KR102468132B1 - 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

표시 장치는 기판, 복수의 화소들, 복수의 데이터선들, 제1 크랙 감지선 및 제2 크랙 감지선을 포함할 수 있다. 기판은 표시 영역 및 표시 영역의 외측의 비표시 영역을 포함할 수 있다. 화소들은 기판의 표시 영역에 위치하고, 데이터선들은 화소들에 연결될 수 있다. 제1 크랙 감지선은 기판의 비표시 영역에 위치하고, 데이터선들 중에서 적어도 하나와 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 크랙 감지선은 비표시 영역의 제1 크랙 감지선의 외측에 위치하고, 데이터선들 중에서 적어도 하나와 전기적으로 연결될 수 있다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 크랙을 감지하는 표시 장치에 관한 것이다.
휴대 전화, 내비게이션, 디지털 사진기, 전자 북, 휴대용 게임기 등과 같은 휴대용 전자 기기에는 액정 표시 장치(liquid crystal display, LCD)나 유기 발광 표시 소자(organic light emitting diode, OLED)가 사용될 수 있다. 이러한 휴대용 전자 기기에 사용되는 표시 장치는 휴대성을 향상시키기 위하여 플렉서블한 형태로 개발되고 있다.
일반적으로, 표시 장치의 패널들은 하나의 모기판 상에 형성되며, 스크라이빙(scribing)되어 개개의 패널로 분리된다. 다만, 모기판이 절단되는 과정에서 패널의 주변에 크랙(crack)이 발생할 수 있다. 따라서, 표시 장치의 패널의 크랙을 감지할 수 있는 방법이 요구되고 있다.
또한, 평판 형태의 표시 장치를 제조한 후 이를 구부려서 플렉서블한 표시 장치를 구현할 수 있다. 이때, 평판 표시 장치를 구부리는 과정에서 패널에 크랙이 발생할 수 있다. 작은 크기의 크랙이 발생한 경우 초기에 잘 발견되지 않으며, 표시 장치의 구동에 큰 영향을 미치지 않을 수 있다. 그러나, 이러한 크랙은 시간이 지남에 따라 점점 더 커질 수 있고, 크랙이 발생한 부분을 통해 표시 장치의 내부로 수분 등이 침투할 수 있다. 수분 등의 침투에 의해 소자 신뢰성이 낮아지게 되고, 표시 장치의 구동에 영향을 미칠 수 있다.
본 발명의 일 목적은 크랙을 감지할 수 있는 표시 장치를 제공하는 것이다.
다만, 본 발명의 목적이 이와 같은 목적들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 영역 및 상기 표시 영역의 외측의 비표시 영역을 포함하는 기판, 상기 기판의 상기 표시 영역에 위치하는 복수의 화소들, 상기 복수의 화소들에 연결되는 복수의 데이터선들, 상기 기판의 상기 비표시 영역에 위치하고, 상기 복수의 데이터선들 중에서 적어도 하나와 전기적으로 연결되는 제1 크랙 감지선, 그리고 상기 비표시 영역의 상기 제1 크랙 감지선의 외측에 위치하고, 상기 복수의 데이터선들 중에서 적어도 하나와 전기적으로 연결되는 제2 크랙 감지선을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 크랙 감지선과 상기 표시 영역 사이의 제1 거리는 상기 제2 크랙 감지선과 상기 표시 영역 사이의 제2 거리보다 작을 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 크랙 감지선 및 상기 제2 크랙 감지선은 상기 표시 영역의 적어도 세 개의 측면들을 전체적으로 둘러쌀 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 크랙 감지선의 길이는 상기 제1 크랙 감지선의 길이보다 클 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 크랙 감지선 및 상기 제2 크랙 감지선은 동일한 층에 위치할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 크랙 감지선 및 상기 제2 크랙 감지선은 서로 다른 층들에 위치할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 각각의 상기 복수의 화소들은 상기 기판 상에 순차적으로 배치되는 반도체막, 게이트 절연막, 게이트 전극 및 층간 절연막을 포함하는 트랜지스터, 그리고 상기 게이트 전극과 동일한 층에 배치되는 하부 전극 및 상기 층간 절연막 상에 배치되는 상부 전극을 포함하는 커패시터를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 크랙 감지선 및 상기 제2 크랙 감지선은 상기 게이트 전극 및 상기 상부 전극 중에서 하나와 동일한 층에 위치할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 크랙 감지선은 상기 게이트 전극 및 상기 상부 전극 중에서 하나와 동일한 층에 위치하고, 상기 제2 크랙 감지선은 상기 게이트 전극 및 상기 상부 전극 중에서 다른 하나와 동일한 층에 위치할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 복수의 데이터선들은 상기 복수의 화소들 중에서 제1 화소 및 상기 제1 크랙 감지선과 전기적으로 연결되는 제1 데이터선, 그리고 상기 복수의 화소들 중에서 제2 화소 및 상기 제2 크랙 감지선과 전기적으로 연결되는 제2 데이터선을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 화소 및 상기 제2 화소는 서로 다른 색들을 방출할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 화소는 적색과 청색 중에서 하나를 방출하고, 상기 제2 화소는 적색과 청색 중에서 다른 하나를 방출할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 비표시 영역에 위치하고, 상기 복수의 데이터선들 중에서 상기 제1 데이터선 또는 상기 제2 데이터선에 인접한 제3 데이터선들에 전기적으로 연결되는 매칭 저항기를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 크랙 감지선, 상기 제2 크랙 감지선 및 상기 매칭 저항기에는 실질적으로 동일한 크기의 전압이 인가될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 매칭 저항기의 저항은 상기 제1 크랙 감지선의 저항 및 상기 제2 크랙 감지선의 저항보다 클 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 비표시 영역에 위치하고, 상기 복수의 데이터선들 중에서 상기 제1 데이터선에 인접한 제3 데이터선들에 전기적으로 연결되는 제1 매칭 저항기, 그리고 상기 비표시 영역에 위치하고, 상기 복수의 데이터선들 중에서 상기 제2 데이터선에 인접한 제4 데이터선들에 전기적으로 연결되는 제2 매칭 저항기를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 매칭 저항기의 저항은 상기 제1 크랙 감지선의 저항보다 크고, 상기 제2 매칭 저항기의 저항은 상기 제2 크랙 감지선의 저항보다 클 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 매칭 저항기의 저항은 상기 제1 매칭 저항기의 저항보다 클 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 제1 데이터선과 상기 제1 크랙 감지선을 연결하는 제1 스위칭 소자 및 상기 제2 데이터선과 상기 제2 크랙 감지선을 연결하는 제2 스위칭 소자를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 비표시 영역에 위치하는 제1 크랙 감지선 및 제1 크랙 감지선의 외측에 위치하는 제2 크랙 감지선을 포함함으로써, 크랙의 발생 여부를 판단하고, 표시 영역으로부터 크랙이 발생한 거리를 구별할 수 있다.
다만, 본 발명의 효과가 전술한 효과에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 표시 장치를 I-I' 라인 및 II-II' 라인을 따라 자른 단면도이다.
도 3은 도 1의 표시 장치를 나타내는 배치도이다.
도 4는 도 3의 표시 장치의 구동 방법을 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 6은 도 5의 표시 장치를 III-III' 라인 및 IV-IV' 라인을 따라 자른 단면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 배치도이다.
도 8은 도 7의 표시 장치의 구동 방법을 나타내는 도면이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치들을 보다 상세하게 설명한다. 첨부된 도면들 상의 동일한 구성 요소들에 대해서는 동일하거나 유사한 참조 부호들을 사용한다.
이하, 도 1, 도 2 및 도 3을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 구성을 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)는 기판(110), 복수의 화소들(PX), 제1 크랙 감지선(CD1) 및 제2 크랙 감지선(CD2)을 포함할 수 있다.
기판(110)은 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다. 표시 영역(DA)에서는 영상이 표시될 수 있다. 표시 영역(DA)은 기판(110)의 중앙부에 위치할 수 있다. 예를 들면, 표시 영역(DA)은 평면상 직사각형의 형상을 가질 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)의 외측에 위치할 수 있다. 예를 들면, 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)의 측면들을 전체적으로 둘러쌀 수 있다.
화소들(PX)은 기판(110)의 표시 영역(DA)에 위치할 수 있다. 예를 들면, 화소들(PX)은 실질적인 행렬의 형태로 배열될 수 있다. 표시 영역(DA)은 화소들(PX)이 각각 방출하는 광들이 조합된 영상을 표시할 수 있다.
제1 크랙 감지선(CD1) 및 제2 크랙 감지선(CD2)은 기판(110)의 비표시 영역(NDA)에 위치할 수 있다. 비표시 영역(NDA)에 크랙이 발생하면 제1 크랙 감지선(CD1) 및/또는 제2 크랙 감지선(CD2)에 손상이 가해질 수 있다. 본 실시예에 따른 표시 장치(100)는 제1 크랙 감지선(CD1) 및/또는 제2 크랙 감지선(CD2)의 손상 여부에 따라 크랙의 발생 여부를 판단할 수 있다. 제1 크랙 감지선(CD1)은 표시 영역(DA)의 외측에 위치하고, 제2 크랙 감지선(CD2)은 제1 크랙 감지선(CD1)의 외측에 위치할 수 있다.
제1 크랙 감지선(CD1)과 표시 영역(DA) 사이의 제1 거리는 제2 크랙 감지선(CD2)과 표시 영역(DA) 사이의 제2 거리보다 작을 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 거리는 표시 영역(DA)의 일 측면으로부터 제1 크랙 감지선(CD1)까지의 거리이고, 상기 제2 거리는 표시 영역(DA)의 상기 일 측면으로부터 제2 크랙 감지선(CD2)까지의 거리일 수 있다. 이에 따라, 제1 크랙 감지선(CD1)은 표시 영역(DA)과 제2 크랙 감지선(CD2) 사이에 위치할 수 있다. 본 실시예에 따른 표시 장치(100)는 제1 크랙 감지선(CD1) 및/또는 제2 크랙 감지선(CD2)의 손상 여부에 따라 크랙의 발생 여부를 판단하고, 표시 영역으로부터 크랙이 발생한 거리를 구별할 수 있다.
제1 크랙 감지선(CD1) 및 제2 크랙 감지선(CD2)은 표시 영역(DA)의 적어도 세 개의 측면들을 전체적으로 둘러쌀 수 있다. 일 실시예에 있어서, 표시 영역(DA)은 도 1에 도시된 바와 같이 상면, 하면, 좌측면 및 우측면을 가질 수 있고, 제1 크랙 감지선(CD1) 및 제2 크랙 감지선(CD2)은 표시 영역(DA)의 상기 상면, 상기 좌측면 및 상기 우측면을 전체적으로 둘러쌀 수 있다. 예를 들면, 제1 크랙 감지선(CD1)은 비표시 영역(NDA)의 우측 하부로부터 표시 영역(DA)의 상기 우측면, 상기 상면 및 상기 좌측면을 따라 반시계 방향으로 연장되고, 방향을 바꿔 표시 영역(DA)의 상기 좌측면, 상기 상면 및 상기 우측면을 따라 시계 방향으로 연장될 수 있다. 또한, 제2 크랙 감지선(CD2)은 비표시 영역(NDA)의 좌측 하부로부터 표시 영역(DA)의 상기 좌측면, 상기 상면 및 상기 우측면을 따라 시계 방향으로 연장되고, 방향을 바꿔 표시 영역(DA)의 상기 우측면, 상기 상면 및 상기 좌측면을 따라 반시계 방향으로 연장될 수 있다.
제2 크랙 감지선(CD2)의 길이는 제1 크랙 감지선(CD1)의 길이보다 클 수 있다. 여기서, 제1 크랙 감지선(CD1) 및 제2 크랙 감지선(CD2)의 길이는 제1 크랙 감지선(CD1) 및 제2 크랙 감지선(CD2)이 연장되는 방향과 평행한 방향으로의 길이일 수 있다. 제2 크랙 감지선(CD2)은 제1 크랙 감지선(CD1)의 외측에 위치하고, 제2 크랙 감지선(CD2)은 표시 영역(DA)을 둘러싸는 제1 크랙 감지선(CD1)을 둘러쌀 수 있다. 이에 따라, 제2 크랙 감지선(CD2)은 제1 크랙 감지선보다 길게 형성될 수 있다. 또한, 제1 크랙 감지선(CD1)의 폭과 제2 크랙 감지선(CD2)의 폭은 실질적으로 동일할 수 있다. 여기서, 제1 크랙 감지선(CD1) 및 제2 크랙 감지선(CD2)의 폭은 제1 크랙 감지선(CD1) 및 제2 크랙 감지선(CD2)이 연장되는 방향과 수직한 방향으로의 길이일 수 있다. 이 경우, 제2 크랙 감지선(CD2)의 저항은 제1 크랙 감지선(CD1)의 저항보다 클 수 있다.
도 2는 도 1의 표시 장치를 I-I' 라인 및 II-II' 라인을 따라 자른 단면도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)는 기판(110), 트랜지스터(TR), 커패시터(CAP) 및 유기 발광 소자(OLED)를 포함할 수 있다.
기판(110)은 유리, 석영, 플라스틱 등으로 형성될 수 있다.
기판(110) 상에는 버퍼막(115)이 배치될 수 있다. 버퍼막(115)은 기판(110)을 통한 불순물의 침투를 방지할 수 있다. 또한, 버퍼막(115)은 이의 상부에 평탄한 면을 제공할 수 있다. 선택적으로, 버퍼막(115)은 생략될 수도 있다.
버퍼막(115) 상의 표시 영역(DA)에는 트랜지스터(TR)가 배치될 수 있다. 트랜지스터(TR)는 유기 발광 소자(OLED)에 전류를 공급할 수 있다. 본 실시예에 따른 표시 장치(100)는 탑 게이트(top-gate) 구조의 트랜지스터를 포함하는 것으로 예시되어 있으나, 본 실시예는 이에 한정되지 아니하고, 바텀 게이트(bottom-gate) 구조의 트랜지스터를 포함할 수도 있다. 트랜지스터(TR)는 반도체막(120), 게이트 전극(131), 소스 전극(151) 및 드레인 전극(152)을 포함할 수 있다.
버퍼막(115) 상의 표시 영역(DA)에는 커패시터(CAP)가 배치될 수 있다. 커패시터(CAP)는 트랜지스터(TR)의 전압을 유지할 수 있다. 커패시터(CAP)는 하부 전극(132) 및 상부 전극(140)을 포함할 수 있다.
버퍼막(115) 상에는 반도체막(120)이 배치될 수 있다. 반도체막(120)은 비정질 실리콘, 다결정질 실리콘 등을 포함할 수 있다. 선택적으로, 반도체막(120)은 산화물 반도체를 포함할 수도 있다.
버퍼막(115) 상에는 반도체막(120)을 덮는 게이트 절연막(125)이 배치될 수 있다. 게이트 절연막(125)은 반도체막(120)으로부터 게이트 전극(131)을 절연시킬 수 있다. 게이트 절연막(125)은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx) 등을 포함할 수 있다.
게이트 절연막(125) 상에는 게이트 전극(131) 및 하부 전극(132)이 배치될 수 있다. 게이트 전극(131)은 반도체막(120)과 중첩할 수 있다. 하부 전극(132)은 게이트 전극(131)과 이격할 수 있다. 게이트 전극(131) 및 하부 전극(132)은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo) 또는 티타늄(Ti)을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 게이트 전극(131)과 하부 전극(132)은 동일한 층에 형성될 수 있다. 게이트 전극(131)과 하부 전극(132)은 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다.
게이트 절연막(125) 상에는 게이트 전극(131)과 하부 전극(132)을 덮는 제1 층간 절연막(135)이 배치될 수 있다. 제1 층간 절연막(135)은 하부 전극(132)으로부터 상부 전극(140)을 절연시킬 수 있다. 제1 층간 절연막(135)은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx) 등을 포함할 수 있다.
제1 층간 절연막(135) 상에는 상부 전극(140)이 배치될 수 있다. 상부 전극(140)은 하부 전극(132)과 중첩할 수 있다. 상부 전극(140)은 Au, Ag, Cu, Ni, Pt, Pd, Al, Mo 또는 Ti를 포함할 수 있다.
제1 층간 절연막(135) 상에는 상부 전극(140)을 덮는 제2 층간 절연막(145)이 배치될 수 있다. 제1 층간 절연막(135) 및 제2 층간 절연막(145)은 게이트 전극(131)으로부터 소스 전극(151) 및 드레인 전극(152)을 절연시킬 수 있다. 제2 층간 절연막(145)은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx) 등을 포함할 수 있다.
제2 층간 절연막(145) 상에는 소스 전극(151) 및 드레인 전극(152)이 배치될 수 있다. 소스 전극(151) 및 드레인 전극(152)은 반도체막(120)과 접촉할 수 있다. 예를 들면, 소스 전극(151) 및 드레인 전극(152)은 각각 게이트 절연막(125), 제1 층간 절연막(135) 및 제2 층간 절연막(145)에 형성된 접촉 구멍들을 통해 반도체막(120)과 접촉할 수 있다. 소스 전극(151) 및 드레인 전극(152)은 Au, Ag, Cu, Ni, Pt, Pd, Al, Mo 또는 Ti를 포함할 수 있다. 예를 들면, 소스 전극(151) 및 드레인 전극(152)은 Mo/Al/Mo 또는 Ti/Al/Ti와 같은 다층막으로 형성될 수 있다.
제2 층간 절연막(145) 상에는 트랜지스터(TR)를 덮는 평탄화막(155)이 배치될 수 있다. 평탄화막(155)은 이의 상부에 평탄한 면을 제공할 수 있다. 평탄화막(155)은 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 실록산계 수지, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지 등과 같은 감광성 유기물을 포함할 수 있다.
평탄화막(155) 상의 표시 영역(DA)에는 유기 발광 소자(OLED)가 배치될 수 있다. 유기 발광 소자(OLED)는 트랜지스터(TR)가 공급하는 전류에 기초하여 광을 방출할 수 있다. 유기 발광 소자(OLED)는 제1 전극(160), 유기 발광층(170) 및 제2 전극(180)을 포함할 수 있다.
평탄화막(155) 상의 표시 영역(DA)에는 제1 전극(160)이 배치될 수 있다. 제1 전극(160)은 화소 별로 패터닝될 수 있다. 제1 전극(160)은 드레인 전극(152)과 접촉할 수 있다. 예를 들면, 제1 전극(160)은 평탄화막(155)에 형성된 접촉 구멍을 통해 드레인 전극(152)과 접촉할 수 있다. 제1 전극(160)은 반사 전극일 수 있다. 제1 전극(160)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr) 등으로 형성되는 반사층 및 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 아연 산화물(ZnO), 인듐 산화물(In2O3) 등으로 형성되는 투과층을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 전극(160)은 ITO/Ag/ITO와 같은 다층막으로 형성될 수 있다.
평탄화막(155) 상에는 제1 전극(160)을 덮는 화소 정의막(165)이 배치될 수 있다. 화소 정의막(165)은 제1 전극(160)의 가장자리를 덮어 제1 전극(160)의 중심부를 노출시키는 개구를 포함할 수 있다. 화소 정의막(165)은 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 실록산계 수지, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지 등과 같은 감광성 유기물을 포함할 수 있다.
제1 전극(160) 상에는 유기 발광층(170)이 배치될 수 있다. 유기 발광층(170)은 화소 정의막(165)의 상기 개구 내에 배치될 수 있다.
유기 발광층(170) 상에는 제2 전극(180)이 배치될 수 있다. 제2 전극(180)은 화소들에 공통으로 제공될 수 있다. 제2 전극(180)은 투과 전극일 수 있다. 예를 들면, 제2 전극(180)은 금속, 금속 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등으로 형성될 수 있다.
제1 크랙 감지선(CD1) 및 제2 크랙 감지선(CD2)은 기판(110) 상의 비표시 영역(NDA)에 위치할 수 있다. 제1 크랙 감지선(CD1)은 표시 영역(DA)의 외측에 위치하고, 제2 크랙 감지선(CD2)은 제1 크랙 감지선(CD1)의 외측에 위치할 수 있다.
제1 크랙 감지선(CD1) 및 제2 크랙 감지선(CD2)은 동일한 층에 위치할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 크랙 감지선(CD1) 및 제2 크랙 감지선(CD2)은 트랜지스터(TR)의 게이트 전극(131) 및 커패시터(CAP)의 상부 전극(140) 중에서 하나와 동일한 층에 위치할 수 있다. 예를 들면, 도 2에 도시된 바와 같이 제1 크랙 감지선(CD1) 및 제2 크랙 감지선(CD2)은 제1 층간 절연막(135) 상에 배치되는 상부 전극(140)과 동일한 층에 위치할 수 있다. 그러나, 본 실시예는 이에 한정되지 아니하고, 제1 크랙 감지선(CD1) 및 제2 크랙 감지선(CD2)은 게이트 절연막(125) 상에 배치되는 게이트 전극(131)과 동일한 층에 위치할 수도 있다.
도 3은 도 1의 표시 장치를 나타내는 배치도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)는 화소들(PX), 복수의 데이터선들(DT), 구동부(DVR), 제1 크랙 감지선(CD1), 제2 크랙 감지선(CD2), 매칭 저항기(MR), 외부 회로(EC) 및 스위칭 소자들(SW)을 포함할 수 있다.
화소들(PX)은 복수의 적색 화소들(R), 복수의 녹색 화소들(G) 및 복수의 청색 화소들(B)을 포함할 수 있다. 적색 화소(R), 녹색 화소(G) 및 청색 화소(B)는 각각 청색광, 녹색광 및 청색광을 방출할 수 있다. 도 3에는 적색 화소들(R), 녹색 화소들(G) 및 청색 화소들(B)이 행방향을 따라 순차적으로 배열되는 스트라이프(stripe) 형태로 화소들(PX)이 배치되어 있으나, 본 실시예는 이에 한정되지 아니하고, 화소들(PX)은 다양한 행태로 배열될 수 있다.
데이터선들(DT)은 화소들(PX)에 연결될 수 있다. 데이터선들(DT)은 열방향으로 연장되고, 행방향을 따라 순차적으로 배열될 수 있다. 각 데이터선(DT)은 화소들(PX) 중에서 대응되는 화소들(PX)에 연결될 수 있다. 예를 들면, 각 데이터선(DT)은 화소들(PX)을 포함하는 화소열들 중에서 대응되는 화소열에 연결될 수 있다.
데이터선들(DT)은 화소들(PX) 중에서 제1 화소(PX1)를 포함하는 화소열에 전기적으로 연결되는 제1 데이터선(DT1) 및 화소들(PX) 중에서 제2 화소(PX2)를 포함하는 화소열에 전기적으로 연결되는 제2 데이터선(DT2)을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제1 화소(PX1) 및 제2 화소(PX2)는 서로 다른 색들을 방출할 수 있다. 예를 들면, 제1 화소(PX1)는 적색과 청색 중에서 하나를 방출하고, 제2 화소(PX2)는 적색과 청색 중에서 다른 하나를 방출할 수 있다. 도 3에는 제1 화소(PX1)는 청색 화소(B)이고, 제2 화소(PX2)는 적색 화소(R)인 것으로 예시되어 있으나, 본 실시예는 이에 한정되지 아니하고, 제1 화소(PX1)는 적색 화소(R), 녹색 화소(G) 및 청색 화소(B) 중에서 하나이고, 제2 화소(PX2)는 적색 화소(R), 녹색 화소(G) 및 청색 화소(B) 중에서 다른 하나일 수 있다.
데이터선들(DT)은 구동부(DVR)에 연결될 수 있다. 데이터선들(DT)은 구동부(DVR)로부터 전송받은 데이터 전압들을 화소들(PX)에 전송할 수 있다. 화소들(PX)은 데이터선들(DT)로부터 전송받은 상기 데이터 전압들에 기초하여 발광할 수 있다.
제1 크랙 감지선(CD1)은 데이터선들(DT) 중에서 적어도 하나와 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들면, 제1 크랙 감지선(CD1)은 데이터선들(DT) 중에서 제1 데이터선(DT1)에 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 크랙 감지선(CD1)은 제2 연결부(C1b)를 통해 제1 데이터선(DT1)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들면, 제1 크랙 감지선(CD1)은 제1 연결부(C1a)로부터 표시 영역(DA)의 가장자리에 인접한 비표시 영역(NDA)을 따라 제1 방향(R1), 제1 방향(R1)과 수직하는 제2 방향(R2) 및 제1 방향(R1)과 반대 방향인 제3 방향(R3)으로 연장되고, 방향을 바꿔 제1 방향(R1), 제2 방향(R2)과 반대 방향인 제4 방향(R4) 및 제3 방향(R3)으로 연장되어 제2 연결부(C1b)를 통해 제1 데이터선(DT1)에 전기적으로 연결될 수 있다.
제2 크랙 감지선(CD2)은 데이터선들(DT) 중에서 적어도 하나와 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들면, 제2 크랙 감지선(CD2)은 데이터선들(DT) 중에서 제2 데이터선(DT2)에 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 크랙 감지선(CD2)은 제4 연결부(C2b)를 통해 제2 데이터선(DT2)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들면, 제2 크랙 감지선(CD2)은 제3 연결부(C2a)로부터 표시 영역(DA)의 가장자리에 인접한 비표시 영역(NDA)을 따라 제1 방향(R1), 제4 방향(R4) 및 제3 방향(R3)으로 연장되고, 방향을 바꿔 제1 방향(R1), 제2 방향(R2) 및 제3 방향(R3)으로 연장되어 제4 연결부(C2b)를 통해 제2 데이터선(DT2)에 전기적으로 연결될 수 있다.
매칭 저항기(MR)는 비표시 영역(NDA)에 위치할 수 있다. 매칭 저항기(MR)의 일단은 데이터선들(DT) 중에서 제1 데이터선(DT1) 또는 제2 데이터선(DT2)에 인접한 제3 데이터선들(DT3)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들면, 제3 데이터선들(DT3)은 데이터선들(DT) 중에서 제1 데이터선(DT1) 및 제2 데이터선(DT2)을 제외한 나머지 데이터선들일 수 있다. 매칭 저항기(MR)는 크랙 감지선들(CD1, CD2)에 연결되는 데이터선들(DT1, DT2)과 크랙 감지선들(CD1, CD2)에 연결되지 않는 제3 데이터선들(DT3) 사이의 저항 차를 보상하기 위하여 형성될 수 있다. 이에 따라, 매칭 저항기(MR)의 저항은 제1 크랙 감지선(CD1)의 저항 및 제2 크랙 감지선(CD2)의 저항을 고려하여 결정될 수 있다.
제1 크랙 감지선(CD1), 제2 크랙 감지선(CD2) 및 매칭 저항기(MR)는 외부 회로(EC)에 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 크랙 감지선(CD1)은 제1 연결부(C1a)를 통해 외부 회로(EC)에 전기적으로 연결되고, 제2 크랙 감지선(CD2)은 제3 연결부(C2a)를 통해 외부 회로(EC)에 전기적으로 연결되며, 매칭 저항기(MR)의 타단은 외부 회로(EC)에 전기적으로 연결될 수 있다. 데이터선들(DT)은 제1 크랙 감지선(CD1), 제2 크랙 감지선(CD2) 및 매칭 저항기(MR)를 통해 외부 회로(EC)로부터 전송받은 테스트 전압들을 화소들(PX)에 전송할 수 있다. 화소들(PX)은 데이터선들(DT)로부터 전송받은 상기 테스트 전압들에 기초하여 발광할 수 있다.
스위칭 소자들(SW)은 데이터선들(DT)과 제1 크랙 감지선(CD1), 제2 크랙 감지선(CD2) 및 매칭 저항기(MR)를 선택적으로 연결할 수 있다. 스위칭 소자들(SW)은 제1 데이터선(DT1)과 제1 크랙 감지선(CD1)을 연결하는 제1 스위칭 소자(SW1) 및 제2 데이터선(DT2)과 제2 크랙 감지선(CD2)을 연결하는 제2 스위칭 소자(SW2)를 포함할 수 있다.
이하, 도 4를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 구동 방법을 설명한다.
도 4는 도 3의 표시 장치의 구동 방법을 나타내는 도면이다.
도 4를 참조하면, 먼저 구동부(DVR)를 비활성화시킬 수 있다. 이 경우, 구동부(DVR)로부터 데이터선들(DT)에 데이터 전압이 인가되지 않을 수 있다.
그 다음, 비표시 영역(NDA)에서 크랙의 발생 여부를 확인할 수 있다. 구체적으로, 스위칭 소자들(SW)을 턴-온시켜 데이터선들(DT)과 제1 크랙 감지선(CD1), 제2 크랙 감지선(CD2) 및 매칭 저항기(MR)를 연결하고, 외부 회로(EC)에서 제1 크랙 감지선(CD1), 제2 크랙 감지선(CD2) 및 매칭 저항기(MR)에 테스트 전압들(V0)을 인가할 수 있다. 여기서, 제1 크랙 감지선(CD1), 제2 크랙 감지선(CD2) 및 매칭 저항기(MR)에 인가되는 테스트 전압들(VO)은 동일한 크기의 전압을 가질 수 있다.
제1 크랙 감지선(CD1)을 통해 전송되는 테스트 전압(V0)은 제1 크랙 감지선(CD1)의 저항에 의해 전압 강하되어 제1 데이터선(DT1)에는 테스트 전압(V0)보다 작은 크기를 가지는 제1 테스트 전압(V1)이 인가되고, 제2 크랙 감지선(CD2)을 통해 전송되는 테스트 전압(V0)은 제2 크랙 감지선(CD2)의 저항에 의해 전압 강하되어 제2 데이터선(DT2)에는 테스트 전압(V0)보다 작은 크기를 가지는 제2 테스트 전압(V2)이 인가될 수 있다. 또한, 매칭 저항기(MR)를 통해 전송되는 테스트 전압(V0)은 매칭 저항기(MR)의 저항에 의해 전압 강하되어 제3 데이터선들(DT3)에는 테스트 전압(V0)보다 작은 크기를 가지는 제3 테스트 전압(V3)이 인가될 수 있다.
제1 크랙 감지선(CD1) 및 제2 크랙 감지선(CD2)에 크랙이 발생되지 않는 경우에, 매칭 저항기(MR)의 저항은 제1 크랙 감지선(CD1)의 저항 및 제2 크랙 감지선(CD2)의 저항보다 클 수 있다. 이 경우, 제3 테스트 전압(V3)은 제1 테스트 전압(V1) 및 제2 테스트 전압(V2)보다 작은 크기를 가질 수 있다. 예를 들면, 외부 회로(EC)로부터 약 10V의 크기를 가지는 테스트 전압(VO)이 인가되는 경우에, 제1 테스트 전압(V1) 및 제2 테스트 전압(V2)은 약 8V의 크기를 가지고, 제3 테스트 전압(V3)은 약 7.5V의 크기를 가질 수 있다. 이에 따라, 제1 데이터선(DT1) 및 제2 데이터선(DT2)에는 제3 데이터선들(DT3)보다 큰 크기를 가지는 전압들이 인가되고, 제1 화소(PX1) 및 제2 화소(PX2)는 다른 화소열들의 화소들(PX)보다 어두운 광을 방출할 수 있다.
제1 크랙 감지선(CD1) 및 제2 크랙 감지선(CD2)에 크랙이 발생되는 경우에, 제1 크랙 감지선(CD1) 및 제2 크랙 감지선(CD2)의 저항이 증가할 수 있고, 매칭 저항기(MR)의 저항은 제1 크랙 감지선(CD1)의 저항 및 제2 크랙 감지선(CD2)의 저항보다 작을 수 있다. 이 경우, 제3 테스트 전압(V3)은 제1 테스트 전압(V1) 및 제2 테스트 전압(V2)보다 큰 크기를 가질 수 있다. 예를 들면, 외부 회로(EC)로부터 약 10V의 크기를 가지는 테스트 전압(VO)이 인가되는 경우에, 제1 테스트 전압(V1) 및 제2 테스트 전압(V2)은 약 6V의 크기를 가지고, 제3 테스트 전압(V3)은 약 7.5V의 크기를 가질 수 있다. 이에 따라, 제1 데이터선(DT1) 및 제2 데이터선(DT2)에는 제3 데이터선들(DT3)보다 작은 크기를 가지는 전압들이 인가되고, 제1 화소(PX1) 및 제2 화소(PX2)는 다른 화소열들의 화소들(PX)보다 밝은 광을 방출할 수 있다.
제1 크랙 감지선(CD1)에 크랙이 발생되는 경우에, 제1 화소(PX1)가 다른 화소열들의 화소들(PX)보다 밝은 광을 방출할 수 있다. 이에 따라, 외부 회로(EC)에서 테스트 전압(V0)을 인가할 때 제1 화소(PX1)를 포함하는 화소열이 다른 화소열들보다 밝은 광을 방출하는 경우에, 비표시 영역(NDA)의 안쪽에 크랙이 발생되었음을 확인할 수 있다. 예를 들면, 외부 회로(EC)에서 테스트 전압(V0)을 인가할 때 청색의 명선이 시인되는 경우에, 비표시 영역(NDA)의 안쪽에 크랙이 발생되었음을 확인할 수 있다.
제2 크랙 감지선(CD2)에 크랙이 발생되는 경우에, 제2 화소(PX2)가 다른 화소열들의 화소들(PX)보다 밝은 광을 방출할 수 있다. 이에 따라, 외부 회로(EC)에서 테스트 전압(V0)을 인가할 때, 제2 화소(PX2)를 포함하는 화소열이 다른 화소열들보다 밝은 광을 방출하는 경우에, 비표시 영역(NDA)의 바깥쪽에 크랙이 발생되었음을 확인할 수 있다. 예를 들면, 외부 회로(EC)에서 테스트 전압(V0)을 인가할 때 적색의 명선이 시인되는 경우에, 비표시 영역(NDA)의 바깥쪽에 크랙이 발생되었음을 확인할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)는 제1 크랙 감지선(CD1) 및 제1 크랙 감지선(CD1)의 외측에 위치하는 제2 크랙 감지선(CD2)을 포함함으로써, 크랙의 발생 여부를 판단하고, 표시 영역(DA)으로부터 크랙이 발생한 거리를 구별할 수 있다.
표시 영역(DA)으로부터 크랙이 발생한 거리에 따라 표시 영역(DA)에 위치하는 화소들(PX)에 미치는 영향이 다를 수 있다. 예를 들면, 비표시 영역(NDA)의 안쪽에 발생하는 크랙이 비표시 영역(NDA)의 바깥쪽에 발생하는 크랙보다 화소들(PX)에 더욱 영향을 미칠 수 있다. 본 실시예에 따른 표시 장치(100)에 의하면, 크랙의 발생 여부를 판단할 뿐만 아니라 표시 영역(DA)으로부터 크랙이 발생한 거리를 구별할 수 있음으로써, 표시 장치의 수율을 향상시킬 수 있다.
이하, 도 5 및 도 6을 참조하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 구성을 설명한다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다. 도 6은 도 5의 표시 장치를 III-III' 라인 및 IV-IV' 라인을 따라 자른 단면도이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치(200)는 기판(210), 복수의 화소들(PX), 제1 크랙 감지선(CD1) 및 제2 크랙 감지선(CD2)을 포함할 수 있다. 각각의 화소들(PX)은 트랜지스터(TR), 커패시터(CAP) 및 유기 발광 소자(OLED)를 포함할 수 있다. 도 5 및 도 6을 참조하여 설명하는 다른 실시예에 따른 표시 장치(200)에 있어서, 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 일 실시예에 따른 표시 장치(100)의 구성들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성들에 대한 상세한 설명은 생략한다.
제1 크랙 감지선(CD1) 및 제2 크랙 감지선(CD2)은 기판(210) 상의 비표시 영역(NDA)에 위치할 수 있다. 제1 크랙 감지선(CD1)은 표시 영역(DA)의 외측에 위치하고, 제2 크랙 감지선(CD2)은 제1 크랙 감지선(CD1)의 외측에 위치할 수 있다.
제1 크랙 감지선(CD1) 및 제2 크랙 감지선(CD2)은 서로 다른 층들에 위치할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 크랙 감지선(CD1)은 트랜지스터(TR)의 게이트 전극(231) 및 커패시터(CAP)의 상부 전극(240) 중에서 하나와 동일한 층에 위치하고, 제2 크랙 감지선(CD2)은 게이트 전극(231) 및 상부 전극(240) 중에서 다른 하나와 동일한 층에 위치할 수 있다. 예를 들면, 도 6에 도시된 바와 같이 제1 크랙 감지선(CD1)은 제1 층간 절연막(235) 상에 배치되는 상부 전극(240)과 동일한 층에 위치하고, 제2 크랙 감지선(CD2)은 게이트 절연막(225) 상에 배치되는 게이트 전극(231)과 동일한 층에 위치할 수 있다. 그러나, 본 실시예는 이에 한정되지 아니하고, 제1 크랙 감지선(CD1)은 게이트 전극(231)과 동일한 층에 위치하고, 제2 크랙 감지선(CD2)은 상부 전극(240)과 동일한 층에 위치할 수도 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치(200)는 제1 크랙 감지선(CD1) 및 제1 크랙 감지선(CD1)의 외측에 위치하는 제2 크랙 감지선(CD2)을 포함하고, 제1 크랙 감지선(CD1)과 제2 크랙 감지선(CD2)이 서로 다른 층들에 배치됨으로써, 크랙의 발생 여부를 판단하고, 표시 영역(DA)으로부터 크랙이 발생한 거리 및 기판(210)으로부터 크랙이 발생한 거리를 구별할 수 있다.
이하, 도 7을 참조하여, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 구성을 설명한다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 배치도이다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(300)는 화소들(PX), 복수의 데이터선들(DT), 구동부(DVR), 제1 크랙 감지선(CD1), 제2 크랙 감지선(CD2), 제1 매칭 저항기(MR1), 제2 매칭 저항기(MR2), 외부 회로(EC) 및 스위칭 소자들(SW)을 포함할 수 있다. 도 7을 참조하여 설명하는 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(300)에 있어서, 도 3을 참조하여 설명한 일 실시예에 따른 표시 장치(100)의 구성들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성들에 대한 상세한 설명은 생략한다.
제1 매칭 저항기(MR1) 및 제2 매칭 저항기(MR2)는 비표시 영역(NDA)에 위치할 수 있다. 제1 매칭 저항기(MR1)의 일단은 데이터선들(DT) 중에서 제1 데이터선(DT1)에 인접한 제3 데이터선들(DT3)에 전기적으로 연결되고, 제2 매칭 저항기(MR2)의 일단은 데이터선들(DT) 중에서 제2 데이터선(DT2)에 인접한 제4 데이터선들(DT4)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들면, 제3 데이터선들(DT3) 및 제4 데이터선들(DT4)은 데이터선들(DT) 중에서 제1 데이터선(DT1) 및 제2 데이터선(DT2)을 제외한 나머지 데이터선들이고, 제3 데이터선들(DT3)의 개수 및 제4 데이터선들(DT4)의 개수는 실질적으로 같을 수 있다. 제1 매칭 저항기(MR1)는 제1 크랙 감지선(CD1)에 연결되는 제1 데이터선(DT1)과 제1 크랙 감지선(CD1)에 연결되지 않는 제3 데이터선들(DT3) 사이의 저항 차를 보상하기 위하여 형성되고, 제2 매칭 저항기(MR2)는 제2 크랙 감지선(CD2)에 연결되는 제2 데이터선(DT2)과 제2 크랙 감지선(CD2)에 연결되지 않는 제4 데이터선들(DT4) 사이의 저항 차를 보상하기 위하여 형성될 수 있다. 이에 따라, 제1 매칭 저항기(MR1)의 저항 및 제2 매칭 저항기(MR2)의 저항은 각각 제1 크랙 감지선(CD1)의 저항 및 제2 크랙 감지선(CD2)의 저항을 고려하여 결정될 수 있다.
제1 크랙 감지선(CD1), 제2 크랙 감지선(CD2), 제1 매칭 저항기(MR1) 및 제2 매칭 저항기(MR2)는 외부 회로(EC)에 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 매칭 저항기(MR1)의 타단 및 제2 매칭 저항기(MR2)의 타단은 외부 회로(EC)에 전기적으로 연결될 수 있다. 데이터선들(DT)은 제1 크랙 감지선(CD1), 제2 크랙 감지선(CD2), 제1 매칭 저항기(MR1) 및 제2 매칭 저항기(MR2)를 통해 외부 회로(EC)로부터 전송받은 테스트 전압들을 화소들(PX)에 전송할 수 있다. 화소들(PX)은 데이터선들(DT)로부터 전송받은 상기 테스트 전압들에 기초하여 발광할 수 있다.
스위칭 소자들(SW)은 데이터선들(DT)과 제1 크랙 감지선(CD1), 제2 크랙 감지선(CD2), 제1 매칭 저항기(MR1) 및 제2 매칭 저항기(MR2)를 선택적으로 연결할 수 있다.
이하, 도 8을 참조하여, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 구동 방법을 설명한다.
도 8은 도 7의 표시 장치의 구동 방법을 나타내는 도면이다.
도 8을 참조하면, 먼저 구동부(DVR)를 비활성화시킬 수 있다. 이 경우, 구동부(DVR)로부터 데이터선들(DT)에 데이터 전압이 인가되지 않을 수 있다.
그 다음, 비표시 영역(NDA)에서 크랙의 발생 여부를 확인할 수 있다. 구체적으로, 스위칭 소자들(SW)을 턴-온시켜 데이터선들(DT)과 제1 크랙 감지선(CD1), 제2 크랙 감지선(CD2), 제1 매칭 저항기(MR1) 및 제2 매칭 저항기(MR2)를 연결하고, 외부 회로(EC)에서 제1 크랙 감지선(CD1), 제2 크랙 감지선(CD2), 제1 매칭 저항기(MR1) 및 제2 매칭 저항기(MR2)에 테스트 전압들(V0)을 인가할 수 있다. 여기서, 제1 크랙 감지선(CD1), 제2 크랙 감지선(CD2), 제1 매칭 저항기(MR1) 및 제2 매칭 저항기(MR2)에 인가되는 테스트 전압들(VO)은 동일한 크기의 전압을 가질 수 있다.
제1 크랙 감지선(CD1)을 통해 전송되는 테스트 전압(V0)은 제1 크랙 감지선(CD1)의 저항에 의해 전압 강하되어 제1 데이터선(DT1)에는 테스트 전압(V0)보다 작은 크기를 가지는 제1 테스트 전압(V1)이 인가되고, 제2 크랙 감지선(CD2)을 통해 전송되는 테스트 전압(V0)은 제2 크랙 감지선(CD2)의 저항에 의해 전압 강하되어 제2 데이터선(DT2)에는 테스트 전압(V0)보다 작은 크기를 가지는 제2 테스트 전압(V2)이 인가될 수 있다. 또한, 제1 매칭 저항기(MR1)를 통해 전송되는 테스트 전압(V0)은 제1 매칭 저항기(MR1)의 저항에 의해 전압 강하되어 제3 데이터선들(DT3)에는 테스트 전압(V0)보다 작은 크기를 가지는 제3 테스트 전압(V3)이 인가되고, 제2 매칭 저항기(MR2)를 통해 전송되는 테스트 전압(V0)은 제2 매칭 저항기(MR2)의 저항에 의해 전압 강하되어 제4 데이터선들(DT4)에는 테스트 전압(V0)보다 작은 크기를 가지는 제4 테스트 전압(V4)이 인가될 수 있다.
제1 크랙 감지선(CD1) 및 제2 크랙 감지선(CD2)에 크랙이 발생되지 않는 경우에, 제1 매칭 저항기(MR1)의 저항은 제1 크랙 감지선(CD1)의 저항보다 크고, 제2 매칭 저항기(MR2)의 저항은 제2 크랙 감지선(CD2)의 저항보다 클 수 있다. 이 경우, 제3 테스트 전압(V3)은 제1 테스트 전압(V1)보다 작은 크기를 가지고, 제4 테스트 전압(V4)은 제2 테스트 전압(V2)보다 작은 크기를 가질 수 있다. 이에 따라, 제1 데이터선(DT1) 및 제2 데이터선(DT2)에는 각각 제3 데이터선들(DT3) 및 제4 데이터선들(DT4)보다 큰 크기를 가지는 전압들이 인가되고, 제1 화소(PX1) 및 제2 화소(PX2)는 다른 화소열들의 화소들(PX)보다 어두운 광을 방출할 수 있다.
제1 크랙 감지선(CD1) 및 제2 크랙 감지선(CD2)에 크랙이 발생되는 경우에, 제1 크랙 감지선(CD1) 및 제2 크랙 감지선(CD2)의 저항이 증가할 수 있고, 제1 매칭 저항기(MR1)의 저항은 제1 크랙 감지선(CD1)의 저항보다 작으며, 제2 매칭 저항기(MR2)의 저항은 제2 크랙 감지선(CD2)의 저항보다 작을 수 있다. 이 경우, 제3 테스트 전압(V3)은 제1 테스트 전압(V1)보다 큰 크기를 가지고, 제4 테스트 전압(V4)은 제2 테스트 전압(V2)보다 큰 크기를 가질 수 있다. 이에 따라, 제1 데이터선(DT1) 및 제2 데이터선(DT2)에는 각각 제3 데이터선들(DT3) 및 제4 데이터선들(DT4)보다 작은 크기를 가지는 전압들이 인가되고, 제1 화소(PX1) 및 제2 화소(PX2)는 다른 화소열들의 화소들(PX)보다 밝은 광을 방출할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제2 매칭 저항기(MR2)의 저항은 제1 매칭 저항기(MR1)의 저항보다 클 수 있다. 제1 크랙 감지선(CD1) 및 제2 크랙 감지선(CD2)에 크랙이 발생되지 않는 경우에, 제1 매칭 저항기(MR1)의 저항은 제1 크랙 감지선(CD1)의 저항보다 크고, 제2 매칭 저항기(MR2)의 저항은 제2 크랙 감지선(CD2)의 저항보다 클 수 있다. 또한, 제2 크랙 감지선(CD2)의 길이는 제1 크랙 감지선(CD1)의 길이보다 크고, 제2 크랙 감지선(CD2)의 저항은 제1 크랙 감지선(CD1)의 저항보다 클 수 있다. 이에 따라, 상대적으로 길게 형성되는 제2 크랙 감지선(CD2)에 연결되는 제2 데이터선(DT2)에 인접한 제4 데이터선들(DT4)과 연결되는 제2 매칭 저항기(MR2)의 저항은 상대적으로 짧게 형성되는 제1 크랙 감지선(CD1)에 연결되는 제1 데이터선(DT1)에 인접한 제3 데이터선들(DT3)과 연결되는 제1 매칭 저항기(MR1)의 저항보다 클 수 있다.
제1 크랙 감지선(CD1)에 크랙이 발생되는 경우에, 제1 화소(PX1)가 제3 데이터선들(DT3)에 연결되는 화소열들의 화소들(PX)보다 밝은 광을 방출할 수 있다. 이에 따라, 외부 회로(EC)에서 테스트 전압(V0)을 인가할 때, 제1 화소(PX1)를 포함하는 화소열이 제3 데이터선들(DT3)에 연결되는 화소열들보다 밝은 광을 방출하는 경우에, 비표시 영역(NDA)의 안쪽에 크랙이 발생되었음을 확인할 수 있다. 예를 들면, 외부 회로(EC)에서 테스트 전압(V0)을 인가할 때 청색의 명선이 시인되는 경우에, 비표시 영역(NDA)의 안쪽에 크랙이 발생되었음을 확인할 수 있다.
제2 크랙 감지선(CD2)에 크랙이 발생되는 경우에, 제2 화소(PX2)가 제4 데이터선들(DT4)에 연결되는 화소열들의 화소들(PX)보다 밝은 광을 방출할 수 있다. 이에 따라, 외부 회로(EC)에서 테스트 전압(V0)을 인가할 때, 제2 화소(PX2)를 포함하는 화소열이 제4 데이터선들(DT4)에 연결되는 화소열들보다 밝은 광을 방출하는 경우에, 비표시 영역(NDA)의 바깥쪽에 크랙이 발생되었음을 확인할 수 있다. 예를 들면, 외부 회로(EC)에서 테스트 전압(V0)을 인가할 때 적색의 명선이 시인되는 경우에, 비표시 영역(NDA)의 바깥쪽에 크랙이 발생되었음을 확인할 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치는 컴퓨터, 노트북, 휴대폰, 스마트폰, 스마트패드, 피엠피(PMP), 피디에이(PDA), MP3 플레이어 등에 포함되는 표시 장치에 적용될 수 있다.
이상, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치들에 대하여 도면들을 참조하여 설명하였지만, 설시한 실시예들은 예시적인 것으로서 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 수정 및 변경될 수 있을 것이다.
110: 기판 131: 게이트 전극
132: 하부 전극 140: 상부 전극
DA: 표시 영역 NDA: 비표시 영역
PX: 화소들 DT: 데이터선들
CD1: 제1 크랙 감지선 CD2: 제2 크랙 감지선
MR: 매칭 저항기 SW: 스위칭 소자들

Claims (20)

  1. 표시 영역 및 상기 표시 영역의 외측의 비표시 영역을 포함하는 기판;
    상기 기판의 상기 표시 영역에 위치하는 복수의 화소들;
    상기 복수의 화소들에 연결되는 복수의 데이터선들;
    상기 기판의 상기 비표시 영역에 위치하고, 상기 복수의 데이터선들 중에서 적어도 하나와 전기적으로 연결되는 제1 크랙 감지선; 및
    상기 비표시 영역의 상기 제1 크랙 감지선의 외측에 위치하고, 상기 복수의 데이터선들 중에서 적어도 하나와 전기적으로 연결되는 제2 크랙 감지선을 포함하고,
    상기 제2 크랙 감지선은 상기 제1 크랙 감지선의 적어도 일부를 둘러싸는, 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 크랙 감지선과 상기 표시 영역 사이의 제1 거리는 상기 제2 크랙 감지선과 상기 표시 영역 사이의 제2 거리보다 작은, 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 크랙 감지선 및 상기 제2 크랙 감지선은 상기 표시 영역의 적어도 세 개의 측면들을 전체적으로 둘러싸는, 표시 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제2 크랙 감지선의 길이는 상기 제1 크랙 감지선의 길이보다 큰, 표시 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 크랙 감지선 및 상기 제2 크랙 감지선은 동일한 층에 위치하는, 표시 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 크랙 감지선 및 상기 제2 크랙 감지선은 서로 다른 층들에 위치하는, 표시 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    각각의 상기 복수의 화소들은:
    상기 기판 상에 순차적으로 배치되는 반도체막, 게이트 절연막, 게이트 전극 및 층간 절연막을 포함하는 트랜지스터; 및
    상기 게이트 전극과 동일한 층에 배치되는 하부 전극 및 상기 층간 절연막 상에 배치되는 상부 전극을 포함하는 커패시터를 포함하는, 표시 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1 크랙 감지선 및 상기 제2 크랙 감지선은 상기 게이트 전극 및 상기 상부 전극 중에서 하나와 동일한 층에 위치하는, 표시 장치.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 제1 크랙 감지선은 상기 게이트 전극 및 상기 상부 전극 중에서 하나와 동일한 층에 위치하고,
    상기 제2 크랙 감지선은 상기 게이트 전극 및 상기 상부 전극 중에서 다른 하나와 동일한 층에 위치하는, 표시 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 데이터선들은:
    상기 복수의 화소들 중에서 제1 화소 및 상기 제1 크랙 감지선과 전기적으로 연결되는 제1 데이터선; 및
    상기 복수의 화소들 중에서 제2 화소 및 상기 제2 크랙 감지선과 전기적으로 연결되는 제2 데이터선을 포함하는, 표시 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제1 화소 및 상기 제2 화소는 서로 다른 색들을 방출하는, 표시 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제1 화소는 적색과 청색 중에서 하나를 방출하고,
    상기 제2 화소는 적색과 청색 중에서 다른 하나를 방출하는, 표시 장치.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 비표시 영역에 위치하고, 상기 복수의 데이터선들 중에서 상기 제1 데이터선 또는 상기 제2 데이터선에 인접한 제3 데이터선들에 전기적으로 연결되는 매칭 저항기를 더 포함하는, 표시 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제1 크랙 감지선, 상기 제2 크랙 감지선 및 상기 매칭 저항기에는 동일한 크기의 전압이 인가되는, 표시 장치.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 매칭 저항기의 저항은 상기 제1 크랙 감지선의 저항 및 상기 제2 크랙 감지선의 저항보다 큰, 표시 장치.
  16. 제10항에 있어서,
    상기 비표시 영역에 위치하고, 상기 복수의 데이터선들 중에서 상기 제1 데이터선에 인접한 제3 데이터선들에 전기적으로 연결되는 제1 매칭 저항기; 및
    상기 비표시 영역에 위치하고, 상기 복수의 데이터선들 중에서 상기 제2 데이터선에 인접한 제4 데이터선들에 전기적으로 연결되는 제2 매칭 저항기를 더 포함하는, 표시 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 제1 매칭 저항기의 저항은 상기 제1 크랙 감지선의 저항보다 크고,
    상기 제2 매칭 저항기의 저항은 상기 제2 크랙 감지선의 저항보다 큰, 표시 장치.
  18. 제16항에 있어서,
    상기 제2 매칭 저항기의 저항은 상기 제1 매칭 저항기의 저항보다 큰, 표시 장치.
  19. 제10항에 있어서,
    상기 제1 데이터선과 상기 제1 크랙 감지선을 연결하는 제1 스위칭 소자 및 상기 제2 데이터선과 상기 제2 크랙 감지선을 연결하는 제2 스위칭 소자를 더 포함하는, 표시 장치.
  20. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 데이터선들이 연장되는 방향을 따라 상기 제1 크랙 감지선이 상기 표시 영역과 상기 제2 크랙 감지선 사이에 위치하는, 표시 장치.
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