CN102099861A - 使用堆叠式存储器装置裸片的存储器系统及方法以及使用所述存储器系统的系统 - Google Patents
使用堆叠式存储器装置裸片的存储器系统及方法以及使用所述存储器系统的系统 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102099861A CN102099861A CN2009801283414A CN200980128341A CN102099861A CN 102099861 A CN102099861 A CN 102099861A CN 2009801283414 A CN2009801283414 A CN 2009801283414A CN 200980128341 A CN200980128341 A CN 200980128341A CN 102099861 A CN102099861 A CN 102099861A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- nude film
- data
- signal
- sequential
- storage arrangement
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1072—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers for memories with random access ports synchronised on clock signal pulse trains, e.g. synchronous memories, self timed memories
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
- G11C5/02—Disposition of storage elements, e.g. in the form of a matrix array
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
- G11C11/409—Read-write [R-W] circuits
- G11C11/4096—Input/output [I/O] data management or control circuits, e.g. reading or writing circuits, I/O drivers or bit-line switches
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/02—Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/02—Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters
- G11C29/023—Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters in clock generator or timing circuitry
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/02—Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters
- G11C29/028—Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters with adaption or trimming of parameters
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1006—Data managing, e.g. manipulating data before writing or reading out, data bus switches or control circuits therefor
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1006—Data managing, e.g. manipulating data before writing or reading out, data bus switches or control circuits therefor
- G11C7/1012—Data reordering during input/output, e.g. crossbars, layers of multiplexers, shifting or rotating
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1051—Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1051—Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
- G11C7/1069—I/O lines read out arrangements
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1078—Data input circuits, e.g. write amplifiers, data input buffers, data input registers, data input level conversion circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1078—Data input circuits, e.g. write amplifiers, data input buffers, data input registers, data input level conversion circuits
- G11C7/1096—Write circuits, e.g. I/O line write drivers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/22—Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/22—Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management
- G11C7/222—Clock generating, synchronizing or distributing circuits within memory device
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2207/00—Indexing scheme relating to arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C2207/10—Aspects relating to interfaces of memory device to external buses
- G11C2207/107—Serial-parallel conversion of data or prefetch
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Databases & Information Systems (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Dram (AREA)
Abstract
本发明揭示一种使用彼此耦合且耦合到逻辑裸片的堆叠式存储器装置裸片的存储器系统及方法。所述逻辑裸片可包含可操作以控制所述逻辑裸片从所述存储器装置裸片中的每一者接收信号(例如读取数据信号)的时序的时序校正系统。时序校正通过调整施加到所述存储器装置裸片中的每一者的相应选通信号(例如读取选通信号)的时序来控制所述读取数据或其它信号的时序。所述存储器装置裸片可在依据其何时接收所述相应选通信号而确定的时间处将读取数据发射到所述存储器装置。调整所述选通信号中的每一者的所述时序以便在相同时间处接收来自所有所述存储器装置裸片的所述读取数据或其它信号。
Description
技术领域
本发明涉及存储器装置,且更特定来说,在一个或一个以上实施例中涉及具有连接到逻辑裸片的多个堆叠式存储器装置裸片的存储器系统。
背景技术
由于所有类型的存储器装置已演进,因此在改良其各个方面的性能方面已做出了连续进展。举例来说,存储器装置的存储容量已连续以几何比例增加。此所增加的容量外加含有存储器装置的电子系统的在几何学上较高的操作速度已使高存储器装置带宽越来越关键。其中存储器装置(例如,动态随机存取存储器(“DRAM”)装置)需要较高带宽的一个应用是其作为计算机系统中的系统存储器的使用。由于处理器的操作速度已增加,因此处理器能够以对应较高速度读取及写入数据。然而,常规DRAM装置通常不具有以这些较高速度来读取及写入数据的带宽,因此减慢常规计算机系统的性能。此问题因朝向多核处理器及多个处理器计算机系统的趋势而加剧。当前估计,作为高端服务器操作的计算机系统因系统存储器装置的有限数据带宽而每4个时钟循环空闲多达3个时钟循环。实际上,作为系统存储器操作的DRAM装置的有限带宽可将计算机系统的性能减小为低至其原本将能够达到的性能的10%。
已做出各种尝试来增加存储器装置的数据带宽。举例来说,已使用较宽内部数据总线来以较高带宽将数据传送到阵列及从阵列传送数据。然而,这样做通常需要在存储器装置接口处将写入数据串行化及将读取数据解串行化。另一方法是简单地按比例增加存储器装置的大小或相反地收缩其特征大小,但出于各种原因,缩放比例不能够与对较高数据带宽要求的几何增加保持一致。还做出以下建议:将数个集成电路存储器装置裸片堆叠于相同封装中,但这样做恐引起大量必须克服的其它问题。
将存储器装置裸片一个叠一个地堆叠的一个潜在问题在于其可在发射到所述存储器装置中的每一者或从所述存储器装置中的每一者发射的信号之间引起信号时序偏斜。在所述存储器中的每一者与所述经封装存储器装置的接口之间的距离将针对每一存储器装置变化的情况下,信号发射到所述存储器装置中的每一者及从所述存储器装置中的每一者发射所需的时间将固有地变化。此可为值得考虑的问题,因为在所述堆叠中可存在大量存储器装置裸片,例如(举例来说)八个存储器装置。另外,由于工艺、温度及供应电压变化,所述存储器装置的时序性能可变化,即使其制作于相同晶片上。图1中图解说明此类信号时序偏斜的实例,其显示期间读取数据信号在4个堆叠式动态随机存取存储器(“DRAM”)装置裸片DRAM0到DRAM1中的每一者的封装接口处视为有效的周期。此数据有效周期有时称为数据“眼”。如其中所显示,DRAM2的读取数据首先有效,随后是DRAM0、DRAM1,且最后是DRAM3。期间所有读取数据(即,用于所有DRAM的复合眼8)均有效的周期几乎不存在。因此,对于存储器存取装置(例如存储器控制器或处理器)来说,将非常难以使用单时钟信号来捕获读取数据,尤其在存储器装置的操作速度及所得数据传送速率连续增加时。
在过去,已通过连同相应读取数据一起发射来自不同存储器装置的相应读取选通信号而极大地减轻了来自所述存储器装置的信号偏斜问题。所述选通信号接着由所述存储器存取装置用于捕获读取数据。在所述选通信号的时序差大致匹配来自所述存储器装置中的每一者的读取数据的时序差的情况下,所述选通信号的转变大致以来自每一存储器装置的数据眼为中心,从而允许所述存储器存取装置成功地从所述存储器装置中的每一者捕获读取数据。随着存储器装置的操作速度持续增加,即使此方法也不足够。因此,已开发多种技术,通过调整所述选通信号在所述存储器装置处的发射时间或以可调整量延迟其在存储器存取装置中的发射时间来调整所述选通信号的时序。或者,可相对于读取选通信号的时序来调整读取数据位中的每一者的时序。在第6,882,304号美国专利中描述以此方式调整读取数据的每一位的时序的存储器装置的实例。
调整读取选通信号与读取数据信号之间的时序的常规方法可用于堆叠式存储器装置裸片。然而,这样做将在每一存储器装置中需要大量时序调整电路,因此减少每一存储器装置裸片的可用于提供存储器容量的区域。在每一存储器裸片中调整读取选通信号与读取数据信号之间的时序也将需要从每一存储器装置发送读取选通信号。此外,虽然已关于读取数据信号论述了时序问题,但实质上写入数据信号、命令信号及地址信号可存在相同类型的问题。如果单独选通信号被发射到这些类型的信号中的每一者的每一存储器装置或从其发射,那么所述选通信号将需要所述经封装存储器装置包含大量选通端子。举例来说,如果堆叠八个存储器装置裸片,那么将需要32个端子来将选通信号传送到所有这些类型的信号的存储器装置或从其传送。然而,由于缺少存储器装置封装中的可用区域及在所述存储器装置安装于其上的总线或电路板中将需要的大量导体,不适当地增加存储器装置中的端子的数通常被视为不期望的。
因此,需要一种方法及装置来以最大化裸片可用于存储器容量的区域且并不不适当地增加所需端子的数目的方式最小化因发射到堆叠式存储器装置裸片或从其发射的信号之间的时序偏斜所导致的问题及限制。
附图说明
图1是显示来自多个堆叠式存储器装置裸片中的每一者的读取数据信号的时序相对于彼此偏斜的方式的时序图。
图2是包含含有根据本发明实施例的堆叠式存储器装置裸片的存储器系统的基于处理器的系统的框图。
图3是显示根据本发明实施例的图1中所显示的读取数据信号连同具有经校正的时序的读取数据信号一起的时序的时序图。
图4是图2的基于处理器的系统的实施例的更详细框图,其更详细地显示所述存储器系统。
图5是显示用于图2及4的存储器系统中的时序校正系统的实施例的框图。
图6是显示用于图5的时序校正系统中的选通时序调整电路的实施例的框图。
图7是显示用于图5的时序校正系统中的接收器的实施例的框图。
具体实施方式
图2中显示根据本发明实施例的包含高容量高带宽存储器系统10的计算机系统。存储器系统10经由相对窄高速总线14连接到处理器12,所述相对窄高速总线被划分为若干下游线路及若干单独上游线路(在图2中未显示)。存储器系统10包含一个叠一个地堆叠的4个DRAM裸片20、22、24、26,所述4个DRAM裸片可彼此相同。虽然存储器系统10包含4个DRAM裸片20、22、24、26,但所述存储器装置的其它实施例使用更大或更小数目的DRAM裸片。堆叠式DRAM裸片20、22、24、26连接到充当与处理器12的接口的逻辑裸片30。逻辑裸片30可以任一次序相对于DRAM裸片20、22、24、26物理定位,例如通过将DRAM裸片20、22、24、26堆叠于逻辑裸片30的顶部上。然而,逻辑裸片30可(举例来说)位于DRAM裸片20、22、24、26的堆叠的中间。
逻辑裸片30可在存储器系统10中实施各种功能,例如限制必须在DRAM裸片20、22、24、26中实施的功能的数目。举例来说,逻辑裸片30可执行存储器管理功能,例如对DRAM裸片20、22、24、26中存储器单元的功率管理及刷新。在某些实施例中,逻辑裸片30可执行错误检查及校正(“ECC”)功能。在本文中所描述的实施例中,逻辑裸片30对逻辑裸片30耦合到DRAM裸片20、22、24、26或从其接收的信号实施时序校正,如下文更详细解释。
DRAM裸片20、22、24、26可彼此连接,且其通过相对宽总线34连接到逻辑裸片30。总线34可借助贯穿硅导通孔(“TSV”)实施,所述贯穿硅导通孔包括在DRAM裸片20、22、24、26上的相同位置处至少部分地延伸穿过所述DRAM裸片且连接到形成于裸片20、22、24、26上的相应导体的大量导体。在一个实施例中,DRAM裸片20、22、24、26中的每一者被划分成16个自主分区,所述自主分区中的每一者可含有2或4个独立存储器库。在此情况下,可为读取及写入操作独立地存取一个叠一个地堆叠的每一裸片20、22、24、26的分区。每一组16个经堆叠的分区可称为“存储库(vault)”。因此,存储器系统10可含有16个存储库。
如上所述,逻辑裸片30含有时序校正电路以确保从存储器装置裸片20、22、24、26接收的读取数据信号在其从存储器系统10发射时彼此对准。如在图3中所显示,逻辑裸片30致使读取数据信号将从如图1中所示的存储器装置裸片20、22、24、26接收以使其彼此大致对准。因此,所述读取数据信号是借助大致大于图1中所显示的实际上不存在的复合眼8的复合眼28从存储器系统10发射。
如下文更详细地解释,由逻辑裸片30执行的功能中的一者是将从DRAM裸片20、22、24、26耦合的读取数据位串行化成经由总线14的上游线路42a到42d中的一者的16个并行位中的每一者耦合的16个串行数据位串行流。类似地,逻辑裸片30可执行将经由总线14的16位下游线路40a到40d中的一者耦合的16个串行数据位解串行化以获得256个并行数据位的功能。逻辑裸片30接着经由32位子总线38a到38p中的一者以8位串行流耦合这些256个位。然而,其它实施例可使用不同数目的具有不同宽度的线路40、42或不同数目的具有不同宽度的子总线38a到38p,且其可耦合具有不同结构的数据位。所属领域的技术人员将了解,多个DRAM裸片的堆叠产生具有非常大的容量的存储器装置。此外,使用连接DRAM裸片的非常宽的总线允许数据将以非常高的带宽耦合到所述DRAM裸片及从其耦合。
图4中显示根据本发明的实施例的逻辑裸片30,其连接到处理器12及DRAM裸片20、22、24、26。如图4中所显示,4个下游线路40a到40d中的每一者连接到相应链路接口50a到50d。每一链路接口50a到50d包含解串行化器54,所述解串行化器将16位线路40a到40d中的每一者上的每一16个数据位串行流转换为256个并行位。在存在4个链路接口50a到50d的情况下,所述链路接口可一起输出1024个输出并行位。
链路接口50a到50d中的每一者将其256个并行位施加到相应下游目标60a到60d,所述下游目标在存储器请求是针对写入操作的情况下对所接收包的命令及地址部分进行解码且缓冲写入数据。下游目标60a到60d将其相应命令、地址及可能的写入数据输出到交换机62。交换机62含有16个多路复用器64,所述多路复用器中的每一者将来自下游目标60a到60d中的任一者的命令、地址及任一写入数据引导到DRAM裸片20、22、24、26的其相应存储库。因此,下游目标60a到60d中的每一者可存取DRAM裸片20、22、24、26中的16个存储库中的任一者。多路复用器64使用所述所接收存储器请求中的地址来确定其相应存储库是否是存储器请求的目标。多路复用器64中的每一者将所述存储器请求施加到16个存储库控制器70a到70p中的相应者。
每一存储库控制器70a到70p包含相应存储器控制器80,所述存储器控制器中的每一者包含写入缓冲器82、读取缓冲器84及命令管线86。将从交换机62接收的存储器请求中的命令及地址加载到命令管线86中,所述命令管线随后输出所述所接收的命令及对应地址。所述存储器请求中的任一写入数据均存储于写入缓冲器82中。如下文将更详细地解释,读取缓冲器84用于存储来自相应存储库的读取数据。将来自写入缓冲器82的写入数据与来自存储库控制器70a到70p中的每一者的命令管线86的命令及地址两者均施加到存储器接口88。存储器接口88经由命令/地址总线94将来自命令管线86的命令及地址耦合到DRAM裸片20、22、24、26,且其经由32位数据总线92将来自写入缓冲器82中的每一者的32个写入数据位耦合到DRAM裸片20、22、24、26。
虽然数据作为256个并行位加载到写入缓冲器82中,但其以两组从缓冲器82输出,每一组是128个并行位。这128个位接着进一步由存储器接口88串行化成4组32位数据,所述4组32位数据经由数据总线92耦合。在图4中所显示的实施例中,写入数据与500MHz时钟同步地耦合到写入缓冲器82,以使得数据以每秒16个十亿字节(““GB”)存储于所述写入缓冲器中。写入数据使用2GHz时钟从写入缓冲器82耦合到DRAM裸片20、22、24、26,以使得所述数据以8GB/s从写入缓冲器82输出。因此,只要多于一半的存储器请求并非是到相同存储库的写入操作,写入缓冲器82便将能够至少与数据耦合到写入缓冲器82一样快地将写入数据耦合到DRAM裸片20、22、24、26。
在存储器请求是针对读取操作的情况下,如上文所解释,所述请求的命令及地址以与写入请求相同的方式耦合到DRAM裸片20、22、24、26。响应于读取请求,32个读取数据位经由32位数据总线92从DRAM裸片20、22、24、26输出。存储器接口88将来自所述存储库中的每一者的32个读取数据位解串行化成两组128位读取数据,所述两组128位读取数据施加到读取缓冲器84。在2组128位读取数据已存储于读取缓冲器84中之后,所述读取缓冲器将256个位发射到交换机62。所述交换机包含耦合到相应上游主控器110a到110d的4个输出多路复用器104。每一多路复用器104可将来自存储库控制器70a到70p的任一者的256个并行数据位耦合到其相应上游主控器110a到110d。上游主控器110a到110d将所述256个读取数据位格式化成包数据且将所述包耦合到相应上游链路接口114a到114d。链路接口114a到114d中的每一者包含相应串行化器120,所述串行化器将传入256个位转换为16位上游链路42a到42d中的相应者的每一位上的16位串行流。
如上文所解释,逻辑裸片30校正逻辑裸片30耦合到DRAM裸片20、22、24、26或从其接收的信号的时序,如下文更详细解释。此时序校正由时序校正系统100实施,其中的一者包含于存储器接口88中的每一者中。图5中显示时序校正系统100的实施例。系统100包含时序控制电路134,其输出4个读取数据选通信号RDQS0到RDQS3。选通信号RDQS0到RDQS3是呈交替的高逻辑电平与低逻辑电平的图案。选通信号RDQS0到RDQS3中的每一者施加到4个选通时序调整电路140a到140d中的相应者,所述选通时序调整电路中的每一者从时序控制电路134接收相应时序控制信号。4个选通时序调整电路140a到140d中的每一者将相应经调整读取数据选通信号RDQS0’到RDQS3’发射到DRAM装置裸片20、22、24、26中的相应者。因此,选通时序调整电路140a经由从逻辑裸片30延伸到DRAM装置裸片20的TSV 152a将其选通信号RDQS0’发射到第一DRAM装置裸片20。也可经由延伸到其它DRAM装置裸片22、24、26的额外TSV 152b到152d耦合选通信号RDQS0’,但其不在内部上连接到相应DRAM装置裸片22、24、26中的任一电路。类似地,选通时序调整电路140b经由两个TSV 154a、154b将其选通信号RDQS1’发射到第二DRAM装置裸片22,选通时序调整电路140c经由三个TSV 156a、156b、156c将其选通信号RDQS2’发射到第三DRAM装置裸片24,且选通时序调整电路140d经由四个TSV 158a、158b、158c、158d将其选通信号RDQS3’发射到第四DRAM装置裸片26。
响应于读取数据选通信号RDQS0’到RDQS3’中的每一者,相应DRAM装置裸片20、22、24、26在共用32位总线150上输出32个读取数据位。所述读取数据位中的每一者是经由相应输入缓冲器162施加到32个接收器160中的相应者(图5中仅显示所述接收器中的一者)。因此,图4中所显示的存储器接口88中的每一者含有32个接收器160。每一接收器160将所接收的读取数据位解串行化成4个读取数据位。因此,由32个接收器160共同接收的32个读取数据位产生128个读取数据位。以类似方式,相应发射器164连接到总线150的每一位以使得图4中所显示的存储器接口88中的每一者含有32个发射器164(图5中仅显示所述发射器中的一者)。发射器164中的每一者经由相应输出缓冲器166发射4个写入数据位且将所述数据串行化成施加到总线150的其相应位的1个写入数据位。
从DRAM装置裸片20、22、24、26中的每一者发射的读取数据的时序由其相应读取数据选通信号RDQS0’到RDQS3’的时序控制。从时序控制电路134输出的时序控制信号致使相应选通时序调整电路140a到140d恰当地调整读取数据选通信号RDQS0’到RDQS3’的时序以便以相同时序在逻辑裸片30处从DRAM装置裸片20、22、24、26中的每一者接收读取数据。因此,接收器160可使用相同时钟信号CLK来捕获读取数据,而不管哪一DRAM装置裸片20、22、24、26发射的读取数据。因此,逻辑裸片30可在无任何额外时序调整的情况下以相同时序从存储器系统发射读取数据,而不管哪一DRAM装置裸片20、22、24、26是所述数据的发起者。
在时序控制电路134的一个实施例中,常规训练序列用于确定选通信号RDQS0’到RDQS3’中的每一者的正确时序,例如第6,882,304号美国专利中所揭示。时序控制电路134致使选通信号RDQS0’到RDQS3’中的每一者的时序在接收器160尝试捕获已知读取数据时以递增方式调整。接着在正常操作期间使用最佳捕获读取数据的时序。举例来说,可通过使用位于成功地捕获读取数据的所有时序值中间的时序来确定所述最佳时序。
存储器接口88的所揭示的实施例仅使用时序控制电路100来调整读取数据的时序。然而,在其它实施例中,类似时序控制电路100以类似方式调整写入数据信号、命令信号及/或地址信号的时序。在每一情况下,所述时序控制电路可变化发射到DRAM装置裸片20、22、24、26的这些信号的时序,以使得其可由DRAM装置裸片在恰当时间处接收。可通过在以递增方式变化这些信号的时序以确定哪一时序可最佳地捕获于DRAM装置裸片20、22、24、26中时进行读取操作来确定所述恰当时序。此外,虽然时序控制电路100用于将经恰当计时的读取选通信号施加到4个DRAM装置裸片20、22、24、26,但其它实施例使用较少或额外数目的DRAM装置裸片。
图6中显示选通时序调整电路140a到140d中的每一者的实施例。虽然在图6中仅显示一个时序调整电路140,但将理解,所述时序调整电路中的4个时序调整电路将用于图5的时序控制电路100中。如上文所解释,时序调整电路140接收相应读取数据选通信号RDQS,其由可标记为A到H的交替的高逻辑电平与低逻辑电平组成。RDQS信号施加到两个寄存器170、172,所述两个寄存器中的每一者具有4个输出Q0到Q3。寄存器170、172交替地由从触发器176的相应输出接收的相应互补启用信号启用。触发器176经配置以双态切换以使得其响应于时钟信号CLK_1XSE的每一上升沿而切换状态。在一个实施例中,时钟信号CLK_1XSE具有500MHz的频率,以使得触发器176输出信号Q高持续4ns,且接着输出Q*高持续4ns。因此,触发器176首先启用寄存器170持续4ns且接着启用寄存器172持续4ns。然而,在其它实施例中,时钟信号CLK_1XSE具有不同频率。因此,寄存器170输出在读取数据选通信号RDQS中标示为A到D的信号,且寄存器172输出在读取数据选通信号RDQS中标示为E到H的信号。
由寄存器170、172输出的信号施加到两个多路复用器180、182。更具体来说,来自寄存器170、172标示为A、C、E、G的信号施加到多路复用器180的相应输入,且来自寄存器170、172标示为B、D、F、H的信号施加到多路复用器182的相应输入。多路复用器180、182由相应选择信号控制以致使其输入中的一者施加到其输出。所述选择信号由选择器188产生,此可使用特别配置计数器实施。选择器188由时钟信号CLK_4X计时,所述时钟信号在一个实施例中具有1GHz的频率且为差分时钟信号以使得所述时钟信号具有不同状态。然而,时钟信号CLK_4X经由延迟电路190耦合,所述延迟电路可以是(举例来说)延迟线或相位内插器。延迟电路190通过由来自时序控制电路134(图5)的相应时序控制信号控制的可调整延迟来延迟时钟信号CLK_4X。选择器188首先致使多路复用器180输出来自寄存器170的信号A,且接着致使多路复用器182输出来自寄存器170的信号B。类似地,选择器188接着致使多路复用器180输出来自寄存器170的信号C,且其接着致使多路复用器182输出来自寄存器170的信号D。以相同方式,选择器188致使多路复用器180、182按顺序输出信号E到H。多路复用器180、182的相应输出施加到串行化器194的相应输入。
除时钟信号CLK_4X施加到选择器188外,时钟信号CLK_4X中的一者也施加到串行化器194的时钟输入。所述时钟信号交替地选择其输入中的每一者且将其耦合到其输出。因此,虽然标示为A、C、E、G的信号施加到一个输入且信号B、D、F、H施加到另一输入,但串行化器194以次序A、B、C、D、E、F、G、H输出信号。因此,串行化器194输出施加到寄存器170、172的原始读取选通信号RDQS,除了选通信号RDQS的时序已由时序控制信号调整来产生时序经调整的读取选通信号RDQS’外。此RDQS’信号经由输出缓冲器196发射到其相应DRAM装置裸片20、22、24、26,如上文参照图5所解释。因此,选择器188、多路复用器180、182及串行化器188一起实施串行化电路。
图7中显示图5中所显示的接收器160的实施例。接收器160接收一个读取数据DQ位,所述读取数据DQ位在一个实施例中由8个串行读取数据位组成,且如上文参照图5所解释将其解串行化。出于促进解释接收器160的目的,这些串行读取数据DQ位将标示为位A到H。在经由输入缓冲器204耦合后,所述读取数据位施加到8个触发器200a到200h的相应数据输入。触发器200a到200h是由选择器208计时,此可由计数器实施。然而,交替触发器200a、200c、200e、200g是由从选择器208接收的信号的上升沿计时,而触发器200b、200d、200f、200h是由从选择器208接收的信号的下降沿计时。另外,相同信号施加到邻近触发器200a、200b到200g、200h。
当对选择器208计时时,其输出中的每一者响应于在一个实施例中具有1GHz的频率的时钟信号CLK_2X的上升沿按顺序转变为高。因此,触发器200a首先输出串行读取数据位A,且连续输出直到在迟于来自选择器208的所接收信号再次转变为离时4ns再次计时为止。触发器200b在时钟上迟于对触发器200a计时的相同信号的下降沿1ns,以使得触发器200b输出串行读取数据位B持续4ns。然而,在施加到触发器200a、200b的信号转变为低的同时,施加到触发器200c、200d的信号转变为高以致使触发器200c输出串行读取数据位C持续4ns。以类似方式,触发器200d到200g按顺序输出标示为D到G的读取数据位。在4ns结束时,所有串行数据位A到G将已从触发器200a到200h输出。
来自前4个触发器200a到200d中的每一者的输出施加到相应多路复用器210a到210d的第一输入,且来自第二4个触发器200e到200h中的每一者的输出施加到相应多路复用器210a到210d的第二输入。多路复用器210a到210d每一者由从触发器212接收的信号控制,所述触发器经配置以响应于来自AND门214的信号而双态切换。AND门214在其输入中的一者处接收时钟信号CLK_1XSE,所述时钟信号CLK_1XSE在一个实施例中(其可被再调用)具有500MHz的频率。AND门214的另一输入从触发器216的输出接收信号。触发器216具有数据输入,其从触发器218的输出接收信号。触发器218在其数据输入处接收读取启用信号RD_EN,且其由时钟信号CLK_1XSE计时。
在操作中,当读取启用信号RD_EN转变为高时,时钟信号CLK_1XSE的下一上升沿致使触发器218输出施加到触发器216的数据输入的高输出信号。来自触发器218的此高输出信号也施加到选择器208的启用输入以允许其开始对触发器200a到200h进行计时以使得其可共同输出串行读取数据位。在时钟信号CLK_1XSE的下一上升沿上,触发器216转变为高,从而致使AND门214的输出转变为高。接着对触发器212进行计时,且其连续由时钟信号CLK_1XSE计时直到RD_EN信号在读取操作的结束时转变为低。在触发器212经配置以双态切换的情况下,其输出为高的信号持续4ns且接着输出为低的信号持续4ns。因此,多路复用器210a到210d输出串行数据位A到D持续4ns,且其接着输出串行数据位E到H持续4ns。因此,用于输出位A到H的8ns与所述8个串行数据位A到H施加到接收器160的8ns一致。当然,本文中已出于解释目的提供了时序及频率实例,且其可针对其它实施例而有所不同。
从上文将了解,虽然本文中已出于图解说明目的描述了本发明的具体实施例,但可在不背离本发明的精神及范围的情况下做出各种修改。举例来说,虽然本发明的实施例是在经堆叠的DRAM裸片的背景中加以解释,但将理解,所述经堆叠的裸片可以是其它类型的存储器装置裸片,例如快闪存储器装置裸片。因此,本发明不受除所附权利要求书外的任何限制。
Claims (25)
1.一种存储器系统,其包括:
多个堆叠式存储器装置裸片,其含有多个存储器单元;及
逻辑裸片,其经由多个导体耦合到所述存储器装置裸片,所述逻辑裸片可操作以将数据写入到所述存储器装置裸片及从所述存储器装置裸片读取数据,所述逻辑裸片包含可操作以控制由所述逻辑裸片从所述存储器装置裸片中的每一者接收至少一个信号的时序的时序校正系统。
2.根据权利要求1所述的存储器系统,其中所述多个堆叠式存储器装置裸片经由多个贯穿硅导通孔而彼此连接且连接到所述逻辑裸片。
3.根据权利要求1所述的存储器系统,其中耦合于所述逻辑裸片与所述存储器装置裸片中的每一者之间的所述至少一个信号包括由所述存储器装置裸片中的每一者发射到所述逻辑裸片的相应组的读取数据信号。
4.根据权利要求2所述的存储器系统,其中所述存储器装置裸片中的每一者可操作以在依据相应读取数据选通的接收而确定的时间处发射其相应组的读取数据信号,且其中所述时序校正系统包括:
选通时序调整电路,其用于所述存储器装置裸片中的每一者,所述选通时序调整电路中的每一者经构造以便以由相应时序控制信号控制的时序来输出读取选通信号;及
时序控制电路,其产生所述相应时序控制信号且将所述时序控制信号施加到相应存储器装置裸片,所述时序控制电路产生所述时序控制信号,从而致使所述逻辑裸片以大致相同时序接收由所述存储器装置裸片发射的所述相应组的读取数据。
5.根据权利要求4所述的存储器系统,其中所述时序控制电路可操作以通过将相应多个时序控制信号提供到所述选通时序调整电路中的每一者来产生所述时序控制信号中的每一者,所述时序控制信号致使所述相应选通时序调整电路使所述相应读取选通信号的所述时序在一范围内变化,从而致使所述相应存储器装置裸片在于一范围内变化的时间处将其相应组的读取数据信号提供到所述逻辑裸片,所述时序电路可操作以将致使所述逻辑裸片在所述范围内的合适时间处接收所述组的读取数据信号的时序控制信号用作用于施加到所述相应选通时序调整电路的所述时序控制信号。
6.根据权利要求2所述的存储器系统,其中所述时序校正系统包括多个数据接收器,所述数据接收器中的每一者可操作以从所述存储器装置裸片中的每一者接收对应读取数据信号,所述接收器可操作以将所述所接收的读取数据信号解串行化成多个并行读取数据位。
7.根据权利要求6所述的存储器系统,其中所述接收器中的每一者可操作以响应于时钟信号而捕获所述所接收的读取数据信号,所有所述多个接收器使用所述相同时钟信号来捕获其相应的所接收的读取数据信号。
8.根据权利要求6所述的存储器系统,其中所述接收器中的每一者包括:
多个触发器,其经耦合以接收所述读取数据信号,所述触发器中的每一者可操作以存储所述读取数据信号的相应样本且将其施加到输出;
选择器,其可操作以产生所述时钟信号且将所述时钟信号按顺序施加到所述相应触发器以使得所述触发器存储所述读取数据信号的所述相应样本;及
多个多路复用器,所述多路复用器中的每一者耦合到多个所述触发器的所述相应输出,所述多路复用器响应于时钟信号以交替地从所述多个触发器的相应对输出所述相应样本。
9.根据权利要求2所述的存储器系统,其中所述存储器装置裸片中的每一者包括相应的动态随机存取存储器装置裸片。
10.一种时序校正系统,其包括:
电路,其产生多个数据选通信号;
多个选通时序调整电路,其接收所述数据选通信号中的相应数据选通信号,所述选通时序调整电路中的每一者包括:
寄存器,其存储所述相应数据选通信号且将所述所存储的数据选通信号的多个位施加到相应输出端子;
串行化电路,其从所述寄存器接收所述数据选通信号的所述位,所述串行化电路可操作以在依据经调整时钟信号而确定的时间处以串行形式输出所述数据选通信号的所述位;及
延迟电路,其接收时钟信号且以对应于时序控制信号的延迟输出所述经调整时钟信号;及
时序控制电路,其产生多个时序控制信号,所述时序控制信号中的每一者施加到所述选通时序调整电路中的相应选通时序调整电路中的所述延迟电路。
11.根据权利要求10所述的时序校正系统,其中所述延迟电路包括相位内插器。
12.根据权利要求10所述的时序校正系统,其中所述延迟电路包括延迟线。
13.根据权利要求10所述的时序校正系统,其中所述寄存器包括:
第一寄存器,其存储所述数据选通信号的第一多个连续位;及
第二寄存器,其存储所述数据选通信号的第二多个连续位,所述数据选通信号的所述第二多个连续位紧跟着所述数据选通信号的所述第一多个连续位。
14.根据权利要求13所述的时序校正系统,其中所述串行化电路包括:
第一多路复用器,其经耦合以接收从所述第一寄存器输出的所述数据选通信号的交替位及从所述第二寄存器输出的所述数据选通信号的交替位,所述第一多路复用器可响应于第一控制信号而操作以将所述数据选通信号的所述所接收位中的每一者耦合到第一输出端子;
第二多路复用器,其经耦合以接收从所述第一寄存器输出的所述数据选通信号的未施加到所述第一多路复用器的交替位及从所述第二寄存器输出的所述数据选通信号的未施加到所述第一多路复用器的交替位,所述第二多路复用器可响应于第二控制信号而操作以将所述数据选通信号的所述所接收位中的每一者耦合到第二输出端子;
选择器,其可响应于时钟信号而操作以产生所述第一控制信号及所述第二控制信号,所述第一控制信号及所述第二控制信号致使所述第一多路复用器及所述第二多路复用器将所述数据选通信号的所述所接收位中的每一者分别地按顺序耦合到所述第一输出端子及所述第二输出端子;及
串行化器电路,其分别耦合到所述第一多路复用器及所述第二多路复用器的所述第一输出端子及所述第二输出端子,所述串行化器电路可操作以在依据所述经调整时钟信号而确定的时间处交替地输出从所述第一多路复用器及所述第二多路复用器所接收的所述数据选通信号的位。
15.根据权利要求10所述的时序校正系统,其中所述时序控制电路可操作以通过将相应多个时序控制信号提供到所述选通时序调整电路中的每一者来产生所述时序控制信号中的每一者,所述时序控制信号致使所述相应选通时序调整电路使所述相应读取选通信号的时序在一范围内变化,从而致使所述相应存储器装置裸片在于一范围内变化的时间处将其相应组的读取数据信号提供到所述逻辑裸片,所述时序电路可操作以将致使所述逻辑裸片在所述范围内的合适时间处接收所述组的读取数据信号的时序控制信号用作用于施加到所述相应选通时序调整电路的所述时序控制信号。
16.一种系统,其包括:
存储器存取装置;及
存储器系统,其耦合到所述存储器存取装置,所述存储器系统包括:
多个堆叠式存储器装置裸片,其含有多个存储器单元且可操作以响应于所接收的读取选通信号而发射读取数据,所述存储器装置裸片中的每一者发射所述读取数据的时序是依据接收所述相应读取选通信号的时间确定的;及
逻辑裸片,其经由多个导体耦合到所述存储器存取装置且耦合到所述存储器装置裸片,所述逻辑裸片可操作以将数据写入到所述存储器装置裸片及从所述存储器装置裸片读取数据,所述逻辑裸片包含可操作以控制将所述读取选通信号施加到所述相应存储器装置裸片的所述时序的时序校正系统,所述逻辑裸片可操作以大致在从所述存储器装置裸片接收后即刻将所述读取数据发射到所述存储器存取装置。
17.根据权利要求16所述的系统,其中所述时序校正系统包括:
选通时序调整电路,其用于所述存储器装置裸片中的每一者,所述选通时序调整电路中的每一者经构造以便以由相应时序控制信号控制的时序输出所述相应读取选通信号;及
时序控制电路,其产生所述相应时序控制信号且将所述时序控制信号施加到所述相应存储器装置裸片,所述时序控制电路产生所述时序控制信号,从而致使所述逻辑裸片以大致相同时序接收由所述存储器装置裸片发射的相应组的读取数据。
18.根据权利要求17所述的系统,其中所述时序控制电路可操作以通过将相应多个时序控制信号提供到所述选通时序调整电路中的每一者来产生所述时序控制信号中的每一者,所述时序控制信号致使所述相应选通时序调整电路使所述相应读取选通信号的所述时序在一范围内变化,从而致使所述相应存储器装置裸片在于一范围内变化的时间处将其相应组的读取数据信号提供到所述逻辑裸片,所述时序电路可操作以将致使所述逻辑裸片在所述范围内的合适时间处接收所述组的读取数据信号的时序控制信号用作用于施加到所述相应选通时序调整电路的所述时序控制信号。
19.根据权利要求16所述的系统,其中所述逻辑裸片包括多个数据接收器,所述数据接收器中的每一者可操作以从所述存储器装置裸片中的每一者接收对应读取数据信号,所述接收器可操作以将所述所接收的读取数据信号解串行化成多个并行读取数据位且将所述并行读取数据位施加到所述存储器存取装置。
20.根据权利要求16所述的系统,其中所述存储器装置裸片中的每一者包括相应的动态随机存取存储器装置裸片。
21.一种从多个堆叠式存储器装置裸片耦合读取数据的方法,所述堆叠式存储器装置裸片中的每一者连接到逻辑裸片,所述方法包括:
将相应读取选通信号从所述逻辑裸片发射到所述存储器装置裸片中的每一者;
响应于所述存储器装置裸片接收所述相应读取选通信号而将读取数据从所述存储器装置裸片中的每一者发射到所述逻辑裸片;及
调整将相应读取选通信号从所述逻辑裸片发射到所述存储器装置裸片中的每一者的时序以致使所述逻辑裸片在大致相同时间处从所述存储器装置裸片中的每一者接收所述读取数据。
22.根据权利要求21所述的方法,其中所述调整将相应读取选通信号发射到所述存储器装置裸片中的每一者的所述时序的动作包括进行训练序列以确定哪一时序允许所述逻辑裸片合适地捕获所述读取数据。
23.根据权利要求22所述的方法,其中所述训练序列包括:
将所述读取选通信号重复地发射到所述存储器装置裸片中的每一者,在时间范围内的不同时间处发射所述读取选通信号;
响应于所述读取选通信号中的每一者被发射到所述存储器装置裸片中的每一者而在所述逻辑裸片处接收读取数据;
确定所述读取选通信号中的每一者的哪一时序致使所述逻辑裸片在大致相同时间处从所述存储器装置裸片中的每一者接收所述读取数据;及
随后使用所述所确定时序来将所述读取选通信号中的每一者发射到所述相应存储器装置裸片。
24.根据权利要求21所述的方法,其中所述调整将所述读取选通信号中的每一者发射到所述存储器装置裸片中的相应存储器装置裸片的所述时序的动作包括:
提供具有多个串行位的读取选通信号;
将所述读取选通信号解串行化以将所述多个串行位转换为多个对应并行位;及
将所述位中的每一者发射到所述相应存储器装置裸片作为串行位流,其开始于经调整以致使所述逻辑裸片在大致相同于在所述逻辑裸片处接收来自其它存储器装置裸片的相应读取数据的时间处接收所述读取数据的时间处。
25.根据权利要求21所述的方法,其进一步包括来自所述存储器装置裸片中的每一者的所述相应读取数据响应于时钟信号,所述相同时钟信号用于从所有所述存储器装置裸片捕获所述相应读取数据。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/176,951 US7855931B2 (en) | 2008-07-21 | 2008-07-21 | Memory system and method using stacked memory device dice, and system using the memory system |
US12/176,951 | 2008-07-21 | ||
PCT/US2009/050155 WO2010011503A2 (en) | 2008-07-21 | 2009-07-09 | Memory system and method using stacked memory device dice, and system using the memory system |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102099861A true CN102099861A (zh) | 2011-06-15 |
CN102099861B CN102099861B (zh) | 2016-06-01 |
Family
ID=41530191
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN200980128341.4A Active CN102099861B (zh) | 2008-07-21 | 2009-07-09 | 使用堆叠式存储器装置裸片的存储器系统及方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (5) | US7855931B2 (zh) |
EP (1) | EP2319044B1 (zh) |
JP (1) | JP5413690B2 (zh) |
KR (2) | KR101288179B1 (zh) |
CN (1) | CN102099861B (zh) |
TW (1) | TWI426512B (zh) |
WO (1) | WO2010011503A2 (zh) |
Cited By (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104025194A (zh) * | 2011-11-25 | 2014-09-03 | 考文森智财管理公司 | 使用堆叠式存储器装置裸片的存储器系统和方法 |
CN104823242A (zh) * | 2012-11-19 | 2015-08-05 | 硅存储技术公司 | 三维闪存存储器系统 |
CN105868148A (zh) * | 2015-02-10 | 2016-08-17 | 飞思卡尔半导体公司 | 可重构的串行和脉冲宽度调制接口 |
CN107077439A (zh) * | 2014-10-21 | 2017-08-18 | 赛灵思公司 | 存储器控制装置中输出延迟的动态选择 |
CN108062964A (zh) * | 2016-11-07 | 2018-05-22 | 爱思开海力士有限公司 | 存储器件及包括该存储器件的半导体封装体 |
CN108376552A (zh) * | 2017-01-31 | 2018-08-07 | 爱思开海力士有限公司 | 集成电路 |
CN108632552A (zh) * | 2017-03-24 | 2018-10-09 | 佳能株式会社 | 记录装置、控制方法和存储介质 |
CN109508307A (zh) * | 2017-09-14 | 2019-03-22 | 三星电子株式会社 | 高带宽存储系统 |
CN109599138A (zh) * | 2017-10-02 | 2019-04-09 | 美光科技公司 | 用于存储器装置存取或操作的可变调制方案 |
CN109599141A (zh) * | 2017-10-02 | 2019-04-09 | 美光科技公司 | 以堆叠存储器裸片传送数据的方法和设备 |
CN109599139A (zh) * | 2017-10-02 | 2019-04-09 | 美光科技公司 | 存储器系统中的多个同时调制方案 |
CN109599134A (zh) * | 2013-03-15 | 2019-04-09 | 美光科技公司 | 具有控制器及存储器堆叠的灵活存储器系统 |
CN110083556A (zh) * | 2013-01-07 | 2019-08-02 | 美光科技公司 | 电力管理 |
CN110383258A (zh) * | 2017-04-05 | 2019-10-25 | 美光科技公司 | 存储器装置环回系统及方法 |
CN110659164A (zh) * | 2018-06-28 | 2020-01-07 | 美光科技公司 | 调试半导体装置的方法及系统 |
CN111149162A (zh) * | 2017-08-22 | 2020-05-12 | 美光科技公司 | 半导体存储器装置 |
CN111512372A (zh) * | 2018-03-28 | 2020-08-07 | 美光科技公司 | 用于在堆叠半导体装置中对准读取数据的方法及设备 |
CN112185442A (zh) * | 2019-07-03 | 2021-01-05 | 美光科技公司 | 具有可编程裸片刷新错开的存储器 |
CN112397108A (zh) * | 2019-08-19 | 2021-02-23 | 美光科技公司 | 具有分布式列存取的高处理量dram |
CN112912956A (zh) * | 2018-10-26 | 2021-06-04 | 美光科技公司 | 存储器装置中的写入训练 |
CN112992217A (zh) * | 2015-04-08 | 2021-06-18 | 三星电子株式会社 | 在多芯片封装中使用温度偏差来控制操作的存储器器件 |
CN113302696A (zh) * | 2019-02-04 | 2021-08-24 | 美光科技公司 | 具有多通道的高带宽存储器 |
CN113366570A (zh) * | 2019-02-25 | 2021-09-07 | 美光科技公司 | 用于组合式存取操作的堆叠的存储器裸片 |
CN113360428A (zh) * | 2013-05-16 | 2021-09-07 | 超威半导体公司 | 具有指定区域存储器访问调度的存储器系统 |
CN113764001A (zh) * | 2020-06-03 | 2021-12-07 | 西部数据技术公司 | 集成存储器组合件中的峰值功率控制 |
CN114064530A (zh) * | 2020-08-05 | 2022-02-18 | 钰创科技股份有限公司 | 存储系统、存储控制器和存储芯片 |
CN114341772A (zh) * | 2019-08-23 | 2022-04-12 | 美光科技公司 | 半导体存储器中的功率管理 |
Families Citing this family (67)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9229887B2 (en) * | 2008-02-19 | 2016-01-05 | Micron Technology, Inc. | Memory device with network on chip methods, apparatus, and systems |
US8521979B2 (en) | 2008-05-29 | 2013-08-27 | Micron Technology, Inc. | Memory systems and methods for controlling the timing of receiving read data |
US7979757B2 (en) | 2008-06-03 | 2011-07-12 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for testing high capacity/high bandwidth memory devices |
US8756486B2 (en) * | 2008-07-02 | 2014-06-17 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for repairing high capacity/high bandwidth memory devices |
US8289760B2 (en) * | 2008-07-02 | 2012-10-16 | Micron Technology, Inc. | Multi-mode memory device and method having stacked memory dice, a logic die and a command processing circuit and operating in direct and indirect modes |
US7855931B2 (en) | 2008-07-21 | 2010-12-21 | Micron Technology, Inc. | Memory system and method using stacked memory device dice, and system using the memory system |
US7978721B2 (en) | 2008-07-02 | 2011-07-12 | Micron Technology Inc. | Multi-serial interface stacked-die memory architecture |
US8127204B2 (en) | 2008-08-15 | 2012-02-28 | Micron Technology, Inc. | Memory system and method using a memory device die stacked with a logic die using data encoding, and system using the memory system |
US8086913B2 (en) | 2008-09-11 | 2011-12-27 | Micron Technology, Inc. | Methods, apparatus, and systems to repair memory |
US8254191B2 (en) | 2008-10-30 | 2012-08-28 | Micron Technology, Inc. | Switched interface stacked-die memory architecture |
JP2011081732A (ja) * | 2009-10-09 | 2011-04-21 | Elpida Memory Inc | 半導体装置及びその調整方法並びにデータ処理システム |
JP5595708B2 (ja) * | 2009-10-09 | 2014-09-24 | ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル | 半導体装置及びその調整方法並びにデータ処理システム |
US9123552B2 (en) | 2010-03-30 | 2015-09-01 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses enabling concurrent communication between an interface die and a plurality of dice stacks, interleaved conductive paths in stacked devices, and methods for forming and operating the same |
US8400808B2 (en) | 2010-12-16 | 2013-03-19 | Micron Technology, Inc. | Phase interpolators and push-pull buffers |
JP2012146377A (ja) * | 2011-01-14 | 2012-08-02 | Elpida Memory Inc | 半導体装置 |
US8554991B2 (en) | 2011-02-09 | 2013-10-08 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | High speed interface for dynamic random access memory (DRAM) |
WO2012125719A2 (en) | 2011-03-14 | 2012-09-20 | Rambus Inc. | Methods and apparatus for testing inaccessible interface circuits in a semiconductor device |
US9170744B1 (en) | 2011-04-06 | 2015-10-27 | P4tents1, LLC | Computer program product for controlling a flash/DRAM/embedded DRAM-equipped system |
US9164679B2 (en) | 2011-04-06 | 2015-10-20 | Patents1, Llc | System, method and computer program product for multi-thread operation involving first memory of a first memory class and second memory of a second memory class |
US9432298B1 (en) | 2011-12-09 | 2016-08-30 | P4tents1, LLC | System, method, and computer program product for improving memory systems |
US9158546B1 (en) | 2011-04-06 | 2015-10-13 | P4tents1, LLC | Computer program product for fetching from a first physical memory between an execution of a plurality of threads associated with a second physical memory |
US8930647B1 (en) | 2011-04-06 | 2015-01-06 | P4tents1, LLC | Multiple class memory systems |
US9176671B1 (en) | 2011-04-06 | 2015-11-03 | P4tents1, LLC | Fetching data between thread execution in a flash/DRAM/embedded DRAM-equipped system |
JP6054017B2 (ja) * | 2011-07-13 | 2016-12-27 | ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエルPS4 Luxco S.a.r.l. | 半導体記憶装置 |
US9417754B2 (en) | 2011-08-05 | 2016-08-16 | P4tents1, LLC | User interface system, method, and computer program product |
JP2013058277A (ja) * | 2011-09-07 | 2013-03-28 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
US8599595B1 (en) * | 2011-12-13 | 2013-12-03 | Michael C. Stephens, Jr. | Memory devices with serially connected signals for stacked arrangements |
US9171597B2 (en) | 2013-08-30 | 2015-10-27 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for providing strobe signals to memories |
US9524013B2 (en) * | 2014-04-16 | 2016-12-20 | International Business Machines Corporation | System interconnect dynamic scaling by lane width and operating frequency balancing |
KR102192546B1 (ko) | 2014-04-22 | 2020-12-18 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 메모리 장치 |
US9652415B2 (en) * | 2014-07-09 | 2017-05-16 | Sandisk Technologies Llc | Atomic non-volatile memory data transfer |
US9904621B2 (en) | 2014-07-15 | 2018-02-27 | Sandisk Technologies Llc | Methods and systems for flash buffer sizing |
US9645744B2 (en) | 2014-07-22 | 2017-05-09 | Sandisk Technologies Llc | Suspending and resuming non-volatile memory operations |
US9558139B2 (en) | 2014-08-18 | 2017-01-31 | International Business Machines Corporation | System interconnect dynamic scaling handshake using spare bit-lane |
US9436397B2 (en) | 2014-09-23 | 2016-09-06 | Sandisk Technologies Llc. | Validating the status of memory operations |
US9558125B2 (en) | 2014-10-27 | 2017-01-31 | Sandisk Technologies Llc | Processing of un-map commands to enhance performance and endurance of a storage device |
US9952978B2 (en) | 2014-10-27 | 2018-04-24 | Sandisk Technologies, Llc | Method for improving mixed random performance in low queue depth workloads |
US9753649B2 (en) | 2014-10-27 | 2017-09-05 | Sandisk Technologies Llc | Tracking intermix of writes and un-map commands across power cycles |
US9817752B2 (en) | 2014-11-21 | 2017-11-14 | Sandisk Technologies Llc | Data integrity enhancement to protect against returning old versions of data |
US9824007B2 (en) | 2014-11-21 | 2017-11-21 | Sandisk Technologies Llc | Data integrity enhancement to protect against returning old versions of data |
US9842633B2 (en) * | 2014-12-11 | 2017-12-12 | Micron Technology, Inc. | Tracking and correction of timing signals |
US9647697B2 (en) | 2015-03-16 | 2017-05-09 | Sandisk Technologies Llc | Method and system for determining soft information offsets |
US9645765B2 (en) | 2015-04-09 | 2017-05-09 | Sandisk Technologies Llc | Reading and writing data at multiple, individual non-volatile memory portions in response to data transfer sent to single relative memory address |
US9864545B2 (en) | 2015-04-14 | 2018-01-09 | Sandisk Technologies Llc | Open erase block read automation |
US9753653B2 (en) | 2015-04-14 | 2017-09-05 | Sandisk Technologies Llc | High-priority NAND operations management |
US10372529B2 (en) | 2015-04-20 | 2019-08-06 | Sandisk Technologies Llc | Iterative soft information correction and decoding |
US9778878B2 (en) | 2015-04-22 | 2017-10-03 | Sandisk Technologies Llc | Method and system for limiting write command execution |
US9685219B2 (en) | 2015-05-13 | 2017-06-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor memory device for deconcentrating refresh commands and system including the same |
US9870149B2 (en) | 2015-07-08 | 2018-01-16 | Sandisk Technologies Llc | Scheduling operations in non-volatile memory devices using preference values |
JP6533576B2 (ja) * | 2015-07-13 | 2019-06-19 | 富士フイルム株式会社 | パターン構造の処理方法、電子デバイスの製造方法およびパターン構造の倒壊抑制用処理液 |
US9715939B2 (en) | 2015-08-10 | 2017-07-25 | Sandisk Technologies Llc | Low read data storage management |
US10228990B2 (en) | 2015-11-12 | 2019-03-12 | Sandisk Technologies Llc | Variable-term error metrics adjustment |
US10126970B2 (en) | 2015-12-11 | 2018-11-13 | Sandisk Technologies Llc | Paired metablocks in non-volatile storage device |
US9837146B2 (en) | 2016-01-08 | 2017-12-05 | Sandisk Technologies Llc | Memory system temperature management |
US10732856B2 (en) | 2016-03-03 | 2020-08-04 | Sandisk Technologies Llc | Erase health metric to rank memory portions |
US10481830B2 (en) | 2016-07-25 | 2019-11-19 | Sandisk Technologies Llc | Selectively throttling host reads for read disturbs in non-volatile memory system |
US10067689B1 (en) * | 2016-08-29 | 2018-09-04 | Cadence Design Systems, Inc. | Method and apparatus for high bandwidth memory read and write data path training |
US10381327B2 (en) | 2016-10-06 | 2019-08-13 | Sandisk Technologies Llc | Non-volatile memory system with wide I/O memory die |
JP6395919B1 (ja) * | 2017-12-13 | 2018-09-26 | ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション | 半導体記憶装置 |
KR102639154B1 (ko) * | 2018-04-16 | 2024-02-22 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 장치 및 이의 동작 방법 |
US10388362B1 (en) * | 2018-05-08 | 2019-08-20 | Micron Technology, Inc. | Half-width, double pumped data path |
US10659215B1 (en) * | 2018-09-19 | 2020-05-19 | Xilinx, Inc. | Training and tracking of DDR memory interface strobe timing |
TWI682404B (zh) * | 2018-10-12 | 2020-01-11 | 新唐科技股份有限公司 | 時序校正系統及其方法 |
CN113728385A (zh) * | 2019-05-24 | 2021-11-30 | 英特尔公司 | 针对存储器设备的芯片选择信号读取操作的训练 |
KR102331023B1 (ko) | 2020-03-06 | 2021-11-26 | 주식회사 더가든오브내추럴솔루션 | 까마귀쪽나무 잎 추출물 또는 이로부터 분리된 화합물을 유효성분으로 함유하는 항산화 및 항염증용 화장료 조성물 |
JP7190230B1 (ja) * | 2022-07-05 | 2022-12-15 | ウルトラメモリ株式会社 | 半導体装置 |
US20240312511A1 (en) * | 2023-03-14 | 2024-09-19 | Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation | Stacked memory with a timing adjustment function |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW498202B (en) * | 2000-01-04 | 2002-08-11 | Via Tech Inc | Feedback structure adaptable to different memory module load |
CN1507629A (zh) * | 2001-03-13 | 2004-06-23 | 用于读取数据的系统延迟均衡法 | |
US7107424B1 (en) * | 2004-03-25 | 2006-09-12 | Emc Corporation | Memory read strobe pulse optimization training system |
CN1832165A (zh) * | 2004-12-10 | 2006-09-13 | 因芬尼昂技术股份公司 | 双列存储器模块的堆叠式dram存储器芯片 |
US20060273455A1 (en) * | 2005-06-01 | 2006-12-07 | Intel Corporation | Electronic packaging including die with through silicon via |
Family Cites Families (135)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5263032A (en) | 1991-06-27 | 1993-11-16 | Digital Equipment Corporation | Computer system operation with corrected read data function |
US5179303A (en) | 1991-10-24 | 1993-01-12 | Northern Telecom Limited | Signal delay apparatus employing a phase locked loop |
JPH05265872A (ja) | 1992-03-17 | 1993-10-15 | Fujitsu Ltd | アクセス制御回路 |
US5748914A (en) * | 1995-10-19 | 1998-05-05 | Rambus, Inc. | Protocol for communication with dynamic memory |
JP3691170B2 (ja) * | 1996-08-30 | 2005-08-31 | 株式会社ルネサステクノロジ | テスト回路 |
US5774475A (en) | 1996-12-05 | 1998-06-30 | National Semiconductor Corporation | Testing scheme that re-uses original stimulus for testing circuitry embedded within a larger circuit |
US6551857B2 (en) | 1997-04-04 | 2003-04-22 | Elm Technology Corporation | Three dimensional structure integrated circuits |
US6247138B1 (en) | 1997-06-12 | 2001-06-12 | Fujitsu Limited | Timing signal generating circuit, semiconductor integrated circuit device and semiconductor integrated circuit system to which the timing signal generating circuit is applied, and signal transmission system |
US6191999B1 (en) * | 1997-06-20 | 2001-02-20 | Fujitsu Limited | Semiconductor memory device with reduced power consumption |
US6020760A (en) | 1997-07-16 | 2000-02-01 | Altera Corporation | I/O buffer circuit with pin multiplexing |
JP3270367B2 (ja) | 1997-09-29 | 2002-04-02 | エヌイーシーフィールディング株式会社 | 半導体記憶装置 |
JPH11213666A (ja) * | 1998-01-30 | 1999-08-06 | Mitsubishi Electric Corp | 出力回路および同期型半導体記憶装置 |
US5982684A (en) | 1998-05-28 | 1999-11-09 | Intel Corporation | Parallel access testing of a memory array |
TW440767B (en) | 1998-06-02 | 2001-06-16 | Fujitsu Ltd | Method of and apparatus for correctly transmitting signals at high speed without waveform distortion |
US6181616B1 (en) | 1998-09-03 | 2001-01-30 | Micron Technology, Inc. | Circuits and systems for realigning data output by semiconductor testers to packet-based devices under test |
US6177807B1 (en) * | 1999-05-28 | 2001-01-23 | International Business Machines Corporation | High frequency valid data strobe |
US6401213B1 (en) | 1999-07-09 | 2002-06-04 | Micron Technology, Inc. | Timing circuit for high speed memory |
JP4216415B2 (ja) | 1999-08-31 | 2009-01-28 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置 |
JP4342654B2 (ja) | 1999-10-12 | 2009-10-14 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 遅延回路および半導体集積回路 |
JP2001236797A (ja) * | 1999-12-17 | 2001-08-31 | Fujitsu Ltd | 自己試験回路及びそれを内蔵するメモリデバイス |
JP2001195899A (ja) * | 2000-01-06 | 2001-07-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
TW587252B (en) | 2000-01-18 | 2004-05-11 | Hitachi Ltd | Semiconductor memory device and data processing device |
DE10002130A1 (de) | 2000-01-19 | 2001-08-02 | Infineon Technologies Ag | Verfahren und Vorrichtung zum wechselweisen Betreiben eines Schreib-Lese-Speichers im Ein-Speicher-Betriebsmodus und im verschränkten Mehr-Speicher-Betriebsmodus |
US6745275B2 (en) | 2000-01-25 | 2004-06-01 | Via Technologies, Inc. | Feedback system for accomodating different memory module loading |
US6329859B1 (en) | 2000-03-23 | 2001-12-11 | Bitblitz Communications, Inc. | N-way circular phase interpolator for generating a signal having arbitrary phase |
US7168005B2 (en) * | 2000-09-14 | 2007-01-23 | Cadence Design Systems, Inc. | Programable multi-port memory BIST with compact microcode |
US20030120858A1 (en) | 2000-09-15 | 2003-06-26 | Matrix Semiconductor, Inc. | Memory devices and methods for use therewith |
US6574626B1 (en) * | 2000-09-29 | 2003-06-03 | Agilent Technologies, Inc. | Method and apparatus for administration of extended memory |
JP4056213B2 (ja) | 2000-11-06 | 2008-03-05 | 日本電気株式会社 | 位相差信号発生回路並びにこれを用いた多相クロック発生回路及び集積回路 |
US20020154633A1 (en) | 2000-11-22 | 2002-10-24 | Yeshik Shin | Communications architecture for storage-based devices |
US6418068B1 (en) | 2001-01-19 | 2002-07-09 | Hewlett-Packard Co. | Self-healing memory |
US20020100231A1 (en) | 2001-01-26 | 2002-08-01 | Miller Robert J. | Textured laminate flooring |
US6714476B2 (en) * | 2001-02-15 | 2004-03-30 | Ibm Corporation | Memory array with dual wordline operation |
TW483258B (en) | 2001-02-22 | 2002-04-11 | Realtek Semiconductor Corp | Phase interpolating circuit and the apparatus composed of phase interpolating circuits for generating phase interpolating signal |
US6417695B1 (en) | 2001-03-15 | 2002-07-09 | Micron Technology, Inc. | Antifuse reroute of dies |
JP2003014819A (ja) | 2001-07-03 | 2003-01-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体配線基板,半導体デバイス,半導体デバイスのテスト方法及びその実装方法 |
JP4437519B2 (ja) | 2001-08-23 | 2010-03-24 | スパンション エルエルシー | 多値セルメモリ用のメモリコントローラ |
US6938133B2 (en) * | 2001-09-28 | 2005-08-30 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Memory latency and bandwidth optimizations |
US6889334B1 (en) | 2001-10-02 | 2005-05-03 | Advanced Micro Devices, Inc. | Multimode system for calibrating a data strobe delay for a memory read operation |
DE10163653A1 (de) * | 2001-12-21 | 2003-07-03 | Bosch Gmbh Robert | Vorrichtung für ein Radarsystem |
US7203259B2 (en) | 2002-01-02 | 2007-04-10 | Intel Corporation | Phase interpolator |
US7197101B2 (en) | 2002-01-02 | 2007-03-27 | Intel Corporation | Phase interpolator based clock recovering |
US6650157B2 (en) | 2002-01-11 | 2003-11-18 | Sun Microsystems, Inc. | Using a push/pull buffer to improve delay locked loop performance |
JP4004811B2 (ja) * | 2002-02-06 | 2007-11-07 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2003303139A (ja) | 2002-04-09 | 2003-10-24 | Nec Corp | 冗長メモリモジュールおよびメモリコントローラ |
US7171596B2 (en) | 2002-09-11 | 2007-01-30 | Infineon Technologies Ag | Circuit and method for testing embedded DRAM circuits through direct access mode |
US7035150B2 (en) * | 2002-10-31 | 2006-04-25 | Infineon Technologies Ag | Memory device with column select being variably delayed |
US20040098545A1 (en) | 2002-11-15 | 2004-05-20 | Pline Steven L. | Transferring data in selectable transfer modes |
JP4274811B2 (ja) | 2003-02-17 | 2009-06-10 | 株式会社ルネサステクノロジ | 同期型半導体記憶装置 |
JP4291596B2 (ja) * | 2003-02-26 | 2009-07-08 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体集積回路の試験装置およびそれを用いた半導体集積回路の製造方法 |
JP4419049B2 (ja) | 2003-04-21 | 2010-02-24 | エルピーダメモリ株式会社 | メモリモジュール及びメモリシステム |
US7184916B2 (en) * | 2003-05-20 | 2007-02-27 | Cray Inc. | Apparatus and method for testing memory cards |
JP4627411B2 (ja) | 2003-05-20 | 2011-02-09 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | メモリ装置及びメモリのエラー訂正方法 |
US7447950B2 (en) | 2003-05-20 | 2008-11-04 | Nec Electronics Corporation | Memory device and memory error correction method |
US7061273B2 (en) * | 2003-06-06 | 2006-06-13 | Rambus Inc. | Method and apparatus for multi-mode driver |
TWI252494B (en) | 2003-06-11 | 2006-04-01 | Samsung Electronics Co Ltd | Memory system with reduced pin count |
JP2005025827A (ja) | 2003-06-30 | 2005-01-27 | Toshiba Corp | 半導体集積回路装置およびそのエラー検知訂正方法 |
JP2005033958A (ja) | 2003-07-10 | 2005-02-03 | Fuji Electric Fa Components & Systems Co Ltd | 直流電動機の速度制御装置 |
US7323917B2 (en) | 2003-09-15 | 2008-01-29 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for synthesizing a clock signal having a frequency near the frequency of a source clock signal |
US20050071707A1 (en) | 2003-09-30 | 2005-03-31 | Hampel Craig E. | Integrated circuit with bi-modal data strobe |
WO2005043384A1 (en) * | 2003-10-24 | 2005-05-12 | Microchip Technology Incorporated | Method and system for fast access to stack memory |
US7009872B2 (en) | 2003-12-22 | 2006-03-07 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | MRAM storage device |
JP2005191083A (ja) | 2003-12-24 | 2005-07-14 | Fujitsu Ltd | 半導体集積回路および半導体集積回路の配線評価方法 |
US7243489B2 (en) | 2004-01-13 | 2007-07-17 | Arvin Technologies, Inc. | Method and apparatus for monitoring engine performance as a function of soot accumulation in a filter |
KR20050079563A (ko) | 2004-02-06 | 2005-08-10 | 삼성전자주식회사 | 응답 지연 시간을 단축시킨 버스 시스템 |
JP4451189B2 (ja) | 2004-04-05 | 2010-04-14 | 株式会社アドバンテスト | 試験装置、位相調整方法、及びメモリコントローラ |
JP2005353168A (ja) | 2004-06-10 | 2005-12-22 | Canon Inc | メモリインターフェース回路及びメモリインターフェース方法 |
GB0413071D0 (en) | 2004-06-12 | 2004-07-14 | Texas Instruments Ltd | Triangulating phase interpolator |
US20050289435A1 (en) | 2004-06-29 | 2005-12-29 | Mulla Dean A | Fast approximate DINV calculation in parallel with coupled ECC generation or correction |
KR100630343B1 (ko) | 2004-07-14 | 2006-09-29 | 삼성전자주식회사 | 아날로그 위상 보간 기술을 이용한 클록 데이터 복원 회로및 그 동작 방법 |
US7330370B2 (en) | 2004-07-20 | 2008-02-12 | Unity Semiconductor Corporation | Enhanced functionality in a two-terminal memory array |
US7389375B2 (en) * | 2004-07-30 | 2008-06-17 | International Business Machines Corporation | System, method and storage medium for a multi-mode memory buffer device |
US7539800B2 (en) | 2004-07-30 | 2009-05-26 | International Business Machines Corporation | System, method and storage medium for providing segment level sparing |
EP1635261B1 (en) | 2004-09-10 | 2008-06-11 | STMicroelectronics S.r.l. | Memory with embedded error correction code circuit |
JP4444770B2 (ja) | 2004-09-14 | 2010-03-31 | シャープ株式会社 | メモリ装置 |
US7135905B2 (en) | 2004-10-12 | 2006-11-14 | Broadcom Corporation | High speed clock and data recovery system |
US7464241B2 (en) | 2004-11-22 | 2008-12-09 | Intel Corporation | Memory transaction burst operation and memory components supporting temporally multiplexed error correction coding |
JP2008054696A (ja) | 2004-12-13 | 2008-03-13 | Data Art:Kk | ビデオスロットマシンの操作液晶ボタン |
EP1708021A1 (en) | 2005-03-30 | 2006-10-04 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | Thermal processing method of silver salt photothermographic dry imaging material |
JP2006277872A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Elpida Memory Inc | 半導体記憶装置及びそのテスト方法 |
JP4309368B2 (ja) | 2005-03-30 | 2009-08-05 | エルピーダメモリ株式会社 | 半導体記憶装置 |
US7205811B2 (en) | 2005-03-31 | 2007-04-17 | Agere Systems Inc. | Methods and apparatus for maintaining desired slope of clock edges in a phase interpolator using an adjustable bias |
US7296195B2 (en) * | 2005-05-02 | 2007-11-13 | Credence Systems Corporation | Bit synchronization for high-speed serial device testing |
TWI289851B (en) | 2005-05-04 | 2007-11-11 | Univ Tsinghua | Semiconductor memory and method of correcting errors for the same |
US8619452B2 (en) | 2005-09-02 | 2013-12-31 | Google Inc. | Methods and apparatus of stacking DRAMs |
US7631245B2 (en) | 2005-09-26 | 2009-12-08 | Sandisk Il Ltd. | NAND flash memory controller exporting a NAND interface |
US7464225B2 (en) | 2005-09-26 | 2008-12-09 | Rambus Inc. | Memory module including a plurality of integrated circuit memory devices and a plurality of buffer devices in a matrix topology |
US7562271B2 (en) | 2005-09-26 | 2009-07-14 | Rambus Inc. | Memory system topologies including a buffer device and an integrated circuit memory device |
JP4790386B2 (ja) | 2005-11-18 | 2011-10-12 | エルピーダメモリ株式会社 | 積層メモリ |
US7802169B2 (en) | 2005-12-12 | 2010-09-21 | Mediatek Inc. | Error correction devices and correction methods |
US20070153951A1 (en) | 2005-12-29 | 2007-07-05 | Lim Chee H | Phase interpolation for phase-locked loops |
WO2007095080A2 (en) * | 2006-02-09 | 2007-08-23 | Metaram, Inc. | Memory circuit system and method |
JP4828251B2 (ja) | 2006-02-22 | 2011-11-30 | エルピーダメモリ株式会社 | 積層型半導体記憶装置及びその制御方法 |
US8185711B2 (en) * | 2006-05-16 | 2012-05-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory module, a memory system including a memory controller and a memory module and methods thereof |
JP4267002B2 (ja) * | 2006-06-08 | 2009-05-27 | エルピーダメモリ株式会社 | コントローラ及びメモリを備えるシステム |
EP2487794A3 (en) | 2006-08-22 | 2013-02-13 | Mosaid Technologies Incorporated | Modular command structure for memory and memory system |
JP4245180B2 (ja) | 2006-10-30 | 2009-03-25 | エルピーダメモリ株式会社 | 積層メモリ |
US7694031B2 (en) | 2006-10-31 | 2010-04-06 | Globalfoundries Inc. | Memory controller including a dual-mode memory interconnect |
JP2008140220A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Nec Corp | 半導体装置 |
WO2008076790A2 (en) * | 2006-12-14 | 2008-06-26 | Rambus Inc. | Multi-die memory device |
US8110899B2 (en) | 2006-12-20 | 2012-02-07 | Intel Corporation | Method for incorporating existing silicon die into 3D integrated stack |
US8737451B2 (en) | 2007-03-09 | 2014-05-27 | Qualcomm Incorporated | MMSE MUD in 1x mobiles |
US7984355B2 (en) | 2007-04-09 | 2011-07-19 | Qimonda Ag | Memory module with ranks of memory chips |
US8427891B2 (en) | 2007-04-17 | 2013-04-23 | Rambus Inc. | Hybrid volatile and non-volatile memory device with a shared interface circuit |
US20080270842A1 (en) | 2007-04-26 | 2008-10-30 | Jenchang Ho | Computer operating system handling of severe hardware errors |
WO2008149981A1 (ja) | 2007-06-08 | 2008-12-11 | Nec Corporation | 変調装置及びパルス波生成装置 |
US7921264B2 (en) | 2007-06-27 | 2011-04-05 | International Business Machines Corporation | Dual-mode memory chip for high capacity memory subsystem |
US20090016130A1 (en) * | 2007-07-12 | 2009-01-15 | Manfred Menke | Memory device and method of testing a memory device |
US7688652B2 (en) | 2007-07-18 | 2010-03-30 | Mosaid Technologies Incorporated | Storage of data in memory via packet strobing |
US8356138B1 (en) | 2007-08-20 | 2013-01-15 | Xilinx, Inc. | Methods for implementing programmable memory controller for distributed DRAM system-in-package (SiP) |
US20090091968A1 (en) | 2007-10-08 | 2009-04-09 | Stefan Dietrich | Integrated circuit including a memory having a data inversion circuit |
US8793525B2 (en) | 2007-10-22 | 2014-07-29 | Rambus Inc. | Low-power source-synchronous signaling |
KR101396366B1 (ko) | 2007-10-22 | 2014-05-20 | 삼성전자주식회사 | 선형 디지털 위상 보간기 및 이를 구비하는 세미 디지털지연동기루프 |
US8175207B2 (en) | 2007-12-12 | 2012-05-08 | Applied Micro Circuits Corporation | ISI pattern-weighted early-late phase detector with jitter correction |
US20090196093A1 (en) | 2008-01-31 | 2009-08-06 | Qimonda Ag | Stacked die memory |
US7924637B2 (en) | 2008-03-31 | 2011-04-12 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for training dynamic random access memory (DRAM) controller timing delays |
US9252758B2 (en) | 2008-04-08 | 2016-02-02 | Realtek Semiconductor Corporation | Multi-phase phase interpolator |
US8521979B2 (en) | 2008-05-29 | 2013-08-27 | Micron Technology, Inc. | Memory systems and methods for controlling the timing of receiving read data |
US7979757B2 (en) | 2008-06-03 | 2011-07-12 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for testing high capacity/high bandwidth memory devices |
US7710144B2 (en) * | 2008-07-01 | 2010-05-04 | International Business Machines Corporation | Controlling for variable impedance and voltage in a memory system |
US7855931B2 (en) | 2008-07-21 | 2010-12-21 | Micron Technology, Inc. | Memory system and method using stacked memory device dice, and system using the memory system |
US8289760B2 (en) * | 2008-07-02 | 2012-10-16 | Micron Technology, Inc. | Multi-mode memory device and method having stacked memory dice, a logic die and a command processing circuit and operating in direct and indirect modes |
US8756486B2 (en) * | 2008-07-02 | 2014-06-17 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for repairing high capacity/high bandwidth memory devices |
US8103928B2 (en) | 2008-08-04 | 2012-01-24 | Micron Technology, Inc. | Multiple device apparatus, systems, and methods |
US8127204B2 (en) | 2008-08-15 | 2012-02-28 | Micron Technology, Inc. | Memory system and method using a memory device die stacked with a logic die using data encoding, and system using the memory system |
US7872936B2 (en) | 2008-09-17 | 2011-01-18 | Qimonda Ag | System and method for packaged memory |
KR20100037427A (ko) | 2008-10-01 | 2010-04-09 | 삼성전자주식회사 | Ac 커플링 위상 보간기 및 이 장치를 이용하는 지연 고정루프 |
KR20100072704A (ko) | 2008-12-22 | 2010-07-01 | 삼성전자주식회사 | 칼럼 어드레스 스트로브 기입 레이턴시에 의해 제어되는 지연동기 루프 회로 |
TWI420818B (zh) | 2009-03-10 | 2013-12-21 | Realtek Semiconductor Corp | 避免在相位內插電路中時鐘切換造成脈衝的方法及裝置 |
US8063683B2 (en) | 2009-06-08 | 2011-11-22 | Integrated Device Technology, Inc. | Low power clock and data recovery phase interpolator |
US8258837B2 (en) | 2009-12-17 | 2012-09-04 | Intel Corporation | Controlled clock phase generation |
KR101079209B1 (ko) | 2010-04-28 | 2011-11-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 시스템의 데이터 송수신 장치 및 방법 |
JPWO2012060097A1 (ja) | 2010-11-02 | 2014-05-12 | 日本電気株式会社 | メモリモジュールおよびメモリシステム |
US8400808B2 (en) | 2010-12-16 | 2013-03-19 | Micron Technology, Inc. | Phase interpolators and push-pull buffers |
US9171597B2 (en) | 2013-08-30 | 2015-10-27 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for providing strobe signals to memories |
-
2008
- 2008-07-21 US US12/176,951 patent/US7855931B2/en active Active
-
2009
- 2009-07-09 EP EP09800787.5A patent/EP2319044B1/en active Active
- 2009-07-09 KR KR1020117001535A patent/KR101288179B1/ko active IP Right Grant
- 2009-07-09 WO PCT/US2009/050155 patent/WO2010011503A2/en active Application Filing
- 2009-07-09 KR KR1020137010171A patent/KR101364348B1/ko active IP Right Grant
- 2009-07-09 CN CN200980128341.4A patent/CN102099861B/zh active Active
- 2009-07-09 JP JP2011520079A patent/JP5413690B2/ja active Active
- 2009-07-21 TW TW098124606A patent/TWI426512B/zh active
-
2010
- 2010-12-06 US US12/961,291 patent/US8010866B2/en active Active
-
2011
- 2011-08-12 US US13/209,273 patent/US8533416B2/en active Active
-
2013
- 2013-08-26 US US14/010,159 patent/US8793460B2/en active Active
-
2014
- 2014-07-24 US US14/339,680 patent/US9275698B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW498202B (en) * | 2000-01-04 | 2002-08-11 | Via Tech Inc | Feedback structure adaptable to different memory module load |
CN1507629A (zh) * | 2001-03-13 | 2004-06-23 | 用于读取数据的系统延迟均衡法 | |
US7107424B1 (en) * | 2004-03-25 | 2006-09-12 | Emc Corporation | Memory read strobe pulse optimization training system |
CN1832165A (zh) * | 2004-12-10 | 2006-09-13 | 因芬尼昂技术股份公司 | 双列存储器模块的堆叠式dram存储器芯片 |
US20060273455A1 (en) * | 2005-06-01 | 2006-12-07 | Intel Corporation | Electronic packaging including die with through silicon via |
Cited By (53)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104025194A (zh) * | 2011-11-25 | 2014-09-03 | 考文森智财管理公司 | 使用堆叠式存储器装置裸片的存储器系统和方法 |
US9767923B2 (en) | 2012-11-19 | 2017-09-19 | Silicon Storage Technology, Inc. | Three-dimensional flash memory system |
CN104823242B (zh) * | 2012-11-19 | 2018-09-14 | 硅存储技术公司 | 三维闪存存储器系统 |
CN104823242A (zh) * | 2012-11-19 | 2015-08-05 | 硅存储技术公司 | 三维闪存存储器系统 |
CN110083556B (zh) * | 2013-01-07 | 2023-01-13 | 美光科技公司 | 电力管理 |
CN110083556A (zh) * | 2013-01-07 | 2019-08-02 | 美光科技公司 | 电力管理 |
CN109599134B (zh) * | 2013-03-15 | 2022-12-13 | 美光科技公司 | 具有控制器及存储器堆叠的灵活存储器系统 |
CN109599134A (zh) * | 2013-03-15 | 2019-04-09 | 美光科技公司 | 具有控制器及存储器堆叠的灵活存储器系统 |
CN113360428A (zh) * | 2013-05-16 | 2021-09-07 | 超威半导体公司 | 具有指定区域存储器访问调度的存储器系统 |
CN107077439A (zh) * | 2014-10-21 | 2017-08-18 | 赛灵思公司 | 存储器控制装置中输出延迟的动态选择 |
CN107077439B (zh) * | 2014-10-21 | 2018-09-14 | 赛灵思公司 | 存储器控制装置中输出延迟的动态选择 |
CN105868148B (zh) * | 2015-02-10 | 2020-10-23 | 恩智浦美国有限公司 | 可重构的串行和脉冲宽度调制接口 |
CN105868148A (zh) * | 2015-02-10 | 2016-08-17 | 飞思卡尔半导体公司 | 可重构的串行和脉冲宽度调制接口 |
CN112992217B (zh) * | 2015-04-08 | 2024-08-02 | 三星电子株式会社 | 在多芯片封装中使用温度偏差来控制操作的存储器器件 |
CN112992217A (zh) * | 2015-04-08 | 2021-06-18 | 三星电子株式会社 | 在多芯片封装中使用温度偏差来控制操作的存储器器件 |
CN108062964A (zh) * | 2016-11-07 | 2018-05-22 | 爱思开海力士有限公司 | 存储器件及包括该存储器件的半导体封装体 |
CN108062964B (zh) * | 2016-11-07 | 2021-06-08 | 爱思开海力士有限公司 | 存储器件及包括该存储器件的半导体封装体 |
CN108376552A (zh) * | 2017-01-31 | 2018-08-07 | 爱思开海力士有限公司 | 集成电路 |
CN108376552B (zh) * | 2017-01-31 | 2021-08-06 | 爱思开海力士有限公司 | 集成电路 |
CN108632552B (zh) * | 2017-03-24 | 2020-12-29 | 佳能株式会社 | 记录装置、控制方法和存储介质 |
CN108632552A (zh) * | 2017-03-24 | 2018-10-09 | 佳能株式会社 | 记录装置、控制方法和存储介质 |
CN110383258A (zh) * | 2017-04-05 | 2019-10-25 | 美光科技公司 | 存储器装置环回系统及方法 |
CN111149162A (zh) * | 2017-08-22 | 2020-05-12 | 美光科技公司 | 半导体存储器装置 |
CN111149162B (zh) * | 2017-08-22 | 2023-10-31 | 美光科技公司 | 半导体存储器装置 |
CN109508307B (zh) * | 2017-09-14 | 2024-01-05 | 三星电子株式会社 | 高带宽存储系统 |
US11893239B2 (en) | 2017-09-14 | 2024-02-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Quasi-synchronous protocol for large bandwidth memory systems |
CN109508307A (zh) * | 2017-09-14 | 2019-03-22 | 三星电子株式会社 | 高带宽存储系统 |
CN109599141A (zh) * | 2017-10-02 | 2019-04-09 | 美光科技公司 | 以堆叠存储器裸片传送数据的方法和设备 |
US11610613B2 (en) | 2017-10-02 | 2023-03-21 | Micron Technology, Inc. | Multiple concurrent modulation schemes in a memory system |
US11971820B2 (en) | 2017-10-02 | 2024-04-30 | Lodestar Licensing Group Llc | Variable modulation scheme for memory device access or operation |
CN109599139A (zh) * | 2017-10-02 | 2019-04-09 | 美光科技公司 | 存储器系统中的多个同时调制方案 |
CN109599138A (zh) * | 2017-10-02 | 2019-04-09 | 美光科技公司 | 用于存储器装置存取或操作的可变调制方案 |
US11775460B2 (en) | 2017-10-02 | 2023-10-03 | Micron Technology, Inc. | Communicating data with stacked memory dies |
CN109599139B (zh) * | 2017-10-02 | 2023-09-08 | 美光科技公司 | 存储器系统中的多个同时调制方案 |
CN109599138B (zh) * | 2017-10-02 | 2023-08-29 | 美光科技公司 | 用于存储器装置存取或操作的可变调制方案 |
CN109599141B (zh) * | 2017-10-02 | 2023-08-08 | 美光科技公司 | 以堆叠存储器裸片传送数据的方法和设备 |
US11763855B2 (en) | 2018-03-28 | 2023-09-19 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatuses for aligning read data in a stacked semiconductor device |
CN111512372A (zh) * | 2018-03-28 | 2020-08-07 | 美光科技公司 | 用于在堆叠半导体装置中对准读取数据的方法及设备 |
CN111512372B (zh) * | 2018-03-28 | 2023-12-15 | 美光科技公司 | 用于在堆叠半导体装置中对准读取数据的方法及设备 |
CN110659164A (zh) * | 2018-06-28 | 2020-01-07 | 美光科技公司 | 调试半导体装置的方法及系统 |
CN112912956B (zh) * | 2018-10-26 | 2024-05-10 | 美光科技公司 | 存储器装置中的写入训练 |
CN112912956A (zh) * | 2018-10-26 | 2021-06-04 | 美光科技公司 | 存储器装置中的写入训练 |
CN113302696A (zh) * | 2019-02-04 | 2021-08-24 | 美光科技公司 | 具有多通道的高带宽存储器 |
CN113366570B (zh) * | 2019-02-25 | 2024-04-09 | 美光科技公司 | 用于组合式存取操作的堆叠的存储器裸片 |
CN113366570A (zh) * | 2019-02-25 | 2021-09-07 | 美光科技公司 | 用于组合式存取操作的堆叠的存储器裸片 |
CN112185442A (zh) * | 2019-07-03 | 2021-01-05 | 美光科技公司 | 具有可编程裸片刷新错开的存储器 |
CN112185442B (zh) * | 2019-07-03 | 2024-06-04 | 美光科技公司 | 具有可编程裸片刷新错开的存储器 |
CN112397108A (zh) * | 2019-08-19 | 2021-02-23 | 美光科技公司 | 具有分布式列存取的高处理量dram |
CN114341772B (zh) * | 2019-08-23 | 2024-04-09 | 美光科技公司 | 半导体存储器中的功率管理 |
CN114341772A (zh) * | 2019-08-23 | 2022-04-12 | 美光科技公司 | 半导体存储器中的功率管理 |
CN113764001A (zh) * | 2020-06-03 | 2021-12-07 | 西部数据技术公司 | 集成存储器组合件中的峰值功率控制 |
CN114064530A (zh) * | 2020-08-05 | 2022-02-18 | 钰创科技股份有限公司 | 存储系统、存储控制器和存储芯片 |
CN114064530B (zh) * | 2020-08-05 | 2024-07-02 | 钰创科技股份有限公司 | 存储系统、存储控制器和存储芯片 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110296227A1 (en) | 2011-12-01 |
WO2010011503A2 (en) | 2010-01-28 |
CN102099861B (zh) | 2016-06-01 |
EP2319044B1 (en) | 2014-04-16 |
US20100014364A1 (en) | 2010-01-21 |
KR101288179B1 (ko) | 2013-07-19 |
EP2319044A4 (en) | 2011-08-31 |
JP5413690B2 (ja) | 2014-02-12 |
US20130346722A1 (en) | 2013-12-26 |
KR20130050388A (ko) | 2013-05-15 |
US20140337570A1 (en) | 2014-11-13 |
JP2011528837A (ja) | 2011-11-24 |
US8533416B2 (en) | 2013-09-10 |
US8793460B2 (en) | 2014-07-29 |
KR101364348B1 (ko) | 2014-02-18 |
US20110075497A1 (en) | 2011-03-31 |
WO2010011503A3 (en) | 2010-04-15 |
KR20110033234A (ko) | 2011-03-30 |
TW201009835A (en) | 2010-03-01 |
US9275698B2 (en) | 2016-03-01 |
TWI426512B (zh) | 2014-02-11 |
EP2319044A2 (en) | 2011-05-11 |
US7855931B2 (en) | 2010-12-21 |
US8010866B2 (en) | 2011-08-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102099861A (zh) | 使用堆叠式存储器装置裸片的存储器系统及方法以及使用所述存储器系统的系统 | |
US10692555B2 (en) | Semiconductor memory devices enabling read strobe mode and related methods of operating semiconductor memory devices | |
US9396777B1 (en) | Stacked memory device and system | |
US9330741B2 (en) | Semiconductor devices | |
US9754650B2 (en) | Memory device and system supporting command bus training, and operating method thereof | |
US9304532B2 (en) | Receiver circuit for correcting skew, semiconductor apparatus and system including the same | |
US12073914B2 (en) | Memory device, a memory system and an operating method of the memory device | |
US9349488B2 (en) | Semiconductor memory apparatus | |
US9330034B2 (en) | Levelization of memory interface for communicating with multiple memory devices | |
US9959230B2 (en) | Data transfer device | |
US20110228627A1 (en) | Double data rate memory device having data selection circuit and data paths | |
US20240212779A1 (en) | Memory system including a sub-controller and operating method of the sub-controller | |
US20230368855A1 (en) | Memory device, system and method employing multiphase clock | |
US11816352B2 (en) | Electronic device, data strobe gate signal generator circuit and data strobe gate signal generating method | |
CN115938420A (zh) | 存储器装置、具有存储器装置的存储器系统及其操作方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |