KR20220094445A - 표시장치 - Google Patents

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KR20220094445A
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

본 명세서의 실시예에 따른 표시장치는, 홀 주변 영역에서 발생되는 크랙을 감지하도록 구현된 감지전극과, 감지전극과 연결된 감지배선을 포함한다.

Description

표시장치{DISPLAY APPARATUS}
본 명세서는 표시장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 표시 영역 내의 홀 주변 영역에 발생되는 크랙을 감지할 수 있는 표시장치에 관한 것이다.
표시장치는 TV, 모니터, 태블릿 컴퓨터, 네비게이션, 게임기, 및 휴대폰 등과 같은 다양한 형태의 기기에 사용될 수 있다. 예를 들면, 표시장치는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display Device: LCD), 유기발광 표시장치(Organic Light Emitting Display Device: OLED) 등과 같은 여러 종류의 표시장치가 사용되고 있다.
표시장치는 사용자가 디스플레이 화면을 보면서 손가락이나 펜 등으로 화면을 터치하여 정보를 입력할 수 있도록 입력 장치를 구비할 수 있다. 예를 들어, 터치 입력을 감지하기 위한 터치 센서가 표시장치의 일면에 부착되거나, 표시장치와 일체로 형성되어 사용될 수 있다. 또한, 표시장치는 카메라 및 근접 센서 등의 광학장치를 추가하여 발전하고 있다.
표시장치에 카메라 및 근접 센서 등의 광학장치를 추가하기 위해서는, 표시장치와의 간섭이 발생하지 않도록, 표시장치의 하부 비표시 영역 또는 베젤 영역에 광학장치를 배치할 수 있다. 다만, 광학장치가 표시장치의 하부 비표시 영역 또는 베젤 영역에 배치되는 경우, 표시 영역의 크기는 변동이 없으나, 전체적인 표시장치의 크기가 커지므로 디자인적인 단점을 가지게 된다.
따라서, 표시장치의 크기 증가 없이, 광학장치를 추가하기 위해 표시 영역 내에 표시장치를 관통하는 홀을 형성하고, 홀과 대응되는 영역에 광학장치를 배치할 수 있다.
표시장치에 홀을 형성하기 위해, 레이저 또는 드릴을 사용하여 물리적으로 표시장치의 일정영역을 뚫고 있으며, 이때 홀을 형성하는 과정에서 크랙이 발생될 수 있다.
크랙은 시간이 지날수록 크기가 커지는 특성을 가지고 있으므로, 크랙이 발생하여 표시 영역까지 진행되는 경우, 외부의 수분이 발광소자와 접촉하게 된다. 유기물질로 구성된 발광소자가 수분과 접촉하는 경우, 발광소자는 쉽게 손상되므로, 발광 휘도가 저하되고, 시간이 지나면서 완전히 발광하지 않을 수 있다.
본 명세서는 표시장치의 홀 주변 영역에서 발생되는 크랙을 감지하여, 크랙이 발생한 제품을 조기에 선별하여 수리를 하거나, 외부로 유출시키지 않는 것을 목적으로 한다.
본 명세서의 과제는 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 명세서의 실시예에 따른 표시장치는, 영상이 표시되는 표시 영역, 표시 영역을 둘러싸는 제1 비표시 영역, 및 표시 영역 내의 제2 비표시 영역을 포함하는 기판을 포함할 수 있다.
그리고, 표시 영역 상에 배치되는 복수의 발광소자, 기판 및 복수의 발광 소자 상에 있는 봉지부, 표시 영역에서 봉지부 상에 배치되는 터치배선, 봉지부 상에 배치되며, 제2 비표시 영역 내에 있는 감지전극, 및 감지전극과 연결되는 제1 감지배선을 포함할 수 있다. 그리고, 감지전극과 제1 감지배선은 동일 층에 위치할 수 있다.
본 명세서의 다른 실시예에 따른 표시장치는, 영상이 표시되는 표시 영역, 표시 영역을 둘러싸는 제1 비표시 영역, 및 표시 영역 내의 제2 비표시 영역을 포함하는 기판을 포함할 수 있다.
그리고, 표시 영역 상에 배치되는 복수의 발광소자, 기판 및 복수의 발광 소자 상에 있는 봉지부, 표시 영역에서 봉지부 상에 배치되는 터치배선, 및 봉지부 상에 배치되며, 제2 비표시 영역 내에 있는 감지전극, 및 감지전극과 연결되는 제1 감지배선을 포함할 수 있다. 그리고, 감지전극과 제1 감지배선은 다른 층에 위치할 수 있다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 명세서의 실시예에 의하면, 표시장치의 홀 주변 영역에서 발생되는 크랙을 감지하기 위한 감지전극과, 감지전극에서 감지된 크랙 신호를 감지 구동부에 효과적으로 송신하기 위한 감지배선을 구성하므로, 불량 유출을 방지하고, 제품 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
본 명세서의 효과는 이상에서 언급한 효과에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과는 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 명세서의 실시예에 따른 표시장치의 단면도이다.
도 2는 본 명세서의 실시예에 따른 표시장치의 평면도이다.
도 3은 도 2의 "A" 영역의 확대 평면도이다.
도 4는 도 3의 I-I'에 따른 단면도이다.
도 5는 도 2의 "B" 영역의 확대 평면도이다.
도 6은 도 5의 II-II'에 따른 단면도이다.
도 7은 도 2의 "B" 영역의 확대 평면도이다.
도 8은 도 7의 III-III'에 따른 단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 제한되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 제한되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 발명 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
소자 또는 층이 다른 소자 또는 층 "위 (on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다.
또한 제 1, 제 2 등이 다양한 구성 요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성 요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제 1 구성 요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제 2 구성 요소일 수도 있다.
명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 크기 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
본 명세서의 표시장치는 유기발광 표시장치에 적용될 수 있으나, 이에 제한되지 않으며, LED 표시장치나 양자점 표시장치와 같은 다양한 표시장치에 적용될 수 있다.
이하에서는 도면을 참조하여 본 명세서에 대해 설명하기로 한다.
도 1은 본 명세서의 실시예에 따른 표시장치의 단면도이다.
도 1을 참조하면, 표시장치(100)는 기판(110), 박막 트랜지스터층(120), 발광소자층(130), 봉지부(140), 터치배선(150), 접착층(160), 및 전면부재(170)를 포함할 수 있다.
기판(110)은 표시장치(100)의 다른 구성 요소를 지지하기 위한 지지 부재이며, 절연 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 기판(110)은 유리 또는 수지 등으로 이루어질 수 있다. 또한, 기판(110)은 고분자 또는 폴리이미드(Polyimide, PI) 등과 같은 플라스틱을 포함하여 이루어질 수도 있고, 유연성(flexibility)을 갖는 물질로 이루어질 수도 있다.
기판(110)은 표시 영역(AA) 및 제1 비표시 영역(NA1)을 포함할 수 있다.
표시 영역(AA)은 영상을 표시하는 영역이다. 표시 영역(AA)에는 영상을 표시하기 위한 복수의 서브 화소 및 복수의 서브 화소를 구동하기 위한 구동 회로가 배치될 수 있다. 복수의 서브 화소 각각은 빛을 발광하는 개별 단위일 수 있으며, 복수의 서브 화소 각각에는 발광소자가 배치될 수 있다. 복수의 서브 화소는 적색 서브 화소, 녹색 서브 화소, 청색 서브 화소, 및 백색 서브 화소를 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 구동 회로는 복수의 서브 화소를 구동하기 위한 다양한 박막 트랜지스터, 스토리지 커패시터, 및 배선 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 구동 회로는 구동 박막 트랜지스터, 스위칭 박막 트랜지스터, 센싱 박막 트랜지스터, 스토리지 커패시터, 게이트 배선, 및 데이터 배선 등과 같은 다양한 구성 요소로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 비표시 영역(NA1)은 영상이 표시되지 않는 영역일 수 있다. 예를 들면, 제1 비표시 영역(NA1)은 표시 영역(AA)에 배치된 서브 화소를 구동하기 위한 다양한 배선, 및 구동부 등이 배치되는 영역일 수 있다. 예를 들어, 제1 비표시 영역(NA1)에는 게이트 구동부, 데이터 구동부가 배치될 수 있다. 구동부는 구동칩(chip)으로 형성하여 표시장치에 실장 되거나, GIP(gate driver in panel) 방식으로 표시장치 상에 직접 형성될 수 있다.
박막 트랜지스터층(120)은 기판(110) 상에 배치된다. 박막 트랜지스터층(120)은 게이트 라인, 데이터 라인 및 박막 트랜지스터를 포함할 수 있다. 박막 트랜지스터는 게이트 전극, 액티브층, 소스 전극, 및 드레인 전극을 포함할 수 있다.
발광소자층(130)은 박막 트랜지스터층(120) 상에 배치된다. 발광소자층(130)은 기판(110)의 표시 영역(AA)과 대응될 수 있다. 발광소자층(130)은 발광소자 및 뱅크를 포함할 수 있다. 발광소자는 제1 전극, 발광층 및 제2 전극을 포함할 수 있다. 발광소자는 박막 트랜지스터를 통해 제 1 전극으로 공급되는 데이터 신호에 의하여 발광할 수 있다. 발광소자층(130)에서 발생된 광은 전면부재(170)를 향하여 출사되거나, 반대 방향으로 출사될 수 있다.
봉지부(140)는 제1 기판(110) 상에서 박막 트랜지스터층(120) 및 발광소자층(130)을 덮도록 배치될 수 있다. 봉지부(140)는 외부 충격으로부터 박막 트랜지스터층(120) 및 발광소자층(130)을 보호하고, 박막 트랜지스터층(120) 및/또는 발광소자층(130)으로 산소 또는 수분이 침투하는 것을 방지할 수 있다. 봉지부(140)는 적어도 하나의 무기막 및 유기막을 포함할 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
터치배선(150)은 봉지부(140) 상에 배치될 수 있다. 터치배선(150)은 표시장치(100)에 입력되는 터치 입력을 감지할 수 있다. 터치 입력은 사용자의 손가락 또는 터치 펜에 의한 입력일 수 있다. 터치배선(150)이 봉지부(140)의 전면에 직접 형성되므로, 터치배선(150)을 부착하기 위한 별도의 접착 부재가 생략될 수 있다. 터치배선(150)은 제1 터치배선과 제2 터치배선을 포함할 수 있다. 제1 터치배선과 제2 터치배선은 메탈 메쉬 구조를 가질 수 있다.
접착층(160)은 터치배선(150) 상에 배치된다. 접착층(160)은 박막 트랜지스터층(120), 발광소자층(130), 봉지부(140), 및 터치배선(150)이 배치된 기판(110)의 전면을 전면부재(170)에 접착할 수 있다. 접착층(160)은 투명한 접착 레진층(optically clear resin layer, OCR) 또는 투명한 접착 레진 필름(optically clear adhesive film, OCA)일 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
전면부재(170)는 접착층(160)에 의해 기판(110) 상부에 배치된다. 전면부재(170)는 기판(110)을 덮는 커버 글래스 또는 커버 윈도우일 수 있다. 전면부재(170)는 영상을 표시하는 영역과 중첩되므로, 영상을 투과할 수 있는 투명 플라스틱 재질, 투명 글라스 재질, 또는 봉지 필름(보호 필름)일 수 있다. 전면부재(170)의 하부에는 제1 비표시 영역(NA1)의 시인을 방지하기 위한 블랙 매트릭스가 배치될 수 있다.
이하에서는 도 2를 참조하여 표시장치(100)의 터치배선(150) 구조에 대하여 설명하도록 한다.
도 2는 본 명세서의 실시예에 따른 표시장치의 평면도이다.
도 2를 참조하면, 터치배선은 기판(110)의 표시 영역(AA)에 배치된 복수의 제1 터치배선(Rx)과 복수의 제2 터치배선(Tx)을 포함할 수 있다. 제1 터치배선(Rx)은 복수의 제1 터치전극(RE)를 포함할 수 있고, 제2 터치배선(Tx)은 복수의 제2 터치전극(TE)을 포함할 수 있다.
제1 터치배선(Rx)은 제1 방향(X축 방향)을 따라 연장된다. 제1 터치배선(Rx)은 서로 일정 간격을 갖도록 배치된 복수의 제1 터치전극(RE)을 포함한다. 제1 터치배선(Rx)은 제1 방향에서 끊어지지 않고 연속적으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 제1 방향을 따라 배치된 복수의 제1 터치전극(RE)은 후술될 복수의 연결패턴(TC)에 의하여 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 이에, 제1 방향을 따라 배치된 복수의 제1 터치전극(RE)은 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 복수의 제1 터치배선(Rx)은 제2 방향(Y축 방향)을 따라 일정 간격을 갖도록 이격될 수도 있다.
복수의 제2 터치배선(Tx)은 제2 방향을 따라 연장된다. 복수의 제2 터치배선(Tx)은 서로 일정 간격을 갖도록 배치된 복수의 제2 터치전극(TE)을 포함한다. 복수의 제2 터치전극(TE)은 제2 방향(Y축 방향)에서 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들면, 제2 방향을 따라 배치된 복수의 제2 터치전극(TE)은 후술될 복수의 브릿지에 의하여 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 복수의 제2 터치배선(Tx)은 제1 방향을 따라 일정 간격을 갖도록 이격될 수도 있다.
복수의 제1 터치배선(Rx)과 복수의 제2 터치배선(Tx)은 서로 일정 간격을 갖도록 이격되어 배치될 수 있다. 이에, 복수의 제1 터치배선(Rx)과 복수의 제2 터치배선(Tx)은 서로 전기적으로 분리될 수 있다. 복수의 제1 터치배선(Rx)과 복수의 제2 터치배선(Tx)은 메탈 메쉬 구조를 가질 수 있다. 메탈 메쉬 구조에 대해서는 도 3을 참조하여 후술하도록 한다. 본 명세서에서는 복수의 제1 터치배선(Rx)이 제1 방향으로 연장되고, 복수의 제2 터치배선(Tx)이 제2 방향으로 연장되는 것을 기준으로 설명하였으나, 그 반대로 형성될 수도 있다.
복수의 제1 터치배선(Rx) 각각은 제1 라우팅 라인(RL1)과 전기적으로 연결될 수 있다. 복수의 제2 터치배선(Tx)은 제2 라우팅 라인(RL2)과 전기적으로 연결될 수 있다. 복수의 제1 터치배선(Rx) 및 복수의 제2 터치배선(Tx)은 제1 라우팅 라인(RL1) 및 제2 라우팅 라인(RL2)에 의하여 제1 비표시 영역(NA1)에 배치된 터치 패드(TP)와 연결될 수 있다. 또한, 터치 패드(TP)에는 터치 구동부가 연결될 수 있다.
터치 구동부는 복수의 제1 터치배선(Rx) 및 복수의 제2 터치배선(Tx)과 연결되어 신호를 전송하거나 수신 받을 수 있다. 예를 들어, 터치 구동부는 복수의 제1 터치배선(Rx)으로부터 터치 감지 신호를 수신할 수 있다. 또한, 터치 구동부는 복수의 제2 터치배선(Tx)으로 터치 구동 신호를 전송할 수 있다. 터치 구동부는 복수의 제1 터치배선(Rx) 및 복수의 제2 터치배선(Tx) 사이의 상호 정전 용량(mutual capacitance)을 이용하여 터치를 감지할 수 있다. 예를 들면, 표시장치(100)에 터치 동작이 이루어질 경우, 복수의 제1 터치배선(Rx)과 복수의 제2 터치배선(Tx) 사이에는 정전 용량(capacitance) 변화가 발생할 수 있다. 터치 구동부는 이러한 정전 용량 변화를 감지하여 터치 좌표를 검출할 수 있다.
기판(110)은 표시 영역(AA) 내의 제2 비표시 영역(NA2)을 더 포함할 수 있다. 제2 비표시 영역(NA2)은 제1 터치배선(Rx), 제2 터치배선(Tx), 및 발광소자가 배치되지 않는 영역일 수 있다. 제2 비표시 영역(NA2)은 홀(TH)을 포함할 수 있다. 홀(TH)은 기판(110), 박막 트랜지스터층, 발광소자층, 봉지부 및 터치배선를 관통하는 홀일 수 있다. 홀(TH)은 전면부재를 관통하지 않을 수 있다. 그리고, 표시장치(100)의 하부에는 홀(TH)에 대응되도록 카메라 또는 광학장치가 배치될 수 있다.
표시장치(100) 내의 일정영역에 홀(TH)을 구성하기 위해서는 레이저나 드릴 등을 사용하고 있으며, 홀(TH)을 형성하는 과정에서 표시장치(100)의 홀(TH) 주위에는 크랙이 발생될 수 있다.
홀(TH) 주위에서 발생된 크랙은 시간이 지남에 따라 표시 영역(AA) 내부로 진행되어 불량을 발생시킬 수 있다. 예를 들어, 신호 배선까지 크랙이 진행되어 신호 배선을 단선시키거나, 크랙을 통해 표시장치(100) 내부로 수분 등이 침투하여, 화소가 발광하지 않거나 오발광하는 등의 불량이 발생할 수 있다. 이에 본 명세서의 발명자들은 홀(TH) 주위에서 발생하는 크랙을 감지할 수 있는 구조를 구현하기 위하여 여러 실험을 하였다. 여러 실험을 통하여 홀(TH) 주변에 발생하는 크랙을 감지할 수 있는 감지전극을 구성하였다.
감지전극(162)은 제2 비표시 영역(NA2)의 홀(TH)에서 발생되는 크랙을 감지할 수 있다. 예를 들면, 홀(TH) 주위 영역에 크랙을 감지하기 위한 감지전극(162)을 형성할 수 있다. 감지 신호를 인가하기 위한 감지배선(164,165)은 감지전극(162)에 연결될 수 있다.
감지배선은 제1 감지배선(164)과 제2 감지배선(165)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 감지배선(164)은 감지전극(162)과 연결되며, 표시 영역(AA)에 배치될 수 있다. 예를 들면, 제2 감지배선(165)은 제1 비표시 영역(NA1)에 배치되고, 감지패드(167)를 통해 감지 구동부에 연결될 수 있다.
제1 감지배선(164)의 일측은 감지전극(162)에 연결되고, 타측은 제2 감지배선(165)에 연결될 수 있다. 제1 감지배선(164)은 제1 터치전극(RE)과 제2 터치전극(TE)으로 구성된 터치전극(TE, RE)과 동일한 물질로 동일 층에 형성되거나, 브릿지와 동일한 물질로 동일 층에 형성될 수 있다.
그리고, 제2 감지배선(165)의 일측은 제1 감지배선(164)에 연결되고, 타측은 감지 구동부에 연결될 수 있다. 제2 감지배선은(165)은 표시 영역(AA)을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 제2 감지배선(165)은 표시장치(100)의 상측, 하측, 좌측, 및 우측 중 하나 이상에 배치될 수 있으므로, 표시장치(100)의 상측, 하측, 좌측, 및 우측 중 하나 이상을 포함하는 측면에서 발생되는 크랙을 감지할 수 있다.
제2 감지배선(165)은 감지신호를 입력하는 제1 감지패드(167_I)에 일측이 연결되고, 타측은 제2 감지패드(167_O)에 연결되어 감지배선과 감지전극을 거쳐 출력되는 감지신호를 수신할 수 있다. 감지신호를 인가하고 수신하는 제1 및 제2 감지패드(167_I, 167_O)는 감지 구동부에 연결될 수 있다.
제1 감지배선(165)에도 감지신호는 인가되므로, 제1 감지배선(165) 주위에서 발생하는 크랙은 제1 감지배선(165)으로 감지할 수 있다.
크랙을 감지하기 위해, 감지 구동부는 제1 감지패드(167_I)에 감지신호를 입력하고, 입력된 감지신호는 제2 감지배선(165), 제1 감지배선(164), 감지전극(162), 제1 감지배선(164), 및 제2 감지배선(165)의 순서로 제2 감지패드(167_O)에 출력되어 감지 구동부에서 수신하게 된다. 감지신호가 입력되는 제1 감지패드(167_I)와 감지신호가 출력되는 제2 감지패드(167_O)는 제1 비표시 영역(NA1)의 하단 좌측 또는 우측에 각각 배치되거나, 좌측 및 우측에 배치될 수 있다.
감지 구동부는 입력되는 감지신호와 출력되는 감지신호를 비교하여 감지배선(164, 165)과 감지전극(162)에서 발생되는 크랙을 감지할 수 있다. 예를 들어, 감지 구동부는 입력되는 감지신호의 전압 값 및 출력되는 감지신호의 전압 값을 비교하여 감지배선(164, 165)과 감지전극(162)의 저항을 측정하는 논리 회로를 포함할 수 있고, 저항 값의 변화로 크랙을 감지할 수 있다.
또는, 감지 구동부는 감지배선(164, 165)과 감지전극(162)에 일정한 전압이 유지될 수 있도록 감지신호를 인가하고, 크랙에 의해 감지배선(164, 165)과 감지전극(162)에 저항이 상승할 경우, 일정한 전압을 유지하기 위해 인가되는 전압을 높이게 되며, 인가되는 전압의 변화를 감지하여, 크랙을 감지할 수 있다. 크랙 감지 방법은 이에 한정되는 것은 아니고, 다양한 방법을 적용할 수 있다.
도 3은 도 2의 "A" 영역의 확대 평면도이다.
도 3을 참조하면, 제1 터치배선(Rx)은 복수의 제1 터치전극(RE)및 복수의 연결패턴(TC)을 포함하고, 제2 터치배선(Tx)은 복수의 제2 터치전극(TE) 및 복수의 브릿지(BRG)을 포함할 수 있다. 제1 터치배선(Rx) 및 제2 터치배선(Tx)은 메탈 메쉬 구조를 가질 수 있다.
제1 방향에서 서로 이웃하는 제1 터치전극(RE)은 연결패턴(TC)에 의하여 분리되지 않고 일체로 형성될 수 있다. 예를 들면, 제1 터치전극(RE)및 연결패턴(TC)은 모두 후술될 터치 절연층 상에 배치될 수 있다.
제2 방향에서 서로 이웃하는 제2 터치전극(TE)은 서로 분리되어 형성될 수 있다. 제2 방향에서 서로 분리되어 배치된 제2 터치전극(TE)은 브릿지(BRG)에 의하여 서로 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 터치전극(RE)과 제2 터치전극(TE)은 터치 절연층 상에서 일정 간격 이격되어 배치될 수 있다. 브릿지(BRG)는 제1 터치전극(RE), 연결패턴(TC), 및 제2 터치전극(TE)의 하부에 배치될 수 있으며, 터치 절연층의 하부에 배치될 수 있다. 예를 들면, 제1 터치전극(RE) 및 연결패턴(TC)과 중첩되는 브릿지(BRG)는 제1 터치전극(RE) 및 연결패턴(TC)과 상이한 층에 배치되어 서로 전기적으로 절연될 수 있다.
제1 터치배선(Rx) 및 제2 터치배선(Tx)은 매우 얇은 선폭을 갖는 메탈 라인들이 서로 교차하여 이루어진 메쉬 패턴(mesh pattern)을 포함할 수 있다. 메쉬 패턴은 마름모 형태를 가질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 메쉬 패턴은 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 알루미늄(Ti), 티타늄/알루미늄/티타늄(Ti/Al/Ti), 및 몰리브덴/알루미늄/몰리브덴(Mo/Al/Mo) 등의 금속 물질로 이루어진 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
제1 터치전극(RE)과 제2 터치전극(TE)의 메쉬 패턴 내부에는 개구부(OP)가 형성될 수 있다. 개구부(OP)는 서브 화소와 대응될 수 있다. 예를 들면, 개구부(OP) 내에는 발광소자가 배치될 수 있다.
복수의 제1 터치전극(RE) 및 복수의 제2 터치전극(TE) 내에는 복수의 제1 터치전극(RE)및 복수의 제2 터치전극(TE)과 이격된 더미 전극이 배치될 수 있다. 예를 들어, 마름모 형태를 갖는 제1 터치전극(RE) 내의 일부 메쉬 패턴은 더미 전극으로 구성될 수 있다. 이때, 제1 터치전극(RE)의 메쉬 패턴은 더미 전극의 메쉬 패턴의 외곽을 둘러싸는 형태를 가질 수 있다. 더미 전극은 제1 터치전극(RE)과 전기적으로 절연되며, 플로팅(floating)된 상태일 수 있다. 또한, 제2 터치전극(TE)도 제1 터치전극(RE)과 유사한 더미 전극을 포함할 수 있다. 더미 전극은 제1 터치배선(Rx)과 제2 터치배선(Tx) 사이의 상호 정전 용량을 최적화하여 터치 센싱 감도를 향상시킬 수 있다.
이하에서는 도 4를 참조하여 표시장치(100)의 구체적인 구조에 대하여 설명하도록 한다.
도 4는 도 3의 I-I'에 따른 단면도이다.
도 4를 참조하면, 표시장치(100)는 기판(110), 박막 트랜지스터층(120), 발광소자층(130), 봉지부(140), 및 터치배선(150)을 포함한다. 도 4에서는 도 1의 접착층(160) 및 전면부재(170)에 대한 도시는 생략하였다.
박막 트랜지스터층(120)은 기판(110) 상에 배치된다. 박막 트랜지스터층(120)은 박막 트랜지스터(121), 게이트 절연층(122), 제1 층간 절연층(123), 제2 층간 절연층(124), 및 평탄화층(125)을 포함한다. 기판(110)과 박막 트랜지스터층(120) 사이에는 버퍼층이 배치될 수도 있다. 버퍼층은 기판(110)을 통해 수분 또는 불순물이 침투되는 것을 저감할 수 있다. 버퍼층은 예를 들어, 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)의 단일층 또는 복층으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.
박막 트랜지스터(121)는 기판(110) 상에 배치되어 발광소자(131)를 구동시킬 수 있다. 박막 트랜지스터(121)는 액티브층(ACT), 게이트 전극(GE), 소스 전극(SE), 및 드레인 전극(DE)을 포함할 수 있다.
액티브층(ACT)은 기판(110) 상에 배치된다. 액티브층(ACT)은 박막 트랜지스터(121) 구동 시 채널이 형성되는 영역이다. 액티브층(ACT)은 채널 영역, 소스 영역, 및 드레인 영역을 포함할 수 있다. 액티브층(ACT)은 산화물 반도체, 비정질 실리콘 또는 폴리 실리콘 등과 같은 반도체 물질로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
액티브층(ACT) 상에는 게이트 절연층(122)이 배치된다. 게이트 절연층(122)은 액티브층(ACT)과 게이트 전극(GE)을 절연시키기 위한 절연층일 수 있다. 게이트 절연층(122)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)의 단일층 또는 복층으로 구성될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.
게이트 전극(GE)은 게이트 절연층(122) 상에 배치될 수 있다. 게이트 전극(GE)은 액티브층(ACT)의 채널 영역과 중첩하도록 게이트 절연층(122) 상에 배치될 수 있다. 게이트 전극(GE)은 도전성 물질, 예를 들어, 구리(Cu), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 크롬(Cr) 또는 이들의 합금으로 구성될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.
게이트 전극(GE) 상에는 제1 층간 절연층(123) 및 제2 층간 절연층(124)이 배치된다. 제1 층간 절연층(123) 및 제2 층간 절연층(124)에는 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE) 각각이 액티브층(ACT)에 접속하기 위한 컨택홀이 형성된다. 제1 층간 절연층(123)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)의 단일층 또는 복층으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 제2 층간 절연층(124)은 유기 물질로 이루어질 수 있고, 예를 들어, 폴리이미드(Polyimide) 또는 포토아크릴(Photo Acryl)의 단일층 또는 복층으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 제2 층간 절연층(124) 상에 서로 이격되어 배치된다. 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 게이트 절연층(122), 제1 층간 절연층(123) 및 제2 층간 절연층(124)의 컨택홀을 통해 액티브층(ACT)과 전기적으로 연결된다. 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 도전성 물질, 예를 들어, 구리(Cu), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 크롬(Cr) 또는 이들의 합금으로 구성될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.
박막 트랜지스터(121) 상에는 평탄화층(125)이 배치될 수 있다. 평탄화층(125)은 기판(110)의 상부를 평탄화하는 절연층일 수 있다. 평탄화층(125)에는 박막 트랜지스터(121)의 소스 전극(SE)을 노출시키기 위한 컨택홀이 형성된다.
평탄화층(125)에는 드레인 전극(DE)을 노출시키기 위한 컨택홀이 형성될 수도 있다. 평탄화층(125)은 유기 물질로 이루어질 수 있고, 예를 들어, 폴리이미드(Polyimide) 또는 포토아크릴(Photo Acryl)의 단일층 또는 복층으로 구성될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.
발광소자층(130)은 박막 트랜지스터층(120) 상에 배치된다. 발광소자층(130)은 발광소자(131) 및 뱅크(132)를 포함한다.
발광소자(131)는 박막 트랜지스터(121)로부터 공급되는 데이터 신호에 의해 광을 방출한다. 발광소자(131)는 제1 터치배선과 제2 터치배선의 메쉬 패턴에 의하여 형성되는 개구부(OP)와 대응되도록 배치될 수 있다. 발광소자(131)는 제1 전극(E1), 발광층(EL), 및 제2 전극(E2)을 포함할 수 있다. 제1 전극(E1)은 애노드 전극이고, 제2 전극(E2)은 캐소드 전극일 수 있다. 또는, 제1 전극(E1)은 캐소드 전극이고, 제2 전극(E2)은 애노드 전극일 수 있다.
표시장치(100)는 탑 에미션(Top Emission) 또는 바텀 에미션(Bottom Emission) 방식으로 구현될 수 있다. 탑 에미션 방식인 경우, 제1 전극(E1)의 하부에는 발광층(EL)에서 발광된 광을 제2 전극(E2) 측으로 반사시키기 위한 반사층이 배치될 수 있다. 예를 들어, 반사층은 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)과 같은 반사성이 우수한 물질을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 반대로, 바텀 에미션 방식인 경우, 제1 전극(E1)은 투명 도전성 물질로만 이루어질 수 있다. 이하에서는 본 명세서의 실시예에 따른 표시장치(100)가 탑 에미션 방식인 것으로 가정하여 설명하기로 한다.
제1 전극(E1)은 평탄화층(125) 상에 배치된다. 제1 전극(E1)은 복수의 서브 화소 각각과 대응될 수 있다. 예를 들면, 제1 전극(E1)은 개구부(OP)와 대응되도록 배치될 수 있다. 제1 전극(E1)은 평탄화층(125)에 형성된 컨택홀을 통해 박막 트랜지스터(121)의 소스 전극(SE)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 전극(E1)은 발광층(EL)에 정공을 공급하기 위하여 일함수가 높은 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(E1)은 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO), 인듐 아연 산화물(Indium Zin Oxide, IZO) 등과 같은 투명 도전성 물질과 은(Ag)의 적층구조로 형성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
제1 전극(E1) 및 평탄화층(125) 상에는 뱅크(132)가 배치될 수 있다. 뱅크(132)는 제1 전극(E1)의 가장자리를 덮도록 평탄화층(125) 상에 형성될 수 있다. 뱅크(132)는 복수의 서브 화소를 구분하기 위해, 복수의 서브 화소 사이에 배치된 절연층이다. 뱅크(132)는 유기 절연 물질일 수 있다. 예를 들어, 뱅크(132)는 폴리이미드(polyimide), 아크릴(acryl) 또는 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB)계 수지로 이루어질 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다.
발광층(EL)은 제1 전극(E1) 및 뱅크(132) 상에 배치될 수 있다. 발광층(EL)은 기판(110)의 전면에 걸쳐서 형성되거나, 각각이 제1 전극(E1) 상에 분리되어 형성될 수 있다. 발광층(EL)은 복수의 서브 화소에 공통적으로 형성되는 공통층일 수 있다. 발광층(EL)은 특정 색의 광을 발광하기 위한 유기층일 수 있다. 발광층(EL)은 정공 수송층, 정공 주입층, 정공 저지층, 전자 주입층, 전자 저지층, 전자 수송층 등과 같은 다양한 층을 더 포함할 수도 있다.
제2 전극(E2)은 발광층(EL) 상에 배치된다. 제2 전극(E2)은 기판(110)의 전면에 걸쳐서 하나의 층으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 제2 전극(E2)은 복수의 서브 화소에 공통적으로 형성되는 공통층일 수 있다. 제2 전극(E2)은 발광층(EL)으로 전자를 공급하므로, 일함수가 낮은 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 제2 전극(E2)은 예를 들어, 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO), 인듐 아연 산화물(Indium Zin Oxide, IZO) 등과 같은 투명 도전성 물질, MgAg와 같은 금속 합금이나 이테르븀(Yb) 합금 등으로 형성될 수 있고, 금속 도핑층이 더 포함될 수도 있으며, 이에 제한되지 않는다.
봉지부(140)는 발광소자층(130) 상에 배치된다. 봉지부(140)는 표시장치(100) 외부로부터 침투하는 수분 등으로부터 발광소자(131)를 보호한다. 봉지부(140)는 제1 봉지층(141), 이물 커버층(142), 및 제2 봉지층(143)을 포함할 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 봉지층(141)은 제2 전극(E2) 상에 배치되어 수분이나 산소의 침투를 방지할 수 있다. 제1 봉지층(141)은 질화 실리콘(SiNx), 산질화 실리콘(SiNxOy) 또는 산화알루미늄(AlyOz) 등과 같은 무기물로 이루어질 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다.
이물 커버층(142)은 제1 봉지층(141) 상에 배치되어 표면을 평탄화한다. 이물 커버층(142)은 제조 공정 상 발생할 수 있는 이물 또는 파티클을 커버할 수 있다. 이물 커버층(142)은 유기물, 예를 들어, 실리콘옥시카본(SiOxCz), 아크릴 또는 에폭시 계열의 수지 등으로 이루어질 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다.
제2 봉지층(143)은 이물 커버층(142) 상에 배치되고, 제1 봉지층(141)과 같이 수분이나 산소의 침투를 방지할 수 있다. 제2 봉지층(143)과 제1 봉지층(141)은 이물 커버층(142)을 밀봉하도록 형성될 수 있다. 따라서, 제2 봉지층(143)에 의하여 발광소자(131)로 침투하는 수분이나 산소가 더 효과적으로 감소될 수 있다. 제2 봉지층(143)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiNxOy) 또는 산화알루미늄(AlyOz) 등과 같은 무기물로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
터치배선(150)은 봉지부(140) 상에 배치된다. 터치배선(150)은 제1 터치배선과 제2 터치배선을 포함하는 터치 센서에 의하여 터치 입력을 감지할 수 있다. 또한, 터치배선(150)은 후술할 제1 터치 평탄화층, 터치 버퍼층(152), 터치 절연층(153), 및 제2 터치 평탄화층(154)을 더 포함할 수 있다.
터치 버퍼층(152)은 제2 봉지층(143) 상에 배치된다. 터치 버퍼층(152)은 수분 또는 불순물의 침투를 막고 브릿지(BRG)의 형성을 용이하게 하기 위해 배치될 수 있다. 터치 버퍼층(152)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)의 단일층 또는 복층으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
브릿지(BRG)는 터치 버퍼층(152) 상에 배치된다. 브릿지(BRG)는 제2 방향으로 인접하는 제2 터치전극(TE) 사이 영역에 배치될 수 있다. 이에, 브릿지(BRG)는 제2 방향으로 인접하는 제2 터치전극(TE)을 전기적으로 연결할 수 있다. 또한, 브릿지(BRG)는 제1 방향으로 인접하는 제1 터치전극(RE)을 연결하는 연결패턴(TC)과 중첩하도록 배치될 수 있다. 브릿지(BRG)와 연결패턴(TC)은 서로 다른 층에 형성되므로, 전기적으로 절연될 수 있다.
터치 절연층(153)은 터치 버퍼층(152) 및 브릿지(BRG) 상에 배치된다. 터치 절연층(153)은 브릿지(BRG)와 연결패턴(TC)을 전기적으로 절연시킬 수 있다. 터치 절연층(153)은 제2 터치전극(TE)과 브릿지(BRG)가 서로 연결되기 위한 컨택홀을 포함할 수 있다. 터치 절연층(153)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)의 단일층 또는 복층으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
제1 터치전극(RE), 제2 터치전극(TE) 및 연결패턴(TC)은 터치 절연층(153) 상에 배치된다. 제1 터치전극(RE)과 제2 터치전극(TE)은 터치 절연층(153) 상에서 일정 간격 이격되어 배치될 수 있다. 제1 방향으로 인접하는 제1 터치전극(RE)은 연결패턴(TC)에 의하여 연결될 수 있다. 제1 터치전극(RE)과 연결패턴(TC)은 일체로 형성될 수 있다. 제2 방향으로 인접하는 제2 터치전극(TE)은 서로 이격되어 형성될 수 있다. 제2 방향으로 인접하는 제2 터치전극(TE)은 브릿지(BRG)에 의하여 연결될 수 있다.
제2 터치 평탄화층(154)은 제1 터치전극(RE), 제2 터치전극(TE), 연결패턴(TC), 및 터치 절연층(153)을 덮도록 배치될 수 있다. 제2 터치 평탄화층(154)은 터치배선(150)의 상부를 평탄화할 수 있다. 제2 터치 평탄화층(154)은 유기 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 폴리이미드(Polyimide) 또는 포토아크릴(Photo Acryl)의 단일층 또는 복층으로 구성될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.
이하에서는 도 5 및 도 6을 참조하여 제2 비표시 영역(NA2)에 대하여 구체적으로 설명하도록 한다.
도 5는 도 2의 "B" 영역의 확대 평면도이다. 도 6은 도 5의 II-II'에 따른 단면도이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 표시 영역(AA) 내에는 제2 비표시 영역(NA2)이 배치될 수 있다. 제2 비표시 영역(NA2)은 홀(TH), 복수의 댐(DM1, DM2), 감지전극(162), 및 터치 연결부(TCL)를 포함할 수 있다. 제2 비표시 영역(NA2)은 홀(TH) 및 홀(TH)과 인접하는 주변 영역일 수 있다. 홀(TH)과 감지전극(162)에 의하여 제2 비표시 영역(NA2)에는 발광소자(131)와 터치배선(Rx, Tx)이 배치되지 않을 수 있다. 제2 비표시 영역(NA2)의 외곽에는 감지전극(162)과 연결되는 제1 감지배선(164)이 배치될 수 있다.
홀(TH)은 제2 비표시 영역(NA2) 내에 형성될 수 있다. 홀(TH)은 기판(110), 박막 트랜지스터층(120), 발광소자층(130), 봉지부(140), 및 터치배선(150)을 물리적으로 관통하도록 형성될 수 있다. 홀(TH)은 카메라와 같은 광학장치와 대응되도록 형성될 수 있다. 홀(TH)에 의하여 표시장치(100)의 상부에서 하부로 빛이 투과될 수 있다.
복수의 댐(DM1, DM2, DM3, DM4)은 홀(TH)의 외곽을 둘러싸도록 배치된다. 예를 들면, 복수의 댐(DM1, DM2, DM3, DM4)은 홀(TH)과 터치배선(Rx, Tx) 사이에 배치될 수 있다. 복수의 댐(DM1, DM2, DM3, DM4)은 제1 댐(DM1), 제2 댐(DM2), 제3 댐(DM3), 및 제4 댐(DM4)을 포함한다.
제1 댐(DM1) 및 제3 댐(DM3)은 홀(TH)의 외곽을 둘러싸는 폐곡선 형상으로 형성될 수 있다. 제1 댐(DM1) 및 제3 댐(DM3)은 제2 층간 절연층(124)으로 이루어진 하부층, 평탄화층(125)으로 이루어진 중간층, 및 뱅크(132)로 이루어진 상부층을 포함할 수 있다. 제1 댐(DM1) 및 제3 댐(DM3)은 이물 커버층(142)이 홀(TH)로 흘러 넘치는 것을 방지할 수 있다. 예를 들면, 이물 커버층(142)은 제3 댐(DM3)에 의하여 표시 영역(AA)으로부터 제3 댐(DM3)의 내측까지 형성될 수 있다. 제1 댐(DM3)은 제3 댐(DM1)에서 흘러 넘치는 이물 커버층(142)을 막기 위해 형성될 수 있다.
제2 댐(DM2) 및 제4 댐(DM4)은 홀(TH)의 외곽을 둘러싸는 폐곡선 형상으로 형성될 수 있다. 제2 댐(DM2)은 제1 댐(DM1)과 제3 댐(DM3) 사이 및 제1 댐(DM1)과 터치전극(TE, RE) 사이에 복수로 배치될 수 있다. 복수의 제2 댐(DM2) 및 복수의 제4 댐(DM4)은 서로 일정 거리를 갖도록 이격될 수 있다. 제2 댐(DM2) 및 제4 댐(DM4)은 제2 층간 절연층(124)으로 이루어진 하부층, 및 평탄화층(125)으로 이루어진 중간층을 포함할 수 있다. 도 6에서는 제2 댐(DM2) 및 제4 댐(DM4)이 5개씩 배치된 것으로 도시되었으나, 이에 제한되지 않는다.
제2 댐(DM2) 및 제4 댐(DM4)은 발광층(EL)을 통해 수분이 표시 영역(AA)으로 침투하는 것을 방지할 수 있다. 예를 들면, 수분 침투에 취약한 발광층(EL)은 제2 댐(DM2) 및 제4 댐(DM4)에 의하여 단선(disconnection) 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 제2 댐(DM2) 및 제4 댐(DM4)의 하부층의 상면은 중간층의 하면보다 작은 폭을 가질 수 있다. 이에, 제2 댐(DM2) 및 제4 댐(DM4)의 상부에 배치되는 발광층(EL)은 제2 댐(DM2) 및 제4 댐(DM4)에 의하여 연속되지 않고 단절될 수 있다. 발광층(EL) 상의 제2 전극(E2)도 발광층(EL)과 유사하게 단절된 구조를 가지며 발광층(EL)을 덮을 수 있다. 또한, 제2 전극(E2) 상의 제1 봉지층(141)은 단절된 발광층(EL) 및 제2 전극(E2)을 완전히 덮도록 배치될 수 있다. 따라서, 홀(TH)의 측면으로 노출된 발광층(EL)을 통해 수분이 침투하더라도, 복수의 제2 댐(DM2) 및 제4 댐(DM4)에 의하여 침투된 수분이 표시 영역(AA)으로 이동하는 것이 방지될 수 있다. 또한, 제1 봉지층(141)이 단절된 발광층(EL) 및 제2 전극(E2)을 완전히 덮으므로, 수분 침투가 더 효과적으로 방지될 수 있다.
제3 댐(DM3)의 상부에서 제1 봉지층(141)과 제2 봉지층(143)은 서로 접촉할 수 있다. 제1 댐(DM1)과 홀(TH) 사이에서 제1 봉지층(141)과 제2 봉지층(143)은 완전히 접촉할 수 있다. 이에, 홀(TH)을 통한 수분의 침투가 더 효과적으로 방지될 수 있다.
제2 비표시 영역(NA2)에서 복수의 댐(DM1, DM2, DM3, DM4) 상에는 제1 터치 평탄화층(151)이 배치될 수 있다. 제1 터치 평탄화층(151)은 제2 봉지층(143) 상에 배치될 수 있다. 또한, 제1 터치 평탄화층(151)은 홀(TH)과 터치전극(TE, RE) 사이 영역에 배치될 수 있다. 제1 터치 평탄화층(151)은 홀(TH)을 통한 수분의 침투를 방지할 수 있다. 제1 터치 평탄화층(151)은 유기 물질로 이루어질 수 있고, 예를 들어, 폴리이미드(Polyimide) 또는 포토아크릴(Photo Acryl)의 단일층 또는 복층으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
제1 터치 평탄화층(151) 상에서 터치 버퍼층(152), 터치 절연층(153), 및 제2 터치 평탄화층(154)은 일부 영역에서 서로 접하며 순차적으로 배치될 수 있다. 이에, 홀(TH)을 통한 수분의 침투가 최소화될 수 있다.
댐(DM1, DM2, DM3, DM4)이 배치된 영역의 터치 절연층(153) 상에는 감지전극(162)과 터치 연결부(TCL)가 배치될 수 있다. 감지전극(162)과 터치 연결부(TCL)는 제2 비표시 영역(NA2) 내에 배치되며, 제2 비표시 영역(NA2)의 둘레를 따라 형성될 수 있다. 터치 연결부(TCL)는 감지전극(162)과 접촉되지 않도록, 감지전극(162)의 외측에 위치할 수 있다. 감지전극(162)과 터치 연결부(TCL)는 터치전극(RE, TE)과 동일한 물질로 동일 층에 형성될 수 있다.
제2 비표시 영역(NA2) 내의 터치 연결부(TCL) 외측에는 브릿지(BRG) 또는 터치전극(RE, TE)과 동일한 물질로 동일 층에 형성되는 제1 층(155)이 배치될 수 있다. 터치 연결부(TCL)와 터치전극(RE, TE) 사이 공간은 전극 또는 배선 물질이 배치되지 않는 영역일 수 있다. 이에 하부에 배치되는 터치 버퍼층(152)과 제1 터치 평탄화층(151)이 들뜨거나 분리될 수 있다. 따라서, 터치 버퍼층(152)과 제1 터치 평탄화층(151)을 고정시키기 위해, 제1 층(155)을 배치할 수 있다.
제1 층(155)은 터치 연결부(TCL)와 터치전극(RE, TE) 사이의 공간에 배치될 수 있으며, 터치 버퍼층(152) 상부에 배치될 수 있다. 제1 층(155)은 홀(TH)의 외곽을 둘러싸도록 형성되므로, 터치 버퍼층(152)과 제1 터치 평탄화층(151)의 들뜸 방지 효과를 더욱 증가시킬 수 있다.
감지전극(162), 터치 연결부(TCL), 및 제1 층(155)은 댐 상에 배치되므로, 댐 하부에 배치되는 구성요소들이 들뜨는 것을 방지할 수도 있다.
제2 비표시 영역(NA2)의 둘레를 따라 형성되는 감지전극(162)은 크랙을 정밀하게 감지하기 위해, 외측 감지영역(162_O)과 내측 감지영역(162_I)의 2중 구조로 형성될 수 있다. 하나의 배선으로 형성되는 감지전극(162)을 2 중 구조로 형성하기 위해, 도 5의 감지전극(162)과 같이 내측 감지영역(162_I)은 외측 감지영역(162_O)에서 연장되어, 외측 감지영역(162_O)의 안쪽 영역에서, 외측 감지영역(162_O)을 따라 연장될 수 있다. 외측 감지영역(162_O)은 내측 감지영역(162_I)에서 연장되어, 내측 감지영역을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 감지전극(162)은 스프링 와셔와 같은 형상을 가질 수 있다.
감지전극(162)과 연결되는 제1 감지배선(164) 및 제2 감지배선(165)은 터치전극(RE, TE)과 동일한 물질로 동일 층에 형성될 수 있다. 감지전극(162), 제1 감지배선(164), 및 제2 감지배선(165)이 터치전극(RE, TE)과 동일한 물질로 동일 층에 형성되는 경우, 한번의 패터닝 공정으로 형성될 수 있으며, 공정을 단순화할 수 있다.
터치전극(RE, TE), 감지전극(162), 제1 감지배선(164), 및 제2 감지배선(165)을 다른 공정을 통해 형성할 필요가 없어, 제조공정이 단순해지고, 감지전극(162), 제1 감지배선(164) 및 제2 감지배선(165)이 일체로 형성되므르, 컨택홀로 연결되는 구조와 비교하여 전체적인 배선 저항이 감소할 수 있다.
또한, 표시 영역(AA)에 배치되는 제1 감지배선(164)과 터치전극(RE, TE)이 동일한 평면상에서 일정거리 이격되어 형성되므로, 제1 감지배선(164)이 터치전극(RE, TE) 하부에 배치되어 중첩되는 구조와 비교하여 전체적으로 전압 차가 일정하게 유지될 수 있다. 따라서, 낮은 저항 및 일정한 전압 차로 인하여, 정전기에 강건한 배선과 전극 구조를 가질 수 있는 표시장치를 제공할 수 있다.
터치전극(RE, TE)과 제1 감지배선(164)이 평면상 중첩되는 경우, 터치전극(RE, TE)에 인가되는 터치신호인 터치전압과 제1 감지배선(164)에 인가되는 감지신호인 감지전압의 차이가 일정하지 않으므로, 터치전극(RE, TE)과 제1 감지배선(164)이 중첩되는 영역에서는 전압 차가 일정하지 않을 수 있다. 전압 차가 일정하지 않고 쉽게 변동되는 영역에서는, 외부로부터 고압의 정전기가 유입되게 되는 경우, 정전기에 의하여 배선 또는 전극이 손상될 가능성이 높아질 수 있다.
제1 감지배선(164)이 터치전극(RE, TE)과 동일 층에 배치되는 경우, 제1 감지배선(164)과 터치전극(RE, TE)이 접촉되지 않도록 일정거리 이격되어 배치될 수 있다. 하나의 터치전극(RE, TE)은 제1 감지배선(164)을 기준으로 일측에 배치되는 제1 서브 터치전극(RE1) 및 타측에 배치되는 제2 서브 터치전극(RE2)으로 나눠져 배치될 수 있다. 예를 들어, 하나의 터치전극(RE, TE)은 제1 감지배선(164)을 기준으로 좌측에 배치되는 제1 서브 터치전극(RE1) 및 우측에 배치되는 제2 서브 터치전극(RE2)으로 나눠져 배치될 수 있다.
나눠진 제1 서브 터치전극(RE1)과 제2 서브 터치전극(RE2)은 제2 비표시 영역(NA2)에 배치되는 터치 연결부(TCL)를 통해 서로 연결될 수 있다. 터치 연결부(TCL)는 감지전극(162) 및 제1 감지배선(164)과 접촉되지 않도록, 감지전극(162)의 외측에 배치되며, 제2 비표시 영역(NA2)의 둘레를 따라 배치될 수 있다.
제1 서브 터치전극(RE1), 제2 서브 터치전극(RE2), 및 터치 연결부(TCL)는 터치전극(RE, TE)과 동일 층에 일체로 형성될 수 있다. 제1 서브 터치전극(RE1), 제2 서브 터치전극(RE2), 및 터치 연결부(TCL)는 감지전극(162) 및 제1 감지배선(164)을 감싸는 형태로 형성될 수 있다.
도 7과 도 8은 본 명세서의 다른 실시예를 도시한 도면이다.
도 7은 도 2의 "B" 영역의 확대 평면도이다. 도 8은 도 7의 III-III'에 따른 단면도이다.
도 7과 도 8을 참조하면, 표시 영역(AA) 내에는 제2 비표시 영역(NA2)이 배치될 수 있다. 제2 비표시 영역(NA2)은 홀(TH), 복수의 댐(DM1, DM2), 및 감지전극(162)을 포함할 수 있다.
댐(DM1, DM2, DM3, DM4)이 배치된 영역의 터치 절연층(153) 상에는 감지전극(162)이 배치될 수 있다. 감지전극(162)은 제2 비표시 영역(NA2) 내에 배치되며, 제2 비표시 영역(NA2)의 둘레 또는 주변을 따라 형성될 수 있다.
제2 비표시 영역(NA2)의 둘레를 따라 형성되는 감지전극(162)은 크랙을 정밀하게 감지하기 위해, 외측 감지영역(162_O)과 내측 감지영역(162_I)의 2중 구조로 형성될 수 있다.
본 명세서의 실시예에 따른 구조는, 도 1과 동일하며, 제1 감지배선(164)은 도 5의 실시예와 다르게 브릿지(BRG)와 동일한 물질로 동일층에 형성될 수 있다. 본 명세서의 실시예에서 제1 감지배선(164)과 터치전극(RE, TE)은 다른 층에 배치되므로, 제1 감지배선(164)과 터치전극(RE, TE)을 평면상 중첩하여 배치할 수 있다.
제1 감지배선(164)의 일측은 감지전극(162)에 연결되고, 타측은 제2 감지배선(165)에 연결될 수 있다. 제1 감지배선(164)과 감지전극(162) 및 제2 감지배선(165)은 컨택홀을 통해 서로 연결될 수 있다.
그리고, 제1 감지배선(164)과 연결되는 제2 감지배선(165)은 제1 비표시 영역(NA1)에 형성되므로, 터치배선(Rx, Tx)과 간섭되는 부분이 없다. 따라서, 터치전극(RE, TE) 및 브릿지(BRG) 중 하나 이상과 동일한 물질로 동일 층에 형성할 수 있다.
제2 감지배선(165)이 터치전극(RE, TE)과 동일층에 형성되는 경우, 제2 감지배선(165)과 제1 감지배선(164)은 컨택홀을 통해 연결될 수 있다.
본 명세서의 실시예에 따르면, 제1 감지배선(164)은 터치전극(RE, TE)과 다른 층에 형성하므로, 제1 서브 터치전극과 제2 서브 터치전극을 연결하는 터치 연결부(TCL)를 형성할 필요가 없다. 따라서, 공정 또는 구조적인 측면에서 단순화할 수 있는 장점이 있다.
도 9는 제2 감지배선의 실시예를 도시한 평면도이며, 도 2의 제2 감지배선과 다른 실시예를 나타낸 도면이다.
도 9를 참조하면, 제2 감지배선(165)의 일측은 제1 감지배선(164)에 연결되고, 타측은 감지 구동부에 연결될 수 있다. 제2 감지배선은(165)은 표시 영역(AA)을 둘러싸도록 배치되어 있으므로, 표시장치(100)의 상측, 하측, 좌측 및 우측 중 하나 이상을 포함하는 측면에서 발생되는 크랙을 감지할 수 있다.
제2 감지배선(165)은 감지신호를 입력하는 제1 감지패드(167_I)에 일측이 연결되고, 출력되는 감지신호를 수신하는 제2 감지패드(167_O)에 타측이 연결될 수 있다. 입력된 감지신호는 감지배선과 감지전극을 거쳐서 출력될 수 있다.
감지패드(167_I, 167_O)는 감지 구동부에 연결될 수 있다.
제2 감지배선(165)에 감지신호는 인가되므로, 제2 감지배선(165) 주위에서 발생하는 크랙은 제1 감지배선(165)으로 감지할 수 있다.
제1 감지배선(165)이 배치된 제1 비표시 영역(NA1)의 일측에는 벤딩 영역을 적용할 수 있다. 벤딩 영역은 표시장치(100)의 일측을 아래로 구부러트리는 부분으로, 다른 영역보다 높은 압축력과 인장력을 받고 있으며, 크랙 발생 가능성도 다른 영역에 비해 높을 수 있다.
따라서, 제1 비표시 영역(NA1)에서 발생되는 크랙을 정밀하게 감지하기 위해, 제2 감지배선(165)을 이중으로 배치할 수 있다. 제1 감지배선(165)을 제1 비표시 영역(NA1)의 둘레를 따라 배치하고, 마지막 영역에서 꺾어서 비표시 영역(NA1)의 둘레를 따라 다시 돌아오도록 배치할 수 있다. 따라서, 제1 감지배선(165)은 외측과 내측의 이중 구조로 형성될 수 있으며, 표시장치(100)의 측면에서 발생되는 크랙을 더욱 정밀하게 감지할 수 있다.
감지신호가 입력되는 제1 감지패드(167_I)와 감지신호가 출력되는 제2 감지패드(167_O)는 제1 비표시 영역(NA1)의 하단 좌측 또는 우측에 각각 배치되거나, 함께 배치될 수 있다.
크랙 감지 방법은 도 2의 실시예와 동일한 방법을 적용할 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서의 실시예에 따르면, 감지전극(162)과 감지배선(164,165)의 구조를 적용할 수 있으므로, 크랙을 빠르고 정확하게 감지할 수 있다.
본 명세서의 실시예에 따른 표시장치는 다음과 같이 설명될 수 있다.
영상이 표시되는 표시 영역, 표시 영역을 둘러싸는 제1 비표시 영역, 및 표시 영역 내의 제2 비표시 영역을 포함하는 기판을 포함하고, 표시 영역 상에 배치되는 복수의 발광소자, 기판 및 복수의 발광 소자 상에 있는 봉지부, 표시 영역에서 봉지부 상에 배치되는 터치배선, 봉지부 상에 배치되며, 제2 비표시 영역 내에 있는 감지전극, 및 감지전극과 연결되는 제1 감지배선을 포함할 수 있다. 그리고, 감지전극과 제1 감지배선은 동일 층에 위치할 수 있다.
본 명세서의 몇몇 실시예에 따르면, 터치배선은 제1 방향으로 배치되는 제1 터치전극, 제1 터치전극과 동일 층에 위치하고 제1 방향과 다른 제2 방향으로 배치되는 제2 터치전극을 포함할 수 있다. 그리고, 제1 터치전극 및 제2 터치전극과 다른 층에 위치하고, 제1 터치전극 또는 제2 터치전극을 연결하는 브릿지를 더 포함할 수 있으며, 감지전극 및 제1 감지배선은 제1 터치전극 및 제2 터치전극과 동일 층에 위치할 수 있다.
본 명세서의 몇몇 실시예에 따르면, 제1 감지배선은 제2 비표시 영역에서 연장되어 표시 영역에 배치될 수 있다.
본 명세서의 몇몇 실시예에 따르면, 제1 비표시 영역에 배치되는 제2 감지배선과, 제2 감지배선에 감지신호를 인가하는 감지 구동부를 더 포함하고, 제2 감지배선의 일측은 제1 감지배선에 연결되고, 타측은 감지 구동부에 연결될 수 있다.
본 명세서의 몇몇 실시예에 따르면, 제2 감지배선은 외측과 내측의 이중 구조로 배치될 수 있다.
본 명세서의 몇몇 실시예에 따르면, 제2 비표시 영역에 배치되는 터치 연결부를 더 포함할 수 있다. 그리고, 제1 터치전극 및 제2 터치전극 중 적어도 하나 이상은 제1 감지배선을 기준으로 일측에 배치되는 제1 서브 터치전극과 타측에 배치되는 제2 서브 터치전극을 포함하고, 터치 연결부는 제1 서브 터치전극과 제2 서브 터치전극을 연결할 수 있다.
본 명세서의 몇몇 실시예에 따르면, 터치 연결부 및 감지전극은 제2 비표시 영역의 주변을 따라 배치되고, 터치 연결부는 감지전극의 외측에 위치할 수 있다.
본 명세서의 몇몇 실시예에 따르면, 감지전극은 제1 감지영역과 제2 감지영역을 포함하며, 제2 감지영역은 제1 감지영역에서 연장되며, 제1 감지영역의 안쪽 영역에서 제1 감지영역을 따라 연장되고, 제1 감지영역은 제2 감지영역에서 연장되며, 제2 감지영역을 둘러싸도록 배치될 수 있다.
본 명세서의 몇몇 실시예에 따르면, 제2 비표시 영역에 배치되는 홀, 홀의 외곽을 둘러싸는 댐, 및 제1 층을 더 포함하고, 감지전극, 터치 연결부, 및 제1 층은 댐 상에 배치될 수 있다.
본 명세서의 몇몇 실시예에 따르면, 제1 층의 하부에 배치되는 터치 버퍼층과 제1 터치 평탄화층을 더 포함하며, 제1 층은 브릿지와 동일한 물질로 동일 층에 배치될 수 있다.
본 명세서의 몇몇 실시예에 따르면, 홀과 대응되도록 배치되는 카메라 또는 광학장치를 더 포함할 수 있다.
본 명세서의 다른 실시예에 따른 표시장치는, 영상이 표시되는 표시 영역, 표시 영역을 둘러싸는 제1 비표시 영역, 및 표시 영역 내의 제2 비표시 영역을 포함하는 기판, 표시 영역 상에 배치되는 복수의 발광소자를 포함하고, 기판 및 복수의 발광 소자 상에 있는 봉지부, 표시 영역에서 봉지부 상에 배치되는 터치배선, 및 봉지부 상에 배치되며, 제2 비표시 영역 내에 있는 감지전극, 및 감지전극과 연결되는 제1 감지배선을 포함하며, 감지전극과 제1 감지배선은 다른 층에 위치할 수 있다.
본 명세서의 몇몇 실시예에 따르면, 터치배선은 제1 방향으로 배치되는 제1 터치전극, 및 제1 터치전극과 동일 층에 위치하고, 제1 방향과 다른 제2 방향으로 배치되는 제2 터치전극을 포함하고, 제1 터치전극 및 제2 터치전극과 다른 층에 위치하고, 제1 터치전극 또는 제2 터치전극을 연결하는 브릿지를 포함할 수 있다. 그리고, 감지전극은 제1 터치전극 및 제2 터치전극과 동일 층에 위치하고, 제1 감지배선은 브릿지와 동일 층에 위치할 수 있다.
본 명세서의 몇몇 실시예에 따르면, 제1 비표시 영역에 배치되는 제2 감지배선과, 제2 감지배선에 감지신호를 인가하는 감지 구동부를 더 포함하고, 제2 감지배선의 일측은 제1 감지배선에 연결되고, 타측은 감지 구동부에 연결되며, 제2 감지배선은 제1 터치전극 및 제2 터치전극과 동일 층에 위치할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 명세서는 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 제한하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 제한되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 제한적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 표시 장치 110: 기판
120: 박막 트랜지스터층 121: 박막 트랜지스터
122: 게이트 절연층 123: 제1 층간 절연층
124: 제2 층간 절연층 125: 평탄화층
130: 발광소자층 131: 발광소자
132: 뱅크 140: 봉지부
141: 제1 봉지층 142: 이물 커버층
143: 제2 봉지층 150: 터치배선
151: 제1 터치 평탄화층 152: 터치 버퍼층
153: 터치 절연층 154: 제2 터치 평탄화층
155: 제1 층 160: 접착층
170: 전면부재 AA: 표시 영역
NA1, NA2: 비표시 영역 TH: 홀
ACT: 액티브층 GE: 게이트 전극
SE: 소스 전극 DE: 드레인 전극
E1: 제1 전극 EL: 발광층
E2: 제2 전극 Rx: 제1 터치배선
RE: 제1 터치전극 TC: 연결패턴
Rx: 서브 감지 전극 Tx: 제2 터치배선
TE: 제2 터치전극 BRG: 브릿지
RE1: 제1 서브 터치전극 RE2: 제2 서브 터치전극
TCL: 터치 연결부 RL1, RL2: 라우팅 라인
TP: 터치 패드 162: 감지전극
164: 제1 감지배선 165: 제2 감지배선
167: 감지 구동부 TH: 홀
OP: 개구부 DM1, DM2: 댐

Claims (14)

  1. 영상이 표시되는 표시 영역, 상기 표시 영역을 둘러싸는 제1 비표시 영역, 및 상기 표시 영역 내의 제2 비표시 영역을 포함하는 기판;
    상기 표시 영역 상에 배치되는 복수의 발광소자;
    상기 기판 및 상기 복수의 발광 소자 상에 있는 봉지부;
    상기 표시 영역에서 상기 봉지부 상에 배치되는 터치배선;
    상기 봉지부 상에 배치되며, 상기 제2 비표시 영역 내에 있는 감지전극; 및
    상기 감지전극과 연결되는 제1 감지배선을 포함하고,
    상기 감지전극과 상기 제1 감지배선은 동일 층에 위치하는, 표시장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 터치배선은 제1 방향으로 배치되는 제1 터치전극, 및 상기 제1 터치전극과 동일 층에 위치하고 상기 제1 방향과 다른 제2 방향으로 배치되는 제2 터치전극; 및
    상기 제1 터치전극 및 상기 제2 터치전극과 다른 층에 위치하고, 상기 제1 터치전극 또는 제2 터치전극을 연결하는 브릿지를 포함하며,
    상기 감지전극 및 상기 제1 감지배선은 상기 제1 터치전극 및 상기 제2 터치전극과 동일 층에 위치하는, 표시장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 감지배선은 상기 제2 비표시 영역에서 연장되어, 상기 표시 영역에 배치되는, 표시장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 비표시 영역에 배치되는 제2 감지배선과, 상기 제2 감지배선에 감지신호를 인가하는 감지 구동부를 더 포함하고,
    상기 제2 감지배선의 일측은 상기 제1 감지배선에 연결되고, 타측은 상기 감지 구동부에 연결되는, 표시장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 제2 감지배선은 외측과 내측의 이중 구조로 배치되는, 표시장치.
  6. 제2 항에 있어서,
    상기 제2 비표시 영역에 배치되는 터치 연결부를 더 포함하고, 상기 제1 터치전극 및 상기 제2 터치전극 중 적어도 하나 이상은 상기 제1 감지배선을 기준으로 일측에 배치되는 제1 서브 터치전극 및 타측에 배치되는 제2 서브 터치전극을 포함하고,
    상기 터치 연결부는 상기 제1 서브 터치전극과 상기 제2 서브 터치전극을 연결하는, 표시 장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 터치 연결부 및 상기 감지전극은 상기 제2 비표시 영역의 주변을 따라 배치되고,
    상기 터치 연결부는 상기 감지전극의 외측에 위치하는, 표시장치.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 감지전극은 제1 감지영역과 제2 감지영역을 포함하며,
    상기 제2 감지영역은 상기 제1 감지영역에서 연장되며, 상기 제1 감지영역의 안쪽 영역에서 상기 제1 감지영역을 따라 연장되고,
    상기 제1 감지영역은 상기 제2 감지영역에서 연장되며, 상기 제2 감지영역을 둘러싸도록 배치되는, 표시장치.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 비표시 영역에 배치되는 홀, 상기 홀의 외곽을 둘러싸는 댐, 및 제1 층을 더 포함하고,
    상기 감지전극, 상기 터치 연결부, 및 상기 제1 층은 상기 댐 상에 배치되는, 표시장치.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 제1 층의 하부에 배치되는 터치 버퍼층과 제1 터치 평탄화층을 더 포함하며,
    상기 제1 층은 상기 브릿지와 동일한 물질로 동일 층에 배치되는, 표시장치.
  11. 제9 항에 있어서,
    상기 홀과 대응되도록 배치되는 카메라 또는 광학장치를 더 포함하는, 표시장치.
  12. 영상이 표시되는 표시 영역, 상기 표시 영역을 둘러싸는 제1 비표시 영역, 및 상기 표시 영역 내의 제2 비표시 영역을 포함하는 기판;
    상기 표시 영역 상에 배치되는 복수의 발광소자;
    상기 기판 및 상기 복수의 발광 소자 상에 있는 봉지부;
    상기 표시 영역에서 상기 봉지부 상에 배치되는 터치배선; 및
    상기 봉지부 상에 배치되며, 상기 제2 비표시 영역 내에 있는 감지전극; 및
    상기 감지전극과 연결되는 제1 감지배선을 포함하고,
    상기 감지전극과 상기 제1 감지배선은 다른 층에 위치하는, 표시장치.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 터치배선은 제1 방향으로 배치되는 제1 터치전극, 및 상기 제1 터치전극과 동일 층에 위치하고, 상기 제1 방향과 다른 제2 방향으로 배치되는 제2 터치전극; 및
    상기 제1 터치전극 및 상기 제2 터치전극과 다른 층에 위치하고, 상기 제1 터치전극 또는 상기 제2 터치전극을 연결하는 브릿지를 포함하며,
    상기 감지전극은 상기 제1 터치전극 및 상기 제2 터치전극과 동일 층에 위치하고,
    상기 제1 감지배선은 상기 브릿지와 동일 층에 위치하는, 표시장치.
  14. 제12 항에 있어서,
    상기 제1 비표시 영역에 배치되는 제2 감지배선과, 상기 제2 감지배선에 감지신호를 인가하는 감지 구동부를 더 포함하고,
    상기 제2 감지배선의 일측은 상기 제1 감지배선에 연결되고, 타측은 상기 감지 구동부에 연결되며,
    상기 제2 감지배선은 상기 제1 터치전극 및 상기 제2 터치전극과 동일 층에 위치하는, 표시장치.
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