盘200为导电材质，第二透明电极180覆盖在焊盘200上，与焊盘200导通，这样同样方便探针连接。
如图14所示，作为本申请的另一实施例，公开了一种测试结构300，用于测试显示基板，包括与显示基板同步形成的过孔和透明电极，还包括至少一个导体190和至少两个焊盘200；过孔的数量为多个，透明电极设置在过孔内，导体190将不同过孔中的透明电极连接，焊盘200与透明电极或导体190连接。本测试结构300不仅可以作用到基板100上，还可以作用到基板100外，在不确定生产的显示基板是否会产生钻蚀现象，可以在显示基板外与显示基板同步形成过孔和透明电极，然后利用检测装置的探针与焊盘200连接测量测试结构300中透明电极的电阻，更具情况从而判断显示基板的钻蚀情况。
如图15所示，作为本申请的另一实施例，公开了一种基板的制造方法，包括步骤：
S1：在基板的显示基板区和位于显示基板区之外的测试区形成衬底；
S2：在衬底上形成金属层；
S3：在金属层上形成绝缘层；
S4：同步形成多个第一过孔和至少一个第二过孔，第一过孔贯穿显示基板区的绝缘层，第二过孔贯穿测试区的绝缘层；
S5：同步形成第一透明电极和第二透明电极，第一透明电极形成在显示基板区的绝缘层上和第一过孔内，第二透明电极形成在第二过孔内，第一透明电极和第二透明电极分别连接金属层；
S6：对测试区的第二过孔和第二透明电极进行测试。
如图16所示，在S2步骤中，包括步骤：
S21：在显示基板区和测试区的衬底上形成金属层，同时在测试区形成焊盘；
在S5步骤后，还包括步骤：
S7：用导体连接第二透明电极形成测试电路；
S8：用焊盘导通测试电路两端的第二透明电极；
在S6步骤中，包括步骤：
S61：用检测装置连接到测试电路两端的焊盘测试整个测试电路的阻值；如果测试结果比预设值大，那么判断第一过孔存在钻蚀风险。
在S61步骤中，如果第一过孔150存在钻蚀风险，则将测试电路121裂片，使用电子显微镜观察第二过孔160的钻蚀情况；如果第一过孔150不存在钻蚀风险，则将基板100切割，形成多个显示基板，投入下一制程。S51步骤中提到的预设值为标准电阻的15％，这里说的标准电阻即整个测试电路121中所有第二透明电极180正常下的阻值，由于导体190电阻的影响，测试电路121的阻值会比测试电路121中所有第二透明电极180正常下的阻值大，但是如果测试电路121的阻值比测试电路121中所有透明电极正常下的阻值大15％，那就不仅是导体190电阻的影响，肯定还有其它因素导致测试电路121的阻值变大，而第二透明电极180的电阻会因钻蚀问题而增大，因此可以推断出测试电路121中的第二过孔160存在钻蚀问题，进一步得出显示基板区110中存在钻蚀问题。至于将显示基板区110或测试电路121经过切割裂片后用来观察横切面中过孔的情况，可以选用SEM(scanning electronmicroscope，扫描电子显微镜)以及FIB(Focused Ion beam，聚焦离子束技术)等方式进行观察。而切割基板100所用的工具可以为玻璃刀。
当然，本申请不通过焊盘，直接对测试区的第二过孔和第二透明电极进行测试也是可行的。
需要说明的是，本方案中涉及到的各步骤的限定，在不影响具体方案实施的前提下，并不认定为对步骤先后顺序做出限定，写在前面的步骤可以是在先执行的，也可以是在后执行的，甚至也可以是同时执行的，只要能实施本方案，都应当视为属于本申请的保护范围。
本申请的技术方案可以广泛用于各种显示面板，如扭曲向列型(TwistedNematic，TN)显示面板、平面转换型(In-Plane Switching，IPS)显示面板、垂直配向型(Vertical Alignment，VA)显示面板、多象限垂直配向型(Multi-Domain VerticalAlignment，MVA)显示面板，当然，也可以是其他类型的显示面板，如有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示面板，均可适用上述方案。
以上内容是结合具体的可选的实施方式对本申请所作的进一步详细说明，不能认定本申请的具体实施只局限于这些说明。对于本申请所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本申请的保护范围。

Claims (10)

1.一种基板，其特征在于，分为至少一个显示基板区和位于所述显示基板区之间的间隔区，所述间隔区内设置有至少一个测试区，所述基板包括：
衬底；
金属层，设置在所述衬底上；
绝缘层，设置在所述金属层上；
多个第一过孔，设置在所述显示基板区内，贯穿所述显示基板区的绝缘层；
至少一个第二过孔，设置在所述测试区内，贯穿所述测试区的绝缘层；
第一透明电极，设置在所述显示基板区的绝缘层上和所述第一过孔内，连接所述金属层；以及
第二透明电极，设置在所述第二过孔内，连接所述金属层；
其中，所述第一过孔与所述第二过孔通过同一道制程形成，所述第一透明电极与所述第二透明电极通过同一道制程形成；
所述第二过孔的数量为多个；所述基板包括至少一个导体，每一个所述导体至少连接两个所述第二过孔对应的所述第二透明电极；所述导体和对应相连的所述第二透明电极形成测试电路；
其中，所述导体与所述第二透明电极材料相同；所述导体在沉积第一透明电极和第二透明电极的同时形成；
所述基板包括至少两个焊盘供探针连接，所述焊盘设置在所述测试电路的两端，与所述第二透明电极连接。
2.如权利要求1所述的一种基板，其特征在于，所述第二过孔的数量大于5个。
3.如权利要求1所述的一种基板，其特征在于，所述焊盘与所述金属层通过同一道制程形成，且所述焊盘与所述金属层不连接；所述绝缘层对应所述焊盘位置设有通孔，所述第二透明电极通过所述通孔与所述焊盘连接。
4.如权利要求1所述的一种基板，其特征在于，所述导体的宽度大于所述第二过孔的直径。
5.如权利要求4所述的一种基板，其特征在于，所述导体的宽度在所述第二过孔直径的十倍以上。
6.如权利要求1所述的一种基板，其特征在于，相邻所述第二过孔的间距小于所述第二过孔的直径。
7.一种测试结构，其特征在于，用于测试显示基板，包括与所述显示基板同步形成的过孔，与所述显示基板同步形成的透明电极，还包括至少一个导体和至少两个焊盘供探针连接；所述导体和对应相连的所述透明电极形成测试电路；所述导体与所述透明电极材料相同；所述导体在沉积所述透明电极的同时形成；
所述过孔的数量为多个，所述透明电极设置在所述过孔内，所述导体将不同所述过孔中的透明电极连接，所述焊盘设置在所述测试电路的两端，与所述透明电极连接。
8.一种基板的制造方法，其特征在于，包括步骤：
在基板的显示基板区和位于所述显示基板区之外的测试区形成衬底；
在所述衬底上形成金属层；
在所述金属层上形成绝缘层；
同步形成多个第一过孔和至少一个第二过孔，所述第一过孔贯穿所述显示基板区的绝缘层，所述第二过孔贯穿所述测试区的绝缘层；
同步形成第一透明电极和第二透明电极，所述第一透明电极形成在所述显示基板区的绝缘层上和所述第一过孔内，所述第二透明电极形成在所述第二过孔内，所述第一透明电极和第二透明电极分别连接所述金属层；用导体连接所述第二透明电极形成测试电路；其中，所述第二过孔的数量为多个；每一个所述导体至少连接两个所述第二过孔对应的所述第二透明电极；所述导体与所述第二透明电极材料相同；所述导体在沉积第一透明电极和第二透明电极的同时形成；所述基板包括至少两个焊盘供探针连接，所述焊盘设置在所述测试电路的两端，与所述第二透明电极连接；
对测试区的第二过孔和第二透明电极进行测试。
9.如权利要求8所述的一种基板的制造方法，其特征在于，在所述衬底上形成金属层的步骤中，包括步骤：在所述显示基板区和所述测试区的衬底上形成金属层，同时在所述测试区形成焊盘；
在所述同步形成第一透明电极和第二透明电极，所述第一透明电极形成在所述显示基板区的绝缘层上和所述第一过孔内，所述第二透明电极形成在所述第二过孔内，所述第一透明电极和第二透明电极分别连接所述金属层的步骤后，还包括步骤：
用焊盘导通所述测试电路两端的所述第二透明电极；
在对测试区的第二过孔和第二透明电极进行测试的步骤中，包括步骤：用检测装置连接到测试电路两端的焊盘测试整个测试电路的阻值；如果测试结果比预设值大，那么判断第一过孔存在钻蚀风险。
10.如权利要求9所述的一种基板的制造方法，其特征在于，所述用检测装置连接到测试电路两端的焊盘测试整个测试电路的阻值；如果测试结果比标准结果的预设值大，那么判断第一过孔存在钻蚀风险的步骤中，如果第一过孔存在钻蚀风险，则将测试电路裂片，使用电子显微镜观察第二过孔的钻蚀情况；如果第一过孔不存在钻蚀风险，则将基板切割，形成多个所述显示基板，投入下一制程。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110137154B (zh) * 2019-04-04 2021-01-08 惠科股份有限公司 一种测试结构、基板及其制造方法
CN110703520B (zh) * 2019-09-17 2020-11-24 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板母板及其制作方法、显示面板
CN112908225B (zh) * 2021-01-22 2022-08-16 合肥维信诺科技有限公司 显示面板的检测方法
CN113644053A (zh) * 2021-08-06 2021-11-12 无锡拍字节科技有限公司 一种导电薄膜连续性的测试结构及方法
CN115831936B (zh) * 2021-09-16 2023-09-05 安徽奥飞声学科技有限公司 一种具有埋容的基板及其埋容测试方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW365046B (en) * 1996-02-05 1999-07-21 Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd On-line monitoring method for via hole resistance
JP2956830B2 (ja) * 1996-11-21 1999-10-04 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
KR100520824B1 (ko) * 2002-04-15 2005-10-12 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자
KR101396699B1 (ko) * 2007-05-18 2014-05-19 엘지디스플레이 주식회사 표시장치 및 이의 제조 방법
JP2010032726A (ja) * 2008-07-28 2010-02-12 Sharp Corp 半導体装置及びその製造方法
CN103346142B (zh) * 2013-06-04 2015-09-30 上海华力微电子有限公司 测试键结构及监测刻蚀工艺中接触孔刻蚀量的方法
CN103413811B (zh) * 2013-07-23 2016-04-13 北京京东方光电科技有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置
CN103383938B (zh) * 2013-07-31 2015-12-23 中航（重庆）微电子有限公司 沟槽式功率mos器件接触孔电阻检测结构
CN104124235B (zh) * 2014-07-30 2017-02-01 上海华力微电子有限公司 测试结构及其测试方法
CN104143519B (zh) * 2014-08-01 2019-06-21 上海华力微电子有限公司 一种产品通孔刻蚀缺陷的检测方法
KR102532200B1 (ko) * 2015-12-09 2023-05-12 삼성전자 주식회사 테스트 패턴, 반도체 소자의 테스트 방법, 및 집적 회로의 레이아웃 설계를 위한 컴퓨터 구현 방법
KR102601650B1 (ko) * 2016-07-26 2023-11-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN106771726B (zh) * 2016-12-02 2019-10-22 深圳市华星光电技术有限公司 测试组件及其监控显示面板电性特性的方法、显示面板
CN107104106B (zh) * 2017-04-10 2019-10-11 武汉华星光电技术有限公司 Tft基板的制作方法及tft基板
CN107123655B (zh) * 2017-06-28 2019-09-17 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、检测方法和显示装置
KR102432386B1 (ko) * 2017-07-12 2022-08-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN110137154B (zh) * 2019-04-04 2021-01-08 惠科股份有限公司 一种测试结构、基板及其制造方法

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