JP4267002B2 - コントローラ及びメモリを備えるシステム - Google Patents

コントローラ及びメモリを備えるシステム Download PDF

Info

Publication number
JP4267002B2
JP4267002B2 JP2006160204A JP2006160204A JP4267002B2 JP 4267002 B2 JP4267002 B2 JP 4267002B2 JP 2006160204 A JP2006160204 A JP 2006160204A JP 2006160204 A JP2006160204 A JP 2006160204A JP 4267002 B2 JP4267002 B2 JP 4267002B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
signal
data strobe
data
strobe signal
memory
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2006160204A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2007328636A (ja
Inventor
淳生 越塚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Micron Memory Japan Ltd
Original Assignee
Elpida Memory Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=38861396&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP4267002(B2) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Priority to JP2006160204A priority Critical patent/JP4267002B2/ja
Application filed by Elpida Memory Inc filed Critical Elpida Memory Inc
Priority to US11/759,862 priority patent/US7697369B2/en
Priority to TW096120686A priority patent/TWI358732B/zh
Publication of JP2007328636A publication Critical patent/JP2007328636A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4267002B2 publication Critical patent/JP4267002B2/ja
Priority to US12/710,481 priority patent/US7965581B2/en
Priority to US13/149,504 priority patent/US8213258B2/en
Priority to US13/488,602 priority patent/US8379479B2/en
Priority to US13/736,763 priority patent/US8644107B2/en
Priority to US14/170,110 priority patent/US9214205B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/22Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management 
    • G11C7/222Clock generating, synchronizing or distributing circuits within memory device
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1051Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1051Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
    • G11C7/1057Data output buffers, e.g. comprising level conversion circuits, circuits for adapting load
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1051Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
    • G11C7/1066Output synchronization
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1078Data input circuits, e.g. write amplifiers, data input buffers, data input registers, data input level conversion circuits
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1078Data input circuits, e.g. write amplifiers, data input buffers, data input registers, data input level conversion circuits
    • G11C7/1087Data input latches
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1078Data input circuits, e.g. write amplifiers, data input buffers, data input registers, data input level conversion circuits
    • G11C7/1093Input synchronization
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/22Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management 

Landscapes

  • Dram (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)
  • Synchronisation In Digital Transmission Systems (AREA)
  • Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)

Description

本発明は、コントローラ及びメモリを備えるシステムに関し、特に、メモリ−コントローラ間のデータの送受信に関する。
従来、メモリ−コントローラ間におけるデータの送受信に際しては、データ送信主体となる方がクロック信号に同期したデータストローブ信号を内部で生成し、生成したデータストローブ信号と共にそれに同期したデータの送信を行っていた(例えば、特許文献1の0002段落〜0005段落)。
特開2001−110183号公報
前述の従来技術に対して、特許文献1では、データストローブ信号を廃止し、クロック信号そのものにデータの送受信を同期させるシステムを提案している。
本発明は、従来技術とも特許文献1とも更に異なる新たな取り決めに基づいたシステムを提供することを目的とする。
本発明は、上記課題を解決するための手段として、コントローラ及びメモリを備えるシステムであって、
前記コントローラは、データ書込時においては、前記メモリに対してデータストローブ信号を送信すると共に当該データストローブ信号に同期した書込データを送信し、データ読出時においては、前記メモリに対してデータストローブ信号を送信する一方、前記メモリから送信された読出データストローブ信号を受信し、且つ、当該読出データストローブ信号に基づいて同期をとりながら前記メモリから送信された読出データを受信するものであり、
前記メモリは、データ書込時においては、前記コントローラからの前記データストローブ信号を受信すると共に該受信したデータストローブ信号に同期させるようにして前記書込みデータを受信し、データ読出時においては、前記コントローラから受信した前記データストローブ信号に同期させるようにして前記読出データを送信すると共に、当該受信したデータストローブ信号を前記読出データストローブ信号として前記コントローラに送信する、
システムを提供する。
本発明によるシステムでは、メモリに対するデータ書込時及びメモリからのデータ読出時のいずれにおいても、コントローラから出力されるデータストローブ信号に基づいたデータ送受信が行われる。従って、メモリ側では、データ書込時は勿論のこと、データ読出時においても、コントローラから入力されたデータストローブ信号を用いてデータ送信を行うこととなり、データストローブ信号をクロック信号に同期させる必要もなければクロック信号からデータストローブ信号を自前で生成する必要もない。
また、上述したシステムにおいては、データストローブ信号をクロック信号から別個独立させることができ、従って、データストローブ信号の周波数をクロック信号とは異なる周波数にすることができるなど、設計上の自由度が向上する。
以下、本発明の実施の形態によるコントローラ及びメモリを備えたシステムについて、図面を参照して詳細に説明する。
(第1の実施の形態)
本発明の第1の実施の形態によるシステムは、図1に示されるように、コントローラ100及びメモリ200を備えるものである。コントローラ100は、メモリ200に対してクロック信号、コマンド信号及びアドレス信号を送信すると共に、メモリ200との間でデータ(DQ)信号の送受信を行うものである。
図1に示されているように、このDQ信号の送受信は、コントローラ100主導の下で行われる。即ち、本実施の形態においては、メモリ200に対するデータ書込時及びメモリ200からのデータ読出時のいずれにおいても、コントローラ100から出力されるデータストローブ信号に基づいたDQ信号の送受信が行われる。詳しくは、データ書込時においては、コントローラ100がメモリ200に対してデータストローブ信号を送信すると共にデータストローブ信号に同期したDQ信号を送信する。メモリ200は、コントローラ100から送信されたデータストローブ信号を受信すると共に当該データストローブ信号に同期させるようにしてDQ信号を受信する。一方、データ読出時においては、まず、コントローラ100がメモリ200に対してデータストローブ信号を送信する。これを受けて、メモリ200は、受信したデータストローブ信号に同期させるようにしてDQ信号を送信すると共に、データストローブ信号を読出データストローブ(RDQS)信号としてコントローラ100に送信する。その後、コントローラ100が、RDQS信号との同期をとりながらDQ信号を受信する。即ち、本実施の形態によれば、データ読出時においては、コントローラ100から出力されたデータストローブ信号が、メモリ200のインタフェース部分を介してループバックされ、コントローラ100側におけるデータ受信用同期信号として用いられる。
かかるシステムによれば、メモリ200における入出力動作は、データ書込時は勿論のこと、データ読出時においても、コントローラ100から入力されたデータストローブ信号のみに支配されることとなり、データの入出力動作をクロック信号から切り離すことができる。そのため、クロック信号から読出データストローブ信号を自前で生成する必要もなければ、読出データストローブ信号をクロック信号に同期させる必要もなくなる。また、データストローブ信号とクロック信号とを互いに異なる周波数とすることも可能となる。
以下、クロック信号の周波数を固定とする一方、データストローブ信号としてクロック信号と異なる周波数の信号を用いることの可能なシステム例について詳細に説明する。
図2に示されるように、本実施の形態におけるコントローラ100は、コマンド/アドレス(C/A)制御回路10、PLL/DLL部20、分周器30、データストローブ信号生成部40、入出力制御回路50、データ同期出力部60、データ同期取込部70を備えている。
C/A制御回路10は、コマンド/アドレス系の回路出力を受けて、内部コマンド信号及び内部アドレス信号を生成するものである。内部コマンド信号及び内部アドレス信号は、それぞれ、バッファを介してコマンド信号及びアドレス信号としてメモリ200に送信される。なお、本実施の形態において、内部コマンド信号は、入出力制御回路50にも入力される。
PLL/DLL部20は、ベースクロック信号に基づき、内部クロック信号及び内部クロック信号の2倍(nは自然数)の周波数を有する信号を生成するものであり、分周器30は、内部クロック信号の2倍(pは負の整数)の周波数を有する信号を生成するものである。即ち、本実施の形態におけるPLL/DLL部20及び分周器30は、内部クロック信号を含み且つ互いに異なる周波数を有する複数の中間クロック信号を生成する中間クロック信号生成部として機能する。但し、本実施の形態における中間クロック信号生成部の出力する各中間クロック信号の周波数は、内部クロック信号の2倍(mは任意の整数)である。なお、内部クロック信号は、図示されたように、コントローラ100側における動作クロックとして機能すると共にメモリ200に対してバッファを介してクロック信号として送信される。
データストローブ信号生成部40は、PLL/DLL部20及び分周器30から複数の中間クロック信号を受けて、そのうちの一つを選択し、選択した中間クロック信号に基づき入出力制御回路50の制御の下で内部データストローブ信号を生成し、バッファを介してデータストローブ信号としてメモリ200に対して出力するものである。なお、本実施の形態においては、内部データストローブ信号は、図示されたように、データ同期出力部60にも入力されている。
入出力制御回路50は、入出力に関わる制御を行うものである。具体的には、入出力制御回路50は、内部コマンド信号を受けて、コマンドがライトコマンドである場合にはデータ同期出力部60を活性化し、コマンドがリードコマンドである場合にはデータ同期取込部を活性化する。また、本実施の形態による入出力制御回路50は、データストローブ信号生成部40に対して、いずれの中間クロック信号に基づいて内部データストローブ信号を生成すべきかを示す周波数選択信号を出力する。本実施の形態におけるデータストローブ信号生成部40は、周波数選択信号が入力されている間のみ活性化されるセレクタであり、入出力制御回路50は、プリアンブルを考慮した所定長のストローブ信号を出力しうるようにデータストローブ信号生成部を活性化させる期間(即ち、周波数選択信号の出力期間)を決定している。また、本実施の形態による入出力制御回路50は、コマンドの内容によりレイテンシ(ライトレーテンシ/リードレイテンシ)を考慮してデータストローブ信号生成部40の活性化開始タイミングを決定する。
データ同期出力部60は、入出力制御回路50の制御により活性化されている間、内部データストローブ信号に同期させるようにして、バッファを介して、出力データをDQ信号としてメモリ200に送信するものである。
一方、データ同期取込部70は、入出力制御回路50の制御により活性化されている間、メモリ200から受信したRDQS信号に同期させるようにして、DQ信号として送信されてきた読出データを取り込むものである。
他方、本実施の形態によるメモリ200は、図3に示されるような構成を備えている。即ち、メモリ200は、コントローラ100との間でDQ信号の送受信を行うデータ入出力(I/O)部210と、データストローブ信号に基づいてデータI/O部の動作を規定する同期信号を生成すると共にデータ読出時においてはデータストローブ信号からRDQS信号を生成するデータI/O同期信号生成部220と、クロック信号を受けて内部クロック信号を生成してコマンド/アドレス系回路等に内部コマンドを供給する内部クロック信号生成部230とを少なくとも備えている。図3から明らかに理解されるように、本実施の形態によるメモリ200における入出力動作は、クロック信号と切り離されており、コントローラ100から受信したデータストローブ信号のみに基づいて行われる。
図4及び図5には、本実施の形態に適用可能なデータI/O同期信号生成部220a,220b及びデータI/O部210の例が示されている。
図4に示される例において、データI/O同期信号生成部220aは、データストローブ信号を受信して入力側同期信号を生成する一方で中間同期信号を生成するバッファと、バッファからの中間同期信号を受けて出力側同期信号を生成すると共にRDQS信号を生成する出力同期信号生成部とを備えている。
一方、同図において、データI/O部210は、入力側同期信号と同期をとるようにして、DQ信号をラッチしライトデータとして出力するデータラッチと、リードデータを受けて出力側同期信号に同期させるようにしてDQ信号としてコントローラ100側に出力するデータ出力バッファとを備えている。
図5に示される例は、データストローブ信号及びRDQS信号をディファレンシャル伝送方式で伝送するものであり、図示されたデータI/O同期信号生成部220bは、データストローブ信号のレシーバアンプ及びRDQS信号のドライバの構成が異なる点を除き、シングルエンデット伝送を採用した図4に示される例と同様の構成を有するものである。
図6乃至図9を参照すると、本実施の形態によるシステムの動作例、特に、メモリ200の動作タイミングチャートが示されている。このうち、図6及び図7はデータ書込動作に関するものであり、図8及び図9はデータ読出動作に関するものである。
詳しくは、図6は、クロック信号の周波数とデータストローブ信号の周波数とが同一のケースを示すものであり、図7は、データストローブ信号の周波数がクロック信号の周波数の2倍のケースを示すものである。図6に示された例では、データストローブ信号のライズエッジ及びフォールエッジに同期してデータの取込が行われているので、データレートはクロック信号の周波数の2倍となっている。一方、図7に示された例においても、データストローブ信号のライズエッジ及びフォールエッジに同期してデータの取込が行われているが、データストローブ信号の周波数自体がクロック信号の2倍であるので、データレートとしてはクロック信号の周波数の4倍となっている。即ち、図7に示される例は、図2に示されるデータストローブ信号生成部40において、内部クロック信号の2倍の周波数の中間クロック信号を選択し、それに基づいて内部データストローブ信号を生成した例である。
同様に、図8は、クロック信号の周波数とデータストローブ信号の周波数とが同一のケースを示すものであり、図9は、データストローブ信号の周波数がクロック信号の周波数の2倍のケースを示すものである。図8に示された例では、データストローブ信号のライズエッジ及びフォールエッジに同期してデータが出力されているので、データレートはクロック信号の周波数の2倍となっている。これに対して、図9に示された例においては、クロック周波数の2倍の周波数を有するデータストローブ信号のライズエッジ及びフォールエッジに同期してデータの取込が行われているので、データレートはクロック信号の周波数の4倍となっている。即ち、図9に示される例も、図2に示されるデータストローブ信号生成部40において、内部クロック信号の2倍の周波数の中間クロック信号を選択し、それに基づいて内部データストローブ信号を生成した例である。
図8及び図9においてtRDQSDは、例えば、図4及び図5に示されるようなデータI/O同期信号生成部220a,220bをデータストローブ信号が通りRDQS信号として出力されるまでに付加される自然発生的な遅延量を示すものである。即ち、例えば、一般にDLLに組み込まれる遅延レプリカのような厳密な遅延量を有するものではない。図6及び図7の例においては、クロック信号、データストローブ信号及びDQ信号の送信主体がすべてコントローラ100であり、且つ、コントローラ100の構成もクロック信号とデータストローブ信号とを敢えて明確にズラして出力するような構成とはしなかったため、同期/非同期の区別がつきにくい図となっていたが、図8及び図9の例においては、tRDQSDの存在により、DQ信号がRDQS信号と同期している一方、クロック信号とは非同期となっていることがより明確に理解される。このように、本実施の形態によれば、メモリ200側において、データストローブ信号のみに従ってDQ信号の送受信を行えることから、メモリ200の入出力部の構成を簡素化することができる。
図10を参照すると、上述した第1の実施の形態の応用例が示されている。仮に、図10に示されるように、同一システム上にデータレートの異なる第1メモリ300及び第2メモリ400を混在させようとすると、クロック信号は相対的に低いデータレートのメモリ(この場合は第2メモリ400)に合わせざるを得ない。従って、従来技術の例や特許文献1記載の方法では、データレートはクロック信号に依存していることから、第1メモリ300を有効に活用することができず、上記のようにデータレートの異なるメモリを同一システム上に混在させることは困難である。これに対して、上述した第1の実施の形態によるシステムは、クロック信号の周波数を固定とする一方、データストローブ信号としてクロック信号と異なる周波数の信号を用いることのできるものであり、メモリ側の入出力動作はデータストローブ信号のみに依存しているので、第2メモリ400をクロック信号の半分の周期のデータストローブのライズエッジ及びフォールエッジに同期して動作させる一方、第1メモリ300を例えば低速メモリの2倍(nは自然数)のデータレートで動作させることが可能となる。なお、第1メモリ300及び第2メモリ400は、データレートに違いがあるだけで、いずれの入出力部分の構成も図1及び図3〜図5に例示したような構成とすることができる。
図11は、図10のシステムにおいて、第1メモリ300と第2メモリ400とがアドレス空間上で区別されている場合に、アドレスの内容によってデータストローブ信号の周波数を自動的に制御することのできるコントローラ100について例示したものである。なお、図11に示される構成のうち図10と同一の構成を有するものについては、同一の参照符号を付して説明を省略することとし、以下においては異なる点のみを説明する。
図11を参照すると、例示された入出力制御回路52には、C/A制御回路10から出力された内部アドレス信号も入力されている。かかる入出力制御回路52は、内部アドレス信号を受けて、第1メモリ300及び第2メモリ400のいずれのメモリに対する書込/読出動作であるのかを認識し、その認識に基づいて各メモリに対応する周波数を選択させる周波数選択信号をデータストローブ信号生成部40に入力する。本例によれば、データストローブ信号生成部40は、データレートの異なる第1メモリ300及び第2メモリ400のそれぞれに対して、入出力制御回路52の制御の下、適切な周波数を有するデータストローブ信号を送出することができる。
(第2の実施の形態)
本発明の第2の実施の形態によるシステムは、上述した第1の実施の形態によるシステムの変形例である。具体的には、本実施の形態によるシステムは、第1の実施の形態と異なり、データストローブ信号の周波数を固定とする一方、クロック信号の周波数を可変とすることができるものである。本実施の形態によるシステムにおいては、メモリ200の構成は、上述した第1の実施の形態のものと同一で構わない。一方、コントローラの構成は、第1の実施の形態によるコントローラとは若干異なる。以下に、図12〜図16を参照して詳細に説明するが、上述した第1の実施の形態と同一の構成については同一の参照符号を付して説明を省略することとし、異なる点を特に明確にすることとする。
図12を参照すると、本実施の形態によるコントローラは、C/A制御回路10、PLL/DLL部20、分周器30、クロック信号選択部42、データストローブ信号生成部44、入出力制御回路54、データ同期出力部60、データ同期取込部70を備えている。
このうち、クロック信号選択部42は、入出力制御回路54の制御の下、PLL/DLL部20及び分周器30から出力された複数の中間クロック信号の中から一つを選択し、バッファを介して、選択した中間クロック信号をクロック信号としてメモリ200に対して出力するものである。
データストローブ信号生成部44は、PLL/DLL部20及び分周器30から出力された複数の中間クロック信号のうちの特定の一つを受けて、その中間クロック信号に基づいて、入出力制御回路54の制御の下、内部データストローブ信号を生成し、バッファを介してデータストローブ信号としてメモリ200に送出するものである。
入出力制御回路54は、いずれの中間クロック信号を選択すべきかを示す周波数選択信号をクロック信号選択部42に対して出力する一方、ライト/リードコマンドに応じたレイテンシ等を考慮して適切な期間だけデータストローブ信号生成部44を活性化させるべくデータストローブ信号生成部44に対して活性化信号を出力するものである。なお、入出力制御回路54によるデータ同期出力部60及びデータ同期取込部70に対する制御は上述した第1の実施の形態の場合と同じである。
図13乃至図16を参照すると、本実施の形態によるシステムにおけるメモリの動作タイミングチャートが示されている。このうち、図13及び図14はデータ書込動作に関するものであり、図15及び図16はデータ読出動作に関するものである。
詳しくは、図13は、クロック信号の周波数とデータストローブ信号の周波数とが同一のケースを示すものであり、図14は、クロック信号の周波数がデータストローブ信号の周波数の1/2倍のケースを示すものである。図13に示された例では、データレートはクロック信号の周波数の2倍となっているのに対して、図14に示された例においては、データレートはクロック信号の周波数の4倍となっている。
同様に、図15は、クロック信号の周波数とデータストローブ信号の周波数とが同一のケースを示すものであり、図16は、クロック信号の周波数がデータストローブ信号の周波数の1/2倍のケースを示すものである。図15に示された例では、データレートはクロック信号の周波数の2倍となっているのに対して、図16に示された例においては、データレートはクロック信号の周波数の4倍となっている。
このように、本実施例によれば、例えば、クロック周波数を落としてもデータレートを維持することができる。
なお、本実施の形態と上述した第1の実施の形態とを組み合わせることも可能である。即ち、クロック周波数及びデータストローブ信号の周波数をそれぞれ可変とすることとしても良い。
本発明の第1の実施の形態によるシステムの構成を概略的に示すブロック図である。 図1に示されるコントローラの構成を概略的に示すブロック図である。 図1に示されるメモリの構成を概略的に示すブロック図である。 図3におけるデータI/O同期信号生成部及びデータI/O部の一例を示す図である。 図3におけるデータI/O同期信号生成部及びデータI/O部の他の例を示す図である。 図1に示されるシステムにおけるメモリの書込動作タイミングチャートの一例である(ダブルデータレート)。 図1に示されるシステムにおけるメモリの書込動作タイミングチャートの他の例である(クアッドデータレート)。 図1に示されるシステムにおけるメモリの読出動作タイミングチャートの一例である(ダブルデータレート)。 図1に示されるシステムにおけるメモリの読出動作タイミングチャートの他の例である(クアッドデータレート)。 第1の実施の形態によるシステムの応用例を概略的に示す図である。 図10に示されるシステムに適用可能なコントローラの構成を概略的に示す図である。 本発明の第2の実施の形態によるシステムにおけるコントローラの構成を概略的に示す図である。 本発明の第2の実施の形態によるシステムにおけるメモリの書込動作タイミングチャートの一例である(ダブルデータレート)。 本発明の第2の実施の形態によるシステムにおけるメモリの書込動作タイミングチャートの他の例である(クアッドデータレート)。 本発明の第2の実施の形態によるシステムにおけるメモリの読出動作タイミングチャートの一例である(ダブルデータレート)。 本発明の第2の実施の形態によるシステムにおけるメモリの読出動作タイミングチャートの他の例である(クアッドデータレート)。
符号の説明
10 コマンド/アドレス(C/A)制御回路
20 PLL/DLL部
30 分周器
40 データストローブ信号生成部
42 クロック信号生成部
44 データストローブ信号生成部
50 入出力制御回路
52 入出力制御回路
54 入出力制御回路
60 データ同期出力部
70 データ同期取込部
100 コントローラ(CPU)
200 メモリ
210 データ入出力(I/O)部
220 データ入出力(I/O)同期信号生成部
220a データ入出力(I/O)同期信号生成部
220b データ入出力(I/O)同期信号生成部
230 内部クロック信号生成部
300 第1メモリ(高速)
400 第2メモリ(中速/低速)

Claims (10)

  1. コントローラ及びメモリを備えるシステムであって、
    前記コントローラは、データ書込時においては、前記メモリに第1のデータストローブ線を介してデータストローブ信号を送信すると共に当該データストローブ信号に同期した書込データを送信し、データ読出時においては、前記第1のデータストローブ線を介してデータストローブ信号を送信する一方、前記メモリから送信された読出データストローブ信号を前記第1のデータストローブ線とは異なる第2のデータストローブ線から受信し、且つ、当該読出データストローブ信号に基づいて同期をとりながら前記メモリから送信された読出データを受信するものであり、
    前記メモリは、前記データ書込時においては、前記第1のデータストローブ線から前記データストローブ信号を受信すると共に該受信したデータストローブ信号に同期させるようにして前記書込みデータを受信し、前記データ読出時においては、前記第1のデータストローブ線から前記データストローブ信号を受信し、当該受信した前記データストローブ信号に同期させるようにして前記読出データを送信すると共に、当該受信したデータストローブ信号を前記読出データストローブ信号として前記第2のデータストローブ線に送信する、
    システム。
  2. 前記データストローブ信号並びに読出データストローブ信号は、前記コントローラから前記メモリに入力されるクロック信号とは別個独立したものである、
    請求項1記載のシステム。
  3. 前記データストローブ信号並びに読出データストローブ信号は、前記クロック信号とは異なる周波数を有するものである、
    請求項2記載のシステム。
  4. 前記読出データストローブ信号は、前記クロックと意図的な同期をとることナシに送信されるものである、
    請求項2又は請求項3記載のシステム。
  5. 前記メモリは、低速メモリと高速メモリとを備えており、
    前記コントローラは、前記低速メモリ用の前記データストローブ信号並びに前記読出データストローブ信号の周波数を前記クロック信号の周波数と同じく又は低くする一方、前記高速メモリ用の前記データストローブ信号並びに前記読出データストローブ信号の周波数を前記クロック信号の周波数の2倍(nは自然数)とする、
    請求項2乃至請求項4のいずれかに記載のシステム。
  6. 請求項2乃至請求項5のいずれかに記載のシステムに使用可能なコントローラであって、
    前記メモリに対してクロック信号として出力される内部クロック信号を含み且つ互いに異なる周波数を有する複数の中間クロック信号であって、各中間クロック信号の周波数が前記内部クロック信号の2倍(mは任意の整数)であるような中間クロック信号を生成する中間クロック信号生成部と、
    前記複数の中間クロック信号のうちの一つを選択し、選択された中間クロック信号に基づいて前記データストローブ信号を生成するデータストローブ信号生成部と
    を備えるコントローラ。
  7. コントローラ及びメモリを備えるシステムであって、
    前記コントローラは、データ書込時においては、前記メモリに対してデータストローブ信号を送信すると共に当該データストローブ信号に同期した書込データを送信し、データ読出時においては、前記メモリに対してデータストローブ信号を送信する一方、前記メモリから送信された読出データストローブ信号を受信し、且つ、当該読出データストローブ信号に基づいて同期をとりながら前記メモリから送信された読出データを受信するものであり、
    前記メモリは、データ書込時においては、前記コントローラからの前記データストローブ信号を受信すると共に該受信したデータストローブ信号に同期させるようにして前記書込みデータを受信し、データ読出時においては、前記コントローラから受信した前記データストローブ信号に同期させるようにして前記読出データを送信すると共に、当該受信したデータストローブ信号を前記読出データストローブ信号として前記コントローラに送信し、
    前記データストローブ信号並びに読出データストローブ信号は、前記コントローラから前記メモリに入力されるクロック信号とは別個独立したものであり、
    前記メモリは、低速メモリと高速メモリとを備えており、
    前記コントローラは、前記低速メモリ用の前記データストローブ信号並びに前記読出データストローブ信号の周波数を前記クロック信号の周波数と同じく又は低くする一方、前記高速メモリ用の前記データストローブ信号並びに前記読出データストローブ信号の周波数を前記クロック信号の周波数の2 倍(nは自然数)とする、
    システムに使用可能なコントローラであって、
    前記メモリに対してアドレス信号として出力される内部アドレス信号を生成するアドレス制御回路と、
    該内部アドレス信号を見て、前記低速メモリ及び前記高速メモリのいずれとデータの授受を行うのかを判断し、周波数選択信号を生成する入出力制御回路と、
    前記メモリに対してクロック信号として出力される内部クロック信号を含み且つ互いに異なる周波数を有する複数の中間クロック信号であって、各中間クロック信号の周波数が前記内部クロック信号の2倍(mは任意の整数)であるような中間クロック信号を生成する中間クロック信号生成部と、
    前記周波数選択信号に従って前記複数の中間クロック信号のうちの一つを選択し、選択された中間クロック信号に基づいて前記データストローブ信号を生成するデータストローブ信号生成部と
    を備えるコントローラ。
  8. 請求項2乃至請求項4のいずれかに記載のシステムに使用可能なコントローラであって、
    互いに異なる周波数を有する複数の中間クロック信号であって、各中間クロック信号の周波数がベースクロック信号に基づき生成される内部クロック信号の2倍(mは任意の整数)であるような中間クロック信号を生成する中間クロック信号生成部と、
    前記複数の中間クロック信号のうちの一つを選択し、選択された中間クロック信号を前記メモリに対してクロック信号として出力するクロック信号選択部と、
    前記複数の中間クロック信号に含まれる一の前記中間クロック信号に基づいて前記データストローブ信号を生成するデータストローブ信号生成部と
    を備えるコントローラ。
  9. 請求項1乃至請求項5のいずれかに記載のシステムに使用可能なメモリであって、
    データ書込時には、前記データストローブ信号を受信して、入力側同期信号として出力し、データ読出時には、前記データストローブ信号を受信して、出力側同期信号として出力すると共に前記コントローラに対して前記読出データストローブ信号として送信するデータ入出力同期信号生成部と、
    データ書込時には、前記コントローラから送信されてきた前記書込データを前記入力側同期信号に同期させるようにして取り込み、データ読出時には、前記出力側同期信号に同期させるようにして前記コントローラに対して前記読出データを送信するデータ入出力部と
    を備えるメモリ。
  10. 前記データ入出力同期信号生成部は、
    前記データストローブ信号を受信して、前記入力側同期信号を生成する一方、中間同期信号を生成するバッファと、
    該中間同期信号を受けて前記出力側同期信号を生成すると共に前記読出データストローブ信号を生成する出力同期信号生成部と
    を備えており、
    前記データ入出力部は、
    前記入力側同期信号と同期をとるようにして、前記書込データをラッチするデータラッチと、
    前記出力側同期信号に同期させるようにして前記読出データを出力するデータ出力バッファと
    を備えている、請求項9記載のメモリ。
JP2006160204A 2006-06-08 2006-06-08 コントローラ及びメモリを備えるシステム Expired - Fee Related JP4267002B2 (ja)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006160204A JP4267002B2 (ja) 2006-06-08 2006-06-08 コントローラ及びメモリを備えるシステム
US11/759,862 US7697369B2 (en) 2006-06-08 2007-06-07 System with controller and memory
TW096120686A TWI358732B (en) 2006-06-08 2007-06-08 System with controller and memory
US12/710,481 US7965581B2 (en) 2006-06-08 2010-02-23 System with controller and memory
US13/149,504 US8213258B2 (en) 2006-06-08 2011-05-31 System with controller and memory
US13/488,602 US8379479B2 (en) 2006-06-08 2012-06-05 System with controller and memory
US13/736,763 US8644107B2 (en) 2006-06-08 2013-01-08 System with controller and memory
US14/170,110 US9214205B2 (en) 2006-06-08 2014-01-31 System with controller and memory

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006160204A JP4267002B2 (ja) 2006-06-08 2006-06-08 コントローラ及びメモリを備えるシステム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007328636A JP2007328636A (ja) 2007-12-20
JP4267002B2 true JP4267002B2 (ja) 2009-05-27

Family

ID=38861396

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006160204A Expired - Fee Related JP4267002B2 (ja) 2006-06-08 2006-06-08 コントローラ及びメモリを備えるシステム

Country Status (3)

Country Link
US (6) US7697369B2 (ja)
JP (1) JP4267002B2 (ja)
TW (1) TWI358732B (ja)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007052419A1 (ja) * 2005-11-01 2007-05-10 Mitsubishi Electric Corporation 光ピックアップ装置および光ディスク装置
JP4267002B2 (ja) * 2006-06-08 2009-05-27 エルピーダメモリ株式会社 コントローラ及びメモリを備えるシステム
US20110264851A1 (en) * 2006-12-07 2011-10-27 Tae-Keun Jeon Memory system and data transmitting method thereof
CN101617371B (zh) 2007-02-16 2014-03-26 莫塞德技术公司 具有多个外部电源的非易失性半导体存储器
KR101529291B1 (ko) 2008-02-27 2015-06-17 삼성전자주식회사 플래시 메모리 장치 및 그것을 포함한 플래시 메모리시스템
US8521979B2 (en) 2008-05-29 2013-08-27 Micron Technology, Inc. Memory systems and methods for controlling the timing of receiving read data
US7920431B2 (en) 2008-06-02 2011-04-05 Micron Technology, Inc. Asynchronous/synchronous interface
US7979757B2 (en) 2008-06-03 2011-07-12 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for testing high capacity/high bandwidth memory devices
US8756486B2 (en) 2008-07-02 2014-06-17 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for repairing high capacity/high bandwidth memory devices
US8289760B2 (en) 2008-07-02 2012-10-16 Micron Technology, Inc. Multi-mode memory device and method having stacked memory dice, a logic die and a command processing circuit and operating in direct and indirect modes
US7855931B2 (en) 2008-07-21 2010-12-21 Micron Technology, Inc. Memory system and method using stacked memory device dice, and system using the memory system
US8127204B2 (en) 2008-08-15 2012-02-28 Micron Technology, Inc. Memory system and method using a memory device die stacked with a logic die using data encoding, and system using the memory system
US8375238B2 (en) * 2009-05-28 2013-02-12 Panasonic Corporation Memory system
JP2010282511A (ja) * 2009-06-05 2010-12-16 Elpida Memory Inc メモリモジュール及びこれを備えるメモリシステム
JP2012068873A (ja) * 2010-09-22 2012-04-05 Toshiba Corp メモリシステムおよびdramコントローラ
KR101188264B1 (ko) * 2010-12-01 2012-10-05 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 시스템, 반도체 메모리 장치 및 이를 이용한 데이터 출력 방법
US8400808B2 (en) 2010-12-16 2013-03-19 Micron Technology, Inc. Phase interpolators and push-pull buffers
KR101896017B1 (ko) * 2011-10-21 2018-09-07 에스케이하이닉스 주식회사 집적회로 칩
KR102033786B1 (ko) * 2013-05-27 2019-10-17 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 장치와 이를 이용한 반도체 시스템
US9171597B2 (en) 2013-08-30 2015-10-27 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for providing strobe signals to memories
US9577854B1 (en) * 2015-08-20 2017-02-21 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for asymmetric bi-directional signaling incorporating multi-level encoding
KR102571176B1 (ko) * 2015-08-28 2023-08-28 에스케이하이닉스 주식회사 듀얼 클럭 전송을 사용하는 반도체 장치 및 시스템
US9818462B1 (en) * 2017-01-19 2017-11-14 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for providing internal clock signals of different clock frequencies in a memory device
JP2019008859A (ja) 2017-06-28 2019-01-17 東芝メモリ株式会社 半導体装置
KR102450521B1 (ko) * 2018-01-09 2022-10-05 삼성전자주식회사 모바일 장치 및 그것의 인터페이싱 방법
WO2020176448A1 (en) 2019-02-27 2020-09-03 Rambus Inc. Low power memory with on-demand bandwidth boost

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4291370A (en) * 1978-08-23 1981-09-22 Westinghouse Electric Corp. Core memory interface for coupling a processor to a memory having a differing word length
US4287563A (en) * 1979-11-13 1981-09-01 Motorola, Inc. Versatile microprocessor bus interface
US4615017A (en) * 1983-09-19 1986-09-30 International Business Machines Corporation Memory controller with synchronous or asynchronous interface
JPS625441A (ja) * 1985-02-18 1987-01-12 Nec Corp 情報処理装置
US5012180A (en) * 1988-05-17 1991-04-30 Zilog, Inc. System for testing internal nodes
JPH0520278A (ja) * 1991-07-11 1993-01-29 Nec Corp マイクロコンピユータ
US5384745A (en) * 1992-04-27 1995-01-24 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Synchronous semiconductor memory device
JP3904244B2 (ja) * 1993-09-17 2007-04-11 株式会社ルネサステクノロジ シングル・チップ・データ処理装置
US5692165A (en) * 1995-09-12 1997-11-25 Micron Electronics Inc. Memory controller with low skew control signal
US6094434A (en) * 1996-12-30 2000-07-25 Compaq Computer Corporation Network switch with separate cut-through buffer
US6098109A (en) * 1996-12-30 2000-08-01 Compaq Computer Corporation Programmable arbitration system for determining priority of the ports of a network switch
US6172935B1 (en) * 1997-04-25 2001-01-09 Micron Technology, Inc. Synchronous dynamic random access memory device
JP3102398B2 (ja) * 1997-12-17 2000-10-23 日本電気株式会社 タイミング信号生成回路
US6111807A (en) * 1998-07-17 2000-08-29 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Synchronous semiconductor memory device allowing easy and fast text
US6418518B1 (en) * 1998-09-18 2002-07-09 National Semiconductor Corporation Decoupled address and data access to an SDRAM
JP4707204B2 (ja) 1999-10-08 2011-06-22 富士通セミコンダクター株式会社 半導体記憶装置
JP2003007069A (ja) 2001-06-18 2003-01-10 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置および半導体集積回路装置
JP2003059298A (ja) * 2001-08-09 2003-02-28 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
KR100546335B1 (ko) * 2003-07-03 2006-01-26 삼성전자주식회사 데이터 반전 스킴을 가지는 반도체 장치
JP4374897B2 (ja) * 2003-05-12 2009-12-02 株式会社日立製作所 軸流ファン
US20050071707A1 (en) 2003-09-30 2005-03-31 Hampel Craig E. Integrated circuit with bi-modal data strobe
US7558933B2 (en) * 2003-12-24 2009-07-07 Ati Technologies Inc. Synchronous dynamic random access memory interface and method
JP2006065961A (ja) * 2004-08-27 2006-03-09 Oki Electric Ind Co Ltd 不揮発性メモリの試験方法
JP4266906B2 (ja) 2004-09-17 2009-05-27 Necエンジニアリング株式会社 Ddrメモリライト制御装置及び方法
KR100568546B1 (ko) 2004-10-19 2006-04-07 삼성전자주식회사 메모리 시스템, 반도체 메모리 장치, 및 이 시스템과장치의 출력 데이터 스트로우브 신호 발생 방법
US7029299B1 (en) * 2004-10-26 2006-04-18 Jess-Link Products Co., Ltd. Electrical card connector
KR100574989B1 (ko) 2004-11-04 2006-05-02 삼성전자주식회사 데이터 스트로브 버스라인의 효율을 향상시키는메모리장치 및 이를 구비하는 메모리 시스템, 및 데이터스트로브 신호 제어방법
US7233543B2 (en) * 2005-03-01 2007-06-19 Hewlett-Packard Development Company, L.P. System and method to change data window
JP2006260190A (ja) * 2005-03-17 2006-09-28 Fujitsu Ltd マージンレス判定回路
US7280417B2 (en) * 2005-04-26 2007-10-09 Micron Technology, Inc. System and method for capturing data signals using a data strobe signal
KR100733420B1 (ko) * 2005-06-30 2007-06-29 주식회사 하이닉스반도체 동기식 반도체 메모리 장치
US20070028027A1 (en) * 2005-07-26 2007-02-01 Micron Technology, Inc. Memory device and method having separate write data and read data buses
JP4267002B2 (ja) * 2006-06-08 2009-05-27 エルピーダメモリ株式会社 コントローラ及びメモリを備えるシステム
US7345510B1 (en) * 2006-08-31 2008-03-18 Ati Technologies Inc. Method and apparatus for generating a reference signal and generating a scaled output signal based on an input signal
US7512909B2 (en) 2006-08-31 2009-03-31 Micron Technology, Inc. Read strobe feedback in a memory system
US20090109772A1 (en) * 2007-10-24 2009-04-30 Esin Terzioglu Ram with independent local clock

Also Published As

Publication number Publication date
US20070291577A1 (en) 2007-12-20
US7697369B2 (en) 2010-04-13
TW200807435A (en) 2008-02-01
US8213258B2 (en) 2012-07-03
JP2007328636A (ja) 2007-12-20
US7965581B2 (en) 2011-06-21
US9214205B2 (en) 2015-12-15
TWI358732B (en) 2012-02-21
US20100149889A1 (en) 2010-06-17
US20110228618A1 (en) 2011-09-22
US20140146623A1 (en) 2014-05-29
US20120269023A1 (en) 2012-10-25
US20130121091A1 (en) 2013-05-16
US8379479B2 (en) 2013-02-19
US8644107B2 (en) 2014-02-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4267002B2 (ja) コントローラ及びメモリを備えるシステム
KR100888597B1 (ko) 메모리 인터페이스 제어 장치 및 제어 방법
US7975162B2 (en) Apparatus for aligning input data in semiconductor memory device
USRE45378E1 (en) Method for receiving data
US7983101B2 (en) Circuit for generating data strobe signal in DDR memory device and method therefor
JP2005071354A (ja) ストローブ信号に対して整合されたクロックを使用するデータ信号受信ラッチ制御
US7675811B2 (en) Method and apparatus for DQS postamble detection and drift compensation in a double data rate (DDR) physical interface
KR20050008314A (ko) 디디알 에스디램에서의 링잉 현상 방지 방법 및 그 장치
JP5191218B2 (ja) メモリ制御回路
JP2015103262A (ja) 半導体装置
KR100935728B1 (ko) 스트로브 신호 제어 회로
JP5113433B2 (ja) メモリコントローラ
KR20200140019A (ko) 반도체 장치, 반도체 시스템 및 반도체 장치의 동작 방법
US8531896B2 (en) Semiconductor system, semiconductor memory apparatus, and method for input/output of data using the same
JP2010079520A (ja) メモリモジュールのコントローラ及びメモリモジュールのコントローラの制御方法
US20070121775A1 (en) Memory controller and method thereof
JP4486092B2 (ja) 送信装置、受信装置、伝送システム、伝送方法
KR100798792B1 (ko) 반도체 메모리 장치
JP2006277892A (ja) 半導体記憶装置
CN111916122A (zh) 存储器系统及其操作方法
KR970013909A (ko) 근원지 동기전송 방식 데이타 수신장치(Reception Device for Souce synehronous transmition data)

Legal Events

Date Code Title Description
RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20080414

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080416

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080612

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080819

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20081125

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090123

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090210

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090217

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120227

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120227

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130227

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130227

Year of fee payment: 4

SG99 Written request for registration of restore

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316G99

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130227

Year of fee payment: 4

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130227

Year of fee payment: 4

SG99 Written request for registration of restore

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316G99

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130227

Year of fee payment: 4

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140227

Year of fee payment: 5

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S803 Written request for registration of cancellation of provisional registration

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316803

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees