CN114341772A - 半导体存储器中的功率管理 - Google Patents
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Abstract
操作裸片的方法可能包含确定某一时间周期内所述裸片的预期峰值电流量值,以及在完成所述时间周期之前从所述裸片输出所述预期峰值电流量值。设备可能被配置成执行类似的方法。
Description
技术领域
本公开大体上涉及存储器,且确切地说在一或多个实施例中,本公开涉及在功率管理中利用预测性峰值电流监测的方法和设备。
背景技术
存储器(例如,存储器装置)通常提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路装置。存在许多不同类型的存储器,包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)和快闪存储器。
快闪存储器已发展成用于多种多样的电子应用的广受欢迎的非易失性存储器源。快闪存储器通常使用允许高存储器密度、高可靠性和低功耗的单晶体管存储器单元。经由电荷存储结构(例如,浮动栅极或电荷捕集器)的编程(其常常被称作写入)或其它物理现象(例如,相变或极化)而发生的存储器单元的阈值电压(Vt)的改变决定每一存储器单元的数据状态(例如,数据值)。快闪存储器和其它非易失性存储器的常见用途包含个人计算机、个人数字助理(PDA)、数码相机、数字媒体播放器、数字记录器、游戏、电气设备、车辆、无线装置、移动电话和可移除存储器模块,且非易失性存储器的使用在持续扩增。
NAND快闪存储器是常用类型的快闪存储器装置,如此称谓的原因在于布置基本存储器单元配置的逻辑形式。通常,用于NAND快闪存储器的存储器单元阵列布置成使得阵列中的一行中的每一存储器单元的控制栅极连接在一起以形成存取线,例如字线。阵列的列包含在一对选择栅极之间,例如在源极选择晶体管与漏极选择晶体管之间,串联连接在一起的存储器单元串(常常被称为NAND串)。每一源极选择晶体管可连接到源极,而每一漏极选择晶体管可连接到数据线,例如列位线。使用存储器单元串与源极之间和/或存储器单元串与数据线之间的一个以上选择栅极的变型是已知的。
功率消耗常常是存储器装置的设计和使用中的重要考虑因素。当并行地操作多个存储器装置时可能出现问题。此些问题可包含超过功率消耗规范和/或可用性。
附图说明
图1是根据一实施例作为电子系统的部分的存储器与处理器通信的简化框图。
图2是根据一实施例作为电子系统的部分的存储器模块与主机通信的简化框图。
图3是根据一实施例的多裸片封装的表示的透视图。
图4是根据一实施例的多裸片封装的示意性表示。
图5是用于在描述实施例时使用的时序图,其描绘具有预期峰值电流量值的不同量值的多个阶段的设备的操作的电流使用。
图6是描绘根据一实施例的时钟和控制信号的时序图。
图7A-7B是用于与实施例一起使用的用于生成峰值电流量值指示符信号的电路的简化示意图。
图8是根据另一实施例的多裸片封装的示意性表示。
图9是根据一实施例操作裸片的方法的流程图。
图10A-10B是根据实施例操作裸片的方法的流程图。
图11是根据另一实施例操作裸片的方法的流程图。
图12是根据一实施例操作多个裸片的方法的流程图。
图13是根据另一实施例操作多个裸片的方法的流程图。
图14是可能与实施例一起使用的寄存器的框图。
图15是可能与实施例一起使用的其它寄存器的框图。
具体实施方式
在以下详细描述中,参考附图,附图形成本发明的一部分,且附图中借助于说明展示特定实施例。在图式中,遍及若干视图,相同的参考标号描述大体上相似的组件。在不脱离本公开的范围的情况下,可利用其它实施例,且可作出结构、逻辑和电性改变。因此,不应在限制性意义上看待以下详细描述。
举例来说,本文所使用的术语“半导体”可以指一层材料、晶片或衬底,并包含任何基础半导体结构。“半导体”应被理解为包含蓝宝石上硅(SOS)技术、绝缘体上硅(SOI)技术、薄膜晶体管(TFT)技术、掺杂和未掺杂半导体、由基础半导体结构支撑的外延硅层,以及所属领域的技术人员众所周知的其它半导体结构。此外,当在以下描述中参考半导体时,可能已利用先前工艺步骤在基础半导体结构中形成区/接合部,且术语半导体可包含含有此些区/接合部的下伏层。除非另外从上下文显而易见,否则如本文中所使用的术语导电(conductive)以及其各种相关形式(例如conduct、conductively、conducting、conduction、conductivity等)指代电学上的导电。类似地,除非从上下文另外显而易见,否则如本文中所使用的术语“连接(connecting)”以及其各种相关形式(例如connect、connected、connection等)指代电学连接。
在本文中认识到,即使在值可能意图相等的情况下,工业加工和操作的可变性和精确度仍可能会导致与其既定值的差异。这些可变性和精确度将通常取决于在集成电路装置的制造和操作中使用的技术。因此,如果值预期相等,则不论其所得值如何,都认为那些值相等。
NAND存储器广泛地在受管理NAND(MNAND)和固态驱动器(SSD)系统中使用。MNAND的常见实例可能包含如SSD系统中可能常见的嵌入式多媒体卡(eMMC)、如工业应用中可能常见的嵌入式USB(eUSB),以及如数码相机、移动电话和其它消费者电子装置中可能常见的通用快闪存储装置。三维NAND的电容性负载通常较大,且可随着过程缩放继续而持续增长。各种存取线、数据线和电压节点可能需要在感测(例如,读取或校验)、编程和擦除操作期间非常快速地充电或放电,使得存储器阵列存取操作可满足为满足例如消费者要求或工业标准可能指示的数据处理量目标常常需要的性能规范。为了循序读取或编程,多平面操作通常用于增加系统处理量。因此,典型的NAND存储器可具有接近200mA的峰值电流用量,其可能是平均电流振幅的四到五倍。在MNAND系统的800-1000mA的总电流使用预算的平均市场要求下,并行地操作四个以上NAND存储器可能变得具有挑战性。
已经利用多种技术来管理含有多个存储器装置的存储器系统的功率消耗,其中许多存储器装置依赖于存储器控制器使存储器装置的活动交错,从而试图避免在一个以上存储器装置中并行地执行存取操作的高功率部分。本文所描述的各种实施例促进在无外部控制器干预的情况下多个裸片(例如,存储器)之间的功率管理,方式是使裸片预测到其预期峰值电流量值,以及作出关于如何响应于指示这些预期峰值电流量值的总和的值而继续的决策。
图1是根据一实施例呈存储器(例如,存储器装置)100的形式的第一设备与呈处理器130的形式的第二设备作为呈电子系统的形式的第三设备的一部分进行通信的简化框图。电子系统的一些实例包含个人计算机、个人数字助理(PDA)、数码相机、数字媒体播放器、数字记录器、游戏、电气设备、车辆、无线装置、移动电话等。例如存储器装置100外部的控制器等处理器130可以是存储器控制器或其它外部主机装置。
存储器装置100包含以行和列逻辑地布置的存储器单元阵列104。逻辑行的存储器单元通常连接到同一存取线(共同地称为字线),而逻辑列的存储器单元通常选择性地连接到同一数据线(共同地称为位线)。单个存取线可与一个以上逻辑行的存储器单元相关联,且单个数据线可与一个以上逻辑列相关联。存储器单元阵列104的至少一部分的存储器单元(图1中未展示)能够被编程为至少两个数据状态中的一个。
提供行解码电路108和列解码电路110以解码地址信号。接收地址信号并对其进行解码以存取存储器单元阵列104。存储器装置100还包含输入/输出(I/O)控制电路系统112以管理命令、地址及数据到存储器装置100的输入以及数据及状态信息从存储器装置100的输出。地址寄存器114与I/O控制电路系统112和行解码电路系统108及列解码电路系统110通信以在解码之前锁存地址信号。命令寄存器124与I/O控制电路系统112和控制逻辑116通信以锁存传入的命令。
控制器(例如,存储器装置100内部的控制逻辑116)响应于所述命令而控制对存储器单元阵列104的存取,且生成外部处理器130的状态信息,即,控制逻辑116被配置成对存储器单元阵列104执行存取操作(例如,读取操作、编程操作和/或擦除操作)。控制逻辑116可被配置成执行本文所描述的各种实施例的方法。控制逻辑116与行解码电路系统108和列解码电路系统110通信,以响应于地址而控制行解码电路系统108和列解码电路系统110。
控制逻辑116还与高速缓冲寄存器118进行通信。高速缓冲寄存器118锁存如由控制逻辑116引导的传入或传出的数据,以在存储器单元阵列104忙于相应地写入或读取其它数据时暂时存储数据。在编程操作(例如,写入操作)期间,可将数据从高速缓冲寄存器118传送到数据寄存器120以供传递到存储器单元阵列104;接着新数据可从I/O控制电路系统112锁存在高速缓冲寄存器118中。在读取操作期间,可将数据从高速缓冲寄存器118传送到I/O控制电路系统112以供输出到外部处理器130;接着可将新数据从数据寄存器120传送到高速缓冲寄存器118。高速缓冲寄存器118和/或数据寄存器120可形成存储器装置100的数据缓冲器(例如,页缓冲器)(例如,可形成其一部分)。数据缓冲器可进一步包含感测装置(图1中未展示),其用以例如通过感测连接到存储器单元阵列104的存储器单元的数据线的状态来感测所述存储器单元的数据状态。状态寄存器122可与I/O控制电路系统112及控制逻辑116通信,以将状态信息锁存而供输出到处理器130。
控制逻辑116可进一步与定时器128通信。定时器128可被配置成在达到经过时间后双态切换输出信号的逻辑电平,例如可编程间隔定时器。此些可编程间隔定时器是众所周知的。举例来说,定时器128可通常提供具有逻辑低电平的输出信号,且可在达到某一特定经过时间后将输出信号短暂双态切换到逻辑高电平(例如,持续一个时钟循环)。在双态切换输出信号之后,定时器128可使输出信号返回到其正常逻辑电平。特定经过时间可响应于所接收控制信号。或者,定时器128可表示计数器,其被配置成例如响应于时钟信号的循环而递减表示经过时间的计数值。计数器的此操作是众所周知的。
存储器装置100经由控制链路132从处理器130接收控制逻辑116处的控制信号。控制信号可能包含芯片启用CE#、命令锁存启用CLE、地址锁存启用ALE、写入启用WE#、读取启用RE#和写入保护WP#。取决于存储器装置100的性质,可进一步经由控制链路132接收额外或替代的控制信号(未图示)。存储器装置100经由多路复用输入/输出(I/O)总线134从处理器130接收命令信号(其表示命令)、地址信号(其表示地址)和数据信号(其表示数据),且经由I/O总线134将数据输出到处理器130。
举例来说,可经由I/O控制电路系统112处的I/O总线134的输入/输出(I/O)引脚[7:0]接收命令,且可接着将命令写入到命令寄存器124中。可经由I/O控制电路系统112处的I/O总线134的输入/输出(I/O)引脚[7:0]接收地址,且可接着将地址写入到地址寄存器114中。可经由I/O控制电路系统112处用于8位装置的输入/输出(I/O)引脚[7:0]或用于16位装置的输入/输出(I/O)引脚[15:0]接收数据,且接着可将数据写入到高速缓冲寄存器118中。随后可将数据写入到数据寄存器120中以用于编程存储器单元阵列104。对于另一实施例,可省略高速缓冲寄存器118,且可将数据直接写入到数据寄存器120中。还可在用于8位装置的输入/输出(I/O)引脚[7:0]或用于16位装置的输入/输出(I/O)引脚[15:0]上输出数据。虽然可参考I/O引脚,但其可包含实现通过外部装置(例如,处理器130)电连接到存储器装置100的任何导电节点,例如常用的导电衬垫或导电凸块。
所属领域的技术人员应了解,可提供额外的电路系统和信号,且已简化图1的存储器装置100。应认识到,参考图1描述的各种块组件的功能性不一定分离到集成电路装置的相异组件或组件部分。举例来说,集成电路装置的单个组件或组件部分可适于执行图1的一个以上块组件的功能性。或者,可组合集成电路装置的一或多个组件或组件部分,以执行图1的单个块组件的功能性。
此外,尽管根据各种信号的接收和输出的流行惯例而描述特定I/O引脚,但应注意,可在各种实施例中使用I/O引脚(或其它I/O节点结构)的其它组合或其它数目个I/O引脚(或其它I/O节点结构)。
给定处理器130可能与一或多个存储器装置100(例如,裸片)通信。图2是根据另一实施例呈存储器模块201的形式的设备与主机240(作为电子系统的部分)通信的的简化框图。存储器装置100和处理器130可能如参考图1所描述。尽管存储器模块(例如,封装)201描绘为具有四个存储器装置100(例如,裸片),但存储器模块可具有一或多个存储器装置100。
因为处理器130(例如,存储器控制器)在主机240和存储器装置100之间,所以主机240和处理器130之间的通信可能涉及与处理器130和存储器装置100之间使用的通信链路不同的通信链路。举例来说,存储器模块201可能是固态驱动器(SSD)的嵌入式多媒体存储卡(eMMC)。根据现有标准,与eMMC的通信可能包含用于数据传递的数据链路242(例如,8位链路)、用于命令传递和装置初始化的命令链路244,以及提供用于使数据链路242和命令链路244上的传递同步的时钟信号的时钟链路246。处理器130可能自主地处置许多活动,例如错误校正、有缺陷块的管理、耗损均衡和地址转译。
图3是根据一实施例的多裸片封装302的表示的透视图。多裸片封装302描绘为包含四个裸片100(即,对应于裸片0-裸片3的1000-1003),但多裸片封装可具有更少或更多的此些裸片。裸片100中的每一个以及封装302可能包含用于提供就绪/忙碌控制信号RB#的节点304(例如,衬垫)。就绪/忙碌控制信号可能用于向主机装置或向多裸片封装302中的裸片100指示裸片100中的一或多个是否正忙于执行操作。如此,节点304可能共同地连接。裸片100中的每一个以及封装302可能包含用于提供输入/输出(I/O)信号的节点306。应注意,每一节点306可能表示一个以上物理节点,例如针对裸片100中的每一个和多裸片封装302,一个衬垫用于图1的I/O总线134的每一信号。节点306可能共同地连接。裸片100中的每一个以及封装302可能包含用于提供控制信号的节点308。应注意,每一节点308可能表示一个以上物理节点,例如针对裸片100中的每一个和多封装302,一个衬垫用于图1的控制链路132的每一信号。节点308可能共同地连接。裸片100中的每一个以及封装302可能包含用于共享峰值电流量值指示符信号HC#的节点310。将参考后续图式描述峰值电流量值指示符信号HC#的使用。峰值电流量值指示符信号HC#可能在裸片100之间共享,且可与例如处理器130或主机240等外部装置共享以监测预期峰值电流量值。节点310可能共同地连接。裸片100中的每一个可能包含用于提供时钟信号ICLK的节点312。将参考后续图式描述时钟信号的使用。时钟信号可能从例如处理器130或主机240等外部装置接收,且可能在裸片100之间共享。或者,时钟信号ICLK可能由裸片100中的一个生成。节点312可能在裸片100之间共同地连接。
图4是根据一实施例包含四个裸片100(例如,1000-1003)的多裸片封装302的示意性表示。时钟信号ICLK经由时钟信号线422在裸片100之间共同地共享。峰值电流量值指示符信号HC#经由信号线424在裸片100之间共同地共享。峰值电流量值指示符信号HC#通常可能被拉至特定状态(例如,被拉高),方式是例如经由电阻器416(有时统称为弱上拉电阻器,或简称为上拉电阻器)将信号线424连接到经耦合以接收例如Vcc等供应电压的电压供应节点414。
就绪/忙碌控制信号RB#经由控制信号线426在裸片100之间共同地共享。就绪/忙碌控制信号RB#通常可能被拉至特定状态(例如,被拉高),例如通过经由电阻器420将就绪/忙碌控制信号线426连接到电压供应节点418。裸片100中的每一个进一步共同地连接到控制链路132且连接到I/O总线134。
将参考图4的多裸片封装302论述各种实施例。将显而易见,此类实施例可利用比图4中所描绘更少或更多的裸片100。一般来说,裸片100的存取操作可能划分成若干阶段。这些阶段可能经确定使得存取操作可在完成一个阶段后且在起始下一阶段之前暂停,除导致延迟外,不会不必要地妨碍存取操作的完成。举例来说,如果在所述点处暂停将需要使某一节点放电,且所述节点将需要在起始下一阶段之前恢复到节点的所述电荷,则暂停存取操作可能是不合需要的。类似地,如果在所述点处暂停将存在数据值丢失或讹误的风险,则暂停存取操作可能是不合需要的。
每一阶段可能对应于相应持续时间,其可能是预定义的(例如,每当执行时具有相同或类似定时特性的阶段)或可变的(例如,定时特性基于某一模拟特性的检测而变化的阶段)。每一阶段可能进一步对应于相应预期峰值电流量值。表1提供可能指派到存取操作的各个阶段的预期峰值电流的量值的一个实例。
表1
电平 | 经编码值 | 预期峰值电流量值 |
0 | 000 | <25mA |
1 | 001 | <50mA |
2 | 010 | <75mA |
3 | 011 | <100mA |
4 | 100 | <125mA |
5 | 101 | <150mA |
6 | 110 | <175mA |
7 | 111 | <200mA |
虽然表1的实例描绘预期峰值电流量值的八个不同电平,但其它数目的预期峰值电流量值电平可能与实施例一起使用。举例来说,可能限定使用四数位经编码值(例如,数字表示)十六个预期峰值电流量值电平,这可能提供多裸片系统的总电流使用的较精细控制。此外,虽然表1的实例描绘预期峰值电流量值电平与邻近的预期峰值电流量值电平相差恒定差值,但邻近电平之间的电流差不必是恒定的。预期峰值电流量值可能不表示实际峰值电流量值。举例来说,如将参考图5更详细地论述,预期峰值电流量值可能对应于被认为表示阶段的电流使用的峰值电流量值的电平。
各种实施例通过在时间上预测封装的裸片以确定其是否预期在特定时间长度(例如,预测时间)内起始下一阶段,以及是否起始所述下一阶段可能预期改变所述裸片的峰值电流量值,来促进多裸片封装中的功率管理。每一裸片可向剩余裸片广播其预期峰值电流量值,且每一裸片可基于预期峰值电流量值的总和作出明智决策。举例来说,裸片可决定在完成其当前操作阶段之后暂停操作,或如果正常操作条件下下一阶段的执行将被认为会超出封装的总电流使用预算,则在例如较低峰值电流操作模式等不同操作模式中起始下一阶段。
相对于广播预期峰值电流量值,裸片可能确定其预期在特定时间长度内转变到其操作的下一阶段,还是起始新操作。如果预期此转变,则其可能确定所述特定时间长度内的其预期峰值电流量值为其当前阶段(其可包含闲置)的预期峰值电流量值和其下一阶段(其可包含初始或下一操作的第一阶段)的预期峰值电流量值中的较大者。如果不预期此转变,则可能确定所述特定时间长度内的其预期峰值电流量值为其当前阶段(其可包含闲置)的预期峰值电流量值。
裸片可进一步确定所述特定时间长度内的其预期峰值电流的量值与剩余裸片的预期峰值电流量值组合是否将被认为会超出总电流使用预算。如果是,则裸片可能决定应在完成当前阶段之后暂停其操作,且可能向剩余裸片广播所述特定时间长度内的其预期峰值电流量值具有其当前阶段的预期峰值电流量值。如果将认为不会超过总电流使用预算,则裸片可能向剩余裸片广播所述特定时间长度内的其预期峰值电流量值具有对应于其操作的下一阶段的量值。应注意,闲置(例如,不在执行任何操作)的裸片可能被认为具有预期峰值电流量值的基础量值,其可能是所限定的多个预期峰值电流量值中的最低量值。还应注意,虽然闲置裸片可能被认为具有对应于所述多个预期峰值电流量值中的最低量值的预期峰值电流量值,但所述多个预期峰值电流量值中的最低量值可能足以进一步对应于正由裸片活跃地执行的操作的某些阶段。
或者,如果其操作的下一阶段可在低峰值电流操作模式中操作,且启用此操作,则裸片可能使用下一阶段的低峰值电流操作模式的预期峰值电流量值重新计算总的预期峰值电流量值。作为一个实例,低峰值电流操作模式可能包含减缓电荷泵或其它电压生成装置以减小电流使用率。此可能增加下一阶段的持续时间,例如节点不能快速到达既定电压电平。如果认为使用正常操作条件下下一阶段的预期峰值电流量值将超过总电流使用预算,但认为使用下一阶段的低峰值电流操作模式的预期峰值电流量值不会超过总电流使用预算,则裸片可能向剩余裸片广播所述特定时间长度内的其预期峰值电流量值具有对应于其操作的下一阶段的低峰值电流操作模式的量值(或对应于其当前阶段的量值,无论哪个较大),且继续在低峰值电流操作模式中执行下一阶段。
图5是用于在描述实施例时使用的时序图的一个实例,其描绘具有预期峰值电流量值的不同量值544的多个阶段的设备的操作540的电流使用。举例来说,迹线542可能表示存储器阵列上的存取操作540随时间的预期电流使用。虽然迹线542描绘具有较高电流使用周期和较低电流使用周期的随时间的预期电流使用的多种多样的值,如存储器可能执行的各种类型的操作中可能预期,但迹线542不能描绘任何特定操作的实际电流使用,而是仅用以辅助描述各种实施例的方法。在实践中,可能以实验方式、凭经验或经由模拟确定作为时间的函数的操作的预期峰值电流量值。
存取操作540的阶段,例如从时间t0到时间t1、从时间t1到时间t2、从时间t2到时间t3等,各自具有预期峰值电流量值的相应量值544,例如量值5440-5447中的一个相应量值。对于此实例,量值5440-5447可能以一对一关系对应于表1的预期峰值电流量值的电平。相应地,举例来说,量值5440可能表示小于25mA的预期峰值电流量值,量值5441可能表示小于50mA的预期峰值电流量值,量值5442可能表示小于75mA的预期峰值电流量值,量值5443可能表示小于100mA的预期峰值电流量值,量值5444可能表示小于125mA的预期峰值电流量值,量值5445可能表示小于150mA的预期峰值电流量值,量值5446可能表示小于175mA的预期峰值电流量值,且量值5447可能表示小于200mA的预期峰值电流量值。
一般来说,可能响应于某一阶段的持续时间期间任一点处预期的电流使用的最大水平而向所述阶段指派若干所限定的预期峰值电流量值中的特定预期峰值电流量值。虽然阶段可能指派到其中可界定其预期电流使用的若干所限定的预期峰值电流量值中的最小者,但实施例不限于此。举例来说,迹线542短暂偏移到时间t2到时间t3的阶段的量值5446以上可能被认为是微量允许且出于指派其量值的目的而忽略。
图6是描绘根据一实施例的时钟和控制信号的时序图的一个实例。图6假定具有四个裸片100的例如图4中描绘的多裸片封装。各个实施例为每一裸片(例如,依次)提供评估某一时间周期(例如,未来时间周期)内的其预期峰值电流量值,确定继续还是暂停其操作,以及向剩余裸片广播所述时间周期期间的其预期峰值电流量值的机会。图6中,迹线650可能表示时钟信号ICLK。
对于一个实施例,迹线652可能表示通过划分时钟信号ICLK生成的裸片指针Dptr。举例来说,迹线652的控制信号可能展现时钟信号ICLK的每X个循环一个脉冲,其中在此实例中,X=4。继而,裸片1000-1003中的每一个可能以重复的方式(例如,从0到3计数)对裸片指针Dptr的脉冲进行计数,且接着响应于裸片指针Dptr的后续脉冲从计数0开始重复序列。裸片1000-1003中的每一个可能被指派相应计数值。以此方式,裸片1000可能响应于每一计数0,裸片1001可能响应于每一计数1,裸片1002可能响应于每一计数2,且裸片1003可能响应于每一计数3。X的值可能响应于用于在向其它裸片广播预期峰值电流量值时使用的时钟信号ICLK的所要循环数目而选择,如下文将更详细地描述。使用表1的实例,使用数据的三个数位表示预期峰值电流量值的各个量值,三个时钟循环可能用于所述数字表示的广播。因而,X的值可能等于或大于用于广播的时钟循环的数目。
或者,每一裸片100可能响应于单独的控制信号。举例来说,迹线6540-6543可能分别表示计数器信号C0-C3。迹线6540-6543的控制信号可能展现时钟信号ICLK的每D*X循环一个脉冲,其中在此实例中,D=4且X=4。D的值可能等于共享时钟信号ICLK的裸片的数目,且计数器的数目可能等于D。X的值可能响应于用于在向其它裸片广播预期峰值电流量值时使用的时钟信号ICLK的所要循环数目而选择,如下文将更详细地描述,且迹线6540-6543的脉冲可能彼此交错时钟信号ICLK的X个循环。在此实施例中,每一裸片1000-1003可能响应于相应计数器信号C0-C3。举例来说,裸片1000可能响应于迹线6540的计数器信号C0,裸片1001可能响应于迹线6541的计数器信号C1,裸片1002可能响应于迹线6542的计数器信号C2,且裸片1003可能响应于迹线6543的计数器信号C3。
此外,迹线6540-6543的计数器信号C0-C3可能作为具有D数位的信息的组合控制信号提供到每一裸片1000-1003。裸片1000-1003中的每一个可能被指派组合控制信号的相应值。以此方式,裸片1000可能响应于值(例如,数字值)1000,裸片1001可能响应于值0100,裸片1002可能响应于值0010,且裸片1003可能响应于值0001。虽然认为对于本文中所公开的实施例不是必要的,哈(Ha)等人的共同转让的第9,417,685号美国专利描述可能用于生成计数器信号C0-C3的类型的电路系统。
广播预期峰值电流量值的以下实例将使用计数器信号C0-C3来确定指定哪一裸片1000-1003来确定和广播其预期峰值电流量值。然而,将显而易见,可使用任何循序地循环经过裸片的方法。各种实施例利用共享控制信号(例如,峰值电流量值指示符信号HC#),以由多裸片封装的一个裸片向共享迹线656的峰值电流量值指示符信号HC#的所述多裸片封装的每一剩余裸片提供预期峰值电流量值的经编码值(例如,数字表示)。应注意,尽管图6中为了方便起见将迹线6540-6543的计数器信号C0-C3描绘为与迹线650的时钟信号ICLK对准,但可能预期相对于时钟信号ICLK生成计数器信号C0-C3时存在一些延迟,使得计数器信号C0-C3的时间t0不能与时钟信号ICLK的时间t0对准。类似地,峰值电流量值指示符信号HC#的时间t0不能与时钟信号ICLK的时间t0对准。然而,特定时间处这些信号中的一个的转变可被认为响应于对应于所述特定时间的时钟信号ICLK的转变。
对于一些实施例,用于确定预期峰值电流量值的预测时间可能大于或等于用以循环经过多裸片封装的裸片的时间周期,其可被称为环路时间。举例来说,预测时间可能大于或等于计数器信号C0-C3中的一个的周期,例如大于或等于从时间t0到时间t16的时间周期的时间周期。预测时间可能进一步小于(或等于)环路时间加上用以指向下一裸片的时间周期,例如小于(或等于)从时间t0到时间t16以及从时间t16到时间t20的时间周期的时间周期,比如小于(或等于)值((D+1)*环路时间)/D。举例来说,预测时间可能等于1.1乘环路时间。对于一些实施例,预测时间小于2μs,且可小于1μs。对于一些实施例,预测时间可能小于对于其期望功率管理的操作的任何阶段的持续时间。
作为一个实例,在具有八个裸片100且使用时钟信号ICLK的一个循环来指向裸片100中的一个以及时钟信号ICLK的三个后续循环来广播其预期峰值电流量值的系统中,环路时间可能等于时钟信号ICLK的32个时钟循环(8个裸片*4个时钟循环)。如果时钟信号ICLK具有30ns的周期,则预测时间可能大于或等于960ns。
虽然预测时间可考虑从当前时间延伸及以后的时间周期,但预测时间或者可能完全对应于将来时间周期。举例来说,裸片1000可能在图6中的时间t0处确定其是否预期在时间t1或稍后处开始的预测时间期间经历阶段转变。
参考图6,迹线6540可能在时间t0处和时间t16处转变到第一逻辑电平,迹线6541可能在时间t4处和时间t20处转变到第一逻辑电平,迹线6542可能在时间t8处和时间t24处转变到第一逻辑电平,且迹线6543可能在时间t12处和时间t28处转变到第一逻辑电平。迹线6540-6543可能另外具有不同于其第一逻辑电平的第二逻辑电平。对于迹线654,举例来说,其第一逻辑电平可能是逻辑高电平,且其第二逻辑电平可能是逻辑低电平。
在此实例中,可能例如响应于迹线6540转变到第一逻辑电平在时间t0处指定裸片1000。裸片1000接着可能确定预测时间期间的其预期峰值电流量值。可能如何作出此确定的实例将参考图5和表1。
参看图5,如果预测时间对应于时间周期5460,则裸片1000可能正执行其操作540的对应于从时间t0到时间t1的时间周期的阶段。因为时间周期5460期间预期无到其操作540的下一阶段的转变,所以裸片1000可能确定其操作540可继续(例如,因为总电流使用的值将预期为不改变),且可能确定广播例如对应于量值5440的其当前预期峰值电流量值,作为预测时间期间的其预期峰值电流量值。裸片1000可能接着广播对应于量值5440的数字表示,或在此实例中000。
如果预测时间对应于时间周期5461,则裸片1000可能正执行其操作540的对应于从时间t8到时间t9的时间周期的阶段,但可能预期在时间周期5461期间转变到其操作540的对应于从时间t9到时间t10的时间周期的阶段。如此,因为其下一阶段的量值5441大于其当前阶段的量值5440,所以裸片1000可能确定时间周期5461期间的其预期峰值电流量值等于预期峰值电流量值5441,例如其当前阶段和其下一阶段中的较大量值。裸片1000可能接着确定时间周期5461期间的其预期峰值电流量值与其它裸片1001-1003的预期峰值电流量值组合(例如,求和)是否将大于(或等于)总电流使用预算的值。如果裸片1000-1003的预期峰值电流量值的总和将不大于(或等于)总电流使用预算的值,则裸片1000可能确定广播其下一阶段的预期峰值电流量值(例如,对应于量值5441),作为预测时间期间的其预期峰值电流量值。裸片1000可能接着广播对应于量值5441的数字表示,或在此实例中001。举例来说,可能响应于消费者要求或行业标准确定总电流使用预算。
相反,如果裸片1000-1003的预期峰值电流量值的总和将大于(或等于)总电流使用预算的值,则裸片1000可能确定在其操作540的下一阶段之前插入暂停,且广播其当前阶段的预期峰值电流量值(例如,对应于量值5440),作为预测时间期间的其预期峰值电流量值。裸片1000可能接着广播对应于当前阶段的量值5440的数字表示,或在此实例中000。应注意,如果裸片1000-1003的预期峰值电流量值的总和将大于(或等于)总电流使用预算的值,则裸片1000可能替代地使用其操作540的下一阶段的低峰值电流操作模式的预期峰值电流量值再评估所述情形。如果此再评估期间裸片1000-1003的预期峰值电流量值的总和将不大于(或等于)总电流使用预算的值,则裸片1000可能确定广播其下一阶段的低峰值电流操作模式的预期峰值电流量值,或其当前阶段的预期峰值电流量值(无论哪个较大),作为预测时间期间的其预期峰值电流量值。
对于一些实施例,裸片1000可能仅当下一阶段的预期峰值电流量值比当前阶段的预期峰值电流量值大某一阈值时才确定在其操作540的下一阶段之前插入暂停。如果系统可被推测容许高于预算的某些峰值电流量值电平,则此些实施例可能提高性能。继续此实例,如果阈值为30mA,则裸片1000可能确定不插入暂停,即使裸片1000-1003的预期峰值电流量值的总和将大于(或等于)总电流使用预算的值,这是因为下一阶段的量值5441比当前阶段的量值5440大仅25mA。
对于其它实施例,如果裸片1000-1003的预期峰值电流量值的总和中的变化率将大于某一阈值,则裸片1000可能进一步确定在其操作540的下一阶段之前插入暂停,即使裸片1000-1003的预期峰值电流量值的总和将小于总电流使用预算的值。此些实施例可能缓解封装电感所导致的供应电压的突降。举例来说,裸片1000可能将下一阶段的裸片1000-1003的预期峰值电流量值的总和与裸片1000-1003的预期峰值电流量值的较早总和进行比较,且在变化率大于阈值的情况下插入暂停。裸片1000-1003的预期峰值电流量值的较早总和可能是在其在先前环路中指定时由裸片1000确定的值,或可能是响应于存储某一其它裸片1001-1003的预期峰值电流量值而确定的值。
如果预测时间对应于时间周期5462,则裸片1000可能正执行其操作540的对应于从时间t6到时间t7的时间周期的阶段,但可能预期在时间周期5462期间转变到其操作540的对应于从时间t7到时间t8的时间周期的阶段。如此,因为其下一阶段的量值5442小于其当前阶段的量值5445,所以裸片1000可能确定时间周期5462期间的其预期峰值电流量值等于预期峰值电流量值5445,例如其当前阶段和其下一阶段中的较大量值。因为预期不存在预期峰值电流量值的增加,所以裸片1000可能确定其操作540可继续(例如,因为总电流使用的值将预期为不增加),且可能确定广播例如对应于量值5445的其当前预期峰值电流量值,作为预测时间期间的其预期峰值电流量值。裸片1000可能接着广播对应于量值5445的数字表示,或在此实例中101。
尽管可能需要选择小于待由裸片100执行且待经历如本文所描述的方法的操作的任何阶段的持续时间的预测时间,但时间周期5463考虑其中预期预测时间中的一个以上阶段转变的实例。如此,如果预测时间对应于时间周期5463,则裸片1000可能正执行其操作540的对应于从时间t1到时间t2的时间周期的阶段,但可能预期在时间周期5463期间转变到其操作540的对应于从时间t2到时间t3的时间周期的阶段,且进一步转变到其操作540的对应于从时间t3到时间t4的时间周期的阶段。因为其下一阶段的量值5446大于其当前阶段的量值5443且大于其后续阶段的量值5442,所以裸片1000可能确定时间周期5463期间的其预期峰值电流量值等于预期峰值电流量值5446,例如时间周期5463期间(例如,至少部分)执行的每一阶段的较大量值。关于继续还是暂停的确定可如参考时间周期5461所论述而作出(例如,如果下一阶段或时间周期5463期间的任何后续阶段的量值大于当前阶段的量值),或如参考时间周期5462所论述而作出(例如,如果下一阶段或时间周期5463期间的任何后续阶段的量值小于或等于当前阶段的量值)。
对于缺乏限定的持续时间的阶段,一些实施例可能假定将在预测时间期间发生阶段转变,使得所述裸片100的预期峰值电流量值可能是其下一操作阶段的预期峰值电流量值,即使操作可能不在预测时间期间转变到下一阶段。如果裸片1000-1003的预期峰值电流量值的总和将导致暂停操作的确定,则可在下一阶段之前插入暂停。如果操作确实转变到下一阶段,则裸片100可能进入闲置状态,且如果操作未转变到下一阶段,则操作可能只是继续当前阶段。应认识到,允许所广播的预期峰值电流量值等于下一阶段的预期峰值电流量值可能预留比不发生转变的情况下所需的电流更多的电流。
对于某些实施例,指示预期峰值电流量值的经编码值中的一或多个可能进一步对应于不应并行地执行的阶段或阶段类型,例如无关于总电流使用预算。如此,如果裸片100预期在其预测时间内转变到一个此阶段,则其可能进一步确定是否任何其它裸片100在上一环路内广播对应于此阶段的经编码值,且在此经编码值已经广播的情况下确定插入暂停以免并行执行此些阶段。
将参考图6和表1论述广播每一裸片100的预期峰值电流量值的方法。以下实例将假定执行每一裸片的预期峰值电流量值的确定,且预期不暂停任何操作,因为其仅用以表明预期峰值电流量值的表示可如何由裸片广播和共享。考虑以下实例:裸片1000在时间t0处确定预测时间内(例如,大于或等于从时间t0到时间t16的时间周期的时间周期内)的其预期峰值电流量值小于25mA,裸片1001在时间t4处确定预测时间内的其预期峰值电流量值小于200mA,裸片1002在时间t8处确定预测时间内的其预期峰值电流量值小于50mA,裸片1003在时间t12处确定预测时间内的其预期峰值电流量值小于125mA,裸片1000在时间t16处确定预测时间内的其预期峰值电流量值小于75mA,裸片1001在时间t20处确定预测时间内的其预期峰值电流量值小于100mA,裸片1002在时间t24处确定预测时间内的其预期峰值电流量值小于150mA,以及裸片1003在时间t28处确定预测时间内的其预期峰值电流量值小于175mA。
在此实例中,可能例如响应于迹线6540转变到第一逻辑电平在时间t0处指定裸片1000。裸片1000可能接着在迹线650的时钟信号ICLK的一或多个后续循环的过程中使用(例如,通过选择性地转变)迹线656的峰值电流量值指示符信号HC#来广播小于25mA的其预期峰值电流量值的数字表示。在此实例中,裸片1000可能针对对应于时间t1、t2和t3的时钟信号ICLK的循环将峰值电流量值指示符信号HC#从第一逻辑电平(例如,逻辑高电平)转变到第二逻辑电平(例如,逻辑低电平)以表示数字值000。图7A-7B是用于与实施例一起使用的用于生成峰值电流量值指示符信号HC#的电路的简化示意图。
如图7A中所描绘,裸片1000-1003经由信号线424共同地共享峰值电流量值指示符信号HC#。举例来说,峰值电流量值指示符信号HC#可能通常使用电压供应节点414和电阻器416拉至逻辑高电平。对于裸片1000-1003中的每一个,另一电压供应节点,例如经耦合以接收参考电位(例如,接地或Vss)的参考电位节点764,可经由例如晶体管762等开关选择性地连接到信号线424,所述晶体管各自具有经耦合以接收控制信号的控制栅极。举例来说,裸片1000可具有经耦合以接收由裸片1000生成的控制信号G0的其晶体管762的控制栅极,裸片1001可具有经耦合以接收由裸片1001生成的控制信号G1的其晶体管762的控制栅极,裸片1002可具有经耦合以接收由裸片1002生成的控制信号G2的其晶体管762的控制栅极,且裸片1003可具有经耦合以接收由裸片1003生成的控制信号G3的其晶体管762的控制栅极。可能生成(例如,由裸片的控制器)这些控制信号以当其相应裸片100希望指示第二逻辑电平时激活其相应晶体管762,且当其相应裸片100希望指示第一逻辑电平时或当其相应裸片100不被指定以广播其预期峰值电流量值时解除激活其相应晶体管762。在图7A的实例中,当激活任何晶体管762时,信号线424的电压电平将拉至逻辑低电平,且当未激活任何晶体管762时,信号线424的电压电平将拉回到逻辑高电平。
如图7B中所描绘,裸片1000-1003经由信号线424共同地共享峰值电流量值指示符信号HC#。峰值电流量值指示符信号HC#可能通常浮动,除非由裸片1000-1003中的一个有源地驱动。裸片1000-1003中的每一个可能包含驱动器766,其可能被配置成在启用时选择性地将其输出连接到对应于信号线424的所要逻辑电平的特定电压供应节点764或768,或在停用时通过使其输出与两个电压供应节点764和768隔离而向信号线424提供高阻抗(高Z)状态。举例来说,裸片1000可能生成控制信号E1以具有逻辑低电平从而停用其驱动器766并使其输出与其电压供应节点764和768隔离,或者具有逻辑高电平以使其驱动器766能够响应于其控制信号G0的逻辑电平将其输出连接到其电压供应节点764或其电压供应节点768。继续此实例,如果裸片1000生成控制信号G0以具有逻辑低电平,则其驱动器766可能被配置成将其输出连接到其电压供应节点764,且如果裸片1000生成控制信号G0以具有逻辑高电平,则其驱动器766可能被配置成将其输出连接到其电压供应节点768。剩余裸片1001-1003可能类似地配置。以此方式,裸片100中的一个可在指定时利用其驱动器766驱动信号线424的逻辑电平,而剩余裸片100可能各自从其驱动器766提供高阻抗。还可使用用于共同地共享峰值电流量值指示符信号HC#的其它电路系统,其中每一裸片100被配置成选择性地转变信号线424的逻辑电平。
继续图6的实例,可能例如响应于迹线6541转变到第一逻辑电平在时间t4处指定裸片1001。裸片1001可能接着在迹线650的时钟信号ICLK的一或多个后续循环的过程中使用(例如,通过选择性地转变)迹线656的峰值电流量值指示符信号HC#来广播小于200mA的其预期峰值电流量值的数字表示。在此实例中,裸片1001可能针对对应于时间t5、t6和t7的时钟信号ICLK的循环将峰值电流量值指示符信号HC#维持在第一逻辑电平以表示数字值111。
可能例如响应于迹线6542转变到第一逻辑电平在时间t8处指定裸片1002。裸片1002可能接着在迹线650的时钟信号ICLK的一或多个后续循环的过程中使用(例如,通过选择性地转变)迹线656的峰值电流量值指示符信号HC#来广播小于50mA的其预期峰值电流量值的数字表示。在此实例中,裸片1002可能针对对应于时间t9和t10的时钟信号ICLK的循环将峰值电流量值指示符信号HC#转变到第二逻辑电平,且针对对应于时间t11的时钟信号ICLK的循环将峰值电流量值指示符信号HC#转变到第一逻辑电平,以表示数字值001。
可能例如响应于迹线6543转变到第一逻辑电平在时间t12处指定裸片1003。裸片1003可能接着在迹线650的时钟信号ICLK的一或多个后续循环的过程中使用(例如,通过选择性地转变)迹线656的峰值电流量值指示符信号HC#来广播小于125mA的其预期峰值电流量值的数字表示。在此实例中,裸片1003可能针对对应于时间t13的时钟信号ICLK的循环将峰值电流量值指示符信号HC#维持在第一逻辑电平,且针对对应于时间t14和t15的时钟信号ICLK的循环将峰值电流量值指示符信号HC#转变到第二逻辑电平,以表示数字值100。
可能例如响应于迹线6540转变到第一逻辑电平在时间t16处指定裸片1000。裸片1000可能接着在迹线650的时钟信号ICLK的一或多个后续循环的过程中使用(例如,通过选择性地转变)迹线656的峰值电流量值指示符信号HC#来广播小于75mA的其预期峰值电流量值的数字表示。在此实例中,裸片1000可能针对对应于时间t17的时钟信号ICLK的循环将峰值电流量值指示符信号HC#转变到第二逻辑电平,针对对应于时间t18的时钟信号ICLK的循环将峰值电流量值指示符信号HC#转变到第一逻辑电平,且针对对应于时间t19的时钟信号ICLK的循环将峰值电流量值指示符信号HC#转变到第二逻辑电平,以表示数字值010。
可能例如响应于迹线6541转变到第一逻辑电平在时间t20处指定裸片1001。裸片1001可能接着在迹线650的时钟信号ICLK的一或多个后续循环的过程中使用(例如,通过选择性地转变)迹线656的峰值电流量值指示符信号HC#来广播小于100mA的其预期峰值电流量值的数字表示。在此实例中,裸片1001可能针对对应于时间t21的时钟信号ICLK的循环将峰值电流量值指示符信号HC#转变到第二逻辑电平,且针对对应于时间t22和t23的时钟信号ICLK的循环将峰值电流量值指示符信号HC#转变到第一逻辑电平,以表示数字值011。
可能例如响应于迹线6542转变到第一逻辑电平在时间t24处指定裸片1002。裸片1002可能接着在迹线650的时钟信号ICLK的一或多个后续循环的过程中使用(例如,通过选择性地转变)迹线656的峰值电流量值指示符信号HC#来广播小于150mA的其预期峰值电流量值的数字表示。在此实例中,裸片1002可能针对对应于时间t25的时钟信号ICLK的循环将峰值电流量值指示符信号HC#维持在第一逻辑电平,针对对应于时间t26的时钟信号ICLK的循环将峰值电流量值指示符信号HC#转变到第二逻辑电平,且针对对应于时间t27的时钟信号ICLK的循环将峰值电流量值指示符信号HC#转变到第一逻辑电平,以表示数字值101。
可能例如响应于迹线6543转变到第一逻辑电平在时间t28处指定裸片1003。裸片1003可能接着在迹线650的时钟信号ICLK的一或多个后续循环的过程中使用(例如,通过选择性地转变)迹线656的峰值电流量值指示符信号HC#来广播小于175mA的其预期峰值电流量值的数字表示。在此实例中,裸片1003可能针对对应于时间t29和t30的时钟信号ICLK的循环将峰值电流量值指示符信号HC#维持在第一逻辑电平,且针对对应于时间t31的时钟信号ICLK的循环将峰值电流量值指示符信号HC#转变到第二逻辑电平,以表示数字值110。
鉴于前述实例,将清楚,可能使用时钟信号ICLK的更少或更多时钟循环表示不同次序的数字表示,以分别表示预期峰值电流量值的更低或更高粒度。此外,虽然前述实例在指定下一裸片之前完成广播针对一个裸片的数字表示,但这两个动作可以重叠。举例来说,计数器信号C0可在时间t0处转变,且裸片1000可在时间t1、t2和t3处广播其数字表示,如图6中所描绘。然而,在此替代实例中,计数器信号C1可在时间t3处例如当裸片1000正广播其数字表示的最后数位时转变,且裸片1001可在时间t4处开始广播其数字表示。类似地,计数器信号C2可在时间t6处例如当裸片1001正广播其数字表示的最后数位时转变,且裸片1002可在时间t7处开始广播其数字表示,等等。
图8是根据另一实施例包含八个裸片100(例如,1000-1007)的多裸片封装的示意性表示。时钟信号ICLK经由时钟信号线422在裸片100之间共同地共享。裸片1000-1007可能是封装302的一部分。裸片1000-1003可能响应于芯片启用信号CE0#(未描绘)作为控制链路1320的一部分选择性地启用,且可能经由I/O总线1340通信。裸片1004-1007可能响应于芯片启用信号CE1#(未描绘)作为与控制链路1320分离的控制链路1321的一部分选择性地启用,且可能经由与I/O总线1340分离的I/O总线1341通信。
峰值电流量值指示符信号HC#经由信号线424在裸片100之间共同地共享。峰值电流量值指示符信号HC#可通常被拉至特定状态(例如,被拉高)。就绪/忙碌控制信号RB0#经由控制信号线4260在裸片1000-1003之间共同地共享。就绪/忙碌控制信号RB1#经由控制信号线4261在裸片1004-1007之间共同地共享。就绪/忙碌控制信号RB0#和RB1#两者可通常彼此独立地被拉至特定状态(例如,被拉高)。对于此实例,实施例可能循环经过裸片100中的每一个以用于确定和广播预期峰值电流量值,即使一些裸片100可能响应于其相应芯片启用信号而停用。对于以例如参考图7A描述的方式共享峰值电流量值指示符信号HC#的实施例,最低预期峰值电流量值的经编码值可能被配置成使得其数位中的每一个对应于峰值电流量值指示符信号HC#的正常逻辑电平,其中停用的裸片100不转变峰值电流量值指示符信号HC#。或者,对于以例如参考图7B描述的方式共享峰值电流量值指示符信号HC#的实施例,裸片100可能被配置成当以其它方式响应于其相应芯片启用信号而停用时驱动峰值电流量值指示符信号HC#的转变以在指定后指示最低预期峰值电流量值的经编码值。
图9是根据一实施例操作裸片的方法的流程图。相对于图9,在901处,裸片(例如,存储器)可能确定例如预测时间等某一时间周期内的预期峰值电流量值。所述时间周期内的所述预期峰值电流量值可能是裸片的当前预期峰值电流量值,或待由裸片执行的操作的下一阶段的预期峰值电流量值。在903处,裸片可能在所述时间周期完成之前输出所述时间周期内的预期峰值电流量值,这可能包含在所述时间周期起始之前输出所述时间周期内的预期峰值电流量值。裸片可能是彼此通信的多个裸片中的特定裸片。预期峰值电流量值的输出可能包含向所述多个裸片的每一剩余裸片广播预期峰值电流量值。
图10A-10B是根据实施例操作裸片的方法的流程图。相对于图10A,在1011处,裸片(例如,存储器)可能确定其是否将在例如预测时间等特定时间长度内起始操作的下一阶段。操作的下一阶段可能包含尚未开始的操作的初始阶段。是否将预期发生转变的确定可能包含响应于起始操作的某一阶段(例如,先前阶段)而启动定时器(例如,定时器128),以及将定时器的间隔设定为等于所述阶段的持续时间减去所述特定时间长度。以此方式,定时器到达其间隔的末尾,且改变其输出将向裸片传信将预期在所述特定时间长度内存在针对下一确定的转变(1011处)。或者或另外,裸片可能确定在裸片为闲置的情况预期转变,且操作正等待开始。还可使用作出此确定的其它方式。
如果预期无转变,则方法可能返回到1011以例如在被指定作出确定之后再次作出此确定。如果在1011处预期转变,则裸片可能在1013处确定下一阶段的预期峰值电流量值是否大于其当前预期峰值电流量值,其可能包含闲置时的预期峰值电流量值,或先前操作的最后阶段的预期峰值电流量值。
如果在1013处下一阶段的预期峰值电流量值不大于其当前预期峰值电流量值,则裸片可能在1015处确定特定时间长度期间的其预期峰值电流量值等于其当前预期峰值电流量值。如果在1013处下一阶段的预期峰值电流量值大于其当前预期峰值电流量值,则裸片可能进行到1017。
在1017处,裸片可能使用下一阶段的预期峰值电流量值确定多个裸片的总的预期峰值电流量值。举例来说,总的预期峰值电流量值可能响应于从所述多个裸片的每一剩余裸片接收(例如,先前接收)的预期峰值电流量值,以及其下一阶段的此裸片的预期峰值电流量值。如果此总的预期峰值电流量值小于(或等于)特定值(例如,总电流使用预算),则裸片可能在1021处确定特定时间长度期间的其预期峰值电流量值等于下一阶段的预期峰值电流量值。如果此总的预期峰值电流量值大于(或等于)特定值,则裸片可能在1023处确定在下一阶段之前在操作中插入暂停。插入暂停可能包含将寄存器的值设定到特定值,使得如果寄存器具有所述特定值,则裸片可能等待转变到下一阶段直至寄存器的值例如响应于随后在1019处确定总的预期峰值电流量值现小于(或等于)其特定值(例如,总电流使用预算)而复位到不同值。
相对于图10B,描述图10A的方法的变型。代替于在总的预期峰值电流量值大于(或等于)特定值的情况下从1019进行到1023,裸片可能在1025处确定将在不同操作模式中操作下一阶段(例如,在低峰值电流操作模式而非正常操作模式中)的情况下的预期峰值电流量值。裸片可能接着在1027处确定不同操作模式中下一阶段的预期峰值电流量值是否大于当前预期峰值电流量值。如果否,则方法可能返回到1015。否则,裸片可能接着在1029处再评估使用不同操作模式中下一阶段的预期峰值电流量值的所述多个裸片的总的预期峰值电流量值是否大于(或等于)所述特定值。如果是,则方法可能接着进行到1023。如果否,则裸片可能在1031处确定所述特定时间长度期间的其预期峰值电流量值等于不同操作模式中下一阶段的预期峰值电流量值。
图11是根据另一实施例操作裸片的方法的流程图。在1141处,可能广播如图10A-10B的1015、1021或1031处确定的特定时间长度期间的预期峰值电流量值,例如如参考图6所描述。
图12是根据一实施例操作多个裸片的方法的流程图。在1251处,N的值可能设定为初始值Ninit。N的值可能是整数值,且可能表示裸片指针的值。举例来说,初始值Ninit可能为0或1。N的值可能介于其初始值到整数值D之间,其中(D-Ninit+1)等于多个裸片中的裸片的编号。在1253处,裸片N可能确定相应时间周期期间的预期峰值电流量值,例如如参考图10A和/或10B所描述。所述多个裸片的任何裸片的相应时间周期可能与所述多个裸片的每一剩余裸片的相应时间周期重叠。所述多个裸片的任何裸片的相应时间周期可能具有与所述多个裸片的每一剩余裸片的相应时间周期相同的持续时间。裸片N的相应时间周期可能迟于裸片(N-1)的相应时间周期且早于裸片(N+1)的相应时间周期开始,例如所述相应时间周期可能是循序且重叠的。
在1255处,可能向所述多个裸片的剩余裸片广播裸片N的相应时间周期期间的预期峰值电流量值。在1257处,可能确定N的值是否小于D。如果N等于D,则方法可能返回到1251以将N的值设定为其初始值Ninit。如果N小于D,则可能在1259处改变(例如,递增)N的值,且方法可能返回到1253。虽然图12的方法考虑从多个裸片的最低编号裸片到最高编号裸片的序列,但从所述多个裸片的最高编号裸片到最低编号裸片的序列,或者将在使N返回到其初始值Ninit之前针对所述多个裸片的每一裸片作出预期峰值电流量值的确定一次的任何序列,将被认为是等效的。
图13是根据另一实施例操作多个裸片的方法的流程图。在1361处,响应于在图12的1255处广播裸片N的特定时间长度期间的预期峰值电流量值,所述多个裸片的除裸片N外的每一裸片可能存储裸片N的所述特定时间长度内的预期峰值电流量值。
图14是可能与实施例一起使用的寄存器的框图。各个实施例可能利用寄存器来存储将在其执行过程中使用的数据。寄存器可能表示易失性或非易失性存储器、锁存器或其它存储位置。图14的实例描绘D个寄存器1470,例如寄存器14700-1470D-1,用于存储由含有寄存器1470的裸片确定的且从与所述裸片通信的其它裸片接收的预期峰值电流量值。图14进一步描绘可能存储寄存器1470的总和的寄存器1472,以及可能存储对应于裸片的总电流使用预算的值的寄存器1474。寄存器1470、1472和1474可能通常存储多个数位的数据。
图14进一步描绘寄存器1476,其可能存储旗标值,所述旗标值可能指示是否将在起始下一阶段(其可包含操作的初始阶段)之前暂停操作。寄存器1476可能含有单个数位,例如如果期望暂停则值0,否则值1。图14进一步描绘可能指示哪一操作当前为活跃(其可包含闲置状态)的寄存器1478、可能指示哪一阶段当前为活跃(其可能包含闲置状态)的寄存器1480,以及可能存储对应于预测时间的值的寄存器1482。寄存器1478、1480和1482可能通常存储多个数位的数据。存储到寄存器1470-1482的值可能如本文中所描述而使用。还可能使用额外寄存器,例如对应于用于在确定例如预期峰值电流量值的变化率时使用的寄存器1470的先前总和的值。
图15是可能与实施例一起使用的其它寄存器的框图。图15描绘用于存储高达Z个操作的每一操作的高达Y个阶段持续时间的寄存器1584,例如寄存器15840-0-1584(Y-1)-(Z-1)。图15进一步描绘用于存储高达Z个操作的每一操作的高达Y个阶段的每一阶段的预期峰值电流量值的寄存器1586,例如寄存器15860-0-1586(Y-1)-(Z-1)。存储到寄存器1584和1586的值可能如本文中所描述而使用。Z个操作可能表示正常操作模式操作和低峰值电流操作模式操作两者,且可进一步包含闲置状态。
结论
尽管本文中已说明且描述特定实施例,但所属领域的一般技术人员将了解,预计实现相同目的的任何布置可能取代所展示的特定实施例。所属领域的一般技术人员将显而易见对实施例的许多调适。因此,本申请意图涵盖实施例的任何调适或变型。
Claims (31)
1.一种操作裸片的方法,其包括:
确定某一时间周期内所述裸片的预期峰值电流量值;以及
在完成所述时间周期之前从所述裸片输出所述预期峰值电流量值。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述裸片是多个裸片中的特定裸片,且所述时间周期是多个时间周期中的特定时间周期,所述方法进一步包括:
确定所述多个时间周期中的不同时间周期内所述多个裸片中的不同裸片的预期峰值电流量值;以及
在完成所述不同时间周期之前从所述不同裸片输出所述不同裸片的所述预期峰值电流量值。
3.根据权利要求2所述的方法,其中所述不同时间周期的完成在所述特定时间周期的完成之后发生。
4.根据权利要求3所述的方法,其中所述特定时间周期和所述不同时间周期具有相同持续时间。
5.根据权利要求2所述的方法,其进一步包括:
针对所述多个裸片中的每一剩余裸片:
确定所述多个时间周期中的相应时间周期内所述裸片的预期峰值电流量值;以及
在完成其相应时间周期之前从所述裸片输出所述裸片的所述预期峰值电流量值。
6.根据权利要求1所述的方法,其中从所述裸片输出所述预期峰值电流量值包括选择性地转变由所述多个裸片的每一裸片共享的信号线的逻辑电平。
7.根据权利要求2所述的方法,其中输出所述特定裸片的所述预期峰值电流量值包括向所述多个裸片的每一剩余裸片广播所述特定裸片的所述预期峰值电流量值。
8.根据权利要求1所述的方法,其中在完成所述时间周期之前从所述裸片输出所述预期峰值电流量值包括在开始所述时间周期之前从所述裸片输出所述预期峰值电流量值。
9.一种操作多个裸片的方法,其包括:
针对序列中的从Ninit到D的N的每一值,其中N、Ninit和D为整数,且其中(D-Ninit+1)等于所述多个裸片中的裸片的数目:
确定相应时间周期内第N裸片的预期峰值电流量值;以及
在完成其相应时间周期之前从所述第N裸片广播所述预期峰值电流量值。
10.根据权利要求9所述的方法,其中从所述第N裸片广播所述预期峰值电流量值在继续到N的下一值之前开始。
11.根据权利要求10所述的方法,其中从所述第N裸片广播所述预期峰值电流量值在继续到N的下一值之前完成。
12.根据权利要求9所述的方法,其中所述多个裸片的每一裸片的所述相应时间周期具有相同持续时间。
13.根据权利要求12所述的方法,其中所述持续时间大于或等于用以从Ninit到D且回到Ninit依次经过N的每一值的时间。
14.根据权利要求9所述的方法,其中从所述第N裸片广播所述预期峰值电流量值包括选择性地转变共同地连接到所述多个裸片的每一裸片的信号线的逻辑电平。
15.根据权利要求14所述的方法,其中选择性地转变所述信号线的所述逻辑电平包括选择性地转变所述信号线的所述逻辑电平以表示多个经编码值中的特定经编码值,且其中所述多个经编码值的每一经编码值表示预期峰值电流的不同量值。
16.根据权利要求9所述的方法,其中确定其相应时间周期内所述第N裸片的所述预期峰值电流量值包括确定所述第N裸片是否预期在其相应时间周期期间转变到操作的下一阶段。
17.根据权利要求16所述的方法,当所述第N裸片预期在其相应时间周期期间转变到所述操作的所述下一阶段时,确定其相应时间周期内所述第N裸片的所述预期峰值电流量值包括选择所述第N裸片的所述操作的所述下一阶段的预期峰值电流量值和所述第N裸片的当前预期峰值电流量值中的较大值。
18.根据权利要求17所述的方法,其中所述第N裸片的所述操作的所述下一阶段的所述预期峰值电流量值选自由以下组成的群组:正常操作模式中所述第N裸片的所述操作的所述下一阶段的预期峰值电流量值,和不同操作模式中所述第N裸片的所述操作的所述下一阶段的预期峰值电流量值。
19.根据权利要求16所述的方法,其中确定所述第N裸片是否预期在其相应时间周期期间转变到所述操作的所述下一阶段包括当所述操作的当前阶段具有可变持续时间时认为所述第N裸片预期在其相应时间周期期间转变到所述操作的所述下一阶段。
20.一种操作包括包含特定裸片的多个裸片的设备的方法,所述方法包括:
在所述特定裸片处接收所述多个裸片中除所述特定裸片外的每一裸片的相应预期峰值电流量值;
确定所述特定裸片是否预期在特定时间长度内起始操作的下一阶段;
当确定所述特定裸片预期在所述特定时间长度内起始所述操作的所述下一阶段时:
确定所述下一阶段的预期峰值电流量值是否大于所述特定裸片的当前预期峰值电流量值;
当所述下一阶段的所述预期峰值电流量值小于所述当前预期峰值电流量值时,将所述特定时间长度期间所述特定裸片的预期峰值电流量值设定为所述当前预期峰值电流量值;以及
当所述下一阶段的所述预期峰值电流量值确定为大于所述特定裸片的所述当前峰值电流量值时:
如果所述下一阶段的所述预期峰值电流量值与所述多个裸片中除所述特定裸片外的每一裸片的所述预期峰值电流量值的总和小于特定值,则将所述特定时间长度期间所述特定裸片的所述预期峰值电流量值设定为所述下一阶段的所述预期峰值电流量值。
21.根据权利要求20所述的方法,其进一步包括:
在所述多个裸片的不同裸片处接收所述多个裸片中除所述不同裸片外的每一裸片的相应预期峰值电流量值;
确定所述不同裸片是否预期在所述特定时间长度内起始所述不同裸片的操作的下一阶段;
当确定所述不同裸片预期在所述特定时间长度内起始其操作的所述下一阶段时:
确定其操作的所述下一阶段的预期峰值电流量值是否大于所述不同裸片的当前预期峰值电流量值;
当其操作的所述下一阶段的所述预期峰值电流量值小于所述不同裸片的所述当前预期峰值电流量值时,将所述特定时间长度期间所述不同裸片的预期峰值电流量值设定为所述不同裸片的所述当前预期峰值电流量值;以及
当其操作的所述下一阶段的所述预期峰值电流量值确定为大于所述不同裸片的所述当前峰值电流量值时:
如果其操作的所述下一阶段的所述预期峰值电流量值与所述多个裸片中除所述不同裸片外的每一裸片的所述预期峰值电流量值的总和小于所述特定值,则将所述特定时间长度期间所述不同裸片的所述预期峰值电流量值设定为其操作的所述下一阶段的所述预期峰值电流量值。
22.根据权利要求21所述的方法,其中所述特定裸片的所述特定时间长度对应于与所述不同裸片的所述特定时间长度不同的时间周期。
23.根据权利要求22所述的方法,其中所述特定裸片的所述时间周期与所述不同裸片的所述时间周期重叠。
24.根据权利要求20所述的方法,其进一步包括:
当所述下一阶段的所述预期峰值电流量值确定为大于所述特定裸片的所述当前峰值电流量值时:
如果所述下一阶段的所述预期峰值电流量值与所述多个裸片中除所述特定裸片外的每一裸片的所述预期峰值电流量值的所述总和大于所述特定值,则将所述特定时间长度期间所述特定裸片的所述预期峰值电流量值设定为所述特定裸片的所述当前峰值电流量值;以及
在所述下一阶段之前插入暂停。
25.根据权利要求24所述的方法,其进一步包括:
当所述下一阶段的所述预期峰值电流量值确定为大于所述特定裸片的所述当前峰值电流量值时:
如果所述下一阶段的所述预期峰值电流量值与所述多个裸片中除所述特定裸片外的每一裸片的所述预期峰值电流量值的所述总和等于所述特定值,则将所述特定时间长度期间所述特定裸片的所述预期峰值电流量值设定为所述特定裸片的所述当前峰值电流量值。
26.根据权利要求24所述的方法,其进一步包括将所述特定时间长度期间所述特定裸片的所述预期峰值电流量值设定为所述特定裸片的所述当前峰值电流量值,且当所述多个裸片的每一裸片的所述预期峰值电流量值的所述总和的变化率大于阈值时,在所述下一阶段之前插入所述暂停。
27.根据权利要求24所述的方法,其中插入暂停包括设定所述特定裸片的寄存器的值。
28.根据权利要求20所述的方法,其进一步包括:
当所述下一阶段的所述预期峰值电流量值确定为大于所述特定裸片的所述当前峰值电流量值,且所述下一阶段的所述预期峰值电流量值与所述多个裸片中除所述特定裸片外的每一裸片的所述预期峰值电流量值的所述总和大于所述特定值时:
确定所述下一阶段的不同操作模式的预期峰值电流量值;以及
如果所述不同操作模式中所述下一阶段的所述预期峰值电流量值与所述多个裸片中除所述特定裸片外的每一裸片的所述预期峰值电流量值的所述总和小于所述特定值,则将所述特定时间长度期间所述特定裸片的所述预期峰值电流量值设定为所述不同操作模式中所述下一阶段的所述预期峰值电流量值。
29.根据权利要求20所述的方法,其中在所述下一阶段的所述预期峰值电流量值与所述多个裸片中除所述特定裸片外的每一裸片的所述预期峰值电流量值的所述总和小于所述特定值的情况下将所述特定时间长度期间所述特定裸片的所述预期峰值电流量值设定为所述下一阶段的所述预期峰值电流量值包括所述特定值是所述多个裸片的总电流使用预算。
30.一种存储器,其包括:
存储器单元阵列;以及
控制器,其用于所述存储器单元阵列的存取,其中所述控制器被配置成致使所述存储器:
确定某一时间周期内所述存储器的预期峰值电流量值;以及
在完成所述时间周期之前从所述存储器输出所述预期峰值电流量值。
31.一种设备,其包括:
多个存储器,其中所述多个存储器的每一存储器与所述多个存储器中的每一剩余存储器通信,且其中所述多个存储器的特定存储器包括:
存储器单元阵列;以及
控制器,其用于所述存储器单元阵列的存取,其中所述控制器被配置成致使所述特定存储器:
存储所述多个存储器中除所述特定存储器外的每一存储器的相应预期峰值电流量值;
确定所述特定存储器是否预期在特定时间长度内起始操作的下一阶段;
当确定所述特定存储器预期在所述特定时间长度内起始所述操作的所述下一阶段时:
确定所述下一阶段的预期峰值电流量值是否大于所述特定存储器的当前预期峰值电流量值;
当所述下一阶段的所述预期峰值电流量值小于所述当前预期峰值电流量值时,将所述特定时间长度期间所述特定存储器的预期峰值电流量值设定为所述当前预期峰值电流量值;以及
当所述下一阶段的所述预期峰值电流量值确定为大于所述特定存储器的所述当前峰值电流量值时:
如果所述下一阶段的所述预期峰值电流量值与所述多个存储器中除所述特定存储器外的每一存储器的所述预期峰值电流量值的总和小于特定值,则将所述特定时间长度期间所述特定存储器的所述预期峰值电流量值设定为所述下一阶段的所述预期峰值电流量值。
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Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11442525B2 (en) * | 2019-08-23 | 2022-09-13 | Micron Technology, Inc. | Power management |
US11385810B2 (en) * | 2020-06-30 | 2022-07-12 | Sandisk Technologies Llc | Dynamic staggering for programming in nonvolatile memory |
US11907547B2 (en) | 2021-04-30 | 2024-02-20 | Micron Technology, Inc. | Power management |
US11935602B2 (en) | 2021-06-01 | 2024-03-19 | Micron Technology, Inc. | Power management |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102099861A (zh) * | 2008-07-21 | 2011-06-15 | 美光科技公司 | 使用堆叠式存储器装置裸片的存储器系统及方法以及使用所述存储器系统的系统 |
CN102184149A (zh) * | 2009-12-07 | 2011-09-14 | 意法半导体(研发)有限公司 | 封装 |
US20140195734A1 (en) * | 2013-01-07 | 2014-07-10 | Micron Technology, Inc. | Power management |
US20150235677A1 (en) * | 2014-02-18 | 2015-08-20 | Micron Technology, Inc. | Power management |
CN208062047U (zh) * | 2017-01-20 | 2018-11-06 | 谷歌有限责任公司 | 具有集成dram的系统级封装 |
CN109075584A (zh) * | 2016-03-31 | 2018-12-21 | 高通股份有限公司 | 用于性能节制的嵌入式电流测量的装置和方法 |
CN109097731A (zh) * | 2018-07-27 | 2018-12-28 | 广东工业大学 | 一种AlCrN/AlCrYN多元多层涂层及其制备方法和应用 |
US20190138233A1 (en) * | 2017-11-09 | 2019-05-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory controller and storage device including the same |
US20190179392A1 (en) * | 2017-12-11 | 2019-06-13 | Micron Technology, Inc. | Power management |
US10388361B1 (en) * | 2018-03-13 | 2019-08-20 | Micron Technology, Inc. | Differential amplifier schemes for sensing memory cells |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9063202B2 (en) * | 2008-09-15 | 2015-06-23 | Caterpillar Inc. | Method and apparatus for detecting phase current imbalance in a power generator |
US20110173462A1 (en) * | 2010-01-11 | 2011-07-14 | Apple Inc. | Controlling and staggering operations to limit current spikes |
US8745369B2 (en) | 2011-06-24 | 2014-06-03 | SanDisk Technologies, Inc. | Method and memory system for managing power based on semaphores and timers |
US9329986B2 (en) * | 2012-09-10 | 2016-05-03 | Sandisk Technologies Inc. | Peak current management in multi-die non-volatile memory devices |
KR20150087646A (ko) * | 2014-01-22 | 2015-07-30 | 삼성전자주식회사 | 불 휘발성 메모리 장치를 포함하는 메모리 시스템 및 그것의 동작 방법 |
US20160372160A1 (en) * | 2015-06-16 | 2016-12-22 | Sandisk Technologies Inc. | Memory System and method for power management |
WO2017033399A1 (ja) * | 2015-08-21 | 2017-03-02 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 管理装置、充放電制御装置、蓄電システム、及び充放電制御方法 |
US10095412B2 (en) * | 2015-11-12 | 2018-10-09 | Sandisk Technologies Llc | Memory system and method for improving write performance in a multi-die environment |
US9947401B1 (en) * | 2016-12-22 | 2018-04-17 | Sandisk Technologies Llc | Peak current management in non-volatile storage |
US10404058B2 (en) * | 2017-11-27 | 2019-09-03 | Regal Beloit America, Inc. | Circuit for loss of phase detection |
US11442525B2 (en) * | 2019-08-23 | 2022-09-13 | Micron Technology, Inc. | Power management |
KR20210146643A (ko) * | 2020-05-27 | 2021-12-06 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 저장 장치 및 그 동작 방법 |
US11393616B2 (en) * | 2020-09-24 | 2022-07-19 | Logitech Europe S.A. | Electromagnetic pulse driver |
-
2019
- 2019-08-23 US US16/548,910 patent/US11442525B2/en active Active
-
2020
- 2020-08-11 EP EP20764187.9A patent/EP4018446A1/en active Pending
- 2020-08-11 WO PCT/US2020/045710 patent/WO2021041019A1/en unknown
- 2020-08-11 CN CN202080059748.2A patent/CN114341772B/zh active Active
-
2022
- 2022-08-25 US US17/895,234 patent/US11740683B2/en active Active
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102099861A (zh) * | 2008-07-21 | 2011-06-15 | 美光科技公司 | 使用堆叠式存储器装置裸片的存储器系统及方法以及使用所述存储器系统的系统 |
CN102184149A (zh) * | 2009-12-07 | 2011-09-14 | 意法半导体(研发)有限公司 | 封装 |
US20140195734A1 (en) * | 2013-01-07 | 2014-07-10 | Micron Technology, Inc. | Power management |
CN105074832A (zh) * | 2013-01-07 | 2015-11-18 | 美光科技公司 | 电力管理 |
US20150235677A1 (en) * | 2014-02-18 | 2015-08-20 | Micron Technology, Inc. | Power management |
CN109075584A (zh) * | 2016-03-31 | 2018-12-21 | 高通股份有限公司 | 用于性能节制的嵌入式电流测量的装置和方法 |
CN208062047U (zh) * | 2017-01-20 | 2018-11-06 | 谷歌有限责任公司 | 具有集成dram的系统级封装 |
US20190138233A1 (en) * | 2017-11-09 | 2019-05-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory controller and storage device including the same |
CN109766294A (zh) * | 2017-11-09 | 2019-05-17 | 三星电子株式会社 | 存储器控制器和包括其的储存设备 |
US20190179392A1 (en) * | 2017-12-11 | 2019-06-13 | Micron Technology, Inc. | Power management |
US10388361B1 (en) * | 2018-03-13 | 2019-08-20 | Micron Technology, Inc. | Differential amplifier schemes for sensing memory cells |
CN109097731A (zh) * | 2018-07-27 | 2018-12-28 | 广东工业大学 | 一种AlCrN/AlCrYN多元多层涂层及其制备方法和应用 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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