CN106960805B - 应用于显示面板的晶体管电性测量方法及装置 - Google Patents

应用于显示面板的晶体管电性测量方法及装置 Download PDF

Info

Publication number
CN106960805B
CN106960805B CN201710138600.8A CN201710138600A CN106960805B CN 106960805 B CN106960805 B CN 106960805B CN 201710138600 A CN201710138600 A CN 201710138600A CN 106960805 B CN106960805 B CN 106960805B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
metal
display panel
electrode metal
radium
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201710138600.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106960805A (zh
Inventor
孟林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority to CN201710138600.8A priority Critical patent/CN106960805B/zh
Publication of CN106960805A publication Critical patent/CN106960805A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106960805B publication Critical patent/CN106960805B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/14—Measuring as part of the manufacturing process for electrical parameters, e.g. resistance, deep-levels, CV, diffusions by electrical means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明公开一种应用于显示面板的晶体管电性测量方法，该方法包括：采用镭射去除所述显示面板中设置于所述晶体管的电极金属之上的无机层，并采用镭射从所述显示面板中设置于所述电极金属之上的有机层打孔至所述晶体管的电极金属；在所述孔内电镀金属层；以及采用探针与所述金属层连接，以对所述晶体管的电极金属进行电性测试。本发明还公开了对应的装置。本发明提高测量晶体管的电学特性的成功率，有利于快速判断出电性异常，从而快速提升显示面板的良品率。

Description

应用于显示面板的晶体管电性测量方法及装置
技术领域
本发明涉及显示屏技术领域，尤其涉及一种应用于显示面板的晶体管电性测量方法及装置。
背景技术
随着科技的发展，LTPS(Low Temperature Poly-Silicon，低温多晶硅)显示屏在中高端小尺寸产品已获得越来越多的应用，例如智能手机中，LTPS技术可以通过激光退火等方法在玻璃基板上形成高迁移率的多晶硅半导体层，进而通过LTPS技术制作而成的LTPS显示屏具有高分辨率、高开口率、高反应速度、低功耗等优点。
LTPS显示面板的生产过程复杂，导致其良品率会受各种因素的影响，例如，LTPS显示面板内的器件电性不均匀而造成的显示不均现象，因此，其器件的电学特性是非常重要的监控项目。
然而在生产LTPS显示面板的基板时，在形成显示区TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)之后，上方有有机平坦层，约2.5～3um，导致量测电性时扎针无法扎到TFT上，导致量测电性失败，成功率低。
发明内容
本发明的目的在于，针对现有技术中的LTPS显示面板中量测TFT的成功率低的问题，提供一种应用于显示面板的晶体管电性测量方法及装置。
本发明解决上述技术问题所采用的技术方案是提供了一种应用于显示面板的晶体管电性测量方法，包括：采用镭射去除所述显示面板中设置于所述晶体管的电极金属之上的无机层，并采用镭射从所述显示面板中设置于所述电极金属之上的有机层打孔至所述晶体管的电极金属；在所述孔内电镀金属层；以及采用探针与所述金属层连接，以对所述晶体管的电极金属进行电性测试。
在一个实施例中，所述采用镭射去除所述显示面板中设置于所述晶体管的电极金属之上的无机层包括：以第一参数镭射所述显示面板上预设区域内的所述无机层以去除所述预设区域内的无机层；所述采用镭射从所述显示面板中设置于所述电极金属之上的有机层打孔至所述晶体管的电极金属包括：以第二参数镭射所述预设区域内位于所述电极金属上方的有机层以使所述有机层形成孔至所述电极金属。
在一个实施例中，所述第一参数包括第一夹缝尺寸和第一能量大小，其中所述第一夹缝尺寸对应于所述预设区域的面积，所述第一能量大小与所述无机层的厚度成预设比例。
在一个实施例中，所述第二参数包括第二夹缝尺寸和第二能量大小，其中，所述第二夹缝尺寸小于所述第一夹缝尺寸，所述第二能量大小大于所述第一能量大小，所述第二夹缝尺寸对应于所述金属电极。
在一个实施例中，所述在所述孔内电镀金属层包括：采用聚焦离子束沿着预设方向电镀金属以形成所述金属层；其中，所述预设方向为从所述孔的底部延伸到所述有机层的表面。
在一个实施例中，所述预设方向为从所述孔的底部经过所述孔的侧壁延伸到所述显示面板中去除所述无机层后的有机层的上表面，所述探针设置于位于所述有机层的上表面的所述金属层上。
本发明解决上述技术问题所采用的另一技术方案是提供了一种应用于显示面板的晶体管电性测量装置，包括：镭射组件，用于去除所述显示面板中设置于所述晶体管的电极金属之上的无机层，并从所述显示面板的设置于所述电极金属之上的有机层打孔至所述晶体管的电极金属；电镀组件，用于在所述孔内电镀金属层；以及探针，用于与所述金属层连接，以对所述晶体管的电极金属进行电性测试。
在一个实施例中，还包括：控制单元，与所述镭射组件连接，用于控制所述镭射组件以第一参数镭射所述显示面板上预设区域内的所述无机层以去除所述预设区域内的无机层，以及以第二参数镭射所述预设区域内位于所述电极金属上方的有机层以使所述有机层形成孔至所述电极金属。
在一个实施例中，还包括：控制单元，与所述电镀组件连接，用于控制所述电镀组件产生聚焦离子束沿着预设方向电镀金属以形成所述金属层，其中所述预设方向为从所述孔的底部延伸到所述有机层的表面。
在一个实施例中，所述预设方向为从所述孔的底部经过所述孔的侧壁延伸到所述显示面板中去除所述无机层后的有机层的上表面，所述探针设置于位于所述有机层的上表面的所述金属层上。
本发明的有益效果有：本发明采用镭射去除晶体管的电极金属之上的无机层及相应的有机层，在电极金属之上电镀金属层，方便探针与电极金属连接，进而提高测量晶体管的电学特性的成功率，有利于快速判断出电性异常，从而快速提升显示面板的良品率。
附图说明
下面将结合附图及实施方式对本发明作进一步说明，附图中：
图1是本发明所采用的显示面板的截面示意图；
图2是本发明实施例的晶体管电性测量装置的结构示意图；
图3是本发明实施例的晶体管电性测量方法的流程示意图；
图4-6是图1中的显示面板经过上述实施例的不同步骤后的截面示意图；
图7是图1中的显示面板经过上述实施例的晶体管电性测量方法后的截面示意图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明的技术方案做进一步详细描述。
为了清楚说明本发明的应用于显示面板的晶体管电性测量方法及装置，下面先对显示面板进行说明，以LTPS显示面板为例。
如图1所示，显示面板100包括电极金属110、导电通道109、ITO(Indium TinOxide，铟锡氧化物)层107以及依次层叠于玻璃基板101上的缓冲层102、通道层103、栅极绝缘层104、介质层105、有机平坦层106以及钝化层108。电极金属110可以是源极110a、栅极110b或漏极110c。源极110a和漏极110c间隔设置并由有机平坦层106往栅极绝缘层104延伸，栅极110b设于介质层105中，导电通道109形成于通道层103，ITO层107形成于钝化层108。从图1中可知，漏极110c之上的有机平坦层106和钝化层108已经被处理，进而漏极110c之上设置有导电膜111。
值得注意的是，本发明的显示面板不限于上述的LTPS显示面板，在其他实施例中，可以为任意显示面板。
图2示出了本发明的晶体管电性测量装置，如图2所示，该装置200包括镭射组件21和电镀组件22。
请同时参考图1、图4和图5，镭射组件21用于去除显示面板100中设置于晶体管的电极金属110之上的无机层，并从显示面板100的设置于电极金属110之上的有机层打孔至晶体管的电极金属110。
请同时参考图1和图6，电镀组件22用于在孔内电镀金属层112。具体地，在一个实施例中，该电镀组件为FIB(Focus Ion Beam，聚焦离子束)机。
请同时参考图7，该装置还包括探针23，该探针23用于与金属层112连接，以对晶体管的电极金属110进行电性测试。进一步地，该装置200还包括测试单元25，该测试单元25与控制单元24连接，并且通过导线与探针23连接，以接收探针23的回传信号。
进一步地，该装置还包括控制单元24，镭射组件21和电镀组件22分别与控制单元24连接。控制单元24用于控制镭射组件21依次以第一参数镭射显示面板上预设区域内的无机层以去除预设区域内的无机层，以及以第二参数镭射预设区域内位于电极金属上方的有机层以使有机层形成孔至电极金属。具体地，首先，控制单元24设置镭射组件21的第一参数，其中，第一参数包括第一夹缝尺寸和第一能量大小，其中第一夹缝尺寸对应于预设区域的面积，第一能量大小与无机层的厚度成预设比例，在消除无机层后，控制单元调节第一参数，使镭射组件21被设置成第二参数，其中，第二参数包括第二夹缝尺寸和第二能量大小，其中，第二夹缝尺寸小于第一夹缝尺寸，第二能量大小大于第一能量大小，第二夹缝尺寸对应于金属电极。
控制单元24用于控制电镀组件22产生聚焦离子束沿着预设方向电镀金属以形成金属层112，其中预设方向为从孔的底部延伸到有机层的表面。在一个实施例中，如图7所示，预设方向为从孔的底部经过孔的侧壁延伸到显示面板中去除无机层后的有机层的上表面，此时，探针23设置于位于有机层的上表面的金属层112上。
本实施例中的装置，采用镭射组件去除晶体管的电极金属之上的无机层及相应的有机层，在电极金属之上电镀金属层，进而测量晶体管的电学特性的成功率高，有利于快速判断出电性异常，从而快速提升显示面板的良品率。
图3示出了本发明实施例的显示面板的晶体管电性测量方法，如图3所示，该方法包括以下步骤：
步骤S302：采用镭射去除显示面板中设置于晶体管的电极金属之上的无机层，并采用镭射从显示面板中设置于电极金属之上的有机层打孔至晶体管的电极金属；
以图1示出的LTPS显示面板为例，采用镭射首先将电极金属110之上的无机层去除，如图4所示，是电极金属之上的无机层被去除之后的示意图，该无机层包括ITO层107和钝化层108，随后，从电极金属之上的有机层打孔至电极金属，如图5所示，是打孔至电极金属之后的示意图其中，若电极金属110为源极110a或者漏极110c，则该有机层包括有机平坦层106，若电极金属110为栅极110b，则有机层包括有机平坦层106和介质层105。
具体地，采用镭射去除显示面板中设置于晶体管的电极金属之上的无机层包括：以第一参数镭射显示面板上预设区域内的无机层以去除预设区域内的无机层。预设区域位于显示面板的显示区，进一步地，第一参数包括第一夹缝尺寸和第一能量大小，其中第一夹缝尺寸对应于预设区域的面积，第一能量大小与无机层的厚度成预设比例。当以第一参数镭射预设区域内的无机层时，若操作人员肉眼判断出无机层与有机层之间的界限时，停止镭射预设区域。当然，在其他实施例中，可以通过镭射组件的自动化控制自动停止镭射来实现去除无机层。根据第一能量大小与无机层的厚度之间的预设比例，单位时间内，以第一能量大小镭射预设区域，即可去除无机层，单位时间后即停止镭射。
采用镭射从显示面板的设置于电极金属之上的有机层打孔至晶体管的电极金属包括：以第二参数镭射预设区域内位于电极金属上方的有机层以使有机层形成孔至电极金属。镭射电极金属上方的有机层以使有机层形成孔至电极金属，首先，确定电极金属所处区域，随后，仅镭射电极金属所处区域，去除该区域内的有机层，进而形成孔至电极金属。进一步地，第二参数包括第二夹缝尺寸和第二能量大小，其中，第二夹缝尺寸小于第一夹缝尺寸，第二能量大小大于第一能量大小，第二夹缝尺寸对应于金属电极。当以第二镭射参数镭射有机层时，若检测到金属光泽时，停止镭射。
步骤S304：在孔内电镀金属层；
具体地，在一个实施例中，该步骤S104包括：采用聚焦离子束沿着预设方向电镀金属以形成金属层。在其他实施例中，还可以采用其他方式电镀金属以形成金属层，例如放入离子液体里进行电沉积。其中，预设方向为从孔的底部延伸到有机层的表面。
进一步地，在一个实施例中，预设方向为从孔的底部经过孔的侧壁延伸到显示面板中去除无机层后的有机层的上表面。此时，金属层112连续覆盖孔的底部、孔的侧壁以及部分有机层的上表面，如图6所示，可节省需要电镀的金属量。
步骤S306：采用探针与金属层连接，以对晶体管的电极金属进行电性测试。
具体地，将探针设置于金属层上，这样探针与金属层连接，进而探针通过金属层与电极金属连接，从而使测试单元25接收探针23的回传信号。进一步地，在一个实施例中，当预设方向为从孔的底部经过孔的侧壁延伸到显示面板中去除无机层后的有机层的上表面时，此时，如图7所示，探针23设置于位于有机层的上表面的金属层112上，这样探针更稳定，且测试效果更佳。
本实施例中，采用镭射去除晶体管的电极金属之上的无机层及相应的有机层，在电极金属之上电镀金属层，进而测量晶体管的电学特性的成功率高，有利于快速判断出电性异常，从而快速提升显示面板的良品率。
以上所述仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围。

Claims (6)

1.一种应用于显示面板的晶体管电性测量方法，其特征在于，包括：
采用镭射去除所述显示面板中设置于所述晶体管的电极金属之上的无机层，并采用镭射从所述显示面板中设置于所述电极金属之上的有机层打孔至所述晶体管的电极金属；
在所述孔内电镀金属层；以及
采用探针与所述金属层连接，以对所述晶体管的电极金属进行电性测试；
所述采用镭射去除所述显示面板中设置于所述晶体管的电极金属之上的无机层包括：
以第一参数镭射所述显示面板上预设区域内的所述无机层以去除所述预设区域内的无机层，其中所述预设区域位于所述电极金属之上，且所述预设区域的面积大于所述电极金属；
所述采用镭射从所述显示面板中设置于所述电极金属之上的有机层打孔至所述晶体管的电极金属包括：
以第二参数镭射所述预设区域内位于所述电极金属上方的有机层以使所述有机层形成孔至所述电极金属；
所述第一参数包括第一夹缝尺寸和第一能量大小，其中所述第一夹缝尺寸对应于所述预设区域的面积，所述第一能量大小与所述无机层的厚度成预设比例；
所述第二参数包括第二夹缝尺寸和第二能量大小，其中，所述第二夹缝尺寸小于所述第一夹缝尺寸，所述第二能量大小大于所述第一能量大小，所述第二夹缝尺寸对应于所述金属电极。
2.根据权利要求1中所述的方法，其特征在于，
所述在所述孔内电镀金属层包括：
采用聚焦离子束沿着预设方向电镀金属以形成所述金属层；
其中，所述预设方向为从所述孔的底部延伸到所述有机层的表面。
3.根据权利要求2中所述的方法，其特征在于，所述预设方向为从所述孔的底部经过所述孔的侧壁延伸到所述显示面板中去除所述无机层后的有机层的上表面，所述探针设置于位于所述有机层的上表面的所述金属层上。
4.一种应用于显示面板的晶体管电性测量装置，其特征在于，包括：
镭射组件，用于去除所述显示面板中设置于所述晶体管的电极金属之上的无机层，并从所述显示面板的设置于所述电极金属之上的有机层打孔至所述晶体管的电极金属；
电镀组件，用于在所述孔内电镀金属层；以及
探针，用于与所述金属层连接，以对所述晶体管的电极金属进行电性测试；
还包括：
控制单元，与所述镭射组件连接，用于控制所述镭射组件以第一参数镭射所述显示面板上预设区域内的所述无机层以去除所述预设区域内的无机层，以及以第二参数镭射所述预设区域内位于所述电极金属上方的有机层以使所述有机层形成孔至所述电极金属，其中所述第一参数包括第一夹缝尺寸和第一能量大小，其中所述第一夹缝尺寸对应于所述预设区域的面积，所述第一能量大小与所述无机层的厚度成预设比例；所述第二参数包括第二夹缝尺寸和第二能量大小，其中，所述第二夹缝尺寸小于所述第一夹缝尺寸，所述第二能量大小大于所述第一能量大小，所述第二夹缝尺寸对应于所述金属电极；其中所述预设区域位于所述电极金属之上，且所述预设区域的面积大于所述电极金属。
5.根据权利要求4中所述的装置，其特征在于，
所述控制单元还与所述电镀组件连接，用于控制所述电镀组件产生聚焦离子束沿着预设方向电镀金属以形成所述金属层，其中所述预设方向为从所述孔的底部延伸到所述有机层的表面。
6.根据权利要求4中所述的装置，其特征在于，
所述预设方向为从所述孔的底部经过所述孔的侧壁延伸到所述显示面板中去除所述无机层后的有机层的上表面，所述探针设置于位于所述有机层的上表面的所述金属层上。
CN201710138600.8A 2017-03-09 2017-03-09 应用于显示面板的晶体管电性测量方法及装置 Active CN106960805B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710138600.8A CN106960805B (zh) 2017-03-09 2017-03-09 应用于显示面板的晶体管电性测量方法及装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710138600.8A CN106960805B (zh) 2017-03-09 2017-03-09 应用于显示面板的晶体管电性测量方法及装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106960805A CN106960805A (zh) 2017-07-18
CN106960805B true CN106960805B (zh) 2019-11-26

Family

ID=59470060

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710138600.8A Active CN106960805B (zh) 2017-03-09 2017-03-09 应用于显示面板的晶体管电性测量方法及装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106960805B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108417507A (zh) * 2018-03-13 2018-08-17 深圳市华星光电技术有限公司 一种薄膜晶体管及阵列基板的测量方法
CN109742037B (zh) * 2019-01-03 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 一种测试基板及其制作方法、测试方法
CN112599578B (zh) * 2020-12-11 2023-10-17 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及其制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101118881A (zh) * 2007-09-06 2008-02-06 友达光电股份有限公司 像素结构的制作方法
CN104076537A (zh) * 2014-06-19 2014-10-01 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置及测量方法
CN104778908A (zh) * 2014-01-09 2015-07-15 上海和辉光电有限公司 薄膜晶体管电气特性测量方法
CN105527769A (zh) * 2016-01-28 2016-04-27 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板及其制作方法
CN106328554A (zh) * 2016-08-26 2017-01-11 武汉华星光电技术有限公司 对位结构、显示装置及利用对位结构测量对位精度的方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000277579A (ja) * 1999-03-26 2000-10-06 Seiko Epson Corp 半導体薄膜の結晶性検査方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101118881A (zh) * 2007-09-06 2008-02-06 友达光电股份有限公司 像素结构的制作方法
CN104778908A (zh) * 2014-01-09 2015-07-15 上海和辉光电有限公司 薄膜晶体管电气特性测量方法
CN104076537A (zh) * 2014-06-19 2014-10-01 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置及测量方法
CN105527769A (zh) * 2016-01-28 2016-04-27 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板及其制作方法
CN106328554A (zh) * 2016-08-26 2017-01-11 武汉华星光电技术有限公司 对位结构、显示装置及利用对位结构测量对位精度的方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN106960805A (zh) 2017-07-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106960805B (zh) 应用于显示面板的晶体管电性测量方法及装置
TW200639543A (en) Liquid crystal display and manufacturing method therefor
US11719966B2 (en) Test structure, substrate and method for manufacturing substrate
CN105632959B (zh) 一种阵列基板及其制备方法和显示装置
CN103926266B (zh) 一种半导体结构的失效分析方法
CN109839767B (zh) 一种阵列基板、显示面板及显示装置
CN102790051B (zh) 阵列基板及其制备方法、显示装置
CN105527769A (zh) 液晶显示面板及其制作方法
CN106771726B (zh) 测试组件及其监控显示面板电性特性的方法、显示面板
WO2014146349A1 (zh) 阵列基板及显示装置
CN104319274A (zh) 阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置
CN107611139A (zh) 薄膜晶体管阵列基板及制作方法
CN104076537A (zh) 阵列基板及其制作方法、显示装置及测量方法
CN104090389B (zh) 测试元件组、阵列基板、显示装置和测试方法
CN104483615B (zh) 沟槽栅mos器件缺陷验证方法
CN102364682A (zh) 垂直双扩散mos晶体管测试结构及形成方法、测试方法
CN109087873B (zh) 一种检测基板、检测装置以及检测设备
CN105589234B (zh) 一种面板的检测方法及其检测系统
CN103576401A (zh) 一种阵列基板及其制备方法、显示装置
CN103474472A (zh) 一种薄膜晶体管、阵列基板及显示面板
CN108417507A (zh) 一种薄膜晶体管及阵列基板的测量方法
CN105589275B (zh) 用于tft-lcd显示面板的电性测试装置及其电性测试方法
CN104851894A (zh) 阵列基板及其制备方法、显示装置
CN204116747U (zh) 液晶显示装置及其元件基板
CN103869508B (zh) 阵列基板的焊垫及其制作方法及阵列基板和液晶显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant