KR102583232B1 - 표시 장치 및 그 검사 방법 - Google Patents

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Abstract

표시 장치는 복수의 화소 및 상기 복수의 화소에 연결되는 복수의 데이터선을 포함하는 표시 영역, 상기 표시 영역 내에 위치하는 홀 영역, 일단 및 타단이 분리되어 상기 홀 영역의 주위를 둘러싸는 형상으로 상기 홀 영역에 인접하여 배치되는 홀 크랙 감지선, 상기 홀 크랙 감지선의 일단에 연결되는 제1 감지 전달 배선 및 상기 홀 크랙 감지선의 타단에 연결되는 제1 감지 수신 배선을 포함하는 제1 감지 배선, 상기 홀 크랙 감지선의 일단에 연결되는 제2 감지 전달 배선 및 상기 홀 크랙 감지선의 타단에 연결되는 제2 감지 수신 배선을 포함하는 제2 감지 배선, 및 상기 제1 감지 수신 배선을 상기 복수의 데이터선 중 하나에 전기적으로 연결시키고, 상기 제2 감지 수신 배선을 상기 복수의 데이터선 중 다른 하나에 전기적으로 연결시키는 검사 제어부를 포함한다.

Description

표시 장치 및 그 검사 방법{DISPLAY DEVICE AND INSPECTING METHOD THEREOF}
본 발명은 표시 장치 및 그 검사 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 홀(hole)이 형성된 표시 패널을 포함하는 표시 장치 및 그 검사 방법에 관한 것이다.
액정 표시 장치(liquid crystal display, LCD), 유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode display, OLED display) 등의 표시 장치는 영상을 표시할 수 있는 복수의 화소 및 복수의 신호선을 포함하는 표시 패널을 포함한다. 각 화소는 데이터 신호를 인가받는 화소 전극을 포함하고, 화소 전극은 적어도 하나의 트랜지스터에 연결되어 데이터 신호를 인가받을 수 있다. 표시 패널은 적층된 복수의 층을 포함할 수 있다.
표시 패널이 충격을 받으면 기판 또는 그 위에 적층된 층에 크랙(crack)이 발생할 수 있다. 크랙은 시간이 지남에 따라 점점 더 커지거나 다른 층 또는 다른 영역으로 번져서 표시 패널의 불량을 유발할 수 있다. 예를 들어, 데이터선 또는 스캔선과 같은 신호선이 크랙에 의해 단선되거나 그 저항이 증가할 수 있고, 크랙을 통해 표시 패널의 내부로 수분 등이 침투하여 소자 신뢰성이 떨어질 수 있다. 이에 따라, 표시 패널의 화소가 발광하지 않거나 오발광하는 등의 여러 문제가 발생할 수 있다.
특히, 최근에 개발되고 있는 플렉서블 표시 장치(flexible display)는 제조 또는 사용 중에 휘어지거나 구부러질 수 있는데, 표시 패널의 기판 또는 적층된 층에 미세하게라도 크랙이 존재하면 처음에는 문제가 없더라도 시간이 지남에 따라 표시 패널의 휘어짐 또는 구부러짐으로 인해 미세한 크랙이 더 큰 크랙으로 발전할 수 있다.
표시 장치의 앞면에서 비표시 영역을 최소화하고 표시 영역을 앞면 전체에 최대로 확장하기 위하여 비표시 영역에 위치하던 카메라, 플래시, 스피커, 광센서 등의 장치를 표시 영역 내에 배치할 수 있다. 일 예로, 타공(punching)으로 표시 패널에 홀(hole)을 형성하고, 홀에 카메라, 플래시, 스피커, 광센서 등을 장착할 수 있다. 표시 패널에 홀을 형성하는 공정 중에 크랙이 발생하거나, 또는 홀에 의해 노출된 부분에 크랙이 발생할 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 홀이 형성된 표시 패널의 크랙을 검사할 수 있는 표시 장치 및 그 검사 방법을 제공함에 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 복수의 화소 및 상기 복수의 화소에 연결되는 복수의 데이터선을 포함하는 표시 영역, 상기 표시 영역 내에 위치하는 홀 영역, 일단 및 타단이 분리되어 상기 홀 영역의 주위를 둘러싸는 형상으로 상기 홀 영역에 인접하여 배치되는 홀 크랙 감지선, 상기 홀 크랙 감지선의 일단에 연결되는 제1 감지 전달 배선 및 상기 홀 크랙 감지선의 타단에 연결되는 제1 감지 수신 배선을 포함하는 제1 감지 배선, 상기 홀 크랙 감지선의 일단에 연결되는 제2 감지 전달 배선 및 상기 홀 크랙 감지선의 타단에 연결되는 제2 감지 수신 배선을 포함하는 제2 감지 배선, 및 상기 제1 감지 수신 배선을 상기 복수의 데이터선 중 하나에 전기적으로 연결시키고, 상기 제2 감지 수신 배선을 상기 복수의 데이터선 중 다른 하나에 전기적으로 연결시키는 검사 제어부를 포함한다.
상기 제1 감지 전달 배선에 연결되어 있는 일단 및 상기 제2 감지 전달 배선에 연결되어 있는 타단을 포함하는 검사 전압 배선을 더 포함할 수 있다.
상기 검사 제어부는, 상기 복수의 데이터선에 연결되는 복수의 검사 트랜지스터를 포함하고, 상기 복수의 검사 트랜지스터의 제1 전극은 상기 복수의 데이터선에 각각 연결되고, 상기 복수의 검사 트랜지스터에 포함되는 제1 명선 트랜지스터의 제2 전극은 상기 제1 감지 수신 배선에 연결되고, 상기 복수의 검사 트랜지스터에 포함되는 제2 명선 트랜지스터의 제2 전극은 상기 제2 감지 수신 배선에 연결될 수 있다.
상기 복수의 검사 트랜지스터에서 상기 제1 명선 트랜지스터 및 상기 제2 명선 트랜지스터를 제외한 나머지 검사 트랜지스터의 제2 전극은 상기 검사 전압 배선에 연결될 수 있다.
상기 홀 크랙 감지선에 크랙이 발생하면, 상기 제1 명선 트랜지스터에 연결된 데이터선에 연결된 화소 및 상기 제2 명선 트랜지스터에 연결된 데이터선에 연결된 연결된 화소가 발광할 수 있다.
상기 제1 명선 트랜지스터에 연결된 데이터선에 연결된 화소를 포함하는 제1 명선 및 상기 제2 명선 트랜지스터에 연결된 데이터선에 연결된 연결된 화소를 포함하는 제2 명선은 상기 표시 영역의 중앙 부근에서 위치할 수 있다.
상기 제1 감지 전달 배선은 제1 검사 전압이 인가되는 제1 검사 패드에 연결되고, 상기 제2 감지 전달 배선은 제2 검사 전압이 인가되는 제2 검사 패드에 연결될 수 있다.
상기 표시 장치는 제3 검사 패드에 일단이 연결되고, 상기 복수의 검사 트랜지스터 각각의 게이트 전극에 연결되는 감지 제어 배선을 더 포함할 수 있다.
상기 표시 장치는 제4 검사 패드에 일단이 연결되고, 상기 표시 영역의 일측 가장자리를 따라 연장된 후 반대로 되돌아와서 상기 복수의 검사 트랜지스터에 포함되는 제3 명선 트랜지스터의 제2 전극에 연결되는 제3 감지 배선, 및 제5 검사 패드에 일단이 연결되고, 상기 표시 영역의 타측 가장자리를 따라 연장된 후 반대로 되돌아와서 상기 복수의 검사 트랜지스터에 포함되는 제4 명선 트랜지스터의 제2 전극에 연결되는 제4 감지 배선을 더 포함할 수 있다.
상기 표시 장치는 상기 표시 영역 주변의 구부러질 수 있는 벤딩 가능 영역, 제6 검사 패드에 일단이 연결되고, 상기 벤딩 가능 영역으로 연장된 후 반대로 되돌아와서 상기 복수의 검사 트랜지스터에 포함되는 제5 명선 트랜지스터의 제2 전극에 연결되는 제5 감지 배선, 및 제7 검사 패드에 일단이 연결되고, 상기 벤딩 가능 영역으로 연장된 후 반대로 되돌아와서 상기 복수의 검사 트랜지스터에 포함되는 제6 명선 트랜지스터의 제2 전극에 연결되는 제6 감지 배선을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 검사 패드는 상기 제4 검사 패드 및 상기 제6 검사 패드가 연결되는 제1 공통 검사 패드이고, 상기 제2 검사 패드는 상기 제5 검사 패드 및 상기 제7 검사 패드가 연결되는 제2 공통 검사 패드일 수 있다.
상기 제1 감지 전달 배선은 상기 제4 검사 패드와 상기 제6 검사 패드 사이로 연장되고, 상기 제2 감지 전달 배선은 상기 제5 검사 패드와 상기 제7 검사 패드 사이로 연장될 수 있다.
상기 제1 검사 패드 및 상기 제2 검사 패드에 검사 전압이 인가되면, 상기 제3 명선 트랜지스터에 연결된 데이터선에 연결된 화소, 상기 제4 명선 트랜지스터에 연결된 데이터선에 연결된 화소, 상기 제5 명선 트랜지스터에 연결된 데이터선에 연결된 화소 및 상기 제6 명선 트랜지스터에 연결된 데이터선에 연결된 화소 중 적어도 하나가 발광할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 복수의 화소 및 상기 복수의 화소에 연결되는 복수의 데이터선을 포함하는 표시 영역, 상기 표시 영역 내에 위치하는 홀 영역, 및 상기 홀 영역의 주위를 둘러싸는 형상으로 상기 홀 영역에 인접하여 배치되는 홀 크랙 감지선을 포함하는 표시 장치의 검사 방법은, 상기 홀 크랙 감지선에 연결되는 제1 감지 배선에 제1 검사 전압을 인가하는 단계, 상기 홀 크랙 감지선에 연결되는 제2 감지 배선에 제2 검사 전압을 인가하는 단계, 및 제1 명선 트랜지스터를 통해 상기 제1 감지 배선을 상기 복수의 데이터선 중 하나에 전기적으로 연결시키고, 제2 명선 트랜지스터를 통해 상기 제2 감지 배선을 상기 복수의 데이터선 중 다른 하나에 전기적으로 연결시키는 단계를 포함한다.
상기 제1 명선 트랜지스터에 연결된 데이터선에 연결된 화소 및 상기 제2 명선 트랜지스터에 연결된 데이터선에 연결된 화소 중 적어도 하나가 발광하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 홀 크랙 감지선에 크랙이 발생하면, 상기 제1 명선 트랜지스터에 연결된 데이터선에 연결된 화소 및 상기 제2 명선 트랜지스터에 연결된 데이터선에 연결된 연결된 화소가 발광할 수 있다
상기 제1 명선 트랜지스터에 연결된 데이터선에 연결된 화소를 포함하는 제1 명선 및 상기 제2 명선 트랜지스터에 연결된 데이터선에 연결된 연결된 화소를 포함하는 제2 명선은 상기 표시 영역의 중앙 부근에서 위치할 수 있다.
상기 제1 감지 배선은 상기 홀 크랙 감지선의 일단에 연결되는 제1 감지 전달 배선 및 상기 홀 크랙 감지선의 타단에 연결되는 제1 감지 수신 배선을 포함하고, 상기 제2 감지 배선은 상기 홀 크랙 감지선의 일단에 연결되는 제2 감지 전달 배선 및 상기 홀 크랙 감지선의 타단에 연결되는 제2 감지 수신 배선을 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 복수의 화소를 포함하는 표시 영역 및 상기 표시 영역 내에 위치하는 홀 영역을 포함하는 표시 장치의 검사 방법은, 상기 홀 영역의 주위를 둘러싸는 형상으로 상기 홀 영역에 인접하여 배치되는 홀 크랙 감지선에 전기적으로 연결된 제1 명선 및 제2 명선에 포함된 복수의 화소가 발광하는 단계를 포함하고, 상기 제1 명선 및 상기 제2 명선은 상기 표시 영역의 중앙 부근에 위치한다.
상기 표시 영역의 양측 가장자리를 따라 배치되는 감지 배선에 전기적으로 연결된 제3 명선 및 제4 명선 중 어느 하나에 포함된 화소가 발광하는 단계를 더 포함하고, 상기 제3 명선 및 상기 제4 명선은 상기 표시 영역 내에서 좌측 및 우측에 위치할 수 있다.
홀이 형성된 표시 패널에서 홀 영역의 크랙을 검사할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 표시 장치를 II-II' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 3은 도 1의 표시 장치에 포함되는 검사 제어부를 나타내는 회로도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 검사 방법을 나타내는 타이밍도이다.
도 5a 내지 도 5c는 도 1의 표시 장치에 검사 전압을 인가하였을 때 표시 영역에 표시되는 검사 결과의 일 예를 나타낸다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 7은 도 6의 표시 장치를 VII-VII' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 8은 도 6의 표시 장치에 포함되는 검사 제어부를 나타내는 회로도이다.
도 9는 도 6의 표시 장치에 검사 전압을 인가하였을 때 표시 영역에 표시되는 검사 결과의 일 예를 나타낸다.
도 10은 도 6의 표시 장치에서 절취선에 따라 절단된 표시 패널을 나타내는 평면도이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다.
층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 기준이 되는 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 하는 것은 기준이 되는 부분의 위 또는 아래에 위치하는 것이고, 반드시 중력 반대 방향 쪽으로 "위에" 또는 "상에" 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.
또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
이하, 도 1 내지 도 3를 참조하여 일 실시예에 따른 표시 장치에 대하여 설명하고, 도 4 및 도 5를 참조하여 일 실시예에 따른 표시 장치의 검사 방법에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치는 표시 영역(DA), 주변 영역(PA) 및 홀 영역(HA)을 포함하는 표시 패널(100A)을 포함한다. 표시 패널(100A)은 기판(110)을 포함하고, 기판(110)은 표시 영역(DA) 및 주변 영역(PA)으로 구분될 수 있다.
표시 영역(DA)은 영상이 표시되는 영역이다. 표시 영역(DA)은 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)에 평행한 평면상에 배치되어 있는 복수의 화소(PX) 및 복수의 신호선을 포함한다. 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)에 수직인 방향에서 보았을 때 관찰되는 구조를 평면상 구조라 하고, 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)에 수직인 방향으로 잘랐을 때 보이는 구조를 단면상 구조라 한다. 제1 방향(D1)은 제2 방향(D2)에 수직일 수 있다.
복수의 신호선은 게이트 신호를 전달하는 복수의 게이트선(121) 및 데이터 신호를 전달하는 복수의 데이터선(171)을 포함한다. 복수의 게이트선(121)은 주로 제1 방향(D1)으로 연장되어 서로 평행할 수 있다. 복수의 데이터선(171)은 주로 제2 방향(D2)으로 연장되어 서로 평행할 수 있다. 복수의 게이트선(121)과 복수의 데이터선(171)은 표시 영역(DA)에서 서로 교차할 수 있다.
복수의 화소(PX) 각각은 적어도 하나의 스위칭 소자(도 2의 TRa 참조) 및 이에 연결된 화소 전극(도 2의 191 참조)을 포함할 수 있다. 스위칭 소자는 표시 패널(100A)에 집적되어 있는 트랜지스터 등의 삼단자 소자로서 적어도 하나의 게이트선(121) 및 적어도 하나의 데이터선(171)에 연결될 수 있다. 스위칭 소자는 게이트선(121)이 전달하는 게이트 신호에 따라 턴-온 또는 턴-오프되어 데이터 신호를 선택적으로 화소 전극에 전달할 수 있다.
복수의 화소(PX) 각각은 기본색(primary color) 중 하나의 빛 또는 백색의 빛을 낼 수 있다. 기본색의 예로는 적색, 녹색, 청색의 삼원색을 들 수 있다. 기본색의 다른 예로 황색(yellow), 청록색(cyan), 자홍색(magenta) 등을 들 수 있다.
기판(110)은 유리, 플라스틱 등을 포함할 수 있고, 유연성(flexibility)을 가질 수 있다. 예를 들어, 기판(110)은 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리카보네이트(PC), 폴리아릴레이트(PAR), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리에테르술폰(PES) 또는 폴리이미드(PI) 등의 다양한 플라스틱, 금속 박막 또는 유리 등을 포함할 수 있다.
홀 영역(HA)은 표시 영역(DA) 내에 위치한다. 홀 영역(HA)은 기판(110) 및 기판(110)에 적층된 소자를 타공(punching)하여 형성된 홀(hole)이 위치하는 영역일 수 있다. 즉, 홀은 표시 패널(100A)을 타공함으로써 형성될 수 있다. 홀 영역(HA)은 카메라, 플래시, 스피커, 광센서 등의 장치를 표시 영역(DA) 내에 배치하기 위한 영역일 수 있다.
표시 영역(DA)은 홀 영역(HA)에 인접하여 배치된 홀 크랙 감지선(HCD)을 포함한다. 홀 크랙 감지선(HCD)은 일단(N1) 및 타단(N2)이 분리되어 홀 영역(HA)의 주위를 둘러싸는 형상으로 홀 영역(HA)에 인접하여 배치될 수 있다. 예를 들어, 홀 크랙 감지선(HCD)은 대문자 오메가(Ω)의 형상으로 홀 영역(HA)의 주위를 둘러쌀 수 있다. 홀 크랙 감지선(HCD)은 홀 영역(HA) 부근의 크랙을 감지하기 위한 배선이다.
주변 영역(PA)은 표시 영역(DA)의 바깥쪽에 위치하는 영역으로서 표시 영역(DA)의 주위를 둘러쌀 수 있다. 주변 영역(PA)은 제1 감지 배선(M1), 제2 감지 배선(M2), 검사 전압 배선(TVL), 감지 제어 배선(DCL), 검사 제어부(700) 및 복수의 검사 패드(P1, P2, P3)를 포함할 수 있다. 또한, 주변 영역(PA)은 복수의 게이트선(121)에 연결되어 게이트 신호를 출력하는 게이트 구동부(미도시)를 포함할 수 있다.
제1 감지 배선(M1)은 제1 감지 전달 배선(DT1) 및 제1 감지 수신 배선(DR1)을 포함한다. 제1 감지 전달 배선(DT1)은 제1 검사 패드(P1)에 연결되어 있는 일단 및 홀 크랙 감지선(HCD)의 일단(N1)에 연결되어 있는 타단을 포함한다. 제1 감지 수신 배선(DR1)은 검사 제어부(700)에 연결되어 있는 일단 및 홀 크랙 감지선(HCD)의 타단(N2)에 연결되어 있는 타단을 포함한다.
제1 감지 전달 배선(DT1) 및 제1 감지 수신 배선(DR1)은 표시 영역(DA)을 중심으로 좌측 및 상측의 주변 영역(PA)에 위치하며, 상측의 주변 영역(PA)에서 홀 크랙 감지선(HCD)에 연결될 수 있다. 즉, 제1 감지 전달 배선(DT1) 및 제1 감지 수신 배선(DR1)은 표시 영역(DA)의 좌측 가장자리를 따라 연장되는 부분 및 표시 영역(DA)의 상측 가장자리를 따라 연장되는 부분을 포함할 수 있다. 제1 감지 전달 배선(DT1) 및 제1 감지 수신 배선(DR1)은 표시 영역(DA)의 가장자리를 따라 나란하게 연장될 수 있다.
제2 감지 배선(M2)은 제2 감지 전달 배선(DT2) 및 제2 감지 수신 배선(DR2)을 포함한다. 제2 감지 전달 배선(DT2)은 제2 검사 패드(P2)에 연결되어 있는 일단 및 홀 크랙 감지선(HCD)의 일단(N1)에 연결되어 있는 타단을 포함한다. 제2 감지 수신 배선(DR2)은 검사 제어부(700)에 연결되어 있는 일단 및 홀 크랙 감지선(HCD)의 타단(N2)에 연결되어 있는 타단을 포함한다.
제2 감지 전달 배선(DT2) 및 제2 감지 수신 배선(DR2)은 표시 영역(DA)을 중심으로 우측 및 상측의 주변 영역(PA)에 위치하며, 상측의 주변 영역(PA)에서 홀 크랙 감지선(HCD)에 연결될 수 있다. 즉, 제2 감지 전달 배선(DT2) 및 제2 감지 수신 배선(DR2)은 표시 영역(DA)의 우측 가장자리를 따라 연장되는 부분 및 표시 영역(DA)의 상측 가장자리를 따라 연장되는 부분을 포함할 수 있다. 제2 감지 전달 배선(DT2) 및 제2 감지 수신 배선(DR2)은 표시 영역(DA)의 가장자리를 따라 나란하게 연장될 수 있다.
검사 전압 배선(TVL)은 제1 감지 전달 배선(DT1)에 연결되어 있는 일단 및 제2 감지 전달 배선(DT2)에 연결되어 있는 타단을 포함하고, 검사 제어부(700)를 통해 제1 감지 전달 배선(DT1)과 제2 감지 전달 배선(DT2)을 서로 연결시킨다. 검사 전압 배선(TVL)은 제1 검사 패드(P1) 및 제2 검사 패드(P2)를 통해 제1 감지 전달 배선(DT1) 및 제2 감지 전달 배선(DT2)에 인가되는 감지 전압을 검사 제어부(700)에 전달할 수 있다.
감지 제어 배선(DCL)은 제3 검사 패드(P3)에 연결되어 있는 일단 및 검사 제어부(700)에 연결되어 있는 타단을 포함한다.
제1 내지 제3 검사 패드(P1, P2, P3)는 주변 영역(PA)에서 기판(110)의 하측 가장자리를 따라 배열될 수 있다.
검사 제어부(700)는 표시 패널(100A)의 주변 영역(PA)에 위치하여 복수의 데이터선(171)에 연결될 수 있다. 검사 제어부(700)는 제1 감지 수신 배선(DR1)을 복수의 데이터선(171) 중 하나에 전기적으로 연결시키고, 제2 감지 수신 배선(DR2)을 복수의 데이터선(171) 중 다른 하나에 전기적으로 연결시킬 수 있다. 검사 제어부(700)는 화소(PX)의 트랜지스터 등의 구성 요소들과 함께 기판(110) 위에 직접 형성될 수 있다. 주변 영역(PA) 또는 주변 영역(PA)에 연결되는 인쇄 회로 기판 등에 복수의 데이터선(171)에 연결되는 데이터 구동부(미도시)가 위치할 수 있으며, 검사 제어부(700)는 표시 영역(DA)과 데이터 구동부 사이에 위치할 수 있다. 이때, 복수의 데이터선(171)은 검사 제어부(700)를 지나 데이터 구동부 방향으로 더 연장되어 있을 수 있다.
제1 내지 제3 검사 패드(P1, P2, P3)에 검사 전압이 인가되면, 검사 제어부(700)는 제1 감지 전달 배선(DT1), 홀 크랙 감지선(HCD) 및 제1 감지 수신 배선(DR1)을 통해 전달되는 전압에 대응하여 복수의 데이터선(171) 중 하나에 연결된 복수의 화소(PX)를 발광시킬 수 있고, 제2 감지 전달 배선(DT2), 홀 크랙 감지선(HCD) 및 제2 감지 수신 배선(DR2)을 통해 전달되는 전압에 대응하여 복수의 데이터선(171) 중 다른 하나에 연결된 복수의 화소(PX)를 발광시킬 수 있다. 복수의 데이터선(171) 중 하나에 연결된 복수의 화소(PX)의 발광에 의해 제1 명선(bright line)이 시인될 수 있다. 복수의 데이터선(171) 중 다른 하나에 연결된 복수의 화소(PX)의 발광에 의해 제2 명선이 시인될 수 있다. 제1 명선 및/또는 제2 명선의 시인 여부에 따라 홀 크랙 불량, 제1 감지 배선 불량, 제2 감지 배선 불량 등을 판정할 수 있다. 이러한 표시 장치의 검사 방법에 대한 상세한 설명은 도 4 및 도 5를 참조하여 후술한다.
이하, 도 1과 함께 도 2를 참조하여 표시 장치의 단면 구조에 대하여 설명한다.
도 2는 도 1의 표시 장치를 II-II' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 2를 참조하면, 기판(110) 위에 배리어층(120)이 위치할 수 있다. 배리어층(120)은 도시한 바와 같이 복수의 층을 포함할 수 있다. 이와 달리, 배리어층(120)은 단일층으로 이루어질 수도 있다.
배리어층(120) 위에는 액티브 패턴(130, 130d)이 위치한다. 액티브 패턴(130, 130d)은 표시 영역(DA)에 위치하는 액티브 패턴(130)과 주변 영역(PA)에 위치하는 액티브 패턴(130d)을 포함할 수 있다. 액티브 패턴(130, 130d) 각각은 소스 영역 및 드레인 영역과 그 사이에 위치하는 채널 영역을 포함할 수 있다. 액티브 패턴은 비정질 규소, 다결정 규소, 또는 산화물 반도체 등을 포함할 수 있다.
액티브 패턴(130, 130d) 위에는 제1 절연층(141)이 위치하고, 제1 절연층(141) 위에는 제1 도전층이 위치할 수 있다. 제1 도전층은 표시 영역(DA)에 위치하는 액티브 패턴(130)과 중첩하는 도전체(155), 주변 영역(PA)에 위치하는 액티브 패턴(130d)과 중첩하는 도전체(150d), 그리고 앞에서 설명한 복수의 게이트선(121) 등을 포함할 수 있다.
표시 영역(DA)의 액티브 패턴(130) 및 이와 중첩하는 도전체(155)는 화소(PX)에 포함된 스위칭 소자로서 기능하는 트랜지스터(TRa)를 형성할 수 있다. 주변 영역(PA)의 액티브 패턴(130d) 및 이와 중첩하는 도전체(150d)는 게이트 구동부에 포함된 스위칭 소자로서 기능하는 트랜지스터(TRd)를 형성할 수 있다.
제1 도전층 및 제1 절연층(141) 위에는 제2 절연층(142)이 위치하고, 제2 절연층(142) 위에 제2 도전층이 위치할 수 있다. 제2 도전층은 제1 감지 배선(M1), 제2 감지 배선(M2) 및 홀 크랙 감지선(HCD)을 포함할 수 있다. 실시예에 따라, 제1 감지 배선(M1), 제2 감지 배선(M2) 및 홀 크랙 감지선(HCD) 중 적어도 하나는 제2 도전층 이외의 도전층에 위치할 수도 있다. 예를 들어, 홀 크랙 감지선(HCD)는 후술하는 제4 도전층 또는 제5 도전층에 위치할 수 있다.
제2 도전층 및 제2 절연층(142) 위에는 제3 절연층(160)이 위치할 수 있다.
제1 절연층(141), 제2 절연층(142), 그리고 제3 절연층(160) 중 적어도 하나는 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx) 등의 무기 절연 물질 및/또는 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
제1 절연층(141), 제2 절연층(142) 및 제3 절연층(160)은 트랜지스터(TRa, TRd)의 소스 영역 및/또는 드레인 영역 위에 위치하는 접촉 구멍(165)을 포함할 수 있다.
제3 절연층(160) 위에는 제3 도전층이 위치할 수 있다. 제3 도전층은 접촉 구멍(165)을 통해 트랜지스터(TRa, TRd)의 소스 영역 또는 드레인 영역과 연결되어 있는 도전체(170), 전압 전달선(177), 그리고 앞에서 설명한 데이터선(171) 등을 포함할 수 있다. 전압 전달선(177)은 주변 영역(PA)에 위치할 수 있고, 공통 전압을 전달할 수 있다.
제1 도전층, 제2 도전층 및 제3 도전층 중 적어도 하나는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 탄탈늄(Ta), 이들 중 적어도 둘의 합금 등의 도전 물질을 포함할 수 있다.
제3 도전층과 제3 절연층(160) 위에는 보호막(180)이 위치한다. 보호막(180)은 무기 절연 물질 및/또는 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 유기 절연 물질은 폴리아크릴계 수지(polyacrylic resin), 폴리이미드계 수지 등을 포함할 수 있다. 보호막(180)의 윗면은 평탄할 수 있다. 보호막(180)은 주변 영역(PA)에 위치하는 전압 전달선(177) 위에 위치하는 접촉 구멍을 포함할 수 있다.
보호막(180) 위에는 화소 전극층이 위치한다. 화소 전극층은 표시 영역(DA)의 각 화소(PX)에 대응하는 화소 전극(191), 그리고 주변 영역(PA)에 위치하는 전압 전달 전극(197)을 포함할 수 있다. 전압 전달 전극(197)은 보호막(180)의 접촉 구멍을 통해 전압 전달선(177)과 물리적, 전기적으로 연결되어 공통 전압을 전달받을 수 있다. 화소 전극층은 반투과성 도전 물질 또는 반사성 도전 물질을 포함할 수 있다.
보호막(180) 및 화소 전극층 위에는 화소 정의층(350)이 위치한다. 화소 정의층(350)은 화소 전극(191) 위에 위치하는 개구부(351) 및 주변 영역(PA)에 위치하는 적어도 하나의 댐 부분(350d)을 포함할 수 있다. 댐 부분(350d)은 평면상 기판(110)의 가장자리에 나란하게 뻗을 수 있다. 댐 부분(350d) 위에는 스페이서(360d)가 더 위치할 수 있다. 화소 정의층(350)은 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지 등의 감광성 물질을 포함할 수 있다.
도 2에 예시한 바와 같이, 제1 감지 배선(M1)은 댐 부분(350d)을 기준으로 바깥쪽(표시 영역(DA)의 반대쪽)에 위치할 수 있다. 마찬가지로 제2 감지 배선(M2)도 댐 부분(350d)을 기준으로 바깥쪽에 위치할 수 있다. 실시예에 따라, 제1 감지 배선(M1)과 제2 감지 배선(M2)은 댐 부분(350d)을 기준으로 안쪽(표시 영역(DA)과 댐 부분(350d) 사이)에 위치할 수도 있다.
전압 전달 전극(197)은 화소 정의층(350)에 의해 덮이지 않은 부분을 포함한다.
화소 전극(191) 위에는 발광층(370)이 위치한다. 발광층(370)은 화소 정의층(350)의 개구부(351) 안에 위치하는 부분을 포함할 수 있다. 발광층(370)은 주변 영역(PA)에 위치하며 화소 정의층(350) 위에 위치하는 적어도 하나의 더미 발광층(370d)을 더 포함할 수 있다. 발광층(370)은 유기 발광 물질 또는 무기 발광 물질을 포함할 수 있다.
발광층(370) 위에 공통 전극(270)이 위치한다. 공통 전극(270)은 화소 정의층(350) 위에도 형성되어 복수의 화소(PX)에 걸쳐 연속적으로 형성되어 있을 수 있다. 공통 전극(270)은 주변 영역(PA)에서 전압 전달 전극(197)과 물리적, 전기적으로 연결되어 공통 전압을 전달받을 수 있다. 공통 전극(270)은 도전성 투명 물질을 포함할 수 있다.
각 화소(PX)의 화소 전극(191), 발광층(370) 및 공통 전극(270)은 발광 다이오드(ED)를 이루며, 화소 전극(191) 및 공통 전극(270) 중 하나가 애노드 전극이 되고 다른 하나가 캐소드 전극이 된다.
공통 전극(270) 위에는 발광 다이오드(ED)를 보호하며 밀봉하는 봉지부(380)가 위치할 수 있다. 봉지부(380)는 적어도 하나의 무기층(381, 383) 및 적어도 하나의 유기층(382)을 포함할 수 있다. 적어도 하나의 무기층(381, 383)과 적어도 하나의 유기층(382)은 교대로 적층되어 있을 수 있다. 유기층(382)은 유기 물질을 포함하며 평탄화 특성을 가질 수 있다. 무기층(381, 383)은 산화 알루미늄(AlOx), 산화규소(SiOx), 질화규소(SiNx), 질산화규소(SiON) 등의 무기 물질을 포함할 수 있다.
유기층(382)의 평면상 면적보다 무기층(381, 383)의 평면상 면적이 더 넓어, 주변 영역(PA)에서 두 무기층(381, 383)이 서로 접촉할 수 있다. 무기층(381, 383) 중 가장 아래에 위치하는 무기층(381)은 주변 영역(PA)에서 제3 절연층(160)의 윗면과 접촉할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
봉지부(380)에 포함되는 유기층(382)의 가장자리는 댐 부분(350d)과 표시 영역(DA) 사이에 위치할 수 있다. 댐 부분(350d)은 봉지부(380)의 유기층(382)을 형성할 때 유기 물질이 바깥쪽으로 흘러 넘치는 것을 막는 기능을 할 수 있다.
봉지부(380) 위에는 무기 절연 물질 또는/및 유기 절연 물질을 포함하는 버퍼층(389)이 위치할 수 있다. 버퍼층(389)은 생략될 수도 있다.
버퍼층(389) 위에는 제4 도전층이 위치할 수 있다. 제4 도전층은 제1 터치 도전체(TEa)를 포함할 수 있다. 제4 도전층 위에는 제1 터치 절연층(391)이 위치하고, 제1 터치 절연층(391) 위에 제5 도전층이 위치할 수 있다. 제5 도전층은 제2 터치 도전체(TEb)를 포함할 수 있다. 제5 도전층 위에는 제2 터치 절연층(392)이 위치할 수 있다. 제1 터치 도전체(TEa)와 제2 터치 도전체(TEb)는 용량식 터치 센서를 형성하여 외부 물체의 터치가 이루어지면 터치 여부, 터치 위치 등의 터치 정보를 감지할 수 있다.
이하, 도 1과 함께 도 3을 참조하여 검사 제어부에 대하여 더욱 상세하게 설명한다. 도 3에서는 도 1의 복수의 데이터선(171)이 m개의 데이터선(DL1-DLm)을 포함하는 것을 예로 들어 설명하다.
도 3은 도 1의 표시 장치에 포함되는 검사 제어부를 나타내는 회로도이다.
도 3을 참조하면, 검사 제어부(700)는 복수의 검사 트랜지스터(T1-Tm)를 포함한다. 검사 제어부(700)는 복수의 데이터선(DL1-DLm)의 개수(m)에 대응하는 개수의 복수의 검사 트랜지스터(T1-Tm)을 포함할 수 있고, 복수의 검사 트랜지스터(T1-Tm) 각각은 복수의 데이터선(DL1-DLm)에 각각 연결될 수 있다. 복수의 검사 트랜지스터(T1-Tm)는 도 2에 상술한 트랜지스터들(TRa, TRd)과 함께 기판(110) 위에 형성될 수 있다.
복수의 검사 트랜지스터(T1-Tm) 각각의 게이트 전극은 감지 제어 배선(DCL)에 연결된다. 복수의 검사 트랜지스터(T1-Tm) 각각의 제1 전극은 복수의 데이터선(DL1-DLm)에 각각 연결된다. 복수의 검사 트랜지스터(T1-Tm) 중에서 (k-1)번째 검사 트랜지스터(T(k-1))의 제2 전극은 제1 감지 수신 배선(DR1)에 연결되고, (k+1)번째 검사 트랜지스터(T(k+1))의 제2 전극은 제2 감지 수신 배선(DR2)에 연결되며, 나머지 검사 트랜지스터의 제2 전극은 검사 전압 배선(TVL)에 연결된다. 여기서, k는 대략 m/2일 수 있다. 즉, 복수의 데이터선(DL1-DLm) 중에서 표시 영역(DA)의 대략 중앙 부근에 위치하는 데이터선(예를 들어, DL(k-1) 및 DL(k+1))에 연결된 2개의 검사 트랜지스터(예시한 T(k-1) 및 T(k+1)) 각각에 제1 감지 수신 배선(DR1) 및 제2 감지 수신 배선(DR2)이 연결된다.
이하, 복수의 검사 트랜지스터(T1-Tm) 중에서 제1 감지 수신 배선(DR1)에 연결된 검사 트랜지스터(T(k-1))를 제1 명선 트랜지스터라 하고, 제2 감지 수신 배선(DR2)에 연결된 감지 트랜지스터(T(k+1))를 제2 명선 트랜지스터라 한다. 제1 명선 트랜지스터에 연결된 데이터선(DL(k-1))을 제1 검사 데이터선이라 하고, 제2 명선 트랜지스터에 연결된 데이터선(DL(k+1))을 제2 검사 데이터선이라 한다.
도 3에서는 제1 명선 트랜지스터에 연결된 데이터선(DL(k-1))과 제2 명선 트랜지스터에 연결된 데이터선(DL(k+1))이 하나의 데이터선(DLk)을 사이에 두고 이격되어 있는 것을 예로 설명하였으나, 제1 명선 트랜지스터와 제2 명선 트랜지스터는 복수의 데이터선을 사이에 두고 이격된 데이터선에 각각 연결될 수 있다. 이때, 제1 명선 트랜지스터에 연결된 제1 검사 데이터선과 제2 명선 트랜지스터에 연결된 제2 검사 데이터선 사이의 간격은 육안으로 표시 영역(DA)의 중앙에서 제1 명선과 제2 명선을 구분할 수 있는 정도이면 충분하다.
복수의 검사 트랜지스터(T1-Tm)는 p-채널 전계 효과 트랜지스터일 수 있다. p-채널 전계 효과 트랜지스터를 턴 온시키는 게이트 온 전압은 로우 레벨 전압이고, 턴 오프시키는 게이트 오프 전압은 하이 레벨 전압이다. 실시예에 따라, 복수의 검사 트랜지스터(T1-Tm)는 n-채널 전계 효과 트랜지스터일 수 있다. n-채널 전계 효과 트랜지스터를 턴 온시키는 게이트 온 전압은 하이 레벨 전압이고, 턴 오프시키는 게이트 오프 전압은 로우 레벨 전압이다. 이하, 복수의 검사 트랜지스터(T1-Tm)가 p-채널 전계 효과 트랜지스터인 것으로 예를 들어 설명한다. 또한, 복수의 화소(PX)에 포함되는 트랜지스터(TRa)가 p-채널 전계 효과 트랜지스터인 것으로 예를 들어 설명한다.
이하, 도 1 및 도 3과 함께 도 4, 도 5a 내지 도 5c를 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치의 검사 방법에 대하여 설명한다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 검사 방법을 나타내는 타이밍도이다. 도 5a 내지 도 5c는 도 1의 표시 장치에 검사 전압을 인가하였을 때 표시 영역에 표시되는 검사 결과의 일 예를 나타낸다.
도 4, 도 5a 내지 도 5c를 참조하면, 표시 장치의 검사 기간(t1-t2) 동안 제1 검사 패드(P1)에 하이 레벨의 제1 검사 전압(P1(V))이 인가되고, 제2 검사 패드(P2)에 하이 레벨의 제2 검사 전압(P2(V))이 인가되며, 제3 검사 패드(P3)에 게이트 온 전압의 제3 검사 전압(P3(V))이 인가된다. 제1 검사 전압(P1(V))과 제2 검사 전압(P2(V))은 동일한 레벨의 전압일 수 있다. 제3 검사 전압(P3(V))은 제1 검사 전압(P1(V)) 및 제2 검사 전압(P2(V))과 다른 레벨의 전압일 수 있다.
제3 검사 패드(P3)에 인가되는 제3 검사 전압(P3(V))은 감지 제어 배선(DCL)을 통해 검사 제어부(700)에 포함된 복수의 검사 트랜지스터(T1-Tm)의 게이트 전극에 인가된다. 복수의 검사 트랜지스터(T1-Tm)가 p-채널 전계 효과 트랜지스터이므로, 게이트 온 전압의 제3 검사 전압(P3(V))은 로우 레벨 전압이다. 게이트 온 전압의 제3 검사 전압(P3(V))에 의해 복수의 검사 트랜지스터(T1-Tm)는 턴 온될 수 있다.
그리고, 검사 기간(t1-t2) 동안 게이트 구동부는 복수의 게이트선(121)에 게이트 온 전압의 게이트 신호를 인가한다. 게이트 온 전압의 게이트 신호가 복수의 화소(PX)에 인가됨에 따라, 턴 온된 복수의 검사 트랜지스터(T1-Tm)를 통해 복수의 데이터선(DL1-DLm)에 전달되는 하이 레벨 전압의 제1 및 제2 검사 전압(P1(V), P2(V))이 복수의 화소(PX)에 기입될 수 있다. 하이 레벨 전압의 제1 및 제2 검사 전압(P1(V), P2(V))은 복수의 화소(PX) 각각에 포함된 트랜지스터(TRa)(예를 들어, 화소 전극(191)에 연결된 구동 트랜지스터)를 턴 오프시키며, 복수의 화소(PX)는 블랙을 표현(발광하지 않음)하게 된다.
하지만, 제1 감지 배선(M1), 제2 감지 배선(M2) 및 홀 크랙 감지선(HCD) 중 적어도 하나에 크랙이 발생한 경우에는 배선 저항 증가에 따른 전압 강하에 의해 로우 레벨 전압이 제1 검사 데이터선 및 제2 검사 데이터선 중 적어도 하나에 인가될 수 있다. 이에 따라, 제1 검사 데이터선에 연결된 복수의 화소(PX) 또는 제2 검사 데이터선에 연결된 복수의 화소(PX)는 화이트 내지 그레이로 발광할 수 있다.
예를 들어, 제1 검사 패드(P1)에 인가된 하이 레벨 전압의 제1 검사 전압(P1(V))은 제1 감지 전달 배선(DT1), 홀 크랙 감지선(HCD) 및 제1 감지 수신 배선(DR1)을 통해 제1 명선 트랜지스터의 제2 전극에 전달되고, 턴 온된 제1 명선 트랜지스터를 통해 제1 검사 데이터선에 전달된다. 제1 감지 배선(M1)과 홀 크랙 감지선(HCD) 중 적어도 하나에 크랙(crack)이 발생한 경우, 배선 저항 증가에 따른 전압 강하에 의해 제1 검사 전압(P1(V))보다 낮은 로우 레벨 전압이 제1 검사 데이터선에 인가될 수 있다. 즉, 하이 레벨 전압의 제1 검사 전압(P1(V))은 제1 감지 배선(M1) 및 홀 크랙 감지선(HCD) 중 적어도 어느 하나의 크랙에 의해 로우 레벨 전압으로 변동된다. 제1 검사 데이터선에 연결된 복수의 화소(PX)는 로우 레벨 전압에 대응하는 화이트 내지 그레이로 발광하게 된다. 도 5a 및 도 5b에서 예시한 바와 같이, 제1 검사 데이터선에 연결된 복수의 화소(PX)를 포함하는 화소열(PC(k-1))이 제1 명선으로 시인될 수 있다.
또한, 제2 검사 패드(P2)에 인가된 하이 레벨 전압의 제2 검사 전압(P2(V))은 제2 감지 전달 배선(DT2), 홀 크랙 감지선(HCD) 및 제2 감지 수신 배선(DR2)을 통해 제2 명선 트랜지스터의 제2 전극에 전달되고, 턴 온된 제2 명선 트랜지스터를 통해 제2 검사 데이터선에 전달된다. 제2 감지 배선(M2)과 홀 크랙 감지선(HCD) 중 적어도 하나에 크랙이 발생한 경우, 배선 저항 증가에 따른 전압 강하에 의해 제2 검사 전압(P2(V))보다 낮은 로우 레벨 전압이 제2 검사 데이터선에 인가될 수 있다. 즉, 하이 레벨 전압의 제2 검사 전압(P2(V))은 제2 감지 배선(M2) 및 홀 크랙 감지선(HCD) 중 적어도 어느 하나의 크랙에 의해 로우 레벨 전압으로 변동된다. 제2 검사 데이터선에 연결된 복수의 화소(PX)는 로우 레벨 전압에 대응하는 화이트 내지 그레이로 발광하게 된다. 도 5a 및 도 5c에서 예시한 바와 같이, 제2 검사 데이터선에 연결된 복수의 화소(PX)를 포함하는 화소열(PC(k+1))이 제2 명선으로 시인될 수 있다.
도 5a와 같이, 제1 명선과 제2 명선이 모두 시인되는 경우, 홀 크랙 감지선(HCD)에 크랙이 발생한 것으로 간주하여 홀 크랙 불량이 판정될 수 있다. 제1 감지 배선(M1)과 제2 감지 배선(M2)에 모두 크랙이 발생하는 경우도 있을 수 있으나, 실제적으로 표시 패널(100A)의 제조 공정에서 제1 감지 배선(M1)과 제2 감지 배선(M2)에 모두 크랙이 발생하는 경우는 극히 적다. 따라서, 제1 명선과 제2 명선이 모두 시인되는 경우에는 홀 영역(HA) 부근에 크랙이 발생한 홀 크랙 불량이 판정될 수 있다.
도 5b와 같이, 제2 명선이 시인되지 않고 제1 명선만이 시인되는 경우, 제2 감지 배선(M2) 및 제2 홀 크랙 감지선(HCD)에는 크랙이 발생하지 않은 상태이다. 따라서, 제1 감지 배선(M1)의 불량이 판정될 수 있다. 즉, 제1 감지 배선(M1)이 연장된 표시 패널(100A)가 가장자리 부근에 크랙이 발생한 것임을 판정할 수 있다.
도 5c와 같이, 제1 명선이 시인되지 않고 제2 명선만이 시인되는 경우, 제1 감지 배선(M1) 및 제2 홀 크랙 감지선(HCD)에는 크랙이 발생하지 않은 상태이다. 따라서, 제2 감지 배선(M2)의 불량이 판정될 수 있다. 즉, 제2 감지 배선(M2)이 연장된 표시 패널(100A)가 가장자리 부근에 크랙이 발생한 것임을 판정할 수 있다.
이하, 도 6 내지 도 8, 도 10를 참조하여 다른 실시예에 따른 표시 장치에 대하여 설명하고, 도 9를 참조하여 다른 실시예에 따른 표시 장치의 검사 방법에 대하여 설명한다. 상술한 도 1 내지 도 5와 비교하여 차이점 위주로 설명한다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다. 도 7은 도 6의 표시 장치를 VII-VII' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다. 도 8은 도 6의 표시 장치에 포함되는 검사 제어부를 나타내는 회로도이다. 도 9는 도 6의 표시 장치에 검사 전압을 인가하였을 때 표시 영역에 표시되는 검사 결과의 일 예를 나타낸다. 도 10은 도 6의 표시 장치에서 절취선에 따라 절단된 표시 패널을 나타내는 평면도이다.
도 6을 참조하면, 다른 실시예에 따른 표시 패널(100B)에서 주변 영역(PA)은 구부러질 수 있는 벤딩 가능 영역(BA)을 포함한다. 벤딩 가능 영역(BA)은 표시 패널(100B)이 후면 또는 앞면으로 구부러질 수 있는 영역일 수 있다. 도 6에서 벤딩 가능 영역(BA)이 주변 영역(PA)에서 표시 영역(DA)의 하측에 위치하는 것으로 예시하였으나, 벤딩 가능 영역(BA)의 위치 및 개수는 제한되지 않는다.
그리고 주변 영역(PA)은 홀 크랙 감지선(HCD)에 연결되지 않은 제3 감지 배선(M3), 제4 감지 배선(M4), 제5 감지 배선(M5) 및 제6 감지 배선(M6)을 더 포함할 수 있다.
제3 감지 배선(M3)은 제4 검사 패드(P4)에 연결되는 일단 및 검사 제어부(700')에 연결되는 타단을 포함한다. 제3 감지 배선(M3)은 표시 영역(DA)을 중심으로 좌측 및 상측의 주변 영역(PA)에 위치할 수 있다. 즉, 제3 감지 배선(M3)은 제4 검사 패드(P4)로부터 표시 영역(DA)의 좌측 가장자리를 따라 제2 방향(D2)으로 연장된 후 표시 패널(100B)의 모서리 부근에서 방향을 꺾어 표시 영역(DA)의 상측 가장자리를 따라 제1 방향(D1)으로 연장되고, 표시 영역(DA)의 상측 가장자리의 중앙 부분에서 방향을 꺾어 반대로 되돌아와서 검사 제어부(700')에 연결될 수 있다. 제3 감지 배선(M3)은 제1 감지 배선(M1)보다 바깥쪽에 위치할 수 있다. 즉, 제3 감지 배선(M3)과 표시 영역(DA) 사이에 제1 감지 배선(M1)이 위치하고, 제3 감지 배선(M3)이 제1 감지 배선(M1)보다 기판(110)의 가장자리에 더욱 인접하여 위치할 수 있다.
제4 감지 배선(M4)은 제5 검사 패드(P5)에 연결되는 일단 및 검사 제어부(700')에 연결되는 타단을 포함한다. 제4 감지 배선(M4)은 표시 영역(DA)을 중심으로 우측 및 상측의 주변 영역(PA)에 위치할 수 있다. 즉, 제4 감지 배선(M4)은 제5 검사 패드(P5)로부터 표시 영역(DA)의 우측 가장자리를 따라 제2 방향(D2)으로 연장된 후 표시 패널(100B)의 모서리 부근에서 방향을 꺾어 표시 영역(DA)의 상측 가장자리를 따라 제1 방향(D1)의 반대 방향으로 연장되고, 표시 영역(DA)의 상측 가장자리의 중앙 부분에서 방향을 꺾어 반대로 되돌아와서 검사 제어부(700')에 연결될 수 있다. 제4 감지 배선(M4)은 제2 감지 배선(M2)보다 바깥쪽에 위치할 수 있다. 즉, 제4 감지 배선(M4)과 표시 영역(DA) 사이에 제2 감지 배선(M2)이 위치하고, 제4 감지 배선(M4)이 제2 감지 배선(M2)보다 기판(110)의 가장자리에 더욱 인접하여 위치할 수 있다.
제5 감지 배선(M5)은 제6 검사 패드(P6)에 연결되는 일단 및 검사 제어부(700')에 연결되는 타단을 포함한다. 제6 감지 배선(M6)은 제7 검사 패드(P7)에 연결되는 일단 및 검사 제어부(700')에 연결되는 타단을 포함할 수 있다. 제5 감지 배선(M5) 및 제6 감지 배선(M6)은 벤딩 가능 영역(BA)에 위치할 수 있다. 예를 들어, 제5 감지 배선(M5)은 표시 영역(DA)을 기준으로 좌측 가장자리에서 벤딩 가능 영역(BA)에 위치하고, 제6 감지 배선(M6)은 표시 영역(DA)을 기준으로 우측 가장자리에서 벤딩 가능 영역(BA)에 위치할 수 있다. 제5 감지 배선(M5)은 기판(110)의 좌측 가장자리에서 제6 검사 패드(P6)로부터 벤딩 가능 영역(BA)으로 연장된 후 되돌아와서 검사 제어부(700')에 연결될 수 있다. 제6 감지 배선(M6)은 기판(110)의 우측 가장자리에서 제7 검사 패드(P7)로부터 벤딩 가능 영역(BA)으로 연장된 후 되돌아와서 검사 제어부(700')에 연결될 수 있다.
제3 검사 패드(P3), 제4 검사 패드(P4), 제5 검사 패드(P5), 제6 검사 패드(P6) 및 제7 검사 패드(P7)는 주변 영역(PA)에서 기판(110)의 하측 가장자리를 따라 제1 방향(D1)으로 배열될 수 있다.
한편, 기판(110)의 주변 영역(PA)의 일부는 표시 장치의 검사 공정 이후에 절취선(CL)을 따라 절단될 수 있다. 도 6은 기판(110)의 주변 영역(PA)의 일부가 절취선(CL)에 따라 절단되기 이전을 나타내고, 도 10은 기판(110)의 주변 영역(PA)의 일부가 절취선(CL)에 따라 절단된 이후를 나타낸다. 도 6에 예시한 바와 같이, 절취선(CL)은 주변 영역(PA)에서 제3 내지 제7 검사 패드(P3, P4, P5, P6, P7)보다 기판(110)의 하측 가장자리에 더 인접하여 제1 방향(D1)으로 연장될 수 있다.
제1 검사 패드(P1) 및 제2 검사 패드(P2)는 절취선(CL)에 따라 절단되어 제거되는 부분에 위치할 수 있다. 제1 검사 패드(P1) 및 제2 검사 패드(P2)는 절취선(CL)보다 기판(110)의 하측 가장자리에 더 인접하여 위치할 수 있다.
제1 검사 패드(P1)에 제4 검사 패드(P4) 및 제6 검사 패드(P6)가 연결되고, 제1 검사 패드(P1)에 연결되는 제1 감지 전달 배선(DT1)은 제1 검사 패드(P1)로부터 제4 검사 패드(P4)와 제6 검사 패드(P6) 사이로 연장될 수 있다. 제2 검사 패드(P2)에 제5 검사 패드(P5) 및 제7 검사 패드(P7)가 연결되고, 제2 검사 패드(P2)에 연결되는 제2 감지 전달 배선(DT2)은 제2 검사 패드(P2)로부터 제5 검사 패드(P5)와 제7 검사 패드(P7) 사이로 연장될 수 있다.
도 4에서 예시한 바와 같이 제1 검사 패드(P1)에 제1 검사 전압(P1(V))을 인가하고 제2 검사 패드(P2)에 제2 검사 전압(P2(V))을 인가하고, 제3 검사 패드(P3)에 제3 검사 전압(P3(V))을 인가하여 표시 장치를 검사할 수 있다. 즉, 제1 검사 패드(P1)는 제1 감지 배선(M1), 제3 감지 배선(M3) 및 제5 감지 배선(M5)에 제1 검사 전압(P1(V))을 인가할 수 있는 제1 공통 검사 패드로 기능할 수 있다. 그리고 제2 검사 패드(P2)는 제2 감지 배선(M2), 제4 감지 배선(M4) 및 제6 감지 배선(M6)에 제2 검사 전압(P2(V))을 인가할 수 있는 제2 공통 검사 패드로 기능할 수 있다.
또한, 제1 검사 패드(P1)와 제2 검사 패드(P2)는 표시 장치의 검사 공정 이후에 제거되고, 제1 감지 전달 배선(DT1)은 제4 검사 패드(P4)와 제6 검사 패드(P6) 사이로 연장되고, 제2 감지 전달 배선(DT2)은 제5 검사 패드(P5)와 제7 검사 패드(P7) 사이로 연장되도록 구성됨에 따라 표시 장치의 검사 공정에 필요한 검사 패드와 배선을 위한 영역을 줄일 수 있다.
한편, 제1 감지 배선(M1)과 제2 감지 배선(M2)은 제3 감지 배선(M3)과 제4 감지 배선(M4)과 서로 다른 도전층에 위치할 수 있다. 도 7에 예시한 바와 같이 제3 감지 배선(M3)은 제2 도전층에 위치할 수 있다. 마찬가지로 제4 감지 배선(M4)도 제2 도전층에 위치할 수 있다. 이때, 제1 감지 배선(M1)은 제4 도전층에 위치할 수 있다. 마찬가지로 제2 감지 배선(M2)도 제4 도전층에 위치할 수 있다. 제1 감지 배선(M1)과 제2 감지 배선(M2)이 댐 부분(350d)을 기준으로 안쪽(표시 영역(DA)과 댐 부분(350d) 사이)에 위치할 수 있다.
이와 달리, 제1 감지 배선(M1)과 제2 감지 배선(M2)은 제3 감지 배선(M3)과 제4 감지 배선(M4)과 동일한 제2 도전층에 위치할 수도 있다. 이때, 제1 감지 배선(M1)과 제2 감지 배선(M2)은 댐 부분(350d)을 기준으로 안쪽 또는 바깥쪽에서 제3 감지 배선(M3)과 제4 감지 배선(M4)에 나란하게 위치할 수 있다.
도 8을 참조하면, 검사 제어부(700')에 포함되는 복수의 검사 트랜지스터(T1-Tm) 중에서 (k-a)번째 검사 트랜지스터(T(k-a))의 제2 전극은 제3 감지 배선(M3)에 연결되고, (k+a)번째 검사 트랜지스터(T(k+a))의 제2 전극은 제4 감지 배선(M4)에 연결되고, 2번째 검사 트랜지스터(T2)의 제2 전극은 제5 감지 배선(M5)에 연결되고, (m-1)번째 검사 트랜지스터(T(m-1))의 제2 전극은 제6 감지 배선(M6)에 연결될 수 있다. 여기서, (k-a)는 3보다 크고 (k-1)보다 작고, (k+a)는 (k+1)보다 크고 (m-2)보다 작다.
이하, 복수의 검사 트랜지스터(T1-Tm) 중에서 제3 감지 배선(M3)에 연결된 검사 트랜지스터(T(k-a))를 제3 명선 트랜지스터라 하고, 제4 감지 배선(M4)에 연결된 검사 트랜지스터(T(k+a))를 제4 명선 트랜지스터라 하고, 제5 감지 배선(M5)에 연결된 검사 트랜지스터(T2)를 제5 명선 트랜지스터라 하고, 제6 감지 배선(M6)에 연결된 검사 트랜지스터(T(m-1))를 제6 명선 트랜지스터라 한다. 그리고 제3 명선 트랜지스터에 연결된 데이터선(DL(k-a))을 제3 검사 데이터선이라 하고, 제4 명선 트랜지스터에 연결된 데이터선(DL(k+a))을 제4 검사 데이터선이라 하고, 제5 명선 트랜지스터에 연결된 데이터선(DL2)을 제5 검사 데이터선이라 하고, 제6 명선 트랜지스터에 연결된 데이터선(DL(m-1))를 제6 검사 데이터선이라 한다.
표시 장치의 검사를 위해, 제1 검사 패드(P1)에 제1 검사 전압(P1(V))을 인가하고 제2 검사 패드(P2)에 제2 검사 전압(P2(V))을 인가하고, 제3 검사 패드(P3)에 제3 검사 전압(P3(V))을 인가할 수 있다. 이때, 제3 감지 배선(M3)과 제3 명선 트랜지스터를 통해 제1 검사 전압(P1(V))이 제3 검사 데이터선에 연결된 복수의 화소(PX)에 기입될 수 있다. 제4 감지 배선(M4)과 제4 명선 트랜지스터를 통해 제2 검사 전압(P2(V))이 제4 검사 데이터선에 연결된 복수의 화소(PX)에 기입될 수 있다. 제5 감지 배선(M5)과 제5 명선 트랜지스터를 통해 제1 검사 전압(P1(V))이 제5 검사 데이터선에 연결된 복수의 화소(PX)에 기입될 수 있다. 제6 감지 배선(M6)과 제6 명선 트랜지스터를 통해 제2 검사 전압(P2(V))이 제6 검사 데이터선에 연결된 복수의 화소(PX)에 기입될 수 있다.
제3 감지 배선(M3)에 크랙이 발생한 경우, 도 9에 예시한 바와 같이 제3 검사 데이터선에 연결된 복수의 화소(PX)를 포함하는 화소열(PC(k-a))이 제3 명선으로 시인될 수 있다. 제3 명선이 시인되면 표시 패널(100B)의 좌측 가장자리 또는 상측 가장자리의 크랙 불량을 판정할 수 있다.
제4 감지 배선(M4)에 크랙이 발생한 경우, 도 9에 예시한 바와 같이 제4 검사 데이터선에 연결된 복수의 화소(PX)를 포함하는 화소열(PC(k+a))이 제4 명선으로 시인될 수 있다. 제4 명선이 시인되면 표시 패널(100B)의 우측 가장자리 또는 상측 가장자리의 크랙 불량을 판정할 수 있다.
제5 감지 배선(M5)에 크랙이 발생한 경우, 도 9에 예시한 바와 같이 제5 검사 데이터선에 연결된 복수의 화소(PX)를 포함하는 화소열(PC2)이 제5 명선으로 시인될 수 있다. 제5 명선이 시인되면 표시 패널(100B)의 벤딩 가능 영역(BA)의 좌측 부분의 크랙 불량을 판정할 수 있다.
제6 감지 배선(M6)에 크랙이 발생한 경우, 도 9에 예시한 바와 같이 제6 검사 데이터선에 연결된 복수의 화소(PX)를 포함하는 화소열(PC(m-1))이 제6 명선으로 시인될 수 있다. 제6 명선이 시인되면 표시 패널(100B)의 벤딩 가능 영역(BA)의 우측 부분의 크랙 불량을 판정할 수 있다.
제1 명선과 제2 명선은 표시 영역(DA)의 중앙 부근에 위치하고, 제5 명선과 제6 명선은 표시 영역(DA) 내에서 좌측 가장자리와 우측 가장자리에 위치하고, 제3 명선과 제4 명선은 표시 영역(DA) 내에서 좌측 중앙부와 우측 중앙부에 위치함에 따라 육안으로 표시 장치를 검사할 때 표시 패널(100B)의 어느 부분에 크랙이 발생하였는지 쉽게 확인할 수 있다.
이러한 차이점을 제외하고, 앞서 도 1 내지 도 5를 참조하여 설명한 실시예의 특징들은 도 6 내지 도 10을 참조로 설명한 실시예에 모두 적용될 수 있으므로, 실시예들 간에 중복되는 설명은 생략한다.
지금까지 참조한 도면과 기재된 발명의 상세한 설명은 단지 본 발명의 예시적인 것으로서, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
100A, 100B: 표시 패널
110: 기판
700: 감지 제어부
M1: 제1 감지 배선
M2: 제2 감지 배선
HCD: 홀 크랙 감지 배선

Claims (20)

  1. 복수의 화소 및 상기 복수의 화소에 연결되는 복수의 데이터선을 포함하는 표시 영역;
    상기 표시 영역 내에 위치하는 홀 영역;
    일단 및 타단이 분리되어 상기 홀 영역의 주위를 둘러싸는 형상으로 상기 홀 영역에 인접하여 배치되는 홀 크랙 감지선;
    상기 홀 크랙 감지선의 일단에 연결되는 제1 감지 전달 배선 및 상기 홀 크랙 감지선의 타단에 연결되는 제1 감지 수신 배선을 포함하는 제1 감지 배선;
    상기 홀 크랙 감지선의 일단에 연결되는 제2 감지 전달 배선 및 상기 홀 크랙 감지선의 타단에 연결되는 제2 감지 수신 배선을 포함하는 제2 감지 배선; 및
    상기 제1 감지 수신 배선을 상기 복수의 데이터선 중 하나에 전기적으로 연결시키고, 상기 제2 감지 수신 배선을 상기 복수의 데이터선 중 다른 하나에 전기적으로 연결시키는 검사 제어부를 포함하는 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 감지 전달 배선에 연결되어 있는 일단 및 상기 제2 감지 전달 배선에 연결되어 있는 타단을 포함하는 검사 전압 배선을 더 포함하는 표시 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 검사 제어부는,
    상기 복수의 데이터선에 연결되는 복수의 검사 트랜지스터를 포함하고,
    상기 복수의 검사 트랜지스터의 제1 전극은 상기 복수의 데이터선에 각각 연결되고,
    상기 복수의 검사 트랜지스터에 포함되는 제1 명선 트랜지스터의 제2 전극은 상기 제1 감지 수신 배선에 연결되고, 상기 복수의 검사 트랜지스터에 포함되는 제2 명선 트랜지스터의 제2 전극은 상기 제2 감지 수신 배선에 연결되는 표시 장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 복수의 검사 트랜지스터에서 상기 제1 명선 트랜지스터 및 상기 제2 명선 트랜지스터를 제외한 나머지 검사 트랜지스터의 제2 전극은 상기 검사 전압 배선에 연결되는 표시 장치.
  5. 제3 항에 있어서,
    상기 홀 크랙 감지선에 크랙이 발생하면, 상기 제1 명선 트랜지스터에 연결된 데이터선에 연결된 화소 및 상기 제2 명선 트랜지스터에 연결된 데이터선에 연결된 연결된 화소가 발광하는 표시 장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 제1 명선 트랜지스터에 연결된 데이터선에 연결된 화소를 포함하는 제1 명선 및 상기 제2 명선 트랜지스터에 연결된 데이터선에 연결된 연결된 화소를 포함하는 제2 명선은 상기 표시 영역의 중앙 부근에서 위치하는 표시 장치.
  7. 제3 항에 있어서,
    상기 제1 감지 전달 배선은 제1 검사 전압이 인가되는 제1 검사 패드에 연결되고, 상기 제2 감지 전달 배선은 제2 검사 전압이 인가되는 제2 검사 패드에 연결되는 표시 장치.
  8. 제7 항에 있어서,
    제3 검사 패드에 일단이 연결되고, 상기 복수의 검사 트랜지스터 각각의 게이트 전극에 연결되는 감지 제어 배선을 더 포함하는 표시 장치.
  9. 제8 항에 있어서,
    제4 검사 패드에 일단이 연결되고, 상기 표시 영역의 일측 가장자리를 따라 연장된 후 반대로 되돌아와서 상기 복수의 검사 트랜지스터에 포함되는 제3 명선 트랜지스터의 제2 전극에 연결되는 제3 감지 배선; 및
    제5 검사 패드에 일단이 연결되고, 상기 표시 영역의 타측 가장자리를 따라 연장된 후 반대로 되돌아와서 상기 복수의 검사 트랜지스터에 포함되는 제4 명선 트랜지스터의 제2 전극에 연결되는 제4 감지 배선을 더 포함하는 표시 장치.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 표시 영역 주변의 구부러질 수 있는 벤딩 가능 영역;
    제6 검사 패드에 일단이 연결되고, 상기 벤딩 가능 영역으로 연장된 후 반대로 되돌아와서 상기 복수의 검사 트랜지스터에 포함되는 제5 명선 트랜지스터의 제2 전극에 연결되는 제5 감지 배선; 및
    제7 검사 패드에 일단이 연결되고, 상기 벤딩 가능 영역으로 연장된 후 반대로 되돌아와서 상기 복수의 검사 트랜지스터에 포함되는 제6 명선 트랜지스터의 제2 전극에 연결되는 제6 감지 배선을 더 포함하는 표시 장치.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 제1 검사 패드는 상기 제4 검사 패드 및 상기 제6 검사 패드가 연결되는 제1 공통 검사 패드이고,
    상기 제2 검사 패드는 상기 제5 검사 패드 및 상기 제7 검사 패드가 연결되는 제2 공통 검사 패드인 표시 장치.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 제1 감지 전달 배선은 상기 제4 검사 패드와 상기 제6 검사 패드 사이로 연장되고,
    상기 제2 감지 전달 배선은 상기 제5 검사 패드와 상기 제7 검사 패드 사이로 연장되는 표시 장치.
  13. 제11 항에 있어서,
    상기 제1 검사 패드 및 상기 제2 검사 패드에 검사 전압이 인가되면, 상기 제3 명선 트랜지스터에 연결된 데이터선에 연결된 화소, 상기 제4 명선 트랜지스터에 연결된 데이터선에 연결된 화소, 상기 제5 명선 트랜지스터에 연결된 데이터선에 연결된 화소 및 상기 제6 명선 트랜지스터에 연결된 데이터선에 연결된 화소 중 적어도 하나가 발광하는 표시 장치.
  14. 복수의 화소 및 상기 복수의 화소에 연결되는 복수의 데이터선을 포함하는 표시 영역, 상기 표시 영역 내에 위치하는 홀 영역, 및 상기 홀 영역의 주위를 둘러싸는 형상으로 상기 홀 영역에 인접하여 배치되는 홀 크랙 감지선을 포함하는 표시 장치의 검사 방법에 있어서,
    상기 홀 크랙 감지선에 연결되는 제1 감지 배선에 제1 검사 전압을 인가하는 단계;
    상기 홀 크랙 감지선에 연결되는 제2 감지 배선에 제2 검사 전압을 인가하는 단계; 및
    제1 명선 트랜지스터를 통해 상기 제1 감지 배선을 상기 복수의 데이터선 중 하나에 전기적으로 연결시키고, 제2 명선 트랜지스터를 통해 상기 제2 감지 배선을 상기 복수의 데이터선 중 다른 하나에 전기적으로 연결시키는 단계를 포함하고,
    상기 제1 감지 배선은 상기 홀 크랙 감지선의 일단에 연결되는 제1 감지 전달 배선 및 상기 홀 크랙 감지선의 타단에 연결되는 제1 감지 수신 배선을 포함하고,
    상기 제2 감지 배선은 상기 홀 크랙 감지선의 일단에 연결되는 제2 감지 전달 배선 및 상기 홀 크랙 감지선의 타단에 연결되는 제2 감지 수신 배선을 포함하는 표시 장치의 검사 방법.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 제1 명선 트랜지스터에 연결된 데이터선에 연결된 화소 및 상기 제2 명선 트랜지스터에 연결된 데이터선에 연결된 화소 중 적어도 하나가 발광하는 단계를 더 포함하는 표시 장치의 검사 방법.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 홀 크랙 감지선에 크랙이 발생하면, 상기 제1 명선 트랜지스터에 연결된 데이터선에 연결된 화소 및 상기 제2 명선 트랜지스터에 연결된 데이터선에 연결된 연결된 화소가 발광하는 표시 장치의 검사 방법.
  17. 제15 항에 있어서,
    상기 제1 명선 트랜지스터에 연결된 데이터선에 연결된 화소를 포함하는 제1 명선 및 상기 제2 명선 트랜지스터에 연결된 데이터선에 연결된 연결된 화소를 포함하는 제2 명선은 상기 표시 영역의 중앙 부근에서 위치하는 표시 장치의 검사 방법.
  18. 삭제
  19. 제14항에 있어서,
    상기 홀 크랙 감지선에 전기적으로 연결된 제1 명선 및 제2 명선에 포함된 복수의 화소가 발광하는 단계를 더 포함하고,
    상기 제1 명선 및 상기 제2 명선은 상기 표시 영역의 중앙 부근에 위치하는 표시 장치의 검사 방법.
  20. 제19 항에 있어서,
    상기 표시 영역의 양측 가장자리를 따라 배치되는 감지 배선에 전기적으로 연결된 제3 명선 및 제4 명선 중 어느 하나에 포함된 화소가 발광하는 단계를 더 포함하고,
    상기 제3 명선 및 상기 제4 명선은 상기 표시 영역 내에서 좌측 및 우측에 위치하는 표시 장치의 검사 방법.
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