CN112908225B - 显示面板的检测方法 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种显示面板的检测方法。显示面板的检测方法包括建立检测数据库。检测数据库包括通过基准过孔的基准电路的基准电阻和基准过孔的基准侧刻量的对应关系。测量通过检测过孔的检测电路的检测电阻。根据检测数据库和检测电阻得到检测过孔的检测侧刻量。检测过孔的侧刻量直接影响检测导体填充检测过孔时的填充状态，进而影响检测导体与检测元件的接触状态。检测导体与检测元件的接触状态影响了电压，进而影响检测元件之间的信号传输性能。因此，检测过孔的侧刻量的大小表征了检测元件之间的信号传输性能。显示面板的检测方法通过检测电阻和检测数据库能够得到检测侧刻量的大小，进而能够检测检测元件间的信号传输性能。

Description

显示面板的检测方法

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示面板的检测方法。

背景技术

显示面板出厂前通常要进行质量检测，检测效果的好坏影响到显示面板的良率。其中，元件之间的信号传输性能是显示面板出厂前检测的重要指标。传统的元件之间的信号传输性能检测方式工序复杂，检测效率低。

发明内容

基于此，针对元件之间的信号传输性能的检测效率低的问题，提供一种显示面板的检测方法。

一种显示面板的检测方法，包括：

建立检测数据库，所述检测数据库包括基准电阻和基准侧刻量的对应关系，所述基准电阻是通过基准过孔的基准电路的电阻，所述基准侧刻量是所述基准过孔的侧刻量，所述基准电路包括填充所述基准过孔的基准导体以及与所述基准导体连接的基准元件。

测量通过检测过孔的检测电路的检测电阻，所述检测电路包括填充所述检测过孔的检测导体以及与所述检测导体连接的检测元件；

根据所述检测数据库和所述检测电阻得到所述检测过孔的检测侧刻量。

在一个实施例中，所述建立检测数据库，所述检测数据库包括基准电阻和基准侧刻量的对应关系，所述基准电阻是通过基准过孔的基准电路的电阻，所述基准侧刻量是所述基准过孔的侧刻量，所述基准电路包括填充所述基准过孔的基准导体以及与所述基准导体连接的基准元件的步骤包括：

提供基准显示面板，对所述基准过孔侧刻蚀，所述基准显示面板包括基准膜层，所述基准膜层开设有所述基准过孔；

在所述基准过孔中填充所述基准导体，使所述基准导体与所述基准元件连接形成所述基准电路，并测量所述基准电路的基准电阻；

对所述基准膜层切片以获得所述基准过孔的基准侧刻量；

根据所述基准电阻和所述基准侧刻量的对应关系建立所述检测数据库。

在一个实施例中，所述基准元件为基准薄膜晶体管，所述提供基准显示面板，对所述基准过孔侧刻蚀，所述基准显示面板包括基准膜层，所述基准膜层开设有所述基准过孔的步骤包括以下步骤：

在基准衬底的表面形成基准源漏极层，所述基准源漏极层包括基准源极和基准漏极；

在所述基准源漏极层远离所述基准衬底的表面形成所述基准膜层；

在所述基准膜层间隔开设两个所述基准过孔，以形成所述基准显示面板，两个所述基准过孔分别与所述基准源极和所述基准漏极一一对应连接。

在一个实施例中，所述在所述基准过孔中填充所述基准导体，使所述基准导体与所述基准元件连接形成所述基准电路，并测量所述基准电路的基准电阻的步骤包括以下步骤：

在两个所述基准过孔中各填充一个所述基准导体，所述基准源极、所述基准漏极、所述基准源极与所述基准漏极之间的基准沟道和两个所述基准导体构成所述基准电路；

测量所述基准电路的电阻得到所述基准电阻。

在一个实施例中，所述在两个所述基准过孔中各填充一个所述基准导体包括：

在所述基准膜层远离所述基准衬底的表面形成基准金属层，所述基准金属层的材料填充两个所述基准过孔；

刻蚀所述基准金属层，以使每个所述基准过孔填充有一个所述基准导体。

在一个实施例中，所述刻蚀所述基准金属层，以使每个所述基准过孔填充有一个所述基准导体的步骤包括以下步骤：

在所述基准金属层远离所述基准衬底的表面形成基准光刻胶层；

在所述基准光刻胶层远离所述基准衬底的表面铺设基准掩膜板；

沿所述基准掩膜板进行图案刻蚀，以使每个所述基准过孔填充有一个所述基准导体；

去除所述基准掩膜板和所述基准光刻胶层。

在一个实施例中，所述基准侧刻量包括第一侧刻量和第二侧刻量，所述对所述基准膜层切片以获得所述基准过孔的基准侧刻量的步骤包括：对填充有所述基准导体的两个所述基准过孔切片并获得所述第一侧刻量和所述第二侧刻量。

在一个实施例中，所述根据所述基准电阻和所述基准侧刻量的对应关系建立所述检测数据库的步骤包括根据所述基准电阻、所述第一侧刻量和所述第二侧刻量的对应关系建立所述检测数据库。

在一个实施例中，所述建立检测数据库，所述检测数据库包括基准电阻和基准侧刻量的对应关系，所述基准电阻是通过基准过孔的基准电路的电阻，所述基准侧刻量是所述基准过孔的侧刻量，所述基准电路包括填充所述基准过孔的基准导体以及与所述基准导体连接的基准元件的步骤还包括：

获得所述基准过孔所在的所述基准膜层的基准膜层参数、所述基准过孔的基准侧刻蚀参数和填充所述基准过孔的基准导体的基准导体参数中的至少一种；

所述根据所述基准电阻和所述基准侧刻量的对应关系建立所述检测数据库的步骤包括：根据所述基准膜层参数、所述基准侧刻蚀参数和所述基准导体参数中的至少一种，以及所述基准电阻和所述基准侧刻量的对应关系建立所述检测数据库。

在一个实施例中，所述测量通过检测过孔的检测电路的检测电阻，所述检测电路包括填充所述检测过孔的检测导体以及与所述检测导体连接的检测元件的步骤还包括：获得所述检测过孔所在的检测膜层的检测膜层参数、所述检测过孔的检测侧刻蚀参数和填充所述检测过孔的检测导体的检测导体参数中的至少一种；

所述根据所述检测数据库和所述检测电阻得到所述检测过孔的检测侧刻量的步骤包括：根据所述检测膜层参数、所述检测侧刻蚀参数和所述检测导体参数中的至少一种、所述检测电阻和所述检测数据库得到所述检测侧刻量。

本申请实施例提供的所述显示面板的检测方法通过所述检测数据库和测量检测电路的检测电阻能够得到所述检测侧刻量的大小，进而能够检测检测元件间的信号传输性能。所述显示面板的检测方法无需将显示面板从生产线移动至实验室切片，工序简单，节约了检测时间，提高了检测效率。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请一个实施例中提供的所述显示面板的检测方法的流程图；

图2为本申请一个实施例中提供的基准导体填充基准过孔后的基准电路的结构示意图；

图3为本申请一个实施例中提供的检测显示面板的检测电路的结构示意图；

图4为本申请一个实施例中提供的侧刻蚀前后的基准过孔的结构示意图；

图5为本申请一个实施例中提供的基准电路形成的工艺流程图；

图6为本申请另一个实施例中提供的基准电路形成的工艺流程图；

图7为本申请另一个实施例中提供的基准电路形成的工艺流程图；

图8为本申请一个实施例中提供的基准电路的结构示意图；

图9为本申请另一个实施例中提供的基准电路的结构示意图；

图10为本申请一个实施例中提供的基准显示面板的切片结构的电镜图；

图11为本申请一个实施例中提供的基准衬底的结构示意图；

图12为本申请另一个实施例中提供的基准电路的结构示意图；

图13为本申请另一个实施例中提供的基准电路形成的工艺流程图。

附图标号：

10、基准显示面板；200、基准衬底；100、基准膜层；110、第一基准绝缘层；30、基准过孔；40、基准导体；120、第二基准绝缘层；130、第三基准绝缘层；131、第一子基准绝缘层；132、第二子基准绝缘层；140、基准源漏极层；180、基准元件；141、基准栅极；142、基准源极；143、基准漏极；144、基准沟道；150、基准金属层；160、基准光刻胶层；170、基准掩膜板；210、第一基准基底；220、第一基准粘合层；230、第一基准隔离层；240、第二基准粘合层；250、第二基准隔离层；260、第二基准基底；261、第一基底层；262、第二基底层；101、第一基准过孔；102、第二基准过孔；103、第一基准导体；104、第二基准导体；105、小板；106、第一基准电极；107、第二基准电极；108、第一基准引线；109、第二基准引线；

700、检测显示面板；500、检测衬底；300、检测过孔；400、检测导体；60、检测膜层；610、第一检测绝缘层；620、第二检测绝缘层；630、第三检测绝缘层；631、第一子检测绝缘层；632、第二子检测绝缘层；640、检测源漏极层；641、检测栅极；642、检测源极；643、检测漏极；644、检测沟道；645、检测电容下极板；646、检测电容上极板；650、检测金属层；670、平坦化层；600、检测元件；510、第一检测基底；520、第一检测粘合层；530、第一检测隔离层；540、第二检测粘合层；550、第二检测隔离层；560、第二检测基底；561、第三基底层；562、第四基底层；601、第一检测过孔；602、第二检测过孔；603、第一检测导体；604、第二检测导体。

具体实施方式

为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请。但是本申请能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似改进，因此本申请不受下面公开的具体实施的限制。

本文中为部件所编序号本身，例如“第一”、“第二”等，仅用于分所描述的对象，不具有任何顺序或技术含义。而本申请所说“连接”、“联接”，如无特别说明，均包括直接和间接连接(联接)。在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

显示面板包括多个层叠设置的膜层结构。不同膜层包括不同的元件。不同膜层之间通常会设置不同的电路引线。间隔的两个膜层之间的开孔膜层设置过孔。间隔的两个膜层之间连接的引线(导体)穿过过孔，以连接两个膜层中的元件。两个膜层中的元件通过所述引线传递电信号。引线(导体)在过孔的填充质量通常会影响元件之间的信号传输性能。元件之间的信号传输性能影响发光结构的控制信号的传输，进而影响显示面板的显示质量。可以理解，其中，元件可以包括薄膜晶体管和电容等结构。

请参见图1、图2和图3，本申请实施例提供一种显示面板的检测方法，包括：

S100，建立检测数据库，所述检测数据库包括基准电阻和基准侧刻量的对应关系，所述基准电阻是通过基准过孔30的基准电路的电阻，所述基准侧刻量是所述基准过孔30的侧刻量，所述基准电路包括填充所述基准过孔30的基准导体40以及与所述基准导体40连接的基准元件180；

S200，测量通过检测过孔300的检测电路的检测电阻，所述检测电路包括填充所述检测过孔300的检测导体400以及与所述检测导体400连接的检测元件600；以及

S300，根据所述检测数据库和所述检测电阻得到所述检测过孔300的检测侧刻量。

本申请实施例提供的所述显示面板的检测方法通过测量检测过孔300的检测电路的检测电阻和所述检测数据库能够得到所述检测过孔300的检测侧刻量的大小。所述检测过孔300的侧刻量的大小直接影响检测导体400填充所述检测过孔300时的填充状态，进而影响所述检测过孔300中的检测导体400与所述检测元件600的接触状态。填充所述检测过孔300的所述检测导体400与所述检测元件600的接触状态影响了所述检测导体400与检测元件600之间的电阻，进而影响检测元件600的电压。所述检测元件600的电压影响了检测元件600之间的信号传输性能。因此，所述检测过孔300的侧刻量的大小表征了检测元件600之间的信号传输性能。

由于所述检测数据库中包含了所述基准电阻和所述基准侧刻量的对应关系。因此，在得到的检测电阻后，可以找到所述检测电阻与所述基准电阻的对应关系。再根据所述基准电阻和所述基准侧刻量的对应关系，可以找到与所述检测电阻对应的所述基准侧刻量。根据所述基准侧刻量就可以得到所述检测侧刻量。

所述显示面板的检测方法通过测量检测电路的检测电阻和所述检测数据库能够得到所述检测侧刻量的大小，进而能够检测检测元件600间的信号传输性能。所述显示面板的检测方法无需将显示面板从生产线移动至实验室切片，工序简单，节约了检测时间，提高了检测效率。此外，所述显示面板的检测方法不需要对显示面板切片，就可以完成检测工作，因此可以对显示面板无损检测，能够节省成本。

在S100和S200中，可以理解，所述检测电路的形成工艺与所述基准电路的形成工艺完全相同。即被检测的检测显示面板700的形成工艺和侧刻蚀工艺均与用于建立所述检测数据库的所述基准显示面板10的形成工艺和侧刻蚀工艺相同。所述检测过孔300在所述检测显示面板700的位置与所述基准过孔30在所述基准显示面板10的位置相同。所述检测过孔300所在的检测膜层的基准膜层参数、所述检测过孔300的基准侧刻蚀参数和填充所述检测过孔300的检测导体400的检测导体参数均与所述基准过孔30所在的所述基准膜层100的基准膜层参数、所述基准过孔30的基准侧刻蚀参数和填充所述基准过孔30的基准导体40的基准导体参数相同。此时，所述基准电阻与所述基准侧刻量为单一变量的关系，以保证所述基准电阻与所述基准侧刻量一一对应。

在S300中，根据所述检测电阻的大小，找到所述检测数据库中与所述检测电阻相等的所述基准电阻的阻值。再根据所述检测数据库中的所述基准电阻和所述基准侧刻量的对应关系得到所述基准电阻的阻值对应的所述基准侧刻量，所述检测侧刻量的大小等于所述基准侧刻量的大小。

所述S100中，所述基准过孔30填充有所述基准导体40。所述检测过孔300填充有所述检测导体400。通过所述基准过孔30的所述基准电路包括所述基准导体40以及与所述基准导体40连接的基准元件180。通过所述检测过孔300的所述检测电路包括所述检测导体400以及与所述检测导体400连接的检测元件600。所述基准导体40的材料可以为Mo或Ti/Al/Ti。所述检测导体400的材料与所述基准导体40的材料相同。所述基准元件180和所述检测元件600包括薄膜晶体管或电容等。

请一并参见图4，所述侧刻量指侧刻蚀后的过孔的直径与侧刻蚀前的过孔的直径的差值。

所述侧刻量的公式为：△d＝d’-d。其中，△d为所述侧刻量，d’为侧刻蚀后的所述基准过孔30的直径，d为侧刻蚀前的所述基准过孔30的直径。

所述基准侧刻量指用于建立所述检测数据库的所述基准过孔30的侧刻量。具体的，所述基准侧刻量指侧刻蚀后的所述基准过孔30的直径与侧刻蚀前的所述基准过孔30的直径之差。所述测量侧刻量指被测量的所述测量过孔300的侧刻量。具体的，所述测量侧刻量指侧刻蚀后的所述测量过孔300的直径与侧刻蚀前的所述测量过孔300的直径之差。

为了使得所述基准电阻与所述基准侧刻量为单一变量的关系，所述基准侧刻量的计量方式与所述测量侧刻量的计量方式相同。当沿所述基准过孔30的厚度方向，所述基准过孔30的直径变化时，测量所述基准过孔30的不同厚度位置对应的侧刻量不同，此时可以取多个不同位置的侧刻量的平均值作为所述基准侧刻量。

在一个实施例中，所述检测过孔300的形成工艺与所述基准过孔30的形成工艺完全相同。

可以理解，在建立所述检测数据库时，可以进行多次实验进行数据采样，即采集多组不同规格的基准电阻和所述基准侧刻量的对应关系。并基于采集的数据进行拟合。所述基准电阻和所述基准侧刻量的对应关系可以为线性关系，也可以为非线性关系。所述基准电阻和所述基准侧刻量的对应关系的表示方式包括表格、公式或图像中的至少一个。

在一个实施例中，所述基准电阻和所述基准侧刻量的对应关系可以表示为：Rc＝f(△d)。其中Rc表示所述基准电阻，△d表示所述基准侧刻量。所述基准侧刻量可以为是多个所述基准过孔30的侧刻量的平均值。当基准电路包括两个基准过孔30时，所述基准侧刻量可以为两个侧刻量或两个侧刻量的平均值。

根据欧姆接触的理论公式Rc＝ρL/S，ρ是所述基准材料的电阻率。L表示电阻的长度，即为所述基准膜层100的厚度，S表示电阻的横截面积。电阻的横截面积正比于所述基准过孔30的直径d’的平方。

则所述基准电阻和所述基准侧刻量的对应关系可以表示为：Rc＝f((d+Δd)²)。当侧刻蚀前的所述基准过孔30的直径d不变时，所述基准电阻和所述基准侧刻量为二次函数关系。

请一并参见图5，在一个实施例中，所述S100包括：

S110，提供基准显示面板10，对所述基准过孔30侧刻蚀，所述基准显示面板10包括基准膜层100，所述基准膜层100开设有所述基准过孔30；

S120，在所述基准过孔30中填充所述基准导体40，使所述基准导体40与所述基准元件180连接形成所述基准电路，并测量所述基准电路的基准电阻；

S130，对所述基准膜层100切片以获得所述基准过孔30的基准侧刻量；

S140，根据所述基准电阻和所述基准侧刻量的对应关系建立所述检测数据库。

S110中，对所述基准过孔30侧刻蚀的过程包括利用缓冲氧化物刻蚀液(BOE)或氢氟酸溶液等侧刻蚀流体在基准侧刻蚀时间内对所述基准过孔30进行侧刻蚀。

在所述S110中对所述基准过孔30侧刻蚀主要目的是清洗所述基准过孔30对应的所述基准源极142和所述基准漏极143的表面异物，以保证后续所述基准导体40与所述基准源极142和所述基准漏极143接触良好。当在对所述基准源极142和所述基准漏极143的表面清洗的过程中，不可避免的造成所述基准过孔30的侧刻蚀。所述基准过孔30的侧刻蚀会对所述基准源极142和所述基准漏极143与所述基准导体40的接触性能产生影响，进而对薄膜晶体管的信号传输性能造成影响。所述薄膜晶体管的信号传输性能包括所述薄膜晶体管的开关性能和导电性能。

所述S120中，所述基准导体40用于与所述基准元件180连接。所述基准导体40可以仅填充于所述基准过孔30内，也可以延伸至所述基准显示面板10的边缘位置，以方便所述基准电阻测量，避免对所述基准显示面板10的其他区域造成影响。所述基准电阻可以直接测量获得，也可以间接获得。

所述S130中，通过对所述基准显示面板10上的所述基准过孔30进行切片，以通过测量的方式直接获取用于建立检测数据库的所述基准侧刻量。

所述S140中，所述检测数据库中的所述基准电阻和所述基准侧刻量具有一一对应的关系。

在一个实施例中，所述基准电路与基准控制器电连接。所述基准控制器为所述基准电路提供电压。通过测量电流可以得到所述基准电阻。所述基准控制器可以为电阻测量器或基准控制主板。

请一并参见图6，在一个实施例中，所述基准元件180为基准薄膜晶体管，所述S110包括以下步骤：

S112，在基准衬底200的表面形成基准源漏极层140，所述基准源漏极层140包括基准源极142和基准漏极143；

S114，在所述基准源漏极层140远离所述基准衬底200的表面形成所述基准膜层100；以及

S116，在所述基准膜层100间隔开设两个所述基准过孔30，以形成所述基准显示面板10，两个所述基准过孔30分别与所述基准源极142和所述基准漏极143一一对应连接。

所述S112，中所述基准衬底200可以包括基底、设置于所述基底的多个SiO₂层、多个SiN_x层或多个PI胶层中的至少一层。形成所述基准源漏极层140的过程包括采用沉积a-Si结晶化(ELA)形成P-Si膜层，再经P-si图形化和离子掺杂过程形成沟道。

所述S114中，所述基准膜层100可以包括第一基准绝缘层110、第二基准绝缘层120或第三基准绝缘层130中的至少一层。所述第一基准绝缘层110、所述第二基准绝缘层120或所述第三基准绝缘层130的材料可以包括例如SiO₂、SiN_x、SiON、Al₂O₃、TiO₂、Ta₂O₅、ZrO₂、BST和PZT中的至少一种。所述第一基准绝缘层110、所述第二基准绝缘层120或所述第三基准绝缘层130的厚度为20nm至500nm。

所述S116中，两个所述基准过孔30分别连接所述基准源极142和所述基准漏极143，以形成所述基准电路。

在一个实施例中，所述S120包括以下步骤：

S122，在两个所述基准过孔30中各填充一个所述基准导体40，所述基准源极142、所述基准漏极143、所述基准源极142与所述基准漏极143之间的基准沟道144和两个所述基准导体40构成所述基准电路；

S123，测量所述基准电路的电阻得到所述基准电阻。

所述S122中，两个所述基准过孔30可以分别为第一基准过孔101和第二基准过孔102。在所述第一基准过孔101中填充的所述基准导体40为所述第一基准导体103。在所述第二基准过孔102中填充的所述基准导体40为所述第二基准导体104。两个所述基准导体40可以通过物理气相沉积方法或化学气相沉积方法在两个所述基准过孔30中填充金属粉末得到。

所述S123中，所述基准电路包括顺次连通的所述第一基准导体103、所述基准源极142、所述基准源极142与所述基准漏极143之间的基准沟道144、所述基准漏极143和所述第二基准导体104。所述基准电阻包括所述第一基准导体103的电阻、所述基准源极142的电阻、所述基准源极142的电阻与所述基准漏极143之间的基准沟道144的电阻、所述基准漏极143的电阻和所述第二基准导体104的电阻。

请一并参见图7，在一个实施例中，所述S122包括：

S1221，在所述基准膜层100远离所述基准衬底200的表面形成基准金属层150，所述基准金属层150的材料填充两个所述基准过孔30；

S1222，刻蚀所述基准金属层150，以使各所述基准过孔30填充有一个所述基准导体40。

所述S1221中，所述基准金属层150的材料可以填充满所述基准过孔30，使得所述基准过孔30中的所述基准导体40与所述基准元件180接触。

所述S1222中，两个所述基准导体40之间绝缘，避免所述基准源极142与所述基准漏极143短路，以使所述第一基准导体103、所述基准源极142、所述基准源极142与所述基准漏极143之间的基准沟道144、所述基准漏极143和所述第二基准导体104形成基准电路。

在一个实施例中，所述基准金属层150可以为Mo。所述基准金属层150也可以采用显示面板正常制作工艺中基准栅极层使用的材料。在刻蚀所述基准金属层150后，不仅形成两个彼此绝缘的所述基准导体40，还形成基准栅极141(M1)。所述基准栅极141(M1)与所述基准沟道144正对。

在一个实施例中，所述基准侧刻量包括第一侧刻量和第二侧刻量，所述S130包括：对填充有所述基准导体40的两个所述基准过孔30切片并获得所述第一侧刻量和所述第二侧刻量。

可以分别对所述基准源极142和所述基准漏极143对应的所述基准过孔30切片，也可以同时对多组所述基准源极142和所述基准漏极143对应的所述基准过孔30切片，以准确获知多组所述第一基准过孔101的所述第一侧刻量和所述第二基准过孔102的所述第二侧刻量。根据多组所述基准电阻、所述第一侧刻量和所述第二侧刻量建立对应关系，以提高对应关系的准确性。在获得所述检测电路的检测电阻时，可以准确获知所述检测薄膜晶体管对应的两个所述检测过孔300的侧刻量。

在一个实施例中，所述S140包括根据所述基准电阻、所述第一侧刻量和所述第二侧刻量的对应关系建立所述检测数据库。

所述基准电阻、所述第一侧刻量和所述第二侧刻量的对应关系可以表示为：Rc＝f(△d1，△d2)。其中，△d1表示所述第一基准过孔101的所述第一侧刻量。△d2表示所述第二基准过孔102的所述第二侧刻量。

在一个实施例中，所述基准膜层100仅包括所述第一基准绝缘层110。所述第一基准绝缘层110形成于所述基准源漏极层140远离所述基准衬底200的表面。所述第一基准绝缘层110的材料为SiO₂。所述第一基准绝缘层110为200nm。

△d1表示所述第一基准过孔101对应所述第一基准绝缘层110的1/2高度的侧刻量或平均侧刻量。△d2表示所述第二基准过孔102对应所述第一基准绝缘层110的1/2高度的侧刻量或平均侧刻量。

请一并参见图8，在一个实施例中，所述基准膜层100包括所述第一基准绝缘层110和所述第二基准绝缘层120。所述第二基准绝缘层120形成于所述第一基准绝缘层110远离所述基准衬底200的表面。所述基准栅极层的材料可以为Mo或Ti/Al/Ti。所述基准栅极层的厚度为可以为150nm到250nm。所述第二基准绝缘层120的材料可以为SiN_x。所述第一基准绝缘层110为200nm。所述S116包括在所述第二基准绝缘层120的表面间隔开设两个所述基准过孔30，以形成所述基准显示面板10。一个所述基准过孔30与所述基准源极142连接；另一个所述基准过孔30与所述基准漏极143连接。

△d1表示所述第一基准过孔101对应所述第一基准绝缘层110和所述第二基准绝缘层120的1/2高度的总侧刻量或平均侧刻量。△d2表示所述第二基准过孔102对应所述第一基准绝缘层110和所述第二基准绝缘层120的1/2高度的总侧刻量或平均侧刻量。

请一并参见图9，在一个实施例中，所述基准膜层100包括顺次设置所述第一基准绝缘层110、所述第二基准绝缘层120和所述第三基准绝缘层130。所述第三基准绝缘层130形成于所述第二基准绝缘层120远离所述基准衬底200的表面。△d1表示所述第一基准过孔101对应的所述第一基准绝缘层110、所述第二基准绝缘层120和所述第三基准绝缘层130的1/2高度的总侧刻量或平均侧刻量。△d2表示所述第二基准过孔102对应的所述第一基准绝缘层110、所述第二基准绝缘层120和所述第三基准绝缘层130的1/2高度的总侧刻量或平均侧刻量。△d1或△d2也可以是其他高度的侧刻量。

在一个实施例中，所述基准膜层100包括所述第一基准绝缘层110和所述第二基准绝缘层120。所述基准电阻、所述第一侧刻量和所述第二侧刻量的对应关系为：Rc＝f(△d11，△d12，△d21，△d22)。△d11表示所述第一基准过孔101对应所述第一基准绝缘层110的1/2高度的侧刻量或平均侧刻量。△d12表示所述第一基准过孔101对应所述第二基准绝缘层120的1/2高度的侧刻量或平均侧刻量。△d21表示所述第二基准过孔102对应所述第一基准绝缘层110的1/2高度的侧刻量或平均侧刻量。△d22表示所述第二基准过孔102对应所述第二基准绝缘层120的1/2高度的侧刻量或平均侧刻量。所述基准电阻与△d11、△d12、△d21和△d22四个参数对应。△d11、△d12、△d21或△d22也可以是其他高度位置的侧刻量。

在一个实施例中，所述基准膜层100包括所述第一基准绝缘层110、所述第二基准绝缘层120和所述第三基准绝缘层130。所述基准电阻、所述第一侧刻量和所述第二侧刻量的对应关系为：Rc＝f(△d11，△d12，△d13，△d21，△d22，△d23)。其中，△d13表示所述第一基准过孔101对应所述第三基准绝缘层130的1/2高度的侧刻量或平均侧刻量。△d23表示所述第二基准过孔102对应所述第三基准绝缘层130的1/2高度的侧刻量或平均侧刻量。所述基准电阻与△d11、△d12、△d13、△d21、△d22和△d23六个参数对应。△d11、△d12、△d13、△d21、△d22或△d23也可以是其他高度位置的侧刻量。

请一并参见图2，在一个实施例中，所述第三基准绝缘层130包括第一子基准绝缘层131和第二子基准绝缘层132。所述第一子基准绝缘层131形成于所述第二基准绝缘层120远离所述基准衬底200的表面。所述第二子基准绝缘层132形成于所述第一基准绝缘层131远离所述基准衬底200的表面。所述第一子基准绝缘层131的材料可以为SiO₂。所述第一子基准绝缘层131的厚度可以为100nm。所述第一子基准绝缘层131的材料可以为SiN_x。所述第一子基准绝缘层131的厚度可以为100nm。

所述S116包括在所述第二子基准绝缘层132的表面间隔开设两个所述基准过孔30，以形成所述基准显示面板10，两个所述基准过孔30分别连接所述基准源极142和所述基准漏极143。

所述基准电阻、所述第一侧刻量和所述第二侧刻量的对应关系为：Rc＝f(△d11，△d12，△d131，△d132，△d21，△d22，△d231，△d232)。其中，△d131表示所述第一基准过孔101对应所述第一子基准绝缘层131的1/2高度的侧刻量或平均侧刻量。△d132表示所述第一基准过孔101对应所述第二子基准绝缘层132的1/2高度的侧刻量或平均侧刻量。△d231表示所述第二基准过孔102对应所述第一子基准绝缘层131的1/2高度的侧刻量或平均侧刻量。△d232表示所述第二基准过孔102对应所述第二子基准绝缘层132的1/2高度的侧刻量或平均侧刻量。所述基准电阻与△d11、△d12、△d131、△d132、△d21、△d22、△d231和△d232八个参数对应。

所述第一侧刻量和所述第二侧刻量的取值也可以根据所述基准过孔30的侧壁刻蚀形态获取。

通过分别获取各个膜层对应的两个所述基准过孔30的侧刻量，可以建立各个测量膜层的侧刻量与所述基准电阻之间的对应关系。在获取所述检测过孔的检测侧刻量时，也会获得所述测量电阻对应的各个检测膜层的侧刻量，提高检测的准确性。

在一个实施例中，在S110前，所述显示面板的检测方法还包括：获取侧刻蚀前的所述基准过孔30的直径d。

所述S130中对所述基准膜层100切片的过程包括：

S131，将所述基准显示面板10放置实验室，利用场发射电子束聚焦离子束双束显微镜(FIB)找到所述基准过孔30；

S132，用离子抢对所述基准显示面板10的所述基准过孔30进行切割；

S133，利用场发射电子束聚焦离子束双束显微镜(FIB)测量切割后的所述基准过孔30的直径；

S134，根据侧刻蚀后的所述基准过孔30的直径d’和侧刻蚀前的所述基准过孔30的直径d得到所述基准侧刻量。

请一并参见图10，由于SiN_x和SiO₂与侧刻蚀流体的反应速度不同。在对所述基准过孔30进行侧刻蚀后，所述第一基准绝缘层110、所述第二基准绝缘层120、所述第一子基准绝缘层131和所述第二子基准绝缘层132的侧刻蚀程度不同。所述第一基准绝缘层110的侧刻蚀程度小于所述第二基准绝缘层120的侧刻蚀程度。所述第一子基准绝缘层131的侧刻蚀程度小于所述第二子基准绝缘层132的侧刻蚀程度。因此，可以将所述第一基准绝缘层110、所述第二基准绝缘层120、所述第一子基准绝缘层131和所述第二子基准绝缘层132的侧刻量的平均值作为基准侧刻量，以简化计算。

所述第一基准绝缘层110贴合于所述基准源漏极层140的表面，增大了所述基准导体40与所述基准源极142或所述基准漏极143的接触面积，进而减小了接触电阻，降低了压降，提高了基准薄膜晶体管的开关性能和导电性能。

请一并参见图11，在一个实施例中，所述S112的步骤之前，还包括：

S111，制备所述基准衬底200。

所述基准衬底200包括顺次设置的第一基准基底210、第一基准粘合层220、第一基准隔离层230、第二基准粘合层240、所述第二基准隔离层250和第二基准基底260。

所述第一基准粘合层220和所述第二基准粘合层240便于在全部膜层制作完成后，协同所述第一基准隔离层230、所述第二基准隔离层250和所述第一标准基底210一起剥离所述第二基准基底260。

在一个实施例中，所述第二基准基底260包括第一基底层261和第二基底层262。所述第二基底层262设置于所述第一基底层261远离所述第一基准基底210的表面。

在一个具体实施例中，所述第一基准导体103和所述第二基准导体104分别与所述基准控制器连接。所述基准控制器为所述基准电路提供电压，可以得到所述基准电阻。

请一并参见图12，在一个实施例中，所述基准电路还可以包括第一基准电极106和第二基准电极107。所述第一基准电极106分别与所述第一基准导体103和所述基准控制器连接。所述第二基准电极107分别与所述第二基准导体104和所述基准控制器连接。所述基准电阻还包括第一基准电极106和第二基准电极107的电阻。所述基准控制器为所述基准电路提供电压，可以得到所述基准电阻。

在一个实施例中，所述第一基准电极106和所述第二基准电极107设置在基准显示面板10的非显示区域。所述基准电路还包括第一基准引线108和第二基准引线109。所述第一基准电极106通过所述第一基准引线108与所述第一基准导体103连接，所述第二基准电极107通过所述第二基准引线109与所述第二基准导体104连接。所述基准电阻还包括所述第一基准引线108和所述第二基准引线109的电阻。

所述第一基准电极106和所述第二基准电极107设置于基准显示面板10(大板)的边缘或多个小板105(panel)之间的区域。

请一并参见图13，在一个实施例中，所述S1222包括：S1，在所述基准金属层150远离所述基准衬底200的表面形成基准光刻胶层160；S2，在所述基准光刻胶层160远离所述基准衬底200的表面铺设基准掩膜板170；S3，沿所述基准掩膜板170进行图案刻蚀，以使每个所述基准过孔30填充有一个所述基准导体40。S4，去除所述基准掩膜板170和所述基准光刻胶层160。

在一个实施例中，S100中建立检测数据库的过程包括建立所述基准电阻和所述基准侧刻量的对应关系。建立所述基准电阻和所述基准侧刻量的对应关系包括以下步骤：S1100，根据所述S110对多个所述基准过孔30的基准侧刻量，多个所述基准过孔30对应多个基准薄膜晶体管；S1200，根据所述S120得到多个所述基准电阻；S1300，根据所述S130获得多个所述基准过孔30的所述基准侧刻量；S1400，再对多个所述基准电阻和多个所述基准侧刻量进行数据拟合，得到所述基准电阻和所述基准侧刻量的对应关系式。所述对应关系式包括修正系数。通过数据拟合的方式，可以减小随机误差，提高检测数据库的精度，通过检测的准确性。

如果所述检测过孔300的制作工艺或侧刻蚀工艺发生变化，仅通过测量所述检测电阻一个参数无法得到所述检测侧刻量。需要对所述检测数据库进行对应关系的拓展。

在一个实施例中，所述S100还包括：S121，获得所述基准过孔30所在的所述基准膜层100的基准膜层参数、所述基准过孔30的基准侧刻蚀参数和填充所述基准过孔30的基准导体40的基准导体参数中的至少一种。

所述S140包括：根据所述基准膜层参数、所述基准侧刻蚀参数和所述基准导体参数中的至少一种，以及所述基准电阻和所述基准侧刻量的对应关系建立所述检测数据库。

在制备所述基准过孔30和侧刻蚀前，所述基准过孔30所在的所述基准膜层100的基准膜层参数、所述基准过孔30的基准侧刻蚀参数和填充所述基准过孔30的基准导体40的基准导体参数等参数为已知量。

根据所述基准过孔30所在的所述基准膜层100的基准膜层参数、所述基准过孔30的基准侧刻蚀参数和填充所述基准过孔30的基准导体40的基准导体参数能够得到所述基准过孔30，并对所述基准过孔30完成侧刻蚀。

根据不同的检测要求，所述检测数据库包括的对应关系不同。准确选取对应关系，可以提高检测的效率和准确度。

在一个实施例中，所述基准膜层参数包括所述基准过孔30所在的所述基准膜层100的膜层层数、膜层材料、膜层厚度、膜层的致密性中的至少一种。所述基准侧刻蚀参数包括侧刻蚀流体的成分比例和侧刻蚀时间中的至少一种。所述基准导体参数包括基准导体40的电导率。上述参数均能影响所述基准电路的所述基准电阻。当所述基准过孔30的上述参数与所述检测过孔40的上述参数不同时，自变量不同，需建立相应的对应关系，以提高检测的准确性。

所述基准膜层100的膜层层数、膜层材料、膜层厚度、膜层的致密性不同，导致所述基准过孔30的高度不同。所述基准过孔30的高度影响所述基准导体40的填充体积，进而影响所述基准导体40的电阻。所述基准导体40的电阻的大小影响所述基准电路的所述基准电阻。

所述基准膜层100的膜层材料或膜层的致密性不同，导致各膜层的侧刻蚀程度不同。各膜层的侧刻蚀影响所述基准导体40局部的孔径。所述基准导体40局部的孔径影响所述基准导体40的形状，进而影响所述基准导体40的电阻。

侧刻蚀流体的成分比例不同，侧刻蚀流体与膜层材料的反应速度不同。相同时间内，膜层的侧刻蚀程度不同。各膜层的侧刻蚀影响所述基准导体40局部的孔径的大小，进而影响所述基准导体40的电阻。

侧刻蚀流体的成分比例相同时，侧刻蚀时间不同，膜层的侧刻蚀程度不同。各膜层的侧刻蚀影响所述基准导体40局部的孔径大小进而影响所述基准导体40的电阻。

相同形状的所述基准导体40，电导率不同，所述基准导体40的电阻不同。所述基准导体40的电阻的大小影响所述基准电路的所述基准电阻。

在一个实施例中，所述基准导体参数还包括所述基准导体40在所述基准膜层100远离所述基准衬底200的表面延伸的形状。所述基准导体40在所述基准膜层100远离所述基准衬底200的表面延伸的形状不同。所述基准导体40的电阻不同。所述基准导体40的电阻的大小影响所述基准电路的所述基准电阻。

上述参数均能影响所述基准电路的所述基准电阻。当所述基准过孔30的工艺与所述检测过孔40的工艺不同时，需建立相应的对应关系，以提高检测的准确性。

在一个实施例中，所述S200还包括：获得所述检测过孔300所在的检测膜层60的检测膜层参数、所述检测过孔300的检测侧刻蚀参数和填充所述检测过孔300的检测导体400的检测导体参数中的至少一种。

当所述检测过孔300所在的检测膜层60的检测膜层参数、所述检测过孔300的检测侧刻蚀参数或填充所述检测过孔300的检测导体400的检测导体参数为自变量时，需要获知自变量的参数值。

所述S300包括：根据所述检测膜层参数、所述检测侧刻蚀参数和所述检测导体参数中的至少一种、所述检测电阻和所述检测数据库得到所述检测侧刻量；根据自变量的参数值、所述检测电阻与所述检测数据库中的对应关系，既能获得所述检测侧刻量。

在一个实施例中，所述对应关系可以采用公式的形式表示。所述检测过孔300所在的检测膜层60的检测膜层参数为自变量。则获取所述检测过孔300所在的检测膜层60的检测膜层参数和所述检测电阻。再将所述检测过孔300所在的检测膜层60的检测膜层参数和所述检测电阻带入所述基准过孔30所在的基准膜层100的基准膜层参数、所述基准电阻和所述基准侧刻量的对应关系得到所述检测侧刻量。

在一个实施例中，所述对应关系可以采用表格或图像的形式表示。则找到所述检测膜层参数等于所述基准膜层参数，且所述检测电阻等于所述基准电阻时的所述基准侧刻量。所述检测侧刻量的值即为所述基准侧刻量的值。

请一并参见图3，在一个实施例中，所述S200的步骤包括：

S210，提供侧刻蚀后的检测显示面板700，并选取所述检测过孔300；

S220，在所述检测过孔300中填充所述检测导体400形成所述检测电路，并测量所述检测电阻。

所述S210中，所述检测显示面板700的形成工艺和侧刻蚀工艺均与所述基准显示面板10的形成工艺和侧刻蚀工艺相同。所述检测过孔300在所述检测显示面板700的位置与所述基准过孔30在所述基准显示面板10的位置相同。

在一个实施例中，所述S210中提供侧刻蚀后的检测显示面板700包括：顺次设置的检测衬底500、检测源漏极层640、所述检测膜层60、平坦化层670。所述检测源漏极层640包括检测源极642、检测漏极643和检测沟道644。所述检测膜层60开设有多个所述检测过孔300，所述基准过孔30分别连接所述基准源极142或所述基准漏极143。

在一个实施例中，所述检测膜层60包括所述第一检测绝缘层610、检测栅极641(M1层)、所述第二检测绝缘层620、检测电容上极板层或第三检测绝缘层630中的至少一种。M1层还可以包括检测电容下极板645。检测电容上极板层包括检测电容上极板646。所述第三检测绝缘层630包括顺次设置的第一子检测绝缘层631和第二子检测绝缘层632，其中所述第一子检测绝缘层631设置于所述第二检测绝缘层620远离所述检测衬底500的表面。

所述S220的步骤包括：

S221，在所述检测膜层60远离所述检测衬底500的表面形成检测金属层650，所述检测金属层650的材料填充两个所述检测过孔300；

S222，刻蚀所述检测金属层650，以使各所述检测过孔300填充有一个所述检测导体400。

在刻蚀所述检测金属层650后，不仅形成多个彼此绝缘的所述检测导体400，还形成多个检测栅极641(M1)。所述检测栅极641(M1)与所述检测沟道644正对。

检测掩膜板与所述基准掩膜板170可以不同，也可以相同。所述检测光刻胶层与所述基准光刻胶层160可以不同，也可以相同。

如果所述检测掩膜板可以包括多条检测连接线，以刻蚀形成多个检测薄膜晶体管对应的所述检测导体300；所述检测掩膜板也可以仅包括两条检测连接线，以刻蚀形成一个检测薄膜晶体管对应的所述检测导体300。

在一个实施例中，所述检测衬底500包括顺次设置的第一检测基底510、第一检测粘合层520、第一检测隔离层530、第二检测粘合层540、第二检测隔离层550、第二检测基底560。在一个实施例中，所述第二检测基底560包括第三基底层561和第四基底层562。第三基底层561设置于所述第二检测隔离层550与所述第四基底层562之间。

在一个具体的实施例中，仅所述检测膜层60的检测膜层参数以及所述检测侧刻量为自变量，其他参数均为常量。所述检测膜层60包括4个检测膜层：所述第一检测绝缘层610、所述第二检测绝缘层620、所述第一子检测绝缘层631和所述第二子检测绝缘层632。

根据所述检测膜层60的检测膜层参数和所述检测电阻找到所述基准膜层参数、所述基准电阻和所述基准侧刻量的对应关系。再根据检测膜层参数和所述检测电阻的具体数值和所述基准膜层参数、所述基准电阻和所述基准侧刻量的对应关系得到所述基准侧刻量，则所述检测侧刻量的大小等于所述基准侧刻量的大小。

如果所述基准膜层参数、所述基准电阻和所述基准侧刻量的对应关系式为：

Rc＝f(△d11，△d12，△d131，△d132，△d21，△d22，△d231，△d232)

通过上述关系式可以得到：所述第一检测过孔601对应所述第一检测绝缘层610、所述第二检测绝缘层620、所述第一子检测绝缘层631和所述第二子检测绝缘层632的侧刻量；所述第二检测过孔602对应所述第一检测绝缘层610、所述第二检测绝缘层620、所述第一子检测绝缘层631和所述第二子检测绝缘层632的侧刻量。

所述显示面板的检测方法通过测量检测过孔300的检测电路的检测电阻和所述检测数据库能够得到所述检测过孔300的检测侧刻量的大小。所述检测过孔300的侧刻量的大小直接影响所述检测导体400填充所述检测过孔300时的填充状态，进而影响所述检测导体400与所述检测薄膜晶体管的接触状态。所述检测导体400与所述检测薄膜晶体管的接触状态影响了所述检测导体400与所述检测薄膜晶体管之间的电阻，进而影响所述检测薄膜晶体管的源漏极电压。所述源漏极电压的电压影响了薄膜晶体管的开关性能。因此，所述检测过孔300的侧刻量的大小表征了薄膜晶体管的开关性能。因此，在得到的检测电阻后，可以找到所述检测电阻与所述基准电阻的对应关系。再根据所述基准电阻和所述基准侧刻量的对应关系，可以找到与所述检测电阻对应的所述基准侧刻量。根据所述基准侧刻量就可以得到所述检测侧刻量。

所述显示面板的检测方法通过测量检测电路的检测电阻和所述检测数据库能够得到所述检测侧刻量的大小，进而能够检测检测元件600之间的信号传输性能。所述显示面板的检测方法无需将显示面板从生产线移动至实验室切片，工序简单，节约了检测时间，提高了检测效率。此外，所述显示面板的检测方法避免了将显示面板切片造成的损坏，减小了材料损耗。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，但并不能因此而理解为对本申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种显示面板的检测方法，其特征在于，包括：

建立检测数据库，所述检测数据库包括基准电阻和基准侧刻量的对应关系，所述基准电阻是通过基准过孔(30)的基准电路的电阻，所述基准侧刻量是所述基准过孔(30)的侧刻量，所述基准电路包括填充所述基准过孔(30)的基准导体(40)以及与所述基准导体(40)连接的基准元件(180)；所述基准电阻与所述基准测刻量为单一变量的关系，所述基准电阻与所述基准侧刻量一一对应；

测量通过检测过孔(300)的检测电路的检测电阻，所述检测电路包括填充所述检测过孔(300)的检测导体(400)以及与所述检测导体(400)连接的检测元件(600)；所述检测电路的形成工艺与所述基准电路的形成工艺相同；

根据所述检测数据库和所述检测电阻得到所述检测过孔(300)的检测侧刻量。

2.如权利要求1所述的显示面板的检测方法，其特征在于，所述建立检测数据库，所述检测数据库包括基准电阻和基准侧刻量的对应关系，所述基准电阻是通过基准过孔(30)的基准电路的电阻，所述基准侧刻量是所述基准过孔(30)的侧刻量，所述基准电路包括填充所述基准过孔(30)的基准导体(40)以及与所述基准导体(40)连接的基准元件(180)的步骤包括：

提供基准显示面板(10)，对所述基准过孔(30)侧刻蚀，所述基准显示面板(10)包括基准膜层(100)，所述基准膜层(100)开设有所述基准过孔(30)；

在所述基准过孔(30)中填充所述基准导体(40)，使所述基准导体(40)与所述基准元件(180)连接形成所述基准电路，并测量所述基准电路的基准电阻；

对所述基准膜层(100)切片以获得所述基准过孔(30)的基准侧刻量；

根据所述基准电阻和所述基准侧刻量的对应关系建立所述检测数据库。

3.如权利要求2所述的显示面板的检测方法，其特征在于，所述基准元件(180)为基准薄膜晶体管，所述提供基准显示面板(10)，对所述基准过孔(30)侧刻蚀，所述基准显示面板(10)包括基准膜层(100)，所述基准膜层(100)开设有所述基准过孔(30)的步骤包括以下步骤：

在基准衬底(200)的表面形成基准源漏极层(140)，所述基准源漏极层(140)包括基准源极(142)和基准漏极(143)；

在所述基准源漏极层(140)远离所述基准衬底(200)的表面形成所述基准膜层(100)；

在所述基准膜层(100)间隔开设两个所述基准过孔(30)，以形成所述基准显示面板(10)，两个所述基准过孔(30)分别与所述基准源极(142)和所述基准漏极(143)一一对应连接。

4.如权利要求3所述的显示面板的检测方法，其特征在于，所述在所述基准过孔(30)中填充所述基准导体(40)，使所述基准导体(40)与所述基准元件(180)连接形成所述基准电路，并测量所述基准电路的基准电阻的步骤包括以下步骤：

在两个所述基准过孔(30)中各填充一个所述基准导体(40)，所述基准源极(142)、所述基准漏极(143)、所述基准源极(142)与所述基准漏极(143)之间的基准沟道(144)和两个所述基准导体(40)构成所述基准电路；

测量所述基准电路的电阻得到所述基准电阻。

5.如权利要求4所述的显示面板的检测方法，其特征在于，所述在两个所述基准过孔(30)中各填充一个所述基准导体(40)包括：

在所述基准膜层(100)远离所述基准衬底(200)的表面形成基准金属层(150)，所述基准金属层(150)的材料填充两个所述基准过孔(30)；

刻蚀所述基准金属层，以使每个所述基准过孔(30)填充有一个所述基准导体(40)。

6.如权利要求5所述的显示面板的检测方法，其特征在于，所述刻蚀所述基准金属层，以使每个所述基准过孔(30)填充有一个所述基准导体(40)的步骤包括以下步骤：

在所述基准金属层(150)远离所述基准衬底(200)的表面形成基准光刻胶层(160)；

在所述基准光刻胶层(160)远离所述基准衬底(200)的表面铺设基准掩膜板(170)；

沿所述基准掩膜板(170)进行图案刻蚀，以使每个所述基准过孔(30)填充有一个所述基准导体(40)；

去除所述基准掩膜板(170)和所述基准光刻胶层(160)。

7.如权利要求4所述的显示面板的检测方法，其特征在于，所述基准侧刻量包括第一侧刻量和第二侧刻量，所述对所述基准膜层(100)切片以获得所述基准过孔(30)的基准侧刻量的步骤包括：对填充有所述基准导体(40)的两个所述基准过孔(30)切片并获得所述第一侧刻量和所述第二侧刻量。

8.如权利要求7所述的显示面板的检测方法，其特征在于，所述根据所述基准电阻和所述基准侧刻量的对应关系建立所述检测数据库的步骤包括根据所述基准电阻、所述第一侧刻量和所述第二侧刻量的对应关系建立所述检测数据库。

9.如权利要求2所述的显示面板的检测方法，其特征在于，所述建立检测数据库，所述检测数据库包括基准电阻和基准侧刻量的对应关系，所述基准电阻是通过基准过孔(30)的基准电路的电阻，所述基准侧刻量是所述基准过孔(30)的侧刻量，所述基准电路包括填充所述基准过孔(30)的基准导体(40)以及与所述基准导体(40)连接的基准元件(180)的步骤还包括：

获得所述基准过孔(30)所在的所述基准膜层(100)的基准膜层参数、所述基准过孔(30)的基准侧刻蚀参数和填充所述基准过孔(30)的基准导体(40)的基准导体参数中的至少一种；

所述根据所述基准电阻和所述基准侧刻量的对应关系建立所述检测数据库的步骤包括：根据所述基准膜层参数、所述基准侧刻蚀参数和所述基准导体参数中的至少一种，以及所述基准电阻和所述基准侧刻量的对应关系建立所述检测数据库。

10.如权利要求9所述的显示面板的检测方法，其特征在于，所述测量通过检测过孔(300)的检测电路的检测电阻，所述检测电路包括填充所述检测过孔(300)的检测导体(400)以及与所述检测导体(400)连接的检测元件(600)的步骤还包括：获得所述检测过孔(300)所在的检测膜层(60)的检测膜层参数、所述检测过孔(300)的检测侧刻蚀参数和填充所述检测过孔(300)的检测导体(400)的检测导体参数中的至少一种；

所述根据所述检测数据库和所述检测电阻得到所述检测过孔(300)的检测侧刻量的步骤包括：根据所述检测膜层参数、所述检测侧刻蚀参数和所述检测导体参数中的至少一种、所述检测电阻和所述检测数据库得到所述检测侧刻量。

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