CN102666940A - 绝缘基板、绝缘基板制备方法、配线形成方法、配线基板、和发光器件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种绝缘基板，所述绝缘基板包括：铝基板；和覆盖铝基板的全部表面的阳极氧化膜，其中，所述阳极氧化膜中含有2,000个粒子/mm3以下的量的金属间化合物，所述金属间化合物具有1μm以上的圆等效直径；和一种制备绝缘基板的方法，所述方法包括用于将铝基板进行阳极氧化处理的阳极氧化步骤，其中可以制备这样的绝缘基板，其中在覆盖铝基板的全部表面的阳极氧化膜中含有2,000个粒子/mm3以下的量的金属间化合物，所述金属间化合物具有1μm以上的圆等效直径。

Description

绝缘基板、绝缘基板制备方法、配线形成方法、配线基板、和发光器件
技术领域
本发明涉及一种可以在发光器件中使用的绝缘基板，更具体地，涉及一种可以在发光二极管(在下文中称为“LED”)中使用的绝缘基板。
背景技术
据称，LED通常使用在荧光灯中消耗电力的百分之一并具有荧光灯寿命四十倍的寿命(40,000小时)。包括省电和更长的寿命的特性，是在重视环境的社会中采用LED所依据的重要因素。
特别是，白光LED还具有包括出色的显色性和相比于荧光灯更简单的电源回路的优点，因此对于它们在照明光源中的应用的期待正在上升。
近来，具有照明光源所需的高发光效率(30至150Lm/W)的白光LED在市场上不断出现，且在实际应用中，根据光利用效率取代了荧光灯(20至110Lm/W)。
这急剧加速了取代荧光灯的白光LED的实际应用的趋势，并且在液晶显示器件中对于背光和照明光源采用白光LED的情形的数量日益增加。
与此同时，下述问题也被指出：大量通过LED芯片以达到更高亮度的电流，增加了生热量，促进了用于波长转换的含荧光体的树脂材料随时间流逝的劣化，从而危及了长寿命的特性。
实际上，在常规的LED中，作为长时间驱动或者为了增加发光亮度而进行的高电流驱动的结果，LED芯片显著生热而处于高温状态，因此导致热劣化。
为了解决这种问题，已经有人提议通过在铝基板表面覆盖阳极氧化膜形成的绝缘基板(见例如专利文献1至8)。在这些情况下，所述阳极氧化膜具有绝缘性并且所述铝基板具有高导热性且因此得到良好的散热性。
使用RGB彩色滤光片执行彩色显示的LED发光器件照明监视器迄今为止已作为白光LED发光器件公知。其中，使用了多色混合型LED发光器件。
在这样的多色混合型LED发光器件中，从RGB三色LED中同时发光导致了白光的发射，并且所述白光与监视器的彩色滤光片组合以执行彩色显示。
然而，在所述多色混合型LED发光器件中，各个RGB LED发光，从而具有高的色纯度和出色的显色性，但是为了获得白光，需要大量LED，因而提高了成本。
例如，作为用以解决这一问题的LED发光器件，荧光体混色型LED发光器件，例如在专利文献1和2中所述的那些，是公知的。
图20是一张示意图，说明了如在专利文献9和10中公开的荧光体混色型的白光LED发光器件的一个实例的构造。如在图20中所示，在白光LED发光器件300中，用含有YAG荧光体粒子350的透明树脂360模制蓝光LED310，并且被YAG荧光体粒子350激发的光与所述蓝光LED 310的余辉组合，以发出白光。所述蓝光LED 310通过倒装焊接法安装在具有用于外接的电极320、330的基板340上。
在这些通常公知的荧光体混色型LED发光器件中，为了提高白光发射功率，研究了例如其中含有荧光体粒子的透明树脂厚度增加的方法，和其中透明树脂中的荧光体粒子含量增加的方法。
在这些通常公知的荧光体混色型LED发光器件中，含有在铝基板表面通过阳极氧化形成的氧化铝膜的金属基板作为考虑了散热性和绝缘性的基板是已知的(见专利文献1)。
引用列表
专利文献
专利文献1：JP 2007-250315A
专利文献2：JP 55-154564U
专利文献3：JP 2006-344978A
专利文献4：JP 7-14938A
专利文献5：JP 2006-244828A
专利文献6：JP 2009-164583A
专利文献7：JP 11-504387A
专利文献8：JP 6-45515A
专利文献9：JP 2998696B
专利文献10：JP 11-87784A
专利文献11：JP 6-45515A
发明概述
技术问题
本发明的发明人进一步对专利文献1至8中所述的绝缘基板进行了深入研究。结果表明，取决于用于获得阳极氧化膜的阳极氧化处理条件和所用的铝基板，不能够得到良好的绝缘性。
为了改良绝缘性(耐电压)而增加所述阳极氧化膜的厚度明显降低了散热性，这表明同时达到出色的绝缘性和散热性是困难的。
在如在专利文献9和10中公开那样使用涉及含有荧光体粒子的透明树脂厚度增加的方法、涉及透明树脂中的荧光体粒子含量增加的方法或其它方法以增加在常规已知的荧光体混色型LED发光器件中白光发射功率的情况下，取决于透明树脂厚度或透明树脂中荧光体粒子的含量，来自蓝光LED的蓝光的透过性可能减弱，使得白光发射功率降低。
在专利文献11中所述的金属基板没有充足的绝缘性，并且来自连接在安装好的LED上的金属配线的漏电流可能穿过阳极氧化层漏到金属基板上，从而引起短路。
本发明的第一目的是提供一种能够在保持出色的散热性的同时得到良好绝缘性的绝缘基板。
本发明的第二目的是提供一种能够提供具有出色的绝缘性和散热性的发光器件的绝缘基板，以及它的制造方法，以及使用这种基板的发光器件。
本发明的第三目的是提供一种能够提供具有出色绝缘性和散热性和提高的白光发射功率的发光器件的绝缘基板，以及使用这种基板的发光器件。
解决问题的方案
本发明的发明人为了达到第一目的进行了深入的研究，结果发现，当阳极氧化膜含有至多2,000个粒子/mm3的量的圆等效直径为1μm以上的金属间化合物粒子时，获得良好的绝缘性。从而完成了本发明(第一方面)。
本发明的发明人为了达到第二目的也进行了深入的研究，结果发现，使用以下绝缘基板可以同时达到出色的绝缘性和散热性，所述绝缘基板具有通过将所述阳极氧化膜的孔隙率调节至预定值以下而得到的绝缘层。从而完成了本发明(第二方面)。
本发明的发明人还为了达到第三目的进行了深入的研究，结果发现，通过使用以下绝缘基板可以达到绝缘性和散热性之间的良好平衡，同时改善白光发射功率，所述绝缘基板中，整个绝缘基板的厚度和绝缘基板中绝缘层的厚度以及它们之间的比率被调节至预定范围内，并且绝缘层中微孔的深度被调节至预定范围内。从而完成了本发明(第三方面)。
具体地说，本发明提供了下述(1)-(35)项。
(1)一种绝缘基板，所述绝缘基板包括：
铝基板；和
覆盖所述铝基板的全部表面的阳极氧化膜，
其中，所述阳极氧化膜含有至多2,000个粒子/mm3的量的金属间化合物粒子，所述金属间化合物粒子具有1μm以上的圆等效直径。
(2)根据(1)所述的绝缘基板，所述绝缘基板还包括通孔，所述通孔形成为在所述铝基板的厚度方向上贯穿所述铝基板，其中，所述通孔的内壁表面被所述阳极氧化膜覆盖。
(3)根据(1)或(2)所述的绝缘基板，其中，所述铝基板具有99.95重量％以上的铝纯度。
(4)根据(1)至(3)中任一项所述的绝缘基板，其中，所述绝缘基板用于LED。
(5)一种用于得到根据(1)所述的绝缘基板的绝缘基板制备方法，所述方法包括：
阳极氧化处理步骤，所述阳极氧化处理步骤用于将所述铝基板阳极氧化，
其中，覆盖所述铝基板的全部表面的所述阳极氧化膜含有至多2,000个粒子/mm3的量的金属间化合物粒子，所述金属间化合物粒子具有1μm以上的圆等效直径。
(6)根据(5)所述的绝缘基板制备方法，所述方法用于得到根据(2)所述的绝缘基板，所述方法在所述阳极氧化处理步骤之前包括：通孔形成步骤，所述通孔形成步骤用于在所述铝基板的厚度方向上形成所述通孔。
(7)根据(5)或(6)所述的绝缘基板制备方法，所述方法在所述阳极氧化处理步骤之前包括：退火处理步骤，所述退火处理步骤用于在350至600℃对所述铝基板进行退火。
(8)根据(5)至(7)中任一项所述的绝缘基板制备方法，其中，在所述阳极氧化处理步骤中使用硫酸电解溶液。
(9)根据(8)所述的绝缘基板制备方法，其中，所述硫酸电解溶液具有10至60g/l的硫酸浓度。
(10)根据(5)至(9)中任一项所述的绝缘基板制备方法，其中，所述铝基板具有99.95重量％以上的铝纯度。
(11)一种配线形成方法，所述方法用于在根据(1)至(3)中任一项所述的绝缘基板中包括的所述阳极氧化膜上的所需部分中形成配线，所述方法包括：供给步骤，所述供给步骤用于仅向所述所需部分选择性地供给用作所述配线的导体金属。
(12)根据(11)所述的配线形成方法，其中，所述供给步骤是通过喷墨印刷向所述所需部分供给含有所述导体金属的金属墨水的步骤。
(13)根据(11)所述的配线形成方法，其中，所述供给步骤是通过丝网印刷向所述所需部分供给含有所述导体金属的金属墨水的步骤。
(14)根据(11)所述的配线形成方法，其中，所述供给步骤是其中使用含有所述导体金属的离子的处理溶液在所述绝缘基板上进行无电镀和/或电镀的步骤，所述绝缘基板在除所述阳极氧化膜上的所述所需部分以外的部分中形成有抗蚀剂。
(15)根据(11)所述的配线形成方法，其中，所述供给步骤是包括以下步骤的步骤：在所述所需部分中形成具有金属还原能力的金属还原层，并且将形成的金属还原层与含有所述导体金属的离子的处理溶液接触。
(16)根据(11)至(15)中任一项所述的配线形成方法，其中，所述所需部分位于所述绝缘基板的正面和背面侧。
(17)一种绝缘基板，所述绝缘基板包括：
金属基板和在所述金属基板的表面形成的绝缘层，
其中所述金属基板是阀金属基板，
其中所述绝缘层包括阀金属的阳极氧化膜，并且
其中所述阳极氧化膜具有30％以下的孔隙率。
(18)根据(17)所述的绝缘基板，其中，所述阳极氧化膜以至多0.5μm的平均间距具有平均直径为至少1μm的表面形貌特征。
(19)根据(17)或(18)所述的绝缘基板，
其中所述阳极氧化膜具有微孔，并且
其中所述微孔的每一个的内部的至少一部分被与构成所述阳极氧化膜的物质不同的物质封孔。
(20)根据(17)至(19)中任一项所述的绝缘基板，
其中所述阳极氧化膜具有微孔，并且
其中所述微孔包含：各自具有被与构成所述阳极氧化膜的物质不同的物质至少部分地封孔的内部的微孔，以及各自具有未被所述不同的物质封孔的内部的微孔。
(21)根据(19)或(20)所述的绝缘基板，其中，所述不同的物质具有绝缘性。
(22)根据(17)至(21)中任一项所述的绝缘基板，其中，所述阀金属是至少一种选自以下各项组成的组中的金属：铝、钽、铌、钛、铪、锆、锌、钨、铋和锑。
(23)根据(22)所述的绝缘基板，其中，所述阀金属是铝。
(24)根据(17)至(23)中任一项所述的绝缘基板，其中，所述绝缘基板是设置在LED发光器件的发光观测面侧的基板。
(25)一种用于制备根据(17)至(24)中任一项所述的绝缘基板的绝缘基板制备方法，所述方法包括：
阳极氧化处理步骤，所述阳极氧化处理步骤用于阳极氧化所述阀金属基板的表面，以在所述阀金属基板上形成所述阀金属的阳极氧化膜；以及
封孔处理步骤，所述封孔处理步骤用于在所述阳极氧化处理步骤之后进行封孔，以将所述阳极氧化膜的孔隙率调节至30％以下。
(26)根据(25)所述的绝缘基板制备方法，
其中，通过所述阳极氧化处理形成具有微孔的所述阳极氧化膜，并且
其中，通过所述封孔处理，使所述微孔的每一个的内部的至少一部分被与构成所述阳极氧化膜的物质不同的物质封孔。
(27)根据(25)或(26)所述的绝缘基板制备方法，所述方法包括：通孔形成步骤，所述通孔形成步骤用于在所述阀金属基板的厚度方向上形成通孔。
(28)根据(27)所述的绝缘基板制备方法，所述方法在所述通孔形成步骤之后包括：小片形成步骤，所述小片形成步骤用于使所述阀金属基板能够被分成各个具有所需形状的小片。
(29)一种配线基板，所述配线基板包括：根据(17)至(24)中任一项所述的绝缘基板和金属配线层，所述金属配线层设置在所述绝缘基板上的绝缘层侧。
(30)一种白光LED发光器件，所述白光LED发光器件包括：根据(29)所述的配线基板；设置在所述配线基板上的金属配线层侧的蓝光LED发光器件；以及至少在所述蓝光LED发光器件上设置的荧光发射体。
(31)一种绝缘基板，所述绝缘基板包括：
铝基板和在所述铝基板的表面形成的绝缘层，
其中，所述绝缘层包括具有微孔的铝阳极氧化膜，
其中，所述绝缘基板具有至多1,500μm的厚度，
其中，所述阳极氧化膜具有至少5μm的厚度，
其中，所述绝缘基板的厚度(TA)与所述阳极氧化膜的厚度(TO)的比率(TA/TO)为2.5至300，并且
其中，在所述阳极氧化膜的深度方向上的厚度中，其中没有微孔形成的部分的厚度至少为30nm。
(32)根据(31)所述的绝缘基板，其中如由下式(i)定义的所述微孔的有序化度为20％以上：
有序化度(％)＝B/A×100    (i)
(在式(i)中，A表示在测量区域中微孔的总数，且B表示在所述测量区域中特定微孔的数量，对于所述特定微孔，当圆被绘制成以特定微孔的重心为圆心并且具有与另一个微孔的边缘内切的最小半径时，所述圆包含除所述特定微孔以外的六个微孔的重心)。
(33)根据(31)或(32)所述的绝缘基板，其中，所述绝缘基板是设置在LED发光器件的发光观测面侧的基板。
(34)一种用于制备根据(31)至(33)中任一项所述的绝缘基板的绝缘基板制备方法，所述方法包括：
第一阳极氧化处理步骤，所述第一阳极氧化处理步骤用于阳极氧化所述铝基板的一部分，以在所述铝基板上形成具有微孔的铝阳极氧化膜；以及
第二阳极氧化处理步骤，所述第二阳极氧化处理步骤在所述第一阳极氧化处理步骤后面，且在所述第二阳极氧化处理步骤中，使用pH为2.5至11.5的电解溶液进行阳极氧化处理，以从底部方向使所述微孔的每一个的内部的一部分被氧化铝封孔。
(35)一种白光LED发光器件，所述白光LED发光器件包括：根据(31)至(33)中任一项所述的绝缘基板；设置在所述绝缘基板上的绝缘层侧的蓝光LED发光器件；以及至少在所述蓝光LED发光器件上设置的荧光发射体。
发明的有益效果
本发明可以提供一种能够在保持出色的散热性的同时得到良好绝缘性的绝缘基板。
本发明还可以提供一种能够提供具有出色的绝缘性和散热性的发光器件的绝缘基板，以及它的制造方法，以及使用这种基板的发光器件。
本发明可以进而提供一种能够提供具有出色绝缘性和散热性和提高的白光发射功率的发光器件的绝缘基板，以及使用这种基板的发光器件。
附图简述
图1示出了说明本发明的绝缘基板的优选的实施方案的示意图，(A)是俯视图且(B)是截面图。
图2是说明了本发明的绝缘基板的优选的实施方案的流程图。
图3示出了说明了在比较例I-1中的绝缘基板的示意图，(A)是俯视图且(B)是截面图。
图4示出了说明了在导通性试验中的状态的示意图，(A)是俯视图且(B)是截面图。
图5是用于说明打槽(routing)的示意图。
图6是说明了本发明中打槽的一个优选的实例的示意性截面图。
图7是说明了打槽的一个实例的示意性截面图。
图8示出了说明了绝缘基板中的配线的示意性截面图。
图9示出了说明了导体金属的供给的示意图。
图10示出了说明了配线图案的示意图，(A)是俯视图且(B)是仰视图。
图11示出了说明了其中用不同的物质将微孔封孔的实施方案的示意性截面图。
图12是阳极氧化装置的示意图，所述阳极氧化装置可以用于在本发明的绝缘基板的制备中实施阳极氧化处理。
图13是说明了本发明的白光LED发光器件的一个实例的结构的示意性截面图。
图14是说明了本发明的白光LED发光器件的另一个实例的结构的示意性截面图。
图15是说明了本发明的白光LED发光器件的另一个实例的结构的示意性截面图。
图16是说明了本发明的绝缘基板的一个优选的实施方案的示意图。
图17说明了计算微孔的有序化度的方法。
图18是说明了在本发明的绝缘基板中绝缘基板的厚度(TA)、阳极氧化膜的厚度(TO)及阳极氧化膜在其中不含形成的微孔的部分的厚度(TF)的图。
图19是说明了本发明的白光LED发光器件的一个实例的结构的示意性截面图。
图20是说明了常规荧光体混色型的白光LED发光器件的一个实例的结构的示意性截面图。
实施方案描述
1.第一方面
[绝缘基板]
以下详细描述本发明的绝缘基板。
本发明的绝缘基板包含铝基板和覆盖所述铝基板的全部表面的阳极氧化膜，并且所述阳极氧化膜含有至多2,000个粒子/mm3的量的圆等效直径为1μm以上的金属间化合物粒子。
接着，通过参考图1描述本发明的绝缘基板的结构。
图1示出了说明本发明的绝缘基板的一个优选的实施方案的示意图，(A)是俯视图且(B)是截面图。
如图1所示，本发明的绝缘基板1主要由铝基板2构成。铝基板2的全部表面被阳极氧化膜3覆盖。
如本文所使用的铝基板2的“全部表面”包括铝基板2所有与外部氛围接触的暴露表面，并且是这样一个概念，所述概念不仅包括铝基板2的正面和背面，而且也包括当铝基板2为如图1所示的板状时限定所述铝基板厚度的表面。
如图1所示，铝基板2可以在其厚度方向上被通孔4贯穿。铝基板2的全部表面被阳极氧化膜3覆盖且因此通孔4的内壁表面也被阳极氧化膜3覆盖。
在本发明的绝缘基板1中，阳极氧化膜3作为绝缘层。因此，可以相对于要设置于绝缘基板1的正面的LED芯片(未示出)从绝缘基板1的背面侧沿着在绝缘基板1的外围的阳极氧化膜3形成用于电力供给的配线(未示出)。
因为通孔4的内壁表面也被阳极氧化膜3所覆盖，所以也可以从绝缘基板1的背面侧穿过通孔4向着绝缘基板1的正面侧形成所述配线。
当欲将LED芯片安装在所述绝缘基板的表面上时，必须从所述绝缘基板的背面侧向着正面侧形成用于电力供给的配线，而本发明的绝缘基板1可以实现这种形成。
如同将在下文所述的，可以通过例如，包括通过喷墨印刷或丝网印刷印刷和烘焙金属墨水的方法，形成所述配线。
在这一方法中，铝基板2具有高导热性，且因此即使加热所述LED芯片也能得到出色的散热性。
将于下文详述构成本发明的绝缘基板的所述铝基板、阳极氧化膜、通孔等。
[铝基板]
任何已知铝基板可以用于所述铝基板，并且可用的基板的示范性实例包括纯铝基板；主要由铝组成并含有痕量其它元素的合金板；由在其上气相沉积了高纯度铝的低纯度铝(例如，再循环材料)制成的基板；在其表面通过诸如气相沉积或溅射的方法覆盖了高纯度铝的基板如硅晶片、石英或玻璃；以及在其上层压了铝的树脂基板。
对所述铝基板的厚度没有特别地限制，且考虑到降低安装部分的高度，所述厚度优选为0.2至0.5mm。通过将铝基板2形成为适合的形状对设计变化作出灵活的应对也是可能的。
所述铝基板优选具有较高的铝纯度。更具体地，所述铝纯度优选至少99.95重量％且更优选为至少99.99重量％。
在铝纯度处于上述范围的情况下，铝基板中的杂质如Si和Fe被降低到极为微小的量，并且在通过将于下文描述的阳极氧化处理形成的阳极氧化膜中留下的金属间化合物粒子的数量降低。
优选对在其上将进行将于下文描述的阳极氧化处理的所述铝基板表面预先进行脱脂处理和镜面精加工处理。
用适合的物质如酸、碱或有机溶剂实施脱脂处理，从而溶解和移除有机物质，包括黏附在所述铝基板上的灰尘、油脂和树脂。公知的脱脂剂可以用于脱脂处理。更具体地，例如，可以使用各种可商购的脱脂剂中任意一种通过规定的方法实施脱脂处理。
实施镜面精加工处理以消除所述铝基板的表面形貌特征(例如，在铝基板轧制中形成的轧制条纹)。镜面精加工处理不受制于任何特定限制，并且可以使用任何本领域公知的适合的方法实施。合适的方法的实例包括机械抛光、化学抛光、和电解抛光。
[阳极氧化膜]
阳极氧化膜是含有至多2,000个粒子/mm3的量的圆等效直径为1μm以上的金属间化合物粒子的氧化铝膜。
通过对所述铝基板进行例如将于下文描述的阳极氧化处理，在所述铝基板的全部表面上形成阳极氧化膜。
考虑到绝缘性，所述阳极氧化膜优选具有5至75μm且更优选具有10至50μm的厚度。
以下描述所述金属间化合物。
当在本发明中使用时，所述金属间化合物是指由铝基板中的铝和杂质如Si和Fe构成的化合物。据称，将于下文描述的阳极氧化处理氧化了铝和一部分金属间化合物，然而另一部分金属间化合物保持不变。
在本发明的实践中，所述阳极氧化膜含有其量至多2,000个粒子/mm3，更优选至多1,000个粒子/mm3，更优选至多800个粒子/mm3，甚至更优选至多200个粒子/mm3的圆等效直径在1μm以上的金属间化合物粒子。
如下测量金属间化合物粒子的数量：首先，通过FE-SEM(S-4000，由日立有限公司制造)，以2kV的加速电压，在多个视场中以10,000X的观察放大倍数观测所述阳极氧化膜的外表面和横截表面，使得测量面积可以为0.01mm2。所述金属间化合物粒子在所述阳极氧化膜的外表面上的存在概率Ps(个粒子/mm2)和所述金属间化合物粒子在所述阳极氧化膜的横截表面上的存在概率Pc(个粒子/mm2)通过所述观测结果确定，并且由算式{(Ps x Pc)^(3/4)}算术上确定在阳极氧化膜中金属间化合物粒子的数量至两位有效数字。
所述圆等效直径是计算为具有与在SEM图像中的金属间化合物粒子的面积相同的面积的圆的直径的值。
当在阳极氧化膜中的金属间化合物粒子的数量处于上述范围内时，本发明的绝缘基板具有出色的绝缘性。
据推测，这是因为留在阳极氧化膜中的金属间化合物粒子被认为导致了击穿或其他缺陷，而根据本发明，在阳极氧化膜中的金属间化合物粒子的绝对数量减小至较低程度并且因此击穿和其它缺陷不太可能出现。
本发明的发明人揭示了，在所述铝基板的芯的部分，金属间化合物粒子增加。据推测这是由铝的铸造步骤造成的。
因此，在所述铝基板的芯的部分的表面也形成阳极氧化膜的情况下，认为在此阳极氧化膜和在其它位置形成的阳极氧化膜之间产生了金属间化合物粒子数量上的差异，并且可能产生性质上的，如绝缘性上的差异。
然而，在本发明中，所述金属间化合物粒子的数量整体下降，并因此认为，不会由于形成的阳极氧化膜的位置的差异也能产生性质上的，如绝缘性上的差异。
[通孔]
根据需要，在通过将于下文所述的阳极氧化处理形成阳极氧化膜之前，将所述铝基板在其厚度方向上穿孔，形成所述通孔。这样，所述通孔的内壁表面也被阳极氧化膜覆盖。
对所述通孔的形状没有特别地限制，但是考虑到在将于下文所述的阳极氧化处理过程中铝基板的体积膨胀，优选形成通孔，以使其具有比将要得到的孔洞直径略大的直径。
形成的通孔的数量随着实施方案而变化，因此对其没有特别地限制。例如，由铝基板切成的更小片具有两个通孔。
[绝缘基板制备方法]
以下详细描述根据本发明的绝缘基板制备方法。
本发明的绝缘基板制备方法是用于获得本发明的上述绝缘基板的方法，并且是包括用于将铝基板阳极氧化的阳极氧化处理步骤，并且以之获得本发明的上述绝缘基板的方法。
接着，参照图2描述本发明的绝缘基板制备方法的步骤。图2是说明了本发明的绝缘基板的优选的实施方案的流程图。
[阳极氧化处理步骤]
阳极氧化处理步骤是用于阳极氧化铝基板以形成覆盖铝基板全部表面的阳极氧化膜的步骤。
阳极氧化处理步骤中的阳极氧化处理可以通过在平版印刷版支持体的制造中使用的常规方法实施。
更具体地，可以单独或两者以上结合地使用硫酸、磷酸、铬酸、草酸、氨基磺酸、苯磺酸、酰胺磺酸、丙二酸、柠檬酸、酒石酸和硼酸，用于在阳极氧化处理中使用的溶液。在这些中，优选使用硫酸和硼酸。
在使用硫酸电解溶液的情况下，硫酸浓度优选为10至60g/l，且更优选为20至40g/l。在硫酸浓度处于上述范围的情况下，阳极氧化膜中留下的金属间化合物粒子数量降低，并且因此本发明的绝缘基板具有更出色的绝缘性。
对于至少通常存在于铝基板、电极、自来水、地下水等中的成分存在于电解溶液中是可接受的。此外，可以添加第二和第三成分。此处，“第二和第三成分”包括：例如，金属如Na、K、Mg、Li、Ca、Ti、Al、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu和Zn的离子；阳离子如铵离子；以及阴离子如硝酸根离子、碳酸根离子、氯离子、磷酸根离子、氟离子、亚硫酸根离子、钛酸根离子、硅酸根离子和硼酸根离子。这些可以以约0至10,000ppm的浓度存在。
在阳极氧化处理步骤地阳极氧化处理条件取决于所使用的电解溶液而变化，且因此不能严格指定。然而，对于溶液通常适合的是具有1至80重量％的电解质浓度和5至70℃的温度，且对于电流密度适合为0.5至60A/dm2，对于电压适合为1至100V，且对于电解时间适合为15秒至50分钟。可以调节这些条件以获得想要的阳极氧化膜重量。
当在所述阳极氧化处理步骤中在含有硫酸的电解溶液进行阳极氧化处理时，可以在铝基板和对电极之间施加直流电或交流电。
当向铝基板施加直流电时，电流密度优选为1至60A/dm2，且更优选为5至40A/dm2。
为了避免在以连续方法进行阳极氧化处理步骤中的阳极氧化处理时，由于电流集中所导致的烧焦的沉积物在部分铝基板上形成，优选在阳极氧化处理开始时施加的电流处于5至10A/dm2的低电流密度，并且当阳极氧化处理进行时上升至30至50A/dm2以上。当以连续方法进行阳极氧化处理时，其优选使用通过电解溶液向铝基板供给电力的系统进行。
在阳极氧化处理步骤的阳极氧化处理可以在单一处理条件下实施，但是在两个以上不同条件下的阳极氧化处理可以组合实施。
例如，可以在使用硫酸电解溶液的阳极氧化处理之后，使用含有硼酸和硼酸钠的盐电解溶液进行阳极氧化处理(用硼酸附加处理)。因此在所得的绝缘基板中，在阳极氧化膜中的金属间化合物粒子的数量进一步减少。
对于使用硼酸进行附加处理的条件没有特别地限制，且硼酸浓度优选为0.1至1M并且更优选为0.3至0.6M。硼酸钠浓度优选为0.01至0.1M并且更优选为0.03至0.06M。此外，电压优选为200至600V并且溶液温度优选为20至60℃。
[通孔形成步骤]
本发明的绝缘基板制备方法可以包括通孔形成步骤。所述通孔形成步骤是其中在阳极氧化处理步骤进行之前，使铝基板在铝基板的厚度方向上被通孔贯穿的步骤。
可以在通孔形成中使用常规公知的方法，并且可以使用例如，钻孔、激光加工和使用冲模的冲孔。
如上所述，考虑到在阳极氧化处理过程中铝基板的体积膨胀，优选形成通孔，以使其具有比将要得到的孔洞直径略大的直径。
[小片形成步骤]
本发明的绝缘基板制备方法可以包括小片形成步骤。所述小片形成步骤是其中在阳极氧化处理步骤之前(如果包括通孔形成步骤的话，在通孔形成步骤之后或与通孔形成步骤的同时)，将铝基板分成具有所需形状的小片的步骤。在此步骤中，可以使用常规公知的方法且可以使用例如，利用冲模的冲孔、和利用钻孔或激光的打槽。
<打槽>
以下参照图5描述打槽。进行打槽以从板状的铝基板2(见图5(A1))获得小片9(见图5(A2))形式的铝基板。
在打槽中，穿透铝基板2的切除部分11在小片9的周围形成(见图5(A2))。优选使得将小片9相互或者与铝基板2连接的接合部分10保持连接，因为小片9未从铝基板2分离并且可以将其作为与铝基板2结合的部件进行处理。
通过在打槽之后进行上述阳极氧化处理(见图5(A3))并切割接合部分10，得到作为绝缘基板的小片9(见图5(A4))。
在切割接合部分10之后，在小片9的侧表面出现切割边缘12，所述切割边缘12为未被阳极氧化的铝的部分(见图5(A4))。这样的切割边缘12未被阳极氧化，且因此具有切割边缘12的小片9可能没有充足的绝缘性以作为绝缘基板。
因此，在本发明的实践中，在打槽过程中形成接合部分10，以使接合部分10可以具有比小片9更小的厚度，如图6所示(见图6(B1))。更具体地，将接合部分10的厚度设置为通过阳极氧化处理形成的阳极氧化膜3的厚度的至多二倍，以使接合部分10的所有部分被阳极氧化膜3占据(见图6(B2))。
接合部分10从而不具有铝的部分，并且因此作为绝缘基板的小片9的切割边缘12甚至在切割接合部分10之后也不出现(见图6(B3))。这样获得的作为绝缘基板的小片9具有充足的绝缘性。
形成接合部分10，以使其薄于小片9，但如果接合部分10的厚度大于通过阳极氧化处理形成的阳极氧化膜3的厚度的二倍，在接合部分10中保留了铝的部分，如图7所示(见图7(C2))。在这种情况下，在切割接合部分10之后，在小片9的侧表面轻微地出现切割边缘12(见图7(C3))，并且绝缘性不充足。
[退火处理步骤]
本发明的绝缘基板制备方法可以包含退火处理步骤。所述退火处理步骤是其中在阳极氧化处理步骤之前(或者在通孔形成步骤之前，如果包括制备方法包括这一步骤的话)，对铝基板进行退火的步骤。
当对铝基板进行退火时，退火温度优选为350至600℃且更优选为400至500℃。优选对铝基板退火10至100小时。更具体地，示例性的方法包括将铝基板置于退火炉中。
这种退火处理使得根据元素种类，铝基板中的杂质能够进入所述基板的固溶体中，并且因此在通过阳极氧化处理形成的阳极氧化膜中的金属间化合物粒子的数量降低，同时在本发明的绝缘基板中表现出更出色的绝缘性。
优选对经过退火处理的铝基板进行淬火。冷却方法示例为包括将铝基板直接浸入水中的方法等。
[其它步骤]
本发明的绝缘基板制备方法优选在阳极氧化处理步骤之前(或在通孔形成步骤或小片形成步骤之后，如果制备方法包括这些步骤的话)包括：侵蚀处理步骤，用于侵蚀铝基板移除毛刺或加工油。
可以在侵蚀处理中使用酸性处理溶液或碱性处理溶液，例如，可以使用含有磷酸或氢氧化钠的溶液。在这一方法中，可以组合使用有机溶剂清洁剂。
本发明绝缘基板制备方法进一步优选包括：水清洗步骤，用于在侵蚀处理步骤之后但在阳极氧化处理步骤之前，用水充分清洗铝基板的全部表面，以确保阳极氧化处理期间的均匀性。优选在用水清洗之后不使铝基板的所述全部表面暴露在空气中，直至阳极氧化处理开始，以阻止天然氧化膜的形成和空气中杂质的粘附。
[配线形成方法]
以下详细描述本发明的配线形成方法。
本发明的配线形成方法是用于在本发明的绝缘基板所含的阳极氧化膜上的所需部分形成配线的方法，且包括供给步骤，所述步骤用于仅向所需部分选择性地供给作为配线的导体金属。
图8示出了说明绝缘基板中的配线的示意性截面图。一种在绝缘基板1所含的阳极氧化膜3上的所需部分形成配线的可能方法包括：如图8(A)所示，使用粘合剂用导体金属7(铜)覆盖阳极氧化膜3的全部表面，并且通过蚀刻处理等移除除所述所需部分以外的不必要的部分7b，以使剩余的部分7a可以形成配线。
然而，如果采取这一方法，就需要通过蚀刻处理等而移除所述不必要的部分7b的步骤，并且使用的粘合剂可能使绝缘基板的散热性劣化或导致其它问题。
根据本发明的配线形成方法，从开始便仅向所需部分选择性供给导体金属7，如图8(B)所示，并且因此可以在所需部分形成配线，而无需通过蚀刻处理等移除所述不必要的部分7b。
通过本发明的配线形成方法获得的配线具有与那些通过向阳极氧化膜3全部表面提供导体金属7的方法形成的配线相同的导电性质，且特别是通过采取下文所述的第一至第四配线形成方法，无需使用粘合剂，并且保持了绝缘基板的散热性。
图9示出了说明导体金属的供给的示意图。以下参照图9描述导体金属的供给情况。
在绝缘基板1的形状是如图9(A)所示的平板情况下，可以在绝缘基板1的阳极氧化膜(未在图9中示出)上设置由导体金属制成的金属箔层8，而不使用本发明的配线形成方法。
然而，在绝缘基板1具有纹饰形状，如在表面侧具有凹凸不平的形状(洞穴形状)；其中小片9通过接合部分10相互连接的形状(塑模形状)；或者其中在小片9中形成通孔4的形状(通孔形状)(如图9(B)至9(D)所示)的情况下，金属箔层8难以沿着这些形状形成。
当绝缘基板1具有纹饰形状时，通过采用本发明的包括仅向所需部分选择性地供给导体金属7的配线形成方法，可以部分地向具有纹饰形状的绝缘基板1供给导体金属7以形成配线。在这一方法中，需要形成配线的部分可以位于绝缘基板1的双侧，如图9(D)所示。
在绝缘基板1具有通孔形状的情况下，考虑到也向通孔4的内壁表面提供导电金属7，优选应用将于下文描述的第三配线形成方法或第四配线形成方法。
接着，描述本发明的配线形成方法，包括第一至第四配线形成方法。
[第一配线形成方法]
在第一配线形成方法中的供给步骤是其中通过喷墨印刷向阳极氧化膜上的所需部分供给含有导体金属的金属墨水的步骤。根据第一配线形成方法，所述金属墨水形成配线图案，随后将其烘焙以形成配线。
在具有形成为直到端面(侧表面)上的阳极氧化膜的绝缘基板如本发明的绝缘基板中，通过应用第一配线形成方法，可以预期到简单地供给金属墨水的效果。
对于可以用于喷墨印刷的机械装置没有特别地限制，且可以使用常规公知的机械装置。
所述金属墨水的实例包括，通过将微粒导体金属均匀分散入含有例如粘合剂和表面活性剂的溶剂中所得到的金属墨水。在这种情况下，所述溶剂应当具有对于所述导体金属的亲和性以及挥发性。
在金属墨水中所含的导体金属的实例包括金属，如银、铜、金、铂、镍、铝、铁、钯、铬、钼和钨的微粒子；金属氧化物如氧化银、氧化钴、氧化铁和氧化钌的微粒子；复合合金如Cr-Co-Mn-Fe、Cr-Cu、Cr-Cu-Mn、Mn-Fe-Cu、Cr-Co-Fe、Co-Mn-Fe和Co-Ni-Cr-Fe的微粒子；以及镀覆的复合材料如镀银的铜的微粒子。可以单独使用这些或是用它们的两种以上的组合。
在这些中，金属微粒子是优选的，且银、铜和金是更为优选的。因为其出色的抗氧化性、对生成高绝缘性氧化物的高抵抗性、低成本和在烘焙配线图案之后改善的导电性，银是特别优选的。
对于微粒导体金属的形状没有特别地限制，且其实例包括球状、粒状和鳞片状。考虑到通过增加微粒子之间的接触面积改善导电性，鳞片状是优选的。
考虑到通过增加在用金属墨水形成的配线图案中的填充率以改善导电性和在具有金属墨水的本发明的绝缘基板上供给阳极氧化膜，金属墨水所含的导体金属粒子具有优选为1至20nm、且更优选为5至10nm的平均尺寸。
[第二配线形成方法]
在第二配线形成方法中的供给步骤是其中通过丝网印刷向阳极氧化膜上的所需部分供给含有导体金属的金属墨水的步骤。根据第二配线形成方法，如在第一配线形成方法中一样，所述金属墨水形成配线图案，随后将其烘焙以形成配线。
在丝网印刷中，通过在丝网上形成对应于配线图案的可渗透部分并将金属墨水挤压通过所述可渗透部分，提供金属墨水。
可以使用用于上述喷墨印刷的含有金属导体的金属墨水。
[第三配线形成方法]
在第三配线形成方法中的供给步骤是这样一个步骤，在此步骤中，使用含有导体金属离子的处理溶液，以在本发明的绝缘基板上实施无电镀和/或电镀，所述绝缘基板在除阳极氧化膜上的所需部分以外的部分中形成有抗蚀剂。根据第三配线形成方法，可以将导体金属仅向阳极氧化膜上没有形成抗蚀剂的所需部分上沉积，从而得到配线。
对于在阳极氧化膜上形成抗蚀剂的方法没有特别地限制，并且可以使用常规公知的方法，如示例为包括将在抗蚀剂溶液中浸泡过的本发明的绝缘基板干燥以在阳极氧化膜的全部表面形成抗蚀剂，根据配线图案曝光抗蚀剂，并且显影以移除不必要的抗蚀剂部分的方法。
对于抗蚀剂没有特别地限制，且可以使用常规公知的抗蚀剂，只要可以用它覆盖阳极氧化膜。当本发明的绝缘基板具有纹饰形状时，因为存在通孔，使用膜型抗蚀剂不是优选的。
当使用本发明的绝缘基板时，所述抗蚀剂可以被移除或保持原状。当使抗蚀剂保持原状时，优选在抗蚀剂中结合氧化物填充剂如氧化铝、二氧化硅和二氧化钛，以使本发明的绝缘基板的散热性可以不被劣化。
可以用于无电镀的示例性处理溶液包括含有导体金属如Ni、Au、Cu和Pd的离子的那些。其中，含有Cu、Ni和Au离子的处理溶液是优选的。
可以用于电镀的示例性处理溶液包括含有导体金属如Cu、Ni和Au的离子的那些。其中，含有Cu离子的处理溶液是优选的。
对于无电镀和/或电镀条件没有特别地限制，只要沉积的导体金属可以生长至能够导电的膜厚即可。无电镀仅可以通过将本发明的绝缘基板长时间浸入无电镀溶液直至所述导体金属形成具有所需厚度的膜而进行。备选地，可以通过无电镀使所述导体金属生长至给定的膜厚，并随后通过电镀进一步生长。
[第四配线形成方法]
在第四配线形成方法中的供给步骤是这样一个步骤，在此步骤中，在阳极氧化膜上的所需部分中形成具有金属还原能力的金属还原层，并且将如此形成的金属还原层与含有导体金属离子的处理溶液接触。根据第四配线形成方法，可以将导体金属仅在形成了金属还原层的所需部分上沉积，从而得到配线。
例如，通过喷墨印刷或丝网印刷将处理溶液印刷在阳极氧化膜上的所需部分中并且随后干燥，以形成金属还原层，所述处理溶液通过预先将具有金属还原能力的金属与含有具备金属结合能力的官能团的偶联剂相结合而得到。
对于偶联剂没有特别地限制，只要它具有能够与在阳极氧化膜上的羟基反应的官能团即可，且可以生成高度反应性的硅烷醇基团的硅烷偶联剂是优选的。
在偶联剂中所含的具备金属结合能力的官能团的实例包括巯基、羧基、2-羟基苯基、3-羟基苯基、4-羟基苯基、酯基团、酰胺基、咪唑基团和醚基。其中，巯基是优选的，因为它具有更出色的金属结合能力。
所述偶联剂的实例包括γ-巯基丙基三甲氧基硅烷[(CH3O)3SiC3H6SH]。
结合至所述偶联剂的具有金属还原能力的金属的实例包括Pd、Ag和Au。其中，Pd(钯)是优选的，因为它具有更出色的金属还原能力。
在与所述金属还原层接触的所述处理溶液中所含的示例性导体金属离子包括金属离子如Ag、Ni、Au、Cu和Pd。其中，Cu是优选的。
可以优选使用用于上述无电镀的处理溶液作为这样的处理溶液。
2.第二方面
[绝缘基板]
以下详细描述本发明的绝缘基板。
本发明的绝缘基板是一种具有金属基板和形成于所述金属基板表面的绝缘层的绝缘基板，所述金属基板是阀金属基板，所述绝缘层是阀金属的阳极氧化膜，且所述阳极氧化膜具有30％以下的孔隙率。
接着，以下描述构成本发明的绝缘基板的金属基板(阀金属基板)和绝缘层(阀金属的阳极氧化膜)。
[金属基板]
可以用于本发明的绝缘基板的金属基板是由阀金属制成的基板。
如本文所使用的阀金属具有通过阳极氧化，在所述金属的表面覆盖所述金属的氧化物膜的性质；并且也具有所述氧化物膜仅在一个方向上通过电流且在相反方向上几乎不能通过电流的性质。阀金属的具体实例包括铝、钽、铌、钛、铪、锆、锌、钨、铋和锑。
其中，铝基板是优选的，因为它对发光器件中优良的光源透过性有贡献，并且还具有出色的可加工性和强度。
[铝基板]
任何公知的铝基板可以用作有利地用于本发明的绝缘基板中的铝基板。还可以使用纯铝基板；主要由铝组成并含有痕量其它元素的合金板；由在其上气相沉积了高纯度铝的低纯度铝(例如，再循环材料)制成的基板；在其表面通过气相沉积或溅射方法覆盖了高纯度铝的基板如硅晶片、石英或玻璃；以及在其上层压了铝的树脂基板。
其它可以在所述合金板中存在的元素包括硅、铁、铜、锰、镁、铬、锌、铋、镍和钛。在合金中其它元素的含量优选为至多10重量％。
可以在本发明的绝缘基板中优选使用的铝基板就组成而言并不特定，而是包括出现在日本轻金属协会于1990年出版的铝手册第4版中的公知的材料，如标号为JIS A1050、JIS A1100和JIS A1070的铝基板，以及标号为JIS A3004和国际合金标号3103A的含有锰的Al-Mn铝基板。也可以使用向其中添加了至少0.1重量％的镁的由上述铝合金组成的Al-Mg合金和Al-Mn-Mg合金(JISA3005)，以增加抗拉强度。还可以使用分别附加含有锆和硅的Al-Zr合金和Al-Si合金。还可以使用Al-Mg-Si合金。
在下列文献中提到了JIS 1050材料：JP 59-153861A，JP 61-51395A，JP62-146694A，JP 60-215725A，JP 60-215726A，JP 60-215727A，JP 60-216728A，JP 61-272367A，JP 58-11759A，JP 58-42493A，JP 58-221254A，JP 62-148295A，JP 4-254545A，JP 4-165041A，JP 3-68939B，JP 3-234594A，JP 1-47545B，JP 62-140894A，JP 1-35910B和JP 55-28874B。
在下列文献中提到了JIS 1070材料：JP 7-81264A，JP 7-305133A，JP8-49034A，JP 8-73974A，JP 8-108659A和8-92679A。
在下列文献中提到了Al-Mg合金：JP 62-5080B、JP 63-60823B、JP 3-61753B、JP 60-203496A、JP 60-203497A、JP 3-11635B、JP 61-274993A、JP 62-23794A、JP 63-47347A、JP 63-47348A、JP 63-47349A、JP 64-1293A、JP 63-135294A、JP 63-87288A、JP 4-73392B、JP 7-100844B、JP 62-149856A、JP 4-73394B、JP 62-181191A、JP 5-76530B、JP 63-30294A、JP 6-37116B、JP 2-215599A和JP 61-201747A。
在下列文献中提到了Al-Mn合金：JP 60-230951A、JP 1-306288A、JP2-293189A、JP 54-42284B、JP 4-19290B、JP 4-19291B、JP 4-19292B、JP61-35995A、JP 64-51992A、JP 4-226394A、US 5,009,722和US 5,028,276。
在下列文献中提到了Al-Mn-Mg合金：JP 62-86143A、JP 3-222796A、JP 63-60824B、JP 60-63346A、JP 60-63347A、JP 1-293350A、EP 223,737B、US 4,818,300和GB 1,222,777。
在下列文献中提到了Al-Zr合金：JP 63-15978B、JP 61-51395A、JP63-143234A和JP 63-143235A。
在GB 1,421,710中提到了Al-Mg-Si合金。
可以通过例如下述方法将铝合金成形为板。
首先，使用通常的方法，对已经被调节至给定合金成分含量的铝合金熔体实施清洁处理，随后将其铸造。进行以从所述熔体中除去氢和其它不必要的气体的清洁处理典型包括熔化(flux)处理；使用氩气、氯气等的除气处理；过滤处理，其使用例如称为硬性介质过滤器(例如，陶瓷管过滤器，陶瓷泡沫过滤器)、使用过滤介质如氧化铝片或氧化铝球的过滤器、或玻璃布过滤器；或除气处理和过滤处理的组合。
优选进行这些清洁处理以阻止由于熔体中异物如非金属夹杂物和氧化物造成的缺陷、以及由于在熔体中溶解的气体造成的缺陷。在例如以下文献中描述了熔体过滤：JP 6-57432A、JP 3-162530A、JP 5-140659A、JP 4-231425A、JP 4-276031A、JP 5-311261A、和JP 6-136466A。在例如以下文献中描述了熔体除气：JP 5-51659A和JP 5-49148U。本申请人在JP 7-40017A中提出了一种与熔体除气有关的技术。
接着，对已经被实施了如上所述的清洁处理的熔体进行铸造。示范性的铸造方法包括以DC铸造方法为典型的使用固定模具的铸造法以及以连续铸造方法为典型的使用移动式模具的铸造。
在DC铸造中，熔体以每秒0.5至30℃的冷却速度凝固。在低于1℃/s时，可以形成许多粗大的金属间化合物粒子。当进行DC铸造时，可以得到具有300至800mm厚度的铸锭。如果必要的话，通过常规方法将这种铸锭剥皮，通常除去1至30mm、且优选除去1至10mm表面层中的材料。任选地在去皮之前或之后对铸锭均热化。在进行均热化的情况中，对铸锭于450至620℃进行1至48小时的热处理，以阻止金属间化合物粒子的粗大化。如果热处理的时间短于一小时，均热化处理的效果可能是不足的。
随后对所述铸锭进行热轧和冷轧，给出轧制过的铝基板。在热轧开始时，350至500℃的温度是适当的。在热轧之前或之后，或甚至在热轧期间，可以进行中间退火。所述中间退火条件可以包括在分批式退火炉中于280至600℃加热2至20小时，且优选为于350至500℃加热2至10小时，或者在连续式退火炉中于400至600℃加热至多6分钟，且优选为于450至550℃加热至多2分钟。使用连续式退火炉以10至200℃/s的升温速率加热轧板，使得能够获得更细的晶体组织。
可以进一步对通过上述步骤精加工成为给定厚度如处于0.1至0.5mm范围内的铝基板通过矫直设备，如辊式矫直机或拉伸矫直机进行处理，以改善平面性。可以在将铝基板切割成为分离的板之后，改善平面性。然而，为了增强生产率，优选改善处于连续卷材的状态的铝基板的平面性。将铝基板进料至切割机生产线中，以将其成形为给定的板宽度，也是可能的。可以在铝基板表面提供一层油的薄膜，以阻止由在邻接的铝基板之间的摩擦引起的磨损。根据需要，可以适合地使用挥发性的或非挥发性的油膜。
在工业上实施的连续铸造方法包括冷轧，如双辊方法(亨特方法)以及3C方法；以及使用冷带或冷块的方法，如双带方法(Hazelett方法)和AlusuisseCaster II方法。当使用连续铸造方法时，以100至1,000℃/s的冷却速率凝固熔体。通常，连续铸造方法比DC铸造方法具有更快的冷却速率，并且因此特征为能够得到在铝母体中更高的合金化成分固溶度。关于本申请人所建议的连续铸造方法的技术在例如JP 3-79798A、JP 5-201166A、JP 5-156414A、JP6-262203A、JP 6-122949A、JP 6-210406A和JP 6-26308A中有所叙述。
当通过例如包括使用冷轧(亨特方法)的方法实施连续铸造方法时，可以将熔体直接并连续地铸造为厚度1至10mm的板，因此可以省略热轧步骤。当使用冷带方法(例如，Hazelett方法)时，可以得到厚度为10至50mm的铸造板。通常，在紧接铸造机的下游设置热轧机，并且连续轧制铸造板，使得获得连续铸造和轧制的厚度为1至10mm的板。
随后，采用如上所述对于DC铸造的相同方式，对这些连续铸造和轧制的板实施如冷轧、中间退火、整平和切割等工序，并从而精加工至例如0.1至0.5mm的板厚度。关于在连续铸造方法中的中间退火条件和冷轧条件，本发明的申请人建议的技术在例如JP 6-220593A、JP 6-210308A、JP 7-54111A和JP 8-92709A中描述。
因为当进行化学砂目化处理或电化学砂目化处理时，铝基板表面的晶体组织可以导致差的表面质量，所以铝基板的晶体组织优选不要太粗大。在铝基板表面的晶体组织优选宽度至多200μm、更优选至多100μm、且甚至更优选至多50μm。而且，晶体组织长度优选至多5,000μm、更优选至多1,000μm、且甚至更优选至多500μm。本发明的申请人建议的相关技术在例如JP6-218495A、JP 7-39906A和JP 7-124609A中描述。
优选铝基板表面的合金化成分分布合理的均匀，因为当进行化学砂目化处理或电化学砂目化处理时，在铝基板表面合金化成分的非均匀分布有时会导致差的表面质量。本发明的申请人建议的相关技术在例如JP 6-48058A、JP5-301478A和JP 7-132689A中描述。
在铝基板中金属间化合物粒子的大小或密度可能影响化学砂目化处理或电化学砂目化处理。本发明的申请人建议的相关技术在例如JP 7-138687A和JP 4-254545A中描述。
在本发明中，在如上所述的铝基板上通过叠板轧制、转移法或其它方法在最终轧制工序等中形成纹饰图案后，即可使用所述铝基板。
可以在本发明的绝缘基板中有利地使用的铝基板可以为铝幅或切片的形式。
当铝基板为幅状形式时，可以通过例如下述方法包装：在铁台车上垫衬硬纸板和毡，将褶皱的纸板圈放置在产品的任何一侧，用聚合物管(polytubing)将所有物品都包裹起来，向卷材中心开口插入木质圈，在卷材周围填塞毡，系紧围绕全部包装的钢带，并在外部做上标记。此外，可以使用聚乙烯膜作为外部包裹材料，并且针刺毡和硬纸板可以用作减震材料。存在各种其它包装方式，可以使用其中任何一种，只要它可以稳固地运输铝基板而不刮伤或造成其它痕迹即可。
可以有利地用于本发明的铝基板的厚度约0.1至约2.0mm、优选0.15至1.5mm、且更优选0.2至1.0mm。这一厚度可以适当根据使用者的愿望改变。
[绝缘层]
可以在本发明的绝缘基板中使用的绝缘层是在金属基板(阀金属基板)表面形成的层，并且是上述阀金属的阳极氧化膜。
所形成的绝缘层可以是不同于所述阀金属基板的阀金属基板的阳极氧化膜，但是考虑到防止绝缘层的缺陷形成，优选为通过对部分(表面)阀金属基板实施将于下文描述的阳极氧化处理而在阀金属基板上形成的阳极氧化膜。
在本发明的实践中，阳极氧化膜具有至多30％、优选至多15％和更优选至多5％的孔隙率。
如本文所使用的阳极氧化膜的孔隙率是指通过下式计算得到的值。在下式中，阀金属氧化物的密度(g/cm3)是指在化学手册等中描述的密度。例如，氧化铝的密度是3.98而氧化钛的密度是4.23。
孔隙率(％)＝[1-(氧化膜密度/阀金属氧化物密度)]x 100
(其中氧化膜密度(g/m3)表示单位面积上的氧化物膜重量除以氧化物膜厚度。)
可以通过在绝缘层中使用具有这样孔隙率的阳极氧化膜，提供具有出色的绝缘性和散热性的发光器件。
据推测，这是因为在不影响阳极氧化膜的组成和厚度的情况下，在阳极氧化膜的孔洞中存在的空气的量降低，因此在保持阳极氧化膜出色的绝缘性的同时增加了热导率。
在本发明的实践中，如图11所示，为了进一步改善绝缘性，至少每个在阳极氧化膜14中的微孔15的部分内部优选被与构成阳极氧化膜14的物质不同的物质16封孔(见图11(A))，并且为了改善对将于下文所述的金属配线层的粘着，在阳极氧化膜14中的微孔优选包括：微孔15a，所述微孔15a的内部至少部分被与构成阳极氧化膜14的物质不同的物质16封孔，以及微孔15b，所述微孔15b的内部未被所述不同的物质封孔(见图11(B))。
与构成阳极氧化膜的物质不同的物质优选具有绝缘性。当阳极氧化膜是阳极氧化的铝(氧化铝)膜时，所述物质的具体实例包括氢氧化铝、氧化钛、氧化硅、氧化镁、氧化钽、氧化铌、氧化锆、和它们的水合物。这些可以被单独使用或其中两种以上结合使用。
其中，其氢氧化铝和水合物是优选的，因为它们具有接近氧化铝的折射率、对发光器件中良好的光源透过性有贡献、在氧化铝上良好吸附，并具有出色的绝缘性。
此外，在本发明的实践中，取决于发光器件的用途，可以在金属基板的两个表面或在金属基板的端面形成绝缘层。
特别是当作为白光LED的绝缘基板时，考虑到增加漫反射光成分，金属基板的表面和组成本发明的绝缘基板的绝缘层可以具有预定的表面形状。
对于表面形状，具有平均波长为0.01至100μm的形貌特征的形状是优选的，并且可以使用其中具有不同波长的形貌特征相互叠加的形状。
据推测，这样的表面形状可以改善光的漫射效果同时抑制对发射光的吸收效果和干涉效果(能导致反射损失的效果)。
优选在各种力学/电学/化学处理条件下进行用于形成这样的表面形状的处理，如在例如JP 2007-245116A的[0049]至[0076]段所述。
特别是，构成本发明的绝缘基板的绝缘层(阳极氧化膜)的表面优选具有平均直径为至少1μm，平均间距至多为0.5μm的形貌特征，因为对出于安装LED的考虑而形成的将于下文所述的金属配线层的粘着良好，并且可以抑制在无配线部分反射特性的劣化。
在本发明的实践中，通过用上述不同的物质封孔部分(例如，约80至90％)包含于阳极氧化膜中的微孔的内部，也可以形成所述形貌特征。
[绝缘基板制备方法]
以下详细描述本发明的绝缘基板制备方法。
本发明的绝缘基板制备方法是制备上述本发明的绝缘基板的方法，且包括：
阳极氧化处理步骤，用于阳极氧化所述阀金属基板的表面，以在阀金属基板上形成阀金属的阳极氧化膜；以及
封孔处理步骤，用于在所述阳极氧化处理步骤之后进行封孔，以将所述阳极氧化膜的孔隙率调节至30％以下。
接着，描述阳极氧化处理步骤和封孔处理步骤。
[阳极氧化处理步骤]
所述阳极氧化处理步骤是用于对金属基板表面进行阳极氧化，以在金属基板表面形成含有多孔或非多孔部分的绝缘层的处理步骤。
可以通过在制备平版印刷版支持体中使用的常规方法实施在阳极氧化处理步骤中的阳极氧化处理。
更具体地，可以用于阳极氧化处理的溶液可以包含酸如硫酸、磷酸、铬酸、草酸、氨基磺酸、苯磺酸、酰氨磺酸(amidosulfonic acid)、丙二酸、柠檬酸、酒石酸和硼酸，以及碱金属和碱土金属的氢氧化物如氢氧化钠、氢氧化镁、氢氧化钾、和氢氧化钙。所述酸和氢氧化物可以单独使用或两种以上组合使用。
对于至少通常存在于铝基板、电极、自来水、地下水等中的成分存在于电解溶液中是可接受的。此外，可以添加第二和第三成分。此处，“第二和第三成分”包括：例如，金属如Na、K、Mg、Li、Ca、Ti、Al、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu和Zn的离子；阳离子如铵离子；以及阴离子如硝酸根离子、碳酸根离子、氯离子、磷酸根离子、氟离子、亚硫酸根离子、钛酸根离子、硅酸根离子和硼酸根离子。这些可以以约0至10,000ppm的浓度存在。
在阳极氧化处理步骤中阳极氧化处理条件取决于所使用的电解溶液而变化，且因此不能严格指定。然而，通常适合的是，溶液的电解质浓度为1至80重量％且其温度为5至70℃，且电流密度为0.5至60A/dm2，电压为1至600V，且电解时间为15秒至20小时。可以调节这些条件以获得想要的阳极氧化膜重量。
此外，可以用于进行在第一阳极氧化处理步骤中的阳极氧化处理的方法包括在JP 54-81133A、JP 57-47894A、JP 57-51289A、JP 57-51290A、JP57-54300A、JP 57-136596A、JP 58-107498A、JP 60-200256A、JP62-136596A、JP 63-176494A、JP 4-176897A、JP 4-280997A、JP 6-207299A、JP 5-24377A、JP 5-32083A、JP 5-125597A和JP 5-195291A中所述的那些。
其中，如在JP 54-12853A和JP 48-45303A中所述，使用硫酸溶液作为电解溶液是优选的。所述电解溶液具有优选10至300g/L的硫酸浓度，并具有优选1至25g/L，更优选为2至10g/L的铝离子浓度。这样的电解溶液可以通过向硫酸浓度为50至200g/L的稀硫酸中添加化合物如硫酸铝而制备。
当在阳极氧化处理步骤中在含有硫酸的电解溶液中进行阳极氧化处理时，可以在铝基板和对电极之间施加直流电或交流电。
当向铝基板施加直流电时，电流密度优选为1至60A/dm2，更优选为5至40A/dm2。
为了避免在以连续方法进行阳极氧化处理步骤中的阳极氧化处理时，由于电流集中所导致的烧焦的沉积物在部分铝基板上形成，优选在阳极氧化处理开始时施加的电流处于5至10A/dm2的低电流密度，并且当阳极氧化处理进行时电流密度上升至30至50A/dm2以上。当以连续方法进行阳极氧化处理时，其优选使用通过电解溶液向铝基板供给电力的系统进行。
当阳极氧化膜是多孔的时，微孔具有约5至约1,000nm的平均孔尺寸以及约1x 106至1x约1010个粒子/mm2的平均孔密度。考虑到促进将于下文所述的封孔处理，与微孔在阳极氧化膜中的比例近似的所述阳极氧化膜的孔隙率优选为1至90％、更优选为5至80％且最优选为10至70％。计算孔隙率的方法如上所述。
阳极氧化膜的厚度优选为1至200μm。小于1μm的膜厚由于差的绝缘性降低了耐电压性，而超过200μm的膜厚需要大量的电力并且在经济上是不利的。阳极氧化膜的厚度更优选为2至100μm，甚至更优选为10至50μm。
可以用于阳极氧化处理的电解设备的实例包括在JP 48-26638A，JP47-18739A和JP 58-24517B中所述的那些。特别有利地使用示于图12中的设备。图12是说明了用于铝基板表面阳极氧化的设备的示意图。在阳极氧化装置410中，如图12中的箭头所示传输铝基板416。通过含有电解溶液418的供电槽412中的供电电极420，使铝基板416带正电(+)。随后，将铝基板416通过设置于供电槽412中的辊422向上传输，在夹持辊424处转而向下并且朝含有电解溶液426的电解槽414传输，通过辊428转向水平方向。随后，通过电解电极430使铝基板416带负电(-)，以在板表面形成阳极氧化膜。随后将从电解槽414中出来的铝基板416传输至用于后续步骤的区域。在阳极氧化装置410中，辊422、夹持辊424和辊428构成了方向转变装置，并且通过这些辊422、424和428，铝基板416以山丘形和倒转的U形被传输通过供电槽412和电解槽414。供电电极420和电解电极430连接至DC电源434上。
在图12中所示的阳极氧化装置410的特征性特点是，铝基板416以山丘形和倒转的U形被传输通过供电槽412和电解槽414，所述供电槽412和电解槽414被单独的槽壁432隔开。这种构造使得保持在所述两个槽中的铝基板416的长度能够最小。因此，阳极氧化装置410的总长度可以被缩短，因此能够降低设备成本。以山丘形和倒转的U形传输铝板416消除了形成开口用于使铝基板416通过在槽412和414之间的槽壁432的必要。从而可以抑制为了将槽412和414各自的液面保持在必要的高度所需的电解溶液的量，使得能够降低运行成本。
在阳极氧化处理步骤中的阳极氧化处理可以在单一的处理条件下实施，但是当要控制阳极氧化膜的形状如在特殊位置的形状或在深度方向上的形状时，可以组合实施在两种以上不同条件下的阳极氧化处理。
考虑到抑制在将于下文所述的封孔步骤中的非均匀性封孔，优选通过在例如JP 3,714,507B，JP 2002-285382A，JP 2006-124827A，JP 2007-231339A，JP2007-231405A，JP 2007-231340A和JP 2007-238988A中所述的方法实施用于形成以蜂巢状阵列排列的微孔的阳极氧化处理。
这些处理优选在上述专利和公布的专利申请中的处理条件中所述的那些。
[封孔处理步骤]
封孔处理步骤是这样一个步骤，其中，在阳极氧化处理步骤之后进行封孔处理，以将阳极氧化膜的孔隙率调节至30％以下，从而获得本发明的绝缘基板。
封孔处理步骤中的封孔处理可以依照公知的方法实施，如沸水处理、热水处理、蒸汽处理、硅酸钠处理、亚硝酸盐处理或乙酸铵处理。例如，可以使用在JP 56-12518B、JP 4-4194A、JP 5-202496A和JP 5-179482A中所述的设备和方法实施封孔处理。
在本发明的实践中，当阳极氧化膜含有微孔时，考虑到进一步降低阳极氧化膜的孔隙率同时还增强散热性，不仅阳极氧化膜的表面，而且微孔的内部优选接受用于沸水处理、热水处理、硅酸钠处理等的处理溶液。
在本发明的实践中，当如上所述阳极氧化膜含有微孔时，考虑到进一步改善绝缘性，优选用与构成阳极氧化膜的物质不同的物质将微孔封孔。
在使用这样的不同的物质封孔的封孔处理中，可以使用例如，这样一种方法，其中，上述用于沸水处理、热水处理、硅酸钠处理等的处理溶液渗透微孔的内部，以将构成微孔内壁的物质(例如，氧化铝)转变成另一种物质(例如，氢氧化铝)。不过，有利地使用采用如在JP 6-35174A的[0016]至[0035]段所述的溶胶-凝胶法进行封孔处理。
所述溶胶-凝胶法通常是包括将金属醇盐构成的溶胶进行水解和缩聚反应以形成无流动性的凝胶，并加热所述凝胶以形成氧化物的方法。
对金属醇盐没有特别地限制，但是考虑到容易封孔进入微孔，其优选的实例包括：Al(O-R)n、Ba(O-R)n、B(O-R)n、Bi(O-R)n、Ca(O-R)n、Fe(O-R)n、Ga(O-R)n、Ge(O-R)n、Hf(O-R)n、In(O-R)n、K(O-R)n、La(O-R)n、Li(O-R)n、Mg(O-R)n、Mo(O-R)n、Na(O-R)n、Nb(O-R)n、Pb(O-R)n、Po(O-R)n、Po(O-R)n、P(O-R)n、Sb(O-R)n、Si(O-R)n、Sn(O-R)n、Sr(O-R)n、Ta(O-R)n、Ti(O-R)n、V(O-R)n、W(O-R)n、Y(O-R)n、Zn(O-R)n和Zr(O-R)n  (其中R表示一种任选取代的直链的、支链的、或环状的烃基团或氢原子，并且n表示自然数)。
其中，当绝缘层包含铝阳极氧化膜时，考虑到与氧化铝的出色反应性和出色的溶胶凝胶形成能力，氧化钛和氧化硅型金属醇盐是优选的。
对于在微孔内形成溶胶-凝胶的方法没有特别地限制，但是考虑到容易封孔进入微孔，包含将溶胶溶液涂布和加热的方法是优选的。
溶胶溶液优选具有0.1至90重量％的浓度，更优选1至80重量％且最优选5至70重量％。
可以反复涂布溶胶溶液以降低孔隙率。
另一方面，作为另一种用于以这样的不同的物质封孔的封孔处理，可以将绝缘粒子填入微孔，所述绝缘粒子具有能够进入阳极氧化膜所含的微孔的尺寸。
考虑到可分散性和尺寸，胶态二氧化硅优选用作这样的绝缘粒子。
可以通过溶胶-凝胶法制备并使用胶态二氧化硅，或者也可以使用商品化产品。可以通过参考Werner Stober等；J.胶体和界面科学，26，62-69(1968)，Rickey D.Badley等；Lang muir 6，792-801(1990)，Shikizai Kyokai-shi(日本着色材料协会期刊)，61[9]488-493(1988)，制备胶态二氧化硅。
胶态二氧化硅是二氧化硅在水或含有二氧化硅作为基础单元的水溶性溶剂中的分散体，且它的粒径优选1至400nm、更优选1至100nm且最优选5至50nm。粒径小于1nm时，涂布液的储存稳定性差，而当粒径大于400nm时，向微孔的填充劣化。
粒径处于前述范围内的胶态二氧化硅可以以水性分散体的状态使用，无论是酸性的还是碱性的。可以根据被混合的所述水性分散体的稳定区域适当地选择胶态二氧化硅。
可以使用商品化产品如SNOWTEX (注册商标；这也应用于下文的描述中)-O、SNOWTEX-OL(Nissan Chemical Industries，Ltd.)、ADELITE(注册商标；这也应用于下文的描述中)AT-20Q(ASAHI DENKA CORPORATION)，Crebosol(注册商标；这也应用于下文的描述中)20H12和Crebosol 30CAL 25(Clariant(Japan)K.K.)。
碱性胶态二氧化硅的实例包括通过添加碱金属离子、铵离子和胺稳定的那些，并且可以使用商品化产品如SNOWTEX-20、SNOWTEX-30、SNOWTEX-C、SNOWTEX-C30、SNOWTEX-CM40、SNOWTEX-N、SNOWTEX-N30、SNOWTEX-K、SNOWTEX-XL、SNOWTEX-YL、SNOWTEX-ZL、SNOWTEX PS-M and SNOWTEX PS-L (Nissan ChemicalIndustries，Ltd.)；ADELITE AT-20、ADELITE AT-30、ADELITE AT-20N、ADELITE AT-30N、ADELITE AT-20A、ADELITE AT-30A、ADELITE AT-40和ADELITE AT-50(ASAHI DENKA CORPORATION)；Crebosol 30R9、Crebosol30R50和Crebosol 50R50(Clariant(Japan)K.K.)；LUDOX(注册商标；这也应用于下文的描述中)HS-40、LUDOX HS-30、LUDOX LS和LUDOX SM-30(DuPont)。
对于使用水溶性溶剂作为分散介质的胶态二氧化硅，可以使用商品化产品，包括，例如可得自Nissan Chemical Industries，Ltd.的MA-ST-M(粒径：20至25nm，甲醇-分散型)、IPA-ST(粒径：10至15nm，异丙醇-分散型)、EG-ST(粒径：10至15nm，乙二醇-分散型)、EG-ST-ZL(粒径：70至100nm，乙二醇-分散型)、NPC-ST(粒径：10至15nm，乙二醇单丙醚-分散型)。
可以单独使用这些类型的胶态二氧化硅，也可以两种以上组合使用，并且其可以含有痕量的例如氧化铝或铝酸钠。
此外，胶态二氧化硅可以含有稳定剂，其选自例如无机碱(例如，氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化锂和氨)以及有机碱(例如四甲基铵)。
在本发明的实践中，当进行封孔处理以用与构成阳极氧化膜的物质不同的物质将微孔封孔的情况下，优选移除在阳极氧化膜的表面层(表面)附近存在的所述不同的物质，只要孔隙率未超过30％即可。
移除在表面层附近存在的所述不同的物质促进了在阳极氧化膜表面形貌特征的形成，所述形貌特征的平均直径至少1μm，平均间距至多0.5μm，因此增强了将于下文描述的对金属配线层的粘着。
对于移除在表面层附近存在的所述不同的物质的方法没有特别地限制，并且它的一个实例包括这样一种方法，所述方法包括通过如下文中提及的实施例所述的酶原生质(plasma)处理和使用氢氧化钠水溶液的浸渍处理，以及机械抛光和化学机械抛光(CMP)仅仅移除表面层部分。
[通孔形成步骤/小片形成步骤]
本发明的绝缘基板制备方法可以包括通孔形成步骤。所述通孔形成步骤是其中使铝基板在铝基板的厚度方向上被通孔贯穿的步骤。
本发明的绝缘基板制备方法可以包括小片形成步骤。当绝缘基板制备方法包括通孔形成步骤时，小片形成步骤是紧跟通孔形成步骤，并且使得金属基板被分成具有所需形状(例如，包含最终产品所必要的机械加工余量的尺寸)的小片的步骤，并且也称作“打槽”。
可以在上述阳极氧化处理步骤之前或之后进行这些步骤。当在阳极氧化处理步骤之前实施时，这些步骤能够防止通过阳极氧化处理形成的绝缘层裂纹，同时保持通过这些步骤形成的基板的端表面部分的绝缘性。当在阳极氧化处理步骤之后实施时，这些步骤增加了阳极氧化处理的效率并且使得阳极氧化膜可以被精确处理以具有最终产品的尺寸。
对于通过通孔形成步骤形成的通孔的形状没有特别地限制，只要贯穿多层的通孔具有对于配线必要的长度以及能够确保必要的配线插入的尺寸(直径)即可。然而，考虑到最终小片的尺寸和更加可靠地形成配线，圆形是优选的。具体地，通孔优选具有0.01至2mm的直径，更优选0.05至1mm且最优选0.1至0.8mm。
当在小片形成步骤中形成小片时，有必要考虑最终小片的尺寸和形状，但是当要得到正方形小片时，考虑到小片的紧凑性和加工的适合性，一边的长度优选0.1mm至50mm，更优选0.2mm至40mm，且最优选0.4mm至30mm。特别是当要获得用于主要包装的反射基板时，优选以3.2mm x 2.8mm和1.6mm x 0.8mm的尺寸实施打槽，这是通用型标准的实例。
当小片形成步骤之后进行上述阳极氧化处理步骤时，优选将在小片形成步骤之后获得的小片部分加工成为这样的形状：可以实现对所述小片部分的电传导，以通过阳极氧化处理形成绝缘层。其优选实例包括：包括在电传导部分形成的状态下打槽方法的方法，和包括通过使用导线连接小片部分的方法等，但是所述方法不限于这些。
在本发明的实践中，对于通孔形成步骤和小片形成步骤适合的方法的实例包括钻孔、利用冲模的压力加工、利用切割锯切割和激光加工，但方法不限于这些。
[保护处理]
此外，在本发明的绝缘基板制备方法中，可以进行保护处理，以抵抗可能在上述通孔形成步骤和小片形成步骤、以及将在下文描述的处理包括形成用于向LED传导电信号的金属配线层以及在LED安装区域形成金属层时使用的各种溶剂。
更具体地，在所述保护处理中，可以如例如在JP 2008-93652 A和JP2009-68076 A中所述，适当地改变阳极氧化膜的表面性质，包括亲水性和疏水性(亲油性和疏油性)。此外，可以适当地使用涉及赋予对酸和碱的耐受性的方法。
[其它处理]
此外，根据本发明的绝缘基板制备方法，可以任选地对绝缘基板表面进行各种各样的处理。
例如，可以形成用白色绝缘材料(例如，氧化钛)制成的无机绝缘层、或有机绝缘层如白色抗蚀剂，以增强反射基板的白度。
由氧化铝制成的绝缘层可以用不同于白色的适宜的颜色着色，例如，通过电沉积。具体地说，可以通过在电解溶液中电解对绝缘层着色，所述电解溶液中含有可染色的离子物质，其在例如日本金属精加工协会编辑的YokyokuSanka(阳极氧化)，金属精加工讲座B(1969pp.195-207)和Shin ArumaitoRiron(新耐酸铝理论)，Kallos Publishing Co.，Ltd.(1997pp.95-96)中所述，示例为Co离子、Fe离子、Au离子、Pb离子、Ag离子、Se离子、Sn离子、Ni离子、Cu离子、Bi离子、Mo离子、Sb离子、Cd离子和As离子。
[配线基板]
以下详细描述本发明的配线基板。
本发明的配线基板是这样一种配线基板，所述配线基板包含上述本发明的绝缘基板和设置在所述绝缘基板上的绝缘层侧的配线层。
对于金属配线层的材料没有特别地限制，只要它是导电材料即可，且其具体实例包括金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、镁(Mg)和镍(Ni)。这些可以单独使用，也可以两种以上组合使用。
其中，因为其低电阻，铜是优选的。可以在铜配线层的表面层形成金层或镍/金层，以增强引线接合的容易性。
考虑到导电的可靠性和包装的紧凑性，金属配线层优选厚度为0.5至1,000μm、更优选1至500μm且最优选5至250μm。
形成金属配线层的范例性方法包括各种镀覆处理，如电镀、无电镀和置换镀覆、溅射、气相沉积、金属箔的真空贴付处理和使用粘合层的黏接。
其中，出于高耐热性考虑，优选仅使用金属形成该层，而考虑到形成厚且均匀的膜以及高粘合力，特别优选通过镀覆形成层。
对不导电的材料(绝缘基板)进行镀覆，并且因此优选使用这样一种方法，在所述方法中，形成称为“晶种层”的金属还原层且使用如此形成的金属层形成厚金属层。
优选使用无电镀形成所述晶种层，并且优选将含有主要成分(例如，金属盐和还原剂)和辅助成分(例如，pH调整剂、缓冲剂、络合剂、促进剂、稳定剂和改良剂)的溶液用于镀覆溶液。可以适当地使用商品化产品如SE-650·666·680、SEK-670·797、SFK-63(可得自Japan Kanigen Co.，Ltd.)和MelplateNI-4128、Enplate NI-433、Enplate NI-411(可得自Meltex Inc.)用于镀覆溶液。
在使用铜作为金属配线层的材料的情况下，可以使用各种含有作为主要成分的硫酸、硫酸铜、盐酸、聚乙二醇和表面活性剂及各种其它添加剂的电解溶液。
根据LED安装设计，通过任何公知的方法，对如此形成的金属配线层图案化。可以再次在将实际安装LED的部分形成金属层(包括焊料)，并且为了简单地连接，通过热压焊、倒焊或引线接合将其适当地加工。
适合的金属层优选由金属材料制成，如焊料、金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、镁(Mg)和镍(Ni)。考虑到在加热下安装LED，为了连接的可靠性，经由镍涂覆金或银的方法是优选的。
具体地，在图案化的铜(Cu)配线上经由镍(Ni)形成金(Au)的示例性方法包括触击电镀Ni及随后镀Au。
为了除去Cu配线层的表面氧化物层和确保对Au层的粘合力，进行触击电镀Ni。
在Ni的触击电镀中可以使用普通的Ni/盐酸混合溶液，还可以使用商品化产品如NIPS-100(可得自Hitachi Chemical Co.，Ltd.)。
另一方面，为了改善在引线接合和焊接中的可润湿性，在触击电镀Ni之后进行Au镀覆。
优选通过无电镀进行Au镀覆，且可以使用可商购的处理溶液如HGS-5400(Hitachi Chemical Co.，Ltd.)、和MICROFAB Au Series、GALVANOMEISTER GB Series和PRECIOUSFAB IG Series(均可得自TanakaHoldings Co.，Ltd.)
[白光LED发光器件]
接着，详细描述根据本发明的白光LED发光器件。
本发明白光LED发光器件是一种这样的发光器件，其包括上述本发明的绝缘基板、设置在配线基板上的金属配线层侧的蓝光LED发光器件、及至少设置在蓝光LED发光器件上的荧光发射体。
上述本发明的配线基板对使用的发光器件形状和LED的类型没有任何限制，并且可以用于各种用途中。
接着，参照附图描述本发明的白光LED发光器件的构造。
图13是说明了本发明的白光LED发光器件的一个优选的实例的示意性截面图。
在图13中所示的白光LED发光器件100中，用含有YAG荧光体粒子150的透明树脂160模塑蓝光LED110，并且通过YAG荧光体粒子150激发的光与蓝光LED110的余辉结合，发射白光。通过倒焊法，将蓝光LED110安装在具有金属配线层120、130的本发明的配线基板140上，金属配线层120、130也作为用于外接的电极。
图14是说明了本发明的白光LED发光器件的一个优选的实例的示意性截面图。
在图14中所示的白光LED发光器件100构造成荧光体混色型的白光LED发光器件，并且包括具有绝缘层32、金属基板33和金属配线层34的本发明的配线基板、设置在配线基板上的金属配线层34一侧的蓝光LED发光器件22、以及至少在蓝光LED发光器件22上设置的荧光发射体26。
如在图14中所示，在本发明的白光LED发光器件中，优选用树脂24封闭蓝光LED发光器件22。
在本发明的实践中，对于荧光发射体26，可以使用在日本专利申请号2009-134007和2009-139261中所述的荧光发射单元。
图15是说明了本发明的白光LED发光器件的另一个优选的实例的结构的示意性截面图。
在图15所示的白光LED发光器件100中，与在图13示出的白光LED发光器件一样，用含有YAG荧光体粒子150的透明树脂160模塑蓝光LED37，并且通过倒焊法安装在具有金属配线层120、130的本发明的配线基板上，金属配线层120、130也作为用于外接的电极。
图15所示的构造也是可以的，其中在本发明的配线基板中形成通孔35，并且形成位于蓝光LED37下方的金属基板33，以使其比基板的其它部分更厚并且作为散热器39。
尽管未在图15中清楚地示出，优选对在绝缘层32的一部分中的通孔35的内部阳极氧化，以作为绝缘层。
对于在图13和15中示出的蓝光LED，使用包含形成在基板上的半导体发光层的蓝光LED，所述半导体是例如GaAlN、ZnS、ZnSe、SiC、GaP、GaAlAs、AlN、InN、AlInGaP、InGaN、GaN或AlInGaN。
所述半导体是，例如，同质结构的、异质结构的或含有MIS结、PIN结或PN结的双重异质结构的。光发射波长可以可变地选自从紫外光区到红外光区，取决于半导体层的材料和它们的混合物比率。
在图13至15中示出的透明树脂优选由热固性树脂构成。
所述透明树脂优选选自由以下各项组成的组中至少一项构成：热固性树脂如环氧树脂、改性环氧树脂、硅氧烷树脂、改性硅氧烷树脂、丙烯酸酯树脂、氨基甲酸酯树脂和聚酰亚胺树脂。特别优选环氧树脂、改性环氧树脂、硅氧烷树脂和改性硅氧烷树脂。
优选硬透明树脂以保护蓝光LED。
对于所述透明树脂，优选具有出色的耐热性、耐候性和耐光性的树脂。
还可以向所述透明树脂中混入选自由以下各项组成的组中至少之一以赋予其预定功能：填充剂、漫射剂、颜料、荧光物质、反射性物质、UV吸收剂、和抗氧化剂。
此外，在图13和15中示出的荧光体粒子应该是能够对来自蓝光LED的吸收光进行波长转换以改变所述光的波长的类型。
荧光体粒子的具体实例包括主要通过镧系元素Eu和Ce激活的氮化物荧光体、氧氮化物荧光体、SiAlON荧光体和β-SiAlON荧光体；主要通过镧系元素如Eu和过渡金属元素如Mn激活的碱土卤素磷灰石荧光体、碱土金属硼酸盐卤素荧光体、碱土金属铝酸盐荧光体、碱土硅酸盐荧光体、碱土硫化物荧光体、碱土硫代镓酸盐荧光体、碱土氮化硅荧光体、和锗酸盐荧光体；主要通过镧系元素如Ce激活的稀土铝酸盐荧光体和稀土硅酸盐荧光体；以及主要通过镧系元素如Eu激活的有机配合物。这些可以单独使用或两种以上结合使用。
另一方面，本发明的配线基板也可以作为荧光体混色型白光LED发光器件的配线基板使用，所述发光器件使用UV至蓝色的LED以及吸收所述UV至蓝色的LED的光的荧光发射体，并且在可见光区发出荧光。
所述荧光发射体吸收来自蓝光LED的蓝光以发出荧光(黄色荧光)，而该荧光与蓝光LED的余辉导致发光器件发出白光。
这就是通常所说的“拟似白色发光型”，它结合使用作为光源的蓝光LED芯片和黄色荧光体。在使用其它公知的发射体系的发光单元中，本发明的配线基板可以用于发光器件的基板，所述其它公知的发射体系，是例如，组合使用作为光源的“UV至近UV光源型”的UV至近UV LED芯片以及一些红/绿/蓝荧光体的类型、和由红、绿和蓝色三个光源发射白光的“RGB光源型”。
将LED期间安装在本发明的配线基板上的方法包括加热，而在涉及热压焊，包括回流焊接和倒装焊接的安装方法中，考虑到均匀和可靠的安装，达到的最高温度优选220℃至350℃、更优选240℃至320℃且最优选260℃至300℃。
出于与上述同样的理由，达到的最高温度优选保持2秒至10分钟、更优选5秒至5分钟且最优选10秒至3分钟。
为了防止在阳极氧化层由于金属基板和阳极氧化膜间热膨胀系数的差异出现裂纹，也可以在达到最高温度之前于所需的恒温进行优选5秒至10分钟、更优选10秒至5分钟且最优选20秒至3分钟的热处理。所需的温度优选80℃至200℃、更优选100℃至180℃且最优选120℃至160℃。
考虑到可靠的安装，在通过引线接合安装时的温度优选80℃至300℃、更优选90℃至250℃且最优选100℃至200℃。加热时间优选2秒至10分钟、更优选5秒至5分钟且最优选10秒至3分钟。
3.第三方面
[绝缘基板]
以下详细描述本发明的绝缘基板。
本发明的绝缘基板是这样一种绝缘基板，其包含铝基板和在所述铝基板表面形成的绝缘层，所述绝缘层包含具有微孔的铝阳极氧化膜，所述绝缘基板具有至多1,500μm的厚度，所述阳极氧化膜具有至少5μm的厚度，绝缘基板的厚度(TA)与阳极氧化膜的厚度(TO)之比率(TA/TO)为2.5至300，并且在所述阳极氧化膜深度方向上的厚度中，没有微孔形成的部分的厚度至少为30nm。
接着，通过参考图16描述本发明的绝缘基板的结构。
图16是说明了本发明的绝缘基板的一个优选的实施方案的示意图。
如在图16中所示，本发明的绝缘基板17包含铝基板18和在铝基板18表面形成的绝缘层19。
如在图16中所示，绝缘层19具有微孔20。
以下详细描述所述铝基板和所述绝缘层(铝阳极氧化膜)的材料和尺寸以及它们的形成方法。
[铝基板]
任何已知铝基板可以作为构成本发明的绝缘基板的铝基板。还可以使用：纯铝基板；主要由铝组成并含有痕量其它元素的合金板；由在其上气相沉积了高纯度铝的低纯度铝(例如，再循环材料)制成的基板；在其表面通过气相沉积或溅射方法覆盖了高纯度铝的基板如硅晶片、石英或玻璃；以及在其上层压了铝的树脂基板。
在本发明的实践中，在使用通过用铝覆盖(层压)硅晶片或树脂基板获得的铝基板的情况下，本发明的绝缘基板的厚度(1,500μm以下)不包括硅晶片或树脂基板的厚度。
在本发明的实践中，当将对铝基板进行如下文所述的阳极氧化处理时，被氧化处理的表面优选具有较高的铝纯度。
更具体地，所述铝纯度优选为至少99.5重量％，更优选为至少99.9重量％且甚至更优选为至少99.99重量％。
特别地，当铝纯度处于上述范围内时，在通过阳极氧化处理形成的绝缘层中存在的微孔的阵列有序性是充足的，并且当所述铝基板用作发光器件的透射光栅或透射光散射层时，改善了所述发光器件在亮度方面的均匀性。
在本发明的实践中，优选对将进行随后描述的阳极氧化处理的铝基板的表面预先进行脱脂处理和镜面精加工处理。最优选对所述铝基板表面进行热处理以改善微孔的阵列有序性。
此外，在本发明的实践中，根据将要安装在本发明的绝缘基板上的LED材料的使用意图，例如，考虑到形成使光散射的表面，也可以使铝基板表面变得粗糙。
[热处理]
优选于温度200至350℃进行为期约30秒至约2分钟的热处理。更具体地，示例性方法包括将铝基板放置在加热的烘箱中。
这样的热处理改善了由下述的阳极氧化处理形成的微孔阵列的有序性。
优选对所述经热处理的铝基板进行快速冷却。冷却方法示例为将铝基板向直接浸入水中的方法等。
[脱脂处理]
用适合的物质如酸、碱或有机溶剂实施脱脂处理，从而溶解和移除黏附在所述铝基板表面上的并且包括灰尘、油脂和树脂的有机物质，并从而在每个后续处理中防止由有机物质引起的缺陷的出现。
脱脂处理的说明性实例包括：于环境温度将有机溶剂如醇(例如，甲醇)、酮(例如，甲乙酮)、石油精或挥发油与铝基板表面接触的方法(有机溶剂法)；于环境温度至80℃，将含有表面活性剂如肥皂或中性洗涤剂的液体与铝基板表面接触，之后用水清洗表面的方法(表面活性剂法)；于环境温度至70℃的温度，将浓度为10至200g/L的硫酸水溶液与铝基板表面接触30至80秒，随后用水清洗表面的方法；于环境温度将浓度为5至20g/L的氢氧化钠水溶液与铝基板表面接触约30秒，同时通过使电流密度为1至10A/dm2的直流电经过作为阴极的铝基板表面进行电解，随后将表面与浓度为100至500g/L的硝酸水溶液接触并因此中和的方法；于环境温度将任何不同的公知的阳极氧化电解溶液与铝基板表面接触，同时通过使电流密度为1至10A/dm2的直流电经过作为阴极的铝基板表面，或通过使交流电经过作为阴极的铝基板表面进行电解的方法；于40至50℃，将浓度为10至200g/L的碱的水溶液与铝基板表面接触15至60秒，随后将浓度为100至500g/L的硝酸水溶液与所述表面接触并因此中和的方法；于环境温度至50℃，使通过将表面活性剂、水等混合入油如柴油或煤油而制得的乳液与铝基板表面接触，随后用水清洗所述表面的方法(乳液脱脂法)；以及于环境温度至50℃的温度，将混合溶液，例如碳酸钠、磷酸盐和表面活性剂的混合溶液，与铝基板表面接触30至180秒，随后用水清洗所述表面的方法(磷酸盐方法)。
其中，从由铝基板上除去油脂而基本上并不导致铝溶解的角度看来，所述有机溶剂法、表面活性剂法、乳液脱脂法和磷酸盐法是优选的。
在脱脂处理中可以使用公知的脱脂剂，例如，可以使用任何不同可商购的脱脂剂通过规定方法进行脱脂处理。
[镜面精加工处理]
进行镜面精加工处理，以消除铝基板的表面形貌特征(例如，在铝基板的轧制中形成的轧制条纹)并且改善将于下文所述的封孔处理的均匀性和再现性。
对于镜面精加工处理没有任何特别的限制，并且可以使用任何本领域公知的适合的方法进行镜面精加工处理。适合的方法的实例包括机械抛光、化学抛光、和电解抛光。
适合的机械抛光方法的说明性实例包括用各种商品化的砂布抛光的方法，以及将多种商品化的磨料(例如，金刚石、氧化铝)的使用与磨光相结合的方法。更具体地，适当示出，使用磨料进行，同时随着时间经过将使用的磨料由具有较粗大颗粒的磨料换成具有较细颗粒的磨料的方法。在这种情况下，最终使用的磨料优选为具有1500粒度的磨料。这样，可以将铝基板表面在可见光区(波长300至800nm)的总反射率调节至80％以上。
化学抛光法的实例包括在铝手册第6版(日本铝协会，2001)，pp.164-165中提到的各种方法。
优选的实例包括磷酸/硝酸法、Alupol I法、Alupol V法、Alcoa R5法、H3PO4-CH3COOH-Cu法和H3PO4-HNO3-CH3COOH法。其中，磷酸/硝酸法、H3PO4-CH3COOH-Cu法和H3PO4-HNO3-CH3COOH法是特别优选的。
这样，可以通过化学抛光将铝基板表面在可见光区(波长：300至800nm)的总反射率调节至80％以上。
电解抛光法的实例包括在铝手册第6版(日本铝协会，2001)pp.164-165中提到的各种方法；在US 2,708,655中所述的方法；和在Jitsumu HyomenGijutsu(表面技术的实践)，Vol.33，No.3，pp.32-38(1986)中所述的方法。
这样，可以通过电解抛光将铝基板表面在可见光区(波长：300至800nm)的总反射率调节至80％以上。
可以适当地结合并使用这些方法。在可以优选使用的一个说明性的方法中，在机械抛光之后使用电解抛光，所述机械抛光通过随着时间经过将磨料由具有较粗大颗粒的磨料换成具有较细颗粒的磨料而进行。
镜面精加工处理使得表面能够获得，例如，0.1μm以下的平均表面粗糙度Ra以及至少80％的总反射率。平均表面粗糙度Ra优选在0.03μm以下、且更优选在0.02μm以下。总反射率优选至少为85％、且更优选至少为90％。
<表面粗糙化处理>
如上所述，取决于安装在本发明的绝缘基板上的LED材料的使用意图，为了形成光散射表面，进行表面粗糙化处理。
表面粗糙化处理可以通过例如在JP 2007-245116A的[0046]至[0076]段所述的方法进行，同时适当地将镜面反射率调节至想要的值。
同样在进行表面粗糙化处理的情况中，在可见光区的总反射率也优选至少为80％，且更优选为至少90％。镜面反射率优选为至多20％，且更优选为至多10％。
[绝缘层]
构成本发明的绝缘基板的绝缘层是在铝基板表面形成的层，并且包括铝阳极氧化膜，所述铝阳极氧化膜的一部分在深度方向上具有微孔。
所述绝缘层可以包括不同于前述铝基板的铝基板的阳极氧化膜，但是考虑到防止绝缘层的缺陷形成，优选包括通过对部分铝基板实施将于下文描述的阳极氧化处理而在铝基板上形成的阳极氧化膜。
在本发明的实践中，通过式(i)定义的微孔的有序化度优选至少为20％，更优选至少为40％且最优选至少为70％。
在上述范围内的微孔的有序化度改善了本发明的绝缘基板的总反射性质以及本发明的白光LED发光器件的亮度。
有序化度(％)＝B/A×100    (i)
在式(i)中，A表示在测量区域中微孔的总数，且B表示在测量区域中特定微孔的数量，对于所述特定微孔，当将圆绘制成以特定微孔的重心为圆心并且具有与另一个微孔的边缘内切的最小半径时，所述圆包含除所述特定微孔以外的六个微孔的重心。
图17说明了计算微孔的有序化度的方法。参照图17，以下将更完整地解释上述式(i)。
在图17(A)中所示的第一微孔101的情况中，当圆103被绘制成以第一微孔101的重心为圆心，并且具有与另一个微孔(记作第二微孔102)的边缘内切的最小半径时，圆3的内部包含除第一微孔101以外六个微孔的中心。因此，B包括第一微孔101。
在图17(B)中所示的另一个第一微孔104的情况中，当圆106被绘制成以第一微孔104的重心为圆心，并且具有与另一个微孔(记作第二微孔105)的边缘内切的最小半径时，圆106的内部包含除第一微孔104以外五个微孔的重心。因此，B不包括第一微孔104。
在图17(B)中所示的又一个第一微孔107的情况中，当圆109被绘制成以第一微孔107的重心为圆心，并且具有与另一个微孔(记作第二微孔108)的边缘内切的最小半径时，圆109的内部包含除第一微孔107以外七个微孔的重心。因此，B不包括第一微孔107。
本发明的绝缘基板是具有上述铝基板和在所述铝基板表面形成的上述绝缘层的绝缘基板。
本发明的绝缘基板具有至多1,500μm的绝缘基板厚度(TA)，至少5μm的阳极氧化膜厚度(TO)，且绝缘基板的厚度(TA)与阳极氧化膜的厚度(TO)之比率(TA/TO)为2.5至300。
此外，在本发明的绝缘基板中，在所述阳极氧化膜深度方向上的厚度中，没有微孔形成的部分的厚度(TF)至少为30nm。
如在图18中所示，所述绝缘基板厚度(TA)是铝基板18和绝缘层19的总厚度，阳极氧化膜厚度(TO)是绝缘层19的厚度，且阳极氧化膜没有微孔形成的部分在深度方向上的厚度(TF)是通过从绝缘层19的厚度中减去微孔20的深度而得到的厚度。
厚度(TA)可以通过接触型膜厚计或通过用FE-SEM观测断裂表面直接测量，厚度(TO)可以通过涡电流式膜厚计或通过用FE-SEM观测断裂表面测量，而厚度(TF)可以通过用FE-SEM观测断裂表面测量。
通过使用本发明的绝缘基板，其中绝缘基板厚度(TA)、阳极氧化膜厚度(TO)和阳极氧化膜没有微孔形成的部分在深度方向上的厚度(TF)落在上述范围内，可以提供具有出色的绝缘性和散热性且改善白光发射功率的发光器件。
如可以从将于下文参考的实施例的结果估算的，在厚度(TO)和厚度(TA)之间达到良好的平衡，以改善散热性，并且厚度(TF)改善了耐电压性以增强绝缘性。
因此，作为设置在LED发光器件观察到光发射的侧面的基板，优选使用本发明的绝缘基板。
当厚度(TA)大于上述值时，基板过大并且因此当考虑到LED安装时的紧凑性、用于配线形成的通孔的可成形性、以及在从基板形成小片时的打槽的可加工性考虑，这种情况是不优选的。
考虑到基板降低的绝缘性，小于上述值的厚度(TO)是不优选的。
考虑到通孔的可成形性和打槽的可加工性，超过上述范围的厚度(TA)与厚度(TO)的比率(TA/TO)是不优选的，因为铝基板相对变厚。另一方面，低于上述范围的厚度(TA)与厚度(TO)的比率(TA/TO)也是不优选的，因为铝的部分相对变薄并且被安装的LED的生热不太可能被释出。
考虑到基板降低的绝缘性，小于上述值的厚度(TF)是不优选的。
在本发明的实践中，对于绝缘基板优选厚度(TA)为1,000μm以下，对于阳极氧化膜优选厚度(TO)为5μm以上，且对于绝缘基板的厚度(TA)与阳极氧化膜的厚度(TO)之比率(TA/TO)，优选4至250，因为增强了绝缘性和散热性，并且可以进一步改善白光发射功率。
出于与上述相同的原因，对于绝缘基板更优选具有800μm以下的厚度(TA)，对于阳极氧化膜更优选具有5μm以上的厚度(TO)，并且对于绝缘基板的厚度(TA)与阳极氧化膜的厚度(TO)之比率(TA/TO)，更优选为5至160。
此外，因为绝缘性非常好，对于阳极氧化膜，最优选具有20至70μm的厚度(TO)，且对于绝缘基板的厚度(TA)与阳极氧化膜的厚度(TO)之比率(TA/TO)，最优选为8至12。
在本发明的实践中，在阳极氧化膜在深度方向上的厚度中，没有微孔形成的部分的厚度(TF)优选为100nm以上，更优选为200nm以上，且最优选为300nm以上，因为绝缘性得以增强且阳极氧化膜的缺陷可以得到修复。
另一方面，厚度(TF)的上限优选在1,500nm以下，更优选1,200nm及甚至更优选1,000nm以下，因为在第一阳极氧化处理步骤中形成的阳极氧化膜形状可以保持，甚至在将于下文描述的本发明的绝缘基板制备方法中示出的第二阳极氧化处理步骤中。
[绝缘基板制备方法]
以下详细描述制备本发明的绝缘基板的方法。
本发明的绝缘基板制备方法是用于制备上述的本发明的绝缘基板的方法，且包括：
第一阳极氧化处理步骤，用于阳极氧化部分铝基板，以在铝基板上形成具有微孔的铝阳极氧化膜；以及
第二阳极氧化处理步骤，所述第二阳极氧化处理步骤紧跟所述第一阳极氧化处理步骤，且其中使用pH为2.5至11.5的电解溶液进行阳极氧化处理，以从底部方向使每个微孔的内部的一部分被氧化铝封孔。
接着，描述第一阳极氧化处理步骤和第二阳极氧化处理步骤。
[第一阳极氧化处理步骤]
所述第一阳极氧化处理步骤是用于阳极氧化铝基板以在铝基板表面形成具有多孔部分或非多孔部分的含微孔绝缘层的处理步骤。
可以通过在制备平版印刷版支持体中使用的常规方法实施在第一阳极氧化处理步骤中的阳极氧化处理。
更具体地，可以单独或两者以上结合地使用硫酸、磷酸、铬酸、草酸、氨基磺酸、苯磺酸、酰氨磺酸、丙二酸、柠檬酸、酒石酸和硼酸，用于在阳极氧化处理中使用的溶液。
对于至少通常存在于铝基板、电极、自来水、地下水等中的成分存在于电解溶液中是可接受的。此外，可以添加第二和第三成分。此处，“第二和第三成分”包括：例如，金属如Na、K、Mg、Li、Ca、Ti、Al、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu和Zn的离子；阳离子如铵离子；以及阴离子如硝酸根离子、碳酸根离子、氯离子、磷酸根离子、氟离子、亚硫酸根离子、钛酸根离子、硅酸根离子和硼酸根离子。这些可以以约0至10,000ppm的浓度存在。
在第一阳极氧化处理步骤中阳极氧化处理条件取决于所使用的电解溶液而变化，且因此不能严格指定。然而，通常适合的是，溶液的电解质浓度为1至80重量％且其温度为5至70℃，且电流密度为0.5至60A/dm2，电压为1至100V，且电解时间为15秒至50分钟。可以调节这些条件以获得想要的阳极氧化膜重量。
此外，可以进行在第一阳极氧化处理步骤中阳极氧化处理的方法包括在JP 54-81133A、JP 57-47894A、JP 57-51289A、JP 57-51290A、JP 57-54300A、JP 57-136596A、JP 58-107498A、JP 60-200256A、JP 62-136596A、JP 63-176494A、JP 4-176897A、JP 4-280997A、JP 6-207299A、JP 5-24377A、JP 5-32083A、JP 5-125597A和JP 5-195291A中所述的那些。
其中，如在JP 54-12853A和JP 48-45303A中所述，使用硫酸溶液作为电解溶液是优选的。所述电解溶液具有优选10至300g/L的硫酸浓度，并具有优选1至25g/L，更优选为2至10g/L的铝离子浓度。这样的电解溶液可以通过向硫酸浓度为50至200g/L的稀硫酸中添加化合物如硫酸铝而制备。
当在第一阳极氧化处理步骤中在含有硫酸的电解溶液中进行阳极氧化处理时，可以在铝基板和对电极之间施加直流电或交流电。
当向铝基板施加直流电时，电流密度优选为1至60A/dm2，更优选为5至40A/dm2。
为了避免在以连续方法进行第一阳极氧化处理步骤中的阳极氧化处理时，由于电流集中所导致的烧焦的沉积物在部分铝基板上形成，优选在阳极氧化处理开始时施加的电流处于5至10A/dm2的低电流密度，并且当阳极氧化处理进行时电流密度上升至30至50A/dm2以上。当以连续方法进行阳极氧化处理时，其优选使用通过电解溶液向铝基板供给电力的系统进行。
当阳极氧化膜是多孔的时，微孔具有约5至约1,000nm的平均孔尺寸以及约1x 106至约1x 1010个粒子/mm2的平均孔密度。
阳极氧化膜的厚度优选为5至75μm。小于5μm的膜厚由于差的绝缘性降低了耐电压性，而超过75μm的膜厚降低了总反射率并且是不利的。阳极氧化膜的厚度更优选为10至50μm。
可以用于阳极氧化处理的电解设备的实例包括在JP 48-26638A，JP47-18739A和JP 58-24517B中所述的那些。特别有利地使用示于图12中的设备。
在第一阳极氧化处理步骤中的阳极氧化处理可以在单一的处理条件下实施，但是当要控制阳极氧化膜的形状如在特殊位置的形状或在深度方向上的形状时，可以组合实施在两种以上不同条件下的阳极氧化处理。
另一方面，可以将常规公知的方法用于被实施以提高微孔的有序化度的阳极氧化处理，但是考虑到微孔的独立性，例如在JP 3,714,507B、JP2002-285382A、JP 2006-124827A、JP 2007-231339A、JP 2007-231405A、JP2007-231340A、JP 2007-231340A和JP 2007-238988A中的自动有序化的阳极氧化处理是优选的。
此外，优选使用例如在JP 2008-063643 A和JP 2008-156705 A中所述的方法，以形成在深度方向上具有基本上直管状形状的微孔。
这些处理优选在上述专利和公布的专利申请中的处理条件中所述的那些。
在铝基板表面形成微孔的其它方法包括，例如，使用压印的方法(转移法和按压图案化法，其中，将在其上具有突部的基板或辊压向铝基板，以在基板上形成凹坑)。一个具体实例是这样一种方法，其中，将在其表面具有大量突部的基板压向铝基板表面，从而形成凹坑。例如，可以使用在JP 10-121292中所述的方法。
另一个实例是这样一种方法，其中，在铝基板表面密集排布聚苯乙烯球，将SiO2气相沉积在所述球上，随后除去聚苯乙烯球，并且使用气相沉积的SiO2作为掩模，蚀刻基板，从而形成凹坑。
另一个示例性的方法是一种粒子束方法。在粒子束方法中，通过用粒子束照射铝基板表面形成凹坑。这一方法具有优点，即可以如想要的一样控制凹坑位置。
粒子束的实例包括带电粒子束、聚焦粒子束(FIB)、和电子束。
例如，可以使用在JP 2001-105400A中所述的方法作为粒子束方法。
还可以使用嵌段共聚物方法。嵌段共聚物方法包括在铝基板表面形成嵌段共聚物层，通过热退火在嵌段共聚物层中形成海岛结构，随后移除岛部分以形成凹坑。
例如，可以使用在JP 2003-129288中所述的方法作为嵌段共聚物方法。
还可以使用抗蚀剂图案化/曝光/蚀刻方法。在抗蚀剂图案化/曝光/蚀刻方法中，使在铝基板表面的抗蚀剂通过光刻或电子束平版印刷术曝光和显影，以形成抗蚀剂图案。随后蚀刻抗蚀剂，形成凹坑，所述凹坑完全地穿过抗蚀剂直至铝基板表面。
在使用这些方法如压印法、粒子束法、嵌段共聚物法和抗蚀剂图案化/曝光/蚀刻法的情况下，在得到用于铝基板表面的电解的起点的这些处理之后，进行阳极氧化处理以使具有微孔的阳极氧化膜能够形成。
在使用这些方法如压印法、粒子束法、嵌段共聚物法和抗蚀剂图案化/曝光/蚀刻法的情况下，优选使用在JP 2008-156716A中所述的方法形成在深度方向上具有基本上直管状形状的微孔。
[第二阳极氧化处理步骤]
第二阳极氧化处理步骤是紧跟所述第一阳极氧化处理步骤，且其中使用pH为2.5至11.5的电解溶液进行阳极氧化处理，以从底部方向使每个微孔的内部的一部分被氧化铝封孔的处理步骤，且在本发明的绝缘基板中的阳极氧化膜在深度方向上的厚度中，可以通过该步骤将没有微孔形成的部分的厚度(TF)调节为30nm以上。
使用中性范围附近的2.5至11.5的pH的电解溶液，进行在第二阳极氧化处理步骤中的阳极氧化处理。
可以用于pH大约在中性范围附近的电解溶液的酸的实例同第一阳极氧化处理步骤中一样，包括：硫酸、磷酸、铬酸、草酸、氨基磺酸、苯磺酸、酰氨磺酸、丙二酸、柠檬酸、酒石酸和硼酸。优选使用硼酸，因为考虑到阳极氧化处理中的电流密度，即使电解溶液的浓度增加时，它仍显示中性特征，并且通过第一阳极氧化处理步骤形成的阳极氧化膜不容易溶解。
基本上与第一阳极氧化处理相同，在第二阳极氧化处理步骤中的阳极氧化处理条件取决于使用的电解溶液而变化，因此不可能被严格指定。然而，因为使用具有中性范围附近的pH的电解溶液，溶液中电解质浓度为1至40重量％、且其温度为1至70℃、且电流密度为0.05至30A/dm2、电压为1至1,000V、且电解时间为5秒至60分钟是适合的。可以调节这些条件，以获得想要的阳极氧化膜重量。
<封孔处理>
在本发明的绝缘基板制备方法中，当阳极氧化膜是多孔的时，如果必要，可以实施封孔处理以封闭在阳极氧化膜中存在的微孔。
封孔处理可以依照公知的方法实施，如沸水处理、热水处理、蒸汽处理、硅酸钠处理、亚硝酸盐处理或乙酸铵处理。例如，可以使用在JP 56-12518B、JP 4-4194A、JP 5-202496A和JP 5-179482A中所述的设备和方法实施封孔处理。
在本发明的实践中，当通过这些封孔处理将微孔封孔时，在所述阳极氧化膜在其深度方向上的厚度中，要根据在进行封孔处理前的微孔底部(微孔深度)计算没有微孔形成的部分的厚度(TF)。
[水洗]
在本发明的绝缘基板制备方法中，在每个处理步骤结束之后，优选进行水洗。用于清洗的水的实例包括纯水、井水和自来水。可以使用夹持装置以防止处理溶液被带入后续步骤中。
[其它处理]
此外，根据本发明的绝缘基板制备方法，可以任选地对绝缘基板表面使用各种各样的处理。
例如，可以形成用白色绝缘材料(例如，氧化钛)制成的无机绝缘层、或有机绝缘层如白色抗蚀剂，以增强反射基板的白度。
由氧化铝制成的绝缘层可以用不同于白色的所需颜色着色，例如，通过电沉积。具体地说，可以通过在电解溶液中电解对绝缘层着色，所述电解溶液中含有可染色的离子物质，其在例如日本金属精加工协会编辑的YokyokuSanka(阳极氧化)，金属精加工讲座B(1969pp.195-207)和Shin ArumaitoRiron(新耐酸铝理论)，Kallos Publishing Co.，Ltd.(1997pp.95-96)中所述，示例为Co离子、Fe离子、Au离子、Pb离子、Ag离子、Se离子、Sn离子、Ni离子、Cu离子、Bi离子、Mo离子、Sb离子、Cd离子和As离子。
为了进一步增强绝缘性和反射率，例如，通过如在JP 6-35174A的[0016]至[0035]段所述的溶胶凝胶法形成的层也可以被设置在由氧化铝制成的绝缘层上。
所述溶胶-凝胶法通常是包括将金属醇盐构成的溶胶进行水解和缩聚反应以形成无流动性的凝胶，并加热所述凝胶以形成氧化物(陶瓷层)的方法。
对金属醇盐没有特别地限制，但是为以均匀的厚度形成层，它的实例包括：Al(O-R)n、Ba(O-R)n、B(O-R)n、Bi(O-R)n、Ca(O-R)n、Fe(O-R)n、Ga(O-R)n、Ge(O-R)n、Hf(O-R)n、In(O-R)n、K(O-R)n、La(O-R)n、Li(O-R)n、Mg(O-R)n、Mo(O-R)n、Na(O-R)n、Nb(O-R)n、Pb(O-R)n、Po(O-R)n、Po(O-R)n、P(O-R)n、Sb(O-R)n、Si(O-R)n、Sn(O-R)n、Sr(O-R)n、Ta(O-R)n、Ti(O-R)n、V(O-R)n、W(O-R)n、Y(O-R)n、Zn(O-R)n和Zr(O-R)n(其中R表示一种任选取代的直链的、支链的、或环状的烃基团，并且n表示自然数)。
其中，Si(O-R)n是更优选的，它在与绝缘层的反应性方面和溶胶凝胶层的可形成性方面是出色的。
在本发明的实践中，对于形成溶胶凝胶层的方法没有特别地限制，并且包括涂布溶胶溶液和加热溶胶溶液的方法是优选的，以控制所述层的厚度。
溶胶溶液的浓度优选为0.1至90重量％，更优选为1至80重量％且最优选为5至70重量％。
当在本发明中形成溶胶凝胶层时，考虑到高反射率和绝缘性，它的厚度优选为0.01μm至20μm，更优选为0.05μm至15μm，且最优选为0.1μm至10μm。考虑到高反射率，高于这一范围的厚度是不优选的，并且考虑到绝缘性，低于这一范围的厚度是不优选的。可以反复涂布溶胶溶液以增加所述层的厚度。
[白光LED发光器件]
接着，详细描述根据本发明的白光LED发光器件。
本发明白光LED发光器件是这样一种发光器件，其包括上述本发明的绝缘基板、设置在绝缘基板上的绝缘层一侧的蓝光LED发光器件、及至少设置在蓝光LED发光器件上的荧光发射体。
上述本发明的绝缘基板对使用的发光器件形状和LED的类型没有任何限制，并且可以用于各种用途中。
接着，参照附图描述本发明的白光LED发光器件的构造。
图19是说明本发明的白光LED发光器件的一个优选的实例的结构的示意性截面图。
在图19中所示的白光LED发光器件200构造为荧光体混色型的白光LED发光器件，并且包括具有绝缘层232和铝基板233的绝缘基板230、设置在绝缘基板230上的绝缘层232侧的蓝光LED发光器件222、以及至少在蓝光LED发光器件222上方设置的荧光发射体226。
如图19中所述，在本发明的白光LED发光器件中，优选用树脂224封闭蓝光LED发光器件222。
在本发明的实践中，可以将日本专利申请号2009-134007和2009-139261中所述的荧光发射单元用作荧光发射体226。
图20是说明了一种如在背景技术部分描述过的、公知的白光LED发光器件的一个优选的实例的示意性截面图，但是本发明的白光LED发光器件可以通过用本发明的绝缘基板替换在图20中示出的基板340而获得。
实施例
以下以实施例的方式更具体地描述本发明的第一方面。然而，本发明不应理解为限于下列实施例。
(实施例I-1)
对一块铝纯度为99.95重量％的铝基板(由日本轻金属社制造，厚度：0.4mm)钻孔以形成通孔(孔直径：0.2mm)并且打槽从而能够获得各个小片。
接着，将这一铝基板用硫酸电解溶液(硫酸浓度：50g/l)在包括以下条件的条件下阳极氧化1小时：电压为25V、溶液温度为15℃且溶液流速为3.0m/分钟，从而得到绝缘基板，所述绝缘基板的全部表面被厚度为10μm的阳极氧化膜覆盖。
(实施例I-2)
重复实施例I-1，不同之处在于使用铝纯度为99.99重量％的铝基板(由日本轻金属社制造，厚度：0.4mm)，从而得到绝缘基板。
(实施例I-3)
首先对与在实施例I-1中使用的铝基板相同的铝基板进行退火。更具体地，将铝基板在退火炉中于400℃退火12小时，并且随后为了淬火直接置于水中。随后，以与实施例I-1相同的方式对经过退火的铝基板进行处理而形成通孔，并打槽以获得各个小片。
以与实施例I-1相同的方式进行后续阳极氧化处理以获得绝缘基板。
(实施例I-4)
重复实施例I-2，不同之处在于在阳极氧化处理中使用的硫酸电解溶液的硫酸浓度为30g/l，从而获得绝缘基板。
(实施例I-5)
在实施例I-4中得到的绝缘基板中，在阳极氧化膜中的孔的内部仅被含有0.5M硼酸和0.05M硼酸钠的电解溶液填充至1μm的深度，并且于400V的电压和40℃的溶液温度对所得绝缘基板进一步阳极氧化10分钟，从而进行实施例I-5。
(比较例I-1)
首先对与在实施例I-1使用的铝基板相同的铝基板以与实施例I-1相同的方式进行阳极氧化。随后，以与实施例I-1相同的方式对铝基板进行处理，以形成通孔(孔直径：0.2mm)并打槽从而可以获得各个小片。
图3示出了说明在比较例I-1中的绝缘基板的示意图，(A)是俯视图且(B)是截面图。在比较例I-1中的绝缘基板1中，在阳极氧化处理之后形成通孔4，并因此通孔4的内壁表面未被阳极氧化膜3覆盖，如图3中所示。
(比较例I-2)
重复实施例I-1，不同之处在于用于阳极氧化处理的硫酸电解溶液的硫酸浓度为300g/l，从而获得绝缘基板。
<金属间化合物粒子的数量的测量>
通过上述使用FE-SEM的观测方法，测量在上述每个实施例中的绝缘基板的阳极氧化膜中存在的圆等效直径为1μm以上的金属间化合物粒子的数量(个粒子/mm3)。结果示于表1中。
<耐电压性>
根据JIS C2110-1994测量上述每个实施例中的绝缘基板的耐电压性。结果示于表1中。
<导通性试验>
图4示出了说明在导通性试验中的状态的示意图，(A)是俯视图且(B)是截面图。在每个实施例的绝缘基板1中，如图1中所示，一对通孔4中填充了铜配线5，并且使绝缘电阻测试仪(兆欧表)的电极6与铜配线5接触，以确定施加电压时的导通性。结果示于表1中。
对于即使在施加了最大电压250V时亦未发生击穿并且未被观测到向其它电极泄漏的样品评价为“良好”，而未保持绝缘而是通过施加电压建立导通性的样品评价为“差”。
Figure BDA00001804582400511
在表1中示出的结果显示了在实施例I-1至I-5中的绝缘基板具有高耐电压性和良好的绝缘性，在所述绝缘基板中，阳极氧化膜含有至多2,000个粒子/mm3的量的圆等效直径为1μm以上的金属间化合物粒子。
还显示了：其中使用了铝纯度为99.99重量％的铝基板的实施例I-2，与其中铝纯度为99.95重量％的实施例I-1相比，显示出了降低的金属间化合物粒子的数量，增加的耐电压性和更好的绝缘性。
还显示了：在其中对铝基板进行了退火的实施例I-3，与其中没有进行退火处理的实施例I-1相比，显示出了降低的金属间化合物粒子的数量，增加的耐电压性和更好的绝缘性。
还显示了：在其中在阳极氧化处理中使用了硫酸浓度为30g/l的电解溶液的实施例I-4，与其中硫酸浓度为50g/l的实施例I-2相比，显示出了降低的金属间化合物粒子的数量，增加的耐电压性和更好的绝缘性。
还显示了：在其中进行了附加的硼酸处理的实施例I-5，与没有进行这一处理的实施例I-4相比，显示出了降低的金属间化合物粒子的数量，增加的耐电压性和更好的绝缘性。
相反，显示了：在其中通孔的内壁表面没有被阳极氧化膜覆盖的比较例I-1中，在导通性测试中发生击穿，并且不能保证绝缘性。
还显示了：在其中阳极氧化膜含有3,200个粒子/mm3的量的圆等效直径为1μm以上的金属间化合物粒子的比较例I-2，显示出低的耐电压性和绝缘性。
接着，通过如上所述的第一至第四配线形成方法，根据在图10中所示的配线图案，在实施例I-2的绝缘基板中形成配线。图10示出了说明配线图案的示意图，(A)是俯视图且(B)是仰视图。图10示出了配线图案13。
(实施例I-6)
将金纳米粒子(NanoTek，可得自C.I.Kasei Co.，Ltd.；50g)加入50g二甲苯中，并且在室温搅拌所述混合物8小时，以得到稳定的金墨水分散体。对墨水分散体的固体粉末分析显示，金含量为26.8重量％。进一步以相对于墨水分散体的2重量％的量向所述墨水分散体中加入硅烷偶联剂KBM603(Shin-Etsu Polymer Co.，Ltd.)，并且混合，以制备金属墨水。制备好的金属墨水的粘度为10cps。
随后，使用Dimatix Material Printer DMP-2831(FUJIFILM Dimatix，Inc.)，通过喷墨印刷，根据图10所示的配线图案，将制备好的金属墨水涂布到实施例I-2中的绝缘基板上，并且在设置于160℃的热风干燥器中热风干燥约5分钟，以获得金金属配线。
(实施例I-7)
使用丝网印刷机(由Seritech Co.，Ltd.生产的TU2030-B)，以通过丝网印刷，根据图10所示的配线图案，将与实施例I-6相同的方式制备的金属墨水涂布到实施例I-2中的绝缘基板上，并且在设置于160℃的热风干燥器中将金属墨水热风干燥约5分钟，以获得金金属配线。
(实施例I-8)
于25℃将实施例I-2中的绝缘基板浸入抗蚀剂溶液(DSR330P，可得自Tamura Kaken Corporation)5分钟，于80℃干燥10分钟，使用曝光设备(FL-3S，由Ushio Lighting，Inc.制造)曝光并且在其中形成具有如图10所示的配线图案的掩模，并用1重量％碳酸钠水溶液于30℃显影90秒，以移除不必要的抗蚀剂部分。
接着，将已经从其中除去了不必要的抗蚀剂部分的绝缘基板浸入铜无电镀溶液(MK-460厚层型，不含氰化物的铜无电镀溶液，可得自MuromachiChemical Inc.)20分钟，以获得配线。
(实施例I-9)
将一克氯化钯(8071100001，可得自Merck)滴加至通过用80g甲醇稀释的10g作为硅烷偶联剂的γ-巯基丙基三甲氧基硅烷(KBM803，可得自Shin-Etsu Chemical Co.，Ltd.)的稀释液中，以使钯连接在硅烷偶联剂的巯基上。将所述混合物静置8小时以获得墨水(处理溶液)。
使用Dimatix Material Printer DMP-2831(FUJIFILM Dimatix，Inc.)，以通过喷墨印刷，根据图10所示的配线图案，将所得的墨水涂布到实施例I-2中的绝缘基板上，并且在设置于160℃的热风干燥器中将墨水热风干燥约5分钟，以获得金属还原层。
接着，将在其上具有形成的金属还原层的绝缘基板浸入铜无电镀溶液(MK-460厚层型，不含氰化物的铜无电镀溶液，可得自Muromachi ChemicalInc.)20分钟，以获得配线。
使在实施例I-6至I-9中获得的配线与绝缘电阻测试仪的电极接触，且作为结果，通过施加3V的电压确定导通性，并且发现它们具有充足的实用性。
接着，以下以实施例的方式更具体地描述本发明的第二方面。然而，本发明不应理解为限于下列实施例。
(实施例II-1至II-8)
<铝基板的制备>
使用一种铝合金以制备熔体，所述铝合金含有0.06重量％的Si、0.30重量％的Fe、0.005重量％的Cu、0.001重量％的Mn、0.001重量％的Mg、0.001重量％的Zn和0.03重量％的Ti，余量是Al和不可避免的杂质。对熔体进行熔融处理和过滤，并且通过DC铸造制备厚度为500mm且宽度为1,200mm的铸锭。
接着，用剥皮机对铸锭表面剥皮直至平均深度10mm，并且随后将铸锭在550℃均热温度保持约5小时。当温度降至400℃时，用热轧机将铸锭轧制成2.7mm厚的轧板。
使用连续式退火机于500℃对轧板进行进一步的热处理，并且通过冷轧精轧至0.24mm的厚度，从而得到JIS 1050的铝基板。
将所述铝基板切割至1,030mm的宽度，并且实施下文所述的阳极氧化处理和封孔处理。
<阳极氧化处理>
使用具有示于图12中的结构的阳极氧化装置对如上述所得的铝基板进行阳极氧化。电解溶液条件、电压和形成的阳极氧化膜的厚度示于表2中。通过利用SEM以放大率1,000X至5,000X从截面方向对其进行观察，确定阳极氧化膜的厚度。
<封孔处理>
对这样得到的包含阳极氧化膜的绝缘层进行下述封孔处理(1)至(6)中之一，以制备绝缘基板。对于每个实施例所进行的封孔处理的类型示于表2中。
封孔处理(1)：
于80℃将具有包含阳极氧化膜的绝缘层的铝基板浸入纯水中1分钟，并随后在保持基板被浸泡的情况下在110℃的氛围中加热10分钟。
封孔处理(2)：
于60℃将具有包含阳极氧化膜的绝缘层的铝基板浸入纯水中1分钟，并随后在保持基板被浸泡的情况下在130℃的氛围中加热25分钟。
封孔处理(3)：
于80℃将具有包含阳极氧化膜的绝缘层的铝基板浸入5％的氯化锂水溶液中1分钟，并随后在保持基板被浸泡的情况下在110℃的气氛中加热10分钟。
封孔处理(4)：
于100℃和500kPa将具有包含阳极氧化膜的绝缘层的铝基板在水蒸气中暴露1分钟。
封孔处理(5)：
于25℃将具有包含阳极氧化膜的绝缘层的铝基板浸入处理溶液A(见下文)中15分钟，并随后在500℃的氛围中加热1分钟。
封孔处理(6)：
于25℃将具有包含阳极氧化膜的绝缘层的铝基板浸入处理溶液B(见下文)中1小时。
(处理溶液B)
*直径20nm的胶体二氧化硅(MA-ST-M，来自Nissan Chemical Industries，Ltd.)            0.01g
*乙醇        100.00g
封孔处理(7)：
于25℃将具有包含阳极氧化膜的绝缘层的铝基板浸入处理溶液B(见[0103])中3小时。
(比较例II-1至II-3)
按照与实施例I-1、3和6相同的方法制备比较例II-1、2和3中的绝缘基板，不同之处在于不进行封孔处理。
<孔隙率>
通过下式计算在每个制得的绝缘基板中的阳极氧化膜的孔隙率。结果示于表2中。
孔隙率(％)＝[1-(氧化膜密度/3.98)]x 100
(其中氧化膜密度(g/m3)表示单位面积上的氧化物膜重量除以氧化物膜厚度，且3.98是氧化铝的密度(g/m3)。)
<热导率>
对于每个制得的绝缘基板，使用TC-9000激光闪光型热扩散率测量系统(ULVAC-RIKO，Inc.)，以根据t1/2方法计算热扩散率，且由下式计算热导率。结果示于表2中。
热导率λ＝αx Cp x ρ
(其中α表示热扩散率，Cp表示比热且ρ表示密度。)
<击穿电压>
根据JIS C2110标准测量所得的绝缘基板的击穿电压。结果示于表2中。
<总反射率的测量>
使用X-Rite，Inc.制造的SP64测量所得的绝缘基板于400至700nm的总反射率。以10nm为间隔进行测量并且计算测量的平均值。结果示于表2中。
Figure BDA00001804582400571
表2中所示结果首先显示，根据比较例II-1与II-2之间的比较，散热性(热导率)随着出于改善绝缘性(耐电压性)考虑增加的阳极氧化膜厚度而下降。
相反，显示出，即使阳极氧化膜的厚度增加，在实施例II-1至II-8中通过为使阳极氧化膜的孔隙率在30％以下而进行的封孔所得到的绝缘基板也可以抑制散热性的劣化，并还具有出色的绝缘性和散热性。
特别是，根据实施例II-1与比较例II-1之间的比较，其中形成阳极氧化膜条件和膜厚值相同，显示出，通过利用封孔处理将阳极氧化膜的孔隙率调节至30％以下，可以改善热导率，同时保持耐电压性和平均反射率。实施例II-3与比较例II-2之间的比较和实施例II-6与比较例II-3之间的比较也显示了同样的结果。
(实施例II-9)
对在实施例II-3中制备的绝缘基板(孔隙率：5％)进一步在控制压力的同时进行氧等离子体处理，从而制备实施例II-9的绝缘基板。
使用等离子体反应器PR300(Yamato Scientific Co.，Ltd.)，在氧以80mL/分钟流动及将压力调节至-0.1MPa的同时，于100W进行氧等离子体处理达4分钟。
氧等离子体处理导致通过封孔处理在微孔内封孔的氢氧化铝的羟基与离子化的氧反应并且作为水被移除。存在于表面层的氢氧化铝转化为氧化铝，通过体积收缩被除去。
作为用SEM对经历了氧等离子体处理的绝缘基板表面进行观察的结果，发现从表面起至多约2μm的性质发生了改变，并且随后作为用AFM的轻敲模式测量5μm正方形部分的结果，显示出存在平均间距为110nm、平均深度为1.8μm的凹坑。作为使用AFM测量在实施例II-3中制备的绝缘基板表面的结果，没有发现深度大于0.3μm的凹坑，也无法清楚地探测间距。
按照上述方法计算得到的经过氧等离子体处理的阳极氧化膜的孔隙率为9％。
(实施例II-10)
对在实施例II-3中制备的绝缘基板(孔隙率：5％)进一步用1％NaOH溶液(溶液温度：10℃)进行碱处理，以制备实施例II-10的绝缘基板。
将所述经过碱处理的绝缘基板用水清洗10分钟并干燥，且随后用SEM观察绝缘基板的表面。作为结果，发现从表面起至多约10μm的性质发生了改变。随后用AFM以轻敲模式测量5μm正方形部分，作为结果，显示出存在平均间距为100nm、平均深度为2μm的凹坑。
按照上述方法计算得到的经过碱处理的阳极氧化膜的孔隙率为12％。
对在实施例II-1至II-10和比较例II-1至II-3中如此制备的绝缘基板进行金属配线层的形成，所述金属配线层将用于根据下文所述方法的安装中，从而制备配线基板。
(1)Ni晶种层的形成
首先，向1,000mL烧杯中加入25g六水合硫酸镍和500mL纯水以溶解六水合硫酸镍。随后，加入20g次磷酸钠、10g乙酸钠和10g柠檬酸钠并搅拌。
随后，加入纯水直至总量为1,000mL。其后，用硫酸调节混合物至pH5并且保持槽温为83℃，同时搅拌。
将每个绝缘基板在这一溶液中浸泡1分钟以形成Ni晶种层。
(2)Cu镀层的形成
将每块在其上已经形成了Ni晶种层的基板浸入由硫酸、硫酸铜、盐酸、聚乙二醇和月桂基硫酸钠制备的电解溶液中，并且在恒电压下电解，以形成厚度为20μm的Cu镀层。
(3)金属配线的形成
将每块已经在其上形成了Cu镀层的基板浸入25℃抗蚀剂溶液(DSR330P，可得自Tamura Kaken Corporation)中持续浸渍时间5分钟。随后，于80℃的干燥温度干燥所述抗蚀剂溶液达10分钟干燥时间。
随后，利用在其中形成了配线图案的掩模，使用FL-3S(Ushio Lighting，Inc.)以实施曝光，并使用1％碳酸钠水溶液作为显影液，于30℃实施显影90秒，以除去抗蚀剂层的不必要部分。
随后，将每块具有通过上述方法形成的图案的基板浸入过氧化氢溶液，并蚀刻以除去Cu层的非配线部分和Ni晶种层。
随后，除去剩余抗蚀剂层，以制备其上形成了Cu配线的配线基板。
(4)Au镀层的形成
为了赋予引线接合适合性，对在其中形成了Cu配线的配线基板进行Ni触击电镀，并且进一步在通过Ni触击电镀形成的层上方形成Au镀层。
使用镍和盐酸的混合溶液实施Ni触击电镀5分钟。
随后，于50℃将配线基板浸入通过以10∶0.4的比例添加PRECIOUSFABACG2000碱溶液和还原溶液(Tanaka Holdings Co.，Ltd.)而制成的溶液中10分钟，以形成Au镀层。
当使用未进行封孔处理的比较例II-1至II-3制得的绝缘基板时，不能在通过在(3)和(4)所示的步骤中的蚀刻除去Cu层的非配线部分时将在下方的Ni晶种层剥落，由此非配线部分的反射率降低，并且在形成Au镀层时，全部表面被镀金。
另一方面，当使用在实施例II-1至II-8中制备的绝缘基板时，如上所述的问题不会发生，但是所得的结果显示，对形成的Cu配线的细线部分的粘合力有些差。
当使用在实施例II-9和II-10中制备的绝缘基板时，显示如上所述的问题不会发生而且对形成的Cu配线的细线部分的粘合力也是出色的。据推测，这是因为通过在实施例II-9和II-10中制备的绝缘基板的表面的纹饰形状，产生了与Cu配线的锚固效应。
(实施例II-11)
使用喷墨打印机(DMT-2831，由Dimatix制造)以排出未经纯化的防水材料(全氟己基乙基甲氧基硅烷[CF3(CF2)5CH2CH2Si(OCH3)3](Gelest，Inc.))并将其按照配线形状粘附至在比较例II-2中制得的绝缘基板(未封孔；孔隙率：36％)上。随后，将所述材料干燥。
随后，进行与上述封孔处理(1)同样的封孔处理。通过上述方法计算得到的阳极氧化膜的孔隙率为18％。
随后，进行碱溶解处理(1％NaOH溶液；溶液温度：30℃；处理时间：20秒)，以移除基本上单层的氟(氟烷基硅烷)膜。
在这种状态下，将Ni气相沉积以在全部表面形成Ni晶种层。
随后，重复(2)至(4)所示步骤以制备Cu配线基板。
在封孔的非配线部分，Ni晶种层很容易在(3)所示步骤溶解，并且在上文(4)所示的步骤中进行的Ni触击电镀和镀Au中，在非配线部分上也未观察到金属沉积。
接着，通过实施例的方式更具体地描述本发明的第三方面。然而，本发明不应理解为受限于下述实施例。
(实施例III-1至III-12，比较例III-1和III-2)
(1)铝基板的预处理步骤(电解抛光)
将高纯度铝基板(Sumitomo Light Metal Industries，Ltd.；纯度，99.99重量％；厚度，0.4mm)切成尺寸为10cm的正方形，使得其能够被阳极氧化，随后使用具有下文所示组成的电解抛光溶液于25V的电压，在65℃的溶液温度，3.0m/分钟的溶液流动速度进行电解抛光。
使用碳电极作为阴极，以及将GP0110-30R装置(Takasago，Ltd.)用作电源。此外，使用由As One Corporation制造的涡流流量监视器FLM22-10PCW测量电解溶液的流动速度。
在实施例III-8不进行电解抛光。
Figure BDA00001804582400611
(2)第一阳极氧化处理步骤(阳极氧化处理)
首先，对经过电解抛光处理的铝基板(实施例III-8中，高纯度铝基板)用0.30mol/L硫酸电解溶液在下述条件下进行1小时阳极氧化处理：电压，25V；溶液温度，15℃；溶液流动速度，3.0m/分钟。此外，于40℃将经过阳极氧化处理的样品浸泡在0.5mol/L磷酸的混合水溶液中20分钟，以实施膜的移除。
随后，以表3中所示的次数重复与上述相同的步骤，并且在含有0.30mol/L硫酸的电解溶液中实施再-阳极氧化处理，处理条件包括25V电压，15℃的溶液温度和3.0m/分钟的溶液流动速度，通过设置阳极氧化时间，使得阳极氧化膜的厚度(TO)可以是如表3中所示的厚度。于40℃在0.5mol/L磷酸的混合水溶液中进一步浸泡所述阳极氧化膜15分钟，以实施膜的移除，从而在铝基板表面形成具有蜂巢状阵列排列的直管状微孔的阳极氧化膜。
用作确定再-阳极氧化处理的处理时间的参考的阳极氧化膜的厚度(TO)，是指在再-阳极氧化处理之后经过膜移除处理的阳极氧化膜的最终厚度。
(3)第二阳极氧化处理步骤(阳极氧化处理)
在第一阳极氧化步骤之后，在硼酸浓度为0.5mol/L且四硼酸钠的浓度为0.05mol/L的混合水溶液中，于20℃的温度进行5分钟的处理，并且设置电压，使得没有微孔形成的阳极氧化膜部分的厚度(TF)可以为示于表3中的厚度，以形成阳极氧化膜，这样制备绝缘基板。
在比较例III-2中未进行第二阳极氧化处理步骤(阳极氧化处理)。
使用不锈钢电极作为阴极并使用GP0110-30R装置(Takasago，Ltd.)作为电源，实施所述第一阳极氧化处理步骤和第二阳极氧化处理步骤。使用NeoCoolBD36(Yamato Scientific Co.，Ltd.)作为冷却系统，及Pairstirrer PS-100(TokyoRikakikai Co.，Ltd.)作为搅拌器和加温装置。使用涡流流量监视器FLM22-10PCW(As One Corporation)测量电解溶液的流动速度。
(TA、TO和TF的计算)
对于每个所得的绝缘基板，通过用FE-SEM从横截面方向观察，确定绝缘基板厚度(TA)、阳极氧化膜厚度(TO)以及没有微孔形成的阳极氧化膜部分的厚度(TF)，在10个点测量它们并计算测量值的平均值。结果在表3中示出。
(微孔有序化度的计算)
用FE-SEM获取每个所得的绝缘基板的表面图像(放大率：20,000X)，并且在1μm×1μm的视场中测量如式(i)定义的300个微孔的有序化度。结果在表3中示出。
(击穿电压)
根据JIS C2110标准测量所得的绝缘基板的击穿电压。结果在表3中示出。
可以评价，当击穿电压为150以上时，绝缘性是出色的而且可以改善白光发射功率。
(热导率)
对于每个所得的绝缘基板，使用TC-9000激光闪光型热扩散率测量系统(ULVAC-RIKO，Inc.)，根据t1/2方法测量热扩散率。结果示于表3中。
可以评价，当热导率约200以上时，绝缘性是出色的而且可以改善白光发射功率。
(总反射率的测量)
使用X-Rite，Inc.制造的SP64测量所得的绝缘基板于400至700nm的总反射率。结果示于表3中。
Figure BDA00001804582400631
Figure BDA00001804582400641
在表3中示出的结果显示出，在比较例III-1中制备的绝缘基板具有低热导率和差的散热性，在所述绝缘基板中绝缘基板厚度(TA)与阳极氧化膜厚度(TO)的比率(TA/TO)小。
还显示了：比较例III-2中制备的绝缘基板具有低击穿穿电压和差的绝缘性，在所述绝缘基板中，在阳极氧化膜深度方向上的厚度中，没有微孔形成的部分的厚度(TF)小。
另一方面，显示了：在实施例III-1至III-12中制备的绝缘基板具有出色的绝缘性和散热性，并可以提供改善了白光发射功率的发光器件，在所述绝缘基板中厚度(TA)、厚度(TO)、比率(TA/TO)和厚度(TF)都处于预定范围内。特别是显示出：在实施例II-1至II-11中制备的显示出微孔的高有序化度的绝缘基板，也具有高的总反射率，并能够改善所得发光器件的亮度。还显示了：在实施例III-3至6和9至11中制备的绝缘基板具有极高的绝缘性，在所述绝缘基板中，阳极氧化膜厚度(TO)为20至70μm，绝缘基板厚度(TA)与阳极氧化膜厚度(TO)的比率(TA/TO)为8至12。
符号说明
1绝缘基板
2铝基板
3阳极氧化膜
4通孔
5铜配线
6电极
7导体金属
7a保留部分
7b不必要部分
8金属箔层
9小片
10接合部分
11切除部分
12切割边缘
13配线图案
14阳极氧化膜
15，15a，15b微孔
16不同的物质
17绝缘基板
18铝基板
19绝缘层
20微孔
22蓝光LED
24树脂
26荧光发射单元
32绝缘层
33金属基板
34金属配线层
35通孔
37蓝光LED
39散热器
100发光器件
101，102，104，105，107，108微孔
103，106，109圆
110蓝光LED
120，130金属配线层(电极)
140配线基板
150荧光体粒子
160透明树脂
200发光器件
222蓝光LED发光器件
224树脂
226荧光发射体
230绝缘基板
232绝缘层
233铝基板
300发光器件
310蓝光LED
320，330电极
340基板
350荧光体粒子
360透明树脂
410阳极氧化装置
412供电槽
414电解槽
416铝基板
418，426电解溶液
420供电电极
422，428辊
424夹持辊
430电解电极
432槽壁
434直流电源

Claims (35)

1.一种绝缘基板，所述绝缘基板包括：
铝基板；和
覆盖所述铝基板的全部表面的阳极氧化膜，
其中，所述阳极氧化膜含有至多2,000个粒子/mm3的量的金属间化合物粒子，所述金属间化合物粒子具有1μm以上的圆等效直径。
2.根据权利要求1所述的绝缘基板，所述绝缘基板还包括通孔，所述通孔形成为在所述铝基板的厚度方向上贯穿所述铝基板，
其中，所述通孔的内壁表面被所述阳极氧化膜覆盖。
3.根据权利要求1或2所述的绝缘基板，其中，所述铝基板具有99.95重量％以上的铝纯度。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的绝缘基板，其中，所述绝缘基板用于LED。
5.一种用于得到根据权利要求1所述的绝缘基板的绝缘基板制备方法，所述方法包括：
阳极氧化处理步骤，所述阳极氧化处理步骤用于将所述铝基板阳极氧化，
其中，覆盖所述铝基板的全部表面的所述阳极氧化膜含有至多2,000个粒子/mm3的量的金属间化合物粒子，所述金属间化合物粒子具有1μm以上的圆等效直径。
6.根据权利要求5所述的绝缘基板制备方法，所述方法用于得到根据权利要求2所述的绝缘基板，所述方法在所述阳极氧化处理步骤之前包括：通孔形成步骤，所述通孔形成步骤用于在所述铝基板的厚度方向上形成所述通孔。
7.根据权利要求5或6所述的绝缘基板制备方法，所述方法在所述阳极氧化处理步骤之前包括：退火处理步骤，所述退火处理步骤用于在350至600℃对所述铝基板进行退火。
8.根据权利要求5至7中任一项所述的绝缘基板制备方法，其中，在所述阳极氧化处理步骤中使用硫酸电解溶液。
9.根据权利要求8所述的绝缘基板制备方法，其中，所述硫酸电解溶液具有10至60g/l的硫酸浓度。
10.根据权利要求5至9中任一项所述的绝缘基板制备方法，其中，所述铝基板具有99.95重量％以上的铝纯度。
11.一种配线形成方法，所述方法用于在根据权利要求1至3中任一项所述的绝缘基板中包括的所述阳极氧化膜上的所需部分中形成配线，所述方法包括：供给步骤，所述供给步骤用于仅向所述所需部分选择性地供给用作所述配线的导体金属。
12.根据权利要求11所述的配线形成方法，其中，所述供给步骤是通过喷墨印刷向所述所需部分供给含有所述导体金属的金属墨水的步骤。
13.根据权利要求11所述的配线形成方法，其中，所述供给步骤是通过丝网印刷向所述所需部分供给含有所述导体金属的金属墨水的步骤。
14.根据权利要求11所述的配线形成方法，其中，所述供给步骤是其中使用含有所述导体金属的离子的处理溶液在所述绝缘基板上进行无电镀和/或电镀的步骤，所述绝缘基板在除所述阳极氧化膜上的所述所需部分以外的部分中形成有抗蚀剂。
15.根据权利要求11所述的配线形成方法，其中，所述供给步骤是包括以下步骤的步骤：在所述所需部分中形成具有金属还原能力的金属还原层，并且将形成的金属还原层与含有所述导体金属的离子的处理溶液接触。
16.根据权利要求11至15中任一项所述的配线形成方法，其中，所述所需部分位于所述绝缘基板的正面和背面侧。
17.一种绝缘基板，所述绝缘基板包括：
金属基板和在所述金属基板的表面形成的绝缘层，
其中所述金属基板是阀金属基板，
其中所述绝缘层包括阀金属的阳极氧化膜，并且
其中所述阳极氧化膜具有30％以下的孔隙率。
18.根据权利要求17所述的绝缘基板，其中，所述阳极氧化膜以至多0.5μm的平均间距具有平均直径为至少1μm的表面形貌特征。
19.根据权利要求17或18所述的绝缘基板，
其中所述阳极氧化膜具有微孔，并且
其中所述微孔的每一个的内部的至少一部分被与构成所述阳极氧化膜的物质不同的物质封孔。
20.根据权利要求17至19中任一项所述的绝缘基板，
其中所述阳极氧化膜具有微孔，并且
其中所述微孔包含：各自具有被与构成所述阳极氧化膜的物质不同的物质至少部分地封孔的内部的微孔，以及各自具有未被所述不同的物质封孔的内部的微孔。
21.根据权利要求19或20所述的绝缘基板，其中，所述不同的物质具有绝缘性。
22.根据权利要求17至21中任一项所述的绝缘基板，其中，所述阀金属是至少一种选自以下各项组成的组中的金属：铝、钽、铌、钛、铪、锆、锌、钨、铋和锑。
23.根据权利要求22所述的绝缘基板，其中，所述阀金属是铝。
24.根据权利要求17至23中任一项所述的绝缘基板，其中，所述绝缘基板是设置在LED发光器件的发光观测面侧的基板。
25.一种用于制备根据权利要求17至24中任一项所述的绝缘基板的绝缘基板制备方法，所述方法包括：
阳极氧化处理步骤，所述阳极氧化处理步骤用于阳极氧化所述阀金属基板的表面，以在所述阀金属基板上形成所述阀金属的阳极氧化膜；以及
封孔处理步骤，所述封孔处理步骤用于在所述阳极氧化处理步骤之后进行封孔，以将所述阳极氧化膜的孔隙率调节至30％以下。
26.根据权利要求25所述的绝缘基板制备方法，
其中，通过所述阳极氧化处理形成具有微孔的所述阳极氧化膜，并且
其中，通过所述封孔处理，使所述微孔的每一个的内部的至少一部分被与构成所述阳极氧化膜的物质不同的物质封孔。
27.根据权利要求25或26所述的绝缘基板制备方法，所述方法包括：通孔形成步骤，所述通孔形成步骤用于在所述阀金属基板的厚度方向上形成通孔。
28.根据权利要求27所述的绝缘基板制备方法，所述方法在所述通孔形成步骤之后包括：小片形成步骤，所述小片形成步骤用于使所述阀金属基板能够被分成各个具有所需形状的小片。
29.一种配线基板，所述配线基板包括：根据权利要求17至24中任一项所述的绝缘基板和金属配线层，所述金属配线层设置在所述绝缘基板上的绝缘层侧。
30.一种白光LED发光器件，所述白光LED发光器件包括：根据权利要求29所述的配线基板；设置在所述配线基板上的金属配线层侧的蓝光LED发光器件；以及至少在所述蓝光LED发光器件上设置的荧光发射体。
31.一种绝缘基板，所述绝缘基板包括：
铝基板和在所述铝基板的表面形成的绝缘层，
其中，所述绝缘层包括具有微孔的铝阳极氧化膜，
其中，所述绝缘基板具有至多1,500μm的厚度，
其中，所述阳极氧化膜具有至少5μm的厚度，
其中，所述绝缘基板的厚度(TA)与所述阳极氧化膜的厚度(TO)的比率(TA/TO)为2.5至300，并且
其中，在所述阳极氧化膜的深度方向上的厚度中，其中没有微孔形成的部分的厚度至少为30nm。
32.根据权利要求31所述的绝缘基板，其中如由下式(i)定义的所述微孔的有序化度为20％以上：
有序化度(％)＝B/A×100(i)
(在式(i)中，A表示在测量区域中微孔的总数，且B表示在所述测量区域中特定微孔的数量，对于所述特定微孔，当圆被绘制成以特定微孔的重心为圆心并且具有与另一个微孔的边缘内切的最小半径时，所述圆包含除所述特定微孔以外的六个微孔的重心)。
33.根据权利要求31或32所述的绝缘基板，其中，所述绝缘基板是设置在LED发光器件的发光观测面侧的基板。
34.一种用于制备根据权利要求31至33中任一项所述的绝缘基板的绝缘基板制备方法，所述方法包括：
第一阳极氧化处理步骤，所述第一阳极氧化处理步骤用于阳极氧化所述铝基板的一部分，以在所述铝基板上形成具有微孔的铝阳极氧化膜；以及
第二阳极氧化处理步骤，所述第二阳极氧化处理步骤在所述第一阳极氧化处理步骤后面，且在所述第二阳极氧化处理步骤中，使用pH为2.5至11.5的电解溶液进行阳极氧化处理，以从底部方向使所述微孔的每一个的内部的一部分被氧化铝封孔。
35.一种白光LED发光器件，所述白光LED发光器件包括：根据权利要求31至33中任一项所述的绝缘基板；设置在所述绝缘基板上的绝缘层侧的蓝光LED发光器件；以及至少在所述蓝光LED发光器件上设置的荧光发射体。
CN2010800592112A 2009-12-25 2010-12-14 绝缘基板、绝缘基板制备方法、配线形成方法、配线基板、和发光器件 Pending CN102666940A (zh)

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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103742874A (zh) * 2013-12-31 2014-04-23 河南云华灿光电科技有限公司 铝基板机构以及具有该铝基板机构的led球泡灯
CN104157580A (zh) * 2014-08-12 2014-11-19 上海航天电子通讯设备研究所 基于铝阳极氧化技术的埋置芯片互连封装方法及结构
CN104451818A (zh) * 2014-11-17 2015-03-25 中国人民解放军空军工程大学 一种绝缘金属板及其制作方法
CN104619891A (zh) * 2012-09-26 2015-05-13 株式会社神户制钢所 铝阳极氧化皮膜
CN105206535A (zh) * 2014-06-24 2015-12-30 美格纳半导体有限公司 散热半导体芯片封装件及其制造方法
CN105518883A (zh) * 2013-09-05 2016-04-20 夏普株式会社 发光装置用基板、发光装置、以及发光装置用基板的制造方法
CN108140618A (zh) * 2015-10-05 2018-06-08 浜松光子学株式会社 配线构造体及配线构造体的制造方法
CN109112521A (zh) * 2018-10-29 2019-01-01 重庆立道新材料科技有限公司 一种无铬钝化剂及其制备方法
CN109210520A (zh) * 2017-07-03 2019-01-15 法雷奥北美有限公司 用于在散热器上放置光源的装置和方法
CN114599167A (zh) * 2021-08-23 2022-06-07 常州海弘电子有限公司 一种厚铜pcb板焊接面防耐擦花处理工艺

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN203260631U (zh) * 2010-07-01 2013-10-30 西铁城控股株式会社 Led光源装置
US9333454B2 (en) 2011-01-21 2016-05-10 International Business Machines Corporation Silicone-based chemical filter and silicone-based chemical bath for removing sulfur contaminants
US8900491B2 (en) 2011-05-06 2014-12-02 International Business Machines Corporation Flame retardant filler
US9186641B2 (en) 2011-08-05 2015-11-17 International Business Machines Corporation Microcapsules adapted to rupture in a magnetic field to enable easy removal of one substrate from another for enhanced reworkability
US8741804B2 (en) 2011-10-28 2014-06-03 International Business Machines Corporation Microcapsules adapted to rupture in a magnetic field
EP2857558B1 (en) * 2012-05-30 2019-04-03 Mitsubishi Chemical Corporation Method for manufacturing molded article having fine uneven structure on surface
US9716055B2 (en) * 2012-06-13 2017-07-25 International Business Machines Corporation Thermal interface material (TIM) with thermally conductive integrated release layer
CN103668381B (zh) * 2012-09-04 2016-03-09 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种绝缘基片上原位多孔氧化铝膜的制备方法
US9484621B2 (en) * 2012-11-02 2016-11-01 Nokia Technologies Oy Portable electronic device body having laser perforation apertures and associated fabrication method
US20140209961A1 (en) * 2013-01-30 2014-07-31 Luxo-Led Co., Limited Alternating current light emitting diode flip-chip
JP6199416B2 (ja) * 2014-01-31 2017-09-20 富士フイルム株式会社 アルミニウム板の製造方法、アルミニウム板、蓄電デバイス用集電体、蓄電デバイス、防音・吸音材、電磁波シールドおよび建築用材料
US10351958B2 (en) * 2014-06-20 2019-07-16 Council On Postsecondary Education Systems and methods for electroless plating of thin gold films directly onto silicon nitride and into pores in silicon nitride
JP6328785B2 (ja) * 2014-10-14 2018-05-23 富士フイルム株式会社 アルミニウム板およびアルミニウム板の製造方法
US10269428B2 (en) 2014-12-03 2019-04-23 Sk Innovation Co., Ltd. Nano structures, device using the same, and method for fabricating the nano structures
US20160159988A1 (en) * 2014-12-03 2016-06-09 Sk Innovation Co., Ltd. Polymer solution for fabricating nano particles
US10479894B2 (en) * 2014-12-03 2019-11-19 Sk Innovation Co., Ltd. Solution for fabricating nano particles
DE102015108420A1 (de) * 2015-05-28 2016-12-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Trägerelements, Trägerelement und elektronisches Bauelement mit einem Trägerelement
CN105463549B (zh) * 2015-12-03 2018-06-26 中国航空工业集团公司北京航空材料研究院 一种提高铝及铝合金防护性能的阳极化方法
JP6759784B2 (ja) * 2016-07-12 2020-09-23 三菱電機株式会社 半導体モジュール
CN109661610B (zh) * 2016-09-02 2021-10-26 富士胶片株式会社 含荧光体薄膜及背光单元
AR106253A1 (es) * 2016-10-04 2017-12-27 Di Ciommo José Antonio Cable aéreo para transporte de energía eléctrica en baja y media tensión y de señales digitales, de conductores concéntricos de aleación de aluminio conteniendo dentro un cable de fibra óptica y proceso de tratamiento de alambre trefilado
US10675797B2 (en) * 2017-02-07 2020-06-09 Dong Guan Qinde Metal Products Co., Ltd. Stainless steel and synthetic resin composite molded body, and preparation method thereof
JP6515940B2 (ja) * 2017-03-17 2019-05-22 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
US11312107B2 (en) * 2018-09-27 2022-04-26 Apple Inc. Plugging anodic oxides for increased corrosion resistance
CN112712764B (zh) * 2019-10-24 2022-09-02 深圳市百柔新材料技术有限公司 显示面板的制造方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59107592A (ja) * 1982-12-13 1984-06-21 ティーディーケイ株式会社 プリント配線用基板
JPH05304346A (ja) * 1991-03-28 1993-11-16 Sky Alum Co Ltd アルミニウムベース回路基板
JPH11115333A (ja) * 1997-10-17 1999-04-27 Kobe Steel Ltd 印刷版用アルミニウム合金板及びその製造方法
JP2000150718A (ja) * 1998-11-09 2000-05-30 Sumitomo Metal Ind Ltd スルーホール付き金属ベース配線基板および製造方法
JP2000349320A (ja) * 1999-06-08 2000-12-15 Kobe Steel Ltd 耐電圧特性に優れたＡｌ合金製絶縁材料およびその製造方法
JP2003272960A (ja) * 2002-03-19 2003-09-26 Mitsubishi Alum Co Ltd アルミニウム電解コンデンサ電極用箔および該電極用箔の製造方法
CN1639387A (zh) * 2000-07-31 2005-07-13 三菱树脂株式会社 热塑性树脂涂层铝板及其成形体
CN101586749A (zh) * 2009-06-11 2009-11-25 浙江西子光电科技有限公司 Led照明装置及其散热结构

Family Cites Families (157)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2708655A (en) 1955-05-17 Electrolytic polishing of aluminum
NO120955B (zh) 1968-09-27 1970-12-28 Ver Leichtmetallwerke Gmbh
JPS526697B2 (zh) 1971-08-11 1977-02-24
JPS5120922B2 (zh) 1971-10-07 1976-06-29
GB1421710A (en) 1974-08-27 1976-01-21 British Aluminium Co Ltd Lithographic printing plate alloy
JPS5134007A (ja) 1974-09-12 1976-03-23 Fuji Photo Film Co Ltd Insatsubanyoshijitainosetozohoho
JPS5161304A (ja) 1974-11-25 1976-05-27 Mitsubishi Chem Ind Aruminiumuheihanyoinsatsuban
JPS5311603A (en) 1976-07-20 1978-02-02 Nippon Keikinzoku Sougou Kenki Method of producing aluminium alloy surface roughened plate for offset printing plate
JPS5412853A (en) 1977-06-30 1979-01-30 Ricoh Co Ltd Laser beam modulating system
JPS5481133A (en) 1977-12-12 1979-06-28 Fuji Photo Film Co Ltd Anodic oxidation device
JPS603587Y2 (ja) 1979-04-24 1985-01-31 三洋電機株式会社 発光ダイオ−ド基板
JPS5824517B2 (ja) 1980-04-02 1983-05-21 勝川工業株式会社 直流電解による連続コイルアルマイトの片面専用処理装置
JPS5747894A (en) 1980-09-05 1982-03-18 Fuji Photo Film Co Ltd Electrolytic treatment of strip-like metallic sheet
JPS5751289A (en) 1980-09-10 1982-03-26 Fuji Photo Film Co Ltd Electrolytic treating device for belt-like metallic plate
JPS5751290A (en) 1980-09-10 1982-03-26 Fuji Photo Film Co Ltd Electrolytic treatment of beltlike metallic plate
JPS5754300A (ja) 1980-09-19 1982-03-31 Fuji Photo Film Co Ltd Obijokinzokubannodenkaisochi
JPS57136596A (en) 1981-02-19 1982-08-23 Toyama Chem Co Ltd Carcinostatic substance tf-240, its preparation, and carcinostatic agent containing the same
JPS5811759A (ja) 1981-07-14 1983-01-22 Furukawa Alum Co Ltd 印刷用アルミニウム素板
JPS5842745A (ja) 1981-09-03 1983-03-12 Furukawa Alum Co Ltd 印刷用アルミニウム合金板とその製造方法
JPS5842493A (ja) 1981-09-07 1983-03-11 Furukawa Alum Co Ltd オフセツト印刷用アルミニウム合金板の製造方法
JPS58107498A (ja) 1981-12-18 1983-06-27 Fuji Photo Film Co Ltd 帯状金属板の電解処理方法および装置
JPS58221254A (ja) 1982-06-18 1983-12-22 Furukawa Alum Co Ltd オフセツト印刷用アルミニウム素板
JPS5967349A (ja) 1982-10-12 1984-04-17 Kobe Steel Ltd 感光性平版印刷版用アルミニウム板条の製造方法
JPS59133356A (ja) 1983-01-20 1984-07-31 Kobe Steel Ltd 印刷用アルミニウム合金の製造方法
JPS59133355A (ja) 1983-01-20 1984-07-31 Kobe Steel Ltd 印刷用アルミニウム合金の製造方法
JPS59153861A (ja) 1983-02-22 1984-09-01 Fuji Photo Film Co Ltd 平版印刷版用支持体
JPS60200256A (ja) 1984-03-23 1985-10-09 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性平版印刷版の処理方法
JPS605861A (ja) 1983-06-22 1985-01-12 Furukawa Alum Co Ltd 平版印刷版用支持体の製造方法
JPS6063347A (ja) 1983-09-16 1985-04-11 Kobe Steel Ltd 印刷版用高強度アルミニウム合金冷間圧延板
JPS6063346A (ja) 1983-09-16 1985-04-11 Kobe Steel Ltd 印刷版用高強度アルミニウム合金冷間圧延板
JPS6063342A (ja) 1983-09-16 1985-04-11 Kobe Steel Ltd 印刷版用高強度アルミニウム合金冷間圧延板
JPS6063341A (ja) 1983-09-16 1985-04-11 Kobe Steel Ltd 印刷版用高強度アルミニウム合金板
JPS6063340A (ja) 1983-09-16 1985-04-11 Kobe Steel Ltd 印刷版用高強度アルミニウム合金冷間圧延板およびその製造方法
JPS60203497A (ja) 1984-03-28 1985-10-15 Fuji Photo Film Co Ltd 平版印刷版用アルミニウム基材及び平版印刷版用アルミニウム支持体の製造方法
JPS60203496A (ja) 1984-03-28 1985-10-15 Fuji Photo Film Co Ltd 平版印刷版用アルミニウム基材及び平版印刷版用アルミニウム支持体の製造法
JPS60215727A (ja) 1984-04-06 1985-10-29 Sukai Alum Kk 印刷用アルミニウム合金素板
JPS60215725A (ja) 1984-04-06 1985-10-29 Sukai Alum Kk 印刷用アルミニウム合金素板
JPS60215728A (ja) 1984-04-06 1985-10-29 Sukai Alum Kk 印刷用アルミニウム合金素板
JPS60215726A (ja) 1984-04-06 1985-10-29 Sukai Alum Kk 印刷用アルミニウム合金素板
JPS60216728A (ja) 1984-04-09 1985-10-30 長野日本無線株式会社 無停電電源装置
JPS60230951A (ja) 1984-04-27 1985-11-16 Fuji Photo Film Co Ltd 平版印刷版用アルミニウム合金支持体
DE3425860A1 (de) 1984-07-13 1986-01-16 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Traegermaterial fuer druckplatten aus einer aluminiumlegierung und druckplatte aus diesem material
JPS6151395A (ja) 1984-08-21 1986-03-13 Fuji Photo Film Co Ltd 平版印刷版用支持体の製造方法
JPS61146598A (ja) 1984-12-20 1986-07-04 Furukawa Alum Co Ltd 平版印刷版用支持体及びその製造方法
DE3507402A1 (de) 1985-03-02 1986-09-04 Vereinigte Aluminium-Werke AG, 1000 Berlin und 5300 Bonn Aluminiumoffsetband und verfahren zu seiner herstellung
JPS61272367A (ja) 1985-05-28 1986-12-02 Mitsubishi Electric Corp 薄膜形成装置
JPS61274993A (ja) 1985-05-31 1986-12-05 Nippon Light Metal Co Ltd オフセツト印刷用アルミニウム合金支持体
JPS6274693A (ja) 1985-09-30 1987-04-06 Nippon Light Metal Co Ltd オフセツト印刷用アルミニウム合金支持体
JPS6223794A (ja) 1985-07-25 1987-01-31 Nippon Light Metal Co Ltd オフセツト印刷用アルミニウム合金支持体
JPH07100844B2 (ja) 1985-10-04 1995-11-01 日本軽金属株式会社 オフセツト印刷用アルミニウム合金支持体の製造方法
JPS6286143A (ja) 1985-10-11 1987-04-20 Sky Alum Co Ltd 印刷版支持体用アルミニウム合金素板
DE3667797D1 (de) 1985-10-30 1990-02-01 Alusuisse Traeger fuer eine lithographische druckplatte.
JPS62136596A (ja) 1985-12-09 1987-06-19 Fuji Photo Film Co Ltd 金属ウエブへの連続電解処理装置
JPS62140894A (ja) 1985-12-16 1987-06-24 Sky Alum Co Ltd 平版印刷版用アルミニウム合金支持体
JPS62146694A (ja) 1985-12-23 1987-06-30 Nippon Light Metal Co Ltd 平版印刷用アルミニウム合金支持体の製造法
JPS62149856A (ja) 1985-12-23 1987-07-03 Sky Alum Co Ltd 平版印刷版用アルミニウム合金支持体の製造方法
JPS62148295A (ja) 1985-12-23 1987-07-02 Furukawa Alum Co Ltd 平版印刷版用アルミニウム合金支持体およびその製造方法
JPS62181190A (ja) 1986-02-06 1987-08-08 Furukawa Alum Co Ltd 平版印刷版用アルミニウム合金支持体の製造方法
JPS62181191A (ja) 1986-02-06 1987-08-08 Furukawa Alum Co Ltd 平版印刷原版の製造方法
JPS62230946A (ja) 1986-04-01 1987-10-09 Furukawa Alum Co Ltd 平版印刷版用アルミニウム合金支持体
JPS6330294A (ja) 1986-07-24 1988-02-08 Fuji Photo Film Co Ltd 平版印刷版用アルミニウム合金支持体およびその製造方法
JPS6347347A (ja) 1986-08-18 1988-02-29 Sky Alum Co Ltd 平版印刷版用アルミニウム合金支持体
JPS6347348A (ja) 1986-08-18 1988-02-29 Sky Alum Co Ltd 平版印刷版用アルミニウム合金支持体
JPS6347349A (ja) 1986-08-18 1988-02-29 Sky Alum Co Ltd 平版印刷版用アルミニウム合金支持体
JPS6387288A (ja) 1986-09-30 1988-04-18 Fuji Photo Film Co Ltd 平版印刷版用支持体の製造方法
JPS63135294A (ja) 1986-11-27 1988-06-07 Furukawa Alum Co Ltd 平版印刷版用アルミニウム合金支持体およびその製造方法
JPS63143235A (ja) 1986-12-06 1988-06-15 Mitsubishi Alum Co Ltd 印刷版用アルミニウム合金
JPH08943B2 (ja) 1986-12-06 1996-01-10 三菱アルミニウム株式会社 印刷版用アルミニウム合金
US4818300A (en) 1986-12-08 1989-04-04 Aluminum Company Of America Method for making lithoplate
JPS63176494A (ja) 1987-01-16 1988-07-20 Fuji Photo Film Co Ltd 電解処理用通電ロ−ル
DE3714059C3 (de) 1987-04-28 1995-12-07 Vaw Ver Aluminium Werke Ag Material in Band- oder Plattenform und Verfahren zu seiner Herstellung sowie dessen Verwendung als Träger für Flachdruckformen
JPH0693539B2 (ja) 1987-06-24 1994-11-16 株式会社日立製作所 露光装置
JPH0637116B2 (ja) 1987-09-02 1994-05-18 スカイアルミニウム株式会社 平版印刷版用アルミニウム合金支持体
JP2511290B2 (ja) 1988-05-23 1996-06-26 キヤノン株式会社 電子写真感光体
JP2520694B2 (ja) 1988-06-06 1996-07-31 富士写真フイルム株式会社 平版印刷版用支持体
JPH02215599A (ja) 1989-02-17 1990-08-28 Mitsubishi Alum Co Ltd 平版印刷版用支持体
JP2654827B2 (ja) 1989-05-09 1997-09-17 住友軽金属工業株式会社 平版印刷版用アルミニウム合金材料およびそれを用いた支持体の製造方法
JP2767711B2 (ja) 1989-08-22 1998-06-18 富士写真フイルム株式会社 平版印刷版用支持体の製造方法
JP2645668B2 (ja) 1989-11-22 1997-08-25 日本軽金属株式会社 金属溶湯の濾過方法
JPH03222796A (ja) 1990-01-30 1991-10-01 Nippon Light Metal Co Ltd 平版印刷版用アルミニウム支持体
JP2688786B2 (ja) 1990-02-09 1997-12-10 スカイアルミニウム株式会社 印刷版用アルミニウム合金支持体
US5028276A (en) 1990-02-16 1991-07-02 Aluminum Company Of America Method for making lithoplate having improved grainability
JP2614133B2 (ja) 1990-04-20 1997-05-28 富士写真フイルム株式会社 印刷版用支持体の表面処理装置
JPH04165041A (ja) 1990-10-26 1992-06-10 Sky Alum Co Ltd 印刷版支持体用アルミニウム合金素板およびその製造方法
JPH04176897A (ja) 1990-11-08 1992-06-24 Riken Corp 鋼製組合せオイルコントロールリングのレールリングのめっき処理方法
JP2992085B2 (ja) 1990-12-27 1999-12-20 三井金属鉱業株式会社 溶融アルミニウム濾過用セラミックスフィルター
JPH04254545A (ja) 1991-02-01 1992-09-09 Furukawa Alum Co Ltd 平版印刷版用アルミニウム合金支持体
JPH04276031A (ja) 1991-03-05 1992-10-01 Nippon Light Metal Co Ltd アルミニウム中のリンの除去方法
JP2646042B2 (ja) 1991-03-07 1997-08-25 富士写真フイルム株式会社 アルミニウム製品の連続電解処理装置
JPH05125597A (ja) 1991-11-06 1993-05-21 Fuji Photo Film Co Ltd 平版印刷版用支持体の陽極酸化装置及び陽極酸化方法
JPH06207299A (ja) 1991-07-26 1994-07-26 Fuji Photo Film Co Ltd 平版印刷版用支持体の陽極酸化装置
JPH0524377A (ja) 1991-07-26 1993-02-02 Fuji Photo Film Co Ltd 平版印刷版用支持体の陽極酸化方法
JPH0532083A (ja) 1991-07-29 1993-02-09 Fuji Photo Film Co Ltd 平版印刷版用支持体の陽極酸化方法
JPH0551659A (ja) 1991-08-21 1993-03-02 Showa Alum Corp アルミニウム溶湯中からの脱水素方法
JP2767727B2 (ja) 1991-11-05 1998-06-18 富士写真フイルム株式会社 平版印刷版用支持体の封孔処理方法及び装置
JPH05140659A (ja) 1991-11-18 1993-06-08 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 傾斜出湯式濾過漕
JP3054719B2 (ja) 1991-12-02 2000-06-19 富士写真フイルム株式会社 平版印刷版用支持体の製造方法
JP2571364Y2 (ja) 1991-12-16 1998-05-18 日本重化学工業株式会社 金属溶湯脱ガス装置のガス噴射器
JPH05195291A (ja) 1992-01-23 1993-08-03 Fuji Photo Film Co Ltd 陽極酸化処理方法及び装置
JP2791729B2 (ja) 1992-01-23 1998-08-27 富士写真フイルム株式会社 平版印刷版用支持体の製造方法
JP2791730B2 (ja) 1992-01-27 1998-08-27 富士写真フイルム株式会社 平版印刷版用支持体の封孔処理方法及び装置
JPH05301478A (ja) 1992-04-27 1993-11-16 Fuji Photo Film Co Ltd 平版印刷版支持体及びその製造方法
JPH05311261A (ja) 1992-05-13 1993-11-22 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 金属溶湯用濾過材
JP2653610B2 (ja) 1992-07-09 1997-09-17 株式会社東芝 コンバインドサイクル発電プラント
JP2907643B2 (ja) 1992-07-16 1999-06-21 富士写真フイルム株式会社 感光性平版印刷版およびその処理方法
JPH0645515A (ja) 1992-07-27 1994-02-18 Sanyo Electric Co Ltd 混成集積回路装置
JP3219898B2 (ja) 1992-11-20 2001-10-15 富士写真フイルム株式会社 平版印刷版用支持体の製造方法
JP2982093B2 (ja) 1992-07-31 1999-11-22 富士写真フイルム株式会社 平版印刷版用支持体の製造方法
JPH0657432A (ja) 1992-08-10 1994-03-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd 酸化タンタル薄膜の形成方法
JPH06218495A (ja) 1992-09-03 1994-08-09 Fuji Photo Film Co Ltd 平版印刷版用支持体の製造方法
JP3184636B2 (ja) 1992-10-08 2001-07-09 富士写真フイルム株式会社 平版印刷版用支持体の製造方法
JPH06136466A (ja) 1992-10-26 1994-05-17 Daido Steel Co Ltd アルミニウム溶湯又はアルミニウム合金溶湯の処理方法
JP3250687B2 (ja) 1992-12-02 2002-01-28 富士写真フイルム株式会社 平版印刷版用支持体の製造方法
JPH06210406A (ja) 1993-01-14 1994-08-02 Fuji Photo Film Co Ltd 平版印刷版用支持体の製造方法
JPH06262203A (ja) 1993-03-09 1994-09-20 Fuji Photo Film Co Ltd 平版印刷版用支持体の製造方法
JP3296626B2 (ja) 1993-06-15 2002-07-02 三洋電機株式会社 混成集積回路装置
JP3177071B2 (ja) 1993-07-26 2001-06-18 富士写真フイルム株式会社 平版印刷版支持体
JPH0740017A (ja) 1993-07-29 1995-02-10 Fuji Photo Film Co Ltd 平版印刷版用支持体の製造方法
JPH0754111A (ja) 1993-08-12 1995-02-28 Fuji Photo Film Co Ltd 平版印刷版用支持体の製造方法
JP3466237B2 (ja) 1993-09-09 2003-11-10 理想科学工業株式会社 溶剤穿孔性孔版印刷用原紙の製造法
JP3177079B2 (ja) 1993-10-29 2001-06-18 富士写真フイルム株式会社 平版印刷版用支持体の製造方法
JPH07138687A (ja) 1993-11-15 1995-05-30 Fuji Photo Film Co Ltd 平版印刷版用アルミニウム合金基材
JPH07132689A (ja) 1993-11-09 1995-05-23 Fuji Photo Film Co Ltd 平版印刷版用アルミニウム合金基材
JPH07305133A (ja) 1994-03-17 1995-11-21 Fuji Photo Film Co Ltd 平版印刷版用支持体、及びその製造方法
JPH0892679A (ja) 1994-09-21 1996-04-09 Fuji Photo Film Co Ltd 平版印刷版用アルミニウム合金支持体
JPH08108659A (ja) 1994-10-07 1996-04-30 Fuji Photo Film Co Ltd 平版印刷版用支持体の製造方法
JPH0849034A (ja) 1994-08-05 1996-02-20 Fuji Photo Film Co Ltd 平版印刷版用アルミニウム合金支持体
JPH0873974A (ja) 1994-09-06 1996-03-19 Fuji Photo Film Co Ltd 平版印刷版用アルミニウム合金支持体
JP3414521B2 (ja) 1994-09-29 2003-06-09 富士写真フイルム株式会社 平版印刷版用支持体の製造方法
US5534356A (en) 1995-04-26 1996-07-09 Olin Corporation Anodized aluminum substrate having increased breakdown voltage
JP3714507B2 (ja) 1996-08-26 2005-11-09 日本電信電話株式会社 多孔性陽極酸化アルミナ膜の作製方法
JP2998696B2 (ja) 1997-05-17 2000-01-11 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
JP4271747B2 (ja) 1997-07-07 2009-06-03 株式会社朝日ラバー 発光ダイオード用透光性被覆材及び蛍光カラー光源
JP3031363B1 (ja) * 1998-10-19 2000-04-10 住友金属工業株式会社 金属ベース基板および半導体装置とその製造方法
JP4532634B2 (ja) 1998-12-25 2010-08-25 キヤノン株式会社 細孔の製造方法
JP4359001B2 (ja) * 2001-03-02 2009-11-04 本田技研工業株式会社 陽極酸化膜改質方法、陽極酸化膜構造及びアルミニウム合金製船外機
JP4647812B2 (ja) 2001-03-23 2011-03-09 財団法人神奈川科学技術アカデミー 陽極酸化ポーラスアルミナの製造方法
JP2003129288A (ja) 2001-10-16 2003-05-08 Canon Inc 細孔構造体及びその製造方法
JP2006124827A (ja) 2004-10-01 2006-05-18 Canon Inc ナノ構造体の製造方法
JP2006244828A (ja) 2005-03-02 2006-09-14 Sharp Corp 有機薄膜パターニング用基板及び有機ｅｌ素子の製造方法
KR100662844B1 (ko) 2005-06-10 2007-01-02 삼성전자주식회사 Ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법과 이를 이용한 ｌｅｄ어레이 모듈
JP2007224364A (ja) * 2006-02-23 2007-09-06 Fujifilm Corp 微細構造体およびその製造方法
JP4824430B2 (ja) 2006-02-28 2011-11-30 富士フイルム株式会社 ナノ構造体の製造方法
JP4800799B2 (ja) 2006-02-28 2011-10-26 富士フイルム株式会社 微細構造体の製造方法および微細構造体
JP2007231405A (ja) 2006-03-03 2007-09-13 Osaka Industrial Promotion Organization 規則化ナノホール構造を有するアルミニウムの製造方法
JP2007238988A (ja) 2006-03-07 2007-09-20 Fujifilm Corp 微細構造体の製造方法および微細構造体
JP2007250315A (ja) 2006-03-15 2007-09-27 Fujifilm Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2007245116A (ja) 2006-03-20 2007-09-27 Fujifilm Corp 触媒担持体
JP2008063643A (ja) 2006-09-11 2008-03-21 Fujifilm Corp 微細構造体の製造方法および微細構造体
JP2008093652A (ja) 2006-09-15 2008-04-24 Fujifilm Corp 微細構造体および製造方法
JP4884202B2 (ja) 2006-12-25 2012-02-29 富士フイルム株式会社 微細構造体の製造方法および微細構造体
JP4870544B2 (ja) 2006-12-25 2012-02-08 富士フイルム株式会社 微細構造体の製造方法および微細構造体
JP2009068076A (ja) 2007-09-13 2009-04-02 Fujifilm Corp 微細構造体および製造方法
JP4512631B2 (ja) 2007-11-29 2010-07-28 シャープ株式会社 トナーおよびそのトナーの製造方法、二成分現像剤、現像装置ならびに画像形成装置
JP2009139261A (ja) 2007-12-07 2009-06-25 Denso Corp 走行案内装置
JP4989614B2 (ja) 2007-12-28 2012-08-01 サムソン エルイーディー カンパニーリミテッド． 高出力ｌｅｄパッケージの製造方法
KR20100125805A (ko) * 2009-05-21 2010-12-01 삼성전기주식회사 방열기판 및 그 제조방법

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59107592A (ja) * 1982-12-13 1984-06-21 ティーディーケイ株式会社 プリント配線用基板
JPH05304346A (ja) * 1991-03-28 1993-11-16 Sky Alum Co Ltd アルミニウムベース回路基板
JPH11115333A (ja) * 1997-10-17 1999-04-27 Kobe Steel Ltd 印刷版用アルミニウム合金板及びその製造方法
JP2000150718A (ja) * 1998-11-09 2000-05-30 Sumitomo Metal Ind Ltd スルーホール付き金属ベース配線基板および製造方法
JP2000349320A (ja) * 1999-06-08 2000-12-15 Kobe Steel Ltd 耐電圧特性に優れたＡｌ合金製絶縁材料およびその製造方法
CN1639387A (zh) * 2000-07-31 2005-07-13 三菱树脂株式会社 热塑性树脂涂层铝板及其成形体
JP2003272960A (ja) * 2002-03-19 2003-09-26 Mitsubishi Alum Co Ltd アルミニウム電解コンデンサ電極用箔および該電極用箔の製造方法
CN101586749A (zh) * 2009-06-11 2009-11-25 浙江西子光电科技有限公司 Led照明装置及其散热结构

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104619891B (zh) * 2012-09-26 2017-08-15 株式会社神户制钢所 铝阳极氧化皮膜
CN104619891A (zh) * 2012-09-26 2015-05-13 株式会社神户制钢所 铝阳极氧化皮膜
CN105518883A (zh) * 2013-09-05 2016-04-20 夏普株式会社 发光装置用基板、发光装置、以及发光装置用基板的制造方法
CN103742874A (zh) * 2013-12-31 2014-04-23 河南云华灿光电科技有限公司 铝基板机构以及具有该铝基板机构的led球泡灯
US11289345B2 (en) 2014-06-24 2022-03-29 Magnachip Semiconductor, Ltd. Heat releasing semiconductor chip package and method for manufacturing the same
CN105206535A (zh) * 2014-06-24 2015-12-30 美格纳半导体有限公司 散热半导体芯片封装件及其制造方法
CN104157580B (zh) * 2014-08-12 2017-06-06 上海航天电子通讯设备研究所 基于铝阳极氧化技术的埋置芯片互连封装方法及结构
CN104157580A (zh) * 2014-08-12 2014-11-19 上海航天电子通讯设备研究所 基于铝阳极氧化技术的埋置芯片互连封装方法及结构
CN104451818A (zh) * 2014-11-17 2015-03-25 中国人民解放军空军工程大学 一种绝缘金属板及其制作方法
CN108140618A (zh) * 2015-10-05 2018-06-08 浜松光子学株式会社 配线构造体及配线构造体的制造方法
CN109210520A (zh) * 2017-07-03 2019-01-15 法雷奥北美有限公司 用于在散热器上放置光源的装置和方法
CN109112521A (zh) * 2018-10-29 2019-01-01 重庆立道新材料科技有限公司 一种无铬钝化剂及其制备方法
CN114599167A (zh) * 2021-08-23 2022-06-07 常州海弘电子有限公司 一种厚铜pcb板焊接面防耐擦花处理工艺
CN114599167B (zh) * 2021-08-23 2023-08-01 常州海弘电子有限公司 一种厚铜pcb板焊接面防耐擦花处理工艺

Also Published As

Publication number Publication date
US20120256224A1 (en) 2012-10-11
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EP2518190A1 (en) 2012-10-31

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