CN105527769A - 液晶显示面板及其制作方法 - Google Patents

液晶显示面板及其制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105527769A
CN105527769A CN201610058376.7A CN201610058376A CN105527769A CN 105527769 A CN105527769 A CN 105527769A CN 201610058376 A CN201610058376 A CN 201610058376A CN 105527769 A CN105527769 A CN 105527769A
Authority
CN
China
Prior art keywords
lead division
source electrode
grid
drain electrode
tft
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201610058376.7A
Other languages
English (en)
Inventor
李文辉
史文
石龙强
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority to CN201610058376.7A priority Critical patent/CN105527769A/zh
Publication of CN105527769A publication Critical patent/CN105527769A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136254—Checking; Testing

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

本发明提供一种像素结构、显示装置及监测该像素结构的电性的方法，所述像素结构包括薄膜晶体管及设置在所述薄膜晶体管表面的栅极引出部、源极引出部及漏极引出部，所述栅极引出部与所述薄膜晶体管的栅极电连接，所述源极引出部与所述薄膜晶体管的源极电连接，所述漏极引出部与所述薄膜晶体管的漏极电连接，所述栅极引出部、源极引出部及漏极引出部可与外部测试装置连接，以监测所述薄膜晶体管的电性。本发明的优点在于，在生产过程中实时的对栅极、源极及漏极进行电性监控，及时发现不良产品，减少不良产品发生。

Description

液晶显示面板及其制作方法
技术领域
本发明涉及液晶显示面板领域，尤其涉及一种像素结构、显示装置及监测该像素结构的电性的方法。
背景技术
液晶显示面板，尤其是主动式显示中，例如LCD，OLED，EPD等，在生产过程中，或最终产品，常因电性异常，造成显示画面异常，色差等。但因为显示区域没有放置测试键，难以及时监控电性是否异常，也不便于针对显示区域内的异常进行解析。
以传统AMLCD显示区域内的子像素为例，如图1，在基板10上依次设置栅极11、栅极绝缘层12、半导体层13、源/漏极14、像素电极绝缘层15及像素电极16，所述像素电极16穿过所述像素电极绝缘层15与源/漏极14中的源极或漏极电连接。栅极11、源/漏极14中没有与像素电极16连接的源极或漏极被覆盖，并未裸露，不能够测量其表面电性。因此，在显示区域没有办法进行实时测试栅极11、源/漏极14的电性，因此，难以实时监测TFT电性。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是，提供一种像素结构、显示装置及监测该像素结构的电性的方法，其能够在生产过程中实时的对栅极、源极及漏极进行电性监控，及时发现不良产品，减少不良产品发生。
为了解决上述问题，本发明提供了一种像素结构，包括薄膜晶体管及设置在所述薄膜晶体管表面的栅极引出部、源极引出部及漏极引出部，所述栅极引出部与所述薄膜晶体管的栅极电连接，所述源极引出部与所述薄膜晶体管的源极电连接，所述漏极引出部与所述薄膜晶体管的漏极电连接，所述栅极引出部、源极引出部及漏极引出部可与外部测试装置连接，以监测所述薄膜晶体管的电性。
进一步，所述源极引出部或漏极引出部其中之一为像素电极。
进一步，所述栅极引出部穿过由薄膜晶体管表面贯穿至栅极的第一通孔与所述栅极电连接，所述源极引出部穿过由薄膜晶体管表面贯穿至源极的第二通孔与所述源极电连接，所述漏极引出部穿过由薄膜晶体管表面贯穿至漏极的第三通孔与所述漏极电连接。
进一步，所述薄膜晶体管为底栅结构。
进一步，所述薄膜晶体管包括所述栅极、覆盖所述栅极的第一绝缘层、设置在所述第一绝缘层表面的半导体层，与所述半导体层接触的所述源极和漏极，覆盖所述第一绝缘层、源极和漏极及半导体层的第二绝缘层，所述栅极引出部、源极引出部及漏极引出部设置在所述第二绝缘层表面。
进一步，所述栅极引出部、源极引出部及漏极引出部由氧化铟锡材料制成。
本发明还提供一种显示装置，包括上述的像素结构。
本发明还提供一种监测上述的像素结构的电性的方法，采用测试装置分别电连接至栅极引出部、源极引出部及漏极引出部，并对栅极、源极及漏极进行电学测量，以实时监测栅极、源极和漏极的电性。
进一步，所述测试装置具有多个探针，所述探针分别与所述栅极引出部、源极引出部及漏极引出部接触，以实时监测栅极、源极和漏极的电性。
本发明的优点在于，在像素结构内设置栅极引出部、源极引出部及漏极引出部，使得栅极、源极及漏极能够与外部电连接，电性测试的探针可与栅极引出部、源极引出部及漏极引出部直接接触，进行量测，从而可以在生产过程中实时的电性监控，及时发现不良产品，减少不良产品发生。
附图说明
图1是现有的像素结构示意图；
图2是本发明像素结构示意图；
图3是本发明监测该像素结构的电性的方法的示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明提供的像素结构、显示装置及监测该像素结构的电性的方法的具体实施方式做详细说明。
参见图2，在本具体实施方式中，以常规的AMLCD显示装置为例说明本发明像素结构。
本发明像素结构包括薄膜晶体管及设置在所述薄膜晶体管表面的栅极引出部22、源极引出部23及漏极引出部24。进一步，所述栅极引出部22、源极引出部23及漏极引出部24由氧化铟锡材料制成。
在本具体实施方式中，所述薄膜晶体管为底栅结构，所述薄膜晶体管包括基板20、设置在所述基板20上的栅极211，覆盖所述栅极211及基板20的第一绝缘层222、设置在所述第一绝缘层222上的半导体层223、与所述半导体层223连接的源极224及漏极225，覆盖所述第一绝缘层222、源极224和漏极225及半导体层223的第二绝缘层226，所述栅极引出部22、源极引出部23及漏极引出部24设置在所述第二绝缘层226的表面。在本发明其他具体实施方式中，所述薄膜晶体管可以为顶栅结构，本文对此并不进行限制。
所述栅极引出部22与所述薄膜晶体管的栅极211电连接，所述源极引出部23与所述薄膜晶体管的源极224电连接，所述漏极引出部24与所述薄膜晶体管的漏极225电连接。进一步，所述栅极引出部22穿过由薄膜晶体管表面贯穿至栅极221的第一通孔227与所述栅极221电连接，所述源极引出部23穿过由薄膜晶体管表面贯穿至源极224的第二通孔228与所述源极224电连接，所述漏极引出部24穿过由薄膜晶体管表面贯穿至漏极225的第三通孔229与所述漏极225电连接。本领域技术人员可从现有技术中获取所述第一通孔227、第二通孔228及第三通孔229的形成方法，本文不再进行描述。
所述栅极引出部22、源极引出部23及漏极引出部24可与外部测试装置(附图中未标示)电连接，以实时监测所述薄膜晶体管的电性。例如，所述外部测试装置可包括多个探针30(参见图3)，所述探针30分别与所述栅极引出部22、源极引出部23及漏极引出部24电接触，以进行栅极221、源极224及漏极225的电测量，进而实时监测所述薄膜晶体管的电性。所述外部测试装置为现有技术中常用的电测试装置，本领域技术人员可从现有技术中获取，本文不进行描述。
本发明像素结构在像素结构内设置所述栅极引出部22、源极引出部23及漏极引出部24，使得栅极221、源极224及漏极225能够与外部电连接，电性测试的探针30可与栅极引出部22、源极引出部23及漏极引出部24直接接触，进行量测，从而可以在生产过程中实时的电性监控，及时发现不良产品，减少不良产品发生。
进一步，所述源极引出部23或漏极引出部24其中之一为像素电极，在本具体实施方式中，所述源极引出部23为像素电极。在本发明其他具体实施方式中，所述漏极引出部24为像素电极。本发明利用像素电极将所述源极或漏极与外部电连接，以进行电测量，简化工艺，节约成本。
下面以常规的AMLCD为例，来描述本具体实施方式中像素结构的制作方法，所述制作方法包括如下步骤：
(1)提供一基板，在基板上制作栅电极及走线；
(2)在栅电极上制作第一绝缘层；
(3)在第一绝缘层上制作半导体层；
(4)在半导体层上制作半源漏电极及走线
(5)在源漏电极上制作第二绝缘层；
(6)制作第一通孔、第二通孔及第三通孔；
(7)在第二绝缘层上制作与栅电极电连接的栅极引出部，与源极电连接的源极引出部，与漏极电连接的漏极引出部，在本具体实施方式中，所述源极引出部为像素电极。
本发明还提供一种显示装置，包括多个上述的像素结构。该显示装置可监控显示区域的电性，从而可以在生产过程中实时的电性监控，及时发现不良，减少不良发生。所述显示装置可以为LCD，OLED，EPD等。
参见图3所示，本发明还提供一种监测上述像素结构的电性的方法，所述监测电性的方法采用测试装置分别电连接至栅极引出部22、源极引出部23及漏极引出部24，以实时监测栅极221、源极224和漏极225的电性。在本具体实施方式中，所述测试装置具有多个探针30，所述探针30分别与所述栅极引出部22、源极引出部23及漏极引出部24电连接，所述探针30可直接与所述栅极引出部22、源极引出部23及漏极引出部24进行接触式测量，以实时监测栅极221、源极224和漏极225的电性，及时发现不良，减少不良发生。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种像素结构，其特征在于，包括薄膜晶体管及设置在所述薄膜晶体管表面的栅极引出部、源极引出部及漏极引出部，所述栅极引出部与所述薄膜晶体管的栅极电连接，所述源极引出部与所述薄膜晶体管的源极电连接，所述漏极引出部与所述薄膜晶体管的漏极电连接，所述栅极引出部、源极引出部及漏极引出部可与外部测试装置连接，以监测所述薄膜晶体管的电性。
2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述源极引出部或漏极引出部其中之一为像素电极。
3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述栅极引出部穿过由薄膜晶体管表面贯穿至栅极的第一通孔与所述栅极电连接，所述源极引出部穿过由薄膜晶体管表面贯穿至源极的第二通孔与所述源极电连接，所述漏极引出部穿过由薄膜晶体管表面贯穿至漏极的第三通孔与所述漏极电连接。
4.根据权利要求3所述的像素结构，其特征在于，所述薄膜晶体管为底栅结构。
5.根据权利要求4所述的像素结构，其特征在于，所述薄膜晶体管包括所述栅极、覆盖所述栅极的第一绝缘层、设置在所述第一绝缘层表面的半导体层，与所述半导体层接触的所述源极和漏极，覆盖所述第一绝缘层、源极和漏极及半导体层的第二绝缘层，所述栅极引出部、源极引出部及漏极引出部设置在所述第二绝缘层表面。
6.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述栅极引出部、源极引出部及漏极引出部由氧化铟锡材料制成。
7.一种显示装置，其特征在于，包括多个权利要求1～6任一项所述的像素结构。
8.一种监测权利要求1所述的像素结构的电性的方法，其特征在于，采用测试装置分别电连接至栅极引出部、源极引出部及漏极引出部，并对栅极、源极及漏极进行电学测量，以实时监测栅极、源极和漏极的电性。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述测试装置具有多个探针，所述探针分别与所述栅极引出部、源极引出部及漏极引出部接触，以实时监测栅极、源极和漏极的电性。
CN201610058376.7A 2016-01-28 2016-01-28 液晶显示面板及其制作方法 Pending CN105527769A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610058376.7A CN105527769A (zh) 2016-01-28 2016-01-28 液晶显示面板及其制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610058376.7A CN105527769A (zh) 2016-01-28 2016-01-28 液晶显示面板及其制作方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN105527769A true CN105527769A (zh) 2016-04-27

Family

ID=55770084

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610058376.7A Pending CN105527769A (zh) 2016-01-28 2016-01-28 液晶显示面板及其制作方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105527769A (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106125431A (zh) * 2016-08-26 2016-11-16 武汉华星光电技术有限公司 用于液晶面板的阵列基板、液晶面板及液晶显示器
CN106960805A (zh) * 2017-03-09 2017-07-18 武汉华星光电技术有限公司 应用于显示面板的晶体管电性测量方法及装置
CN108417507A (zh) * 2018-03-13 2018-08-17 深圳市华星光电技术有限公司 一种薄膜晶体管及阵列基板的测量方法
CN109742037A (zh) * 2019-01-03 2019-05-10 京东方科技集团股份有限公司 一种测试基板及其制作方法、测试方法
CN110930909A (zh) * 2019-11-27 2020-03-27 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板母板及其制作方法、显示面板
WO2022121038A1 (zh) * 2020-12-11 2022-06-16 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及其制备方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100333271B1 (ko) * 1999-07-05 2002-04-24 구본준, 론 위라하디락사 배선의 단락 및 단선 테스트를 위한 박막트랜지스터-액정표시장치의 어레이기판과 그 제조방법.
CN103217840A (zh) * 2013-04-18 2013-07-24 合肥京东方光电科技有限公司 一种阵列基板、制备方法以及液晶显示装置
CN103730384A (zh) * 2013-12-13 2014-04-16 深圳市华星光电技术有限公司 一种tft电性量测方法及装置
CN104076537A (zh) * 2014-06-19 2014-10-01 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置及测量方法
CN104503174A (zh) * 2014-12-24 2015-04-08 合肥京东方光电科技有限公司 Goa电路模块及其测试方法、显示面板和显示装置
CN104778908A (zh) * 2014-01-09 2015-07-15 上海和辉光电有限公司 薄膜晶体管电气特性测量方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100333271B1 (ko) * 1999-07-05 2002-04-24 구본준, 론 위라하디락사 배선의 단락 및 단선 테스트를 위한 박막트랜지스터-액정표시장치의 어레이기판과 그 제조방법.
CN103217840A (zh) * 2013-04-18 2013-07-24 合肥京东方光电科技有限公司 一种阵列基板、制备方法以及液晶显示装置
CN103730384A (zh) * 2013-12-13 2014-04-16 深圳市华星光电技术有限公司 一种tft电性量测方法及装置
CN104778908A (zh) * 2014-01-09 2015-07-15 上海和辉光电有限公司 薄膜晶体管电气特性测量方法
CN104076537A (zh) * 2014-06-19 2014-10-01 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置及测量方法
CN104503174A (zh) * 2014-12-24 2015-04-08 合肥京东方光电科技有限公司 Goa电路模块及其测试方法、显示面板和显示装置

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106125431A (zh) * 2016-08-26 2016-11-16 武汉华星光电技术有限公司 用于液晶面板的阵列基板、液晶面板及液晶显示器
CN106125431B (zh) * 2016-08-26 2019-11-22 武汉华星光电技术有限公司 用于液晶面板的阵列基板、液晶面板及液晶显示器
CN106960805A (zh) * 2017-03-09 2017-07-18 武汉华星光电技术有限公司 应用于显示面板的晶体管电性测量方法及装置
CN106960805B (zh) * 2017-03-09 2019-11-26 武汉华星光电技术有限公司 应用于显示面板的晶体管电性测量方法及装置
CN108417507A (zh) * 2018-03-13 2018-08-17 深圳市华星光电技术有限公司 一种薄膜晶体管及阵列基板的测量方法
CN109742037A (zh) * 2019-01-03 2019-05-10 京东方科技集团股份有限公司 一种测试基板及其制作方法、测试方法
WO2020140783A1 (zh) * 2019-01-03 2020-07-09 京东方科技集团股份有限公司 测试基板及其制作方法、测试方法、显示基板
US12058924B2 (en) 2019-01-03 2024-08-06 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Test substrate and manufacturing method therefor, test method, and display substrate
CN110930909A (zh) * 2019-11-27 2020-03-27 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板母板及其制作方法、显示面板
CN110930909B (zh) * 2019-11-27 2023-10-17 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板母板及其制作方法、显示面板
WO2022121038A1 (zh) * 2020-12-11 2022-06-16 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及其制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105527769A (zh) 液晶显示面板及其制作方法
CN103268878B (zh) Tft阵列基板、tft阵列基板的制作方法及显示装置
CN103676354B (zh) 电极结构及制备方法、阵列基板及制备方法和显示装置
CN203616554U (zh) 一种阵列基板、显示面板和显示装置
CN201876644U (zh) 一种薄膜晶体管液晶显示面板及液晶显示器
CN206479745U (zh) 一种阵列基板及显示装置
CN102790051B (zh) 阵列基板及其制备方法、显示装置
CN103197478B (zh) 一种阵列基板及液晶显示装置
CN109839767B (zh) 一种阵列基板、显示面板及显示装置
CN101833200A (zh) 水平电场型液晶显示装置及制造方法
CN104122713A (zh) 一种液晶显示器阵列基板的制造方法
CN104730790A (zh) 液晶显示装置、液晶显示器及其制作方法和暗点作业方法
CN104091831A (zh) 一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置
CN103439844B (zh) 阵列基板、显示装置及制作阵列基板的方法
CN105319792A (zh) 阵列基板及液晶显示面板
CN103681692A (zh) 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
CN104090389B (zh) 测试元件组、阵列基板、显示装置和测试方法
CN203733797U (zh) 阵列基板和显示装置
CN104752442A (zh) 一种阵列基板
CN105870136A (zh) 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
CN203337963U (zh) 一种阵列基板以及液晶显示装置
CN203433244U (zh) 具共用电极传导结构的电子装置
CN203932068U (zh) 一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置
CN103296022B (zh) 显示面板的开关电路及显示面板
CN107463015B (zh) 双数据线测试方法、电路及制作方法、阵列基板、显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20160427